TW201001563A - Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth - Google Patents

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201001563 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本申請案大體上關於製造半導體裝置的方法。 【先前技術】 半導體裝置（例如MOSFET與JFET)通常係使用離子植 入技術來製造。不過，MOSFET卻可能會有和氧化物閘極 層相關聯的可靠度及效能問題。和MOSFET不同的係，經 離子植入的JFET裝置則可以使用自我對準製程來製造並且 可被設計成讓它們不會有氧化物界面問題。不過，離子植 入卻會遺留可能影響裝置效能的殘餘破壞。此外，p型植入 層的電阻性會大於SiC中的磊晶成長p型層。植入還可能 會造成不陡峭的p-n接面，其可能會讓精確決定的關鍵裝置 參數難以確定。 據此，仍，然需要不含離子植入之製造半導體冑置（例如 JFET)的改良方法。 【發明内容】 本發明提供一種方法，其包括： 經由第一遮罩中的__ Am * … 早Y的或多個開口來選擇式蝕刻第一層 半導體材料，用以形成上矣而址4 办成上表面被該第—遮罩覆蓋之第一與 第二分開的半導體材料隆 矜 寸隆起£，其中，該第一層半導體好 料係位於一第二層半導俨好社 ㈣㈣二層半導體材料係 位於一第二層+導體材料上， '+上忒第二層半導體材料係位於 201001563 一半導體基板上，装由 _ 半導體材料為第一導電類;;等=層半導體材料與第二層 為和第—導電類型不同的第^電中類㈣三層半導體材料 該等第-盘第-八導電類型’其中，敍刻會在 第一層丰旁邊和之間的區域中曝露出該 弟一層+導體材料，且复 一半導體層上的再成長遮^第;'遮罩包括—位於該第 W Μ & 、材料層以及一位於該再成長遮 罩材枓層上的蝕刻遮罩材料層， 在該等第一與篦-八ΗΗ 、第一刀開隆起區之間的區域中的第二層 +導體材料上沉積一第二遮罩； _姓穿該第二層半導體材料與該第三層半導體材料，用 以路^等第—遮罩與第二遮罩旁邊的區域中的基板； 移除5亥第二遮罩，值祐雷山 早使露出該等分開隆起區之間的區 域； 移除該㈣遮罩材料層，俾使該等分開隆起區的上表 面會被该再成長遮罩材料覆蓋； 在5亥等第一與第二分開隆起區之間的區域上以及在該 等第-與第一分開隆起區旁邊的基板上磊晶成長一或多層 第二導電類型的半導體材料； θ 移除該再成長遮罩材料； 在該等第一與第二分開隆起區上，在該等第一與第二 分開隆起區之間的區域上’以及在該等第一與第二；開： 起區旁邊的-或多層第二導電類型的半導體材料上的閘極 區上沉積一第三遮罩； 在該第三遮罩旁邊的區域中蝕穿該等一或多層第二導 5 201001563 電類型的半導體材料；以及 移除該第三遮罩。 方法所製成的半導 本發明還提供一種藉由上面提出的 體裝置。 本發明還提供一種方法，其包括： 、經由第-遮罩中的一或多個開口來選擇式蝕刻 長遮罩材料層，用以形成且有一 八有上表面和多個側壁的一分 開的半導體材料隆起區，1中，嗲 於笛盛上“ ’、中該再成長遮罩材料層係位 =-第-層半導體材料上，該第一層半導體材料係位於一 第一層+導體材料上，肖第二層半導體材料係位於一第三 層半導體材料上，該第三層半導體材料係位於一基板上， 其:’該第二層半導體材料為第一導電類型，且其中，該 等第—層半導體材料與第三層半導體材料為和第—導電類 型不同的第二導電類型，且其中，蚀刻包括餘穿該再成長 遮罩材料層與該第一層半導體材料1以露出該第一遮罩 旁邊區域中的下方第二層半導體材料； '移除該第一遮罩，俾使該分開隆起區的上表面會被該 再成長遮罩材料覆蓋； 在該分開隆起區的側壁上以及在該分開隆起區旁邊的 層半導體材料上蟲晶成長一或多層第一導電類型的半 導體材料；以及 從該分開隆起區的上表面處移除該再成長遮罩材料。 