200940615 六、發明說明： . 【發明所屬之技術領域】 ,-[0001]本發明係關於漂浮於液面，尤 膜面所印刷之圖樣對於被轉移㈣、、典ϋ水面而使用，能將於 膜及其製造方法。 圓滑地轉移之液塵轉移印刷用基 【先前技術】 逆====== 醇糸Μ繊’並依如下方式提供給 圓樣轉移到被轉移體。肝被轉移體抵壓到圖樣印刷面，使 [0003]此種水壓轉移方法中，例如曾有笮都.| ^丄 用聚合度500〜3_、息化度8〇〜99 9 U稀吏 水分率為1.5〜4.0%、厚度為2卜 |=^成， 8.〇kg/m之張力i分鐘時，寬；=方=於5〇 C施加 脂^，能進行高精細度的轉移印刷。並字 ❹= 瓣上，並於水分率 予以剝離以製造(參照專利文獻1}。 Μ次傳送帶 [專利文獻1]日本特開2005-60636號公報 【發明内容】 (發明欲解決之問題） .[0004]然而’含上述專利文獻1在内之習知使用平7 κ > ，旨，之水壓轉移方法’會有於基膜印刷高精細乙2 ‘王依照圖像印刷之印刷適性之問題，要求加 有t元 印刷圖樣之聚乙烯醇系樹脂膜漂浮於水面時，膜;捲：:= 3 200940615 樣轉移於生產性等觀點造成問題。尤其，近年來，圖樣之 ~漸採多層印刷，且使用耐久性優異之印刷用油墨，因此，、 圖樣印刷面與非印刷面之吸水性發生差異，其結果，极 發生成為更顯著的大問題。 _之 [〇〇〇5]於是’本發明在如此的背景下’目的在於提供 樣印刷在基膜時之印刷適性優異的液壓轉移印刷用基膜，另' 造方法。 、久 (解決問題之方式） ❹ [0006]❿’本案發明人為了達成上述目的’經過 ^結果查明了細之膜均勻性為重要，發簡由使用不繞= g明對於圖樣之印刷適性優異、液壓轉移印刷為有效，乃完成 ^0007]再者’本案發明人為了製造上述不挽曲之基膜 力探討，結果查明了使以聚乙烯醇系樹脂為主成分之製膜來 ^或分散之水為重要’發現藉由使用石夕含量非常少^水製造^ ===對於圖樣之印刷適性優異、卿移印二 ❹ 膜，m 2〇亦本發明之要旨係關於一種液壓轉移印刷用基 t 壓轉在) 寬之驗内區域聊，膜表面= ^^30〇/〇^ 菡城rs * 域(0及從另一端部至全寬之30%以内之 下:+物膜絲之撓鲜麵為伽 之製丄n务明之要旨係關於-種液壓轉移印刷用基膜 料之水分散於.將以聚乙觸系樹脂為主成分之製膜原 含量5Ppm以下^丁^膜，並製造液麼轉移印刷用基膜時，使用矽 200940615 [0011] 在此’關於使用矽含量少之太，仫H 2 聚乙烯醇系膜之製造法中為公知(參照日本特開2007韻 報。），但於該情形中，目的在於不ϋ彳魂Α =。但是，如本發明之液壓轉 ，長期運轉時，會發生膜從滾筒面或傳送帶面 1 H不 膜與液壓轉移印刷用基膜，係溫度、濃度等各mm版 鲁 (發明之效果） ^l〇UL· ^ 之液壓轉移印刷用基膜’當製備以3 具此種特性 鲁 【實施方式】 (實施發明之最佳形態） r 移本;：用細：本之發膜 薄r多〜45μιη。膜厚若較上述範圍 遭度上升====_，水中之_醇系樹脂 端部至全寬-朗之 200940615 .=上述範圍，會成為圈?之時該 0.1%:加工生產性。