TW200947109A - Reticle for projection exposure apparatus and exposure method using the same - Google Patents

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200947109 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於投影曝光設備之光罩及曝光方法。尤其 ，本發明係關於光罩上之校準標記的配置及使用該配置之 曝光方法。 【先前技術】 0 近年來，投影曝光設備係使用於半導體裝置的主流製 程。作爲曝光用母片之光罩基板係安裝在投影曝光設備上 ，且形成在光罩基板上之圖案係在縮小及投影之後而轉移 至晶圓。通常，用於評估諸如電晶體及二極體之主要元件 的特性之晶片、校準標記及程序控制模組（PCM )係配置 在光罩基板上。 習知上，晶片及PCM係形成於光罩基板上的不同區 ，且校準標記係配置於晶片區時，產生晶片尺寸變更大而 〇 每一晶圓之晶片的數量減少之問題。當校準標記係配置於 P CM區時，產生因爲僅一或數個PCM形成在晶圓上而使 . 校準的準確度變低之問題。爲了解決這些問題，已被建議 校準標記係配置於劃線之方法（例如，見日本專利先行公 開申請案第3 -1 8 0 1 2號）。 然而，於校準標記係配置於劃線之上述方法，最近提 出無法避免切割中產生之金屬刮除之問題。爲了解決該問 題，設置校準標記配置區之方法已被提議（例如，見曰本 專利先行公開申請案第2005-2 83 609號）。 200947109 然而，於日本專利先行公開申請案第2005-283609號 所揭示之方法，校準標記係配置於僅在光罩的一邊之線上 ，且因此，難以達到高準確校準。有以下問題，在包括平 移分量、旋轉分量及定標分量之不當校準分量中，除了平 移分量外之分量不可能被滿足地校正，導致大校準容許度 之必要性，其防礙半導體晶片的小型化且減小每一晶圓之 ^ 晶片的數量。 【發明內容】 有鑑於上述問題，本發明已完成，且本發明的目的在 於能夠增加每一晶圓之晶片的數量之光罩及使用該光罩之 曝光方法。 爲了解決上述問題，本發明提供一種投影曝光設備之 光罩，其包括：相同光罩基板；矩形晶片區，每一者由第 一方向的邊及垂直於第一方向之第二方向的邊所包圍；矩 形第一校準標記配置區，由第一方向的邊與第二方向的邊 〇 所包圍；矩形第二校準標記配置區，由第一方向的邊與第 二方向的邊所包圍；第一劃線區，其設置在矩形晶片區周 圍；及第二劃線區，其分別設置成鄰接矩形第一校準標記 配置區的第二方向之該等邊，且鄰接矩形第二校準標記配 置區的第二方向之該等邊，其中矩形第一校準標記配置區 係於包括複數矩形晶片區之多晶片區的第二方向經由劃線 區鄰接一端部；矩形第二校準標記配置區係於其第二方向 經由劃線區鄰接另一端部；矩形第一校準標記配置區及矩 -6 - 200947109 形第二校準標記配置區各包含至少配置於其中的校準標記 ;及矩形第一校準標記配置區的第二方向之長度及矩形第 二校準標記配置區的第二方向之長度的總和係等於或小於 矩形晶片區的第二方向之長度。 