TW201001715A - Thin film transistor and method of fabricating the same - Google Patents
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201001715 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 [0001] 本發明係關於一種薄膜電晶體及其製造方法，及更特 定言之，係關於一種薄膜電晶體，其中薄膜電晶體的半 導體層係使用由高溫熱結晶的多晶矽層所形成，此高溫 熱由施加電場於閘極電極材料所引起的焦耳加熱所產生 ，閘極電極材料經由包含於薄膜電晶體的接觸孔連接至 非晶形矽層，使得可防止在結晶期間產生的電弧且不需 引入額外遮罩以移除預定區域的閘極絕緣層，及於是可 降低製造成本，及簡化製程，及其製造方法。 【先前技彳标】 [0002] 一般，非晶形矽（a-Si)顯現低電子（其為電荷載體） 移動性，及低孔徑比，及於是不符合CMOS方法。然而， 多晶矽（poly-Si)薄膜裝置使得為輸入影像信號至像素（ 其為不可能基於非晶形矽TFT (a-Si TFT)實行）所必需的 驅動電路裝設於類似像素TFT-陣列的基質。所以，在多 晶矽薄膜裝置，大多數端點至驅動器IC的連接不為必需 的，及於是可增加產率及可靠性，及盤可更薄。而且， 矽LSI的微加工技術可用於多晶矽TFT方法，互連等可具 微結構。所以，不存在顯示於非晶形矽TFT中的TAB-裝設 驅動器ICs的間距限制，及於是此促使像素收縮及複數個 可在小視角實施的像素。比較使用多晶矽做為主動層的 薄膜電晶體與使用非晶形矽做為主動層的薄膜電晶體， 前者顯示較後者為優的切換能力，及使得裝置尺寸小及 成為CMOS因為主動層的通道位置由自動對準決定。基於 此種原因，多晶矽薄膜電晶體係用做一種像素切換裝置 098114397 表單編號A0101 第4頁/共25頁 0983245013-0 201001715 例如主動陣列型式平面直角顯示器（例如，液晶顯示裝置 、有機EL，等），所以其吸引愈來愈多的注意做為一種實 施大尺寸及商業化玻璃覆晶基板（COG )產品（驅動器嵌入 於此）的裝置。 在韓國專利申請案第2004-74493號，本發明者已揭 示一種結晶化非晶形矽層為多晶矽的方法，該方法包含 形成絕緣層於非晶形矽層上，形成傳導層於絕緣層上， 及接著施加電場於傳導層以誘發焦耳加熱，使得高溫熱 產生。結果，非晶形矽薄膜的基質不因高溫熱而受損， / - '.κ..
[0003] 098114397 且優秀結晶化、掺雜劑的活化、熱氧化層加工及晶格缺 陷的修復可在較習知技藝為低的溫度於非常短的時間執 行，及更佳為，在室溫執行。此外，在韓國專利申請案 第2005-621 86號，揭示移除一部分絕緣層以直接連接非 晶形矽層至傳導層以防止因為在非晶形矽層與傳導層之 間的電位差引起的絕緣層斷裂而產生的電弧。 當引入結晶化方法於製造薄膜電晶體時，閘極電極材 料可用做傳導層，及閘極絕緣層可用做絕緣層而不需使 用個別的傳導層。此處，為防止電弧，可部份移除閘極 絕緣層以直接連接閘極電極材料至非晶形矽層。然而， 當意欲移除一部分閘極絕緣層以達到此目的時，除了接 觸孔還需要額外遮罩於該位置。 