TW200921945A - Light emitting device and package assembly for light emitting device - Google Patents

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TW200921945A TW097116055A TW97116055A TW200921945A TW 200921945 A TW200921945 A TW 200921945A TW 097116055 A TW097116055 A TW 097116055A TW 97116055 A TW97116055 A TW 97116055A TW 200921945 A TW200921945 A TW 200921945A
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Hiroshi Fushimi
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Kasei Co C I
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Description

200921945 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明關於一種發光裝置，在金屬基板與抵接於前述 金屬基板的陶瓷基板所構成的基板上設置有上下電極型發 光二極體。本發明關於一種發光裝置用組件集合體，具有 前述金屬基板、用以嵌合抵接於前述金屬基板的陶竞基板 的陶瓷基板嵌合孔。本發明關於一種導電連接部件，用以 連接前述上下電極型發光二極體的上部電極以及設置在陶 瓷基板的導電膜。 【先前技術】 圖6(a)至（c)是用來說明習知的例子，其為在反射框 的内部裝設有上下電極型發光二極體的發光裝置。於圖6 中，上下電極型發光二極體63的下部電極接合於—側的金 屬基板61上。前述上下電極型發光二極體63的上部電極: 精由導電連接部件64連接於另—側的金屬基& Μ。前述 —側的金屬基板61與另-側的金屬基板62藉由絕緣部件 或是空間分離。前述分離的金屬基板Η，藉由 6 6而被保持為一體。 前述上下電極型發光二極體63藉由封裝材料 封裝於反射框66内。前述封|材料68被 框66的上面為止，於其上形成有螢光膜69。述反射 於特開2m-27585號公報所記載發光 上下電極型癸杏-托挪L A 仕將别述 極體的上部電極與另-側的金屬基板進
2037-9647-PF 200921945 =接時，是使用藉由超音波等的打線接合。 述上;動而切斷等的事故，以封裝材料封裝前 光體層才型發先二極體，其後在前述封裝材料上設置勞 以及專利公開公報所記載的封裝材料在因 而收縮時，在其與螢光膜之間產生空間部681。當 別述工間部681中的空氣因發光二極體 (等=路徑，而會發生前述勞光膜的龜裂或是翹 L 前料光：㈣《述料㈣未填充於反 ^的距離不同’因而產生色不均，無法發出所希望顏色的 +如圖6所示’裝設在具細縫的金屬基板上的發光二極 體藉由透明樹脂封裝，為 用硬度高的樹脂。”=二透明樹脂的強度而使 剛述硬度尚的封裝材料具有因發 "極體所產生的熱應力大的問題。前述熱應力具有使供 給發光二極體電力的配線斷線的問題。 /、 :且’圖6所示的發光裝置，封裝材料與榮光膜 '前 二、"膜與透明保護膜個別在半硬化的狀態下互相接著。 、〔發光裝置的封裝材料、螢光膜、透明保護膜雖然個別 良好的接著，但是在成為硬化狀態時會承受因收縮而產生 的應力。亦即是，前述封裝材料在前述收縮時會.脊曲。由 於前述榮光膜會伴隨著前述封裝材賴曲而=，； 時會產生龜裂、翹起或是破裂。