本發明還提供一種藉由上面提出的方法所製成的半導 體裝置。 201001563 本文會提出本教示内容的前述與其它特點 【實施方式】 為達解釋本說明書的目的’除非特別提及或是在「及/ 或」的用法明顯不適合的地方，否則，本文中「或」的用 法具有「及/或」的意義。除非特別提及或是在「—或多個」 的用法明顯不適合的地方4則，本文中「一」的用法具 有一或多個」的意義。「包括（comprise、⑺咖奶、 c〇亭ising)」以及「包含（include、⑽心、咖㈣㈣」 的用法可互換使用而且不具有限制的用意。再者，在一或 多個實施例的說明使㈣「包括」用詞的地方，熟習本技 術的人士便會瞭解’於某些特定的實例中，可能會使用「基 本上由.·所組成」及/或「由...所組成」的語言來替代說明 該或该專實施例。還應該瞭解的係’力某些實施例中，步 驟的順序或是用於實施特定作動的順序並不重$，只要本 教示内容仍保持可運作即可。再者，力某些實施例中可 能會同時進行二或多個步驟或作動。 本發明會說明製造半導體裝置(例如橫向接面場效電晶 體（證)）的方法。料方法包含經由—再成長料材料中 的開口來進行選擇式蟲曰曰曰，用以形成該裝置的問極區或是 源極/沒極區。該裝置可以由寬能帶間隙的半導體材料（例如 SiC)所製成。該再成長遮罩材料可能係TaC。 本文所述的方法能夠省略可能會導致可能影響裝 能之殘餘破壞的離子植入的需求。此外，冑用離子植入所 201001563 製成的裝置可能還會有漸$ + + i ^ ^ 進式或不陡峭的P-n接面。和使用 離子植人所製成之裝置不面矛使用 雷踉合古阵岫ΛΑ 系八有元王磊晶層的積體 曰有陡力的p-n接面。在本文所述的 同的遮罩來界定裝¥的門拉「 賞便用相 疋裝置的閘極區和源極/汲極區。&自我對準 的製程因而允許精確控制裝 準步驟。 彳裝置維度’而不需要關鍵的再對 :面的說明為利用寬能帶間隙的半導體材料(例如⑽) 來“橫向接面場效電晶體（贿）以達製造積體電路之目 的的方法。本文所述的方法會運料導體材料的選擇式蟲 晶再成長’其會使用一再成長遮罩(舉例來說，Μ遮罩)來 隔絕屋晶成長至特定的區域。選擇式蟲晶再成長可以用來 形成該裝置的間極層或源極/汲極層。本文所述之方 省略離子植入的需求。 根據某些實施例，可以使用—選擇式再成長技術來形 成一電晶體的閘極區。於此裝置中，n +源極/沒極層係成 長在通道層的頂端’其會被選擇式回姓至該通道層用以形 成该等源極/汲極區，並且接著會成長該Μ閘極層。此完 全蟲晶方式運用使用一破置彳與： 史用遲罩（舉例來說，TaC)的自我對準選 擇式再成長技m避免在該等祕/汲極區上再成 型材料。 圖1中所不的係具有選擇式成長閘極的橫向則丁的概 略剖面圖。如圖1中所示’該裝置包括-形成在η-層14之 上的多個隆起n+區12，該n-層14係形成在一 p-層Μ之上， 該p-層16則係形成在一基板18之上。如圖（中所示，該 201001563 裝置還包括一 p型閘極區，其包括介於該等隆起n+區之間 的 P層28與一 p層30。雖然圖1中顯示兩個p型層；不 過’該裝置亦可以使用單一 p型層來製造。又，如圖1中 所示’多個歐姆接點34會被形成在該等n+區之上而多個最 終金屬層3 8會被形成在該等歐姆接點3 4之上，用以形成 該等源極與汲極接點。

