KR20190060272A - 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기 및 그의 운용 방법, 그리고 그를 구비하는 파릴렌 증착 장비 - Google Patents

기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기 및 그의 운용 방법, 그리고 그를 구비하는 파릴렌 증착 장비 Download PDF

Info

Publication number
KR20190060272A
KR20190060272A KR1020170158317A KR20170158317A KR20190060272A KR 20190060272 A KR20190060272 A KR 20190060272A KR 1020170158317 A KR1020170158317 A KR 1020170158317A KR 20170158317 A KR20170158317 A KR 20170158317A KR 20190060272 A KR20190060272 A KR 20190060272A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
parylene
discharge
unit
dimer
gas phase
Prior art date
Application number
KR1020170158317A
Other languages
English (en)
Inventor
권혁룡
이정래
허재석
이석운
Original Assignee
주식회사 아이오에프
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 아이오에프 filed Critical 주식회사 아이오에프
Priority to KR1020170158317A priority Critical patent/KR20190060272A/ko
Publication of KR20190060272A publication Critical patent/KR20190060272A/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4485Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation without using carrier gas in contact with the source material
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은, 파릴렌 다이머 분말을 수용하는 용기; 상기 용기에 연결된 배출 배관; 상기 배출 배관에 설치되어, 상기 용기에서 상기 파릴렌 다이머 분말로부터 생성된 기체상 파릴렌 다이머의 배출을 조정하는 배출조정 유닛; 및 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛을 감싸서 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도를 상기 파릴렌 다이머 분말의 기화 온도보다 높은 온도로 유지하는 보온 유닛을 포함하는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기 및 그의 운용 방법, 그리고 그를 구비하는 파릴렌 증착 장비를 제공한다.

Description

기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기 및 그의 운용 방법, 그리고 그를 구비하는 파릴렌 증착 장비{VAPORIZATION DEVICE FOR PARYLENE DEPOSITION APPARATUS ENABLE TO CONTROL DISCHARE OF VAPORIZED PARYLENE, METHOD FOR OPERATING THE SAME, AND PARYLENE DEPOSITION APPARATUS HAVING THE SAME}
본 발명은 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기 및 그의 운용 방법, 그리고 그를 구비하는 파릴렌 증착 장비에 관한 것이다.
파릴렌은 p-자일렌(p-Xylene)이 중합되어 있는 폴리머로, 각종 기질에 박막 형태로 코팅 가능한 고분자 물질이다. 파릴렌 코팅은 파릴렌 다이머의 기화, 파릴렌 모노머로의 열분해, 기질 상에서 박막 형성 등의 순차적 공정으로 이루어진다.
이러한 파릴렌은 의료용 기구, 인쇄회로기판 등의 제품이 제작된 다음에, 후(後)공정(마감 공정)으로서, 그 제품의 내부식성 향상, 산화 방지, 방습성 향상 등을 위한 보호막으로 코팅되어 왔다. 이 경우, 파릴렌의 증착 두께가 정밀하게 제어될 필요는 없으며, 연속적인 파릴렌의 코팅이 요구되지는 않는다.
파릴렌의 응용 범위를 넓히고자, 파릴렌을 반도체, 디스플레이의 전(前)공정에 적용하여 웨이퍼나 글라스에 증착하기 위한 시도가 있었다. 그러나, 파릴렌에 대한 연속적 증착 및 증착 두께 조절의 어려움에 의해, 그 시도는 성공하지 못하고 있다.
구체적으로, 파릴렌 다이머 분말은 대상물에 대한 증착에 필요한 양만이 기화기의 도가니에 충전되어 전체가 한 번에 기화된다. 그에 따라, 대상물에 대한 파릴렌의 증착시마다 기화기에 필요한 양의 파릴렌 다이머 분말을 충전해야 하므로, 증착 공정의 연속성을 확보하기 어렵다. 또한, 증착 두께에 대응하여 파릴렌 다이머 분말의 충전 양을 달리하여 기체상 파릴렌 다이머의 양을 간접적으로 조절해야 하고, 이는 증착시마다 필요한 양의 파릴렌 다이머 분말을 기화기에 충전해야 하는 문제로도 연결되기도 한다.
본 발명의 일 목적은, 기화기에 파릴렌 다이머 분말이 한 번 충전된 상태로 여러 번의 파릴렌 증착이 가능하여 증착 공정의 연속성을 확보할 수 있게 하는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기 및 그의 운용 방법, 그리고 그를 구비하는 파릴렌 증착 장비를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 일 목적은, 파릴렌의 증착 시 기체상 파릴렌 다이머의 공급량을 직접적으로 조절하여 대상물에 증착되는 파릴렌의 두께를 쉽게 조절할 수 있는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기 및 그의 운용 방법, 그리고 그를 구비하는 파릴렌 증착 장비를 제공하는 것이다.
상기한 과제를 실현하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기는, 파릴렌 다이머 분말을 수용하는 용기; 상기 용기에 연결된 배출 배관; 상기 배출 배관에 설치되어, 상기 용기에서 상기 파릴렌 다이머 분말로부터 생성된 기체상 파릴렌 다이머의 배출을 조정하는 배출조정 유닛; 및 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛을 감싸서 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도를 상기 파릴렌 다이머 분말의 기화 온도보다 높은 온도로 유지하는 보온 유닛을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 배출조정 유닛은, 상기 파릴렌 다이머 분말의 기화 온도보다 높은 온도에서 작동 가능한 고온용 질량 유량 제어기(Mass flow controller)를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 보온 유닛은, 상기 배출 배관에 설치되는 배관 히터; 및 상기 배출조정 유닛에 설치되는 조정 히터를 포함하고, 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도를 균일하게 유지하기 위하여 상기 배관 히터 및 상기 조정 히터의 작동은 독립적으로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 배관 히터 및 상기 조정 히터는, 그들 중 상기 용기에서 멀리 위치하는 것이 상기 용기에서 가까이 위치하는 것보다 높은 온도로 작동될 수 있다.
여기서, 상기 배출조정 유닛 및 상기 보온 유닛에 전기적으로 연결되어, 상기 배출조정 유닛 및 상기 보온 유닛의 작동을 제어하는 제어 유닛을 더 포함할 수 있다.
여기서, 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도를 측정하는 온도 센서를 더 포함하고, 상기 제어 유닛은, 상기 온도 센서에서 측정된 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도값에 기초하여, 상기 배관 히터 및 상기 조정 히터의 작동을 독립적으로 제어할 수 있다.