2037-9647-PF 200921945 前述發光裝置在金屬基板61、62之間是藉由透明的絕 緣部件67分離。由於前述絕緣部件 ^ τ便則述上下雷極 尘卷光二極體63所發出的光逸散，而使得效率降低。 大量製作複數的發光二極體的方法，是利用弓丨線竿在 :斤定的位置裝設所定的部件後’ #由切斷引線架以得到所 d望數目的裝設有發光二極體的發光裝置。但是，前述發 先裳置是基板與發光二極體、發光二極體的電極_線、 ::框與基板等相異部件的裝配。為了使前述各種裝配最 ，必須進行嚴密的溫度㈣。在前述溫度管理不充分 時，多會對發光二極體造成不好的影響。 【發明内容】 為了解決上述課題，本發明的目的在提供—種發光裝 置，能夠防止含螢光體膜因為應力或是封震材料與:榮光 體膜之間的空間部中的线膨脹而產生龜裂或是輕起，且 發光效率良好。本發明的目的在提供—種發光裝置，量產 性優良，能夠耐受大電流以及熱應力，並保持高強度。本 發明的目的在提供—種發光裝置用組件集合體，具有金屬 基板以及嵌合陶瓷基板的嵌合孔而適用於量產。 本發明的發光裝置’至少由下述構件所構成：基板， 由金屬基板與至少在上部形成導電膜的陶竟基板互相抵接 而成；反射框，由具有開口部的絕緣部件所構成，並以跨 越前述金屬I板與陶竞基板的方式於底部接著有前述基 板；至少一個上下電極型發光二極體，其下部電極裝設在
2037-9647-PF 7 200921945 前述反射框内部的金屬基板上；至少一個導電連接部件， 用以連接前述上下電極型發光二極體的上部電極與前述陶 瓷基板上的導電膜；焊料，用以接合前述金屬基板與前述 上下電極型發光二極體的下部電極、前述上下電極型發光 二極體的上部電極與前述導電連接部件、前述導電連接部 件與前述導電膜。 本發明的發光裝置，其中發光部由前述基板、反射框、 至少一個上下電極型發光二極體、至少一個導電連接部 件、焊料所構成，且前述發光部構成為複數個。 本發明的發光裝置，其中前述導電連接部件由至少一 個金線帶（gold wire ribbon)所構成。 本發明的發光裝置，其中前述金屬基板為附散熱器金 屬基板’且與前述陶瓷基板的厚度近乎相等。 本發明的發光裝置，#中前述發光部為串冑、並聯或 是串並聯的連接。 本發明的發光裝置，其中前述反射框内設有封裝前述 上下電極型發光二極體的材料。 本發明的發光裝置，其中於前述反射框内或是前述反 射框的上部，裝設有至少一個含螢光體的螢光膜，用以將 前述上下電極型發光二極體所發出的光轉換成近乎白光。 本發明的發光裝置用組件集合體，至少由下述構件所 構成.金屬基板集合體’具有藉由連接部連接的多數的金 屬基板，以及於前述金屬基板的一側設有陶瓷基板的泸人 部；陶瓷基板，設置於前述各嵌合部，至少於上部形^ 2037-9647-PF 8 200921945 導電膜；反射框，由具有開口部的絕緣部件所構成，並以 跨越前述各-對的金屬基板與陶£基板的方式於底部被接 著。 本發明的發光裝置用組件集合體’其中前述連接部由 引線狀連接部所構成，且前述引線狀連接部設置於前述金 屬基板的二側。 本發明的發光裝置用組件集合體，其中前述引線狀連 接部設有脆弱部，能夠容易的進行分離。 本發明的發光裝置用組件集合體，其中前述引線狀連 接部設有切斷部，前述切斷部是由藉由下死點（b〇tt⑽ dead center)控制所控制的深溝所構成。 本發明的發光裝置，是在金屬基板肖陶竟基板的一側 互相抵接的基板上設置發光部。而且，前述陶究基板至少 在上㈣成有導電膜。具有開口部的絕緣部件所構成的反 射框的底部，以跨越前述金屬基板與陶莞基板的形式以熱 固性樹脂連接。