本發明進一步提供一種投影曝光設備之光罩，其包括 :相同光罩基板；矩形晶片區，每一者由第一方向的邊及 垂直於第一方向之第二方向的邊所包圍；矩形第一校準標 0 記配置區，由第一方向的邊與第二方向的邊所包圍；矩形 第二校準標記配置區，由第一方向的邊與第二方向的邊所 包圍，及劃線區，其設置在矩形晶片區、矩形第一校準標 記配置區及矩形第二校準標記配置區周圍，其中矩形第一 校準標記配置區係於包括複數矩形晶片區之多晶片區的第 二方向經由劃線區鄰接一端部；矩形第二校準標記配置區 係於多晶片區的第二方向經由劃線區鄰接另一端部；矩形 第一校準標記配置區及矩形第二校準標記配置區各包含至 © 少配置於其中的校準標記；及矩形第一校準標記配置區的 第二方向之長度、矩形第二校準標記配置區的第二方向之 長度及劃線區的第二方向之長度的總和係等於或小於等矩 _ 形晶片區的每一者的第二方向之該等邊的每一者的長度。 再者，當使用上述投影曝光設備之光罩來實施曝光時 ’依據本發明之曝光方法將晶片區、第一校準標記配置區 及第二校準標記配置區同時圖案化在晶圓上。 依據本發明’藉由將具有晶片區的一半的尺寸之校準 標sH配置區配置在投影曝光設備之光罩中之多晶片區的二 200947109 邊，高準確校準變可能，其容許半導體晶片的微型化。再 者，劃線不具校準標記且無程序控制模組（PCM )配置其 中，且因此，劃線區的寬度可變更小。因此，可於小晶片 或長晶片的配置而增加每一晶圓之晶片的數量。 【實施方式】 以下將說明本發明的較佳實施例。 圖1係用於依據本發明的第一實施例之投影曝光設備 之光罩的平面圖。光罩基板1〇0係以諸如合成石英之透明 低膨脹材料所形成，以及圖案係藉由使用例如氧化鉻的遮 光膜而形成在其一表面上。通常，當使用時，附著有氧化 鉻膜之光罩基板100的表面係以保護用薄膜（圖1中省略 )所覆蓋。 通常，於投影曝光方法，光罩上之圖案的尺寸不同於 轉移至晶圓上之圖案的尺寸。經常使用1/5的縮小倍率。 倍率意指，如果光罩上之圖案的尺寸例如爲ΙΟΟμηι，轉移 至晶圓上之圖案的尺寸縮至2 Ομιη。於以下說明，所有尺 寸係轉移至晶圓上之圖案的尺寸。 長度位於第一方向（Υ向）之Ν個晶片區1係於第二 方向（X向）形成在光罩基板100的一表面上以形成多晶 片區2。晶片區1係由第一方向（Υ向）的二邊及第二方 向（X向）的二邊所包圍之矩形，以及劃線區3係配置在 其周圍。劃線區3的寬度通常是1 ΙΟμπι，較佳是1至 40μπι。於圖1所不的實施例，劃線區3的寬度係設爲 有校準標記且沒有測試元件組圖 )被置在其中。校準標記及TEG 膜或氮化矽膜的相對硬膜或諸如 在矽基板上所形成。當晶片係藉 校準標記之劃線區切割而相互分 之堆疊膜的剝落、晶片破裂的發 之問題產生。然而，依據本發明 線上’且因此适些問題可被解決 準標記配置在其中，且因此劃線 校準標記的限制。目前，於大部 片時（切割時），切割鋸被使用 中的可能破裂，劃線區的寬度需 ，如果使用由隱形切割代表的雷 寬度可製作得極小，且甚至小於 此，可使劃線的寬度相對於晶片 的比，晶片的配置效率被改善， 數量增加。 區1係配置有劃線區3於其間， 接該相鄰晶片區1之晶片區1係 以此方式，光罩基板100具有最 置在其上。於投影曝光方法，一 罩基板100之圖案區增加，晶圓 此，生產效率因而增加，藉此試 200947109 2 0 μ m，以及劃線區3沒 案（以下稱爲TEG圖案 圖案係藉由將諸如氧化矽 金屬膜之彈性材料而堆疊 由使用切割鋸沿著形成有 開時，諸如形成校準標記 生及切割刀片的壽命縮短 Q ，校準標記並未配置於劃 〇 再者，劃線區沒有校 區可製作得更窄而不必受 份情況，當晶圓被分成晶 。考慮到切割邊緣及晶片 要爲至少約50μιη。