TW200933881A - Image sensor and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

200933881 ， 六、發明說明： [發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種影像感測器及其製造方法，且特別是— 種提高光電二極體與金屬内連線之間的物理特性與電性連接之影 像感測器及其製造方法。 【先前技術】 影像感測器是用以將光學影像轉換成電子訊號之一半導體裝 ❹置。影像感測器通常被分類成電荷耦合裝置(charge coupkd device，CCD)影像感測器或互補式金屬氧化物半導體 (complementary metal oxide semiconductor，CMOS)影像感測器 (CIS)。 。 在影像感測H的製造擁+，光電二極廳使賜子植入而 形成於基板中。在不需要增加晶片之尺寸大小的情況下，可減少 光電二極體的尺核小，#明加—些像素⑦㈣。如此一來，光 ❹接收部位的區域將會減少，而影像品質也會因此降低。 、由於堆4的*度係無法像光接收部位的區域一樣減少，一些 光子入射於光魏部位會因為光的鋪喊少，這麵象稱為艾 瑞盤(Airy disk)。 為了解决此限制’光電二極體可利用非晶石夕(画咖出_) 而七成另外’由於讀取電路系統可利用如晶圓對晶圓 .(Waf^Wafe輸轉方_成於-娜)絲巾，㈣電二極體 係因此域丨“胃取電路纟哉可參考三維即)影像感糊之上，而 光電二極體由金⑽連線而朗取電路祕相連接。 5 200933881 根據相獅歧技術，將光電二極體與讀取電路I統相互電 性連接疋相當_的’也就是說，金屬崎線係形錢覆蓋於讀 取電路祕之上，並且以晶υ對晶_接合方式形成，而使金屬 内連線接觸於光電二極體。gj此’在麵内連線之間的連接係困 難的，並且金屬内連線與光電二極體之間麟姆接觸(〇w contact)亦相當地困難。 由於在轉移電晶體兩側的雜與汲極係大量摻料N型雜 質’因而發生電荷分享的縣。當電荷分享的縣發生時，可能 會降低輸出影像的感光度’且會產生影像錯誤。另外，由於光電 荷(_〇 charge)無法隨時移動於光電二極體與讀取電路系統之 間。如此-來，可能會產生暗電流(darkc_t)，且因而降低飽和 度與感光度。 【發明内容】 依據本發賴揭露之影像感難及其製造方法於填充係數增 加日守’可提南光電二極體與金屬内連線之間的物理特性與電性連 接。以及制_接觸。域本發_揭露之影彳_聽及其製 造方法於填紐數增加時，可防止料分抑㈣細_發 生。 依據本發明所揭露之影像感測器及其製造方法，係將一暗電 流(dark current)來源減至最小，以及藉由在光電二極體與讀 系統之間提供-光電荷(ph0t0 charge)快速的移動路徑，以防止飽和 度與感光度降低。 200933881 本發明所揭露之影像感測H包括有-金屬内連線及-讀取電 路，並且5又置於一第—基板上、-金屬層，設置或覆蓋於金屬内 連線上、以及-影像感測裝置包括有一第一傳導型傳導層及—第 二傳導型料層，並且電性連接於金屬層。 本發明所揭露之影像感㈣及其製造方法包括以下步驟：形 成一金屬内連線及一讀取電路於一第一基板上、形成一金屬層於 金助連線上、軸—影像感職置包括有—第__傳導型傳導層 ®及-第—傳導型料層、以及結合金屬層與影像制裝置，以使 金屬層與影像感測裝置相互結合。 有關本發明的特徵與實作，茲配合圖式作最佳實施例詳細說 明如下。 【實施方式】 本發明所揭露之影縣卿及其製造綠將詳細描述如下， 並請同時參酌圖示以利說明。