Li等人在材料科學論壇（Materials Science F〇rum)， 第4S7至460冊（2004年），第185至188頁中所發表的「使 用高溫遮罩在4H-SiC基板上選擇式成長4H-SiC(Selective Growth of 4H-SiC on 4H-S1C Substrates using a High Temperature Mask)」中已經說明過使用TaC遮罩的選擇式 再成長。該份公開技術已藉由在一碳層之上沉積一鈕層並 且接著在A空中進行退火以便讓該等兩個層進行反應而發 展出變化。於一沒有任何緩衝或通道層的n+基板上使用此 項技術已成功地達成選擇式再成長。圖2A與2B中所示的 係一 n +基板上的選擇式成長卩型Sic的SEM剖面，其閘極 寬度垂直於主平面（圖2A)[也就是，在（11〇〇)方向中]及平行 於主平面（圖2B)[也就是，在（lli〇)方向中]。 P型閘極的裝 前面提及的技術係用來製造具有再成長 置。圖3A所示的便係此裝置的概略示意圖，其為一 裝置之佈局的概略示意圖，其包含該裝置之剖面 像。圖3B厂 的SEM影

其中，閘極的長度（LG)為〇 9 剖面影像， i之間的再 微米。 成長p型閘極，其中， 201001563 圖4所不的係使用完全磊晶製程所製成且閘極長度（Lg 為0.8 Μ米而閘極寬度（Wg)為2〇〇微米的橫向裝置在 8個不同的閘極至源極電壓（Vgs)數值處的汲極電流（1幻與 汲極至源極電壓（Vds)的函數關係圖。 根據某些實施例，可以使用選擇式再成長技術來形成 裝置的源極/汲極區1 5所示的便係具有選擇式成長源極/ 汲極區之裝置的磊晶層的概略剖面圖。使用源極，汲極區之 選擇式再成長能誠少或料該裝置巾的界面陷捕效應。 具有再成長源極/汲極區的裝置可以藉由下面方式製 成：於一通道層的頂端成長一 p型閘極層；沉積一層再成 長遮罩材料（舉例來在該層#成長遮罩材料上圖 案化-乾式蝕刻遮罩材料式蝕穿該再成長遮罩層和下 方的P型Sic間極層，蚀至該通道層；移除該姓刻遮罩； 以及接著於該外露的通道層上方和該p+閘極蟲晶層的側壁 亡再成長η、極/汲極層。為增強裝置的效能，可以在該外 露的通道層上和該p+閘極磊晶層的側壁上再成長一 η層盥 1 +層。該η·層能夠在η、ρ +材料之間提供一漂移區^卑 使能約達到足夠的阻隔電壓。依此方式，可以遮擒該通道， 使其不會受到界面陷捕的影響’而不會犧牲阻隔電壓。 圖6A“Q所示的係製造具有選擇式再成長問極區之 :置的方法，®中顯示出該裳置在製造過程中各步驟期間 的俯視圖與剖面圖兩者。 別固0A中所示 + [ ----- n 一 π铁衝層14、以 及-"冒蓋層丨2會被成長在一基板18之上。基板Μ可能 201001563 系半、色緣（SI)的基板（舉例來說，半絕緣的yc)。 接著會利用一再成長遮罩材料20與一姑刻遮罩材料 22來圖案化該裝置的源極與汲極區，如圖中的俯視圖和 圖6C中的剖面圖所示。示範性再成長遮罩材料包含，但是 並不受限於TaC與C。 X裝置中未被遮罩的部分接著會被领除至該通道層， 如圖6D中的俯視圖和圖6E中的剖面圊所示。某些裝置的 通道可能會被更深入蝕除，用以讓臨界電壓具有更大的正 值。在進行額外㈣之前，空乏模式I置可能會藉由於它 們的頂端圖案化-光阻（PR)遮罩而被遮擋避免受到額外餘 刻。 。接著，一光阻（PR)蝕刻遮罩24會在該裝置的主動通道 區上方被圖案化，如圖6F中的俯視圖和圖6G中的剖面圖 所示。 該裝置中未被遮罩的部分接著會被乾式蝕除至該si基 板且該PR遮罩與钮刻遮罩會被剝除，如w 6H巾的俯視圖 和圖6Ϊ中的剖面圖所示。