TW200946267A - Process of making metal nanoparticles - Google Patents

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200946267 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種製造金屬奈米顆粒之方法。 本發明根據35 USC §119(e)之規定主張2007年12月21曰 申凊之美國專利申請案號11/962,688之優先權，其全文以 引用方式併入本文中。 【先前技術】 奈米級顆粒係為人所熟知的。在多種產品諸如塗料、墨 水、醫藥、治療製劑及化妝品中係利用奈米級顆粒之性質 並且令其作為諸如熱塑性塑料及熱固性材料之基質材料之 添加劑。由於表面上之原子相對於材料中之原子總數之極 大百分比，奈米顆粒可另外具有獨特或有效之尺寸相依性 質，該等性質係不同於彼等相同組合物之塊狀材料者。 吾人特別感興趣者係可調配入（例如）用於電子工業應用 之導電性墨水及塗料之金屬奈米顆粒。雖然已知多種用於 製造金屬奈米顆粒之方法，但仍對更有效率及更具成本效 益之方法存有需求。 【發明内容】 根據本發明方法，第一金屬之奈米顆粒係由含有第一金 屬及第一金屬之液態熔融物製成，將熔融物退火以形成固 體。自@體選擇性地移除第二金屬以形成第—金屬之奈米 顆粒。在隨後可選步驟中，可收集奈米顆粒及/或（例如）以 材料塗覆以防止結塊及/或提高流體中之分散性。 熔融物之組分至少包括兩種不同之金屬，其較佳係形成 137218.doc 200946267 一溶液或流體合金或在退火之前以液態熔融物狀態以及在 退火後以固態均勻地分散。當自液態熔融物狀態退火後， 吾人獲得一固體，其可接著進行第二金屬之移除以便產生 由第一金屬之奈米顆粒組成的粉末。退火至低於8〇«C之 溫度係較佳的，更佳係低於5(rc ’並且最佳係低於4(rc。 退火步驟較佳係非$迅速地，例如，以每秒大於1 OOOt之 速率執行，並且較佳係在退火後足夠快地以防止組分過度 相分離。在-實施例中，在退火後立即執行遞渡。 大多數情況下，藉由溶解第二金屬於瀝濾劑中以選擇性 地自固體移除第二金屬而留下第一金屬之奈米顆粒。 在-說明性實施例中，熔融物之組分形成銀及銘之熔融 溶液。較佳地，銀係小於溶融物之8〇重量％，更佳係小於 熔融物之60重量％，並且最佳係小於溶融物之5〇重量％。 ^敎之固體中，藉由溶解㈣含水氫氧化物瀝遽劑諸 如風氧化鈉或氬氧化鉀中以選擇 ❹ 粒。 、释性移除鋁而留下銀奈米顆 【實施方式】 此處❹之術語「奈米肋」 粒之至少—維係切半…# 種顆粒.其中該顆 哗係_人楗未及/或該顆粒之至 於彼等相同組合物之塊狀材料I 丨生質係不同 ^㈣㈣者°此處使用之「夺^ 末」、「奈米顆粒「争乎 十、泰 粉末或顆粒及苴灿絲7 4 > 」乂 -人微水」 “他類似術語可與術語「 根據本發明方半裉士、人士 s 不木顆粒」互換。 選擇組分以便形出卜^ 種金屬之液態熔融物。 使七成熔融溶液，即，装由 1其中金屬係形成均句混 1372I8.doc 200946267 合物或係均勻分散。可選擇金屬之組合物以便相對於個別 組分之熔融溫度而降低組合物之熔融溫度。例如，在共熔 點上或接近共熔點之共熔混合物將具有低於任何一種純金 屬的熔點。 