TW201002134A - Method for manufacturing light emitting device and manufacturing apparatus used in the method - Google Patents

Description

201002134 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種發光裝置之製造方法及使用該方法 之裝1 4寺別疋關於一種包含形成於管内面之有機a 元件的發光裝置之製造方法及使用該方法之製造裝置。 【先前技術】 在近年來，提議形成有機Eleetr。Luminescence: 電致發光）元件之圓筒细 门1面發先7L件。例如藉由日本特開 2007— 73403號公報的贫 5 ，則面發光元件係具有圓筒形狀 之透明基材（管）和形成於 狀 、这透明基材之有機EL元件。槿 成有機EL元件之膜之成 霉 .CVD r rh ., 、方法係例如真空蒸鍍法、濺鍍法 及 CVD ( Chemical VaD〇r η。.. 之任何一種。 切y忒 專利文獻1:日本牲鬥0 本料開2007— 73403號公報 【發明内容】 【發明所欲解決的課題】 在前述成膜方法，藉由釋出之原料^ 而形成構成有機&< … 附著於管内面， 和其之军/例如在真空蒸錢法而配置Y雜 和吕之某-邊端部呈對向之狀態下-置蒸鍍源 某一邊端部，進入至管中，％著管4 X之原料係由管之 内部。在該過程，原料進行：c方向而進行於管 料更加地擴散。於是，在管内-肖之距離越長而原 ，於管之某—邊端部之

2075-10336-PF 201002134 ’在管之其他邊端部之附近，形成薄膜 附近’形成厚膜一-〜％遭端部之m、fr 鳊°卩之附近，形成薄膜。 有所謂起因於該膜厚度之偏差 而使付官内面之發光特性之 不均一性變大之問題發生。 本發明係有鑑於前述課題而完成的；其某—目的係提 供一種管内面之發光特性之岣一 ’、 陡變回之發光裝置之製造 方法及使用該方法之製造裝置。 夏心表化 此外本發明之其他目的係提供$ q 料之發光裝置之製造#法及使 tM吏用原 【用以解決課題的手段】 該方法之製造裳置° 本發明之發光裝置之製造方法，係包 内面之有機EL元件的發光| 和形成於管 程。 纟發先裝置之製造方法，具有以下之製 首先準備管。藉由搖叙雜山 同時，進行㈣，使及管之至结何一個， 内面之釋出之釋出I :行有機EL元件之原料對於管 成有機EL元件。來進行相對運動，而在管内面’形 如果藉由本發明之發光裝置之 釋出部係進行相對 製化方法的話，則管 件，因此，比起管和纆内面，形成有機EL元 、g和釋出部之相 几 還可以在管内自 關係呈固定之狀態， 均勻之厚度，A $ t _L、 以提高管内面之於井胜咕 來進仃成膜。於是，可 %光特性之均一性。 在前述發光裝置之 管和配置於管中 〜 相對運動係最好是包含 運動。釋出部呈相對地位移於管之長产★ 〜糾 错由釋，屮卸+ <长度方向夕 …配置於管中而使得釋出之原料 2075-10336-Pp 原抖之多數 201002134 比例，到達至管之内面 以有效率地使用有機el用之昂貴之原料。於/成膜，可 發光裝置之製造忐★ L, _ '疋’可以降低 衣、成本。此外，釋出部係移 因此，可以媒古其且也 , ;長度方向， 四此τ以k冋官長度方向之膜厚之均—性。 口 在前述發光裝置之製造方法，相對運根 管以營之集痒七。A 動係、最好是包含 吕“之長度方向作為中心而進行自轉 L含 而提高管長度方向周圍之模厚之均—性。動。可以藉此 在前述發光裝置之製造方法，釋 出部來飛散配置於管内部之原料而進行好-藉著由釋 正如真空蒸鍍法戋璐 °以藉此而例如 …法，使用飛散原料之成膜方、" 官内面，以均句之厚度，來進行成膜。成膜方去’在 在前述發光裝置之製造方法 部開始延伸至内部且Ah 破好疋藉著使用由管外 甲鬥0p且管内部側之端部成A摆山 應通路，由管外部開# ^ ^ ^ ^ 為释出部的原料供 1開始’流動氣體狀之 行釋出。可以Μ此而' “ 至内部，而進 體狀原料之種類，來# 卜邛開始流動之氣 來連續地形成不同材 以有效率地製造層積複數個相互質：：。於是，可 機EL元件。 買之膜而構成的有 在前述發光震置之製造方法， 作為原料之液體至支持管長度方向藉著注入 並且以管長度方向作為中心來進行自轉之=方向呈傾斜 可以藉此而進行使用真办 s内部而進行。 子系之有機EL材料的成膜。 易成膜且使用高分 本發明之發光裝置製

2075-10336-PF 之k裝置’係包含管和形成於營 5 201002134 内面之有機EL元件的發光伊詈夕制 驅動部。構成、 衣造裝置，具有釋出部和 面。構= 釋出有機件之原料至管内 面構成驅動部係可以在釋出 部和管，進行相對運動。如果藉由^出原科之際，於釋出 造穿詈的β 错由本發明之發光裝置之製 4和釋出部係進行相對運動，因此，比起 吕和釋出部之相對位置關係比起 面，以均句之厚度，來進行成胺態，逛可以在管内 之發光特性之均一性。 了以如阿營内面 :前述發光裝置之製造裝置，相對運動係最好是包含 二-己置於官中之釋出部呈相對地位移於管長度方: 。藉由釋出部來配置於管中而使得釋 例，到if 5总★〜 眾料之多數比 到達至官之内面’因此，為了管内面 有效率地使用有機豇用之昂貴 、可以 务p署令制 原科。於是，可以降低笋 、之製造成本。此外，釋出部係移動於旦电 ' 此，可以提古鸿具疮七a 、 ；長度方向，因 Μ徒问管長度方向之膜厚之均一性。 在前述發光裝置之製造方法，相對 管以管之長产方''最好是包含 而提高管==為1轉之運動…藉此 ^ S長度方向周圍之膜厚之均一性。 在前述發光裝置之製造方法，最好是釋 數個之釋出部分，並且，發先裂置之製 器和搬送部。容器係收納複數個之釋出部分有谷 係可以在容㈣，依序地移動管至❹ 構成搬送部 出部分之位置。可以夢此而W 複數個之各個釋 I ] u藉此，而不由容器來取出黑， 订使用複數個之各個釋出部分之成膜。 、々地進

