TW200936521A - Method for forming cracks on substrate made of brittle material - Google Patents

Description

200936521 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種藉由雷射劃線加工將裂痕形成於脆 性材料基板之方法，更詳言之，係關於一種在形成第一裂 痕之後，將與第一裂痕交又之第二裂痕形成至與第一裂痕 之交又點。 此處，「雷射劃線加工」係指將雷射光束照射於基板 以形成光束點，並使該光束點對基板相對移動，以低於軟 © 化點之溫度局部將基板加熱，接著沿光束點所通過之軌跡 利用藉由冷卻該基板所產生之熱應力來形成裂痕的加工。 又，「裂痕」係指在執行將基板完全斷開之裂斷處理 前，於基板上預定斷開之位置所預先形成的線狀龜裂。裂 痕係由未到達基板背面之龜裂所形成，藉由執行沿裂痕將 彎曲力距施加於厚度方向之裂斷處理，裂痕即沿基板之厚 度方向進展，而在裂痕前端到達背面之階段成為完全被斷 開之斷開線。 又，「脆性材料」除了玻璃基板以外，亦包含陶瓷、 單晶矽、半導體晶圓、及藍寶石等材料。 【先前技術】 玻璃基板等脆性材料基板，係藉由斷開成適當之大小 或形狀而使用於各種產品。 將脆性材料基板斷開之方法而言，執行藉由雷射加熱 與加熱後之立即冷卻以形成裂痕之雷射劃線（丨衫以 加工、與沿雷射畫ι線加工所形成之裂痕施加冑曲力距之裂 5 200936521 斷處理，藉此予以斷開的 、法已被實用化。藉由進行雷射 劃線加工與裂斷處理之斷μ 斷開，可獲得品質優異之斷開面。 ，射劃線加工’有時會利用在將彼此交又之複數條直 線裂痕形成於基板上時（稱為m線卜例如，在從大型基 板切取成為產品之多數個小型方型基板時，雖執行將基板 斷開成縱橫之交又切割，此㈣進行雷射tm加工之交叉 劃線。 -般而吕’雷射劃線加工，為了縮小加工寬度並提高 加熱效率’係將光束點之形狀形成為橢_、長圓形等具 有長軸之形狀，並使長轴方向朝向掃描方向。再者，使加 熱後立即進行冷卻之冷卻區域（稱為冷卻點）追隨光束點移 動（參照專利文獻1)。 又，亦揭示有一種雷射劃線加工（參照專利文獻2)，於 加熱後立即喷射冷媒以進行冷卻時，不使用氣體冷媒而使 用液體冷媒，藉此提升基板之切斷速度。 據此，於受急速加熱之基板以使用水（純水）作為液體冷 媒較佳，且亦揭示藉由使用將乙醇、乙二醇、甲醇、丙酮、 及界面活性劑之任一者與水加以混合之液體冷媒，相較於 使用具有氣體物理特性之冷媒時，能以更快之切斷速度進 行切斷。再者’亦揭示有若使用具有氣體物理性質之冷媒 的矽油（比熱係較氟氯烷氣體同程度為小）時，切斷速度會降 低而不適合作為冷媒。 另一方面’亦進行沿閉曲線切取玻璃基板之加工。亦 揭示有一種圓形基板之加工方法（參照專利文獻3)，其係例 200936521 如在製造圓形太陽電池裝置之製程中，於矩形大型基板上 形成隔著間隔設置之複數個圓形龜裂外周線（於龜裂外周線 之内側形成圓形太陽電池裝置），於相鄰之圓形龜裂外周線 之間、及大型基板之外周與圓形龜裂外周線之間形成線狀 龜裂，藉此進行圓形基板之加工。 據此，使用c〇2雷射形成圓形龜裂外周線。接著，圓 形基板（太陽電池裝置）之上，係一邊阻斷c〇2雷射之光束點

一邊使C〇2雷射以直線狀進行掃描，以形成從大型基板之 外周至接近之龜裂外周線之線狀龜裂，於相鄰之龜裂外周 線間亦形成線狀龜裂。II由以上步驟，即可輕易分離圓形 基板。 專利文獻1.日本特表平8 — 5〇9947號公報 專利文獻2·日本特開2002— 346995號公報 專利文獻3:日本特開2〇〇2— 87836號公報 【發明内容】 圖1係表示利用雷射劃線加工從方形玻璃基板G取出 圓形構件1 〇時之典租丨知 _ 、良加順序的不意圖。如圖1 (a)所示， 形成構成圓形構件1〇>&^&„1, 數條亩㈣圓形裂錄―1)，並形成複 Π = I2、Y—〜W線裂痕係 要:條Ϊ」，為了使圓形構件1〇易於分離而形成必 :時，…㈨中以圓圈之數字所示之 初形成圓形裂痕第一 最 1)交又之彻番、 者至與圓形裂痕(R-