여기서, 상기 배출조정 유닛의 단속 정보 및 조절 정보를 저장하는 메모리; 및 상기 기체상 파릴렌 다이머의 배출 정보 및 유량 정보를 사용자로부터 입력받기 위한 사용자 입력 유닛이 더 구비되고, 상기 제어 유닛은, 상기 사용자 입력 유닛을 통해 입력된 상기 배출 정보 및 상기 유량 정보에 대응되는 상기 메모리에 저장된 상기 단속 정보 또는 상기 조절 정보에 기초하여, 상기 배출조정 유닛의 단속 작동 및 조절 작동 중 적어도 하나가 수행되게 할 수 있다.
여기서, 상기 용기에 열을 전달하여, 상기 파릴렌 다이머 분말이 상기 기체상 파릴렌 다이머로 기화되게 하는 히팅 유닛; 및 상기 용기에 연통되어, 상기 용기의 내부 압력에 관한 압력 정보를 획득하는 압력 게이지를 더 포함하고, 상기 제어 유닛은, 상기 압력 게이지로부터 입력된 상기 압력 정보에 기초하여 상기 히팅 유닛의 작동을 제어할 수 있다.
여기서, 상기 용기에 열을 전달하여, 상기 파릴렌 다이머 분말이 상기 기체상 파릴렌 다이머로 기화되게 하는 히팅 유닛을 더 포함하고, 상기 제어 유닛은, 상기 배출조정 유닛의 폐쇄 상태에서 상기 히팅 유닛을 작동시켜 상기 기체상 파릴렌 다이머를 기체 상태로 유지할 수 있다.
여기서, 상기 파릴렌 다이머 분말은, 파릴렌 VT4 및 파릴렌 AF4 중 하나의 분말을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 일 측면에 따른 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기는, 파릴렌 다이머 분말을 수용하는 내부 공간을 구비하는 용기; 상기 용기의 내부 공간에 열을 전달하여, 상기 파릴렌 다이머 분말이 기화되어 기체상 파릴렌 다이머가 생성되게 하는 히팅 유닛; 상기 용기의 내부 공간과 연통되어, 상기 기체상 파릴렌 다이머를 상기 용기 밖으로 배출하는 배출 배관; 상기 배출 배관에 설치되어, 상기 기체상 파릴렌 다이머의 배출을 조정하는 배출조정 유닛; 및 상기 히팅 유닛 및 상기 배출조정 유닛에 전기적으로 연결되고, 상기 히팅 유닛을 작동시키며, 단속 정보 및 조절 정보를 결정하여 결정된 상기 단속 정보 및 상기 조절 정보에 따라 상기 배출조정 유닛의 단속 작동 및 조절 작동 중 적어도 하나를 제어하는 제어 유닛을 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기의 운용 방법은, 용기에 저장된 파릴렌 다이머 분말을 히팅 유닛으로 가열하여 기체상 파릴렌 다이머를 생성하고 유지하는 단계; 사용자 입력 유닛을 통해 기체상 파릴렌 다이머의 배출 정보 또는 유량 정보를 입력받는 단계; 메모리를 참조하여 상기 배출 정보 또는 상기 유량 정보에 대응하는 배출조정 유닛의 단속 정보 또는 조절 정보를 결정하는 단계; 및 결정된 상기 단속 정보 또는 상기 조절 정보에 기초해 상기 배출조정 유닛의 단속 작동 및 조절 작동 중 적어도 하나가 수행되게 하여, 상기 용기에 연결된 배출 배관을 통한 상기 기체상 파릴렌 다이머의 배출을 제어하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 용기에 저장된 파릴렌 다이머 분말을 히팅 유닛으로 가열하여 기체상 파릴렌 다이머를 생성하고 유지하는 단계는, 압력 게이지를 통해 상기 용기의 내부 압력에 관한 압력 정보를 획득하는 단계; 상기 압력 게이지로부터 입력된 상기 압력 정보에 기초하여 상기 용기의 내부에서 생성되는 상기 기체상 파릴렌 다이머의 양을 산출하는 단계; 및 산출된 상기 기체상 파릴렌 다이머의 유량에 기초하여 상기 히팅 유닛의 작동을 제어하는 단계를 포함할 수 있다.
여기서, 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도를 측정하는 단계; 및 측정된 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도값에 기초해 보온 유닛을 작동시켜, 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도를 상기 파릴렌 다이머 분말의 기화 온도보다 높은 온도로 균일하게 유지하는 단계가 더 구비될 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면에 따른 파릴렌 증착 장비는, 파릴렌 다이머 분말을 기화시켜 기체상 파릴렌 다이머를 생성하는 기화기; 상기 기체상 파릴렌 다이머를 열분해하여 기체상 파릴렌 모노머를 생성하는 열분해기; 및 상기 기체상 파릴렌 모노머에 의해 대상물의 표면이 파릴렌 폴리머로 증착되게 하는 진공 챔버를 포함하고, 상기 기화기는, 파릴렌 다이머 분말을 수용하는 용기; 상기 용기에 연결되어, 상기 용기에서 생성된 상기 기체상 파릴렌 다이머를 상기 열 분해기 측으로 배출하는 배출 배관; 상기 배출 배관에 설치되어, 상기 용기에서 생성된 기체상 파릴렌 다이머의 배출을 조정하는 배출조정 유닛; 및 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛을 감싸서 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도를 상기 파릴렌 다이머 분말의 기화 온도보다 높은 온도로 유지하는 보온 유닛을 포함할 수 있다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 관련된 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기 및 그의 운용 방법, 그리고 그를 구비하는 파릴렌 증착 장비에 의하면, 기화기에 복수 회의 파릴렌 증착에 충분한 파릴렌 다이머 분말이 충전되고 그가 기화되어 생성된 기체상 파릴렌 다이머의 공급이 제어됨에 따라, 한 번의 파릴렌 다이머 분말 충전에 의해 복수 회의 파릴렌 증착이 연속적으로 이루어질 수 있게 된다. 그에 의해, 파릴렌 증착시마다 파릴렌 다이머 분말이 증착기에 충전되어야 하는 불편이 해소될 수 있다.
