TW201006953A - Vapour delivery system - Google Patents

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TW201006953A
TW201006953A TW098104903A TW98104903A TW201006953A TW 201006953 A TW201006953 A TW 201006953A TW 098104903 A TW098104903 A TW 098104903A TW 98104903 A TW98104903 A TW 98104903A TW 201006953 A TW201006953 A TW 201006953A
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TW
Taiwan
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species
liquid
container
heating
processing chamber
Prior art date
Application number
TW098104903A
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English (en)
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Malcolm Woodcock
Original Assignee
P2I Ltd
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    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/60Deposition of organic layers from vapour phase
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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Description

201006953 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用於輸送物種至一處理室之—輸送系統與 方法,及關於用於電漿處理包括該輸送系統之一物品表'面 之裝置。 【先前技術】 輸送系統已知可用於自一高沸點液體輸送並調節蒸汽進 入一真sμ,以便在該真空室中執行—化學或物理過 程。該已知的系統不是非常適合於當液體為化學反應單體 之情況。 在已知的起泡器系統中,載氣氣泡穿過液體,吸收並傳 送蒸汽進入真空室。在一已知的蒸發器系統中,產生足够 高的蒸汽壓力(1托大小)以經由一質量流量控制器輸送蒸汽 進入真空室。在一蒸汽輸送系統中,液體被加熱並經由一 細孔吸入’通常係利用載氣輔助。 起泡器與蒸汽輸送系統苦於要求載氣流量之缺點,並因 此限制了蒸汽/載體組合物之適用範圍。蒸發器系統具有 液體必須被加熱至足够高的溫度以便產生足够高的壓力使 得質望 >’IL量控制運作之缺點。這帶來伴隨的不穩定風 險’包含當液體係單體之情況下之聚合風險。同時,蒸汽 輸送系統亦易於堵塞細孔,這是因為液體中之微粒污染, 或在液體為單體之情況下有聚合傾向的結果。 