「第1圖」為根據本發明所揭露的影像感測器之剖面示意圖。 請參考「第1圖」，影像感測器包括有一金屬内連線150與—讀取 電路(readout Circuitry)120(如「第2B圖」所示），並且設置或覆葚 於-第-基板1GG上、-金屬層16〇，係設置或覆蓋於金屬内連線 15〇上、以及一影像感測裝置210’包括有一第一傳導型傳導尽aw 及一第二傳導型傳導層216，並且電性連接於金屬層丨6〇。 根據本實施例’影像感測裝置210可為—光電二極體、〜先 閘(photogate)或任何及其結合體。為了更簡單地描述，將以光電一 7 200933881 極體別來描述。根據本實施例，光電二極體係形成於結晶半導 體層内。根據本實施例，光電二極體並不以此為限制，也可形成 於其他型態的㈣，包括形成於—非晶質半導體層(咖响⑽ semiconductor layer)内。 「第2A圖」為第-基板1〇〇的示意圖，根據本實施例，第一 基板100包括有金屬内連線150與讀取電路12〇。根據本實施例， 「第2B圖」為第一基板100的另一視圖。 請參考「第2B 」，根據本發明所揭露影像感測器之製造方 法的步驟係包括有準備-第—基板·、形成或覆蓋—金屬内連線 150及一讀取電路120於第一基板1〇〇上。根據本實施例，第一基 板1〇〇可以是一第二傳導型基板。根據本實施例，第一基板1〇〇 並不僅限制為一第二傳導型基板，也可以是任何傳導型基板。根 據本貫施例，層間介電質(interlayerdielectric)17〇係形成或覆蓋於 第一基板100上。 根據本貫施例’裝置絕緣層(device isolation layer)l 10形成於 弟一傳V型弟一基板100中’因而定義出一主動區(activeregi〇n)。 包括至少一電晶體之讀取電路12〇係形成於主動區内。根據本實 施例，讀取電路120包括有一轉移電晶體(Tx)12i、一重設電晶體 (Rx)123、一驅動電晶體(Dx)125、以及一選擇電晶體(Sx)127。形 成離子植入區130的浮動擴散區(floating diffusion，FD) 131包括 各別電晶體的源極/汲極區133、135、137。 根據本實施例，形成或覆蓋讀取電路120於第一基板100上 8 200933881 . 的步驟，包括形成電接面區140於第一基板100内，以及形成第 -傳導型連接區I47於電接祕的—上層區内。根據本實施 例，第一傳導型連接區147電性連接於金屬内連線15〇。 根據本實施例，電接面區可以是- PN接面，但並不侷限 於此。根據本實施例，電接面區140包括第一傳導型離子植入層 143’形成或覆蓋於一第二傳導型井141上以及/或者一第二傳導型 猫日日層上，並且更包括形成或覆蓋於第一傳導型離子植入層M3 ❹上的一第二傳導型離子植入層145。根據本實施例，pN接面14〇 可以疋P〇(145)/N-(143)/P-(141)接面。PN接面140並不僅限制為 一結構，也可以是任何的接面結構。 根據本實施例，影像感測器係設計為於轉移電晶體(TX)121兩 侧的源極與汲極之間具有一電位差㈣⑽咖进⑽㈣，而使光電 何完全地傾倒(dumped)。因此，由光電二極體所產生的光電荷可 以完全地傾倒於浮動擴散區，使一輸出影像的感光度增至最大。 》 f接面@ 140形成於第一基板巾，並且鄰近於讀取電路 120。電接面區140允許電位差發生於轉移電晶體问121兩侧的 源極與汲極之間。如此，可使光電荷完全地傾倒。 光電荷的傾倒結構將更加詳細描述如下。根據本實施例，不 同於浮動擴散區(FD)131的節點可以是—N+接面，窗p接面14〇 可以是-電接面H 14G，且制於電接面區的賴係不會完全地轉 換，並且在一既定電壓(predetermined v〇ltage)下，會使通道截止 (pinched，。此種電㈣被稱作為—箝位f壓㈣mng她哪）， 9 200933881 ’ 且其取決於P0區145與N-區143的摻雜濃度。 