TW200941637A - Substrate structure and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

200941637 凡、贫明說明： '【發明所屬之技術領域】 ' 本發明係有關於一種半導體裝置及其製法，尤指一種 _ 基板結構及其製法。 【先前技術】 隨著電子產業的發達，現今的電子產品已趨向輕薄短 小與功能多樣化的方向設計，半導體封裝技術亦隨之開發 出不同的封裝型態，傳統半導體裝置主要係在一封裝基板 ❹（Package Substrate)或導線架（Lead Frame)上先裝置一 例如積體電路之半導體晶片，再將半導體晶片以打線方式 電性連接在該封裝基板或導線架上，接著以膠體進行封 裝。 然而自從IM公司在i960年早期引入覆晶封裝（Fi Chlp Package)技術以來，相較於打線（Wire B〇nd)技術， 覆晶技術之特徵在於採用一封裝基板來安置半導體晶 片，並於該封裝基板表面植置多數個成陣列排列之焊錫凸 ©塊（Solder bumps)與半導體晶片間電性連接，再於該封裝 基板與該半導體晶片間填入底膠，以加強機械性之連接。 由=者間之電性連接並非透過一般金線，且覆晶技術除 可提高封裝結構佈線密度，使相同單位面積上可以容納更 多輸入/輸出連接端（I/0 connecti〇n)以達高度集積化 Untegration)之效，亦可降低封裴結構整體尺寸，'達到 微型化（Miniaturization)的封裝需求’更因不需使用導 電路徑較細長之金線，以降低阻抗，而可提高電性功能。 110686 5 200941637 巩行覆晶技術之半導规

1;首先，如第u圖所- 請參閱第1A至iE _少一 f面形忐古、θ不，係提供一基板本體11，其至 ·>表㈣成有複數電性接觸墊η ,於該基板本體U及該些電性接觸塾二 且4防焊層12具有複數開孔12G以對應露出該電^ ，墊110 ’如第lc圖所示，接著 :: 性接觸塾m上形成有焊接材料13;如第 忒基板本體11上接置半 "丁 ； 具有雷㈣m “ 曰曰片 該半導體晶片14 ® 13 ，使該電極墊141電性連接該焊接材料 後…半導體晶片14電性連接該基板本體11 ;最 E圖所示，於該半導體晶片14與該防焊層12之 :二底藉以包覆該焊接材料13，並使該半導體 曰曰片14與基板本體11之間形成良好機械性連接。 往習知之封裝結構中’該底朦15之流動範圍往 半3=;;而造成該底膠15流動範圍擴大；若是該 於該基板本體11邊緣，或是該基板本體 :;裝二Γ:導“片14尺寸時，例㈣ ^ ， 1P S1Ze packase)，往往因底膠15漫流 =本體11内之基板單元邊緣，而於製造過程中使該 底膠15沾黏在生產治具上之情形，如此一來輕者必須 額外增加清潔生產治具之費用，重者使沾著底膝15之治 具運用至下-個基板本體時，造成基板本體不可沾著底膠 之表面沾著底膠15,使封裝結構可靠度下降，導致生產 成本增加之缺失。 110686 6 200941637 四此，如何提供一種基板結構得以防止溢膠情形發 -生’業已成為該產業界之重要課題。 -【發明内容】 鑑於上述習知技術之缺失，本發明之一目的係在於提 供一種基板結構及其製法，得以避免底膠溢膠情形發生。 本發明之一另目的係在於提供一種基板結構及其製 法，彳于以簡化流程並降低製造成本。 為達上述及其他目白勺，本發明揭露一種基板結構，係 譽包括.基板本體’至少一表面上設有複數電性接觸墊；以 及防焊層，係設於該基板本體及該些電性接觸t上，該防 焊層具有-經粗化之置晶區，且該置晶區中設有複數開 孔’以對應外露出該些電性接觸墊。 依上述、·’α構，復包括焊接材料，係設於該電性接觸聲 上，該焊接材料係為錫（Sn)、鉛（pb)、銀（Ag)、銅（cu)、 鋅㈤、銘（Bi)、錄（Ni)、把⑽及金（Au)所組成群組之 其中一者。 ❹ x依上述結構’復包括有導電凸塊，係設於該電性接 觸墊與焊接材料之間，該導電凸塊係為錫（㈤、錯（pb)、 銀（Ag)、銅（Cu)、鋅（Zn)、纽（Bi)、錄（Ni)、金（Au)、録 (sb)、錯⑺）、鎖（Mg)、姻（In)、碲（Te)以及鎵所組 群組之其中一者。 又依前述之各結構，復包括：半導體晶片，係具有複 電極塾且δ亥電極墊透過該焊接材料以電性連接該電性 接觸墊；以及底膠，係設於該半導體晶片與該防焊層的置 110686 7 200941637 sa L_ <「其中，该底膠係為高分子樹脂材料。 本發明復提供一種基板結構之製法，係包括 -基板本^於該基板本體至少—表面上形成有複數電性接 觸，，於，亥基板本體及該些電性接觸塾上形成防焊層，該 防焊層具有一置晶區，於該置晶 9 μ 對應外露該電性接觸塾.於，此士有複數開孔以 电性接觸墊，於该些電性接觸墊上形成 料，於该防焊層上設一模板，該模板具有模板開口 模板開口對應露出該置晶區，·粗化該模板開 ^ 區；以及移除該模板。 夏日日 :上：之製法，該電性接觸墊上形成焊接材料之製 1=二=於該些電性接觸墊上、防焊層上及其開孔的 二=層；於該導電層上形成阻層，且該阻層形 電性接觸墊之阻層開口，以露出該些電性接 於該阻層開口中之導電層上電鑛形成焊 接”，以及移除該阻層及其所覆蓋之 ©鎳㈤、⑽d)及金（Au)所组成群組之其中一者。 开4 述之製法，本法明另提供於該電性接觸墊上先 ^，将勺紅凸塊再於該導電凸塊上形成焊接材料之製 孔壁2成導t該些電性接觸塾上、防辉層上及其開孔的 成複數對應該電性接觸墊上先成阻層’且該阻層形 觸墊上之導電層；於 層開口，以露出該些電性接 電凸錄· 曰，· ； θ開口中之導電層上電鍍形成導 ’ 導電凸塊上電鍍形成焊接材料；以及移除 110686 8 200941637 .5》r±L/w久其所覆蓋之導電層。該導電凸塊係為錫（Sn)、鉛 (Pb)、銀（Ag)、銅（Cu)、鋅（Zn)、鉍（Bi )、鎳（Ni )、金（Au)、 錄（Sb)、錯（Zr)、鎂（Mg)、銦（in)、蹄（τ6)以及鎵（Ga) • 所組群組之其中一者。 又依上述之各製法，復包括：提供一半導體晶片，該 半導體晶片具有電極墊，使該電極墊透過該烊接材料電性 連接該基板本體之電性接觸墊；以及於該半導體晶月與該 防焊層的置晶區之間形成底踢。該底膠係為高分子樹 ❹料。 該置晶區係以電漿（plasma)或反應式離子蝕刻（Μ 進行粗化。 本發明復提供另-種基板結構之製法，係包括 板本體至少一表面上形成有咖 層，該防焊層具有置晶區， 成， 孔對應外露該％性接觸塾；於該防谭層上設一 D模板具有模板開口，以對庫 、μ 口中之置曰F.a 區；粗化該模板開 中之置日日£ ’移除該模板；以 成焊接材料。 一冤性接觸墊上形 法，：二^!，：電性接觸墊上形成嬋接材料之製 孔壁上形成導電層墊上、防谭層上及其開孔的 成複數對應該電性接:=層：，^ 觸墊上之導電層；於哕了 u路出该些電性接 亥阻層開口中之導電層上電鑛形成谭 110686 9 200941637 ' 二移除該阻層及其所覆蓋之導電層。_材 g為錫（sn)、錯（Pb)、銀（Ag)、銅（eu)、鋅⑽ 鎳（NO、鈀⑽）及金（Au)所組成群組之其中—者。 形成有導#2以纟法明另提供於該電性接觸塾上先 ，成有導電凸塊，再於該導電凸塊上形料接材料，係包 】導=些電性接觸墊上、防焊層上及其開孔的孔壁上形 於該導電層上形成阻層，且該阻層形成複數對 應該電性接觸塾之阻層開口，以露出該些電性接觸墊上之 ❺導电層，於該阻層開口中之導電層上電錢形成導電凸塊； 於該些導電凸塊上電鑛形成焊接材料；以及移除該阻層及 其所覆蓋之導電層。