2075-10336-PF 6 201002134 【發明效果】 部係進行相對運動，因此,^ ^ 則管和釋出 思勒因此，比起f和釋㈣ #呈S1定之狀能、甚 才目對4立置：關 你至固疋之狀態，還可以在管内面，以 ,-L, ^ ^ 9之厚度’來進 、。；疋’可以提高管内面之發光特性之均—性。 【實施方式】 f、 在以下，就本發明之實施形態而進行說明。 (實施形態1 ) 首先，就本實施形態之發光裝置之構造而進行說明。 圖1係概略地顯示本發明之實施形態丨之發光裝置之 構造之剖面圖。參考圖i’本實施形態之發光農置係具有 圓筒管1、有機EL元件12、密封零件11〇、11〇、電極n2a、 112b和配線U3a、113b。圓筒管i係具有延伸於長度方向 ^ (圖中之LD方向）之空洞部之透光性管。更加具體地說， I 圓筒管1係例如藉由鈉鈣玻璃而形成之直徑50mm、長度 540mra、厚度lmm之管。有機紅元件12係在圓筒管}之内 面上，依序地具有保護層12a、透明陽極層12b、第丄〜第 4層12c〜12f和陰極層12g。保護層12a係具有防止鹼金 屬離子之移動之功能。於是，即使是在圓筒管1之材質， 使用鈉鈣玻璃等之包含鹼金屬離子之材質，也防止鹼金屬 離子由圓筒管1移動至透明陽極層丨2b。保護層12a係例 如藉由氧化矽（Si〇2)而形成之厚度ι〇ηιΙ1之層。透明陽極 層I 2b係具有透光性且具有作為有機el元件1 2之陽極之

2075-J0336-PF 7 201002134 功能。透明陽極層1 2b係例如 τ j . n . j . ^ . 、由氧化銦錫（IT0( Tin doped

Indium Oxide.錫摻雜銦氧化 物））而形成之厚度之 層。 第1層1 2c係例如由下列之化學式⑴所表示之有機 材料（NPD)而形成之厚度40nro之層。 [化學1]

…⑴ 第2層12d係例如以下列之化學式（2 )所表示之有機 材料（Znbox2 )作為主成分且藉由下列之化學式（3 )所表 示之一萘嵌苯（C^Hi2)而摻雜1.5重量％之厚度7mn之居 [化學2] "

^075-10336-pp 8 201002134 [化學3]

第3層1 2 e係例如以* 从則述化學式（2)所表示 料（Znbox2 )作為主成分 有機特 X刀且藉由下列之化學式Γ 4、私主 之有機材料（DCM1 )而摻雜η 〇 〔）所表示 修雜0.25重量％之厚度 [化學4] 吁及Unm之層。

第4層12f係例如由前述 _ 料（一而形成之厚度3。職之層。）所表…機柯 陰極層12g係具有作為有冑r 能、例如藉由銘而形成之厚度〇5 2之陰極之功 EL元件12上之區域中’圓筒管 層。此外，在有機 區域係成為無形成陰極層12 、又方向之兩端側之 2075-10336-PF &域之短路防止用空間 201002134 :。藉由設置短路防止用空間在有機 。卜防止陰：2g和透明陽極層m發生短路。 此外钔述第！層】2c係具有作為電洞 第4層12ί係具有作為電子輸送層^層之功… 2 μ 1 ?Η » M Q a , 力月b。此外，各個第 曰；I 2d及弟3層I2e係藉由含有_ 為拉雜$去工曰 有—奈嵌本及DCM1 ,來作 為播雜色素’而具有作為發光 及第P ^ 又尤屬之功成。在各個第2層12d ^ / 6 色及㈣色之發光，藉由混合這此2 色光而得到白色光。 、-乙 各個密封構件1 1 〇、〗丨〇係宓 锊々々7 係山封填充惰性氣體11 5之圓 同s 1之内部〇配線i! 3a 10u 挪係电連接於透明陽極層 2b，配線11 3a之其他端係 屯咬侵X冤極112a。配線113 =係電連接於陰極層12g，配線⑽之其 接於電極⑽。此外，各個電極112a、u2b係貫通密= 構件11G而形成。#由以該構造，在露出於圓筒管^之密 封區域外之電極112a和電極U2b之間，施加電壓， 透明陽極I 12b和陰極層12g之間，施加電墨。藉由該電 壓而產生前述發光層之發光。 接著，就作為本實施形態之發光裝置之製造裝置之蒗 鍍裝置而進行說明。 …' 圖2係概略地顯示作為本發明之實施形態丨之發光装 置之製造裝置之真空蒸鍍裝置之構造之剖面圖。此外，在 圖2，除了真空蒸鍍裝置本體以外，也圖示圓筒管、形成 中之有機EL元件及固體原料。

>考圖2，作為本貫施形態之發光裳置之製造裳置之 2075-10336-PF 10 201002134

成膜裝置100V係白A 、^3圓筒管1以及形成於圓筒替] 有機弘元件12之路丄莊 圓1内面之 發光裝置之製造裝置。成膜裝詈 主要具有真空容考ς 置1 〇 ο ν係 、固疋治具2、掛堝θν (釋屮土、 冷卻器7和驅動部3、1 i。 出。P )、 真空容器5係π ^ 糸可以藉由真空幫浦6而減壓 空蒸鍍之壓力為止。 至至適合於真 固疋/α具2係用以在真空容器5之内， 之治具。固定治且 寺圓同管1 -、Ζ係正如圖中之虛線部F所示， 由保持圓筒管1之基疮 可以藉 之長度方向LD之某一邊端部（圖中上#丨夕 端部）之邊綾邱八 丄 M t上側之 、邊緣^ ’而支持圓筒管卜此外，在圖中 由固疋治具2而僅佯持m@ B 以1之邊緣部分之外圍側，& 疋’可以僅保持内圍侧或者是外圍侧和内圍側兩者： =中，藉由固定治具2而保持圓筒管J之某一邊端部， 但疋，可以保持圓筒管1之兩端部。 坩堝9v係可以藉由加熱器1〇而進行加熱。可以藉此 而加熱放入至掛禍9V之固體原料朴。此外，堆禍9v係除 了本體部分以外’還具有上蓋9vLe上蓋9九係固定於掛 堝9v之本體部分而在和本體部分之間，設置間隱：卯。姆 竭9 v之材質係例如氮化观。 冷卻器7係構成可以藉著由圓筒管1之外面部分，來 奪去熱能，而冷卻圓筒管1。 、㈣部係具有旋轉導入器3和直線驅動機構u。旋轉 導入器3係支持固定治具2而能夠以圓筒管！之長度方向 U作為中心，來旋轉固定治具2。此外，旋轉導入^ ^係