前述金屬基板、陶竞基板、反射框三者藉 由前述接著劑的接著而牢固的固定於一體。至少一個上^ 電極型發光二極體’是以下部電極裝設在前述反射框内部 的金屬基板上。至少-個板狀導電連接部件，用以連接前 :上下電極型發光二極體的上部電極與前述陶瓷基板上的 導電膜。本發明的發光裝置由於在金屬基板與陶竟基板之 間沒有分離部，因此光不會由此部份照射到前述發光裝置 的後部’因而不會造成光的浪費。 前述金屬基板與前述上下電極型發光二極體的下部電
2037-9647-PF 9 200921945 極、前述上下電極型發光二極體的上部電極與前述導電連 接部件、前料電連接部件與前述導電膜使用焊料而同時 接合。前述上下電極型發光二極體的上下電極、金屬基板、 導電連接部件、導電膜等的連接，可使料料、焊膠、焊 料和助熔劑、金-錫共晶焊膠、銦系共晶焊料等週知或公知 的材料。前述焊料例如是金與錫（2〇%)、金與錫（9⑽卜金 與二氧化矽（3_ 15%)、金與鍺（12%)、其他的錫_銅_鎳系、 錫-銀系、、錫-銀-銅系、、錫_銀_架_鋼^系 錫-辞系共晶焊料。 本發明的發光裝置，設置複數個金屬基板與陶竞基板 互相抵接的基板’與此些個別對應的具有開口部的由絕緣 部件所構成的反射框，以個別跨越前述金屬基板與陶竟基 板的方式接著，此為與前述發明相異之處。前述發光裝置 能夠容易的構成線光源或是面光源。 本發明的發光裝置，導電連接部件由近乎矩形的金線 帶所構成。前述金線帶例如是可以形成厚度薄的條狀以取 代兩條的臂狀連接部。前述金線帶與鍍銅所得者相較之 下，加工步驟少、f曲容易、而且容易黏附焊料。而且， 由於前述金線帶的焊料處理容易且寬度窄，因此具有不會 產生上下電極型發光二極體所發出的光的影子，並且能夠 確實的流通大電流的優點。尚且，前述金線帶例如是寬度 為〇. 1mm至〇. 2mm ’厚度為〇· 025襲。 本發明的發光裝置，在金屬基板裝設有散熱器，且陶 竞基板與前述附散熱器的金屬基板幾乎等厚。設置在前述 附散熱器的金屬基板的發光裝置由於放熱效果高、能;:流
2037-9647-PF 200921945 通大電流’因此能夠得到高輝度.前述一個反射框所構成 的發光部，以複數個串聯、並聯或是串並聯連接。藉由使 前述發光部，以串聯、並聯或是串並聯電連接，能夠容易 的得到所期望亮度或是所期望尺寸的發光裝置。而且，前 述發光部能夠將複數組裝設成行狀或列狀，因而能夠構成 線光源或面光源。 本發明的發光裝置，在反射框内填充封裝上下電極型 發光二極體的材料。本發明的發光裝置藉由使用板裝導電 連接部件或是金線帶而能夠省略封裝材料，但是為了能夠 在振動的場所使用而在前述反射框内填充封裝材料，藉由 封裝剛述上下電極型發光二極體，能夠進一步的提高可靠 度。 本發明的發光裝置，於前述反射框内或是前述反射框 的上部，裝設有至少一個含螢光體的螢光膜，用以將前述 上下電極型發光二極體所發出的光轉換成近乎白光。前述 °又置有螢光膜的發光裝置，由於將前述上下電極型發光二 極體的光變換為白色，能夠作為通常的照明裝置使用。前 述上下電極型發光二極體為藍色發光二極體或紫外線發光 體 _為藍色發光二極體時，藉由使用含有吸收藍色 p發出黃色的螢光體的螢光膜、或是含有吸收藍色以發出 '在色與紅色的螢光體的螢光膜，與藍色發光二極體的藍色 σ併而發出近乎白色光。當為紫外線發光二極體時，藉由 使用含有吸收紫外線以發出藍色、綠色以及紅色的螢光體 、螢光膜而發出近乎白色光，亦或是使用吸收紫外線以發