又’該膜表面之撓曲率(τ)之下限値通常為 之诚^又本發明之中，相對於膜之寬方向，從且中一方 之‘15至王寬30%以内之區域(Si)及從其中另 乂、， 其他區域⑸)中，膜表面之撓 ‘ ο 性膜進杆關^^挽士率()若超"^上述範圍，則對於水溶 時’會產生皺紋’有印刷不良之傾向。 5亥膜表面之撓轉⑺之下限錢常為0.1%。 A ip18]又’本發明中’膜表面之撓曲率⑺以如下方式測 ϊ亦之環境下，從捲成既定寬(w)之基膜(以 昆樣本將膜捲出’使捲出之膜通過離開2公尺而 ίίΠΐ?出後’於任意長度之處，施加膜寬每1公 之張力:使其在2支將歡上暫時靜止，並於此時，如圖
Q 示以膜1通過引導幸昆上之南度為基準，測定引導幸昆之間，於膜1 區域(y、（s2)及(S3)各健域巾’各區域巾之直到最為下垂部分 為止之咼低差最大値(h) ’並依據此距離，以如下方式計算撓曲率。 又’測定高低差時，使超音波式移位感測器(Keyence公司製 =-300)在膜1上以寬方向水平行進並檢測。又，推移方向之感測 器设置位置，係以距2支引導輥為相等距離作為中央部。 [0019]撓曲率⑺(％)= 1 〇〇xh/w h :膜1當中，至到達最為下垂部分為止之高低差最大値 (mm) w :膜寬（mm) [0020] 又，本發明中，上述膜寬(w)意指，剛製造後之膜 寬、製造後將端部縱切成各成品尺寸後的膜寬，為其中任一者， 6 200940615 但從印巧適性觀點，較佳為將端部縱切後之 -此時，經縱切之端部，通常相對於^ 利。 50%，尤佳為5〜3Θ%，經縱狀 ▲=之I寬為2〜 部縱切。 僅為早側，但通常將兩端 製造陶如上述，本發明之液壓轉移印基膜依以下方式 亦即，本個之賴轉移印则基膜(以 使用以聚乙烯醇（以下有時簡稱ΡνΑ ），例如 ❹ 含有可_之膜形成材料而形顧狀者’較佳為 成分」，係指膜形成材料包含PVA系月中，上述「主 60重量％以上，更佳為7〇重量％以上；孟二卞，較佳為 也包含僅由PVA系樹月旨構成之情形。 ”，、$。以上，又 將‘以1混合 m不僅是單獨使用’視需要亦可 2妨礙本發明效果之範圍，可使 夺: 佳為莫耳％以下、更佳為1〇莫耳％常在 之範圍中，與其他單體共重合。 X隹為7莫耳/〇以下 [OOf]上述其他單體例如：乙稀、丙締、異丁稀、 ❹ 來八?ϊ烯烴類、丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬 r稀腈4腈類、丙_胺、甲基丙烯醯胺等醯胺類、 基==„酸、甲基稀丙基績酸等婦煙續酸或其鹽、燒 ^膝卜、^、艰氧化乙稀基)稀丙驗、聚氧丙稀(甲基)烯丙醚等 =婦煙?(甲綱秘、聚氧化乙稀(甲基㈣_旨、聚氧 (甲，)丙烯酸醋等聚氧烯烴基(甲基)丙烯酸醋、聚氧化乙婦 酿，、聚氧丙埽(甲基〉丙烯醯胺等聚氧稀煙基(甲基〕丙稀醯 3^氧化乙基)丙烯醢胺-U-二甲基丙基]醋、聚氧化乙 、乙=、聚氡丙'歸乙稀隨、聚氧化乙稀稀丙月安、聚氧丙稀稀丙 胺、聚氧化乙烯乙烯胺、聚氧丙烯乙烯胺、 二丙稀酸基乙醯胺、 N-丙烯ϋ胺甲基三甲基氯化錄、烯丙基三甲基氯化銨、二甲基二 7 200940615 :丙ίίίϊ等二:基S基乙，酮、N-乙烯基勢定酮、氯乙 -=偏氯乙烯4。