【發明内容】 本發明係關於一種薄膜電晶體，其中當施加電場於閘 極電極材料以使用由施加電場所產生的焦耳加熱所產生 的1¾溫熱形成薄膜電晶體的結晶化多晶碎層及半導體層 時，閘極電極材料經由包含於薄膜電晶體的接觸孔連接 表單編號A0I01 第5頁/共25頁 0983245013-0 201001715 至非晶形矽層，使得可防止在結晶化期間產生的電弧且 不需額外遮罩以移除預定區域的閘極絕緣層，及於是可 降低製造成本，及簡化製程，及其製造方法。 本發明一個方面提供一種薄膜電晶體，其包含：基質 :設置於基質上及由焦耳加熱多晶矽層所形成的半導體 層；設置於半導體層上及包含露出預定區域的半導體層 的第一接觸孔的閘極絕緣層；設置於閘極絕緣層的閘極 電極；設置於閘極電極的層間絕緣層，及包含露出由第 一接觸孔所露出的預定區域的半導體層的第二接觸孔； 及設置於層間絕緣層上的源極與汲極電極，及其係經由 第一及第二接觸孔電連接至半導體層，其中層間絕緣層 係設置於預定區域的第一接觸孔的側面。 本發明另一方面提供一種薄膜電晶體製造方法，其包 含：提供一種基質；形成非晶形矽層於基質上；圖樣化 非晶形矽層；形成閘極絕緣層於整個基質表面；形成露 出預定區域的非晶形矽層的第一接觸孔於閘極絕緣層； 形成閘極電極材料於第一接觸孔形成處的閘極絕緣層； 施加電場於閘極電極材料以使用焦耳加熱結晶化經圖樣 化非晶形矽層為多晶矽層；圖樣化閘極電極材料以形成 閘極電極；形成層間絕緣層於整個基質表面（閘極電極形 成於其上）；形成露出由第一接觸孔所露出的預定區域的 非晶形矽層的第二接觸孔於層間絕緣層；及形成源極與 汲極電極，其係經由第一及第二接觸孔電連接至半導體 層的源極與没極區域。 【實施方式】 本發明示例具體實施例係參考相關圖式詳細敘述。 098114397 表單編號A0101 第6頁/共25頁 0983245013-0 [0004] 201001715 第1 A至1 Η圖為說明根據本發明第一示例具體實施例的 薄膜電晶體製造方法之截面視圖。 參考第1Α圖，緩衝層101形成於由玻璃或塑膠所形成 的基質100上。緩衝層101係使用化學氣相沉積（CVD)或 物理氣相沉積（PVD)由絕緣層例如氧化矽層或氮化矽層或 其多層所形成。於此，緩衝層1 01用於防止溼氣或不純物 自基質100的擴散或是調整在結晶化時的熱傳速率以促進 非晶形矽層的結晶化。緩衝層101可形成至2000至5000
A 的厚度。 之後，非晶形矽層102形成於基質100(緩衝層101形 成於其上），非晶形矽層102可使用例如低壓化學氣相沉 積（LPCVD)、高壓化學氣相沉積（HPCVD)、電漿加強化學 氣相沉積（PECVD)、濺鍍、真空蒸鍍等形成，及更佳為 PECVD 〇非晶形矽層102可形成至500至2000 Λ 的厚度。 接著，參考第1Β圖，將非晶形矽層102圖樣化為薄膜 電晶體半導體層的形狀。 接著，將閘極絕緣層104形成於經圖樣化非晶形矽層 103。閘極絕緣層104可用做絕緣閘極電極與半導體層， 及用於防止經圖樣化非晶形矽層10 3在藉由焦耳加熱結晶 098114397 表單編號Α0101 第7頁/共25頁 0983245013-0 201001715 化時受閘極電極材料汙染。閘極絕緣層1〇4可由氧化矽層 或氮化矽層形成及可形成至500至2000