)交又之位置，分別形成直線裂痕（χ—卜2、Y 7 200936521 —2)(第二裂痕）。 此時，裂痕雖在加熱區域（光束點）與冷卻區域（冷卻點） 之邊界附近形成，但會因加熱區域與冷卻區域之微妙平衡 而使裂痕之產生位置微妙變化。又’依基板之内部狀態因 應力分布微妙變化亦會使裂痕之產生位置變化。因此，欲 使直線裂痕在與圓形裂痕之交又點正確停止係非常困難。 其結果，如圖1(c)所示，有時裂痕之停止位置會偏移導致 直線裂痕（X— 1、Y— 1、x—2)越過與圓形裂痕之交又點行 進’或直線裂痕（Y— 1)未到達圓形裂痕。 為了防止此種不良之一種方法，如上述專利文獻3所 記載，可考量在圓形構件10之上預先阻斷光束點，當形成 直線裂痕時，即使光束點之一部分越過交叉點而到達圓形 構件10，亦使圓形構件10本身不受直接加熱。 j而，若採用該方法，則必須預先將雷射阻斷用覆膜 形成於圓形構件10之上，或在形成圓形裂痕之後一邊定位 一邊將遮罩構件安裝於圓形構件10之上。在前者之情況 下，形成直線裂痕之後必須有除去覆膜之步驟。在後者之 情況下，則必須有定位步驟，不過不論何種情況均會使步 驟增加而耗時耗力。 此外，即使在藉由覆膜形成或遮罩構件之安裝使圓形 構件10本身不受直接加熱之情況下，有時亦會產生在後方 之冷卻區域（冷卻點）所產生之拉伸應力傳達至前方，使直線 裂痕之前端進越過與圓形裂痕之交叉點行進的現象（詳細將 於後述），而無法使直線裂痕確實停止。 200936521 同樣之不良在進行直線 m ? μ. μ - ^ m 緣狀雷射劃線加工時亦會產生。 圖2係表不利用雷射劃線加 ^ ^ 1 1 p± 攸圾埤丞扳G切取複數個條 狀構件11時之典型加工 只斤的不思圖。在根據

之大小與條狀構件U之*…”像坡塙基板G 小的關係形成端材部12之情況 下，因其他目的欲有效利用 P 12之障况 #^ ^ ^ 』用知材邛12時，如圖2(a)所示， 係對玻璃基板G沿第一古a |丄