該導電凸塊係為錫（％)、錯⑽、銀 ㈤、銅⑽、鋅(Zn)、鉍(Bi)、糊)、金(Au)、銻⑽、 錯（Zr)、鎂（Mg)、銦（In)、碲（Te)以及鎵（⑷所組群組之 其中一者。 …又依上述之各製法，復包括：提供一半導體晶片，該 半導體晶片具有電極墊，且該電極墊透過該焊接材料電性 ©連接該基板本體之電性接觸墊；以及於該半導體晶片與該 防焊層的置晶區之間形成底膠。該底膠係為高分子樹脂材 料。 该置晶區係以電漿（plasma)或反應式離子蝕刻（RIE) 進行粗化。 因此，本發明之基板結構及其製法，係於基板本體上 防層上设置模板，該模板具有模板開口，以對應露出該 置晶區’並利用電漿（plasma)或反應式離子蝕刻（rie)進 10 110686 200941637 ΊΊ不丑1G y「路遠模板開口中之置晶區，由於該經粗化之置 曰曰區與其周圍防焊層之表面粗糙度不同’使後續填充於該 -半導體晶片與基板本體間之底膠對於該置晶區之黏著力 大於該底膠對於防焊層上其他區域，俾使該底膠之表面張 力方向改變，而得以限制該底膠之流動範圍，以防止溢膠 情形發生，且本發明得簡化製程，以達到節省成本及提高 良率之目的。 【實施方式】 鲁 以下係藉由特定的具體實例說明本發明之實施方 式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之内容輕易地 瞭解本發明之其他優點與功效。 [第一貫施例] 請參閱第2A至2I圖，係詳細說明本發明之基板結構 及其製法第一實施例之剖視流程圖。 =2A圖所示，首先，提供至少—表面上形成有複 ini常㈣210之基板本體21 ’且於該基板本體21及 性接觸塾21Q上形成防焊層22，該防焊層22具有 區221，於該置晶區221巾並形成有複數開孔220 外露該些電性接觸墊210。 ^第2B圖所示，於該些電性接觸塾21()、防焊層22 ^開孔220的孔壁上形成導電層23;接著，於該導 之導電層& 路出该些電性接觸墊210上 110686 11 200941637 ^矛2C及2C’圖所示，於該開口 240中之導電層23 ‘上電鍵形成焊接材料25,如第2C圖所示；或於該開口曰24〇 2之導電層23上先電鑛形成導電凸塊26，接著再於該導 屯凸塊26上電鑛形成焊接材料25，如第2C，圖所示；該 焊接材料25係為錫（Sn)、錯（pb)、銀（Ag)、銅（㈤1 (Zn)、鉍（Βι)、鎳（Ni)、鈀（pd)及金（Au)所組成群組之其 者°亥導境凸塊26係為錫（Sn)、錯（Pb)、銀（Ag)、 銅（Cu)、鋅（Zn)、叙（Bi)、錄（Ni)、金（Au)、録（处）、錯 ❹（Zr)、鎂（Mg)、銦（In)、碲（τ〇以及鎵（Ga)所組群組之其 中一者，之後以第2C圖所示之結構作說明。 如第2D圖所示’移除該阻層24及其所覆蓋之導電層 2 3，以洛出該焊接材料2 5。 —如第2E圖所示，於該防焊層22上設置模板27,該 模板27具有模板開口 27〇，以對應露出該防谭層22之置 晶區2 21。 如第2F圖所示，以電漿（Plasma)粗化該模板開口 27〇 ❹中之置晶區221。 第2G圖所示，移除該模板27，以露出該經粗化之 置晶區2 21。 如第2H圖所示，提供一半導體晶片28，該半導體晶 片28具有電極墊28卜並使該電極墊281透過該焊接材 料 而接置並電性連接該基板本體21之電性接觸墊 210。 最後，如第21圖所示，於該半導體晶片別與該防焊 110686 12 200941637 ./曰“日J置曰曰g 221之間形成例如為高分子樹 -膠 29 。 一 由於該置晶區221及周圍防焊層22之表面粗|造度不 同，該底膠29對於該置晶區221之黏著力大於該底膠29 對於防焊層22上其他區域，而使鱗29表面形狀及表面 張力方向改變，因而限制該底膠29之流動範圍，以防止 溢膠情形發生，且本發明製法簡單，故可輕易達到該底膠 29不易溢膠於該粗化之置晶區之目的。 [弟二實施例] 請參閱第3A至3H圖，係詳細說明本發明之基j反結構 及其製法之另一實施例剖視流程圖，與前一實施例之不同 處在於該防焊層上先形成粗化之置晶區，再於該電性接觸 墊上形成焊接材料。 如第3A圖所示，首先，提供一例如第2A圖所示之至 少一表面上形成有複數電性接觸墊21〇之基板本^ Μ， 且於該基板本體21及該些電性接觸墊21〇上形成防焊層 ❹22，該防焊層22具有置晶區221，且於該置晶區22ι ; 並形成有複數開孔220以對應外露該電性接觸墊21 〇，·接 著，於該防焊層22上設置模板27，該模板27具有模板 開口 270，以對應露出該置晶區221。 如第3B圖所示，以電漿（piasma)粗化該模板開口 中之置晶區221。 如第3C圖所示，移除該模板27，以露出該經粗化之 置晶區221。 110686 13 200941637 - 如第3D圖所不，於該些電性接觸墊210、防焊層22 上及其開孔220的孔壁上、與置晶區221上形成導電層 23;接著’於該導電層23上形成阻層24,且該阻層二 形成複數對應該電性接觸墊21〇之開口 24〇，以露出該些 電性接觸墊210上之導電層23。 如第3E及3E’圖所示，於該開口 24〇中之導電層23 上電鍍形成焊接材料25,如第3E圖所示；或於該開口 24〇 中之導電層23上先電鍍形成導電凸塊26，接著再於該導 ❹電凸塊26上電鍍形成焊接材料25，如第3E，圖所示；之 後以第3E圖所示之結構作說明。 如第3F圖所示，移除該阻層24及其所覆蓋之導電層 23’以露出該置晶區221及焊接材料25。 如第3G圖所示，提供一半導體晶片28，該半導體晶 片28具有電極墊281，使該電極墊281透過該焊接材料 25電性連接該電性接觸墊21 〇。 ❹ 最後，如第3H圖所示，於該半導體晶片28與該防焊 層22的置晶區221之間形成例如為高分子樹脂材料之底 膠 29。 _ 本發明復提供一種基板結構，係包括：基板本體21， 至少一表面上設有複數電性接觸墊21〇;以及防焊層 22，係設於該基板本體21及該些電性接觸墊21〇上該 防坏層22具有一經粗化之置晶區221，且該置晶區221 具有複數開孔220 ’以對應外露出該電性接觸墊21〇。 依上述結構’復包括焊接材料25，係設於該電性接 110686 14 200941637 綱堂上，該焊接材料25係為錫鉛（仰）、銀（a幻、 銅（Cu)、鋅（Zn)、鉍（Bi)、鎳（Ni)、鈀（pd)及金（Au)所組 -成群組之其中一者。 又依上述結構，復包括導電凸塊26，係設於該電性 接觸塾210與焊接材料25之間，該導電凸塊26係為錫 (Sn)、鉛（Pb)、銀（Ag)、銅（Cu)、鋅（zn)、鉍（Bi)、鎳（Ni)、 金（Au)、銻（Sb)、鍅（Zr)、鎂（Mg)、銦（In)、碲（Te)以及 鎵（Ga)所組群組之其中一者；半導體晶片28 ’係設置於 ❹該基板本體21上，且透過該焊接材料25電性連接該基板 本體21之電性接觸墊21〇 ;以及底膠29，係設於該半導 體晶片28與該防焊層22的置晶區221之間。 因此本發明之基板結構及其製法，係於基板本體上 防焊層上設置模板，該模板具有模板開口，以露出後續欲 在該基板本體上接置半導體晶片位置之置晶區，並利用電 漿（plasma)或反應式離子蝕刻（RIE)進行粗化。由於該粗 化之置晶區及周圍防焊層之表面粗糙度不同，後續填充於 ❹該半導體晶片與基板本體間之底膠對於該粗化之置晶區 之黏著力大於該底膠對於防焊層上其他區域，而使底膠表 面形狀改變，使該底膠之表面張力方向改變，以限制該底 膠之流動範圍，俾以防止溢膠情形發生，且本發明得簡化 製程’以達到節省成本及提高良率之目的。 上述實施例僅例示性說明本發明之原理及其功效，而 非用於限制本發明。