在國際專利申 s青案第 WO-A1-2005/089961(Secretary of State for Defence)號中描述使用小功率脈衝雷射塗布聚合層之現有 138640.doc 201006953 方法之一實例,其描述將一聚合材料沉積至一基板上之方 法與裝置,#中單體材料被引入—電衆室中並在〇·謝至 5 00 W/m3之功率下被引發。 在英國專利申請案第GB-A-2 343 453(NEC公司)號中描 述用於形成聚合物薄膜之一裝置之另一實例。該裝置包含 -汽化控制器U ’其沒有提及如何增減汽化之速度。 本發明出現之目的係為克服與先前技術之系統有關之問 題。 【發明内容】 根據本發明,其提供用於將物種輸送至一處理室之一輸 送系統,該系統包括:一物種容器,其用於包含自一液體 物種源提供之物種;加熱構件’其用於加熱該液體物種, 可操作該加熱構件以控制該液體物種自該容器蒸發;及流 量導向構件,其用於將所蒸發的物種之流量引導至一處理 室,其中該加熱構件包含一浸沒式加熱器。 本發明亦提供將物種輸送至一處理室之方法,該方法包 括以下步驟:自一物種源提供液體物種至一容器;藉由均 勻地加熱在該容器中之該液體物種而自該容器蒸發液體物 種;引導所蒸發的物種之流量至一處理室。 本發明亦&供用於一物品表面之電漿處理之裝置,該裝 置包括:-處理室’可將一物品放置入該處理室令丨一輸 送系統,其用於輸送一物種至該處理室中以在該室中形成 電漿;用於在該處理室之内部產生一電場之構件,當該物 種被提供至該處理室中時用於形成電I,使得可處理該物 138640.doc -4- 201006953 。口之表面,及壓力控制構件,其用於選擇性地控制該處理 室之壓力;其中該輸送系統包括:-物種容器,其用於包 含自一液體物種源提供之物種;加熱構件,其用於加熱該 液體物#可操作5亥加熱構件以控制自該容器之該液體物 • #之蒸發;及流量導向構件’其用於將所蒸發的物種之流 量引導至該處理室。 在後附申請專利範圍中定義本發明之其他較佳的及/或 0 可選的特徵。 現參考附圖,僅藉由實例來描述本發明。 【實施方式】 參閱圖1 ’其顯示輸送系統1G用於輸送物種12至-處理 室14。該系統包括一物種容器16,其用於包含自一液體物 種源18所提供之物種。容器16可為燒瓶或燒杯、或其他含 有欲蒸發液體之器皿且較佳為打開以便於液體供應至容器 及液體自該容器蒸發。 ❹ 設有用於蒸發容㈣巾之液體物種之構件。該蒸發構件 包括浸沒式加熱構件,參考圖4與圖5將更具體地描述。另 , 外,該蒸發構件可包括一加熱元件20 ,如圖1所示》 、被要求獲得所要求之蒸發之熱量係許多不肖目素的函 數。該等因素包含在該液體上方之周圍區域中之壓力,及 在該區域中之物種及其他成分之濃度;該液體之溫度;在 該液體中之分子間力;及該液體之表面積。該等其他因素 中之一些諸如壓力亦可用來控制蒸發’但蒸發率的變化對 在供熱中的變化比對壓力的變化更敏感。 138640.doc 201006953 液體中之分子間力對於每一物種係恒定的且表面積對於 所選擇之特定大小與形狀之容器係恒定的。特定處理步驟 所要求之壓力大體上亦係恒定的,儘管易受一些波動。因 此,提供至該液體物種以便實現所要求的物種之流量進入 該處理室之熱量可藉由計算或藉由實驗確定。物種對於啓 動蒸發構件之該預定特徵回應可對複數個物種及欲在處理 室中執行之複數個處理步驟加以確定並可控制蒸發構件以 獲得所要求之蒸發率。更特定而言,可預定由蒸發構件提 供至容器以便獲得所要求之蒸發率的熱量。 該系統10包括流量導向構件22、24,其用於引導所蒸發 之物種流至處理室14。圖丨中之流量導向構件包括一蒸發 至22 ’物種可自容器丨6蒸發至該蒸發室22中,及一管道 24 ’其用於在該蒸發室與該處理室之間選擇性地流體連 接,使得物種可自該蒸發室選擇性地輸送至該處理室。該 管道24包括一閥25,其用於控制該室與該處理室之間之選 擇性流體連接。