또한, 기체상 파릴렌 다이머는 기화기 내에서 파릴렌 증착 공정 중의 필요에 따라 그 공급 시기, 공급양이 제어됨에 의해, 대상물에 대해 요구되는 파릴렌 증착 두께에 대응하여 기체상 파릴렌 다이머의 공급이 직접적으로 제어될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 파릴렌 증착 장비(100)의 구성을 설명하기 위한 개념도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기화기(200)에 사용될 수 있는 파릴렌들의 화학식이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기화기(200)에 대한 분해 사시도이다.
도 4는 도 3의 기화기(200)의 추가 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
도 5는 도 4의 기화기(200)에 대한 제어 작동을 설명하기 위한 블록도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기화기(200)의 운용 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 7은 도 6의 기체상 파릴렌 다이머 준비 단계(S1)를 구체적으로 설명하기 위한 순서도이다.
도 8은 도 6의 기체상 파릴렌 다이머 배출 제어 단계(S7)와 관련된 보온 유닛(240)에 대한 제어 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기화기(200)의 운용 방법을 포함한 파릴렌 증착 장비(100)의 운영을 통해 제작된 OLED 디스플레이의 봉지 구조를 보인 개념적 단면도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기 및 그를 구비하는 파릴렌 증착 장비에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 본 명세서에서는 서로 다른 실시예라도 동일·유사한 구성에 대해서는 동일·유사한 참조번호를 부여하고, 그 설명은 처음 설명으로 갈음한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 파릴렌 증착 장비(100)의 구성을 설명하기 위한 개념도이고, 도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기화기(200)에 사용될 수 있는 파릴렌들의 화학식이다.
본 도면들을 참조하면, 파릴렌 증착 장비(100)는, 기화기(110), 열분해기(120), 및 진공 챔버(130)를 포함할 수 있다. 나아가, 파릴렌 증착 장비(100)는, 진공 튜브(140), 냉각 트랩(150), 및 진공 펌프(160)를 더 포함할 수 있다.
기화기(110)는 고체상의 파릴렌 다이머 분말을 기체상 파릴렌 다이머로 기화하기 위한 구성이다. 이를 위해, 기화기(110)는 파릴렌 다이머 분말을 투입받는다. 기화기(110)는 파릴렌 다이머 분말을 130℃ 정도의 온도로 가열하여 기화되게 한다. 파릴렌은 N, C, D, VT4, AF4가 있으나, 본 발명자는 파릴렌 증착층의 내열성을 강화하기 위해 불소를 첨가한 VT4, AF4 사용하였다.
열분해기(120)는 기체상 파릴렌 다이머을 파릴렌 모노머로 열분해하기 위한 구성이다. 상기 모노머는 고 반응성 라디칼 형태를 띠게 된다. 열분해기(120)는 650℃ 정도의 온도로 기체상 파릴렌 다이머를 가열하게 된다.
진공 챔버(130)는 대상물(O)의 표면이 파릴렌 폴리머로 코팅되는 공간이다. 이를 위해, 진공 챔버(130)는 기화기(110)와 연통되고 또한 열분해기(120)를 거치는 진공 튜브(140)와 연통된다. 그에 의해, 파릴렌 모노머가 파릴렌 폴리머를 이루게 된다. 진공 챔버(130) 내에는 대상물(O)을 지지하는 지지대가 구비된다.
진공 튜브(140)는 양단부가 각각 기화기(110)와 진공 챔버(130)에 연통되는 관체이다. 진공 튜브(140)는 또한 열분해기(120)에 의해 감싸지도록 배치되기도 한다.
냉각 트랩(150)은 진공 챔버(130)를 거친 기체를 냉각하는 구성이다. 냉각 트랩(150)은 진공 챔버(130)의 후류에 배치되고, 진공 챔버(130)와 연통된다.
진공 펌프(160)는 냉각 트랩(150)의 다음에 배치되며, 진공 챔버(130) 내의 기체를 뽑아내는 구성이다. 그에 의해, 진공 펌프(160)는 요구되는 수준의 진공도를 유지하게 된다.
이러한 구성에 의하면, 기화기(110) 내에는 먼저 고체상의 파릴렌 다이머가 투입된다. 이후 진공 펌프(160)가 가동되면, 진공 챔버(130)는 진공 상태가 된다.
열분해기(120)가 적정 온도(650℃ 이상)로 가열된 다음, 기화기(110)에서는 파릴렌 다이머가 기화된다. 기화된 기체상 파릴렌 다이머는 진공 튜브(140)를 따라 열분해기(120)를 통과하면서, 열분해기(120)의 가열에 의해 고 반응성 라디칼 형태의 파릴렌 모노머로 분해된다. 이러한 파릴렌 모노머는 진공 챔버(130) 내에서 대상물(O)에 폴리머 형태로 증착된다. 증착된 파릴렌 박막은 기체상에서 이루어지는 특성으로 인해 대상물(O)의 모양과 상관없이 균일하게 형성될 수 있다. 또한, 증착된 파릴렌 박막은 투명하고, 방수, 내화학성, 내식성, 전기절연성을 갖는 것으로 알려져 있다.
진공 챔버(130)를 거친 기체상 파릴렌 모노머 또는 다이머는 냉각 트랩(150)을 통해 회수되어, 대기 중으로 확산되지 않게 된다.
이상의 공정에서, 파릴렌 다이머 분말을 기화시키는 기화기(110)의 구체적 구성에 대해 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명한다. 이하에서, 기화기(110)의 도면 번호는 편의상 200으로 표시하기도 한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기화기(200)에 대한 분해 사시도이다.
본 도면을 참조하면, 기화기(200)는, 용기(210)와, 히팅 유닛(230)과, 포트 유닛(250)을 포함할 수 있다.
용기(210)는 파릴렌 다이머 분말을 수용하는 구성이다. 용기(210)는, 예를 들어 캐니스터(canister) 타입으로 형성될 수 있다. 본 실시예에서, 용기(210)는, 수용 몸체(211)와 리드(216)를 가진다.
수용 몸체(211)는 파릴렌 다이머 분말이 적재되는 내부 공간(212)을 가진다. 내부 공간(212)은 대체로 원통형 공간으로서, 상부는 개방된 형태를 가질 수 있다. 수용 몸체(211)의 상부에는 수용 몸체(211)의 중심축에서 방사상으로 연장된 플랜지부(213)가 형성될 수 있다. 플랜지부(213)는 도넛 형태를 가질 수 있다. 수용 몸체(211)는 열 전도성은 우수한 재질로서, 예를 들어 스테인레스 스틸로 제작될 수 있다.
