JP2006124739A - プラズマcvd法成膜装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】マイクロ波の導入口に近い位置での強いプラズマと、マイクロ波導入口から遠い位置での弱いプラズマとによる被処理物に対する成膜処理の不均一を解消する。
【解決手段】円筒型空洞共振器1内のほぼ中心に被処理物3を装填する円筒型真空チャンバー2と、該円筒型空洞共振器1の側壁部に前記チャンバー2の外側から該チャンバー2内に装填された被処理物3に対してマイクロ波エネルギーwを導入してプラズマを発生させるマイクロ波導波管7及びマイクロ波導入口8と、該チャンバー2内に装填された被処理物3の内面又は/及び外面とに成膜用原料ガスgを導入する原料ガス導入管6を備え、該真空チャンバー2内にて前記被処理物3を該真空チャンバー2の筒中心線を回転軸として回転運動させる回転手段4を備える。
【選択図】図1
【解決手段】円筒型空洞共振器1内のほぼ中心に被処理物3を装填する円筒型真空チャンバー2と、該円筒型空洞共振器1の側壁部に前記チャンバー2の外側から該チャンバー2内に装填された被処理物3に対してマイクロ波エネルギーwを導入してプラズマを発生させるマイクロ波導波管7及びマイクロ波導入口8と、該チャンバー2内に装填された被処理物3の内面又は/及び外面とに成膜用原料ガスgを導入する原料ガス導入管6を備え、該真空チャンバー2内にて前記被処理物3を該真空チャンバー2の筒中心線を回転軸として回転運動させる回転手段4を備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、ペットボトルなどのプラスチック製の中空容器の表面や内面に、被膜を成膜するためのプラズマCVD法成膜装置に関する。
ペットボトルなどのプラスチック製の3次元中空容器は、その成形の容易性や軽量性、さらには低コストである点等の種々の特性から様々な分野において広く使用されている。しかしながら、プラスチック製容器は、酸素や二酸化炭素、水蒸気のような低分子ガスを透過する性質を有しており、それが問題となっていることも多々ある。
そうした問題を解決する手段として、プラスチック製容器の内面又は/及び外面に、炭素や酸化ケイ素のガスバリア性の薄膜を成膜し、容器のガスバリア性を向上させる技術がある。プラスチック容器の成膜方法としてはプラズマCVD法や真空蒸着法、スパッタ法が実用化されている。
プラズマCVD法を用いた成膜方法としては、例えば特許文献1(特開平8−53117号公報)に示されているように、容器の外形とほぼ相似形の中空状の外部電極と容器とほぼ相似形の内部電極の間に容器を設置し、外部電極に高周波電力を印加して容量結合型のプラズマを発生させ、容器内面にガスバリア性を有する薄膜を成膜する方法がある。
プラズマCVD法の特徴としては、高いガスバリア性をもつ薄膜が成膜可能であり、未処理容器の10〜20倍程度のガスバリア性が得られている。また、高速に良質の薄膜を成膜する方法としてマイクロ波プラズマを用いたCVDが利用されている。
マイクロ波プラズマを用いて被処理物に対して成膜を行うプラズマCVD法による成膜装置としては、例えば、特許文献2(特表2001−518685号公報)に示された装置や、特許文献3(特表2002−543292号公報)に示された装置があり、これらの成膜装置は、円筒型空洞共振器を備え、その共振器の直径及び長さにより共振モードが規定され、それぞれ成膜に適した共振モードが得られるような工夫がなされている。
図2は、マイクロ波プラズマを用いた従来のプラズマCVD法による成膜装置の構造の概要を示す全体側断面図であり、円筒型空洞共振器1を有し、該円筒型空洞共振器1内のほぼ中心Oに、被処理物3を装填する円筒型真空チャンバー2と、該円筒型空洞共振器1の側壁部に前記チャンバー2の外側から該チャンバー2内に装填された被処理物3に対してマイクロ波エネルギーwを導入してプラズマを発生させるマイクロ波導波管7及びマイクロ波導入口8と、該チャンバー2内に装填された被処理物3の内面又は/及び外面とに成膜用原料ガスgを導入する原料ガス導入管6とを備えている。