接著令熔融物退火1㈣速地退火至足夠低的溫度將 金屬組分冷;束成均勻或精細結構之㈣^將固體保持在足 夠低的溫度下可防止或限制材料結構中之其他變化。退火 之比速率、最終溫度及最終溫度延續時間可影響均勾性或 奈米材料之結構，領域尺寸及其他固體結構性質。 接著，優先自固體移除固體之第二金屬，較佳係在材料 結構演變’諸如相分離之前進行。剩餘第—金屬具有奈米 顆粒或含有具期望組成之奈米顆粒之成團粉末形式。 亦可將第二金屬及任何其他最終自退火期間所形成的固 體中移除之组份稱為「基質」材料。通常藉由在一種稱為 「瀝濾劑」之材料中溶解而將基質材料自固體 。 溶融物之金屬組分可包含元素金屬，或自金屬氧化物、 金屬硫化物、金屬氮化物、金屬^物、金屬鹽及 物提供之金屬。金屬可選自包含，但不限於始、銀：金、 銀、鋁、鎂、鈀、鉑、铑、釕、鈦、蛾、銶、銅、鎳、 鈷、鐵、銦、錫、辞、鈥、硼及其組合之群。 可以不同形式提供原料’其中該等形式包括，但不限於 丸、薄片或塊或可在自較大形式切斷、 後提供。原料之純度可高或低，苴取f冑磨或細碎 ，、夬於最終產品之期望 組成及純度並且取決於應用。原料 μ 、、晶體、半結晶、 137218.doc 200946267 或非晶體形式提供。 選擇基質材料（第二金属）及瀝遽劑以使基質材料可自經 退火之固體中移除而無顯著移除期望之奈米顆粒。基質材 料之非限制性實例係氫氧化物可溶之金屬諸如鋁、鎂或 # °在此等情況中，令經熔融退火之固體暴露於-適合液 . 態虱氧化物製劑，諸如氫氧化鉀或氫氧化鈉中，並且可溶 基質材料因此自固體濾出。基質材料之其他非限制性實例 〇 &含酸溶性11體諸如鎮、減辞，其接著暴露於酸性液體 中以達瀝濾目的；或者水溶性鹽諸如、Kci或MgCi， 其隨後溶於水，因此留下期望之奈米顆粒。 在較佳實施例中，選擇鋁作為氫氧化物可溶之基質材 料，同時選擇銀及銅或者單獨選擇銀作為第一金屬，其將 產生具有高銀含量之粉末β鋁、銀及銅組分係以丸狀形式 提供，其具有高於99.9¾之純度並且係接著經處理以形成 具有期望重量比之熔融混合物。較佳熔融組合物係<8〇重 〇 量％ Ag，更佳係<60重量％ Ag，甚至更佳係<50重量％ Ag。 初始材料之期望用量可藉由重量、體積或任何其他提供 組分之期望比率的可接受方法量得。用於熔融物成形之最 低溫度係取決於其精確組成並且係在製程之操作壓力及條 件下由經選擇組分之溫度-組成相圖決定。動力學效應亦 可影響組分或溶融物之熔融行為。 在熔融之前乾混該等組分及/或在熔融後混合之。其可 刀別導入或成群導入溶融谷器中，或者其可在已呈溶融狀 137218.doc 200946267 Π =器中。其亦可在單批或者連續鎢造步驟中預先 形錢體溶液或者合金（例如）以達提供期望之形狀或尺寸 以在該製程之㈣步驟前容易操作或儲存之目的。 為獲得溶融物，藉由休打σ< —、 错由任何已知手段將容器加熱至期望的 炼融溫度，例如藉出封^ 、 " ,、，、、輻射、紅外輻射、電氣構 件、感應等等之源。熔融步驟之溫度係T>Tm，其"瓜係 合金組合物之熔點’其根據合金中之組分的相圖。 熔融可以批次或連續製程執行。㈣物可根據所需時間 保持在熔融狀態，並且亦可混合之讀確保組分之良好分 散。混合可藉由機械搜拌，或超音波或振動或其他能量之 知用’例如藉由機械分散劑、機械均f器、超音波均質 機、搖擺容器或任何其他已知構件或其組合執行。在此能 樣中，選自（但不限於）轉子' 定子；擴散元件或螺旋混合 設備之構件係有效的。