리드(216)는 수용 몸체(211)와 결합되어 내부 공간(212)을 덮는 구성이다. 리드(216)는 플랜지부(213)의 형태에 대응하여 대체로 원판 형태를 가질 수 있다. 리드(216)의 상면에는 포트 유닛(250)을 둘러싸는 안착 그루브(217)가 형성될 수 있다. 리드(216)와 수용 몸체(211)의 플랜지부(213)에는 삽입홀이 각기 형성되어, 그 삽입홀을 관통하는 체결 피스에 의해 그들은 서로에 대해 결합될 수 있다. 리드(216) 역시 수용 몸체(211)와 동일한 이유로, 스테인레스 스틸로 제작될 수 있다.
히팅 유닛(230)은 용기(210)의 내부 공간(212)에 열을 전달하여 파릴렌 다이머 분말을 가열하여 파릴렌 다이머 분말이 기화되게 하는 구성이다. 히팅 유닛(230)은, 본 실시예에서는 용기(210)의 외면 측에 배치되는 것으로 예시하나, 용기(210)의 내부 공간(212)을 한정하는 내면 측에 배치될 수도 있다.
히팅 유닛(230)은 제1 히터(231)를 가지며, 나아가 제2 히터(236)를 추가로 구비할 수 있다. 제1 히터(231)는 파릴렌 다이머 분말의 상면에 수직한 제1 방열 방향으로 열을 발산하는 구성이다. 제1 히터(231)는, 예를 들어 리드(216)에 설치되는 카트리지 히터일 수 있다. 이와 달리, 제1 히터(231)는, 세라믹 히터, 시스(sheath) 히터, 또는 히팅 자켓 등이 될 수도 있다. 상기 카트리지 히터는, 구체적으로 안착 그루브(217)에 위치할 수 있다. 제2 히터(236)는 파릴렌 다이머 분말의 측면에 수직한 제2 방열 방향으로 열을 발산하는 구성이다. 제2 히터(236)는 수용 몸체(211)의 외벽을 감싸는 히팅 자켓일 수 있다. 이러한 제2 히터(236)의 발열 여부, 나아가 발열 온도는 제1 히터(231)와 독립적으로 제어기, 예를 들어 제어 유닛(301, 도 5 참조)에 의해 제어될 수 있다. 나아가, 제1 히터(231)와 제2 히터(236)의 발열 온도는 각기 독립적으로 설정될 수 있다. 다시 말해, 용기(210)의 수용 몸체(211) 측의 영역과 리드(216) 측의 영역 간의 온도를 다르게 설정할 수 있는 것이다. 이러한 설정 방식에 의해, 제1 히터(231)의 발열 온도는 제2 히터(236)의 발열 온도보다 높을 수 있다. 본 발명자는 제1 히터(231)의 발열 온도가 제2 히터(236)의 발열 온도보다 약 5℃ 이상 높은 것이 바람직함을 확인하였다.
포트 유닛(250)은 용기(210) 내의 기체상 파릴렌 다이머를 외부로 배출하기 위해 내부 공간(212)을 외부와 연통시키는 구성이다. 이러한 포트 유닛(250)은, 배출 포트(251)와, 측정 포트(253)를 가질 수 있다. 배출 포트(251)는 기체상 파릴렌 다이머를 열분해기(120, 도 1) 측으로 안내하기 위한 포트이다. 이와 달리, 측정 포트(253)는 내부 공간(212) 내의 압력을 측정하기 위해, 기체상 파릴렌 다이머를 압력 게이지(293, 도 4 참조) 측으로 안내하기 위한 포트이다.
도 4는 도 3의 기화기(200)의 추가 구성을 설명하기 위한 블록도이다.
본 도면을 참조하면, 기화기(200)는 앞서 설명한 구성에 더하여, 보온 유닛(240), 배출 배관(270), 배출조정 유닛(280), 압력 게이지(293) 등을 더 포함할 수 있다.
보온 유닛(240)은 배출 배관(270) 및 배출조정 유닛(280)을 감싸서 배출 배관(270) 및 배출조정 유닛(280)의 온도를 파릴렌 다이머 분말의 기화 온도보다 높은 온도로 유지하기 위한 구성이다. 이는 기체상 파릴렌 다이머가 배출 배관(270) 및 배출조정 유닛(280) 내를 유동하는 중에 고화되는 것을 방지하게 된다. 보온 유닛(240)은, 구체적으로, 배관 히터와, 조정 히터를 포함할 수 있다. 상기 배관 히터는, 배출 배관(270)을 감싸는 히터로서, 상류 히터(241)와, 하류 히터(243)를 포함할 수 있다. 상류 히터(241)는 용기(210)와 배출조정 유닛(280) 사이에 배치되며, 하류 히터(243)는 배출조정 유닛(280)을 지나서 배치된다. 상기 조정 히터는, 배출조정 유닛(280)을 감싸는 히터로서, 배출조정 유닛(280)의 입구 측에 대응하는 입구 히터(245), 배출조정 유닛(280)의 몸체에 대응하는 몸체 히터(246), 및 배출조정 유닛(280)의 출구 측에 대응하는 출구 히터(247)를 포함할 수 있다. 이상의 히터(241,243,245,246,247)는, 예를 들어 배출 배관(270) 또는 배출조정 유닛(280)의 외면을 감싸는 히팅 자켓일 수 있다. 이러한 히팅 자켓에 의해, 배출 배관(270) 및 배출조정 유닛(280)은 약 250℃ 범위 내에서 적정 온도로 보온될 수 있다. 나아가, 히터(241,243,245,246,247)는 각기 독립적으로 작동이 제어될 수 있다. 히터(241,243,245,246,247) 중 용기(210)로부터 먼 것은 용기(210)로부터 가까운 것 보다는 높은 온도로 작동될 수 있다.
배출 배관(270)은 배출 포트(251)를 통해 용기(210)에 연통되는 배관이다. 이러한 배출 배관(270)은, 용기(210) 내의 기체상 파릴렌 다이머를 용기(210) 밖으로 안내하는 것이다. 구체적으로, 배출 배관(270)은 진공 튜브(140, 도 1)에 연결되어, 배출된 기체상 파릴렌 다이머의 배출을 위한 통로가 될 수 있다.