図2に示すように、円筒型空洞共振器1の真空チャンバー2内に被処理物3として中空のプラスチック容器(ペットボトル)を装填した後、チャンバー2内のエアーaを真空排気口5より排気して、該チャンバー2内を真空状態にした後、前記マイクロ波導入口7よりマイクロ波エネルギーwを導入してプラズマを発生させてプラズマ処理しながら、前記原料ガス導入管6より成膜用原料ガスgを導入して、該チャンバー2内に装填された前記容器3の内面又は/及び外面とに対して原料ガスgの成膜を行うものである。
プラズマCVDにより成膜処理を行う場合は、処理の均一性を得るために、被処理物3の全体に亘り、均一な電界が得られることが望ましい。例えば、円筒型空洞共振器1の円
筒型空洞の大きさを直径100mm、長さ(高さ)345. 5mmとすることにより、円筒型空洞共振器1の中心軸上で比較的均一な電界が得られるTM01モードを発生させることができる。
筒型空洞の大きさを直径100mm、長さ(高さ)345. 5mmとすることにより、円筒型空洞共振器1の中心軸上で比較的均一な電界が得られるTM01モードを発生させることができる。
以下に、公知の特許文献を記載する。
特開平8−53117号公報
特表2001−518685号公報
特表2002−543292号公報
マイクロ波プラズマCVDにより実際に成膜を行う場合は、当然ながら円筒型空洞共振器内部にプラズマを発生させることになる。プラズマはマイクロ波に対して吸収体として働くため、プラズマが発生しているときと、発生していないときで空洞共振器内の電界分布は大きく変化してしまう。よって、空洞共振器単体で均一な電界が得られたとしても、実際に成膜したときに均一な処理を行うことは困難になる。
具体的には円筒型空洞共振器内部でもマイクロ波の導入口に近い位置では強いプラズマが得られるが、反対側においてはマイクロ波導入口に近い位置でマイクロ波が吸収され、反対側まで到達するマイクロ波は少なくなっているためプラズマが弱くなる。これにより成膜処理が不均一になり、膜厚や膜質のばらつきが発生してしまう。また、耐熱性の高くないペットボトルなどに成膜を行う場合、マイクロ波導入口に近い位置で局所的にペットボトルの変形が発生し問題となる。本発明は上記問題を解消することにある。
本発明は係る課題を解決するものであり、本発明の請求項1に係る発明は、円筒型空洞共振器1を有し、該円筒型空洞共振器1内のほぼ中心に被処理物3を装填する円筒型真空チャンバー2と、該円筒型空洞共振器1の側壁部に前記チャンバー2の外側から該チャンバー2内に装填された被処理物3に対してマイクロ波エネルギーwを導入してプラズマを発生させるマイクロ波導波管7及びマイクロ波導入口8と、該チャンバー2内に装填された被処理物3の内面又は/及び外面とに成膜用原料ガスgを導入する原料ガス導入管6とを備え、前記マイクロ波導入口7よりマイクロ波エネルギーwを導入してプラズマを発生させてプラズマ処理しながら前記原料ガス導入管6より成膜用原料ガスgを導入して、該チャンバー2内に装填された前記被処理物3の内面又は/及び外面とに対して原料ガスgの成膜を行う成膜装置であって、該真空チャンバー2内にて前記被処理物3を該真空チャンバー2の筒中心線を回転軸として回転運動させる回転手段4を備えることを特徴とするプラズマCVD法成膜装置である。
本発明の請求項2に係る発明は、上記請求項1に係る成膜装置において、前記被処理物3が、プラスチック製の中空容器であることを特徴とするプラズマCVD法成膜装置である。
本発明のプラズマCVD法成膜装置は、真空チャンバー内に装填される被処理物を回転させる回転手段を設けたので、円筒型空洞共振器内部の真空チャンバー内におけるマイクロ波の導入口に近い位置でのマイクロ波による強いプラズマと、その強いプラズマに吸収されて通過したマイクロ波の導入口と反対側の遠い位置における弱いプラズマとによるプラズマ発生量の相違による電界分布の不均一が空洞共振器内で発生しても、プラズマ成膜処理中に継続回転する被処理物に対しては、膜厚や膜質のばらつきの発生を抑制でき、従来よりも均一な成膜処理を行うことが可能になり、また、被処理物として耐熱性の高くな