蒸發室22與管道24可包括額外的加熱構件 26以減少物種之冷凝,當其接觸蒸發室之内表面及管道 時’物種自容器16蒸發。 監控構件28測量自容器16蒸發之物種12相對於時間之速 度,使得可監控輸送至處理室14之所蒸發之物種之流量。 S玄監控構件28可包括測量該容器中之液體物種之重量(或 質量)變化之構件,如圖1所示。重量變化係已自容器16蒸 發並輸送至處理室之物種之重量或質量之指標。適宜的稱 重構件包含負載元件、天平或應變儀。 138640.doc 201006953 該It控構件28可選擇地或另外包括用於感測容器中物種 液位之一液位感測器,諸如一超音波、光學或電容感測 器。 參考圖1,在輸送循環期間液體物種之重量變化,代表 . 輸送至處理室之蒸發物種之流量。因此’藉由測量該重量 變化了確疋已進入該處理室之蒸發物種之流量是否恰當。 若確定已進入該處理室之流量恰當,則其亦可確定已成功 φ 執行處理。若測定已進入該處理室之流量不恰當,則其可 確定沒有成功地執行處理,或至少沒有達到所要求之標 準。 藉由比較預期的用於輸送之重量變化與即時監控到的重 量變化可決定處理成功或不成功。若該監控構件28具有一 顯示重量之顯示器,則藉由手動比較所監控的重量變化與 查閱表可簡單地做出該決定。 或是如圖1所示,供一或多個處理步驟用之用於一或多 • 個物種之預定特徵蒸發率可被儲存在控制構件30之記憶裝 置32中,且該監控構件28適以提供與所監控的蒸發率有關 . 的信號。在該替代實施例中,該控制構件30可包括一比較 器構件34 ’其用於比較自該監控構件接收之監控的蒸發率 •錢存在該記憶裝置中之預定特徵蒸發率。該比較器構件 基於比較監控與預定率而發射信號。 在圖i所示之配置中,控制構件3〇回應於自該比較器構 件發射之信號並可控制該蒸發構件之啓動,使得物種流之 實際速率被調節成與該預定特徵速率相符。若排空室中之 138640.doc 201006953 壓力與確定特徵速率時之壓力不同,則所監控到之重量變 化可與預疋速率不—致。由於真Μ構件之操作,或由於 該系統中之其他變數可變化壓力。在輸送系統10中可補償 壓力之該等變化。 凋頂 如圖1所示,控制構件30被可操作地連接至閥25,因 此:其可控制該排空室22與該處理室14之間的流體連接, 使得可控制物種自該排空室輸送至該處理室。藉由控制蒸 發率而達成所蒸發的物種至處理室之輸送率,且閥Μ被控 制成關閉或開啓該輸送。 " 藉由操作閥42,供應管道40選擇性地供應液體物種至容 器16。控制構件3〇可被可操作地連接至如圖丄所示之閥 42 ’使得其可控制液體物種供應至容器。 參閱圖4,顯示之浸沒式加熱構件44被浸沒在容器Η中 之液體物種内以加熱該液體物種。浸沒式加熱構件藉由導 體46連接至加熱控制單元48,該加熱控制單元料可藉由控 制構件30操作以控制液體物種自容器16之蒸發。 浸沒式加熱構件44對於加熱液體物種提供一改良的配 置,使得可更精確地控制蒸發,且當需要處理時,可更有 效地在要求時供應期望的蒸發物種之量至該處理室。 此外’其他加熱器件可包含非浸沒式加熱配置,其中_ 加熱元件,諸如元件20係加熱該容器之外部。該容器係導 熱的並藉由傳導至與s亥谷器接觸之液體物種而傳遞熱。隨 後,藉由對流或經由攪動,例如使用一搜拌器,分配熱量 遍及該液體物種。然而’應瞭解,視其與容器表面距離而 138640.doc 201006953 。一些接近容器表面