不過，磊晶再成長遮罩2〇則會被 留在正確的地方。 接著會再成長p_磊晶層28與p+磊晶層3〇，如圖6J中 的俯視圖和圖6K中的剖面圖所示。如上面所提，亦可藉由 僅成長一 p +層而非ρ·層和〆層來製造裝置。該〆層可被加 入用以提高最大源極/汲極（S/D)至閘極（G)崩潰電壓。理饵 上，磊晶材料不會於此步驟期間被成長在該再成長遮罩 上。不過’對SiC裝置來說’多@ siC卻可能會形成在該 201001563 再'長遮罩上。藉由氧化(舉例來說，在管狀熔爐中進行) 且接者進㈣式姑刻便可移除該多晶sic。 〜再成長遮罩2G接著便會被剝除’光阻遮罩32會被 、案化用以覆蓋該裝置的閘極區、閘極觸墊區、源極區、 二及汲極區，而已再成長的p+層3〇和已再成長的ρ·層(若 存在的話)接著便會被乾式蝕穿，用以隔絕該等裝置，如圖 乩令的俯視圖和圖6M中的剖面圖所示。 ▲ s光阻遮罩32接著會被剝除，且一歐姆金屬會在 為裝置的問極區、源極區、以及聽區上被圖案化且被退 火’如圖6Ν中的俯視圖和圖6〇中的剖面圖所示。 〃一場氧化物36接著會被沉積’該等觸墊視窗會在該場 乳化物36中被餘穿並且會沉積互連金屬38，如圖卯中的 俯視圖和圖6q中的剖面圖所示。 選擇式再成長源極/汲極 圖7Α至7Ε所示的係製造具有 區之裝置的方法。 如圖7Α中所示’一 Ρ +層40會形成在一n-層14之上 •層“會形成在-…之上’該，層41會形成在一 8之上。如圖7Β中所示，一再成長遮罩層42會被形

…上而一乾式崎罩44會在該再成長遮 罩曰2上被圖案〖。該再成長遮罩層仏和下方的ρ +層仂 :著：會被触穿’以便露出下方的…，如圖％中所示。 遠…4會形成該裝置的通道。藉由餘穿該ρ+層4〇㈣ 成的分開隆起ρ+區會界定該裝置的閘極。 J 钮刻遮罩44，如圖7D中所示。一 n-層 移除乾式 嘈46與一n+層48接 12 201001563 著會被再成長於該P+區40旁邊的外露η —層上方以及該p + 區40的側壁上，如圖7E中所示。接著，會移除該再成長 遮罩42，如圖7F中所示。 下面表格中提出上面所述裝置中各層的示範性厚度與 摻雜濃度。下面提供的厚度與摻雜濃度僅為示範性，而不 具有限制用意。 元件符號 層的說明 示範性摻雜濃度 (每立方公分） 示範性厚度(微米） 12 n+源極/没極 >5χ1018 (舉例來說，1.5χ1019) 0.1-1.5 (舉例來說，0.25或0.4) 14 rf通道 1χ1016-3χ1017 (舉例來說，2χ1017) 0.1-1.0 (舉例來說，0.2或0.3) 16 P'缓衝 1χ1016-3χ1017 (舉例來說，2χ1017) 0.1-1.0 (舉例來說，0.25) 18 基板 半絕緣 50-450 (舉例來說，250) 28 再成長p7甲1極 1χ1016-3χ1017 (舉例來說，2χ1017) 0.1-1.0 (舉例來說，0.2) 30 再成長P+閘極 >5χ1018 (舉例來說，1.5x1019) 0.1-1.0 (舉例來說，0.2) 40 P蟲晶層 >5χ1018 (舉例來說，1·5χ1019) 0.1-1.0 (舉例來說，0.25) 41 P+緩衝層 >5χ1018 (舉例來說，1.5χ1019) 0.1-1.0 (舉例來說，0.25) 46 再成長通道 1χ1016-3χ1017 (舉例來說，2χ1017) 0.1-1.0 (舉例來說，0_25) 48 再成長η+通道 >5χ1018 (舉例來說，1.5χ1019) 0.1-1.0 (舉例來說，0.25) 13 201001563 雖然上面說明的係Slc半導體裝置；不過，亦可以使 用其它半導體材料來製造該裝置。