2037-9647-PF 11 200921945 出藍色的螢光體、與吸收紫外線與前述藍色以發出綠色以 及紅色的螢光體而發出近乎白色光。 本發明的發光裝置用組件集合體，是由金屬基板集合 體所構成，於前述金屬I板集合體設置有複數組金屬基板 與用以嵌合陶竟基板的陶究基板嵌合孔。前述金屬基板藉 由連接部連接，而連接至引線架或其他的金屬基板。陶瓷 ,板的三ϋ由引線架或是從其他的嵌合孔突出的引線連接 邛、另-邊由金屬基板的另一邊包圍。前述陶瓷基板嵌合 孔肷合陶瓷基板時，一邊成為與金屬基板的—邊抿接 寸。 ~ 則述陶瓷基板在形成能夠連接導電連接部件（例如是 金線帶）的導電膜後，藉由熱固性樹脂接著劑裝設由絕緣= 件構成且具有開口部的反射框。前述反射框是以跨越前述 金屬基板與m板的方式，於底部以接著劑進行接著。 、本發明的發光裝置用組件集合體，在引線架對金屬基 板以及陶竟基板嵌合孔的連接部不安定時，藉由在前述弓I 、㈣接部之間設置補強用引線部而提昇強度。前述引線华 藉由衝壓而打穿形成陶堯基板嵌合孔以及較的空間部: 其後於前述陶曼基板嵌合孔嵌合預先製備的陶竟基板。歆 述引線架與前述陶瓷基板嵌合時，置於板裝部件上。前: 引線架在陶究基板嵌合孔中嵌合陶究基板後，以跨越前述 金屬基板與陶竟基板的方式’將由絕緣部件構成且具有開 :部的反射框藉由熱固性樹脂接著劑固定。前述引線連: 部較佳在金屬基板的三側設置引線狀連接部。
2037-9647-PF 12 200921945 本發明的發光裝置用組件集合體，前述引線部由脆弱 部所構成。前述脆弱部具有製作前述發光部時不會分離， 完成後容易分離的強度。 本發明的發光裝置用組件集合體，在製作前述金屬基 板以及陶瓷基板嵌合孔時，於引線連接部設置藉由下死點 控制所控制的深溝所構成的切斷部。由前述深度被控制的 溝所構成的切斷部，在前述金屬基板以及Μ基板嵌合孔 裝叹上下電極型發光二極體等的部件後，能夠容易分離。 如依本發明，由於金屬基板與陶变基板抵接，前述金 屬基板與陶竟基板之間不會漏光而成為高效率的發光裝 、如依本發明，金屬基板與陶瓷基板抵接，且反射框跨 越則述金屬基板以及陶瓷基板而藉由接著劑安裝，在由引 線架分離時，能夠堅固的保持為一個組件或是發光裝置。 如依本發明’由於上下電極型發光二極體的上部電極 =陶竞基板上的導電臈是藉由板狀導電連接部件或金線帶 放熱性良好、能夠流通大電流，不易形成上下 電極型發光二極體所發 w的先的影子。並且，前述板狀導 線帶與打線相較之下抗振動能力強，即使 蝻略封裝材料，連接部亦不會斷線。 ，依本發明’如於各接合部使用高融 盘直 =:電：板等的連接可使用低融點的谭料，並且:接 不良品的:相及/或是發光層不會施加振動，而能夠沒有 t ，伃到由上下電極型發光二極體所構成的發光裝
2037-9647-PF 13 200921945
、、依本么明，上下電極型發光二極體以串聯以及/或是 $聯或是串並聯，亦或是行狀以及/或是列狀連接，而能夠 各易的得到所期望亮度或是尺寸的發光裝置。 如依本發明，上下電極型發光二極體僅需變更螢光體 或是含螢光體膜體的種類，㈤能夠容易的得到白色光以外 的所期望顏色的光。 【實施方式】 本發明的實施型態基於圖面進行詳細說明。 (實施例1) 圖1(a)至（c)所纷示為本發明第i實施例，圖心）所 、會不為發光裝置的平面圖、圖」⑻所㈣為發光裝置的斷 面圖、圖UO料示為發光裝置的底面圖。本發明的圖為 了使說明容易被瞭解，尺寸關係與實際未必一致。於圖1(a) :⑷中’金屬基板U與陶竟基板12互相結合而構成一個 ，板。反射框料越前述金屬基板^㈣基板^，而 底部例如是藉由熱固性樹脂而固定為一體。 前述金屬基板11例如是由銘、鋼、鐵或是此些的合金 ㈣成，因應需要可藉由鎳或是銀而進行有表面處理。前 ::下電極型發光二極體13以下部電極(未圖示)裝設在 :二屬基板11的上部。而且’於前述上下電極型發光二 =3,上部電極131設置於上部的周圍，並且與後述的 V電連接料14㈣連接㈣份變寬。前料電連接部件