使得當需要時物種可被快速蒸發。當物種為溫熱 熱時,物種 定,該液體物種在不同速率下被加熱。一些接 與液體表面之液體物種可達成相對快速的蒸發 • 之一些蒸發不可避免並導致浪費。 浸沒式加熱構件44增加(例如,當與先前技術之非浸沒 式配置比較時)用於熱傳遞至液體物種之表面積。表面積 係藉由提供適以散布在液體物種令之加熱形成物而增加。 形成物係經配置使得可大體上均勻地加熱液體物種: 即,可快速加熱液體並可在要求時供應所蒸發的物種。當 大體上均勻地加熱液體時,在容器之一區域中之液體接收 大量的熱量,其通常等於在該容器之另一區域中之熱量。 • 另外,期望形成物沒有過度地限制被加熱液體之流量, 以便允許被加熱液體上升至液體之表面供蒸發。在圖4 ^ 中,該加熱形成物係纖維狀。適宜的纖維形成物可包含金 屬絲、燒結基體或其他具有大表面面積之導體。容器與絲 可由相同的金屬,諸如鋼製成。 或者,如圖5所示’浸沒式加熱構件50包括大體上均勻 地配置在栅格中並浸沒在液體物種12中之加熱形成物。該 栅格可採用促進液體物種大體上均勻加熱的任何適宜的形 成。如所示,該形成物包括一金屬籠、或格子狀物,其具 138640.doc 201006953 有自節點在正交方向延伸之等間隔的元件 件之外,其他元件在進入頁面之方向延伸)。或者'該:: 熱形成物可被配置成蜂窩狀。 加熱形成物之攪動可藉由—適宜的攪拌器、移位器件或 其他驅動構件(未圖示)實現。該攪動進一步加强熱傳遞以 及干擾液體之任何層,其可產生形成圍繞該加熱形成物之 絕緣層。 現將描述圖1之系統之操作方法。 該排空室藉由一孔(未圖示)排出大氣壓力。該排空室22 與容器16藉由關閉管道24中之閥25而與處理室14隔絕。當 該系:處於大氣壓力下時,閥42被打開且液體物種自㈣ 沿著管道40供應。液體物種之質量藉由在處理室中執行的 處理步驟確定,且有繁於此,不同液體質量可被提供給至 不同處理步驟,或充分的液體可被提供給一個以上之處理 步驟。當所要求之物種質量已提供給容器16時,閥42被閉 合而閥25被打開。連接至該處理室之—真^配置抽空該 排空室22與管道24中之氣體以獲得所要求之處理壓力。— 旦抽空排空室22,則可關閉管道24中之閥25。 當要求處理所蒸發之物種時,該浸沒式加熱構件44(或 50)加熱該容器中之液體物種。該浸沒式加熱構件可實現 快速加熱’因此可在需要時供應物種。容器16可另外或選 擇性地藉由加熱元件2〇加熱以促進蒸發。控制供應至該液 體之熱能之量以調節並維持物種自該容器蒸發。當需要處 理時’閥25被打開’且由於真空泵配置所產生之壓力差, 138640.doc 201006953 所蒸發的物種被促使流過管道24並進入處理室i4。 在物種之輸送期間’排空室22與管道24藉由加熱器邮 熱以減少在其内表面上之冷凝。 根據所測量之自容器16之物種之蒸發率,該監控構件28 • #送信號至該比較器構件34。該比較器構件比較所測量到 • #自該餘構件28接收狀蒸發率與儲存在記憶裝置32中 之預定特徵的蒸發率。該比較器構件34發射與所監控的蒸 • 發率及預定的蒸發率之差異有關的信號。控制構件30控制 供應至液體12之熱量,以便控制蒸發率,使得若要求實際 的条發率與預定的蒸發率相符時,調節實際的蒸發率。 控制構件30係如圖丨所^,但在沒有該㈣構件之輪送 系統中,可監控容器16中物種之質量變化,且若該質量變 化與預定者不同時,其可確定進入該處理室14之物種之量 不恰當,因此沒有充分完成處理步驟。 错由測量容器16申液體之質量隨著時間而變化來監控液 φ 體物種之蒸發。圖2顯示一典型的質量隨著時間而變化之 曲線圖。在所示之實财,物種隨著時間之輸送被確定為 ‘線性且該曲線圖之陡度係進人處理室之物種流量之測量。 圖3 頁示兩個經選擇的具有35瓜出與瓜瓜直徑之容器中 之物種隨著時間經過之損失率。如曲線圖中所示,該h m m容器損失率係線性且所測量之輸送率係如所需用於— 處理步驟。 °亥系統適於將在電漿處理中所使用之單體輸送至一處理 室。