A 的厚度。 接著，蚀刻預定區域的閘極絕緣層1 〇 4以露出預定區 域的要形成半導體層的源極與汲極區域之經圖樣化非晶 形矽層103，使得第一接觸孔1〇5形成於閘極絕緣層1〇4 〇 接著，參考第1C圖，將閘烊電極材料106形成於閘極 絕緣層104形成於其上的整個基質1〇〇表面。接著，施加 電場於閘極電極材料丨〇 6以藉由祕加熱結晶化經圖樣化 非晶形矽層103，使得多矽層形成。於是，藉由焦耳加熱 形成為多矽層的半導體層（第1D圖的1〇7)形成。 此處，當經圖樣化非晶形矽層1〇3藉由施加電場於閘 極電極材料106所產生的焦耳加熱結晶化為多矽層且閘極 絕緣層104設置於經圖樣化非晶形矽層1〇3上，多矽層可 於高溫顯現傳導性。在此種情況，多石夕層、閘極電極材 料106及閘極絕緣層104設置於其間形成電容器。此處， 所產生電位差超過閘極絕緣層1 〇 4的擊穿電壓，電流合通 過閘極絕緣層104，使得電弧產生。 然而，在本發明，閘極電極材料1〇6可經由形成於閘 極絕緣層104的第一接觸孔105與多矽層直接接觸以當施 加電場時電連接至彼此，以防止電弧形成。而且，在本 發明，在製造薄膜電晶體時，使用第一接觸孔1〇5電連接 098114397 表單編號A0101 第8頁/共25頁 0983245013-0 201001715 源極與汲極電極至半導體層以防止電弧產生，使得用於 移除預定區域的閘極絕緣層丨〇4以使閘極電極材料1〇6與 經圖樣化非晶形矽層1〇3直接接觸的任何額外遮罩為不需 要的。結果，降低製造成本，及簡化製程。 電％於閘極電極材料1 〇 6的施加係藉由施加使得焦耳 加熱產生足以誘發非晶形矽層！ 〇 3的結晶化之高溫的功率 密度之能量而執行。因為電場的施加係依據各種因素而 疋，其包含閘極電極材料的阻抗、長度、及厚度，及 於是難以特定地決定，然而，電場可在約1〇〇瓦/cm2至 1，〇〇〇’ 000瓦/cm2的範圍内，及更佳為，1〇〇〇瓦/〇〇12_ 1 00, 0 00瓦/cm2。所施加電流可為直赛電或交流電，電 場可連續施加1/10, 〇〇〇, 0 001〗.，及更隹為， 1 /10 0，0 0 0至1 /1 〇秒，此楂電場可以規則或不規則方式 施加數次。 同時，與基質100相較，非晶形矽層1〇3遠遠較薄，及
於是自經短時間加熱的閘極電極材料1〇6的熱傳導使得非 晶形矽層103溫度上升。然而，非晶形矽層1〇3整體而言 具有低能量，及於是不會加熱至厚的基質1〇〇之溫度。據 此雖然產生可執行退火非晶形>5夕層103的高溫，不會造 成其下的基質100的熱變形。 電場可施加於閘極電極材料1 使得產生π 〇〇0c或更 高的溫度，當結晶化在低於11〇〇〇c的高溫執行時，結晶 化不會藉由僅施加電場約1/1，00〇 〇〇〇至1秒的短暫時間 一次而完成，所以，電場的施加可執行數次，及在此種 情況，為防止累積的熱所引起的不均勻性，一旦電場施 加70成，數秒之後再一次施加電場為必須的。於是，結 098114397 表單編號A0101 第9頁/共25頁 0983245013-0 201001715 晶化的總製程時間為數分鐘。 然而，結晶化係在1 1 0 00c或更高的高溫執行，結晶化 可藉由僅施加電場一次完成，及施加電場所需時間為數 百微秒。所以，當結晶化在1100〇C或更高的高溫執行時 ’結晶化的總製程時間顯著減少。而且，當於高溫在短 製程時間施加電％ —次完成結晶化時，可加強結晶性質 如上文所敛述’為痛保閑極電極材料106在li〇〇〇c咬更古 的南溫的穩定性，閘極電極材料1 〇 6可由具有炼點11 〇 〇 〇C 或更高的金屬或合金形成。具有熔點ll〇〇〇c或更高的金 屬或合金包含l9(Mo)、鈦（Ti)::、鉻（Cr銦-鶴（m〇w) 、等。 而且，當在0. 1至300微私的非常短時間施加會產生 1100°C或更高的高溫之電場於閘極電極材料1〇6，在藉由 焦耳加熱的結晶化期間施加張力於非晶形矽層1〇3，結晶 化多晶矽層的拉曼光譜之尖峰在左方向偏移518_52〇cm-i 至515-517cm 。當電場施加於閘極電.