2037-9647-PF 14 200921945 14例如是設置兩條的臂所構成的臂狀連接部1 4卜其前端 部與前述上下電極型發光二極體13的上部電㈣】連接。 ，、前述陶究基板12與金屬基板n的一邊抵接，並且在 P伤的上面形成導電臈17。前述導電連接部件 的另-端，與設置在前述陶竟基板12上的導電膜17接合。 例如是，前述發光裳置的金屬基板n與陶究基板12的導 電膜由未圖示電源連接，藉此電流流入上下電極型發 光二極體13而發光。 具備有反射部161的反射框16，例如是藉由2液性的 環氧系樹脂所構成的熱隨樹脂而與前述金屬基板u以 及陶竟基板12接合。前述金屬基板❹陶竟基板12的抵 ，部份未進行接合亦沒有關係，藉由前述反射框16以及接 著劑15而互相的保持穩固。 别述金屬基板11與上下電極型發光二極體13的下部 電極、上下電極型發光二極體13的上部電極131盘導電連 接部件14的接合，是藉由焊料進行接合。為了提昇前述接 合部的濕潤性，可預先施加鑛金或鍍銀。於前述金屬基板 11的上部全面施加鍍金或鍍銀， 叫此夠冋時達到提昇電流 的導電性、光反射性、接合部的濕潤性3者。 前述上下電極型發光二極體13於上部電極i3i呈有放 射光線的開口部’並形成易於接合前述導電連接部件14的 滹狀連接部141的大面積部。由前诚 ^ 10 , 田引述上下電極型發光二極 體13的側部所放出的光’由前述臂狀連接部ΐ4ι之間形成 的開口部向外部放射’冑述光效率良好的向外部放射。於
2037-9647-PF 15 200921945 1 :導電連接部件】4，以—片的條狀板部件來取代設置兩 妙、狀連接。p 14卜而能夠連接前述上下電極型發光二極 、13的上部電極131的中央、兩端的至少一側。而且，前 &條狀^件藉由使用金線帶，能夠流通大電流並容易彎曲。 。而且，前述反射框16的内部雖然未圖示，但是因應需 =可填充透明封裝材料。前述透明封裝材料可為彈性體型 式的材料。前述彈性體型式的樹脂的硬度，期望使用蕭式 A，橡膠硬度）為15〜85，較佳為2〇〜8〇者。尚 =’:述透明封裝材料較佳使用♦酮系樹脂所構成的彈性 有前述硬度的透明封裝材料，即使因為與前述金屬 : '導電連接部件14等的熱膨脹係數不同而產生庵 力，亦能夠吸收前述熱應力。 應 部，言=透明封裝材料的表面或是反射框16的開口 因廄新“ 蛍尤體膜體。别述含螢光體膜體可 顏色進行選擇。而且，因Si 或所希望的光的 含螢光在前述透明封裝材料與 ^ ㈣體之間設置亂反射部件，藉此使上下電極型發 先二極體U的光有效的放射至所期望方向。尚且 透明封裝材料亦可以含有螢光體。 ；a (實施例2) 圖2為說明設有多數個發光二極 架的圖式。於圖2中’引線架21 :接體的引線 板Π與陶究基板喪合孔12，的多數::的一對金屬基 P m μ ^ ^ η, ^ 數、'且，藉由多數的脆弱 構成的引線連接部23而連接前述框I其他的金屬
2037-9647-PF 16 200921945 基板11或疋別述陶竟基板歲合孔丨2，，從而構成組件連 結體。而且前述金屬基板u與陶究基板嵌合孔12，以複 數的空間部24圍繞其周圍。前述的空間部24至少設置有 一個引線連接部23，連& # # ^ 99 迓按别述框22、其他的金屬基板11 或是前述陶瓷基板嵌合孔彳？， 入口札U 。而且，前述金屬基板11 與陶瓷基板嵌合孔12，亦i去人丄3丨 兀了未；I由引線連接部23而設置 於前述框22(引線架）。 設置於前述金屬基板u的周圍的空間部24(陶竟基板 甘人口孔12除外），對引線架21的開口率為⑽至㈣， 車父佳為30%至45%。