自該處理室中物品表面之電漿沉積可能需要單體,且 138640.doc 201006953 可為用於在物品上達成薄疏水聚合層之單體。 在參考圖1所描述之系統中,不需要載氣以輸送物種至 該處理室,且因此不限制蒸汽組成。不需要質量流量控制 器。與容器16中之液體物種接觸之蒸汽壓力僅略微高於整 個處理室之蒸汽壓力,因而最小化所要求之液體溫度升 高。同時,管道24之孔徑尺寸可為大約數厘米,降低通道 堵塞之傾向。 如圖4與圖5中所描寫之蒸發構件44、5〇可選擇性地被併 入如圖6所示之物種供應系統中。 _ 參閱圖6,所示之輸送系統1〇A用於輸送物種至一處理室 14A。該系統ι〇Α包括一第一容器16A,其可裝填有液體物 種12A,一第二容器IgA,其用於接收自第一容器16八之液 體物種;一第一流量控制構件2〇A,其用於控制被允許自 該第一容器流至該第二容器之液體物種之量;蒸發構件 3 0A’其用於蒸發在該第二容器中之液體物種;及一第二 流量控制構件38A,其用於控制自該第二容器至該處理室 14A之蒸發物種26A之流量。 © 該第一容器16A可藉由一系統操作員手動裝填並可採用 儲料器或具有一入口之密閉容器的形式。該第二容器l8A . 可為燒瓶或燒杯’或其他含有欲蒸發之液體之器皿,且 _ 較佳為打開以便於液體供應至容器及液體自該容器蒸發。 提供蒸發構件30A以蒸發容器容器18A中之液體物種。 如圖6所不’可加熱容器中之液體物種以促進蒸發且該 加熱構件除浸沒式加熱元件44、50之外可包括一加熱板, 138640.doc •12- 201006953 或者如果該容器具有傳導性時,則利用該容器中之熱感 應。 達成所需蒸發所需要之熱量係許多不同因素的函數。該 等因素包含在該液體上方之周圍區域中之壓力,及在該區 域中之物種及其他成分之濃度;該液體之溫度;在該液體 中之分子間力;及該液體之表面積。液體中之分子間力對 於每一物種係恒定的且表面積對於所選擇之特定大小與形 狀之容器係恒定的β特定處理步驟所要求之壓力大體上亦 係恒定的,儘管易受一些波動。因此,提供至該液體物種 以便實現所要求的物種之流量進入該處理室之熱可藉由計 算或藉由實驗確定。對於複數個物種及對於在處理室中執 行之複數個處理步驟,可確定回應於物種啓動蒸發構件之 該預定特徵’並可控制蒸發構件以獲得所要求之蒸發率。 當自第一容器16Α裝填時,第一流量控制構件2〇Α具有 經定尺寸成接收液體物種之預定量之一内部空間28Α。第 一流量控制構件可控制進入内部空間28Α之液體物種之流 量及自該内部空間至第二容器丨8Α之液體物種之流量。 尤特別的是’第一流量控制構件2〇α包括一管道32Α和 在該管道之上游部分之第一閥34入及在該管道之下游部分 之第二閥36Α。該内部空間係藉由該管道、及該第—與該 第二閥所界定。該内部空間28Α除該管道内部之空間外占 據該·#閥之各者内部之自由空間之一部分,且當確定該内 部空間28Α之容量時考慮該自由空間。 可打開該第一閥34A以使液體物種流入該内部空間 138640.doc 13 201006953 28A。可打開該第二閥36A以使液體物種自該内部空間28A 流至該第二容器18A。可打開該第一閥34A且可閉合該第 二閥36A以使液體物種裝填該内部空間28A。當裝填該内 部空間時’可閉合該第一閥34A且可打開該第二閥36A, 以使包含在該内部空間28A中之液體物種之預定量流入該 第二容器18A中。 若需要,則藉由選擇具有不同内部容量之複數個管道中 之任一者輕易地變化液體物種之預定量。欲在該處理室 14A中執行之不同的處理步驟要求不同的經由該室之流率 及蒸發物種之濃度。根據欲在該室14A中執行的所需處理 步驟可選擇管道32A之内部容積。 如圖6所示之該第二流量控制構件38A包括 4〇A,其中物種可自容器18A蒸發;及一管道42A,其自該 蒸發室40A通向該處理室14A。