배출조정 유닛(280)은 배출 배관(270)을 따라 유동하는 기체상 파릴렌 다이머의 배출을 조절하는 구성이다. 이를 위해, 배출조정 유닛(280)은 배출 배관(270)에 설치될 수 있다. 배출조정 유닛(280)은, 예를 들어 질량 유량 제어기(Mass Flow Controller)이다. 상기 질량 유량 제어기는, 기체상 파릴렌 다이머의 배출을 단속할 뿐만 아니라(단속 작동), 기체상 파릴렌 다이머의 배출이 이루어지는 중에는 그의 유량을 조절할 수 있다(조절 작동). 이를 위해, 상기 질량 유량 제어기는, 크게 질량 유량계(Mass Flow Meter)와, 조절 밸브와, 제어 회로를 포함할 수 있다. 상기 질량 유량계는 상기 질량 유량 제어기 내로 유입된 기체상 파릴렌 다이머의 일부를 분류시켜 그의 유량을 측정하기 위한 것이다. 상기 질량 유량계는, 예를 들어 기체상 파릴렌 다이머의 유량에 비례한 온도변화를 측정하여 상기 제어 회로에 그 측정값을 입력한다. 상기 제어 회로는 상기 온도변화에 대한 측정값에 근거하여 기체상 파릴렌 다이머의 유량에 산출하고, 그 유량에 기초하여 상기 조절 밸브의 개/폐와 개방 시의 개방 정도를 조절하게 된다. 상기 질량 유량 제어기는 파릴렌 다이머 분말의 기화 온도보다 높은 온도에서 작동되는 고온용일 수 있다. 구체적으로, 고온용 질량 유량 조절기는 약 250℃에서도 작동 가능한 것일 수 있다.
압력 게이지(293)는 용기(210)의 내부 공간의 압력에 관한 압력 정보를 획득하기 위한 구성이다. 이를 위해, 측정 포트(253)에는 압력 배관(291)이 설치되고, 그러한 압력 배관(291)에 압력 게이지(293)가 설치된다. 압력 배관(291)에는 압력 게이지(293)로의 기체상 파릴렌 다이머의 유동을 단속하기 위한 압력 밸브(292)가 설치될 수 있다.
도 5는 도 4의 기화기(200)에 대한 제어 작동을 설명하기 위한 블록도이다.
본 도면을 참조하면, 기화기(200)는, 앞선 구성에 더하여, 온도 센서(296), 제어 유닛(301), 사용자 입력 유닛(302), 및 메모리(303)를 더 포함할 수 있다.
온도 센서(296)는 배출 배관(270)과 배출조정 유닛(280)의 온도를 측정하기 위한 구성이다. 이를 위해, 온도 센서(296)는 복수 개로 구비될 수 있다. 구체적으로, 온도 센서(296)는 보온 유닛(240)의 각 히터(241,243,245,246,247)가 가열하는 영역마다 설치될 수 있다.
제어 유닛(301)은 히팅 유닛(230), 보온 유닛(240), 배출조정 유닛(280) 등과 전자적으로 연결되어, 그들의 작동을 제어하는 구성이다. 예를 들어, 보온 유닛(240)의 작동을 제어함에 있어서, 제어 유닛(301)은 온도 센서(296)로부터 온도 값을 입력받고 그에 기초하여 보온 유닛(240)을 제어한다. 그에 의해, 히터(241,243,245,246,247) 각각이 담당하는 영역별 온도에 기초하여, 각 영역에서 온도 편차가 발생하지 않고 각 영역이 균일한 온도로 보온되게 한다. 이는 기체상 파릴렌 다이머가 기화 온도 이상으로 보온되더라도, 국소적으로 주변보다 온도가 낮은 영역 있다면 그 영역에 집중되어 응축되는 것을 방지할 수 있게 한다. 제어 유닛(301)은, 예를 들어 컴퓨팅 디바이스의 프로세서일 수 있다. 또한, 제어 유닛(301)은 기화기(200) 만의 제어를 위한 별도의 기기로 구성되거나, 파릴렌 증착 장비(100) 전체를 제어하기 위한 제어 모듈에 통합되어 구성될 수도 있다.
사용자 입력 유닛(302)은 사용자로부터 기화기(200)의 제어를 위한 제어 정보를 입력받는 구성이다. 사용자 입력 유닛(302)은, 예를 들어 컴퓨팅 디바이스의 키보드나, 터치 모니터 등이 수 있다. 상기 제어 정보는, 기체상 파릴렌 다이머를 용기(210)로부터 배출할지 여부, 배출 시점, 및 배출 기간에 관한 배출 정보를 포함할 수 있다. 또한, 상기 제어 정보는 기체상 파릴렌 다이머에 대한 배출 시의 기체상 파릴렌 다이머의 유량에 관한 유량 정보를 포함할 수 있다. 사용자 입력 유닛(302)은 기화기(200) 만에 상기 제어 정보를 입력하기 별도의 기기로 구성되거나, 파릴렌 증착 장비(100) 전체에 사용자로부터의 제어 정보를 입력하기 위한 사용자 입력 모듈에 통합되어 구성될 수도 있다.
메모리(303)는 배출조정 유닛(280)의 단속 작동에 관한 정보인 단속 정보를 저장할 수 있다. 또한, 메모리(303)는 배출조정 유닛(280)의 (유량) 조절 작동에 관한 정보인 조절 정보를 저장할 수 있다. 메모리(303)는 제어 유닛(301)에 의해 참조될 수 있다. 메모리(303)는 플래시 메모리 타입(flash memory type), 하드디스크 타입(hard disk type), 멀티미디어 카드 마이크로 타입(multimedia card micro type), 카드 타입의 메모리(예를 들어 SD 또는 XD 메모리 등), 램(RAM, Random Access Memory) 등과 같은 타입의 저장매체를 포함할 수 있다.
이상의 기화기(200)의 운용 방법에 관하여 도 6 내지 도 8을 참조하여 설명한다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기화기(200)의 운용 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
본 도면(및 도 3 내지 도 5)을 참조하면, 제어 유닛(301)은 먼저 기체상 파릴렌 다이머를 준비한다(S1). 이를 위해, 제어 유닛(301)은 히팅 유닛(230)을 작동시켜 파릴렌 다이머 분말이 기화되어 기체상 파릴렌 다이머로 전환되게 한다. 제어 유닛(301)은 기체상 파릴렌 다이머의 기화된 상태를 유지하기 위해서도 히팅 유닛(230)이 지속적으로 가동되게 할 수 있다.