又，上述以外，例如：乙醯乙醢基改 烯醇二=VA系樹脂，使用於側鏈具1,2_二醇鍵之聚乙 亦為較佳，該側鏈具W二醇鍵之聚乙 如^由以下方法得到：⑴將乙酸乙烯酉旨與3,4-二乙酿氧-ί•丁^ 化ίί法、(2)將乙酸乙烯S旨與乙烯基乙烯破酸醋之共 其 ，，羧基之方法、（3)將乙酸乙烯醋與2,2-二烷基冰 ❹ i與’甘之方法，將乙酸乙稀 ❹ 樣轉移到被轉移體時，被轉移體舆本:之： 展降 變得困難之傾向卜’會有黏度高，製膜 係依據職6726 i f述4重置％水溶液於耽之平均誠， 又，上述息化度，係依據JIS K 6726測定/成城不良的傾向。 陶7]上述可塑劑例如：甘油、二甘油、三甘油等甘油類、 8 200940615 二乙二醇、聚乙二醇、聚丙二 - —舒rtST。此等可單獨使用或^==煙基二醇類或三 _]上述可塑劑之含量，相對ϋ么 伤，以10重量份以下較佳，去;Α系樹脂1〇〇重量 4重量份。上述可塑劑含詈其局）重量份以下，尤佳為0.05〜 1性差，會有難以高精細_二;時之尺寸安 srm到之基膜斷獅西=乾圍少過多， 及可:劑二除了上述顯系樹脂 ❹ 金屬表:已製f^筒或傳送帶等 界面活性劑例如：聚氡化乙烯：二：面雖劑。上述 聚氧化乙烯十二基苯喊、聚氧 、乳化乙卸辛基壬趟、 梨糖醇酐單月桂酸酯、聚氧化乙:$ ί氧:單乙醇胺鹽、聚氧化乙稀月桂胺、 ;=ί胺等。此等可以單獨使用或 ❹ 月桂酸酯為^ 减乙稀烧胺、聚氧化乙稀山梨糖醇酐單 塑劑rii觸上重述if舌^劑之含量，相對於pva系樹脂與可 巧 通f以_〜5重量份較佳，_〜45 式述界面活性劑之含量若過少’則製膜裝置之滾筒 面與已製膜之膜間之剝離性降低’會有製造困 脱落原因應之^過多，則渗漏到膜表面，會有成為圖樣印刷層 7"=3习再者，在不妨礙本發明效果之範圍，也可添加抗氧 旦=(本紛糸、胺系等）、安定劑(石粦酸醋類等）、著色料、香料、姆 =、消泡劑、防銹劑、紫外線吸收劑、無機粉末(二氧化石夕曰、 有機粉末(澱粉、聚曱基丙稀酸曱醋等），又，可添加其他水溶性高 9 200940615 分子化合物(聚丙烯酸鈉、聚氧乙稀、聚乙 ‘幾丁聚糖、幾丁質、甲基纖維素、經乙基纖維素ί)等葡德、 、十、本發明之基膜，例如如以下方式製造。首先，將上 ^:通塑=散 狀化，較佳為進-步熱處理以製造。 π上絲紗，使膜 1¾) ^ ^ ❹ 送帶或製膜滾筒接觸之面為相狀二 %較1 者，熱處理後之膜水分含量通常以3〜7重量 φ S 紐銹====== 傳送獨鋼所構成，且其外職面以施加鏡面加工者 成材U於使從丁型模流出之臈形 中，位在最上游之㈣型概上並使乾燥之製膜機當 ;止[=從======= 較佳處理機，並_機所捲繞為止^過ί 行較佳，更佳為y，°c進 傳送帶或製膜弟i滾筒接觸之面之捲曲強，會觀察到印刷及= 200940615 ’：降:ϊί處要:¾轉移後之基臈水 [嶋]1===理，在分開的熱處理輥進行。 述特定之膜特性。此雖仔到基膜’但是本發日种，必需具有如上 面為i〇ro]例如t上述撓曲彻之基膜，成為均勻膜表 e 於水時，使用水中之金屬成分、梦 行。水，再者使用例峰鋼等金屬成分少之水 要，碰於⑴之情形，例如調整剝離速度為重 - ^-τ^ίίί 減小，撓曲率有減之傾向°二若剝離速度減慢，則剝離應力 ❹ , mm^±； ^ ^ 水，較佳為4鹏又以^J圭必需使用石夕含量5P脾以下之 使用^納等金屬成; 進行中長期連續運轉時，水^之石夕=於㈣步驟中， ΐΞϊΐ雜質被覆膜’招致剝離應力上升:會發 生離:二膜發生延= 於水r、f ί石夕之含量’係利用1目藍法測定。 