任何熟習此項技藝之人士均可在不違 背本發明之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與改 110686 15 200941637 !-⑵兀，本發明之權利4 _ '、遂耗圍，應如後述之申請專利 -範圍所列。 '【圖式簡單說明】 第1A至1E圖係為習知封裝結構之剖視示意圖；以及 第2A至21圖係為本發明之基板結構及其製法第一實 施例之剖視示意圖； ' 如第2C’係為第2C圖之另一實施例； 第3A至3H圖係為本發明之基板結構及其製法第二實 施例之剖視示意圖；以及 Φ 如第3E，係為第3E圖之另，實施例。 【主要元件符號說明】 11、21 基板本體 110 、 210 電性接觸墊 12、22 防焊層 120 、 220 開孔 13、25 焊接材料 14、28 半導體晶片 141 、 281 電極墊 © 15 、 29 底膠 221 置晶區 23 導電層 24 阻層 240 開口 26 導電凸塊 27 模板 270 核板開口 110686 16

Claims (1)

1. 200941637 丁、τ请專利範圍： • 1. 一種基板結構，係包括： , 基板本體，至少一表面上設有複數電性接觸墊； 以及 防焊層，係設於該基板本體及該些電性接觸塾 上，該防焊層具有一經粗化之置晶區，且該置晶區中 設有複數開孔，以對應外露出該些電性接觸墊。 2·如申請專利範圍第1項之基板結構，復包括焊接材 料’係設於該電性接觸墊上。 3·如申請專利範圍第2項之基板結構’其中，該焊接材 料係為錫（Sn)、鉛（Pb)、銀（Ag)、銅（cu)、鋅（Ζη)、 叙（Bi )、鎳（N i)、|巴（Pd)及金（au)所組成群組之其中 一者。 4. 5. 士申叫專利祀圍第2項之基板結構，復包括有導電凸 塊’係設於該電性接觸墊與焊接材料之間。 如申請專利範圍第4項之基板結構，其中，該導電凸 塊係為錫（Sn)、鉛（Pb)、銀（Ag)、鋼（cu)、鋅（Zn)、 鉍（Bi)、鎳（Ni)、金（Au)、銻（Sb)、錯（Zr)、鎂（Mg)、 銦（In)、碲（Te)以及鎵（Ga)所組群組之其中一者。 如申請專利範圍第1項之基板結構，復包括： 半導體晶片，係具有複數電極墊，且該電極墊透 過该焊接材料以電性連接該電性接觸墊；以及 底膠，係δ又於§亥半導體晶片與該防焊層的置晶區 之間。 110686 17 200941637 丨·划甲請專利範圍第6項之基板結構，其中，該底膠係 ' 為高分子樹脂材料。 / -8. —種基板結構之製法，係包括： 提供一基板本體，於該基板本體至少一表面上形 成有複數電性接觸墊； 於遠基板本體及該些電性接觸墊上形成防焊 層，該防焊層具有一置晶區，於該置晶區中並形成有 複數開孔以對應外露該電性接觸墊； 於該些電性接觸墊上形成焊接材料； 於該防焊層上設-模板，該模板具有模板開口， 且該模板開口對應露出該置晶區； 粗化該模板開口中之置晶區；以及 移除該模板。 9. 如申請專利範圍第8項之基板結構之製法，1中該 焊接材料係為錫（Sn)、崎b)、銀㈤、銅（CU)、辞 =㈣)、錄㈤、_及金(Au) 之其中一者。 10· 專利範圍第8項之基板結構之製法，其中，該 接觸塾上形成焊接材料之製法，係包括·· ::些電性接觸墊上、防焊層上及其開孔的孔壁 上形成導電層； 於該導電層上形成阻層 °亥電性接觸塾之阻層開口， 之導電層； ’且該阻層形成複數對應 以露出該些電性接觸墊上 110686 18 200941637 • 於該阻層開口中之導電層上電鍍形成焊接材 料；以及 移除該阻層及其所覆蓋之導電層。 11. 如申請專利範圍第8項之基板結構之製法，其中，該 電性接觸塾上先形成有導電凸塊，再於該導電凸塊上 形成焊接材料。 12. 