然而 射之方法被使用，劃線的 φ 50μιη的寬度變可能。因 的寬度的比小於習知例子 . 以及每一晶圓中的晶片的 晶片區1及相鄰晶片 以及該相鄰晶片區1及鄰 配置有劃線區3於其間。 大可能數量的晶片區1配 晶圓被曝光數次。隨著光 曝光之次數變更少，且因 -9- 200947109 圖配置最大可能數量的晶片區1。 第一校準標記配置區8係配置在藉由配置N個晶片 區1於第二方向（X向）而形成之多晶片區2的一端部（ 左端部），而劃線區3夾於第一校準標記配置區8及多晶 片區2之間。第一校準標記配置區8係由第一方向（γ向 )的二邊及第二方向（X向）的二邊所包圍之矩形。第一 校準標記配置區8的第一方向之邊長係相同如晶片區1的 第一方向之邊長，而第二方向之邊長係晶片區1的第二方 向之邊長的一半。再者，第二校準標記配置區9係配置在 多晶片區2的另一端部（右端部），而劃線區3夾於其間 。第二校準標記配置區9係由第一方向（Y向）的二邊及 第二方向（X向）的二邊所包圍之矩形。第二校準標記配 置區9的第一方向之邊長係相同如晶片區1的第一方向之 邊長，而第二方向之邊長係晶片區1的第二方向之邊長的 一半。 頂端劃線區6係配置在多晶片區2、第一校準標記配 置區8及第二校準標記配置區9的頂部，而底端劃線區7 係配置在多晶片區2、第一校準標記配置區8及第二校準 標記配置區9的底部。TEG圖案區11係配置在第二校準 標記配置區9的右側。TEG圖案區1 1係由劃線區3所包 圍，且係夾於第一片區13及第二片區14之間。TEG圖案 區11於第二方向（X向）的長度最好等於晶片區於第二 方向（X向）的長度。雖然未顯示於圖1，包括電晶體、 二極體、電阻器或類似者之TEG圖案係配置於TEG圖案 200947109 區11。應注意到’氧化鉻膜係形成在第—片區13及第二 片區14以使曝光用光不會通過其中。 接著’參照圖2說明使用上述光罩基板1〇〇使晶圓圖 案化之方法。於投影曝光方法，光罩上之圖案被縮小且轉 移’且因此，光罩上之100 mm xlOO nun的圖案區在晶圓上 縮小成20 mm χ20 mm的圖案區。晶圓因此在完成曝光前曝 光數次。於一曝光中圖案化之區稱爲拍攝（shot )。至於 Q 6吋晶圓’約60次的曝光拍攝被實施。於圖2，拍攝A( 16)、拍攝B(17)及拍攝C(18)被解說在晶圓21上 〇 於拍攝A(16)，多晶片區2、第一校準標記配置區 8、第二校準標記配置區9及劃線區3被配置，且相鄰的 拍攝A間沒有劃線區3。換言之，一拍攝中之第一校準標 記配置區8被形成以致使與相鄰拍攝中之第二校準標記配 置區9直接接觸。爲達到如上述此種配置，曝光係依據以 © 下步驟而實施。 首先，圖1所示之光罩係設置在投影曝光設備的光罩 - 台上。則，預定步進器程式被讀取，且轉移自裝載器之晶 圓係設在晶圓夾具上。步進器程式啓動，且校準（定位） 係使用光罩上的校準標記及晶圓上之校準標記而實施。在 此，光罩的邊上之校準標記及晶圓的邊上之校準標記係配 置在該拍攝的兩邊上，且因此，諸如平移分量、旋轉分量 及定標分量之拍攝的不當校準分量可被校正，以及高準確 校準變可能。如果僅第一校準標記配置區被設置而第二校 -11 - 200947109 準標記配置區未被設置，僅拍攝的平移分量可被校正，且 因此，需要高準確校準之情況不可能被適應。 依據揭示於日本專利先行公開申請案第2005 -283 609 號之本發明，唯一垂直線之校準標記係配置於光罩。於此 情況，旋轉分量及定標分量不可能校正，且因此，校準的 準確度不能被改善，其需要大校準容許度。因此，半導體 晶片不能被小型化，以及每一晶圓中之晶片的數量減小。