使用離子交換水等Γ又以戶 =除去欠接^屯水者較佳，例如可 所明工業用水，只要不脫離本發明之意 200940615 旨之範圍也可使用，但考慮 使用殘留亂例如不滿05ppm之水較佳。 竿乂佳 更佳[m# ’^\中’基膜水分率以2〜6重量％較佳， 若太八牽、晶士 ，°。右水/刀率過小，則轉移時會有膜捲曲之傾向， 定位:號:移等刷等實際使用上，會有印刷之 卡爾費雪水分言，f膜之水分率例如可使用 丨冤子工業公司製、「mks-210」）測定。 ❹ 即，依照下脉瓣方法，例釘财法。亦 分率。 ”丰之调整方法’可設定為上述範圍内之基膜水 焯機Π月(2將溶解有pva之配合液乾燥，並於製膜時將乾 w:之效样有影響’ a此在70〜 M5〜贼之間且溫产時’ f佳為15G〜5叱之間，更佳為 〜12分鐘，更佳為二二抑個以上熱風乾燥機中，進行1 _7] 水分調整之觀點為佳。 會有乾燥過度之傾向，反之過長’ 時間過短’則會有乾鮮足之傾之梯度補過小，乾燥 乾燥=通^轉 便軏钚，皿度降低，藉此成為最 / r ^ T ^ ^ ae ,± 4 ,(] ^ ^ » .b#, 12〇t-130°C-ll5t-100°C , mV Ϊ^η， _9]⑺在基旗t;度前梯實施。 之加濕除濕，調整水分率。猎由使其通過调溫槽’進行基膜 陶](3)在細捲繞前，藉由騎熱處理，進行基膜除 200940615 濕，調整水分率。 ^ [0051] 上述製膜得到之基膜(原版膜），較佳為例如進行以 在公知之防濕包裝處理使得前述之水分率不生變化，於〜25。〇 之環境氣氛下，以懸吊狀態保存。 、[〇〇52] 又，本發明中視需要，可對於製膜後之膜捲繞前， 以此狀態將膜端部縱切成成品尺寸後捲繞(線上縱切），或暫時將製 獏後之膜捲繞後再度捲出並且將膜端部縱切成成品尺寸後捲繞(離 線縱切)等，並如上所述以懸吊狀態作為膜輥保存。 [0053] 上述得到之製膜後(縱切前)之膜寬，可依照成品尺 Ο
寸之大小等適當選擇，通常以3〇〇〜4000mm於成品縱切產率之觀 點為佳，尤佳為500〜3000mm，更以700〜2〇〇〇mm較佳。 又，膜全體之膜長，通常500m以上，尤佳為7〇〇m以上，更 ^ 1000m以上在使用膜之效率觀點為佳。又’膜長之下限通常為 100m。 [〇〇54]其次，對於使用本發明之基獏，印刷圖樣並進行轉 移之方法加以説明。 厭絲ί用本發明基膜之液壓轉移方法，例如：連續方式所為之液 壓轉移方法、批次方式所為之液壓轉移方法。 [0055] 首先，說明上述連續方式所為之液壓轉移方法。 ^亦即，在如上述得到之基膜面上印刷既定之圖樣。之後，在 印刷面塗佈活化劑。並且，吸水後基膜伸展，對於上述 i ίΐί方向魏方向奴U5倍町之_使棚樣不會模 魏。化劑之11樣印刷面為上方，使細漂浮在液面同時 之圖揭移體從移動之上述基紅方推抵，將印刷在基膜面 並且：轉㈣表面並且固著’藉此進行液㈣移印刷。 燥，得口 1將基膜除去並將圖樣已轉移之被轉移體充分乾 法。=5ρ6], Λ—方自，綱以上雜次方柄為讀壓轉移方 iiiisi媒Ρ，在上述方式得到之基膜面印刷既定圖樣。之後，在上 述圖樣印刷面塗絲化劑。並且，與上述連續方式_地，t及 13 200940615 展’對於上述基臈之於縱橫方向設定U5倍以下之縱 樣不會模糊，使塗有活化劑之圖樣印刷面為上方， • ίϊϊΠΐ面。