極材料丨〇6的時間 少於0. 1微秒時，非晶形珍層1 〇 3不會結晶化為多晶石夕層 ，及當時間超過3 0 0微秒時，在結晶化期間微細裂痕線產 生於石夕層，微細裂痕線使得施加於非晶形石夕層1 〇 3的張力 減少，使得結晶化矽層的拉曼光譜不會偏移在左方向的 炎峰’具有拉曼光譜尖峰在515-517cm-1的多晶石夕層具有 優異阻抗特性。在本發明，因為焦耳加熱所引起的結晶 化而顯不光譜尖峰在51 5-517cm_I的多晶矽層係稱為焦耳 加熱多晶砂層。 閘極電極材料106可使用濺鍍或蒸鍍形成，及可形成 098114397 表單編號A0101 第10頁/共25頁 0983245013-0 201001715 至500至3000
A 的厚度。 在施加電場於閘極電極材料1〇6之前，基質1〇〇可預熱 至適當溫度範圍内’適當溫度範圍表示—種溫度範圍， 在此範圍内基質100不會損害，及可低於基質1〇〇的熱變 形溫度。未特別限制加熱方法，及可使用例如，置入一 般熱處理爐的方法，照熱輻射熱例如燈的方法。 接著’參考第1D圖，將閉極電極材料1〇6圖樣化以形 成閘極電極108，閘極電極1〇8係設置於對應要定義為半 導體層107通道區域之區域。 接著’參考第1E圖，層間絕緣層ι〇9形成於包含閘極 電極108的整個基質1〇〇表面上。層間絕緣層1〇9可由氮 化矽層、氧化矽層或其多層所形成。 接著，形成第二接觸孔（第1F圖的111)以露出由第一 接觸孔105所定義的預定區域的半導體層107的光致抗蝕 劑圖樣110形成。接著，使用光致抗蝕劑圖樣11()做為遮 罩蝕刻層間絕緣層1 〇9以形成第二接觸孔（第1 f圖的111) 於該層間絕緣層。 之後’參考第1F圖’移除光致抗蝕劑圖樣11〇。. 在本發明’為防止在結晶期間由焦耳加熱所引起的電 弧之產生，第一接觸孔105形成於閘極絕緣層1〇4，及接 著層間絕緣層109形成而不是閘極絕緣層且層間絕緣層堆 疊，及所堆疊結果在單步驟方法蝕刻以形成接觸孔。結 098114397 表單編號A0101 第11頁/共25頁 0983245013-0 201001715 果，層間絕緣層109形成於第一接觸孔1〇5。之後，當使 用光致抗蝕劑圖樣11 〇做為遮罩蝕刻層間絕緣層i 〇 9時， 因為蝕刻速率在垂直方向較在水平方向為高之特性，層 間絕緣層1 09可保留在第一接觸孔丨05侧面的預定區域上 ，如在第1F圖所說明，此形成是因為第一接觸孔i 〇 5較早 形成於閘極絕緣層1 04以防止由焦耳加熱所引起的電弧之 產生，如在本發明所示。 如在第1G圖所說明，依據蝕刻條件而定層間絕緣層 109可覆蓋第一接觸孔1〇5整個側表面。而且，如在第11? 圖所說明，連接第一接觸孔105及第二接觸孔lu侧表面 的線可為步階型式。 參考第1H圖’經由分別形成於閘雇絶緣層ι〇4及層間絕緣 層109的第一接觸孔1〇5及第二接觸礼in電連接至半導 體層107的源極及汲極電極112及113形成。此處，源極 及没極電極112及113可由钥（Mo)、鉻（Cr)、鶴（W)、銘 -鉞（Al-Nd)、欽（Ti) ' 翻-鶴（MoW)、及|g(Al)所組成 族群選出的一個形成。結果，根據本發明一個示例具體 實施例的薄膜電晶體完成。 第2圖說明根據本發明第二示例具體實施例的薄膜電 晶體的截面視圖’除非特別於下文說明，可參考第一示 例具體實施例。 在第一示例具體實施例，敘述層間絕緣層1〇9保留在 第一接觸孔1 05側表面的預定區域上。然而，與第—示例 具體實施例不同的是，執行#刻方法使得層間絕緣層 不會保留在接觸孔105側表面。