2〇75-]〇336-PF 201002134 構成能夠傳Ϊ旋轉馬達4a之旋轉力至固定治具2。能夠藉 此而以圓筒官i之長度方向⑶作為中心，來自轉圓筒管卜 可以藉由圓筒管1自轉之運動而在掛竭^釋出原料之際， 由㈣9V來觀看圓筒管i ’以圓筒管i之長度方向…乍 為中心’來進行自轉之運動。也就是說，料9v和圓筒管 i係可以進打相對運動。直線驅動機才㈣係構成可以在圓 筒管1之中’沿著圓筒管1長产 丄之長度方向LD，呈直線地位移 :禍9”可以籍由該位移而在圓筒管】之長度方向 相對地位移圓筒管1和配置於圓筒管！中之…。也就 是說’㈣圓筒管1係可以進行相對運動。， …接著’就本實施形態之發光裝置之製造方法之概要而 進仃說明。參考圖1及圖2，準 ⑽、第卜第M12c〜]2f 料層…、透明陽極層

Wf、以及對應於各個陰極 之固體原料8b、圓筒管丨。接著 g 固體原料⑽之種類，同時;以替換收納於㈣^内之 空蒸鐘。藉此而在圓筒：心::裝置_而進行真 12。接著，客駐―以 面上’形成有機EL元件 接者女裝岔封零件11〇、11〇、 午 配線U3a、U3b，並且—極1心、112b及 成五’在圓闾管1之内 體115。藉此而得到發光裝置（圖η。、、性氣 接著，就在有機EL元件 之部分之第卜第…2 19f成為由有機物來形成 說明。首先，作為使：成製程，詳細地進行 目无作為使用於第1〜第4展7 0 鍍之固體原料❿係 a c〜12ί之真空蒸 7卡爾粉體之原料 μ 原料，準備坩堝9 ，在各個之专種

2075-10336-PF 接者’收納對應於各個第1〜第4層 201002134 12c〜12f之固體原料8b之複數個坩 於真空容器5内。此外，圓筒管：V中之一個係安裝 裝於成膜裝置100V。藉由真空幫浦β、稽由固定治具2而安 内部。藉由在冷卻器7之内部 ：減壓真空容器5之 1之，、®疳於ζ η。广 L /々媒，而保持圓筒瞢 i之-度於50C以下。藉由驅動 门目 1以長度方向U)作為中,，來進行轉自=43而使得圓筒管 進行自轉之運動而由掛禍9,來 。藉由該圓筒管1 '之長度方向Π)作為中心，C、管丨，以圓筒管1 例如30咖。此外，藉由驅動 1運動。自轉速度係 W沿著圓筒管i之長度方向LD:動機構11而使得掛碼 管1之中。办從還仃位移’來往復於圓筒 1之中位移速度係例如2〇mm/秒鐘拉丄 门 得圓筒Η和配置於圓筒 。藉由該位移而使 於圓筒^之長度方向^也p9v，呈相對地位移 係進行㈣運動。藉由在加/說’㈣9v和圓筒管1 敎固❹料： 熱器10’流動直流電流，以加 i過=使得固體原料8b，…始，透 過間隙GP，來進行蒸發。也 边 ^ r ^ ，疋說，配置於圓筒管1内部 I u體原枓8b係由坩堝 之固體原料8b之至少—部八，！政於其周圍。藉由飛散 在圓饩您 刀附著於圓筒營1之内面，而 在®同管1之内面’進行由於吉*甘 成。;真卫蒸鍍所造成之層之形 成藉由依序地使用I納不㈤ / 掛塌9 V，/ rir 體原料8 b之複數個 真空蒸鍍’而得到由η 所組成之層積構造。 收納=來Γ極層12g之形成製程㈣細地進行說明。 村來作為固雜原料此之…係安裝於真空容器

2075-10336-PF 13 201002134 之内此外，形成第〗〜第4層12c〜⑶之圓筒管 藉由収治具2而安裝於成膜裝置。此外，圓筒狀之、 遮罩係插入至圓筒管1之内而覆蓋短路防止用空間SP (圖 接著’進行相同於第！〜第4層i2c〜m 圖 程之同樣之真空蒸鍍。藉此而形成陰極層12g。 、此外，透明陽極層12b係也可以藉由使用濺鑛 滅錢法而形成，央跑成、+，古士 # ^ 取采取代剛述真空蒸鍍法。在以下，就对^ 成方法而進行說明。 Sx形 首先，就作為本實施形態之發光裝置 鑛裝置而i隹；μ "。圖3係概略地顯示作為本發明之f & 形態1之發光裝 月之實施 蒗置之Ik裝置之濺鍍裝置之構造之判品 圖。此外，在® 3,除了濺鍍聲置本體 σ]φ 管、形成中之有機EL元株 圖示圓筒 q 及原料標靶。此外，圖4係鞋 不成為圖3之竣鐘梦 口4係顯 概略之# 極之平行平板之形狀和配置之 概略之部分立體圖。 1之 乡 3和圖4，作為本實施形態發 裝置之濺鍍裝i 1〇ης在目士 赞尤裝置之製造 平行平板22 ▲係具有磁控管電極9e(釋出部）、 ^ 2、南頻電源23、燈加熱器21、 虱體鋼瓶25和質！泣θC氧）鬲壓 不買里流ΐ计1 6。磁控管電極 標心之樑乾面，對向於圓……6係構成原料 標靶8t。連接^ 、 R S 1之内面而能夠載置原料 阿頻電源2 3而可以在磁控管雷 2 在&電極^和㈣ 25係透過質量、a &。㊄頻電力。Ar高壓氣體鋼瓶 里机ΐ计16而連接直空容哭 構11係構成 ' 。。直線驅動機