並且’於靜止㈣，將被轉移體從上述基膜 菩2、1膜面所印刷之圖樣轉移到被轉移體，並且充分固 移之目固^ 面ϋ f由經由此種步驟之液壓轉移方法’能將印在基膜 = 广印刷在上述基膜面之圖樣不特別 _8?木;影像等’只要能印刷者都可以。 ❹ 用铲社賴樣印刷面之純财制限定，可使 ΪΓί基之圖樣再活化之溶劑中添加有樹脂者等，再 於甲芙ϋΐ添力:體質顏料、可塑劑、硬化劑等。例如，可使用 4二丙^丁酯中混合有顏料、可、 丁基卡必醇乙酸酉旨者。又，上述活化劑之塗佈方 凹版輥或喷霧器之塗布方法。 帝方★例如.使用 膜挪而义又’f上述圖樣印刷面塗佈活化劑之步驟，可在美 有圖樣之基膜上方推抵前即不特別限制。 卿移體從印 ❹ [〇〇6〇]本發明之_轉移方法中，被轉移 限疋，可使用例如塑膠成形體、金屬成形體 2不特別 ΐ無機質成形體等。再者，關於其形ί亦不特璃 亦可具各種立體形狀。 Ρ竹引限疋，可為平面 [實施例] 要不不例進—步具體說明本發明，本發明只 則意“重i基準 。、,;、下實把例又’例中「％」若無指明， [0062]依以下方式進行評價。 [撓曲率（T)(%)] 、 於23 C x50%RH之環境下，從捲有既定寬 膜捲出，並使捲出的膜通過遠離2公尺且設^(在) 14 200940615 . 支引導輥(直徑120mm)之上後，在捲繞裝 .任意長之處，施加膜寬每i公尺lkg的 、巧捲出， 上暫時靜止’並於此時如圖i所示 ' $ 2之引導輥 =最為下垂部分之高低差最大以， 低差日I使超音波式移位感測器㈣公 司1 UD-300)在膜1上以I方向水平行 r"2 ^ [0063] 撓曲率（T)(%>=l〇〇Xh/w 0 w (-) [0064] [水分率] 得到之基膜之水分率，使用卡爾費雪水分 司製、「MKS-210」）測定。 Τ㈣％于工業公 [0065] [印刷適性] 後 當在得到之轉移印刷用基膜表面印刷轉移用圖樣(圖案 ，以目視觀察該膜外觀，並如以下評價。 ν 鲁 0…無外觀不良 χ.·.有皺紋 [0066] [實施例1] 於4%水溶液黏度26mPa · s(2(TC)、平均皂化度88莫耳％ PVA100严’將作為可塑劑之甘油2份、驗5份、作為界面 劑之聚氧化乙烯山梨糖醇酐單月桂酸酯12份溶解於水，得到18% 水分政液。並且，使用上述水分散液，利用具備不銹鋼製無 送帶之傳送帶。製製膜機，以1〇m/min之速度依照流延製g法 膜’於溫度95°C之條件使乾燥，得PVA膜後，將膜兩端部縱： 連續2週製作基膜(每次膜寬：1〇〇〇mm、膜長：3〇〇m則換一捲， 15 200940615 . 膜之膜厚：30μηι)。又，上述使用之k .定之石夕含量：o.oiPpm以下）、傳送交換水(以翻藍法測 將製膜時之膜剝離需要之張力為、lkg/m面相被覆之清面’ U速度為L04倍。又，區域(Si)之膜表面剝 ΪΓ5% ’水分率為3.5%。使用得到之』膜 [0067] [實施例2] ❹ 隱崎，“ 之 化並乙=梨用糖醇軒單月桂酸醋口份“於水； 傳 膜，於溫度95 C之條件使乾燥，得PVA臈後 製 膜之膜咖、膜長：3〇〇m則換捲， 測定之石夕人旦5 °、’上述使用之水為離子交換水(依照錮藍法 ^ 夕δ里· 4ppm)，傳送帶表面為沒有雜質被覆之 ❹ 速’相__面之速度’剝“ (Si)之膜表面之撓曲率⑽2%，區域(¾ 為2%，_(㈣表㈣曲率& 使用得到之基膜’進行印刷適性之評價。 [0068] 、 [實施例3] mwl40〆0水溶液黏度26癒· S(2〇°C)、平均皂化度卯莫耳％之 0份，將作為可塑劑之甘油2份、作為界面活性劑之聚氧化 =山梨糖_單月桂酸自旨2份，及絲5份，配合於以離子交 =(秒含量〇.〇lppm α下)及石夕含量卿pm之水混合調整成 里4Ppm之水，得18%水分散液。並且，使用上述水分散液，利 16 200940615 .====_機，~之速 .將膜兩端部縱切，連續2週製條件使乾燥，得PVA膜後， 100m則換一捲，膜之膜厚·· 3〇 土、(母次膜寬：〗000mm、膜長： 質被覆之清面，㈣麟之卿離傳送帶表面為沒有雜 域(S〇之膜表面之撓曲率(τ)為 而之張力為〗.5kg/m。又，區 為2%，區域(s3)之膜表面之挽*°率膜表面之撓曲率(丁） x J 1 j 5 3·5% ° 基膜’進行印刷適性評價。 ❹ [比較例1] it實齡L1 + ’剝離速度變更為，剝離所需要㈣ 疋為5kg/m，除此以外同樣地進 ？=所而要張力 離子交換水(以鉬藍法測定之石夕含 土、，述使用之水係 有雜質被覆之清面，將製膜時=彳離 面為沒 區域⑻之膜表面之撓曲率⑺為4 面m ^ ’ ms：表:之挽曲率⑺為率為4=(τ) sr之絲，妳嶋性之評價。 [比較例2] …將實施，1中’離子交換水變更為井水，除此以外同 =ί ，上述使用之水為含無機物尤其矽40鹏之水 f ，傳送帶表面有由於水中金屬成分而ΐ的 f 之膜剝離所需要張力為4kg/m。又，又， = 表面之撓轉(T)為4·5%，區域(S2)之絲面之撓醇4)5〇/膜 區域(S3)之膜表面之撓曲率(丁)為1%，水分率為3.5%。 。’ 使用仟到之基膜，進行印刷適性之評價。 [0071]上述實施例及比較例之評價結果如下表j。 17 200940615 [0072][表 1]
• 水之矽 含量 (ppm) 剝離速度 (製膜速度） (m/min) 傳送 帶面 之 狀態 剝離 需要 之 張力 (kg/m) 撓曲率(％) 水 分 率 (%) 印刷 適性 區 域 (S,) 區 域 (S2) 區 域 (S3) 實施例1 0.01以下 10 無被覆 1 1.5 1.5 0.5 3.5 〇 實施例2 4 10 無被覆 2 2 2 0.5 3.8 〇 實施例3 4 10 無被覆 1.5 2 2 0.5 3.5 〇 比較例1 0.01 30 無被覆 5 4 4 1 4.5 X 比較例2 40 10 有被覆 4 4.5 4.5 1 3 5 V ·" J ^每=果二===; =時未觀察到敏紋等不良現象。相對於此，比較例】中， ❹ 非能供實用在轉移加工哪’各比較例， (產業上利用性） 汽車修卩細，能狀地應用在包含 生各種電化成品、建材、家庭 18 200940615 【圖式簡單說明】 . [0013] 圖1說明本發明之液壓轉移印刷用基膜表面之撓曲 率之測定態樣示意圖。 曹 【主要元件符號說明】 [0014] 1〜基膜
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