舉例來說，該裝置的半 導體材料可能係任何寬能帶間隙的半導體材料，其包含， 但是並不受限於Sic、GaN、或是GaAs。 碳化矽有許多（也就是，超過2〇〇)不同變型的結晶（多型 曰曰體）。最重要的如下：3C_Sic(立方單元胞體，閃辞礦）； 2H-S1C ; 4H_Sic ; 6H_SlC(六角單元胞體纖維辞们； 15R-SiC(斜方六面單元胞體)。對電力裝置來說，4h多型晶 體會比較受到注目’因為其有較高的電子移動率。雖然以 4H:SlC為較佳；不過，應該瞭解的係本發明亦可應用至 〃匕寬犯帶間隙半導體材料（例如砰化錄和氮化錄）所製成 之本文所述的裝置與積體電路，並且，舉例來說，亦可應 用至其它多型晶體的碳化矽。 雖然上面及圖式中說明的係具有p型閘極的裝置丨不 過，使用上面所述的方法亦可製造具有η型閘極的裝置。 及裝置中的各層可以使用已知技術利用施體或受體材 :來摻雜該等層而形成。SlC的示範性施體材料包含氮與 、氮為SlC的較佳施體材料。用於摻雜Sic的示範性受 體材料包含硼與紹。㈣SlC的較佳受體材料。然而，上 成材料僅為不範性，而可被摻雜至該半導體材料中的任 可戈體與施體材料皆可以使用。 再成長遮罩所使用的材料可能係以…。亦 ^其它材料。舉例來說，倘若運用低溫蟲晶製程的話，則 ”乂使用叫作為再成長遮罩材料。上面的再成長遮罩材 14 201001563 料的範例僅為示範性，而不具有限制用意 長的材料類型和該再成長製程期間 說，溫度）為基礎來選擇合宜的再成長遮罩材Γ 本文所述之裝置中各層的推雜程度與 變，用以產生且有特硖廄又可加以改 π特殊制所希特徵 可以改變該襄置中各種特徵元件的維 门樣地，亦 殊應用所希特徵的裝置。 用以產生具有特 可藉由於一合宜基板上進 的各層。兮耸遥a 仃磊日日成長來形成該襞置中 層3亥4層可能會於蟲晶成長期間被摻^ 前面的詳細說明雖然已經教示本發明的原理 供範例以達解釋的目的；不過，孰習本m 本揭不内容後便會瞭解，可 閲賈 磁甘# 耵其形式與細節進行各種改 變，其並不會脫離本發明的真實範疇。 【圖式簡單說明】 熟習本技術的人士便會睁解，丁 & &t 解遯沾SAA 史賞咪解下面所述的圖式僅具有 解釋的目的。該等圖式並不且有 八有限制本教不内容之範疇的 任何意義。 長P型閘極區的橫向jpg 丁 圖1所示的係具有選擇式成 裝置的概略剖面圖。 圖2AMB所示的係於形成在垂直於主平面（圖2从也 n疋在（11〇〇)方向中]及平行於主平面（圖2B)[也就是，在 :必）方向中]的n型基板中的溝槽之中^再成長p型材 料的剖面SEM影像。 15 201001563 圖3A所示的係LJFE 丁裝置之佈局的概略示意圖，其包 含該裝置之剖面的SEM影像。 圖3B所不的係具有一再成長p型閘極之裝置的π% 剖面汾像’圖中顯不出介於n +源極與汲極接點區之間的再 成長P型閘極，其中，閘極的長度(Lg)為〇 9微米。 圖4所不的係使用完全蟲晶製程所製成I間極長度（Lg) 為0.8微米而閘極寬度（Wg)為·微米的橫向肌τ裝置在 8個不同的閘極至源極電壓(Vgs)數值處的汲極電流⑽與 汲極至源極電壓（Vds)的函數關係圖。 圖斤示的係透過選擇式再成長該等源極/汲極區所製 成的JFET裝置的概略剖面圖。 圖6A至6Q所示的係製造具有選擇式再成長閘極區之 裝置的方法，®中顯示出該裝置在製造過程中各步驟期間 的俯視圖與剖面圖兩者的概略示意圖。 =7Ai7F所示的係製造具有選擇式再成長源極味極 I二圖的方法，时顯示出製造過程中各步驟期間的概 略刺面圖。 