TW200918629A - Adhesive sheet for fixing electronic parts and manufacturing method of electronic parts using the same - Google Patents

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TW200918629A
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electronic component
parts
mass
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electronic parts
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TW096139198A
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Inventor
Tomomichi Takatsu
Hironori Takesue
Koichi Taguchi
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo Kk
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Description

200918629 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係提供一種電子構件固定用黏著片及使用它之 電子構件之製法。 【先前技術】 通常，在製造各種電子構件’已知一種方法（參照專利 文獻1 )，係將半導體電子構件進行樹脂模塑而構成的電子 構件集合體、或將在電路基板上等形成電路圖案而成的電 子構件樹脂進行模塑而構成的電子構件封裝集合體固定於 黏著片，並使用具備有鑽石等硏磨粒的切割刀片切斷 (dicing)，來進行電子構件封裝之方法。 電子構件封裝集合體係例如以環氧樹脂密封而成的密 封樹脂封裝，具體上，可舉出球柵陣列（BGA ; Ball Grid Array)、晶片尺寸封裝（CSP ; Chip Size Package)、堆疊記 憶體模組（Stacked Memory Module)、系統模組（System On Μ o d u 1 e )等。 切割上述電子構件集合體時所使用的黏著片的黏著 劑，例如已知有一種方法（參照專利文獻1 )，放射線聚合性 化合物係使用具有分子量爲500以上1000以下之5官能以 上的丙烯酸酯單體。 又，近年來，因爲P D A、行動電話、及快閃記憶體等 小型電子機器的普及，晶片尺寸有微小化的傾向，又，在 使用環氧樹脂密封的密封樹脂封裝使用雷射刻印（以下記 載爲雷射標記）作爲識別的機會增加。 200918629 [專利文獻1]特開2 00 5 - 5 0 9 5 3號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 但是，先前的方法時，在切割時會有產生電子 或糊（paste)往電子構件側面上攏之情況。而且刻 構件封裝表面之雷射標記在切割時會有消失的問 本發明係鑒於上述情形而進行，係以至少消除 前技術的課題作爲目的，特別是本發明的目的係 電子構件固定用黏著片及使用它之電子構件之製 子構件固定用黏著片之防止在切割時電子構件的 防止糊往電子構件側面上攏、或防止或減少雷射 之切割性優良。 [解決課題之手段] 依照本發明，能夠提供一種電子構件固定用 具備基材薄膜、及在前述基材薄膜層積而構成 層，該黏著劑層含有1 〇 〇質量份使（甲基）丙烯酸 含羧基單體、及含羥基單體共聚合而成的丙烯酸 20〜200質量份具有3個以上不飽和鍵的丙烯酸 酯低聚物、〇 . 〇 1〜1 〇質量份聚環氧丙基胺、及〇 量份異氰酸酯硬化劑。 依照上述構成時，因爲黏著劑的黏附力或 良，能夠防止在切割時電子構件飛散。而且，依 成時，因爲黏著劑的凝聚力優良，能夠防止糊往 側面上攏。再者，依照上述構成時，因爲黏著劑 構件飛散 印在電子 題。 一部分先 提供一種 法，該電 飛散、或 標記消失 黏著片， 之黏著劑 酯單體、 聚合物、 胺基甲酸 _ 1〜20質 保持力優 照上述構 電子構件 的黏附力 200918629 不會太高，能夠抑制刻印在電子構件封裝表面之雷射標記 在切割時消失。結果能夠提局電子構件的信賴性，謀求生 產力的提高等。 又，上述的電子構件固定用黏著片係本發明的一個態 樣’使用本發明的電子構件固定用黏著片之電子構件的製 法’亦具有同樣的技術特徵，且能夠達成同樣的作用效果。 [發明之效果] 依照本發明’藉由使黏著劑的組成爲上述構成，能夠 防止在切割時電子構件的飛散、或是能夠防止糊往上攏、 或是能夠抑制雷射標記消失。 【實施方式】 以下’使用圖示說明本發明的實施形態，又，在全部 圖示’同樣的構成要素係附加同樣的符號而省略適當的說 明。 <用語說明> 在本說明書’單體係指單體本身或是來自單體的結構 單位。本說明書的份及％若未特別記載時係質量基準。 在本說明書’（甲基）丙烯酸酯係指丙烯酸酯及甲基丙 烯酸酯之總稱。（甲基）丙烯酸等含有（甲基）之化合物等亦同 樣地，係名稱中具有「甲基」之化合物與未具有「甲基」 之化合物的總稱。 <實施形態的槪要> · 如第1圖所示，本實施形態的黏著片1係具備有基材 薄膜2、及在該基材薄膜2上層積而成的黏著劑層3之物。 200918629 而且，詳細如後述，黏著劑層3係含有1 0 0質量份使（甲基） 丙烯酸酯單體、含羧基單體、及含羥基單體共聚合而成的 丙烯酸聚合物、20〜200質量份具有3個以上不飽和鍵的 丙烯酸胺基甲酸酯低聚物、0.01〜10質量份聚環氧丙基 胺、及0.1〜2 0質量份異氰酸酯硬化劑之物。 本實施形態的黏著片1藉由使黏著劑層3的組成爲上 述構成，詳細如後述，能夠防止在切割時電子構件的飛散、 或是防止糊往電子構件側面上攏、或是抑制雷射標記消失。 <黏著劑層> (丙烯酸聚合物） 在黏著劑層3所使用丙烯酸聚合物係具有（甲基）丙烯 酸酯單體、含羧基單體、及含羥基單體之乙烯基聚合物。 丙烯酸聚合物亦可以聚合來自（甲基）丙烯酸酯單體、含羧 基單體、及含羥基單體以外之乙烯基化合物的單體。 ((甲基）丙烯酸酯單體） (甲基）丙烯酸酯單體沒有特別限定，可舉出例如（甲基） 丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲 基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲 基）丙烯酸庚酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙烯酸壬酯、（甲 基）丙烯酸癸酯、（甲基）丙烯酸月桂酯、（甲基）丙烯酸十三 院醋、（甲基）丙烯酸肉豆蔻酯、（甲基）丙烯酸十六烷酯、（甲 基）丙稀酸硬脂酯、（甲基）丙烯酸環己酯、及（甲基）丙烯酸 节酯等的（甲基）丙烯酸烷酯等。（甲基）丙烯酸烷酯的烷基可 以是直鏈結構，亦可以具有分枝結構或雙鍵、或醚鍵等。 200918629 在烷基具有分枝結構之（甲基）丙儲酸院酯單體可舉出 例如（甲基）丙烯酸異丙酯、（甲基）丙烯酸異丁酯、（甲基）丙 烯酸第三丁酯、及（甲基）丙烯酸2-乙基己酯等。 (甲基）丙烯酸酯單體中’使用具有碳數4以上的烷基 之（甲基）丙烯酸2 -乙基己酯、或是（甲基）丙烯酸丁酯等時’ 因爲能夠提高黏著劑（層）3與被黏著物之黏著強度’乃是較 佳。 (含羧基單體） 含羧基單體只要爲具有羧基之乙烯基化合物，沒有特 別限定，可舉出例如（甲基）丙烯酸、巴豆酸、順丁烯二酸、 伊康酸、反丁烯二酸、丙烯醯胺N -乙醇酸、及桂皮酸等的 不飽和羧酸。以（甲基）丙烯酸爲特佳。而且，上述單體可 單獨使用，亦可組合使用2種以上。 (含羥基單體） 含羥基單體除了具有羥基之乙烯基化合物以外沒有特 別限定，可舉出例如（甲基）丙烯酸2_羥基乙酯、（甲基）丙烯 酸2-羥基丙酯、（甲基）丙烯酸2-羥基丁酯、及聚乙烯醇等。 以（甲基）丙烯酸2 -羥基乙酯爲特佳。而且，上述單體可單 獨使用，亦可組合使用2種以上。 丙烯酸聚合物除了上述單體以外，亦可含有來自具有 環氧基、醯胺基、胺基、羥甲基、磺酸基、胺基磺酸基、（亞） 磷酸酯基之乙烯基化合物（以下，稱爲「含官能基單體」） 之單體。又，在此所稱乙烯基化合物係包含丙烯酸酯等。 具有環氧基之單體可舉出例如烯丙基環氧丙基醚、（甲 200918629 基）丙烯酸環氧丙基醚等。 具有醯胺基之單體可舉出例如（甲基）丙烯醢胺等。 具有胺基之單體可舉出例如（甲基）丙烯酸N -二甲胺基 乙酯。 具有羥甲基之單體可舉出例如N-羥甲基丙烯醯胺等。 丙烯酸聚合物亦可使用上述以外的乙烯基單體，可舉 出具有來自例如乙烯 '苯乙烯、乙烯基甲苯、乙酸烯丙酯、 丙酸乙稀酯、丁酸乙稀醋、特十碳酸（versatic acid)、乙稀 基乙基醚' 乙烯基丙基醚、（甲基）丙烯腈、或乙烯基異丁 基醚等的乙烯基化合物等單體者。 在100質量份丙烯酸聚合物中所聚合的含羧基單體的 含量以0.3〜15質量份爲佳。在100質量份丙烯酸聚合物 中的含羧基單體的含量在此範圍時，因爲玻璃轉移溫度 (Tg)在-40〜-1(TC的範圍，在常溫時的黏度適當，乃是較 佳。丙烯酸聚合物的玻璃轉移溫度低時，在切割時會有產 生糊往電子構件側面上攏、或是刻印在電子構件封裝表面 的雷射標記消失的情形。丙烯酸聚合物的玻璃轉移溫度高 時，會有黏附力下降、且在切割時產生電子構件飛散（晶片 飛散）的情形。 在100質量份丙烯酸聚合物中所聚合的含羥基單體的 含量以0.3〜15質量份爲佳。在100質量份丙烯酸聚合物 中的含羥基單體的含量在此範圍時，因爲玻璃轉移溫度 (Tg)在-40〜-l〇°C的範圍’在常溫時的黏度適當，乃是較 佳。丙烯酸聚合物的玻璃轉移溫度低時，在切割時會有產 -11- 200918629 生糊往電子構件側面上攏、或是刻印在電子構件封裝表面 的雷射標記消失的情形。丙烯酸聚合物的玻璃轉移溫度高 時，會有黏附力下降、且在切割時產生電子構件飛散（晶片 飛散）的情形。 (具有3個以上不飽和鍵之丙烯酸胺基甲酸酯低聚物） 在黏著劑層3，能夠使用具有3個以上不飽和鍵之丙 烯酸胺基甲酸酯低聚物。以能夠使用具有6個以上不飽和 鍵之丙烯酸胺基甲酸酯低聚物爲更佳。藉由使用此等丙烯 酸胺基甲酸酯低聚物，黏著劑層3與被黏著物的黏附性變 佳，’在切割時的晶片保持性良好，乃是較佳。不飽和鍵的 數目之上限沒有特別限定，以1 5個爲佳，以1 0個更佳。 具有3個以上不飽和鍵之丙烯酸胺基甲酸酯低聚物的 數量平均分子量沒有特別限定，數量平均分子量以3 000以 下爲佳。具有3個以上不飽和鍵之丙烯酸胺基甲酸酯低聚 物的數量平均分子量高時，會有黏著劑的黏附力不足的情 形。 具有3個以上不飽和鍵之丙烯酸胺基甲酸酯低聚物的 製法沒有特別限定，可舉出例如使在分子中含有羥基及複 數個（甲基）丙烯醯基之（甲基）丙烯酸酯化合物、與具有複數 個異氰酸酯基之化合物（例如二異氰酸酯化合物）反應，而 成爲具有3個以上不飽和鍵之丙烯酸胺基甲酸酯低聚物之 方法。 