前诚弓丨綠如01 月’J迷Μ線架21藉由使開口率提高，金 属板本身的熱容量可以総t 里j以變小，即使進行回流爐等熱處理， 由於放熱的速度快，^ , 因此不會對上下電極型發光二極體造 成因熱產生的不良影氅。& B .. ^ 民〜誓。而且，位置決定用孔221以複數 個設置在框22的周圍。 (實施例3) 圖3(a)至（c)為說明設有多數個發光二極體組件連接 體的引線架以及上下雷炻刑旅 、 下電極型發光二極體的設置狀態的圖 式。於圖3(a)中，弓丨始& Q1 00上， 引線架31的框32中的一對金屬基板u 與陶究基板嵌_合孔1?，i4 u的夕數組，藉由多數的引線連接部 311而連接前述框22、其他的金屬基板u或是前述陶竟基 板瓜y孔12 。而且前述金屬基板11與陶瓷基板嵌合孔 12以複數的空間部312圍繞其周圍。前述的空間部312 至少設置有一個引線連接部3n，連接前述框Μ、其他的 金屬基板11或是前述陶€基板故合孔12，。而且，前述
2037-9647-PF 17 200921945 金屬基板u #陶兗基板喪合孔12，亦可未介由引線連接 部311而設置於前述框32(引線架）。 第3實施例與第2實施例的不同之處在於，引線連接 部311的寬度與第2實施例相較之下較廣，於切斷部設置 藉由衝壓的下死點控制所控制的溝314。前述溝314在植 裝結束後，能夠容易的切斷。而且，與第2實施例的不同 之處在於’於前述陶-亮基板嵌合孔12，設置前述引線連接 部3U與脆弱部315。在反射框16以及 極體13裝設之後，與第2實施例的引線連接部^ 前述溝m以及跪弱部315能夠簡翠的進行分離。圖⑽ 以及⑷所示為陶竟基板12、反射框16、上下電極型發光 二極體13、導電連接部件14等為接合狀態的示意圖。 (實施例4) 圖4為說明設有多數個發弁—拉 数料九一極體組件連接體的其他 引線架的圖式。於圖4中，引線架41的框42中的一對金 =U與陶竞基板嵌合孔12,的多數組，藉由多數的 曰ΐ =部4U而連接前述框42、其他的金屬基板η或 瓷基：嵌合孔12’。而且’與前述第3實施例不 42 ^補Γ前述金屬基板U藉由引線連接部411而與框 補強引線連接部415連接。即使是空間部化較多， = 連接部415而在強度上可承受。前述的
Γ2、^少設置有一個引線連接部⑴，連接前述框 而曰，\的金屬基板11或是前述陶£基板嵌合孔12，。 ，前述金屬基板π與陶竞基板嵌合孔12，亦可未介 2037-9647-PF 18 200921945 由引線連接部411而設置於前述框42(引線架）。 (實施例5 ) 圖5(a)至（d)所繪不為本發明第5實施例，圖5“）所 繪不為發光裝置的平面圖、gj 5(b)為圖5(a)的a_a斷面 圖、圖5(c)為圖5(3)的B-B斷面圖、圖5(d)所繪示為底 面圖。於圖5(a)至（d)中，金屬基板51與陶瓷基板52互 相結合而構成—個基板。前述陶究基板52,在至少—部份 的,面形成導電膜57。反射框56跨越前述金屬基板W與 陶瓷基板52’而底部例如是藉由熱固性樹脂而固定為一體。 别述金屬基板51例如是由鋁、銅、鐵或是此些的合金 所構成’較佳以銅構成，因應需要可藉由鎮或是銀而進行 有表面處理。例如是，前述上下電極型發光二極體51卜 53 2以下部電極（未圖示），藉由焊料裝設在前述金屬基板 51的上部。而且，前述上下電極型發光二極體53 —丨、Η。 個別的上部電極，藉由金線帶（或是導電金屬箔）54-：1、54-2 而例如是以焊料接合於形成在陶瓷基板52上的導電膜 57。刖述上下電極型發光二極體53_卜53_2設置在前述反 射框56的近乎中央位置’且其數目可以任意增加。前述發 光裝置的金屬基板51與陶瓷基板52的導電膜57藉由未圖 不電源連接，藉此電流流入上下電極型發光二極體53-1、 5 3 - 2而發光。 則述上下電極型發光二極體具有開口部，光由此部份 :效率的照射上部。前述開口部除了 口字狀之外，可為目 子狀日字狀、匚字狀等的各種變形。上下電極型發光二