當完成校準時，僅光罩上將被圖案化之區係由分別位 Q 在頂部與底部以及右側及左側之四片所包圍，且係以光罩 射而將僅未以該等片覆蓋之部份的圖案而轉移至晶圓上。 當完成曝光時，晶圓被移至下一拍攝位置，以及校準及曝 光被重複。當完成整個晶圓的曝光時，晶圓被卸載且移至 下一步驟。 上述說明已提供採用晶粒接著晶粒（die-by-die )系 統之例子，然而亦有在晶圓表面內以複數拍攝實施校準之 後才重複晶圓的曝光及移動之另一系統。於圖2所示之配 〇 置的例子，首先，使四片片包圍光罩上的區，以使左片係 位在第一校準標記配置區8的左側，右片位在第二校準標 _ 記配置區9的右側（於第一片區1 3 )，頂片係位在頂端 劃線區6的頂部，以及底片係位在底端劃線區7的底部， 且以光照射該區。當晶圓移動在並列相鄰的拍攝之間而被 曝光時，晶圓被移動以使第一校準標記配置區8的左端及 第二校準標記配置區9的右端被致使相互接觸。再者，當 晶圓移動在垂直相鄰的拍攝之間而被曝光時，晶圓被移動 -12- 200947109 以使頂端劃線區6及底端劃線區7相互重疊，且因此，具 有20μιη的寬度之劃線區係形成在垂直相鄰的拍攝之間。 於圖2所述之拍攝Β(17)，僅TEG圖案區被圖案 化。光罩上之區被包圍以使左片係位於第一片區13，右 片係位於第二片區1 4，頂片係位在頂端劃線區6的頂部 ，以及底片係位在底端劃線區7的底部，且以光照射該區 。以相鄰拍攝共用劃線區。拍攝C(18)稱爲不具晶片且 〇 無TEG形成其中之虛擬拍攝。應注意到，形成該等拍攝 的順序可考慮處理期間及類似者而決定。 如上述，藉由使用圖1所述之光罩基板100而實施曝 光，高準確校準變可能，其可微型化半導體晶片。再者， 該等劃線不具校準標記且無程序控制模組（PCM )配置其 中，且因此，劃線區的寬度可變小。因此，當小晶片或長 晶片被配置時，可增加每一晶圓中之晶片的數量。 於上述說明，已說明校準標記配置區於第二方向的長 II 度恰是晶片區於第二方向的長度的一半之實施例，而本發 明未受限於此，以及校準標記配置區於第二方向的長度可 . 以是小於晶片區於第二方向的長度的一半。當採用如上述 之此種配置時，分割晶片的間距是不一致，而晶圓上的校 準標記配置區所佔有之面積變更小，且每一晶圓之晶片的 數量因而增加。 圖3係用於依據本發明的第二實施例之投影曝光設備 之光罩的平面圖。 圖3所示的光罩不同於圖1所示的光罩，在於，左端 -13- 200947109 劃線區4係配置在第一校準標記配置區8的左側，而右端 劃線區5係配置在第二校準標記配置區9的右側，以使第 一校準標記配置區8於第二方向的長度、第二校準標記配 置區9於第二方向的長度及劃線區於第二方向的長度的總 和（劃線的寬度）係相同如晶片區1於第二方向的長度。 應注意到，第一校準標記配置區8於第二方向的長度可以 ^ 是不同於第二校準標記配置區9於第二方向的長度，且較 佳是相同的，因爲其二者具有相似校準標記1〇配置其中 © 。更特別地，當晶片區於第二方向的長度例如，是200μηι 時，如果劃線區於第二方向的長度是20μηι，則第一校準 標記配置區於第二方向的長度及第二校準標記配置區於第 二方向的長度係90 μηι。 於第二實施例，已說明該二校準標記配置區於第二方 向的長度及劃線區於第二方向的長度的總和係相同如晶片 區於第二方向的長度之例子，而本發明未受限於此，以及 該三長度的總和可以是小於晶片區於第二方向的長度。