제어 유닛(301)은 사용자 입력 유닛(302)을 통해 상기 제어 정보, 구체적으로 상기 배출 정보 또는 상기 유량 정보를 획득하게 된다(S3). 상기 배출 정보는 배출조정 유닛(280)의 단속 작동에 관한 정보이고, 상기 유량 정보는 배출조정 유닛(280)의 유량 조절 작동에 관한 정보이다.
제어 유닛(301)은 상기 제어 정보에 대응하여 메모리(303)를 참조하여, 상기 단속 정보 또는 상기 조절 정보를 결정한다(S5). 상기 단속 정보 또는 상기 조절 정보를 결정한다는 것은, 제어 유닛(301)이 메모리(303)에 저장된 상기 단속 정보 또는 상기 조절 정보 중 특정한 값을 선택한다는 의미를 포함한다.
제어 유닛(301)은 기체상 파릴렌 다이머가 용기(210)로부터 배출되는 것을 제어한다(S7). 구체적으로, 제어 유닛(301)은 상기 단속 정보에 따라 배출조정 유닛(280)의 단속 작동을 제어하여, 배출 배관(270)의 조절 밸브가 폐쇄되거나 개방되게 한다. 또한, 제어 유닛(301)은 상기 조절 정보에 따라 배출조정 유닛(280)의 조절 작동을 제어하여, 기체상 파릴렌 다이머의 배출조정 유닛(280)을 통과하는 유량이 변경되게 한다.
도 7은 도 6의 기체상 파릴렌 다이머 준비 단계(S1)를 구체적으로 설명하기 위한 순서도이다.
본 도면(및 도 3 내지 도 5)을 참조하면, 기체상 파릴렌 다이머가 배출 배관(270)을 통해 원활히 배출되도록 하기 위해서는, 용기(210) 내의 기체상 파릴렌 다이머의 양에 대한 제어도 필요하다. 이를 위해, 제어 유닛(301)은 히팅 유닛(230)을 제어하여 용기(210) 내의 기체상 파릴렌 다이머의 양을 조절한다.
구체적인 제어 과정은 다음과 같다. 먼저, 제어 유닛(301)은 압력 게이지(293)를 통해 상기 압력 정보를 획득한다(S11). 제어 유닛(301)은 상기 압력 정보에 근거하여 용기(210) 내의 기체상 파릴렌 다이머의 양을 산출한다(S13). 또한, 제어 유닛(301)은 산출된 기체상 파릴렌 다이머의 양에 기초하여, 히팅 유닛(230)의 작동, 예를 들어 작동 개시/중단, 발열 온도의 상승/하강을 제어하게 된다.
도 8은 도 6의 기체상 파릴렌 다이머 배출 제어 단계(S7)와 관련된 보온 유닛(240)에 대한 제어 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
본 도면(및 도 3 내지 도 5)을 참조하면, 기체상 파릴렌 다이머가 용기(210) 밖으로 배출되는 상태에서, 제어 유닛(301)은 보온 유닛(240)을 제어하여 기체상 파릴렌 다이머의 유량이 조절(설정)된 대로 유지될 수 있게 한다.
이를 위해, 제어 유닛(301)은 온도 센서(296)로부터 배출 배관(270) 및 배출조정 유닛(280)의 온도값을 입력받는다(S21). 앞서 설명한 대로, 온도 센서(296)는 히터(241,243,245,246,247) 각각이 설치된 영역별 온도값을 제어 유닛(301)에 제공한다.
제어 유닛(301)은 입력된 온도값이 파릴렌 다이머 분말의 기화 온도 관련 설정 온도 미만인지를 판단하게 된다(S23). 여기서, 상기 설정 온도는 파릴렌 다이머 분말의 기환 온도 보다 높은 온도로서, 보온 유닛(240)을 이용하여 배출 배관(270) 등에 대해 유지하고자 하는 온도를 말한다.
입력된 온도값이 상기 설정 온도 미만이라면, 제어 유닛(301)은 보온 유닛(240)을 작동시켜 상기 설정 온도에 도달되게 한다(S25).
입력된 온도값이 상기 설정 온도 이상이라도, 제어 유닛(301)은 입력된 온도값이 영역별로 균일한지 여부를 판단한다(S27). 각 영역별로 온도가 불균일하다면, 온도가 상대적으로 낮은 영역에서 기체상 파릴렌 다이머가 응축될 수 있기에 이를 방지하기 위함이다.
온도가 불균일하다면, 제어 유닛(301)은 보온 유닛(240)으로서 히터(241,243,245,246,247) 중 일부를 작동시킬 수 있다. 그에 의해, 상대적으로 온도가 낮은 영역의 온도를 높여서, 전체 영역에서의 온도 균일성을 확보할 수 있게 한다.
이러한 제어에 의해, 기체상 파릴렌 다이머는 배출 배관(270) 및 배출조정 유닛(280) 내를 유동하는 중에 파릴렌 다이머 분말의 기화 온도 이상의 온도로 유지된다. 또한, 기체상 파릴렌 다이머는 각 영역에서 균일한 온도로 유지된다. 그에 의해, 기체상 파릴렌 다이머가 배출 배관(270) 및 배출조정 유닛(280)을 통해 유동 중에 고화되어 기체상 파릴렌 다이머의 유량이 배출조정 유닛(280)의 조절 정도에 비해 배출량이 감소되는 일이 없게 한다.
이제, 이상의 파릴렌 증착 장비(100)가 디스플레이 패널 제조의 전(前)공정에 적용된 예를 도 9를 참조하여 설명한다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기화기(200)의 운용 방법을 포함한 파릴렌 증착 장비(100)의 운영을 통해 제작된 OLED 디스플레이의 봉지 구조를 보인 개념적 단면도이다.
본 도면을 참조하면, 플렉시블 OLED 디스플레이에 대해 OLED 봉지(Encapsulation) 기술 중 TFE(Thin Film Encapsulation) 기술이 적용될 수 있다. 여기서, 봉지 기술이란 OLED에 사용되는 유기물질과 공기 중에 있는 외부물질과의 차단하는 막을 형성하는 기술을 뜻한다.