2037-9647-PF 19 200921945 的 * 炎 、了，為 l 5瞧1. 5_、l. 〇_χ1· 〇mm、〇. 7mmx〇· 7_、 = =imx〇.5mm ’厚度為的程度。本實施例的上下電極 里毛光—極體，可為氮化鎵系上下電極型發光二極體。前 1 氮化鎵系上下電極型發光二極體是由下部電極、形成在 ⑴述下4電極上的導電基板、形成在前述基板上的η型氮 化鎵半導體層、形成在前述η型氮化鎵半導體層上的量子 _ 开^成在刖述頁子井結構型活性層上的Ρ 31氮化鎵半導體層、形成在前述Ρ型氮化鎵半導體層上的 上部部份電極所構成。亦可以由前述導電基板上所形成的 Ρ型氮化錄半導體居 、+、 干导體層、刖述Ρ魏化鎵半導體層上所形成 的量子井結構型活性厝、俞旦 、 滑别述1子井結構型活性層上所形 成的η型氮化鎵半導體層箭 , 亍等篮層刖述η型氮化鎵半導體層上所 形成的上部部份電極所構成。 (比較例） 習知的金線以超音波或熱壓著連接氮化鎵系上下電極 型發光二極體，與藉由焊料以及金屬基板接合的本發明的 氮化叙糸上下電極型發弁_搞辦、仓± 主七尤一極體進行比較。習知例使用直 徑為30私m的金線2條，由於ϋ仆锆多L _ 木田於虱化銥糸上下電極型發光二 極體的上部電極盘组件雷；(¾ S 1 t 、、仵電極的另一側以超音波打線連接的 導線焊料的超音波振動，發弁χ ή 莉贫九不良的不良品約發生1 〇%。 而且，通電350mA時，發峰約40/沾ra、s而 I生，，々4/〇的因通電異常而燒掉。於 本發明的實施例的話，即伟协遠拉制& P使於連接製程以及350mA〜500mA 的通電中亦不會產生不良品。 產業上的可利用性
2037-9647-PF 20 200921945 並不限定於前 記載事項的情 氮化鎵系上下 金屬部件等的 -锡共晶谭膠、 的氮化鎵系上 框、熱固性樹 各實施例的一 以上詳述本發明的實施例，但是本發明 述實施例。本發明在不超出申請專利範圍所 況下’能夠進行種種的設計變更。本發明的 電極型發光二極體的上下電極、金屬基板、 連接’可使用焊料、焊膠、焊料和助㈣、金. 姻系共晶焊料等週知或公知的#料。本發明 下電極型發光二極體、金屬基板單元、反射 脂接著劑可使用週知或公知的材料。而且， 部份可以互相結合使用。 【圖式簡單說明】 圖Ka)至（c)所繪示為本發明第1實施例，圖Ka)所 繚示為發光裝置的平面圖、H1(_繪示為發光裝置的斷 面圖、圖1⑷所纷示為發光裝置的底面圖。 ®為說月叹有多數個發光二極體組件連接體 架的圖式。 圖3U)至（c)為說明設有多數個發光二極體組件連接 體的引線架以及上下雷炻刑路 下電極型發先二極體的設置狀態的圖 式。 圖4為說明設有多數個發光二極體組件連接體的其他 引線架的圖式。 圖5(a)至⑷所缚示為本發明第5實施例，目5⑷所 繪示為發光裝置的芈 千面圖、圖5(b)為圖5(a)的a-A斷面
圖 '圖5(c)為圖5(R 、）的β B斷面圖、圖5(d)所繪示為底