向形成直線狀之第一裂痕（X— 1) 及沿與第-方向正交 教很（λ U ι〜γ—Μ 之第一方向形成複數條第二裂痕（γ — 此時，如圖2(b)中以圓圈之數字所示之加工順序最 初係形成第—裂痕（X-1)，接著至與第-裂痕（X-D交又之 位置’形成第二裂痕（Υ— 1〜Υ—5)。 此時，欲使第二裂痕（γ—Νγ—5)之前端在與第一裂 痕(Χ-1)交又點正確停止亦非常困難。其結果，如圖2⑷ 所不’第二裂痕(丫—卜丫—句之停止位置會偏移，導致越 過與第—裂痕（X—1)之交又點行進，或第二裂痕（Υ-5)未到 達與第一裂痕（X— 1)之交叉點。 因此，本發明之目的，係提供一種脆性材料基板之裂 痕形成方法，其係利用雷射劃線加工，在形成第一裂痕， 並接著沿與第一裂痕交又之方向將第二裂痕形成至與第一 裂痕之交又點時’可使第二裂痕確實在交叉點停止。 為了解決上述課題而構成之本發明之裂痕形成方法， 系藉由第一雷射劃線加工形成第一裂痕。接著，使用以降 低摩檫係數之摩擦係數下降劑附著於第一裂痕之龜裂内 後’藉由第二雷射劃線加工將第二裂痕沿與該第一裂痕交 200936521 叉之方向形成至與第一裂痕之交又點。 如此，藉由在形成第一裂痕之後，預先使摩擦係數下 降劑附著於第一裂痕之龜裂内，在第一裂痕之龜裂内兩侧 之面即變成可滑動。在以此狀態進行第二雷射劃線加工 時’ _第二裂痕到達與第一裂痕之交叉點時，在交叉點之 前方侧第二裂痕之龜裂雖會行進至交又點，但在交叉點與 第一裂痕之龜裂交叉時，藉由拉伸應力第二裂痕之龜裂所 擴展之方向，由於係與第一裂痕之龜裂面滑動之方向一 致，因此第二裂痕之龜裂的行進便因滑動作用而中斷。其 結果，第二裂痕之龜裂的行進即停止在交又點。之後，在 較交又點之前方，即使稍微受到加熱或冷卻，只要在該部 分不形成初始龜裂之情況下，第二裂痕便不會行進至前二°。 /據本發明，藉由使摩擦係數下降之摩擦係數下降劑 附著於第一裂痕之龜裂内，在龜裂 災现农龜裂兩側之面即變 m亭：結果第二裂痕之龜裂的行進即在與第-裂痕之 殳又點停止，而可使第二裂痕確實停止。 (其他用以解決課題之手段及效果） 摩擦係數下降劑以含有潤滑油者較佳 矽油者較佳。 疋具’以含有 裂痕之龜裂内，使龜 例如使其含有潤滑 即可利用作為摩擦 摩擦係數下降劑係只要能在第一 裂兩側面之摩擦係數下降的材料即可 劑即可。較佳為若使其適當含有矽油 係數下降劍。 此處 即使是矽油亦有諸多種類 但考量水溶性（與作 200936521 為冷媒之水-起噴附時）、滲透性（滲透於龜裂内之容易 度）、及潤滑性(摩擦係數之下降容易度），更佳 進入裂痕且易於降低摩捧係數 —擇谷易 厚羅係數的材料。具^言，在砂油 之中較佳為已提高潤滑性之改質矽油。 在石夕油等潤滑油以外之材料中，亦可將例如具有烧基 之材料，具體而言，藉由乙醢六‘脸β 具有沉基 精由乙醇添加將烷基醇、烷基醚、脂 肪酸烧基醋調成溶液之材料利用作為摩擦係數下降劑。其 中，具有烷基之材料若為具有碳數為之直 铋 炫基的烧基酵、燒基^1、月旨肪酸、' 細肪酸烷基酯，則作為摩捧係數 下降剤優異係較佳。 