該管道42A包括一閥料八, 其用於控制自該第二容器18A至該處理室14A之蒸發物種 26A之流量。蒸發室佩與管道42A可包括額外的加熱構件 (未圖示)以減少物種冷凝,當接觸該蒸發室及該管道之内 表面時’其自容器18A蒸發。 立該輸送系統可形成用於電漿處理_物品表面之裝置的一 戸刀。该裝置通常包括一處理室,物品可被放置於其中; —輪送系、統,如文中所描述,用於輸送—物種至該處理室 以在該室中形成電漿;用於在該處理室之内部產生一電場 之構件,當該物種被提供至該處理室中時用於形成電漿, 使得可處理該物品表面,·及M力控制構件,其用於選擇性 13864〇.d〇c 201006953 地控制該處理室壓力。 、參考圖6與圖7,現將描述—種操作輸送系統i〇a之方 法。在圖7中,對於閥34A、閥36A及闕44a提供參考。表 中有關「打開」係指一閥被打開,該閥被打開至足以使所 需物種之流量通過之程度。有關「c」係指—閥被關閉以 限制或防止物種之流量通過。
該第-容器16A通常裝填有大量的液體物種,以輸送足 够用於多個處理步驟之物種至該處理室。 關閉閥34A且打開閥36A與44A。一處理褒置之壓力控制 構件排空該處理室及閥34八之輸送系統下游至大約幾毫托 之標準壓力。以該方式排空輸送系統清除堵塞。 接著,關閉閥36A並可打開或關閉閥44八。然後,打開 閥34A同時保持閥36A關閉。可打開或關閉閥椒,因為其 在該處理步驟中不重要。在重力作用下(或其他引流構件 2作用下),允許液體物種自第一容器16A經由閥34A流入 管道32A中。閥36A被關閉以限制物種進一步朝向第二容 器18A流動,因而可裝填第一流量控制構件2〇a之内部空 間 28A。 當裝填内部空間28A時,,4A被關閉,藉此將液體物 種之預定量裝人㈣空間28A中。閥36A被打開以使液體 之預定量流入第二容器18A中。在該階段期間可打開或關 閉間44A。㈣較,關„44A謂該輸送线與該處 理室隔離,使得當打開閥44A時,物種在需要時可被輸送 至a亥處理至。若在裝填第二容器丨8期間打開閥44 A,有些 138640.doc •15· 201006953 液體物種在需要用於處理之前可蒸發並進入處理室14八。 當第二容器18A已接收到液體之預定量時,啓動蒸發構 件30A以蒸發第二容器丨8a中之液體物種。關閉閥44a並亦 可關閉閥3 6 A以防止被蒸發的物種流入第一流量控制構件 20A 中。 虽電漿處理需要蒸發物種26A時,閥44A被打開且蒸汽 . 藉由利用電漿處理裝置之壓力㈣m件產生之氣壓梯度口及 入處理室14A中。 如上所述,供應至第二容器18A之液體物種之量係根據 _ 需要被預定成用於在處理室中執行之一肖定的處理步驟或 右干特定的處理步驟。當已執行處理時,閥36八被打開, 且壓力控制構件排空如以上在第一方法步驟中所描寫之系 統 10 A 〇 文中所描述之該方法可藉由控制構件適當地控制,該控 制構件係與閥34A、3 6A和44A、及與蒸發構件3〇A可操作 的連接。該控制構件可包括一處理器單元,其用於控制該 閥/、u亥真二構件之操作,及一記憶裝置例如圖7所示之 ⑩ 表儲存在該記憶裝置中。 除如上所述及圖6所示之該等特徵之外,系統可適宜 地包括監控構件(未圖示),其用於測定自第二容器18A之 $種之隨著時間的經過的蒸發率,使得可監控輸送至處理 ' 至14A之蒸發物種之流量。該監控構件可包括用於測量在 该容器中液體物種之重量(或質量)隨著時間的經過而變化 之構件。重量變化係已自容器18A蒸發並被輸送至該處理 138640.doc •16- 201006953 室之物種之重量或質量之指標。適宜的稱重構件包含—負 載元件、天平或一應變儀。 