2075-10336-PF 成：以使得磁控管電極9e，在圓筒營^之長： 201002134 方向LD ’位移於圓筒 ^ ^ 1 . ® 1之中了以藉由該位移而使得圓 同官i和配罾於圓钱w 、3 g i中之磁控管電極9e，呈相對地位 移於圓筒管1之具培+ & 、又向⑶。也就是說，磁控管電極9e 二二係進行相對運動。燈加熱器21係構成可以藉由 、口^ Ή之外面部分而加熱圓筒管1。此外，就前述 以之構造而言，幾乎才目同於成膜裝置100V之構造，因 此，就相同之要+而+ t — ’、5，附加相同之符號，省略其說明。 接者’就藉由濺鍍法所造成之透明陽極層12b之形成 方法而進行說明。參考圖3，準備由 乾8t和圓筒管卜接 ’沮之原料標 標乾…此外，圓^^ ，安裝原料 裝置ms。兹/由固定治具2而安裝於濺鐘 \ 真空幫浦6而以真空來吸引真空容器5之 〇F並且，由Ar高壓氣體鋼瓶25開始，透過質量流量 計:6’在真空容器5’以2〇sccin/分鐘來供應紅氣體， 而4=空容器5内之壓力，保持於〇〇〇〇iatm。藉由燈 =:使得圓筒管i之溫度，保持於_。藉由驅 :轉馬達4a而使得圓筒管1以長度方向LD作為中心， 自轉。藉由該圓筒管1進行自轉之運動而由磁控管 來觀看圓筒管i，以圓筒管1之長度方向Π)作為 :進仃自轉之運動。自轉速度係例如3〇r，此外， !=直線驅動機構11而使得磁控管電…著圓筒 E 度方向ld，進行位移，來往復於圓筒管丄之中。 係：如2°mm/f少鐘。藉由該位移而使得圓筒管1 和配置於圓筒管1中磁 门& 1中之磁控管電極9e’呈相對地位移於圓

2075-10336-PF 15 201002134 1 B 之長度方向LD。也就是說，磁控管電極9e和圓筒 狄 系進行相對運動。猎由高頻電源.2 3而在磁控管電極 9e和平行平板22之間’施加頻率13. 56MHz、輸出l〇〇w之 同頻電力。以藉此而產生之Ar電漿，來濺鍍原料標靶8t。 、’Ό果配置於圓筒管1内部之原料標靶81係由磁控管電極 9e之上面開始飛散。藉由飛散之原料標靶gt之至少一部 刀，附著於圓筒管i之内面，而在圓筒管i之内面，進行 透明陽極層12b之形成。 此外，保護層12a係也可以藉由電漿CVD法而形成， 來取代_述真空療鏟法。參考圖5，使用於電漿[Μ法之 電聚CVD裝置！隨係主要具有平行平板22χ、22y、高頻 電源23、氣體原料20、質量流量計16、燈加熱器2ι和氣 體管7卜作為氣體原料20係準備例如聰（〇恤〇

Silicate:原矽酸四乙醋）氣體、氧（I)氣體以及氦（k) 氣體。藉由以質量流量計1 6，夾批 木控制流量，而以TE〇s氣 體0. lsccm/分鐘、氧氣1 〇s / sccm/刀鐘以及氦氣5〇〇cc/ 分鐘之條件，經由氣體管71，導入製程氣體至真空容器5 之内。此外，藉由真空幫浦6而保持真空容器5内之壓力 於O.Olatm。此外，藉由燈加埶哭 且刀口熟為21而保持圓筒管1整體 之溫度於3 0 0 °C。藉由驅動旋鐘& .去 疋轉馬達切而使得圓筒管1以 30rpm來進行自轉運動。藉由會 稽由阿頻電源23而施加頻率 1 3. 5 6 MHz、輸出50W之高頻雷， 、刀至+行平板22x、22y之間。 藉由該高頻電力而在圓筒管〗十士 ^内’產生電樂。藉由以該 電漿，來分解導入至圓筒管丨内 心乳體，而在圓筒管1之 J6

2075-10336-PF 201002134 内面’形成保護層12a。 如果藉由本實施形態的 2 )弋斑如— 則圓间管1、坩堝9v (圖 2)或磁控管電極9e( ® m η ψ 糸進仃相對運動，因此，比起 和释出部之相對位置 更加在圓筒f i 之狀態、，還可以 是，π β 1 q之厚度，來進行成膜。於 光特性之均一性。 面之有機EL元件12之發 此外，藉由坩堝9v (圖2 配置於圓筒管i 一控管電極9e (圖3) 摆山 ’而使得由坩堝9v或磁控管電極〇 釋出之原料之大多比例，不飛散於 切控^極9e 達至圓筒管丨t g 1之外部，來到 件1 2用夕古有政率地使用有機EL元 阿男原料於圓筒管i内面 θ 降低發光裳置之製造成本。 之成膜。於疋，能夠 此外，掛禍9ν (圖2)或磁控 動於圓筒管1之真洽 電極9e (圖3)係移 门B 1之長度方向U)，因此，不論圓符总7 秒 也可以提高長戶太^τη +啷圓同官1之長度， 门负度方向LD之膜厚之均—性。 此外’圓筒管1係以長度方向L 轉’因此，能夠提 作為中心而進行自 U之各層厚度之均—性。6LD周圍之有機a元件 此外掛螞9v係具有上蓋9vL，因此，可 原料8b朝向至圓B 可以使得固體 圓问官1之内面而飛散。 此外，原料择^ 。 钴靶8t之標靶面係對向於 面，因此，可以倭 、圓同官1之内 飛散。 jgl之内面而

2075-1033'6-PF 17 201002134 (實施形態2 ) 在本實施形態’第1〜第4 …n ~ 1 層12c〜12f係藉由氣體輸 达法而形成。在此，所謂氣體輪 v ^ 去係也稱為 0VPD( Organic