いペットボトルなどに成膜を行う場合には、マイクロ波導入口に近い位置における局所的なペットボトルの変形が発生せず、良好な成膜処理が可能となる。
いペットボトルなどに成膜を行う場合には、マイクロ波導入口に近い位置における局所的なペットボトルの変形が発生せず、良好な成膜処理が可能となる。
図1は、本発明のプラズマCVD法成膜装置を、図1の概要側断面図に示す実施の形態に沿って以下に詳細に説明する。
本発明装置は、図1に示すように、円筒型の空洞共振器1を有しており、該円筒型空洞共振器1内のほぼ中心には、中空のプラスチック容器等の被処理物3を装填可能な、例えば石英製の円筒型真空チャンバー2を備え、また、該チャンバー2には、例えば、その上部に、該チャンバー2内のエアーaを排気して該チャンバー2内を所定の真空圧の真空状態にするための真空排気管5を備えている。
そして、該円筒型空洞共振器1の側壁部には、前記真空チャンバー2の外側から該チャンバー2内に装填された被処理物3に対してマイクロ波エネルギーwを導入して、プラズマを発生(プラズマ放電)させるマイクロ波導波管7及びマイクロ波導入口8を備えていて、図示しないマイクロ波電源及びマイクロ波導波管7からマイクロ波導入口8を通して円筒型空洞共振器1内部のチャンバー2内に装填された被処理物3に対してマイクロ波エネルギーwを導入する。
前記真空チャンバー2には、該真空チャンバー2内に装填された被処理物3の内面、又は/及び、外面とに成膜用原料ガスg(例えば成膜すべき物質と同じガス、又は成膜すべき物質を成分として含むガス、あるいは必要に応じて酸素ガスなど)を導入する原料ガス導入管6を備え、前記マイクロ波エネルギーwの導入によりプラズマを発生(プラズマ放電)させながら、該被処理物3の内面又は/及び外面とに対して前記原料ガスgを導入して、プラズマCVD蒸着法(plasma chemical vapor deposition)により、所定の温度(被処理物3の耐熱温度以下、例えば20〜30℃、30〜50℃、50℃〜100℃以下)にて、前記原料ガスgに対応した成分の成膜を該被処理物3の内面又は/及び外面に対して行うものであり、例えば、前記原料ガスg成分を酸化反応させて得られる生成物(酸化物等)の成膜を行う。
例えば、前記成膜用原料ガスgとしては無機化合物をガス化したものとしてシランガス(水素化ケイ素ガス、例えばSiH4 (モノシラン))、及び酸素ガスO2 等があり、該被処理物3の内面又は/及び外面とに対して、前記原料ガスg(SiH4 )の無機物成分(Si)の酸化物(SiO2 )の成膜を行う。
そして、該真空チャンバー2には、該真空チャンバー2内にて前記被処理物3を該真空チャンバー2の筒中心線を回転軸として回転運動させる回転手段4を備えており、少なくとも上記成膜中には、該被処理物3を該真空チャンバー2中にて回転を継続させながら、該被処理物3の内面又は/及び外面とに対して前記原料ガスgの成膜を行う。
本発明の上記プラズマCVD法成膜装置は、その円筒型空洞共振器1の円筒直径及び円筒長さ(高さ)により共振モードが規定されて、それぞれ成膜に適した共振モードが得られるようになっている。
本発明の上記プラズマCVD法成膜装置は、円筒型空洞共振器1の真空チャンバー2内に、被処理物3として、例えば中空のプラスチック容器(ペットボトル)を装填し、回転手段4の被処理物装着部(チャック)により、プラスチック容器の上部の注出口部や容器の胴部等を挟持して取り付け固定する。
続いて、密閉状態の該真空チャンバー2内のエアーaを、真空排気口5より真空ポンプ(図示せず)により排気して、該チャンバー2内を、所定の真空圧の真空状態にする。
続いて、該真空チャンバー2内にて、回転手段4により装着された前記被処理物3を、該回転手段4の回転軸O2 の回転駆動により、該真空チャンバー2の円筒中心線O1 を回転軸として回転運動させる。