根據本實施例，光電二極體210所產生的電子會移動至p如/p 接面140，並且轉換至浮動擴散區(FD)131的節點。當轉移電晶體 (Tx)121開啟時，電子會轉換成電壓。 根據本實施例，由於Ρ0/Ν_/Ρ_接面14〇之最大電壓數值係變為 一箝位電壓(pinning voltage)，以及浮動擴散區(FD)之節點的最少 電壓數值係變為Vdd-重設電晶體123的臨界電壓(vth)。在—曰片 ©之上層部的光電二極體21〇所產生的電子會完全地傾倒至浮動擴 散區(FD)131的節點。因此，不會因為轉移電晶體(Τχ)12ι兩侧的 電位差而造成電荷分享。 根據本實施例，一 Ρ0/Ν-/Ρ-井接面不為—Ν+/ρ井接面，係形 成於石夕基板，例如第一基板1〇〇中。因此，當4電晶體(4_Tr)主動 像素感測器(active pixel sensor，APS)重置運作時，A+電壓係鹿用 於Ρ0/Ν-/Ρ-井接面之N-143，以及接地電壓係應用於卜井141之 P0145。在一既定電壓(predetermined voltage)或另外之電壓下，一 夾止(pinch-off)會因而產生於Ρ0/Ν-/Ρ-井雙接面。這是相似於—雙 極接面電晶體(bipolar junction transistor，BJT)之結構，此種電壓係 被稱作為一箝位電壓(pinning voltage)。根據本實施例，於轉移電 晶體(Tx)121兩側的源極與汲極之間具有電位差。因此，當轉移電 晶體(Τχ)121的操作開/關時，可防止產生電荷分享的現象。 根據本實施例，在不同的例子中，光電二極體係僅連接於一 Ν+接面’以避免飽和度與感光度降低的限制。 10 200933881 • 根據本實關，第—料魏減147形成於光電二極體與 讀取電路之間’並且提供光電荷相對快速的移動路徑。如此，一 暗電流(darkcurrent)來源可減至最小，並且可防止飽和度與感光度 降低。 根據本實施例’第一傳導型連接區147可作為歐姆接觸。舉 例而言，N+區147係形成或覆蓋κΡ〇/Ν_/ρ_接面14〇的表面上。 形成Ν+區147，並且延伸穿過Ρ0區145及接點队區⑷。根據 ©本實施例’為了防止第一傳導型連接區147變為一渗透源㈣乂哪 贿ce)，第一傳導型連接區147的寬度係減至最小。因此，根據 本實施例，於第一金屬接點151a蝕刻步驟之後，進行一插塞由匕幻 植入之步驟。根據本實施例，此製程並不以此為限。舉例而言， 形成一離子植入圖案。接著，第一傳導型連接區147係使用離子 植入圖案’例如一離子植入光罩而形成。 根據本實施例，接點的部位係藉由局部且大量摻雜著N_型雜 質而形成，當暗訊號(dark signal)減至最小時，促使歐姆接觸形成。 若是整個的轉移電晶體(Tx)源極係大量摻雜，暗訊號係藉由矽表面 懸空結合(dangling bond)而增加。 根據本貫施例，層間介電質(interlayer dielectric)170係形成或 覆蓋於第一基板100上。形成金屬内連線15〇，延伸穿過層間介電 質170，並且電性連接於第一傳導型連接區147。根據本實施例， - 金屬内連線150包括有一第一金屬接點151a、一第一金屬151、 - —第二金屬152，以及一第三金屬153。根據本實施例，其他結構 11 200933881 亦可使用。根據本實施例，金屬層160形成或覆蓋於第一基板 100，並且接觸於金屬内連線15〇。 由於金屬層160介入於第一基板100與光電二極體210之間， 而使基板與基板之間的結合力增加。根據本實施例，金屬層16〇 為一鋁(A1)層。根據本實施例，金屬層160可由其他金屬形成。 根據本實施例，若是金屬内連線150未暴露於第一基板100 之上層°卩，金屬層160係包括一插塞金屬層160a，以穿過一孔洞 ©與金屬内連、線15〇相接觸。