該監控構件可選擇地或另外包括用於感測容器中物種之 液位之-液位感測器,諸如一超聲、光學或電容感測器。 • 在輸送循環期間液體物種之重量變化指示輸送至處理室 , 之蒸發物種之流量。因此,藉由測量該重量變化可確定已 進入該處理室之蒸發物種之流量是否恰當。若確定已進入 φ @處理室之流量恰# ’則亦可確定已成功執行處理。若測 定已進入該處理室之流量不恰當,則可卻定沒有成功地執 行處理’或至少沒有達到所要求之標準。 藉由比較預期的用於輸送之重量變化與即時監控到的重 量變化可決定處理成功或不成功。若該監控構件具有一顯 不重量之顯示器,則藉由手動比較所監控的重量變化與查 閱表可簡單地做出該測定。 經由具有修飾與替代之兩實施例(在圖4與圖5中)已描述 • 本發明,但熟習此項技術者在閱讀與瞭解本描述後將明白 其他實施例與修飾。 . 所有該等實施例及修飾均落在由後附申請專利範圍所界 定之本發明之範圍内。 '【圖式簡單說明】 圖1係用於輸送物種至一處理室之一輸送系統之一概略 圖; 圖2係顯示在如圖1所示之一容器中之液體物種之質量變 化之一曲線圖; 138640.doc -17· 201006953 圖3顯示在不同尺寸的兩容器中之液體物種之質量之變 化率的兩曲線圖; 圖4顯不在圖1所示之該輪送系統之一容器中之一第一浸 沒式加熱構件; 圖5顯示在圖1所示之該輪接 、 闽, 镯送系統之一容器中之一第二浸 沒式加熱構件; 圖6係用於輸送物種至—處 概略圖’·〗 4理至之-第二輸送系統之- 圖7係顯示圖6之該輸送系 【主要元件符號說明】 統 之操作狀 況之一表 10 輸送系統 12 物種 12A 液體物種 14 處理室 14A 處理室 16 物種容器 16A 第一容器 18 液體物種源 18A 第二容器 20 加熱元件 20A 第一流量控 22 排空室 24 管道 25 閥 138640.doc -18- 201006953 26 加熱器 26A 蒸發物種 28 監控構件 28A 内部空間 30 控制構件 30A 蒸發構件 32 記憶裝置 32A 管道 34 比較器構件 34A 第一閥 36A 第二閥 38A 第二流量控制構件 40 蒸發室 40A 蒸發室 42 管道 赢 42A 管道 44 浸沒式加熱構件 44A 閥 46 導體 48 加熱控制單元 50 浸沒式加熱構件 138640.doc -19-

Claims (1)

  1. 201006953 七、申請專利範圍: 1. 一種用於將物種輸送至一處理室之輸送系統,該系统包 括.一物種容器,其用於包含自一液體物種源提供之物 種,加熱構件,其用於加熱該液體物種,可操作該加熱 構件以控制該液體物種自該容器之蒸發;及流量導向構 件’其用於將所蒸發的物種之流量引導至一處理室,其 中该加熱構件包含一具有加熱形成物之浸沒式加熱器, ❹ 該加熱形成物在使用中適以被散布在該液體物種中。 2. 如晴求項1之輸送系統,其中該物種係在電漿處理中使 用之單體。 3. 如叫求項1或2之輸送系統,其中該浸沒式加熱構件包括 適以政布在該液體物種中之加熱形成物。 4. 如。月求項3之輪送系統,其中配置該加熱形成物使得該 液體物種在使用中大體上均勻受熱。 如請求項4 ^ 掏送系統,其中該加熱形成物被配置成允 ❹ _加熱液體物種在該容器中大體上自由流動。 6. 如請求項3$私、主4 、 帮1送系統’其中該加熱形成物係纖維狀。 7. 如請求項6之銓 - 勒运系統’其中該加熱形成物包括一金屬 8. 如請求項3之於 适系統,其中該加熱形成物被大體上均 勻地配置在一撫 格中以浸沒在該液體物種中。 9. 