【主要元件符號說明】 12 隆起n+區 14 η-層 16 層 18 基板 20 再成長遮罩材料 16 201001563 22 蚀刻遮罩材料 24 光阻（PR)钱刻遮罩 28 ρ·層 30 Ρ +層 32 光阻遮罩 34 歐姆接點 36 光阻遮罩 38 最終金屬層 40 ρ·層 41 Ρ +層 42 再成長遮罩層 44 乾式蝕刻遮罩 46 rf層 48 Ν+層 Lg 閘極的長度 Lg 閘極長度 wg 閘極寬度 Vgs 閘極至源極電壓 Vds 汲極至源極電壓 17

Claims (1)

1. 201001563 七 申請專利範圍： 1. 一種方法，其包括： 經由第一遮罩中的一或多個開口來 半導體材料，用以开彡忐卜矣而、t 、式蝕刻第一層 第-八被該第-遮罩覆蓋之第一與 第一刀開的半導體材料隆起區，其 ' 料係位於-第1丰#㈣μ Μ—料導體材 位於4 材料上，㈣二層半導體材料俾 4於一第二層半導體材料上， 一车邋# Α 4 乐—層丰導體材料係位於 丰導體基板上，其中，該等第一 主道躺嘈牛導體材料與第二層 +導體材料為第一導電類型，其中 A ^ 弟一層半導體材料 為和苐一導電類型不同的第二導 m 〇 類型其中，钱刻會在 一 心间的&域中露出該第 =導體材料’且其中’該第一遮罩包括一位於該第一 =體層上的再成長遮罩材料層以及—位於該再成長遮罩 材料層上的蝕刻遮罩材料層， 、在D亥等第一與第二分開隆起區之間的區域中的第二層 半導體材料上沉積一第二遮罩； 、麵穿該第二層半導體材料與該第三層半導體材料，用 以露出該等第一遮罩與第二遮罩旁邊的區域中的基板， · 移除該第二遮罩，俾使露出該等分開隆起區之間的區 域； 移除該蝕刻遮罩材料層，俾使該等分開隆起區的上表 面會被該再成長遮罩材料覆蓋； 在該等第一與第二分開隆起區之間的區域上以及在該 等第一與第二分開隆起區旁邊的基板上磊晶成長一或多層 18 201001563 第二導電類型的半導體材料 移除該再成長遮罩材料 在該等第一與第二分開 分開隆起區之間的區域上， 起區旁邊該等一或多層第二 區上沉積一第三遮罩； 隆起區上，在該等第—與第二 以及在該等第一與第二分開隆 I電類型的半導體材料的閘極 在該第三遮罩旁邊的區域 電類型的半導體材料；以及 移除該第三遮罩。 中蝕穿一或多層該等第二導 2. 如申哨專利範圍帛μ之方法，其中，該第一層半導 體材料的摻雜濃度高於該第二層半導體材料。 3. 如申凊專利範圍帛1項之方法，纟中，該第-導電類 型的半導體材料為η型半導體材料，且其中，該第二導電 類型的半導體材料為卩型半導體材料。 4_如申請專利範圍第1項之方法，其中，該半導體材料 為寬能帶間隙的半導體材料。 5·如申μ專利範圍第1項之方法，其中，該基板為一半 絕緣的基板。 6.如申凊專利範圍第丨項之方法，其中，該半導體材料 為 S i C 〇 7.如申請專利範圍第丨項之方法，其中，該第二遮罩為 一光阻遮罩。 8·如申凊專利範圍第1項之方法，其中，該第三遮罩為 —光阻遮罩。 201001563 9.如申請專利範圍帛】項之方法其進一步包括： 在•亥等第一與第二分開區域上沉積歐姆金屬用以形 成源極歐姆接點與汲極歐姆接點，以及在該等一或多層ρ 型半導體的間極區上沉籍啟桃1 jg 上/儿積歐姆金屬，用以形成閘極歐姆接 點；以及 退火該等源極歐姆接點、沒極歐姆接點、以及間極歐 姆接點。 一 10.如中請專利範圍第9項之方法，其進—步包括沉積 -導電金屬層，用以接觸該等源極歐姆接點、閘極歐姆接 點、以及沒極歐姆接點。 η·如申請專利範圍第！