第-金屬層160b介入於第-基板1〇〇 與光電二極體210之間。根據本實施例，若是金屬内連線15〇不 用插塞，設置於第-基板100中而未暴露於外，可藉由形成孔洞 暴硌出金屬内連線150，而形成插塞金屬層16〇a與第一金屬層 160b。形成具有厚度範圍約為5〇〇埃（人)至ιοοο埃（入)的一鋁(^) 層於第-基板100上，或是覆蓋於其上。根據本實施例，其他相 B 似的製程亦可使用。金屬層160為一平面化(planarized)。 根據本實施例，若是金屬内連線150暴露於第一基板10◦之 上層部，金屬層160係僅包括第一金屬層16〇b，介入於第一基板 100與光電二極體210之間。根據本實施例，若是金屬内連線15〇 不用插塞，^置於第-基板UK)中而暴露於外，可藉由形成金屬 層而形成第-金屬層16Gb。例如具有厚度範圍約為5⑻埃（人)至 ι，〇〇〇埃（人)的鋁(Ai)層設置或覆蓋於第一基板100上。金屬層16〇 為一平面化(planarized)。 根據本貫施例，於結合步驟之前，使用垂直型光電二極體， 12 200933881 並且將金屬層介人垂直型光電二極體與金屬内連線之間。如此， 景夕像感測裔可提咼光電二極體與金屬内連線之間的物理特性與電 性結合力。

❹ 請參考「第3圖」，結晶半導體層21〇a形成或覆蓋於第二基 板2〇0上。根據本實施例’光電二極體21〇形成於結晶半導體層 210a中。因此，影像感測裝置一三維(3D)影像感測器，設置或覆 蓋於讀取電路上，*增加填絲數。根據本實施例，影像感測装 置形成於結晶半導體層崎’以防止影像制裝置崎產生缺陷。 根據本實施例，結晶半導體層施係使用一蠢晶成長法 (epitaxial growth)形成或覆蓋於第二基板2〇〇上。於第二基板2⑽ 與結晶半導體層210a之間植入-氫離子。如此，以形成—氣離子 植入層207a介入於第二基板200與結晶半導體層21〇a之間。於 離子植人⑽絲電二減21G邮狀後，進行鱗子的植入 步驟。 請參考「第4圖」，植入雜質離子於結晶半導體層21加中， 而形成光電二極體210。根據本實施例，第二傳導型傳導層 係形成於結晶半導體層21Ga之下層部中，或者形 复 上，並且接觸於氫離子植入層207a。^農度P_型傳導層2二係: 用光罩’藉由在第=基板的-表面’例如整個表面上，或者 覆蓋整個表面以進行第—毯覆式植入法(― implantation)，而形成於結晶半導體層21〇a之下層部中。 根據本實施例’第-傳導型傳導層形成錢蓋於第二傳導型 200933881 傳導層216上。舉例而言，低濃度讣型傳導層214係不用光罩， 藉由在第二基板200的整個表面上，錢蓋整個表⑽進行第二 毯覆式植入法(blanket-ionimplantation)，而形成或覆蓋於第二傳導 型傳導層216上。根據本實施例’高濃度第―傳導型傳導層犯 形成或覆蓋於第-傳導型傳導層2丨4上。舉例而言，不使用光罩， ❹

^融在第二基板的整個表面上，或者覆蓋整個表面以進行 第二毯覆式植入法(blanket-i〇nimpiantation)。如此，第一傳導型傳 導層214可構成歐姆接觸(ohmicc〇ntact)。 請參考「第5圖」’第-基板1〇〇與第二基板2〇〇係互相結合。 根據本實施例，因此，光電二極體別係與金屬内連線15〇相接 觸。根據本實施例，於第—基板1〇〇與第二趣互相結合的 步驟之W ’係藉由增加結合面的表面能量來進行結合，例如透過 電漿之活化作用(activati〇n)。根據本實施例，設置或覆蓋至少一電 介質與-金屬層於結合界面上來進行結合，如此可使結合力增至 最大。 請參考「第6圖」，氫離子植入層撕係藉由於第二基板· 上進行熱處理而改變為一氫氣層2〇7。 —請參考「第7圖」’接著，移除第二基板200之-部位。根據 本實施例，留下位於氫氣層下的光電二極體21()，以令光電二極體 训暴露於外。根據本實施例，使用一切割裝置，例如刀片，來進 行弟一基板200的移除。 5月參考「第8圖」，進行—綱製程，以將光電二極體分成每 14 200933881 -個單位像素。根據本實關，侧的部位可用—像素間電介質 __eldlelectric)填滿。根據本實施例，進行—製程，而形成― 上電極與一彩色濾光片。