TFE는 얇은 무기물과 유기물을 적층해 형성하는 구조이다. 구체적으로, 본 도면을 통해 알 수 있듯이, 유리 기판(G) 상에 OLED 소자(O)가 증착된 상태에서, OLED 소자(O)는 제1 무기물 박막(IL1)에 의해 감싸진다. 또한, 제1 무기물 박막(IL1)은 유기물 박막(OL)에 의해 감싸지고, 유기물 박막(OL)은 다시 제2 무기물 박막(IL2)에 의해 감싸질 수 있다.
이상의 제1 무기물 박막(IL1)과 제2 무기물 박막(IL2)은 실리콘 나이트라이드(silicon nitride) 박막일 수 있다. 또한, 유기물 박막(OL)은 본 발명에 따른 파릴렌 증착 장비(100)에 의해 증착된 파릴렌 박막일 수 있다. 이러한 TFE 과정에서, 앞서 설명한 바대로, 기체상 파릴렌 다이머는 기화기(200)의 용기(210) 내에 수용되어 다수의 공정에 연속적으로 제공될 수 있다. 또한, 배출조정 유닛(280)에 대한 제어를 통해, TFE에 증착되는 파릴렌 박막의 두께는 증착 조건에 따라 간단하게 변경될 수 있게 된다.
이상의 기화기(200) 및 그를 구비한 파릴렌 증착 장비(100)의 운용에 따라서, 파릴렌 박막은 OLED, LCD, EPD 등의 디스플레이용 연성 기판, 베리어(barrier) 필름 등의 전(前)공정에도 역시 적용될 수 있다.
상기와 같은 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기 및 그의 운용 방법, 그리고 그를 구비하는 파릴렌 증착 장비는 위에서 설명된 실시예들의 구성과 작동 방식에 한정되는 것이 아니다. 상기 실시예들은 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 구성될 수도 있다.
100: 파릴렌 증착 장비 110,200: 기화기
120: 열분해기 130: 증착 챔버
140: 진공 튜브 150: 냉각 트랩
160: 진공 펌프 210: 용기
211: 수용 몸체 216: 리드
230: 히팅 유닛 240: 보온 유닛
250: 포트 유닛 251: 배출 포트
270: 배출 배관 280: 배출조정 유닛
293: 압력 게이지 296: 온도 센서
301: 제어 유닛 302: 사용자 입력 유닛
303: 메모리

Claims (15)

  1. 파릴렌 다이머 분말을 수용하는 용기;
    상기 용기에 연결된 배출 배관;
    상기 배출 배관에 설치되어, 상기 용기에서 상기 파릴렌 다이머 분말로부터 생성된 기체상 파릴렌 다이머의 배출을 조정하는 배출조정 유닛; 및
    상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛을 감싸서 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도를 상기 파릴렌 다이머 분말의 기화 온도보다 높은 온도로 유지하는 보온 유닛을 포함하는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 배출조정 유닛은,
    상기 파릴렌 다이머 분말의 기화 온도보다 높은 온도에서 작동 가능한 고온용 질량 유량 제어기(Mass flow controller)를 포함하는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 보온 유닛은,
    상기 배출 배관에 설치되는 배관 히터; 및
    상기 배출조정 유닛에 설치되는 조정 히터를 포함하고,
    상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도를 균일하게 유지하기 위하여 상기 배관 히터 및 상기 조정 히터의 작동은 독립적으로 이루어지는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 배관 히터 및 상기 조정 히터는,
    그들 중 상기 용기에서 멀리 위치하는 것이 상기 용기에서 가까이 위치하는 것보다 높은 온도로 작동되는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 배출조정 유닛 및 상기 보온 유닛에 전기적으로 연결되어, 상기 배출조정 유닛 및 상기 보온 유닛의 작동을 제어하는 제어 유닛을 더 포함하는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도를 측정하는 온도 센서를 더 포함하고,
    상기 제어 유닛은,
    상기 온도 센서에서 측정된 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도값에 기초하여, 상기 배관 히터 및 상기 조정 히터의 작동을 독립적으로 제어하는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 배출조정 유닛의 단속 정보 및 조절 정보를 저장하는 메모리; 및
    상기 기체상 파릴렌 다이머의 배출 정보 및 유량 정보를 사용자로부터 입력받기 위한 사용자 입력 유닛을 더 포함하고,
    상기 제어 유닛은,
    상기 사용자 입력 유닛을 통해 입력된 상기 배출 정보 및 상기 유량 정보에 대응되는 상기 메모리에 저장된 상기 단속 정보 또는 상기 조절 정보에 기초하여, 상기 배출조정 유닛의 단속 작동 및 조절 작동 중 적어도 하나가 수행되게 하는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 용기에 열을 전달하여, 상기 파릴렌 다이머 분말이 상기 기체상 파릴렌 다이머로 기화되게 하는 히팅 유닛; 및
    상기 용기에 연통되어, 상기 용기의 내부 압력에 관한 압력 정보를 획득하는 압력 게이지를 더 포함하고,
    상기 제어 유닛은,
    상기 압력 게이지로부터 입력된 상기 압력 정보에 기초하여 상기 히팅 유닛의 작동을 제어하는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 용기에 열을 전달하여, 상기 파릴렌 다이머 분말이 상기 기체상 파릴렌 다이머로 기화되게 하는 히팅 유닛을 더 포함하고,
    상기 제어 유닛은,
    상기 배출조정 유닛의 폐쇄 상태에서 상기 히팅 유닛을 작동시켜 상기 기체상 파릴렌 다이머를 기체 상태로 유지하는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 파릴렌 다이머 분말은,
    파릴렌 VT4 및 파릴렌 AF4 중 하나의 분말을 포함하는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기.
  11. 파릴렌 다이머 분말을 수용하는 내부 공간을 구비하는 용기;
    상기 용기의 내부 공간에 열을 전달하여, 상기 파릴렌 다이머 분말이 기화되어 기체상 파릴렌 다이머가 생성되게 하는 히팅 유닛;
    상기 용기의 내부 공간과 연통되어, 상기 기체상 파릴렌 다이머를 상기 용기 밖으로 배출하는 배출 배관;
    상기 배출 배관에 설치되어, 상기 기체상 파릴렌 다이머의 배출을 조정하는 배출조정 유닛; 및
    상기 히팅 유닛 및 상기 배출조정 유닛에 전기적으로 연결되고, 상기 히팅 유닛을 작동시키며, 단속 정보 및 조절 정보를 결정하여 결정된 상기 단속 정보 및 상기 조절 정보에 따라 상기 배출조정 유닛의 단속 작동 및 조절 작동 중 적어도 하나를 제어하는 제어 유닛을 포함하는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기.