Vapor Phase Deposition :有嬙* 丄 製程之成膜方法。 沉幻法，包含以下 藉由加熱有機物所組成 發。昇華或蒸發之有機物係c進行昇華或蒸 不再固化有機物，同時，輪==載體氣體。進行加熱而 膜之區域為止。藉由冷卻成：：：機物之載體氣體至成 載體氣體中之有機物，而進H區域，在該區域，再固化 圖6係概略地顯示作為本發明 置之製造裝置之成膜裝置之構造實=態2之發光裝 除了成膜裝置本體以外，^ D面圖。此外，在圖6， 瓶x外’也圖示圓笛技 EL元件。 圓靖s以及形成中之有機 參考圖6，作為本實施 二膜裝置100G係具有原料供_路發=裳置之製造裳置之 輸送官72、氣化器丨3、 、加熱器Ϊ 〇、氣體 可相 14、晳旦 熱器1 7和高壓氣體 、里^置計1 6、氣體加 1之外邱門私 原料供應通路19伤in I之外邛開始延伸至内部 k路19係由圓筒管 之兩端中，圓筒管！ 。在原料供應通路j 9 為開口部。可以蕤 則之端部（圖中之上端1 < J以籍此而俥π = 丄崦峠）係成 】之外邻Μ从 吨使传原料供應通 攻 1之外邛開始至内部，、ή 峪I 9迠夠由圓筒營 之上端部忐炎 叫動氣體’並且，及粗At由 W成為可以释出力枓供應通路]9 此外，在原料供應通”乳體噴嘴9g(釋出部）。 觀_ 之兩端中，圓筒管]外部侧之端 18 201002134 部（圖中之下端部）係經由氣體輸送管？2而連接於高 體鋼瓶15。高壓氣體鋼瓶15係、氣體輪送法之載體氣體之 供應源。在氣體輸送管72〇途，由高壓氣體鋼瓶^之 側開始，依序地設置質量流量計16、氣體加熱器η 化器13。烤箱14係具有藉著加熱氣化器13而由收納於氣 化器13之固體原料8b來產生蒸發原料18(氣體狀原料； 之功能。加熱器1〇係具有加熱氣體加熱器以氣 U之氣體輸送管72之功能。直線驅動機構…系構成可 以使得氣體喷嘴9g’沿著圓筒管！之長度方向U，位移於 圓同官1之中。可以藉由該位移而使得圓筒管工和配置於 圓筒管i中之氣體喷嘴9g，呈相對地位移於圓筒管i之長 度方向LD。也就是說，氣體噴嘴9g和圓筒管“系進行相 對運動。此外’就前述以外之構造而[幾乎相同於實施 形態1之成膜裝置100V之構造，因此，就相同之要素而言， 附加相同之符號，省略其說明。 1.. 接著，就藉由使用成膜裝置1GQG之氣體輸送法所造成 之第1〜第4層12C〜12f (圖n之形成方法而進行說明。 參考圖6,準備由第！ | 12c之材質所組成之粉末狀固體 原料8b和圓筒管！。接著，在氣化器心，放入固體原 料8b此外，圓同官！係藉由固定治具2而安裝於成膜裝 置100G。！！由真空幫浦6而以真空來吸引真空容器5之内 P並且以質里流罝計1 6，由高壓氣體鋼瓶丨5開始， 在真空容器5’以500sccm/分鐘’來供應&⑷氣體， 而使得真空容器5内，保持於〇.〇〇1_。藉由加熱器1〇

2075-10336-PF 19 201002134 而使侍C體加熱器17和氣體噴嘴9舀間之氣體輸送管72之 溫度’保持於3啊°圓筒管1係藉由冷卻器7而保持在2 C。錯由驅動旋轉馬達4a而使得圓筒管i以長度方向ld 作為中心，來進行自轉。藉由該圓筒^進行自轉之運動 而由氣體喷嘴9g來觀看圓筒管1，以圓筒管1之長度方向 乍為中^ ’來進行自轉之運動。自轉速度係例如3〇rpm。 此二藉由驅動直線驅動機構11而使得氣體喷嘴9g沿著 圓筒s 1之長度方向LD，進行位移，來往復於圓筒管1之 々 移速度係例如2〇_/秒鐘。藉由該位移而使得圓筒 管^配置於圓筒管1中之氣體噴嘴9g，呈相對地位移於 圓筒s 1之長度方向LD。也就是說，氣體噴嘴k和圓筒 管1係進行相對運動。藉由以導通（0N)烤箱14，來加熱 :體原料8b ’而由氣化器13，來產生蒸發原_ 18。該蒸 ^原料18係和載體氣體一起由圓筒管丨之外部開始流動原 料供應通路19至内部’由氣體噴嘴9g開始吹出。藉由吹 出^蒸發原料1 8冷卻於圓筒管i之内面上，而再固化蒸發 原料藉由該再固化而在圓筒管i之内面，進行第1層 12c之形成。 接箸’藉著使得固體原料8b之材質，由第1層12c之 材質開始，依序地替換第2〜第4層l2d〜l2f之材質，進 行成膜’而在第1層12c上，形成第2〜第4層12f。此外， 如果成為設置複數個之氣化器13和烤箱u之對組而使得 各對組藉由閥呈選擇性地連接於氣體噴嘴的話’則可以 藉由閥之開關而進行第ί〜第4層12C〜i2f之連續成膜。

2075-J0336.PP 20 201002134 如果藉由本實施形態的話，則 得到相同於實施額之同樣效果。二用：體輸送法而 ^ 产 此外，可以藉由改變 放入至虱化器13内之固體原料8b 咕Λ地 柯貝而連續地形成由 第1〜弟4層12c〜12f所組成之層積膜。 (實施形態3 ) 圖7係概略地顯示作為本發明 要““ & 月之實施形態3之發光裝 置之1造裝置之成膜裝置之構造之 1刀口Jtfi?圖。圖8係概

略地顯示作為本發明之實施形態 ’、 〈贫尤裝置之製造裝置 之成膜裝置之構造之俯視囷。此外 Γ 在囷7，除了成膜裝 置本體以外，也圖示圓筒管、形成 、、 之有機ELtl件及固體 原料。此外’在圖8，除了成膜桊罟太科 ^ 、裝置本體以外，也圖示圓 筒管。此外，在圖8，為了容易憙目·， 谷约耆見圖’因此’並無圖示 成膜裝置之上面側之構造之—部分。 參考圖7和圖8,作為本實施形態之發光裝置之製造 裝置之成膜裝i丽係包含圓筒t丄以及形成於圓筒管i 内面之有機EL元件L2之發光裳置之製造裝置。成膜裝置 1 00P係主要具有複數個之固定治具2、複數個之坩堝(複 數個之釋出部分）、公轉用台座84 (搬送部）和複數個之 驅動。P么轉用台座84係設置在真空容器5之内而具有圓 板形狀。在該公轉用台座84之某一邊之面中心，透過自公 轉機構28而安裝設置於真空容器5外之公轉馬達让和自 轉馬達4c。可以藉由該公轉馬達让而使得公轉用台座δ4 以通過圓板形狀中心之軸ΑΧ’作為中心，來進行自轉。，此 外，沿著該公轉用台座84之其他邊之面外圍而設置複數個