「第9圖」為根據本發明所揭露的影像感測器之剖面干意圖。 7本實施例，請參考「第9圖」，她所揭露的影像感測器包 括有金勒輕15G及讀取電路跡且其形錢覆紐第一基板 1〇〇上、提供-金顧16G，設置或覆蓋於金屬内連線⑼上、影 像感測裝置21G，包括有—第—傳導型傳導層214及—第二傳導型 傳導層216，並且電性連接於金屬層16〇。「第9圖」所採用的技 術特徵係描述於「第i圖」至「第8圖」實施例中。 根據本實施例’如「第9圖」所示，本實施例的金屬層⑹ 包括有-減金屬層162a，係接觸於金屬内連線15〇及第二金屬 層162b，並且第二金屬層162b可選擇性地介入於第一基板⑽ 與光電二極體210之間。根據本實施例，金屬層162可以是一欽⑽ 層。根據本實施例，金屬層可為任何其他合適的層。 根據本實施例，不同於「第丨圖」至「第8圖」中的第_金 屬層160b，於「第9圖」中的第二金屬層祕係部分地延伸至光 電二極體210與第一基板1〇〇之間。 根據本貫施例’若是具有厚度範圍約為5〇埃（人)至1〇〇埃（人) 的薄鈇層介入於第一基板1〇〇與光電二極體21〇之間，可增加第 —基板100與光電二極體210之間的附著力。 根據本實施例，由於第二金屬層162b是相對地薄，將第二金 15 200933881 > 屬層16沘設置於第一基板100與光電二極體210之間係不會影響 空隙或是其他類似的狀況發生。 接著，將描述形成金屬層162的製程，根據本實施例，若是 金屬内連線150未暴露或覆蓋於第一基板100的一上表面上，會 形成一孔洞使金屬内連線暴露於外。根據本實施例，形成金屬層 162。金屬層162包括有插塞金屬層162a，與金屬内連線15〇及第 二金屬層162b相接觸，並且設置或覆蓋於第一基板1〇〇上。接著， © 使弟一金屬層162b為平面化(planarized)。 根據本實施例，第二金屬層1621)可選擇性地移除，且留下一 部位連接於插塞金屬層162a。舉例而言，第二金屬層祕係圖 型化(patterned)，以具有一寬度大於金屬内連線15〇之寬縻。 根據本實施例，如「第3圖」與「第4圖」所示，準備一第 二魏細’於其上形成或覆蓋有光電二極體21()。根據本實施例， 泛如⑦5圖」與「第7圖」所示，第一基板卿與第二基板· 係相互結合。接著，光電二極體210暴露於外。 、—請參寺「第9圖」，進行-綱製程，以將光電二極體21〇分 成每-個單位像素。触刻的部位可用一像素間電介質㈣响d dWectne)填滿。根據本實施例，進行—製程，以形成—上電極與 一彩色濾光片。 、 根據本實施例’如「第9圖」所示，由於金屬層⑽介入於 金屬内連線15G與光電二極體加之間，以提高金屬内連線15〇 與光電二極體別之間的物理與電性結合力。根縣實施例，由 16 200933881 ， 於金屬層162係不存於像素之間自$ m Μ的―界面’係不需要贿刻製程 將金屬層162分離成每一個單位像素。 「第10圖」為根據本發明所揭露的影像感測器之剖面示音 圖。請參考「第10圖」，於第—基板上形成或覆蓋有金屬内連線 150第10圖」所包含的某些技術特徵係描述於「第1圖」至「第 8圖」實施例中。 、舉例而言，如「第1〇圖」所示，由於使用垂直型光電二極體， 〇並且於垂直光電二極體與金屬内連線之間介人—金屬層，如此可 增加影像感· _理與紐結合力。