f @ m 又主摩擦係數下降劑，亦可在第1射劃線加工將基 板冷卻時與冷媒一起喷附。 雷射劃線加工巾，由於在加熱後之冷料及剛冷卻 後，較大之拉伸應力會作用而使裂痕之龜裂擴展，因此藉 由在冷卻基板時與冷媒—起喷附，即可確實使摩擦係數下 降劑附著於龜裂内，且可與冷媒喷附同時使其附著，因此 亦無需追加另外之步驟。 冷媒亦可使用含有石夕油之水。 習知，以冷卻劑而言，與氮氣或壓縮空氣一起喷射之 水（水蒸氣）、乙醇等冷媒單獨並不具摩擦係數下降劑之功 能。藉由使此等液體含有石夕油即可利用作為可嘴射之 係數下降劑。 μ 摩擦係數下降劑亦可I笛__ JJ. φ. $剛邓Ί在第雷射劃線加工將基板冷卻 後’立即塗布或喷附於交又點附近。 200936521 藉由在剛冷卻後與冷卻劑分別另外塗布或喷附，即可 在第-裂痕之中使摩擦係數下降劑僅附著於必要之交又點 附近。藉此’可降低摩擦係數下降劑之使用量，並可抑制 使摩擦係數下降劑附著於不必要之部位。 【實施方式】 以下’根據圖式說明本發明之實施形態。為說明方便， 首先針對般藉由雷射劃線加工所形成之裂痕預先作說 明0 圖3係表示雷射劃線加工中之玻璃基板〇之狀態的 圖，圖3⑷係立體圖，吻則為將基板表面之一部分加以 « 放大的俯視圖。圖3(e)係表示圖4之各截面位置。又，圖4 係表示圖3⑷所示之位置之裂痕之產生狀態的截面圖。 於玻璃基板G上設定斷開預定線L〇，照射雷射光束以 形成橢圓形之光束點BS，朝向斷開預定線LG掃描其長軸 方向又’從未圖不之噴嘴朝向光束點BS之後方，喷射冷 媒（例如3水之壓縮空氣）’藉此形成冷卻點，並以追 隨光束點BS之方式進行掃描。 ❹ 、具體而§ ’預先固㈣成光束點Bs之雷射光束及形成 冷卻點cs之噴嘴的位置，沿斷開預定線使基板。相對 移動於面前方向（途中箭頭方向），藉此使光束點BS及冷卻 點CS /σ斷開預疋線L0方向從初始龜裂起進行掃描。 圖3(b)係表不此時於基板表面附近所產生之壓縮應力 及拉伸應力。圖中係以虛線箭頭表示壓縮應力之大小並 以實線箭頭表示拉伸應力之大小。 12 200936521 隨著光束點BS通過，屢縮應力逐漸變強。接著，當冷 ㈣cs跟著通過光束點Bs後方時，則㈣縮應力一舉轉 變成拉伸應力。之後，拉伸應力逐漸緩和且内部之熱傳導 至表面後再次轉變成較弱夕厥 叉取视驹之壓縮力而使龜裂結束。 ❹ 圖4⑷係表示光束點則剛通過後之截面a—a，（參照圖 =)。以下說明之各截面亦㈣）的圖。由於黯應力發揮 作用因此不產生裂痕。圖4(b)係表示冷卻點以通過轉變成 拉伸應力之截面B-B，的圖。因較強之拉伸應力而產生較粗 ^痕：U，且_大之拉伸應力而使龜裂呈現即將擴展之狀 〜。圖4⑷係表示冷卻點通過後拉伸應力逐漸變弱之區域之 截面C-C’的圖。因較弱之拉伸應力而殘留龜裂之寬度小於 較粗裂痕L1的較細裂痕L2。圖4⑷係表示時間進—步經過 後拉伸應力濟失並再次轉變成較弱之愿縮應力時之截面D 的圖。在該區域因較弱之壓縮應力，使至此可辨識之 細裂痕L2轉變成以目視無法辨識之裂痕L3(稱為盲裂