如申請專利範圍第u項之基板結構之製法，其中， 該導電凸塊係為錫（Sn)、鉛（Pb)、銀（Ag)、銅（Cu)、 鋅（Zn)、叙⑻）、錄（Ni)、金（Au)、錄（sb)、錯（⑺、 j(Mg)、銦（In)、碎（Te)以及錄（Ga)所組群組之其中 一者0 Ή請專利範圍第n敎基板結構之製法其中， »亥導電凸塊及其上之焊接材料之製法，係包括： 於該些電性接觸塾上、防焊層上及其開孔 上形成導電層； ^ ，且該阻層形成複數對應 以露出該些電性接觸墊上 於該導電層上形成阻層 © 該電性接觸墊之阻層開口， 之導電層； 層開"之導電層上電鑛形成導電凸塊； 於該些導電凸塊上電鑛形成焊接材料， ·以及 移除該阻層及其所覆蓋之導電層。 14·如申請專利範㈣8項之基板結構之製法，復包括： 提供一半導體晶片，該半導體a 使兮帝〆千令虹日日片具有電極墊， Μ極墊透過該焊接㈣電性連接該基板本體之 110686 19 200941637 -¾性接觸墊；以及 ' 於該半導體晶片與該防焊層的置晶區之間形成 - 底膠。 15. 如申請專利範圍第14項之基板結構之製法，其中， 該底膠係為高分子樹脂材料。 16. 如申請專利範圍第8項之基板結構之製法，其中，該 置晶區係以電漿（plasma)或反應式離子蝕刻（RIE)進 行粗化。 17. —種基板結構之製法，係包括： 響 提供一基板本體’於該基板本體至少一表面上形 成有複數電性接觸墊； 於該基板本體及該些電性接觸墊上形成防焊 層’ 5亥防焊層具有置晶區’於該置晶區中並形成有複 數開孔以對應外露該電性接觸墊； 於該防焊層上設一模板，該模板具有模板開口， 以對應露出該置晶區； ❹ 粗化該模板開口中之置晶區； 移除該模板；以及 於該些電性接觸墊上形成焊接材料。 18. 如申請專利範圍第17項之基板結構之製法，其中， 該焊接材料係為錫（Sn)、船（Pb)、銀（Ag)、銅（Cu)、 鋅（Zn)、鉍（Bi)、鎳（Ni)、鈀（Pd)及金（Au)所組成群 組之其中一者。 19. 如申请專利範圍第17項之基板結構之製法，其中， 20 110686 200941637 ' /电f生接觸墊上形成桿接材料之製法，係包括： 於》亥些電性接觸墊上、防焊芦 •上形成導電層； 朴層上及其開孔的孔壁 於該導電層上形成阻層 e亥電性接觸塾之阻層開口， 之導電層； ，且該阻層形成複數對應 以露出該些電性接觸墊上 料 於-玄阻層開口中之導電層上電鍍形成焊接材 以及 _ 移除該阻層及其所覆蓋之導電層。 20·如申請專利範圍第17項之基板結構之製法，其中， «玄電f生接觸塾上先形成有導電凸塊，再於該導電凸塊 上形成焊接材料。 21.如申請專利範圍第2〇項之基板結構之製法，其中， 該導電凸塊係為錫（Sn)、鉛（Pb)、銀（Ag)、銅（Cu)、 鋅（Zn)、鉍（Bi)、鎳（Ni)、金（Au)、銻（Sb)、锆（Zr)、 鎂（Mg)、銦（In)、碲（Te)以及鎵（Ga)所組群組之其中 ❹ 一者。 22·如申請專利範圍第20項之基板結構之製法，其中， 該導電凸塊及其上之焊接材料之製法，係包括： 於该些電性接觸塾上、防焊層上及其開孔的孔壁 上形成導電層； 於該導電層上形成阻層’且該阻層形成複數對應 該電性接觸墊之阻層開口，以露出該些電性接觸塾上 之導電層； 21 110686 200941637 ' 於該阻層開口中之導電層上電鍍 l 於该些導電凸塊上電鐘形成二塊， 移除該阻層及其所覆蓋之導電層材科，以及 .如申Γ利範圍第17項之基板結構之製法，復包括. 且體晶片’該半導體晶“有電極塾，. ，極墊透過該烊接材料電性連 電性接觸墊；以及 於忒半導體晶片與該防焊層的置晶區之間形成 底膠。 4’如申請專利範圍第23項之基板結構之製法，其中， 2$该底膠係為高分子樹脂材料。 如申请專利範圍第17項之基板結構之製法，其中， 該置晶區係以電漿（plasma)或反應式離子蝕刻（RIE) 進行粗化。

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