2075-10336-PF 21 201002134 之固定治具2。可

藉由該構造，藉由、聽用A 進行自轉而使得斿告 ^座以本身 複數個之固定治具2 之圓形形狀中心之用 轉A轉用台座84 之周圍。各個驅動部係1有自榦用播 83和直線驅動機構u ’ 轉用傳達帶 _ n 口疋口具2係可以透過自鏟田〜 f 8 3，藉由承受自轉 傳達 ”、、達4e之驅動力，而進行自 線驅動機構11俦μ w # 订目轉。直 係5又置於複數個掛禍9v之各個。 此外，成膜裝置loop技、著θ 士 UUP係逷具有預備室81、搬送宮 直線搬送器3 〇和2 82、 和閘閥29。預備室81係透過搬迭室 連接於真空容器5。直後 82而 且踝搬运益3D係具有在預備室 真空容器5之間來搬送圓饩其] 81和 、、， 送圓筒官1之功能。閘閥29係可 關搬送室8 2和真空容器5之間。 開 就前述以外之構造而言，幾乎相同於實施形 膜裝置之構造，因此，就相同之要素而言，附之成 之符號’省略其說明。 、σ相同 接著，就使用成膜裝置100Ρ之有機弘元件。之 方法而進行說明。參相7,在複㈣形成 個，收納對應於有機£L元件12之保護層】2a、透之各 層⑽、第卜第4層i2c〜m及陰極 ^極 8b。 g <固體原料 參考圖8,以間閥29關閉之狀態，在預備室 於直線搬送器30,安裝圓筒管！。 參考圖7及圖9’打開間間29，藉由直線搬送 移動圓筒管1至真空容器5之内。接菩 ， 炙内接者，圓筒管1係安步 於固定治具2。接著，直線搬送器3。係回復到原先之位置裝

2075-10336-PF 201002134 關閉閘閥2 9。 藉由相同於使用成膜奘 η嫌古土 、裝置10〇V (圖2)之成膜方法 同樣方法，而進行保護層] ^ 12a之形成。也就是說，在 度方向LD作為中心之時間點 圓同官1之内面，形成 層12a。此外，在成臈中， ’、護 卫，、·、進行以軸Αχ作為中心 轉用台座84之自轉。 Α 在結束保護層12a之形成之時間點，藉由㈣ 線驅動機構11，來移動至圖中 直 中下側（直線驅動機構1丨 側）’而拉出至圓筒管1之休 < 门吕1之外部。藉由閘門27而遮 堝9v開始蒸發之固體原料处。 °蜡由旋轉馬達4a而僅以_ 定之角度，來旋轉以軸你主士 ^ ± 袖AX作為中心之公轉用台座84。葬 此而使得圓筒管卜以軸AX作為中心，僅以— 藉 來進行公轉’到達至收納對應於透明陽… = 料8b之坩堝9v之上方。接荖M , 固體原 歷（圖2)之成膜方法之同樣方法，而在保護層t裝置 上，形成透明陽極層12b。同樣地還藉由形 &之 12c〜12f及陰極層12g而形成有機乩元件& 苐4層 此外，可以藉由在每次以一定之角度來旋 座84之時，由真空容器5開始經由預備室81，取出〗° 之已㈣成有機EL元件12之圓筒管i ’將形成個 件12前之1個之圓筒管i經由預備室，來放入、兀 5,而同時在1個之真空容器5之内，進行對 二二盗 管1之成膜。 娘數個圓筒 此外，構成有機EL元件12之複數層之 夕一層係可

2075-10336-PF 23 201002134 、藉由成為成膜裝置10 0P以外之裝置之成膜裝置1〇〇v、 賤錄裳置100S或成膜袭置100G而形成。 接著，就作為本實施形態之發光裝置之製造裝置之變 例之成膜裝置1 以及使用該成膜裝置1 00C之有機EL 疋件1 2之形成方法而進行說明。圖丨〇〜圖1 5係以製程順 序地顯不使用作為本發明之實施形態3之變化例之發光裝 置之製造襄置之成膜裝置之有機EL元件之形成狀態之概 略俯視圖。此外，在圖1〇〜圖15，為了容易看見圖，因此， 並無圖示成膜裝置之上面侧之構造之一部分。 β考圖10圖15’成膜裝置1〇〇c係具有搬送自動裳 置9卜來取代成膜袭置100P之公轉用台座84 (圖8及圖 9) 可以藉由以該搬接白叙胎苗 ΠΊ μ 运自動裝置91，來依序地移動圓筒 官1至對應於複數個坩（ 無圖不在圖10〜圖15)之位 置，而在真空容器5之内，i車嫱砧> μ 10 ^ ^ 連續地進仃構成有機EL元件 12之複數層之形成。 如果藉由本實施形離的每 取出II从& 1 ^ w ，則可以不由真空容器5來 取出圓同官1，連續地形成複 又妖旧 囚此，可以斂系自 地形成有機EL元件12。 乂政早良好 (實施形態4 ) 圓16係概略地顯示作為本 置之制、生驻罢々+ "月之貫施形態4之發光裝 置之衣以裝置之成膜裝置之構

傅le之剖面圖。此外，太国,P 除了成膜裝置本體以外，也圖_ ’

元件以及液體原料。 形成中之有機EL 參考圖16，本實施形態 之成膜襄置1⑽L·係具有固定

2075-10336-PF 201002134 治具2、供應管34、傾斜機構35、旋轉馬達4a、滑輪32 和中空軸承31。供應管34係構成可以在支持於固定治具2 之圓同官1之某一邊端側，注入液體原料33。傾斜機構35 係透過中空軸承3ί而支持固U具2。傾斜機構％係可 以使得圓筒f ί之長度方向LD相對於重力方向呈傾斜之方 向，並且，傾斜圓筒管Ϊ而使得圓筒管！之某-邊端側（注 入液體原料33之側）位處於比起其他邊端側之更加上方，。 旋轉馬達4a係可以透過中^轴承31而旋轉及驅動固定户 具2。可以藉此而使得支持於固定治具2之圓筒管^以: 度方向LD作為中心，來進行自轉。 食 實施形態之發光裝置所具有之有機 瓜之見成方法而進行說明。首先，冑 說明之方法而使得保護層12a 、、1所 心形成於圓筒管1之内面上，層12b和第1層 刘八#面 來作為有機EL元件12丨夕 一 #刀。該圓筒管i係安裝於成膜裝置 牛12L之 藉由傾斜機構35而使得圓筒# έ疋治具2。 力方向呈傾斜之方向。藉由驅 :度方向LD相對於重 1，以長度方向LD作為中心，來’’、、達乜而使得圓筒管 件瓜之發光層之原料 仃自轉。準備有機EL元 所％,奋媒所製 液體原料33係由供應管34開始、、 之液體原料33。 之端部。結果，藉由塗佈法“ S ^圓筒管1之上方側 由液體原料33所組成之層。此外门、B 1之内面上，形成 之剩餘部分係由圓筒管丨之复 主入之液體原料33中 始落下至圓筒管i之外部 、端側（圖中之下側）開