_其次，針對本發明之裂痕形成方法作說明。圖5係表 不本發明之一實施形態之裂痕形成方法之各步驟。本實施 形態，雖執行第一裂痕形成步驟、摩擦係數下降劑之附著 步驟、及第二裂痕形成之各步驟，但係同時進行第一裂痕 形成與摩擦係數下降劑之附著。 +圖5(a)係表示第一裂痕形成步驟及摩擦係數下降劑之 附著步驟。第一裂痕形成步驟（及摩擦係數下降劑之附著步 驟），係執行在圖3、圖4所說明之雷射劃線加工。然而， 13 200936521 僅在冷媒係含有作為摩擦係數下降劑之微量矽油之點不 同0 亦即’將雷射光束LB照射於基板G以形成橢圓形之光 束點BS °又’從冷卻噴嘴CN喷射冷媒以形成冷卻點CS。 藉由固定光束點63與冷卻點CS之位置，驅動裝載基板〇 之平台（未圖示），沿朝向χ方向之斷開預定線L〇移動基板 G ’使光束點Bs及冷卻點cs以從初始龜裂TR橫越基板G 之方式進行掃描。藉此，形成第一裂痕（X— 1)。 冷媒中預先以1%以下例如〇 4%使水（原來之冷卻劑） 含有作為摩擦係數下降劑之矽油，並預先形成可與壓縮空 氣一起從喷嘴喷附之狀態，由於若提高矽油之濃度則無法 從喷嘴喷射，因此含有濃度係調成相當淡。 以此方式，使摩擦係數下降劑與冷媒一起喷射。在冷 媒喷射後，立即形成較粗裂痕如在圖4(b)所說明，在 較粗裂痕L1因較大之拉伸應力使龜裂擴展，而使矽油容易 附著在龜裂内。之後’隨著時間之過去雖經過較細裂痕 而變成目視無法辨識之裂痕L3(盲裂痕），但龜裂内之摩擦 係數則因附著之石夕油而降低。接著，執行第二裂痕形成步 驟0 圖5(b)係表不第二裂痕形成步驟的圖。第二裂痕形成 步驟’係使基板G之掃描方南如—v 士上 it π细乃问朝向γ方向，以執行在圖3、 圖4(b)所說明之雷射劃線力 , j踝加工。由於此時之冷媒無需含摩 擦係數下降劑，因此雖使用僅士 1尺用僅水與壓縮空氣之冷媒即可， 不過只要不會因妙油（摩捧传叙丁故土丨、 、洋傺係數下降劑）而產生不良影響之 200936521 情況下’則可直接使用在第一裂痕形成步驟（及摩擦係數下 降劑之附著步驟）所使用之冷媒。第二裂痕形成步驟，冷卻 點CS會到達與第一裂痕（X— 1)之交又點F，並進一步持續 掃描直至超越第一裂痕。 圖6係表示冷卻點cS之前端到達第一裂痕（χ—υ之狀 態的圖，圖6(a)係立體圖，圖6(b)則為俯視圖。又，圖6(c) 〜圖6(d)係分別針對圖6(b)之區域s之不同狀態的放大 圖。其中，圖6(c)係冷卻點cs到達區域s前之區域s的狀 ® 態、，圖6⑷切油附著於第-裂痕（X— 1}時之圖6(b)之區域 S，而圖6(e)則作為比較例，係矽油未附著於第一裂痕 1)時之圖6(b)的區域s。 於圖6(c)〜圖6(e)係圖示有4個標記ρι〜ρ4。此等係 為了以標記之移動來說明第二裂痕形成步驟之基板的位置 變化’為方便所標示之標記。 此時，第一裂痕（X —丨）雖變成目視無法辨識之裂痕 ❹ L3(盲裂痕），但龜裂内係附著有矽油（摩擦係數下降劑）。 如圖6(c)所示，冷卻點cs到達區域s之前，在γ方向 之斷開預定線（L0)係尚未產生裂痕。此時之4個標記ρι〜 P4係從第-裂痕（χ—υ與斷開默線（lg)之交又點ρ以等 距離標示。 之後，當冷卻點CS到達區域3後，如圖6(d)所示，产 斷開载線⑽即形成第二裂痕（γ—υ。冷卻點cs剛通過 後即產生較強之拉伸應力’使第二裂痕(γ—ΐ)變成較粗裂痕 L1。此時’第二裂痕(γ_1}之前端即在交又點f停止。此 15 200936521 係第一裂痕（x—1)之龜裂内的摩擦係數因矽油之附著而下 降，使產生在P1側（P2側）之拉伸應力並未越過交又點F傳 達至P4側（P3侧）之故。此時，藉由ρι側（p2側）之龜裂面 相對於P4側（P3侧）之龜裂面沿箭頭方向滑動，而停止裂痕 之行進。 此時，光束點BS雖越過交叉點F而到達前方（p3, p4 側），不過僅賦予壓縮應力而不會使裂痕之行進。於交叉點 F只要不形成初始龜裂TR，則於Ρ4侧（Ρ3側）即使進行些許 之加熱’裂痕亦無法行進。 0 圖6(b)係比較例，在不使矽油附著於第一裂痕（乂一丨） 之龜裂内時，有時冷卻點CS會到達區域s。 由於在第一裂痕（X— 1)之龜裂面會產生壓縮應力，因此 若P1側（P2側）之龜裂面因摩擦沿第一裂痕之方向移動時， P4側（P3側）之龜裂面則會因摩擦力拖拉而移動。亦即，p4 側會與P1側之移動連動而移動，而P3侧則會與p2側之移 動連動而移動。 因此，第二裂痕形成步驟，在冷卻點cs剛通過後即產 〇 生較強之拉伸應力，使第二裂痕（γ —丨）變成較粗裂痕而 擴展時，較粗之裂痕L1會越過交又點F傳達，而形成以與 裂痕L1相同龜裂寬度擴展之較粗裂痕[4。亦即，裂痕在交 叉點不會停止而行進至前方。 實施例 (實驗） 進行在使冷媒含有矽油作為摩擦係數下降劑之情況、 16 200936521 與未含有矽油之情況的比較實驗。 實驗條件如以下所示。