若執行足夠之預混合步驟，可能不 需要在溶融容器中進一步混合。在組分將另外經過非期望 之化學變化諸如氧化之情況下，吾人期望在惰性環境中執 仃炼融及:¾合步冑。熔融及任何混合皆應以不允許炫融物 冷卻至熔融溫度以下之方式執行。 在熔融物形成後，將熔融體退火。通常，但並不排他 地，經退火材料之最後狀態將為固體。可在批次或連續製 程中藉由直接浸潰或將熔融材料沉積至介質中或之上的方 式執行退火，其中該介質顯著比熔融物更冷，其包括經冷 卻之固體表面、流體、氣體、氣溶膠或霧。例如，可使用 經冷卻之液體諸如水、醇、液態氮或其他冷凍液體。在退 137218.doc -10- 200946267 火之後，材料形式可包括棒、小珠、條'帶材、條帶或任 何其他固體形式。在較佳實施例中’熔融物係直接沉積在 具有高導熱率及熱容之經冷卻之旋轉輪或移動板。較佳退 火溫度係T(退火）<Τ(瀝遽）。具體而言，τ(退火）<8〇。匚， 更佳係<50 C ’甚至更佳係<40°C。如以下實例中所顯示 般’已使用藉由液態氮内部冷卻之退火輪完成退火，在該 情況下，T(退火）接近液態氮之溫度。或者，熔融物可直 接退火至流體、氣體或其他負責或幫助移除基質材料之介 質中 金屬熔融物之退火通常係以退火速率> 1 〇〇〇。(〕/秒發生。 可以約106°c/sec之更高退火速率獲得非晶體組合物。經退 火之固體可係非晶體的，然而其不是必需的。或者，例 如，具有奈米級相分離區域之固體分散物可能亦足夠。此 外，退火至超飽和非非晶體固態之炼融物亦可產生適當固 體以用於隨後之瀝濾。 〇 退火步驟之後，將基質材料自固體中移除。基質材料可 藉由化學或物理手段，或其組合方式移除。可使用氣相、 液相或固相方法或其組合除去基質材料。例如，基質之移 •除可藉由方法諸如（但不限於）昇華、反應形成氣體、溶解 化、溶解、化學或電㈣刻、喷砂、擴散、磁性或電遷移 或任何其他移除手段之方法達成。 在一較佳實施财，基質係藉由關移除，並且經選擇 之遞濾'介質係對基質之移除具獨特性。偏好以液體遞慮劑 作為瀝攄介質。經退火之固體係藉由浸潰或舆遞滤介賢在 137218.doc 200946267

規定溫度下接觸規定時間量進行瀝濾。瀝濾製程可係批次 或連續的，並且可在關閉或開放反應器或容器中執行。遞 濾介質可處於室溫下或可經冷卻或加熱，取決於瀝渡製程 之期望動力學。可在製程期間更新或補充瀝濾介質。額外 之遞濾步驟對一些金屬混合物而言可係必需的，以便改善 所得粉末的純度。瀝濾不僅可移除整個材料之第二相諸 如大體上純A1基質，亦可自材料之第二相中移除金屬含 量，諸如藉由自材料富含Ag相中移除乂含量。瀝濾製程可 有或無混合、施用外部能量及/或添加添加劑地進行。 瀝濾介質之本質係取決於欲自經退火之材料瀝濾出之元 素或化合物。較佳地，經選擇之瀝濾劑提供基質材料之急 速移除。對於銀-鋁（Ag_A1)或銀_銅_鋁（Ag_Cu_Ai)混合物 (其中瀝濾出A1而留下Ag或Ag_Cu奈米顆粒）的情況，適合 的瀝濾劑係含水氫氧化物溶液或酸性水溶液。最佳係 〇 或Na〇H。瀝濾濃度、製程溫度及接觸時間可經選擇以使 幾近所有基質皆快速溶解，並且獲得具有期望之平均粒徑 的顆粒。較佳瀝遽時間係<24小時，更佳係、q 2小時。如下 例3中所說明般，短如45分鐘或甚至更短之瀝滤時間在一 些情況下可能係最佳的。瀝濾溫度係在2〇。匸之間。 