在此時，第一接觸孔1〇5 的圓錐角與第二接觸孔111的圓錐角不同。在本發明圓錐 098114397 表單編號A0101 第12頁/共25頁 0983245013-0 201001715 角表示接觸孔側表面及接觸孔所在層的水平面之間的角 度。第二接觸孔出的圓錐角可大於第一接觸孔阳的圓 錐角。 第3圖說明根據本發明第三示例具體實施例的薄膜電 晶體的截面視圖，除非特別於下文說明，可參考示例具 體實施例。 當如在第二示例具體實施例所說明方式執行颜刻方法 時，於第一接觸孔105的下方部份的半導體層1〇7上方表 面會過度㈣’當半導體層1G7上方表面過度㈣時，凹 槽300形成於在第一接觸孔1〇5的下方部份的半導體層 107上方表面。在此時，連接半争體層^7的凹槽3〇〇侧 表面之表面，第一接觸孔〗岐的侧择面友第二接觸孔ii 的側表面可為步階型式。 第4圖為包含根據本發明一個示例具體實施例的薄膜電晶 體的有機發光二極體（OLED)顯示器裝置之截面視圖。 參考第4圖，絕緣層40 0形成於包含根據本發明第〖Η圖 示例具體實施例的薄膜電晶體的整個基質1〇〇表面。絕緣 層400係由為無機層的氧化矽層、氮化矽層或旋塗式玻璃 層所組成族群選出的一種所形成，或是由為有機層的聚 醢亞胺、本並環丁稀系列樹脂與丙稀酸g旨所組成族群選 出的一種所形成，而且，絕緣層可由該無機層及有機層 的堆疊結構形成。 姓刻絕緣層400以形成露出源極及汲極電極u 2及u 3 的通孔’經由通孔連接至源極及没極電極1丨2及113的其 中一個的第一電極401形成，第一電極4〇1可由陽極或陰 極开^成。當第一電極401由陽極形成時，陽極可由Iτο、 098114397 表單編號A0101 第13頁/共25頁 0983245013-0 201001715 IZ0及ΙΤΖ0其中一個所形成的透明傳導層形成。或是，當 第一電極由陰極形成時，陰極可由Mg、Ca、Al、Ag、Ba 或其合金所形成。 具有暴露一部份第一電極401的開口之像素定義層402 形成於第一電極401上，及包含發光層的有機層403形成 於第一電極401上。有機層403包含由電洞注入層、電洞 傳送層、電洞阻擋層、電子阻擋層、電子注入層及電子 傳送層或多層所組成族群選出的一個。接著，第二電極 404係形成於有機層403。第二電極404可由陽極或陰極 形成，當第二電極由陽極形成時，陽極可由I TO、IZ0及 ITZ0其中一個所形成的透明傳導層形成。而且，當第二 電極由陰極形成時，陰極可由Mg、Ca、Al、Ag、Ba或其 合金所形成。結果，根據本發明示例具體實施例的OLED 顯示器裝置完成。 所以，當使用由高溫熱所結晶的多晶矽層形成薄膜電 晶體的半導體層’此南溫熱由施加電場於閘極電極材料 所引起的焦耳加熱所產生，閘極電極材料係經由包含於 薄膜電晶體的接觸孔連接至非晶形矽層，使得可防止可 能在結晶期間產生的電弧且不需使用額外遮罩以移除預 定區域的閘極絕緣層。於是，可降低製造成本，及簡化 製程。 儘管本發明已參考其特定實例具體實施例示出及敘述 ，熟知該技藝者要了解可進行在型式及細節的各種變化 而不偏離所附申請專利範圍所定義的本發明精神及意旨 〇 根據本發明，當施加電場於閘極電極材料以使用由高 098114397 表單編號A0101 第14頁/共25頁 0983245013-0 201001715 溫熱所結晶的多晶砍層形成薄膜電晶體的半導體層’此 南溫熱由施加電場所引起的焦耳加熱所產生’間極電極 材料係經由包含於薄膜電晶體的接觸孔連接至非晶形矽 層，使得可防止可能在結晶期間產生的電弧且不需使用 額外遮罩以移除預定區域的閘極絕緣層。