2075-10336-PF 考，藉著加熱圓筒管1而由 25 201002134 以前述塗佈法所开；赤 (00 ^ /取心層，來蒸發溶媒。藉此 體原料33中之發光 ⑽僅殘留液 實施形態1所說明之方 者藉由在 法而在發光層上，形成第4屉1〇 和陰極層12 g。_此而拟 θ 12 f ^ ^蜡此而形成有機EL元件12L。 接著’就前述液體原料 ί 1·叶Μ之具體例而進行 成發光於綠色之發光声之壯能τ 在形 尤層之狀態下，液體原料33係例如成兔 下列之化學式（5)所表示之高 成為 刀于糸有機材料之聚芴以月 成為下列之化學式（6 )所表示之低分子李 刀丁糸有機材料之銀錯 化物之Ir ( ppy ) 3之水溶液。可以获Λ丨、，祕 ·曰 以蜡由U使用該液體原 33之成膜裝置100L所造成之成膜而张士、

乂联而形成在聚芴摻雜U (ppy ) 3之發光層。 [化學5]

(5) ⑹ 2075-10336-PF 26 201002134 此外’藉由成膜裝置观而成模之層係並非限定於有 機EL兀件叫_之發光層。例如可以藉由使用成為下列一 學式⑺所表示之高分子系有機材料之剛◦了之水漆浪， 層 [化學7 ] 來作為液體㈣33’而形成有機乩元件⑵之電洞注入 層。

⑺ -叮疋加入用以分散高分子车 材料於水中之安定化劑。 *、 j作為女疋化劑係可以使用例如τ 列之化學式（8)所表干之忠如下 衣不之女疋化劑（PSS)。 [化學8]

圖Π係概略地顯示 ^ ^ 乍為本發明之實施形態4之變 之發光裝置之製造裝罟+上 雙化和 AL , 成膜裝置之構造之剖运阓 外，在圖17,除了成膜梦 _。赶 、、置本體以外，也圖示圓筒故 & 、取

2〇75-l〇336^PF 201002134 成中之有機EL元件及液體原料。參考圖1 7，在本變化例， 圓筒管1係安裝於裝置而使得圓筒管i之長度方向ld和圓 筒官1之旋轉中心RC形成〇度以上之角度TH。在成為角 度TH大於〇。之角度之狀態下，以圓筒管】呈偏心之狀態， 來進行旋轉。#此而在圓筒管！之内部，賦予液體原料Μ 朝向圓筒管1之外側來移動之力。 不将 、又 U V 〇 W隹注入液體 原料Μ之際，使得圓筒管U長度方向LD作為中心而進 =自轉，因此，比起固定圓筒管丄之狀態，還能夠 官1之内面，以均勻之厚度，更加地進行成膜。 二 以提高形成在圓筒管i内面之 可 之均一性。 干1扎之發光特性 卜，可以藉由使用包含高 料33而在圓筒管& 啊刊竹您液體原 在圓1之内面，形成由高分子系有 成之層，來作為有機Ρΐ _从19Τ 有機材枓所钽 々令機EL几件12L之一部分。此外，▲ 系有機材料係藉由分早θ 1二s 士 兩分子 由刀子夏大而具有不容易蒸發之性t 此’不容易適用疋畚―， 既為，因 本身之成膜方法。 义須系發原料 Ά形態1〜4，作為管係使用圓筒管j、 +於吕長度方向之剖面形狀成為圓形之敦也破 發明係並非限定^^ a g，但是，才 曰 Η艮疋於此。垂直於管長度方向之 本 以疋例如橢圓形或多角形。 π面形狀係可 應該w為此次揭示之實施形態係 而受到限制。太双 非例年於全部方 本1明之範圍係並非前述說 面

2075-1 〇3 36-PF 藉由申請專 28 201002134 利範圍而表示，表 在申请專利範圍内 【產業上之可利用 不包含均等於申請專利範圍 之全部變更。 性】 之意義以及 本發明係可以特別有 有機EL·元件的發光裝置 裝置。 利地適用於包含形成於管内面之 之製造方法及使用該方法之製造

【圖式簡單說明】 圖1係概略地顯示本發明《實施形態 構造之剖面圖。 1之發光裝置之 圖2係概略地顯不作為本發明之實施形態1之 置之製造裝置之真空蒸鍍裝置之構造之剖面圖。 圖3係概略地顯示作為本發明之實施形態丄之發光裝 置之製造裝置之濺鍍襞置之構造之剖面圖。 £' '： 圖4係顯示成為圖3 形狀和配置之概略之部分 圖5係概略地顯示藉 程之剖面圖。 之濺鍍裝置之電極之平行平板之 立體圖。 由電漿CVD法而形成保護膜之製 圖6係概略地顯示作為本發明之實施形離 置之製造裝置之成膜裝置之構造之剖面圖。 圖7係概略地顯示作為本發明之實施形態 置之製造裝置之成膜裳置之構造之部分剖面圖 單8係概略地顯示作為本發明之實施形態 置之製造裝置之成膜裝置之構造之俯視圖。“ 2之發光裝 3之發光裝 3之發光裝