當 〇 採用如上述的此種架構時，分割晶片的間距是不一致，而 晶圓上的校準標記配置區所佔有之面積變更小，且每一晶 圓之晶片的數量因而增加。 使用圖3所述的光罩基板使晶圓圖案化的方法係相似 於使用圖1所述之光罩基板使晶圓圖案化的方法，而於配 置相鄰的拍攝Α(16)的方法有某一程度的不同。雖然於 圖1所述的光罩基板，拍攝中的第一校準標記配置區8係 配置成被致使與相鄰拍攝中的第二校準標記配置區9直接 -14- 200947109 接觸’於圖3所述之光罩基板，曝光被完成以使拍攝中的 第一校準標記配置區8及相鄰拍攝中的第二校準標記配置 區9共用一劃線區，且使得左端劃線區4及右端劃線區5 相互重疊。使其可能沿著劃線區分開第一校準標記配置區 8及第二校準標記配置區9’其而後方便於分析或類似者 〇 當使用圖3所述的光罩時，如圖2所述之配置可被實 0 現，而如圖6所示的配置亦可被實現。 於圖6，在晶圓21上已解說拍攝A(16)、拍攝C( 18)、拍攝D(19)及拍攝E(20)。於拍攝A(16)， 多晶片區2、第一校準標記配置區8、第二校準標記配置 區9及劃線區3被配置。於拍攝D(19)，除了多晶片區 2、第一校準標記配置區8、第二校準標記配置區9及劃 線區3以外，TEG圖案區11亦被配置。圖6的斜陰影部 表示包括於拍攝D(19)之TEG圖案區。拍攝E(20)的 Ο 右側之端係與拍攝E(20)上與下方之拍攝A(16)的右 側之端校準。以此方式，即使有TEG圖案區，不具該等 - 拍攝所形成之晶格的位移之簡單配置可被實現。 圖4係用於依據本發明的第三實施例之投影曝光設備 之光罩的平面圖。 圖4所不之光罩不同於圖1所示的光罩，其在於，二 晶片區係配置於第一方向。第一校準標記配置區8係垂直 分爲二，第二校準標記配置區9係垂直分爲二，且相同地 ’ TEG圖案區11係垂直分爲二。劃線區3亦形成在係垂 -15- 200947109 直分爲二的區之間。此去除氧化矽膜、氮化矽膜、金屬膜 或類似物，其係於相互分開的晶片之部份的該等晶片之阻 礙，且因此，平順的晶片分離變可能。更特別地，當相互 分離該等晶片時’可防止晶片中的破裂及膜的剝落，可增 加每一晶圓中之晶片的數量，且再者，可實施高準確校準 。於圖4，已說明該等晶片配置於2χΝ之例子，而甚至於 — 其邊長在第一方向仍是更小且以ΜχΝ的晶格而配置在光 罩基板上之小晶片的例子，相似於圖4所示的例子，校準 0 標記配置區及TEG圖案區可依據晶片區的分割而分割。 圖5係校準標記配置區8、9的詳細圖。除了用於檢 測X向及Υ向的不當校準之校準標記10以外，用於諸如 游標的重疊量測之圖案15亦可被包括於校準標記配置區 ，且如果有足夠空間，另一標記及類似者可被配置於其中 〇 【圖式簡單說明】 © 圖1係用於依據本發明的第一實施例之投影曝光設備 之光罩的平面圖； _ 圖2解說使用光罩而形成圖案之晶圓； 圖3係用於依據本發明的第二實施例之投影曝光設備 之光罩的平面圖； 圖4係用於依據本發明的第三實施例之投影曝光設備 之光罩的平面圖； 圖5係依據本發明之校準標記配置區的詳細圖； -16- 200947109 圖6解說使用光罩而形成圖案之晶圓 【主要元件符號說明】 TEG :測試元件組 PCM :程序控制模組 1 · 晶片區 2 :多晶片區 Q 3 :劃線區 4 :左端劃線區 5 :右端劃線區 6 :頂端劃線區 7 :底端劃線區 8:第一校準標記配置區 9:第二校準標記配置區 1 0 :校準標記 〇 1 1 : TEG圖案區 13 :第一片區 . 14 :第二片區 15 :圖案