項之方法，其中，蟲晶成長— 或多層第二導電類型的半導體材料包括蟲Β曰曰成長兩層第二 導電類型的半導體材料，盆中， „ ，、中a玄第一層的摻雜濃度低於 该弟—層。 12. 如申請專利範圍第1項之古、土 罢从，… 項之方法，其中，該再成長遮 罩材料包括TaC或c。 13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中，該 罩材料包括TaC，該方法進一步包括： ° 在該第-層半導體材料上沉積一包括碳的層； 在該包括碳的層上沉積一包括组的層；以及 進行退火，用以形成該層再成長遮罩材料。 M.如申請專利範圍第 包括WNl。 第1項之方法，其中，該第-遮罩 15.如申請專利範圍第1項之方法，其中，姓穿該第一 20 201001563 層半導體材料用以露出下方第二層半導體材科進 部分蝕入該第二層半導體材料之中。 步匕括 為:如申請專利範圍第9項之方法，其争，該歐姆金屬 ;87.一=申請專利範圍第1項之方法製成的裝置。 18.一種方法，其包括： 县”由帛料中的一或多個開口來選擇式餘刻-再成 長遮罩材料層，用以形成具有—上表面和多、Μ 開的半導體材料隆起區，1令， 土的一分 於-第-声半導亥再成長遮罩材料層係位 第料導體材料上，該第—層半導體材料係 半導體材料上，該第二層半導體材料係位於—第三 :、體材枓上，該第三層半導體材料係位於—基板上— ，、中’該第二層半導體材料為第一 等第-層半導體材料與第三層半導體材料為和該 型不同的第二導電類型， ："導電類 遮罩材料層與該第一層半導e ^再成長 旁邊區域中的下方第半…用以露出該第—遮罩 八r万第一層半導體材料； 移除該第-遮罩’俾使該分開隆起區的上表 再成長遮罩材料覆蓋； 《被a亥 ^分祕起區賴壁上以及在該㈣ 第二層半導體材料上蟲 旁邊的 導體材料；以及 4多層第-導電類型的半 Γ該分開隆起區的上表面處移除該再成長遮罩材料 19.如申請專利範圍第18項之方法，其中，該電 21 201001563 類型的半導體材料4 n型半導體材料，且其中， 電類型的半導體材料為ρ型半導體材料。 20.如申請專利範圍第1 $ 料項之方法其中，該半導體材 枓為寬i帶間隙的半導體材料。 該半導體材 21.如申請專利範圍第18項之方法其中 料為SiC。 ' 22.如申請專利範圍第18項之方 日日 一 =多層第-導電類型的半導體材料包括蠢晶成長兩層第_ 兮：類ΐ的半導體材料，其中’㈣一層的摻雜濃度低於 邊弟-層。 5亥再成長遮 23‘如申請專利範圍第18項之方法，其中 罩材料包括TaC或C。 24.如申請專利範圍第23項之方法，其中，該 罩材料包括TaC，該方法進一步包括： 長遮 在該第一層半導體材料上沉積一包括碳的層； 在該包括碳的層上沉積一包括钽的層；以及 進行退火，用以形成該層再成長遮罩材料。 25·如申請專利範圍第1 8項之方法，其中，該第_ ' 包括Ti或Ni。 遮罩 2 6 ·如申請專利範圍第1 8項之方法，其進—步包括 在該分開隆起區的上表面上沉積歐姆金屬，， 用以形 成閘極歐姆接點，以及在該分開隆起區旁邊的〜 、 A夕層半 導體材料上沉積歐姆金屬用以形成源極歐姆接點盥 /、戍極歐 姆接點；以及 22 201001563 退火該等源極歐姆接點、汲極歐姆接點 姆接點。 27·如申請專利範圍第26項之方法，其中 為Ni。 28_如申請專利範圍第26項之方法，其進 一導電金屬層，用以接觸該等源極歐姆接點 點、以及没極歐姆接點。 29_—種藉由申請專利範圍第is項之方 體裝置。 八、圖式： (如次頁） \ 、以及閘極歐 ，該歐姆金屬 一步包括沉積 、閘極歐姆接 法製成的半導 23