2075-10336-PF 29 201002134 圖9係概略地顯示作基士 、丁作為本發明之實施形態3 置之製造裝置之成膜裝置來搬送圓筒管之狀態，視_ ^ 發光讀用料本發明之實施耗3之變化例之 發先裝置之製造裝置之成膜裝 笙·)制# ^ 衣1之有機EL 7L件之形成之 第1製％之概略俯視圖。 圖11係顯示使用作為本發明之實施形態3之變化例之 發光裝置之製造裝晉# π 表I裝置之成膜裝置之有機乩元件之形成之 第2製程之概略俯視圖。 圖12係顯示使用作良士 2SL nn 作為本發明之實施形態3之變化例之 發光裝置之製造裝詈之点'胺# β ^ 罝之成膜裝置之有機EL元件之形成之 第3製程之概略俯視圖。 圖13係顯示使用作盔士 邗為本發明之實施形態3之變化例之 發光裝置之製造裝置之成膜穸 „ / 叹联衷置之有機EL兀件之形成之 第4製程之概略俯視圖。 圖14係顯不使用作為本發明之實施形態3之變化例之 發光裝置之製造裝置之成膜裝置之有錢元件之形成之 第5製程之概略俯視圖。 圖15係顯示使用作為本發明之實施形態3之變化例之 發光裝置之製造裝置之成膜裝置之有紐元件之形成之 第6製程之概略俯視圖。 圖1 6係概略地顯不作為本發明之實施形態&之發光裝 置之製造裝置之成膜裝置之構造之剖面圖。 圖17係概略地顯示作為本發明之實施形態4之變化例 之發光裝置之製造裝置之成膜裝置之構造之剖面圖。，

2075-10336-PF 30 201002134 【主要元件符號說明】 AX 〜轴； F〜虛線部； GP 〜間隙； LD 〜長度方向； RC〜旋轉中心； SP 〜短路防止用空 TH 〜角度； 1〜 圓筒管； 2〜 固定治具； 3〜旋轉導入器； 4a 〜旋轉馬達； 4b 〜公轉馬達； 4c' 〜自轉馬達； 5〜 真空容器； 6〜 真空幫浦； 8b' 〜固體原料； 8t' 〜原料標靶； 9e 〜磁控管電極； 9g〜氣體喷嘴； 9 v' 〜掛禍； 9vL〜上蓋； 1 〇〜加熱-; 11〜直線驅動機構； 31

2075-10336-PF 201002134 12〜 元件； 12a- -保護層； 12b〜透明陽極層； 12c〜12f : 第 1〜第4 12g〜陰極層； 12L- -元件； 1 3〜 氣化器 > 1 4〜 烤箱； 15〜 1¾壓氣 體 鋼瓶； 1 6〜 質量流 量 計； 17〜 氣體加 孰 32. · ， 18〜 蒸發原 料 > 19〜 原料供 應 通路； 20〜 氣體原 料 > 21〜 燈加熱 器 22〜 平行平 板 > 22x、 * 22y〜 平行平板； 23〜 高頻電 源 25〜 高壓氣 體 鋼瓶； 27〜 閘門； 28〜 自公轉 機 構； 29〜 閘閥； 30〜 直線搬送 3Ε · σσ * 31〜 中空軸 承 ， 2075-10336-PF 32 201002134 3 2〜滑輪； 3 3〜液體原料； 3 4〜供應管； 35〜傾斜機構； 71〜氣體管； . 72〜氣體輸送管； 81〜預備室； 82〜搬送室； 83〜自轉用傳達帶； 84〜公轉用台座； 91〜搬送自動裝置； 100C、100G、100L、100P、100R、100V 〜成膜裝置； 100S〜濺鍍裝置； 11 0〜密封構件； 11 2 a〜電極； 11 2b〜電極； 11 3 a〜配線； 11 3 b〜配線； 11 5〜惰性氣體。 2075-10336-PF 33

Claims (1)

1. 201002134 七、申5月專利範圍： 1 · 一種發光裝置 且<衣造方法，前述發并举 和形成於前述管裝置Ls管（J) )内面之有機EL元件（12)， 其4寸徵在於包括. 準備前述管（1 ) ^ J之製程；以及 猎由搖動前述釋屮 释出w(9v)及前述管（ -個’同時’進行前述釋出 至〉、任何 有機EL元件（1H 使付刚述官（1)和進行前述 釋出部(9小來上之原料對於前述管⑴内面之釋出之 形成前述有機EL元件（12)之製程。“”之内面’ 中A十申明專利範圍第1項之發光裝置之製造方法，立 中，前述相對運叙尨A 衣I乃去，其 中m 係包含前述管⑴和配置於前述管⑴ 方向之運動。 ）王相對地位移於前述管⑴之長度 申t專利範圍帛1項之發光裝置之製造方法，其 二义相對運動係包含前述管⑴以前述管⑴之長 又°作為中心而進行自轉之運動。 、 中，t二申請專利範圍帛1項之發光裝置之製造方法，其 、才：其糸耜者由前述釋出部（9v)來飛散配置於前 、S 内部之前述原料而進行。 φ 如申請專利範圍第1項之發光裝置之製造方法’ I 中’错著使用i A 4 管（1) 剛返官（1)之外部開始延伸至内部且前述 通路（二内部二之端：（9 a)成為前述釋出部的原料供應 月IJ述官（丨）之外部開始’流動氣體狀之前 2075-10336-PF 34 201002134 述原料(is)至内部 义 β ^ 而進仃前述釋出。 .申晴專利範圍第1項之恭本继 中，前述釋出係藉著注入、先裝置之製造方法，其 持前述管⑴之Mm/”' ^ 之液體（33)至支 述管（1)之吾声古A 、重力方向主傾斜並且以前 之内部而進行、。向作為中心來進行自轉之前述管U) •種發光裝置之製造护番 和形成於前述管⑴^^置1述發光裝置包含管⑴ 其特J⑴内面之有機EL元件⑴）， 井将徵在於包括： 用以釋出前述有機EL元件（12) 之内面之釋出部（9v);以及 “至别述目、⑴ 述釋::二:述::部(9v)釋出前述原料之際而使得前 8. 如！述管⑴進行相對運動之驅動部。 中，前述/ 圍第7項之發光裝置之製造裝置，並 “目對運動係包含前述管（〗） '、 t之前述釋出邱… 和配置於前述管⑴ 方向之運動）呈相對地位移於前述管⑴之長度 9. 如申請專利範圍第7項之發光裝 t，前述相對谨叙 I化裝置，其 、運動係包含前述管（1)以前述管（ 度方向作為中心而進行自轉之運動。 之長 10·如申請專利範圍第7項之發光裝置之 中’前述释屮都ro、 裏k裝置，其 擇出邛（9V)係具有複數個之釋出部 收納前述複數個之釋出部分之容器，(5) ; Ί 容益（5) Μ依序地移動前述管⑴ 應於則述複數 2075-10336-PF 35 201002134 個之各個釋出 部分之位置之搬送部 2075-10336-PF 36