根據本實關，層間介電 質(interlayer dleleCtric)170係形成或覆蓋於第一基板觸上。 根據本實施例，如「f 1G圖」所示，影像感測器係設計為於 轉移電晶體(Tx)m兩側的源極與汲極之間具有一電位差咖減^ difference) ’而使光電荷完全地傾倒(dumped)。根據本實施例，形 ◎成-電荷連接區於光電二極體觸取電路之間，且提供光電荷相 對快速的移動验，树轉(dai>keuiTent)麵可減至最小，並且 可防止飽和度與感光度降低。 不同於「第1圖」至「第8圖」的實施例說明，第一傳導型 連接區148係橫向間隔形成於電接面區14〇的一側上。選擇性地， 根據本實施例，N+連接區148形成或覆蓋於p〇/N-/P-接面140上， 以達到歐姆接觸。由於影像感測器係以一反偏壓(reversebias)應用 於Ρ0/Ν-/Ρ-接面140，而形成N+連接區148及Ml接點151a的製 程可提供一滲透源(leakage source)。因此一電場(electric field，EF) 17 200933881 產生或覆蓋於1表面上。於接點形程中，產生結晶缺陷 (crystal defect)於電場内，且電場可當作滲透源。 根據本貝％例’若是N+連接區⑽形成或覆蓋於刪請-接 面140之表面上，由N+/p〇接面m/l48產生電場，而電場亦可 當作滲透源。 ❹ ❹ 根據本實施例，如「第10圖」所示，提供-佈局有第-接點 插塞151a ’不摻雜有p〇層，但包括有n+連接區⑽而形成於主 動區内’並且此佈局與^接面143相連接。 、，根據本實施例’電場不會產生或覆蓋於縣面上。因此，可 減乂-維整合型互補式金屬氧化物半_影像感測器的暗電流。 :^根據本發鴨減之影像感湘及其製造方法係應用 j以氧化物半導體_S)影像感測器。然而，本實施例 並不加以關，其·於任何_二_麵測器上。 雖=本發明以前述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以限 明’任何熟習相像技藝者，在錢離本伽 内:、當可作些許之钱與_，因此本㈣之翔賴範圍: 本。兄明書所附之申請專利範圍所界定者為準。 、 【圖式簡單說明】 第1圖至第10圖為根據本發明—與 造方法之示賴。 纟“ ㈣佩測器及其製 【主要元件符號說明】 100 第一基板 18 200933881 110 裝置絕緣層 120 讀取電路 121 轉移電晶體 123 重設電晶體 125 驅動電晶體 127 選擇電晶體 130 離子植入區 ❹ 131 浮動擴散區 133、 135 > 137 源極/汲極區 140 電接面區 141 第二傳導型井 143 第一傳導型離子植入層 145 第二傳導型離子植入層 147 第一傳導型連接區 〇 148 第一傳導型連接區 150 金屬内連線 151 第一金屬 151a 第一金屬接點 152 第二金屬 153 第三金屬 154a 第四金屬接點 160 金屬層 19 200933881 160a 插塞金屬層 160b 第一金屬層 162 金屬層 162a 插塞金屬層 162b 第二金屬層 170 層間介電質 200 第二基板

207 氫氣層 207a 氫離子植入層 210 光電二極體 210a 結晶半導體層 212 高濃度第一傳導型傳導層 214 第一傳導型傳導層 216 第二傳導型傳導層

20

Claims (1)