  12. 용기에 저장된 파릴렌 다이머 분말을 히팅 유닛으로 가열하여 기체상 파릴렌 다이머를 생성하고 유지하는 단계;
    사용자 입력 유닛을 통해 기체상 파릴렌 다이머의 배출 정보 또는 유량 정보를 입력받는 단계;
    메모리를 참조하여 상기 배출 정보 또는 상기 유량 정보에 대응하는 배출조정 유닛의 단속 정보 또는 조절 정보를 결정하는 단계; 및
    결정된 상기 단속 정보 또는 상기 조절 정보에 기초해 상기 배출조정 유닛의 단속 작동 및 조절 작동 중 적어도 하나가 수행되게 하여, 상기 용기에 연결된 배출 배관을 통한 상기 기체상 파릴렌 다이머의 배출을 제어하는 단계를 포함하는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기의 운용 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 용기에 저장된 파릴렌 다이머 분말을 히팅 유닛으로 가열하여 기체상 파릴렌 다이머를 생성하고 유지하는 단계는,
    압력 게이지를 통해 상기 용기의 내부 압력에 관한 압력 정보를 획득하는 단계;
    상기 압력 게이지로부터 입력된 상기 압력 정보에 기초하여 상기 용기의 내부에서 생성되는 상기 기체상 파릴렌 다이머의 양을 산출하는 단계; 및
    산출된 상기 기체상 파릴렌 다이머의 유량에 기초하여 상기 히팅 유닛의 작동을 제어하는 단계를 포함하는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기의 운용 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도를 측정하는 단계; 및
    측정된 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도값에 기초해 보온 유닛을 작동시켜, 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도를 상기 파릴렌 다이머 분말의 기화 온도보다 높은 온도로 균일하게 유지하는 단계를 더 포함하는, 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기의 운용 방법.
  15. 파릴렌 다이머 분말을 기화시켜 기체상 파릴렌 다이머를 생성하는 기화기;
    상기 기체상 파릴렌 다이머를 열분해하여 기체상 파릴렌 모노머를 생성하는 열분해기; 및
    상기 기체상 파릴렌 모노머에 의해 대상물의 표면이 파릴렌 폴리머로 증착되게 하는 진공 챔버를 포함하고,
    상기 기화기는,
    파릴렌 다이머 분말을 수용하는 용기;
    상기 용기에 연결되어, 상기 용기에서 생성된 상기 기체상 파릴렌 다이머를 상기 열 분해기 측으로 배출하는 배출 배관;
    상기 배출 배관에 설치되어, 상기 용기에서 생성된 기체상 파릴렌 다이머의 배출을 조정하는 배출조정 유닛; 및
    상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛을 감싸서 상기 배출 배관 및 상기 배출조정 유닛의 온도를 상기 파릴렌 다이머 분말의 기화 온도보다 높은 온도로 유지하는 보온 유닛을 포함하는, 파릴렌 증착 장비.
KR1020170158317A 2017-11-24 2017-11-24 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기 및 그의 운용 방법, 그리고 그를 구비하는 파릴렌 증착 장비 KR20190060272A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170158317A KR20190060272A (ko) 2017-11-24 2017-11-24 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기 및 그의 운용 방법, 그리고 그를 구비하는 파릴렌 증착 장비

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170158317A KR20190060272A (ko) 2017-11-24 2017-11-24 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기 및 그의 운용 방법, 그리고 그를 구비하는 파릴렌 증착 장비

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20190060272A true KR20190060272A (ko) 2019-06-03

Family

ID=66849215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170158317A KR20190060272A (ko) 2017-11-24 2017-11-24 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기 및 그의 운용 방법, 그리고 그를 구비하는 파릴렌 증착 장비

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20190060272A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220033385A (ko) * 2020-09-09 2022-03-16 한밭대학교 산학협력단 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 및 이의 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220033385A (ko) * 2020-09-09 2022-03-16 한밭대학교 산학협력단 유기발광소자의 광추출용 가시성 페럴린 필름 및 이의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI458843B (zh) 蒸鍍裝置與有機薄膜的形成方法
KR101658276B1 (ko) 원료 가스 공급 장치, 성막 장치, 원료 가스 공급 방법 및 기억 매체
JP6698153B2 (ja) 前駆体の供給システムおよび前駆体の供給方法
US6453992B1 (en) Temperature controllable gas distributor
US10267768B2 (en) Device and method for determining the concentration of a vapor by means of an oscillating body sensor
CN111304595A (zh) 蒸发器、沉积装置、沉积设备及其操作方法
JP2008169456A (ja) 真空蒸着装置
CN109154082A (zh) 升华气体供应系统和升华气体供应方法
KR20010007467A (ko) 금속 유기물 화합 증착 방법 및 증착 장치
US5575854A (en) Semiconductor treatment apparatus
KR20190060272A (ko) 기체상 파릴렌 다이머 배출 조절 가능한 파릴렌 증착 장비용 기화기 및 그의 운용 방법, 그리고 그를 구비하는 파릴렌 증착 장비
EP2053070A1 (en) Apparatus for chemical vapor deposition and method of chemical vapor deposition
JP2021516723A (ja) 昇華によって正確な濃度の蒸気を生成する方法および装置
KR100468319B1 (ko) 파릴렌 고분자막 코팅 장치
CN116324016A (zh) 用于沉积oled层的具有运行管路/出口管路的装置
US20170167027A1 (en) Material Delivery System and Method
JP5180469B2 (ja) 真空蒸着装置
JP5570471B2 (ja) モノマー蒸発量制御装置及び蒸着重合装置並びにモノマー蒸発量の制御方法
JP4830847B2 (ja) 真空蒸着装置
KR20150141252A (ko) 기화량을 안정적으로 제어할 수 있는 캐니스터와 기화 시스템
JPS59185772A (ja) 高融点金属化合物における蒸発ガスの流量制御装置
JPH07221091A (ja) 薄膜形成装置の原料供給量制御方法
KR100951683B1 (ko) 소스가스 공급방법
KR101016042B1 (ko) 캐니스터
KR101173570B1 (ko) 가스공급장치 및 이를 이용하는 가스공급방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application