続いて、前記マイクロ波導入口7より、マイクロ波エネルギーwを導入してプラズマを発生させてプラズマ処理しながら、前記原料ガス導入管6より成膜用原料ガスgを導入して、真空状態にある該真空チャンバー2内に装填されて、継続回転している前記被処理物3(例えば、中空のプラスチック容器)の内面又は/及び外面とに対して、原料ガスgによる酸化ケイ素膜や炭素膜などのガスバリア性の被膜の成膜を行うものである。
上記真空チャンバー2内にて被処理物3を回転させる回転手段4及び被処理物3を装着固定する被処理物装着部の機構、構造としては、本発明においては特に限定されるものではないが、例えば一例として、図1に示すように、真空チャンバー2の上部外壁部21の内面に設けた回転軸受部22と、該回転軸受部22に回転可能に垂直に軸支した円筒体部41と、該円筒体部41の外周面に沿ってリング状に設けた伝動ギア42と、該伝動ギア42を回転駆動させる駆動ギア43と、該駆動ギア43を駆動回転させる駆動モーター44と、該円筒体部41の下部に設けた被処理部3を装着固定する装着部45とから構成されている。
上記回転手段4の円筒体41内の回転軸中心O1 には、図1に示すように、成膜用原料ガスgを被処理物の内面、又は/及び外面に導入するためのガス導入管6が配置されていて、該ガス導入管6は、円筒体41下部の装着部45に装着固定される被処理物3内に挿入されるように、真空チャンバー2の天部外壁部23に密閉シール部23aを介して配置されている。
本発明の上記プラズマCVD法成膜装置は、例えば、被処理物3が中空容器のような場合には、その被処理物3の内面のみ又は外面のみ、あるいは内面と外面とに、成膜用原料ガスgを導入することにより、被処理物3の内面又は/及び外面に成膜することが可能である。
例えば、原料ガス導入管6を、被処理物3(例えば容器)の内面に挿入し、該導入管6の挿入された被処理物3の挿入部分を外面に対して遮断密閉して、被処理物3の内面にのみ原料ガスgを導入することにより、被処理物3の内面のみに対して成膜することができる。
また、例えば、原料ガス導入管6を、被処理物3(例えば容器)の外面に導入し、該被処理物3の内面を外面に対して遮断密閉(例えば容器の注出口部や開口部を施蓋密閉)して、被処理物3の外面にのみ原料ガスgを導入することにより、被処理物3の外面のみに対して成膜することができる。
また、例えば、原料ガス導入管6を、被処理物3(例えば容器)の外面と内面とに導入し、該被処理物3の内面と外面とを連通(例えば容器の注出口部や開口部を開放)して、被処理物3の外面と内面とに原料ガスgを導入することにより、被処理物3の内面と外面とに対して成膜することができる。
以下に、本発明のプラズマCVD法成膜装置による成膜の具体的実施例を説明する。
まず、被処理物3として容量500mlの中空のペットボトル3を、本発明のプラズマCVD法成膜装置の真空チャンバー2内に設置し、ボトル3内に、その上部の開口する注出口部から原料ガス導入管6を挿入し、該原料ガス導入管6を挿入した該ボトル3の注出口部の挿入部分を密閉して、被処理物3の内面にのみ原料ガスgを導入できるようにするとともに、回転手段4の装着部45により該ボトル3を、その上部の注出口部を挟持して装着固定し、該真空チャンバー2を密閉した後、該真空チャンバー2内が0. 1Paに到達するまで真空排気を行った。
続いて、ガス導入管6によりボトル3内部に、酸化ケイ素膜の原料ガスgであるヘキサメチルジシロキサン2sccm及び酸素ガス50sccmを供給した。この時、真空チャンバー2内の圧力は5. 5Paであった。
次に、1秒間当たり1回転の速さで、回転手段4を駆動回転させてボトル3を回転させた状態で、400Wのマイクロ波電力を印加し、ボトル3の内部にプラズマを発生させ、5秒間の成膜処理を行い、ボトル3の内面のみに、酸化けい素のガスバリア性薄膜を成膜して、実施例による成膜処理したペットボトルを得た。
成膜処理を行っていない未成膜処理のペットボトルの酸素透過量は0. 250fmol/(pkg・秒・Pa)であるのに対し、成膜処理を行った上記実施例によるペットボトル3の酸素透過量は0. 020fmol/(pkg・秒・Pa)であり、未成膜処理ペットボトルの約10倍の酸素バリア性が得られた。