而且，接觸孔 形成處的閘極絕緣層及閘極電極係用做遮罩以執行雜質 植入方法於半導體層的源極與汲極區域且不需使用額外 遮罩以摻雜，使得可’降低製造成本，及簡化製程。 【圖式簡單說明】 [0005] 本發明以上目的，及其他特徵及優點在當參考圖式閱 讀下列詳細敘述後會變得更清楚，其中： 第1A至1H圖為說明根據本發明第一示例具體實施例的 薄膜電晶體製造方法之截面視圖； 第2圖為根據本發明第二示例具體實施例的薄膜電晶 體的截面視圖； 第3圖為根據本發明第三示例具體實施例的薄膜電晶 體的截面視圖；及 第4圖為包含根據本發明一個示例具體實施例的薄膜 電晶體的有機發光二極體（OLED)顯示器裝置之截面視圖 〇 【主要元件符號說明】 [0006] 100 基質 [0007] 101緩衝層 [0麵]102非晶形矽層 098114397 表單編號A0101 第15頁/共25頁 0983245013-0 201001715 [0009] 104 [0010] 105 [0011] 106 [0012] 107 [0013] 108 [0014] 109 [0015] 110 [0016] 111 [0017] 112 [0018] 300 [0019] 400 [0020] 401 [0021] 402 [0022] 403 [0023] 404 閘極絕緣層 第一接觸孔 閘極電極材料 半導體層 閘極電極 層間絕緣層 光致抗蝕劑圖樣 第二接觸孔 ‘ 113源極/汲極電極 槽 絕緣層 第一電極 像素定義層 有機層 第二電極 098114397 表單編號A0101 第16頁/共25頁 0983245013-0
Claims (1)
- 201001715 七、申請專利範圍： 1 種薄膜電晶體，其包含： —基質； -半導體層，設置於該基質上及由—焦耳加熱多晶石夕層所 形成； 閘極絕緣層，設置於該半導體層上及包含一第一接觸孔 D玄第接觸孔路出S玄半導體層的一預定區域； —閘極電極，設置於該閘極絕緣層上； Γ —層間絕緣層，設置於該閘極電極上且包含一第二接觸孔 ，该第二接觸孔露出由該第一接觸孔所露出的該半導體層 的—預定區域；及 源極與汲極電極，設置於該層間絕緣層土及經由該第一及 第一接觸孔電連接至該半導體層，其中該層間絕緣層設置 於該第一接觸孔的一側面的一預定區域。 如申叫專利範圍第1項的薄膜電晶體，其中該層間絕緣層 β又置於該第一接觸孔的側表面的整個區域上。 3 _如申請專利範圍第1項的薄膜電晶體，其中連接該第一接 觸孔的側表面與該第二接觸孔的側表面的—表面具有一步 階形狀。 4 ·如申請專利範圍第1項的薄膜電晶體，其中該焦耳加熱多 晶石夕層具有在5i5-517cm 1的拉曼光譜尖峰。 5 ·如申請專利範圍第1項的薄膜電晶體，其中該閘極電極包 含翻（Mo)、鈦（Ti)、鉻（Cr) ' 或鉬-鎢（M〇w)。 6.如申請專利範圍第1項的薄膜電晶體，其中該基質由玻璃 或塑膠所形成。 098114397 表單編號A0101 第17頁/共25頁 0983245013-0 201001715 一種薄膜電晶體，其包含： 一基質； 一半導體層，設置於該基質上且由—焦耳加熱多晶 形成； -閘極絕緣層，設置於該半導體層上且包含—第—接觸孔 ，該第一接觸孔露出該半導體層的一預定區域； —閘極電極，設置於該閘極絕緣層； 一層間絕緣層，設置於該閘極電極上且包含—第二接觸孔 成第二接觸孔露出由該第__接觸孔所露出的該半導體層 的—預定區域；及 · 曰 源極與沒極電極，設置於該層間絕緣層上且經由該第一及 第^接觸孔電連接至該半導體層:’其中該第補觸孔具有 與。