氫氧化物對鋁之莫耳比通常係…。用於瀝濾劑之氫氧化 納的較佳》辰度係在〗〇_55 w/w%之範圍内。 在不米卷末中可瀝濾基質組份的剩餘 製程之參數控制。依此方式，所得顆粒中可隨= 可從如在摻雜顆粒中般之顯著量變化至僅為可瀝遽㈣ 137218.doc -12- 200946267 極小量。連續«步驟可幫助所得粉末達到>99%之極高 純度。若瀝渡暴露時間過長，或者㈣劑之濃度高或不控 制溫度，則反應可μ地產生具有高於期望平均粒徑之顆 粒。 基質材料溶解化之後，殘餘粉末可藉由任何適當分離方 法諸如料、傾析、離心作用或其他分離方法自瀝滤介質

❹ 中刀離視萬要1 ,月洗或洗滌粉末並且接著藉由其他手 段篩選或楝選之。 亦可自低純度原料形成高純度奈米顆粒。例如，含有雜 質之第-材料係與第二材料混合並且令其處於第一及第二 材料熔融但雜質不熔之溫度下。在炫融時過遽混合物以便 分離出雜質，並且接著使剩餘材料退火，然後如先前所描 述般處理或《之以便移除該（等）基質組分。或者，雜質 隨其他組分-祕融並且在退火後溶於瀝遽劑中。 根據任何如上所述方法，所得粉末通常係由成團形式之 奈米顆粒組成，其中術語「成團」係指藉由低於材料強度 之力固持在-起之個別顆粒之群，例如網狀物或團簇。 在許多應用中，成團奈米顆粒係適用的而不需額外製程 步驟解聚集之。然"於-些應用，諸如墨喷墨水，顆 粒之解聚集作用及穩定分散可能係f要的。料某些產品 及應用’解聚集作用可能係不必需的，但當可忽略成團 時，其性質通常係獲得顯著改善。依此方式，充分利用奈 1粒提供之效應。為獲得個別或團塊顆粒，本發财所 …寻的私末可在有或無額外調配物組分的存在下進行後續 137218.doc -13· 200946267 解聚集製程。 可處理藉由該方法所 (j! ]. 之不、米顆粒以改變立表面性質 (例如）以促進分散或解聚 《變，、表面I·生貝 塗層材料塗覆阑抬 在—些情況下，首先以 刊竹a復圏塊。所施加 界面活性劑金層材料可係有機物’諸如 次其可係無機物。或社 需另-預塗覆步驟。而且，夺=塊了解I而不 ^ ^ 不' 木顆拉團塊上之塗層可就地 «烕仔到，例如藉由 層材料可藉由離早、 或其他技術合成。塗 ο ^ . 共價或氫結合機制，或其他聯結手段 與成團顆粒聯結。亦可 % ^ 丌了形成内核—外殼結構，其中奈米顆 粒包括核心材料。 用於成團化顆粒之塗覆 趸復方去了係濕法或乾法。塗覆方法 :例l括(但不限於)噴塗、旋塗及浸潰塗覆，並且其包 '、覆方法及組合物諸如彼等美國專利申請案號2_ 785中柄述者。若藉由濕法塗覆’塗層材料之液體載 體隨後可藉由蒸發、真空、加熱或其他手段乾燥。 ❹ 。可借助製程設備諸如(但不限於)高剪切混合器、均質 器犧磨機、噴射礙磨機、超音波設備或微射流均質機執 行去聚集作用。奈米顆粒之去聚集亦可在與期望調配物之 其他、’且伤諸如低黏度流體或高黏度糊之組份的混合步驟期 間執仃。調配物中組分之混合可藉由不同實驗室或工業混 合設備諸如搖動器、磁石㈣II、均質器、超音波振盪 益、超音波探測振盪器、碾磨機、槳葉混合器、高剪切混 合器等等達成。可以實驗室規模或工業規模執行該設備之 混合。 137218.doc •14· 200946267 在一些情況下，當使用相同初始合金組合物時，使用目 前方法所獲得之平均粒徑可小於藉由先前技術方法所獲得 者0