1…円筒型空洞共振器
2…真空チャンバー
3…被処理物(例えばペットボトル)
4…被処理物装着部
5…真空排気管
6…ガス導入管
7…マイクロ波導波管
8…マイクロ波導入口
a…エアー
g…原料ガス
w…マイクロ波
2…真空チャンバー
3…被処理物(例えばペットボトル)
4…被処理物装着部
5…真空排気管
6…ガス導入管
7…マイクロ波導波管
8…マイクロ波導入口
a…エアー
g…原料ガス
w…マイクロ波
Claims (2)
- 円筒型空洞共振器1を有し、該円筒型空洞共振器1内のほぼ中心に被処理物3を装填する円筒型真空チャンバー2と、該円筒型空洞共振器1の側壁部に前記チャンバー2の外側から該チャンバー2内に装填された被処理物3に対してマイクロ波エネルギーwを導入してプラズマを発生させるマイクロ波導波管7及びマイクロ波導入口8と、該チャンバー2内に装填された被処理物3の内面又は/及び外面とに成膜用原料ガスgを導入する原料ガス導入管6とを備え、前記マイクロ波導入口7よりマイクロ波エネルギーwを導入してプラズマを発生させてプラズマ処理しながら前記原料ガス導入管6より成膜用原料ガスgを導入して、該チャンバー2内に装填された前記被処理物3の内面又は/及び外面とに対して原料ガスgの成膜を行う成膜装置であって、該真空チャンバー2内にて前記被処理物3を該真空チャンバー2の筒中心線を回転軸として回転運動させる回転手段4を備えることを特徴とするプラズマCVD法成膜装置。
- 前記被処理物3がプラスチック製の中空容器であることを特徴とする請求項1記載のプラズマCVD法成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004311955A JP2006124739A (ja) | 2004-10-27 | 2004-10-27 | プラズマcvd法成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004311955A JP2006124739A (ja) | 2004-10-27 | 2004-10-27 | プラズマcvd法成膜装置 |
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Family Applications (1)
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JP (1) | JP2006124739A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009206008A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Fujitec International Inc | 発光装置の製造方法およびそれに用いる製造装置 |
JP2012172208A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | All-Tech Inc | プラスチックボトル内面の処理方法及びプラスチックボトル内面の処理装置 |
CN110331385A (zh) * | 2019-07-01 | 2019-10-15 | 大连理工大学 | 一种用于细管内壁镀膜的低温化学气相沉积装置 |
-
2004
- 2004-10-27 JP JP2004311955A patent/JP2006124739A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009206008A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-10 | Fujitec International Inc | 発光装置の製造方法およびそれに用いる製造装置 |
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