如請求項6之a 格子結構 1〇·如請求項1或2之輪送系統 别遇系統,其中該加熱形成物包括一籠或 其包括*§£控構件,該監控構 138640.doc 201006953 件用於測量自該容器之物種之隨著時間經過的蒸發率, 使得可監控輸送至該處理室之蒸發物種之流量。 11. 如請求項H)之輸送系統’其中該監控構件包括稱重構 件’其用於測量該容器中之液體物種隨著時間經過的重 量變化。 12. 如請求項之輸送系、统,其包括控制構件,該控制構 件係根據回應於ϋ由浸沒式加熱構件蒸發之該物種之一 預定特徵而配置,使得根據在該處理室中執行之一所要 求的電漿處理可控制該物種之一輸送率。 13. 如請求項12之輸送系統’其包括比較器構件,該比較器 構件用於比較-監控到的自該容器之物種之蒸發率與一 預定特徵蒸發率,並發射與該監控到的速率和該預定特 徵率之間之差異有關的一信號。 14. 如請求項13之輸送系統,其中該控制構件㈣自該比較 器構件發出之信號起反應,並可控制該蒸發構件之啓 動,使得該所監控到之速率被調節成與該預定特徵之速 率相符。 15. 如請求項14之輸送㈣,其中藉由啓動—外加熱器及/或 一浸沒式加熱器而控制蒸發。 16. 如前述請求項〖或2之輸送系統,其包括:一供應容器, 其用於充滿液體物種;一第一流量控制構件,其用於控 制被允許线第一纟器流至該第二容器之液體物種之 量;及-第二流量控制構件,其用於控制自該第二容器 至—處理室之蒸發物種之流量。 J38640.doc 201006953 17· -種將物種輸送至—處理室之方法,該方法包括··自一 物種源提供液體物種至一容器;藉由均句地加熱在該容 器中之該液體物種而自該容器蒸發液體物種;及引導所 蒸發的物種之流量至一處理室。 18.如請求項17之方法,其中該物種係在電漿處理中 單體。
    19.如請求項17或18之方法,其中該液體活性物種之均句加 熱包括將加熱形成物沉浸在該液體活性物種中。 2〇·如請求項17或18之方法,其中該加熱形成物係纖維狀。 2!,如請求項19之方法,其中該加熱形成物被大體上均勾地 配置在一栅格中以浸沒在該液體活性物種中。 22·如請求項17或18之方法,其包含監控自該容器之物種之 隨著時間過去的一蒸發率,使得蒸發物種之一計量流量 可被輸送至該處理室。 23.如請求項22之方法,其中根據回應於供熱之該物種之一 預定特徵而提供熱至該液體物種,使得根據在該處理室 中欲執行之一所要求的電漿處理而控制該物種之—輸送 率。 24. 如請求項22之方法,其中一監控到的自該容器之物種之 蒸發率與一預定特徵之蒸發率比較,使得可確定該監控 速率與該預定特徵速率之間之差異。 25. 如請求項24之方法,其中根據該監控速率與該預定特徵 速率之間之該差異控制該物種之蒸發,並調節該物種之 蒸發,使得該監控到之速率與該預定特徵之速率相符。 138640.doc 201006953 26. -種電衆處理-物件表面之袭置,該裝置包括:一處理 至,可將物品放置入該處理室中;一輸送系統,其用 於輸送一物種至該處理室中以在該室中形成一電漿;用 於在3亥處理至之内部產生—電場之構件,當該物種被提 供至該處理室中時供形成電漿,使得可處理該物件之表 面及壓力控制構件,其用於選擇,後地控制該處理室中 之壓力;其中該輪送系統包括:―物種容器,其用於含 有自-液體物種源提供之物種;加熱構件其用於加熱 4液體物種,其可操作該加熱構件以控制自該容器之續 液體物種之蒸發;及流量導向構件’其詩將所蒸發: 物種之流量引導至該處理室。 27.如請求項26之裝置, 件。 其中該加熱構件係一浸沒式加熱構 28.如請求項26或27之裝置, 至16中任一項中所述者。 其中該輸送系統係如請求項3 138640.doc
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