經由此方法獲得之顆粒之至少一維具有次微米範圍之特 徵長度’通常（但不排他地）係1〇〇 nm或更小。如圖1所示 般’經由透射式電子顯微術（TEM)已觀測到藉由此方法生 產之銀奈米顆粒在瀝濾出鋁基質之後係成團但相當圓。個 別顆粒具有比經由先前技術方法獲得之顆粒更小之平均粒 徑，其中在以相同瀝濾劑選擇溶解鋁基質之前，自非熔融 狀態冷卻相同初始Ag-Al合金組合物。 所獲得之顆粒的晶體結構可係單晶、多晶或不同結晶類 型之混合物。在足夠快速之退火條件下，亦可使用該方法 以產生非晶體（非晶質）結構，或具有顯著非晶體含量之結 構。 ’口 金屬奈米顆粒的特點之一係其燒結溫度低於該塊狀金 屬。此性質可用於微電子器件應时，例如在以銀奈米顆 粒調配的導電性墨水之情況中。可處理適合之銀奈米顆粒 調配物以在低於3W：之低溫下形成導電圖。依此方式， 圖案之形成方法係適合熱敏性基f ’包括許多先進電子組 件所期望之撓性基板。 '' 在溶劑仍存在或已除去溶劑後，奈米顆粒調配物之燒壯 或其他的物理或化學轉變係可藉由利用熱、微波、或紫夕; 光源，或任何其他觸發所期望轉 科式的予段之能量施用引 起0 137238.doc •15· 200946267 已藉由此方法生產之奈米顆粒可以原樣（乾粉末）或以調 配物形式使用。使用此專奈米顆粒製成之調配物可具有多 種形式，例如（但不限於）液體分散液或乳液，或黏稠凝 膠、乳霜、糊狀物或其他形態。具有分散奈米顆粒之固體 亦可藉由將顆粒混入聚合物、蠟或其他固體材料中製得。 通常，顆粒濃度可高達95重量％並且如期望般低。在一些 特殊情況中，已製得具有大於95重量％之顆粒的調配物。 黏度可由溶劑系統、添加劑及奈米粉末之濃度控制。

具有奈米顆粒之低黏度的非限制性實例係含有奈米-銀 顆粒之可噴射油墨墨水。具有奈米顆粒之高黏度系統之非 限制性實例係含有銀奈米顆粒並且用於形成導電性微電子 器件部件之可網版印刷糊狀物。 低黏度及高黏度奈米顆粒調配物可在基於水或有機溶 系統中，以及在極性或非極性系統中製得。亦可將奈米 粒併入基於溶劑之紫外線可固化單體及聚合物系統中。

可將奈米顆粒併入適於作為微電子器件應用之墨水及 料的調配物中。在其最終狀態中，墨水或塗料可具有導 性、非導電性、半導體或電介質功能。該等墨水或塗料 應用包含無線電頻率鑑別（RFID)圖譜、㈣電路、電磁 擾（職）屏蔽、感測器、電極、二極管、電晶體、電^ 盗、電容器及其他電子組件。或者或此外，可將此類墨; 或塗料用於多種其他制中，例如作為光伏打器件諸如; 陽能電池、發光二極體（LED)中，或用於電子紙、裝制 印刷或用於靜電控制’或因其磁性而用於㈣，或屏蔽^ 1372J8.doc •16- 200946267 作為電漿顯示器或液晶顯示器（LCD)上的密封，或者其他 應用。或者或此外，此類墨水或塗料可用於標記或標註。 多種應用亦可依靠由調配物中所存在之組分提供的輻射吸 收、熱靈敏度、鱗光或其他性質。 以奈米顆粒製成之塗料或墨水或組件可係不透明或透明 的。透明度可係重要的應用包括EMI屏蔽及電極，例如， 施用至產品諸如電漿顯示器、太陽能電池及觸控式螢幕。 Φ 奈米顆粒亦可（例如）用於醫藥及化妝品應用之調配物中 以及作為材料諸如熱塑塑料及熱固性材料，或纖維，包括 由電紡絲製成之纖維的添加劑。或者或此外，某些類型之 奈米顆粒的存在性可提供抗微生物性質或機械性質、電子 性質或治療性質之控制。 藉由下列非限制性實例說明本發明。 實例1 生產具有30重量％ Ag及70重量❶/。