玻璃基板無鹼玻璃（康寧公司製#1737) 雷射輸出 160W 掃描速度 200mm/sec 冷媒喷射量 2ml/min 龜裂深度 125em 冷媒 水99.6%

矽油0.4% (信越化學工業股份公司製KF — 643) 以上述混合比使其與壓縮空氣一起喷射 在以上之條件下進行雷射劃線加工。首先，於X方向 形成第一裂痕’之後於γ方向形成第二裂痕，在形成第二 裂痕時，係使光束點B S及冷卻點c S越過與第一裂痕之交 又點進行掃描。 其結果，第二裂痕係在交又點完全停止，並無越過第 一裂痕而行進至前方。 作為比較例，將冷媒改變成1〇〇%之水（石夕油為〇%)而 進行同樣雷射劃線加工之結果，第二裂痕並 止’而越過第-裂痕行進至前方。 乂叉點停 從以上結果可知，藉由蚀他異a μ—物 藉由使微量之矽油（摩擦係數下降劑） 附者於第一裂痕之龜裂内 ） 7 “ 、 父又點抑制裂痕之行進。 ，針對矽油以外之材料亦進行 用之材料的檢討。其，Μ⑽、摩擦係數下降劑作 具有院基之材料的二、二媒含:藉由乙醇添加將屬 坑基越、㈣酸燒基箱（具有礙 17 200936521 數為1〜30之直鏈或支鏈烷基者）調成溶液之材料來作為摩 擦係數下降劑時，亦可獲得使龜裂之行進停止之效果。 (變形實施形態） 上述實施形態中，雖利用冷卻噴嘴使矽油（摩擦係數下 降劑）與冷媒一起噴射，不過亦可於冷卻噴嘴之後方設置第 二喷嘴，而僅將矽油（摩擦係數下降劑）喷射於必要之部位。 亦即，使矽油僅附著於交又點F附近。藉由此方式，於在 意矽油附著之用途的情況下，即可將矽油之影響抑制於最 小限度。 又，上述實施形態中，雖藉由來自喷嘴之噴射而使矽 油附著，不過亦可藉由塗布使其附著。即使在該情況下， 於冷卻後立即進行塗布時即容易進入龜裂内。 又，第二裂痕形成步驟，在光束點到達與第一裂痕之 交又點時，只要停止雷射照射以消除光束點，則除了停止 裂痕之行進以外，亦可抑制因加熱而對基板所產生之不良 影響。此時，藉由使冷卻點移動至交叉點之後停止冷卻點 之移動，即可使第二裂痕確實形成至交叉點。 本發明之裂痕形成方法，可利用於玻璃基板等脆性材 料基板之斷開。 【圖式簡單說明】 圖1(a)〜（c)係表示藉由雷射劃線加工截取閉曲線時之 典型加工順序的示意圖。 圖2(a)〜（c)係表示藉由雷射劃線加工切取複數個條狀 構件時之典型加工順序的示意圖。 200936521

圖3(a)〜（c)係表 示雷射劃線加工中之玻璃基板之狀 圖 4 ( a ) ( d、* μ糸表示在斷開預定線上之各位置之裂痕產 生狀態的截面圖。 圖5⑷（b)係|發明之一實施形態之裂痕形成方法之 各步驟。 一裂痕之狀 圖6(a)〜（e)係表示冷卻點cs之前端到達第 態。 【主要元件符號說明】 10 圓形構件 11 條狀構件 BS 光束點 CS 冷卻點 L0 斷開預定線 L1 粗裂痕 L2 細裂痕 L3 盲裂痕 F 交又點 X- 1 第一裂痕 Y- 1 第二裂痕 ❹

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Claims (1)

1. 200936521 十、申請專利範圍： 1、 一種脆性材料基板之裂痕形成方法，係藉由雷射劃 線加工形成裂痕，該雷射劃線加工係將雷射光束照射於脆 性材料基板以形成光束點，並使該光束點相對移動且以低 於該基板軟化之溫度進行加熱，接著沿該光束點所通過之 軌跡冷卻該基板’其特徵在於： 藉由第一雷射劃線加工形成第一裂痕； 使用以降低摩擦係數之摩擦係數下降劑附著於該第一 裂痕之龜裂内後，藉由第二雷射劃線加工將第二裂痕沿與 ❹ 該第一裂痕交叉之方向形成至與第一裂痕之交叉點； 在與該第一裂痕之交又點使第二裂痕之行進停止。 2、 如申請專利範圍第丨項之裂痕形成方法其中該 摩擦係數下降劑含有潤滑油。 3、 如申請專利範圍第2項之裂痕形成方法，其中，該 摩擦係數下降劑含有矽油。 4、 如申請專利範圍第丨項之裂痕形成方法，其中，該 摩擦係數下降劑含有烷基醇、烷基醚、及脂肪酸烷基酯之 任-者。 ^ 5、 如申請專利範圍第1項之裂痕形成方法，其中，該 摩擦係數下降劑，係在第一雷射劃線加工將基板冷卻時， 與冷媒一起喷附。 6、 如申請專利範圍第5項之裂痕形成方法，其中，該 冷媒係使用含有石夕油之水。 7、 如申請專利範圍第1項之裂痕形成方法，其中，該 20 200936521 摩擦係數下降劑，係在第一雷射劃線加工將基板冷卻後， 立即塗布或喷附於該交叉點附近。 十一、圖式： 如次頁

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