16 :拍攝A

17 :拍攝B

18 :拍攝C 1 9 :拍攝D 20 :拍攝E -17- 200947109 21 :晶圓 100 :光罩基板

Claims (1)

1. 200947109 七、申請專利範圍： 1.一種投影曝光設備之光罩，包含： 光罩基板； 矩形晶片區，其配置在該光罩基板的表面上，且每一 矩形晶片區由第一方向的邊及垂直於該第一方向之第二方 ' 向的邊所包圍； 矩形第一校準標記配置區，其配置在該表面上且由該 0 第一方向的邊與該第二方向的邊所包圍； 矩形第二校準標記配置區，其配置在該表面上且由該 第一方向的邊與該第二方向的邊所包圍； 第一劃線區，其設置在該等矩形晶片區周圍；及 第二劃線區，其分別設置成鄰接該矩形第一校準標記 配置區的該第二方向之該等邊，且鄰接該矩形第二校準標 記配置區的該第二方向之該等邊，其中 該矩形第一校準標記配置區係於包括複數該矩形晶片 區之多晶片區的該第二方向經由該一劃線區鄰接一端部 » . 該矩形第二校準標記配置區係於該多晶片區的該第二 方向經由該第一劃線區鄰接另一端部； 該矩形第一校準標記配置區及該矩形第二校準標記配 置區各包含至少配置於其中的校準標記；及 該矩形第一校準標記配置區的第二方向之該等邊的每 一者的長度及該矩形第二校準標記配置區的第二方向之該 等邊的每一者的長度的總和係等於或小於該等矩形晶片區 -19- 200947109 的每一者的第二方向之該等邊的每一者的長度。 2. 如申請專利範圍第1項的投影曝光設備之光罩，其 中該多晶片區包含該等晶片區於以晶格配置之複數列與行 中。 3. 如申請專利範圍第1項的投影曝光設備之光罩，其 中該第一劃線區未包含校準標記及測試元件組圖案配置其 中。 4. 如申請專利範圍第1項的投影曝光設備之光罩，其 Q 中除了該校準標記以外，該矩形第一校準標記配置區及該 矩形第二校準標記配置區各包含形成其中的用於重疊量測 之圖案。 5 ·如申請專利範圍第1項的投影曝光設備之光罩，其 中該第二劃線區具有1至40 μπι的範圍之寬度。 6·如申請專利範圍第1項的投影曝光設備之光罩，另 包含具有該第二方向的長度之測試元件組圖案區在相同光 罩基板上，該長度等於該等矩形晶片區的每一者的第二方 〇 向之該等邊的每一者的長度。 7.—種投影曝光設備之光罩，包含： . 光罩基板； 矩形晶片區，其配置在該光罩基板的表面上，且每一 者由第一方向的邊及垂直於該第一方向之第二方向的邊所 包圍； 矩形第一校準標記配置區，其配置在該表面上且由該 第一方向的邊與該第二方向的邊所包圍； -20- 200947109 矩形第二校準標記配置區，其配置在該表面上且由該 第一方向的邊與該第二方向的邊所包圍：及 劃線區，其設置在該等矩形晶片區、該矩形第一校準 標記配置區及該矩形第二校準標記配置區的周圍， 其中 ' 該矩形第一校準標記配置區係於包括複數該矩形晶片 區之多晶片區的該第二方向經由該第一劃線區鄰接一端部 0 該矩形第二校準標記配置區係於該多晶片區的該第二 方向經由該第二劃線區鄰接另一端部： 該矩形第一校準標記配置區及該矩形第二校準標記配 置區各包含至少配置於其中的校準標記；及 該矩形第一校準標記配置區的第二方向之該等邊的每 一者的長度、該矩形第二校準標記配置區的第二方向之該 等邊的每一者的長度及該劃線區的第二方向之長度的總和 〇 係等於或小於該等矩形晶片區的每一者的第二方向之該等 邊的每一者的長度。 . 8 .如申請專利範圍第7項的投影曝光設備之光罩，其 - 中該多晶片區包含該等晶片區於以晶格配置之複數列與行 中。 9.如申請專利範圍第7項的投影曝光設備之光罩，其 中該劃線區未包含校準標記及測試元件組圖案配置其中。 1 0 ·如申請專利範圍第7項的投影曝光設備之光罩， 其中除了該校準標記以外，該矩形第一校準標記配置區及 -21 - 200947109 該矩形第二校準標記配置區各包含形成其中的用於重疊量 測之圖案。 11·如申請專利範圍第7項的投影曝光設備之光罩， 其中該劃線區具有1至40μηι的範圍之寬度。 12. 如申請專利範圍第7項的投影曝光設備之光罩， 另包含具有該第二方向的長度之測試元件組圖案區在相同 光罩基板上’該長度等於該等矩形晶片區的每一者的第二 方向之該等邊的每一者的長度。 13. —種投影曝光設備之光罩，包含： 光罩基板； 多晶片區，其藉由將具有第一方向的邊及第二方向的 邊之矩形晶片區與分別配置在該矩形晶片區的該四邊周圍 之劃線區重複地配置在該光罩基板上而形成； 矩形第一校準標記配置區，其係經由該等劃線區的一 者配置在該多晶片區的一端部外側，且具有該第一方向的 邊及該第二方向的邊； 矩形第二校準標記配置區，其係經由該等劃線區的另 一者配置在該多晶片區的另一端部外側，且具有該第一方 向的邊及該第二方向的邊，其中 該矩形第一校準標記配置區及該矩形第二校準標記配 置區各包含至少配置於其中的校準標記；及 該矩形第一校準標記配置區的第二方向之該等邊的每 一者的長度及該矩形第二校準標記配置區的第二方向之該 等邊的每一者的長度的總和係等於或小於該等矩形晶片區 -22- 200947109 的第二方向之該等邊的每一者的長度。 14. 一種投影曝光設備之光罩，包含： 光罩基板； 多晶片區，其藉由將具有第一方向的邊及第 邊之矩形晶片區與分別配置在該矩形晶片區的該 之第一劃線區重複地配置在該光罩基板上而形成 矩形第一校準標記配置區，其係經由該等第 0 的一者配置在該多晶片區的一端部外側，且具有 向的邊及該第二方向的邊； 第二劃線區，其配置在該矩形第一校準標記 側； 矩形第二校準標記配置區，其係經由該等第 的另一者配置在該多晶片區的另一端部外側，且 一方向的邊及該第二方向的邊；及 第三劃線區，其配置在該矩形第二校準標記 Θ 側，其在該第二方向的長度等於該第二劃線區在 向的長度，其中 . 該矩形第一校準標記配置區及該矩形第二校 • 置區各包含至少配置於其中的校準標記；及 該矩形第一校準標記配置區的第二方向之該 一者的長度、該矩形第二校準標記配置區的第二 等邊的每一者的長度及該第二劃線區與該第三劃 者的第二方向之長度的總和係等於或小於該矩形 第二方向之該等邊的每一者的長度。 二方向的 四邊周圍 > 一劃線區 該第一方 配置區外 一劃線區 具有該第 配置區外 該第二方 準標記配 等邊的每 方向之該 線區的一 晶片區的 -23- 200947109 15_—種曝光方法，其使用依據申請專利範圍第1項 的投影曝光設備之光罩，該方法包含： 使該矩形晶片區、該矩形第一校準標記配置區及該矩 形桌一校準標配置區同時在晶圓上圖案化。 16.—種曝光方法，其使用依據申請專利範圍第2項 的投影曝光設備之光罩，該方法包含： 使該矩形晶片區、該矩形第一校準標記配置區及該矩 形第二校準標記配置區同時在晶圓上圖案化。 0 ❹ -24-