1. 200933881 七、申請專利範圍： 1. 一種影像感測器，包括有： 一金屬内連線及一讀取電路，設置於一第一基板上； 一金屬層，設置於該金屬内連線上；以及 一影像感測裝置，電性連接於該金屬層，並且該影像感測 裝置包括有一第一傳導型傳導層及一第二傳導型傳導層。 2. 如請求項第1項所述之影像感測器，其中該金屬内連線未暴露 0 於該第一基板的一上表面上，其中該金屬層包括有： 一插塞金屬層，與該金屬内連線相接觸；以及 一第一金屬層，設置於該插塞金屬層上，並且位於該第一 基板與該影像感測裝置之間。 3. 如請求項第1項所述之影像感測器，其中該金屬内連線暴露於 該第一基板的一上表面上，其中該金屬層包括有一第一金屬 層，設置於該第一基板與該影像感測裝置之間。 ❹ 4.如請求項第1項所述之影像感測器，其中該金屬内連線未暴露 於該第一基板的一上表面上，其中該金屬層包括有： 一插塞金屬層，接觸於該金屬内連線；以及 一第一金屬層，設置於該插塞金屬層上，並且位於該第一 基板與該影像感測裝置的一部位之間。 5.如請求項第1項所述之影像感測器，其中該讀取電路包括一電 接面區，設置於該第一基板内，其中該電接面區包括有： 一第一傳導型離子植入區，設置於該第一基板内；以及 21 200933881 第-傳導.子植人區，設置於該第—傳導型離子植入 區上。 6· ^求項& 5項所述之影像感測ϋ，更包括-第-傳導型連接 區’電性連接於該金屬内連線，且該第一傳導型連接區設置於 該電接面區上。 7.如請求鄕5項所述之影像感·、，其中該電接面區包括一 ΡΝΡ接面。 ❹8. 2睛求項第5項所述之影像感測器，更包括—第—傳導型連接 區’與该電接面區間隔設置，且該第一傳導型連接區電性 於該金屬内連線。 9.:請求項第丨項所述之影像感·，其中該讀取電路包括一電 體”中一電位差存在於該電晶體兩侧的一源極與一汲極之 ❹Η).如=項第9項所述之影像感測器，其中該電晶體包括—轉移 電晶體，其中該電晶體的該源極的離子植入濃 散區的離子植入濃度。 、摘擴 11. 一種影像_器之製造方法，包括有以下步驟： 形成〜金屬内連線及一讀取電路於一第一基板上； 形成〜金屬層於該金屬内連線上； 糾㈣職心錢屬層上，且該影像感測裝3 導型傳導層及1二傳導型料層；以及 …亥金屬層與該影像感測裝置，以使該金屬層接觸灰 22 200933881 〜 影像感測裝置。 12. 如請求項第U項所述影像感測器之製造方法，其中該金屬内 連線未暴露於該第一基板的一上表面上。 13. 如請求項第12項所述影像_器之製造方法，其中形成該金 屬層之步驟包括有： 形成-孔洞以選擇性地暴露該第—基板的該上表面，並且 暴露該金屬内連線； ❹ 形成-插塞金屬層並接觸於該金屬内連線；以及 形成-第-金屬層於_塞金屬層上，並且位於該第一基 板與該影像感測裝置之間。 14. 如請求鄉12顿述影像感測器之製造方法，其中形成該金 屬層之步驟包括有： ❹ 部分地移除鱗—基板的該上層部位以形成—孔洞，並且 暴露該金屬内連線； 形成-插塞金屬層並接觸於該金屬内連線； 形成一第一金屬層於該插塞金屬層上；以及 :地移除於複數個像素間之—界面上的該第一金屬層。 連11項所述影像_之製造方法，其找金屬内 連線暴露於該第一基板的一上表面上。 16.^1 轉15項所述影像感測器之製造方法，其帽成該金 盥H料包括有形成—第—金屬層於該第-基板上，並且 與该金屬内連線相接觸。 23 如請禾項 ❹

   200933881 17.如請求項第u項所述影像感測器之製造方法，其中形成該讀 取電路之步驟包括有形成一電接面區於該第一基板内，其中形 成該電接面區更包括有： 形成—第一傳導型離子植入區於該第一基板内；以及 形成一第二傳導型離子植入區於該第一傳導型離子植入 區上。 頊π现彩保琢測器之衣 第一=導型連接區與該金屬内連線相連接，且該第:二= 接區設置於該電接面區上。 17' 19.如請求項第18摘述影像感·之 内連線的-接紐刻步驟之後，更^於提供該金屬 區。 成5亥弟一傳導型連接 20.如請求項第17項所述影像感測器之製 第-傳導型連接區，與該電接面區間隔:法’更包括形成-連接區電性連接於該金屬内連線。& ’且该第-傳導型 24