鋁之Ag_A1合金並且如 Φ 美國專利申請案號2006/0112785中所描寫般將其形成帶 材以NaOH預清潔部分帶材，稱量之並且放人直立管狀 掛禍爐中。接著將管狀掛塥爐放置在該爐的垂直外管内部 並且加熱至95(TC。選擇此溫度，因為其係高於根據合金 相圖所决疋所選擇組合物之熔點。亦偶爾並且短時間地將 氬氣通入内管頂端之進料口，直到溫度達到55(rc。存在 於内管底部之出口係安置在直徑近6〇 cm2旋轉銅輪正上 方~0.5-0.75 cm處，其中旋轉銅輪係利用液態氮供應冷卻 内部（「退火輪」）。退火輪之轉速係藉由外部馬達控制。 137218.doc -17- 200946267 將坩堝爐保持在期望之熔融溫度下達約3〇分鐘以便確保 混合物之所有部分皆處於熔融狀態。接著，將氬氣注入内 部掛瑪導管頂端。在退火步驟之前才將退火輪之速度升至 〜1100 rpm。熔融物之退火接著在熔融合金離開坩堝爐底 部之口時發生，並且其係沉積在旋轉冷卻退火輪上。 接著，將經退火之合金材料浸入含有25% Na〇H溶液之 瀝濾、槽中。NaOH係合適用於自經退火之材料瀝濾Μ組 分。瀝濾之期望溫度以及時間係取決於所使用之合金以及 所期望之奈米粉末性質。在此情況中，瀝濾槽係保持在 ◎ 40 C以下並且歷據時間係限制在小於24小時以便獲得最佳 小粒徑。 藉由立即將經退火之固體分程遞入瀝濾槽中以退火製程 連續執行瀝濾製程。或者，收集經退火之材料或將其分程 遞入另外瀝濾槽或瀝濾步驟中以便增加粉末純度或影響所 得奈米顆粒性質。 實例2 生產具有30重量％ Ag&7〇重量％ A1iAg_A1合金並且如 © 例1中所描寫般形成帶材。以NaOH預清潔部分帶材，稱量 之並且放入直立管狀坩堝爐中。接著，將管狀坩堝爐放入 爐之直立外側管内部並且加熱至85(rc。亦偶爾並且短時 間地將氬氣通入内管頂端的進料口 ，直到溫度達到 5 50C。存在於内管底部之出口係安置在退火輪正上方 〜0.5-0.75 cm處。 將坩堝爐保持在期望之熔融溫度下達約2〇分鐘以便確保 137218.doc -18- 200946267 混合物之所有部分皆處於熔融狀態。接著，將氬氣注入内 部坩堝導管頂端。在退火步驟之前才將退火輪之速度升至 〜450 rpm。熔融物之退火接著係在熔融合金離開坩堝爐底 部之口時發生，並且如例1般，其沉積在旋轉冷卻退火輪 上。經退火之材料形成厚度為30-100微米之條帶。如藉由 X射線繞射（XRD)確定之經退火條帶的結晶度係75-76%。 接著，在25°C下將經退火之合金材料浸入含有25% NaOH溶液之瀝濾槽中約24小時。收集殘餘粉末，在室溫 下以蒸餾水沖洗之，然後在真空條件中35°C下乾燥。接著 藉由XRD測試粉末並且發現其係>99%結晶體。 實例3 基本上係重複實例1，除了對於不同批次使用不同瀝濾 時間：45分鐘、90分鐘、180分鐘及24小時瀝濾。 遞濾時間較短時，藉由BET(Brunauer-Emmett-Teller)方 法所測量之經瀝濾粉末之表面積較大，顯示較短瀝濾時間 之較小粒徑。BET表面積數據如下： 遞滤時間 表面積(m2/gr) 45分鐘 12.4 90分鐘 9.0 180分鐘 6.6 24小時 1.6 在45分鐘、90分鐘及24小時之各瀝濾時間下所形成之奈 米顆粒係分別顯示在圖2-4之SEMs中。 【圖式簡單說明】 圖1係由本發明方法製造之銀奈米顆粒之穿透式電子顯 137218.doc -19- 200946267 微圖（TEM)。 圖2-4係由實例3由以 貝1 j 3中所說明之方法以不同瀝濾時間製造之 銀奈米顆粒之掃描電子顯微照相（SEMs)，圖2顯示在45分 鐘之瀝濾時間下形成之奈米顆粒。圖3顯示在9〇分鐘之瀝 濾時間下形成之奈米顆粗。圖4顯示在24小時之瀝濾時間 下形成的奈米顆粒。