2037-9647-PF 21 200921945 面圖。 圖6所為說明習知例的上下電極型發光二極體設置在 反射框内部的發光裝置。 【主要元件符號說明】 11 :金屬基板 12 :陶瓷基板 12’ ：陶瓷基板嵌合孔 1 3 :上下電極型發光二極體 14 :導電連接部件· 1 5 :接著劑 1 6 :反射框 17 :導電膜 21 :引線架 22 :框 23 :引線連接部 24 :空間部 31 :引線架 32 :框 41 :引線架 42 :框 51 :金屬基板 52 :陶瓷基板 5 3-1 :上下電極型發光二極體 2037-9647-PF 22 200921945 5 3-2 :上下電極型發光二極體 54-1 :金線帶 54-2 :金線帶 56 :反射框 57 :導電膜 61 :金屬基板 6 2 :金屬基板 63:上下電極型發光二極體 64 :導電連接部件 6 6 :反射框 67 :絕緣部件 68 :封裝材料 69 :螢光膜 131 :上部電極 141 :臂狀連接部 1 61 :反射部 221 :位置決定用孔 311 :引線連接部 312 :空間部 314 :溝 31 5 :脆弱部 411 :引線連接部 412 :空間部 415 :補強連接部 23
2037-9647-PF 200921945 681 :空間 24
2037-9647-PF

Claims (1)

  1. 200921945 十、申請專利範圍： 1. 一種發光裝置，至少由下述構件所構成： 基板’由金屬基板與至少在上部形成導電膜的陶莞基 板互相抵接而成； 反射框，由具有開口部的絕緣部件所構成，並以跨越 前述金屬基板與陶瓷基板的方式於底部接著有前述基板； 至少一個上下電極型發光二極體，其中下部電極裝設 在前述反射框内部的金屬基板上； 至少一個導電連接部件，用以連接前述上下電極型發 光二極體的上部電極與前述陶瓷基板上的導電膜；以及 焊料’用以接合前述金屬基板與前述上下電極型發光 極體的下邛電極、4述上下電極型發光二極體的上部電 極與刖述導電連接部件、前述導電連接部件與前述導電膜。 立2.如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中發光 邛由則述基板、反射框、至少一個上下電極型發光二極體、 至少-個導電連接部件、焊料所構成，且前述發 為複數個。 取 •如申请專利範圍第1《2項所述之發光裝置，1中 前述導電連接部件由至少-個金㈣所構成。 4.如申請專利範圍帛丄項所述之發光裝置，其中前述 土板為附政熱器金屬基板，且與前述陶 5.如申請專利範 發光部為串聯、並聯 圍第1項所述之發光裝置 或是串並聯的連接。 其中前述 2037-9647-PF 25 200921945 6.如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中前述 反射框内設有封裝前述上下電極型發光二極體的材料。 7·如申請專利範圍第1項所述之發光裝置，其中於前 述反射框内或是前述反射框的上部，裝設有至少一個含螢 光體的螢光膜’用以將前述上下電極型發光二極體所發 的光轉換成近乎白光。 X 8.-種發光裝置用組件集合體，至少由下述構件所構 成： 金屬基板集合體，具有藉由連接部連接的多數的金屬 基板’並且於前述金屬基板的—側設有陶竟基板的嵌合部； 陶变基板，設置於前述各嵌合部，至少於上部形成有 導電膜；以及 反射框，由具有開口部的絕緣部件所構成，並以跨越 ，述各-對前述金屬基板與前述㈣基板的方式於底部接 9.如申請專利範圍第8項所述之發光裂置用組件集合 體’其中前述連接部由引線狀連接部所構成，且前述引： 狀連接部設置於前述金屬基板的三側。 、— 隼八I如專利範圍"或9項所述之發光裝置用組件 進行分離。線狀連接U跪弱部，能夠容易的 η·如中請專利_第8或9項所述之 集合體，其中前述引缘狀速接 f置用』件 是由雜“… 有切斷部，切斷部 糟由下死點控制所控制的深溝所構成。 2037-9647-PF 26
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