袈第一接觸孔不同的一圓錐角。 8 .如申請專利範圍第7項的薄膜電晶體，其中該第二接觸孔 的圓錐角大於該第一接觸孔的圓錐角。 9 ·如申請專利範圍第7項的薄膜電晶體’其中該焦耳加敎多 晶矽層具有在515-517Cm〜i的—拉曼光譜尖峰。 10 .如申請專利範圍第7項的薄膜電晶體，其中該閘極電極包 含銦（Mo)、鈦（Tl)、鉻（Cr)、或翻—鶴（m〇w)。 11 種薄膜電晶體，其包含： —基質； -半導體層，設置於該基質上且由—焦耳加熱多晶珍層所 閘極絕緣層，設置於該半導體層上且包含—第—接觸孔 該第一接觸孔露出該半導體層的一預定區域； 一閘極電極設置於該閘極絕緣層上； 098114397 表單編號A0101 第丨8頁/共25頁 0983245013-0 201001715 —層間絕緣層，設置於該閉極電極且包含—第二接觸孔， 該第二接觸孔露出由該第-接觸孔所露出的該半導體層的 預定區域；及 源極與沒極電極，設置於該層間絕緣層上且經由該第一及 第二接觸孔電連接至該半導體層，其中由該第一接觸孔所 露出的該半導體層包含其—預定區域上的-凹槽，及連接 該凹槽的-側表面、該第-接觸孔的一側表面及該第二接 觸孔的一側表面的一表面具有一步階形狀。 12 .如申請專利範圍第⑽的薄膜電晶體，其中該焦耳加献多 晶石夕層具有在515-517(^的一拉曼光譜尖峰。 13 .如申請專利範圍第^項的薄棋電晶體，其中該間極電極包 含翻（M。）、欽（Tl)、鉻（Cr)、或翻_鶴（_。 • 種製造薄膜電晶體的方法，其.包含：. 提供一基質； 於該基質上形成一非晶形矽層； 圖樣化該非晶形石夕層； 於該基質的整個表面上形相極絕錄層； Γ該開極絕緣層上形成-第-接觸孔，該第-接觸孔露出 忒非晶形矽層的一預定區域； 於其中形成有該第-接觸孔的該閘極絕緣層上形成閉極電 極材料； 將一電場施加於關極電極材料，以使職耳加熱結晶化 遠圖樣化的非晶形碎層為—多晶石夕層； 圖樣化該閉極電極材料以形成—間極電極； 於其上形成有朗極電極的該基質的整個表面 間絕緣層； m 098114397 表單編號A0101 第19頁/共25頁 0983245013-0 201001715 於4層間絕緣層形成—第二接觸孔，該第二接觸孔露出由 «亥第接觸孔所露出的該非晶形石夕層的一預定區域；及 形成源極與，及極電極，其經由該第一及第二接觸孔與該半 導體層的源極歧極區域電連接。 15 16 17 . 18 . 19 . 如申明專利耗圍第14項的方法，其中在該結晶化期間該閉 極電極材料經由該第一接觸孔電連接至該非晶形石夕層或該 多晶碎層。 如申明專利範圍第14項的方法，其中該電場施加於該閉極 電極材料0. 1至300微秒，以將張力施加於該非晶形發層 ，使得該結晶化的多晶矽層具有於515-517cm-1的一拉曼 光譜尖峰。 如申請專利範圍第1 6項的方锋，其中諸張办於i i 〇 〇 〇c或 更高的一溫度施加於該非晶形矽層乂 如申請專利範圍第14項的方法，更包括在施加一電場於該 閑極電極材料之前預熱該基材。 ^申請專利範圍第U項的方法，其中於該層間絕緣層形成 -第二接觸孔以露出由該第一接觸孔所露出的該非晶形矽 層的一預定區域包括： 於該層間絕緣層形成一光致抗蝕劑圖樣；及 使用該光致抗蚀劑圖樣化該層間絕緣層以做為一遮罩關 098114397 表單編號A0101 第20頁/共25頁 0983245013-0
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