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Claims (1)

1. 200946267 十、申請專利範圍： 1· 一種製造含有第一金屬之奈米顆粒之方法，其包括： a) 形成一含有該第一金屬及第二金屬之熔融物； b) 退火該熔融物以形成一固體；及 〇自該固體移除該第二金屬並且形成含有該第一金屬 之奈米顆粒。 ’ 2.如請求項，之方法’其進一步包括分離該等奈米顆粒。 ❹ 3’如：求項2之方法’其進一步包括塗覆該等奈米顆粒。 4·如明求項1之方法’其十該第二金屬之移除係藉由使該 金屬溶解於瀝濾、劑的方式執行。 5. 如請求項4之方法’其中該固體在退火前後係大體上均 勻的。 6. 如請求項5之方法，其中在該固體大體上均句時，自該 固體移除該第二金屬。 月求項1之方法’其中該熔融物含有於熔化狀態形成 一溶液之金屬。 8·如β求項1之方法’其中該第一金屬及該第二金屬係以 兀素金屬形式提供或藉由金屬氧化物、金屬硫化物、金 屬氮化物、金屬鹵化物、金屬鹽或其組合提供。 9·如凊求項8之方法，纟中該第一金屬或該第二金屬之金 屬係鉑、銥、金、銀、鋁、鎂、鈀、鉑、铑、釕、鈦、 鐵、鍊、銅、鎳、鈷、鐵、銦、錫、鋅、鈦、硼或其組 合〇 1如凊求項9之方法’其中該第一金屬之金屬組分係娘或 137218.doc 200946267 銀銅合金。 11. 12 13 14 15 16 17 18. 19. 20. 21. 22. 如凊求項丨之方法，其中該第二金屬係氫氧化物可溶 的。 .如β求項丨丨之方法，其中該第二金屬係鋁、鎂或鈣。 -如請求項1之方法，其中該第二金屬係藉由以氫氧化物 瀝漉移除。 •如明求項13之方法，其中該氫氧化物係氳氧化鈉或氫氧 化鉀。 士"月求項1之方法，其中該第一金屬係銀及該第二金屬 係鋁。 如請求項15之方法， %。 如請求項16之方法， %。 如請求項17之方法， %。 如請求項1之方法， 之溫度。 如請求項19之方法， 之溫度。 如請求項20之方法， 之溫度。 如請求項1之方法 1000。(：。 其中該銀係小於該熔融物之80重量 其中该銀係小於該熔融物之60重量 其中該銀係小於該熔融物之50重量 其中該熔融物係經退火至小於80t 其中該熔融物係經退火至小於50°C # 經退火至小於机 其中退火之逮率係大於每秒 137218.doc 200946267 七、 指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（1 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： (無元件符號說明） 八、 本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式： (無）

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