又，亦藉由在具有複數個羥基末端之多元醇低聚物， 過剩地添加具有複數個異氰酸酯基之化合物（例如二異氰 -12- 200918629 酸酯化合物）並使其反應而成爲具有複數個異氰酸醋末^ 之低聚物，進而使其與含有羥基及複數個（甲基）丙烧醯基 之（甲基）丙烯酸酯化合物反應而成爲具有3個以上不飽和 鍵之丙烯酸胺基甲酸酯低聚物。 在分子中含有羥基及複數個（甲基）丙烯醯基之（甲基） 丙烯酸酯化合物可舉出例如羥丙基化三羥甲基丙烷三（甲 基）丙烯酸酯、新戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、二新戊四醇-羥基-五（甲基）丙烯酸酯、雙（新戊四醇）-四（甲基）丙烯酸 f.、 酯、四羥甲基甲烷-三（甲基）丙烯酸酯、去水甘油-二（甲基） 丙烯酸酯等。 具有複數個異氰酸酯基之化合物沒有限定，可舉出例 如芳香族異氰酸酯、脂環族異氰酸酯、及脂肪族異氰酸酯 等。此等異氰酸酯之中，以使用具有複數個異氰酸酯基之 芳香族異氰酸酯、或脂環族異氰酸酯爲佳。異氰酸酯成分 的形態以使用單體、二聚物、三聚物爲佳。 具有複數個異氰酸酯基之芳香族二異氰酸酯可舉出例 如二異氰酸甲苯酯、4,4-二苯基甲烷二異氰酸甲苯酯、及 二異氰酸苯二甲酯等。 具有複數個異氰酸酯基之脂環族二異氰酸酯可舉出例 如異佛爾酮二異氰酸酯、亞甲基雙（4-環己基異氰酸酯）等。 具有複數個異氰酸酯基之脂肪族二異氰酸酯可舉出例 如六亞甲基二異氰酸酯、三甲基六亞甲基二異氰酸酯等。 多元醇成分可舉出例如聚（環氧丙烷）二醇、聚（環氧@ 烷）三醇、共聚合（環氧乙烷-環氧丙烷）二醇、聚（環氧丁烷） 200918629 二醇、乙氧化雙酚A、乙氧化雙酚S螺乙二醇、己內醋改 性二醇、及碳酸酯二醇等。 具有3個以上不飽和鍵之丙烯酸胺基甲酸醋低聚物的 數量平均分子量沒有特別限定，以3 0 0 0以下爲佳。具有3 個以上不飽和鍵之丙烯酸胺基甲酸酯低聚物的數M zp均分 子量高時，對被黏著物之親合性差，會有電子構件飛散（晶 片飛散）的情形。數量平均分子量係藉由凝膠滲透色譜法 (GPC)以換算聚苯乙烯的數量平均分子量之方式所測定的 値。 具有3個以上不飽和鍵之丙烯酸胺基甲酸酯低聚物的 調配量沒有特別限定，相對於1 00質量份（甲基）丙烯酸酯 共聚物，具有3個以上不飽和鍵之丙烯酸胺基甲酸酯低聚 物以20〜200質量份爲佳。具有3個以上不飽和鍵之丙烯 酸胺基甲酸酯低聚物的調配量少時，會有在切割時產生晶 片飛散、或因爲在照射放射線後黏著片與被黏著物不容易 剝離而使電子構件的剝離費時之情形。過剩地調配時會有 在切割時產生糊往電子構件側面上攏之情形。 (聚環氧丙基胺） 聚環氧丙基胺係指具有2個以上環氧基、及1個以上 第3級氮原子之化合物，可舉出例如N，N-環氧丙基苯胺、 氧丙基甲苯胺、間-N，N-環氧丙基胺基苯基環氧丙基 醚、對-Ν,Ν -環氧丙基胺基苯基環氧丙基醚、二環氧丙基三 聚異氰酸酯、Ν，Ν，Ν，，Ν，-四環氧丙基二胺基一苯基甲烷、 ^『”，-四環氧丙基-間苯二甲基二胺、1"1，1^，1^’”’，1^”^ 200918629 環氧丙基二伸乙三胺等。 相對於100質量份丙烯酸聚合物’聚環氧丙基 用量爲0.01〜10質量份。聚環氧丙基胺的使用量少 只是在切割時會產生糊往電子構件側面上攏，且會 子構件封裝表面所刻印的雷射標記消失的情形。聚 基胺過剩時黏著劑變硬，會有在切割時產生晶片飛 形。 (異氰酸酯硬化劑） 異氰酸酯硬化劑係使用具有複數個異氰酸酯基 物。具有複數個異氰酸酯基之化合物可舉出例如芳 氰酸酯、脂環族異氰酸酯、及脂肪族異氰酸酯等。 芳香族二異氰酸酯有例如二異氰酸甲苯酯、二 烷4，4-二異氰酸酯、二異氰酸苯二甲酯等。 脂環族二異氰酸酯可舉出例如異佛爾酮二異氰 亞甲基雙（4-環己基異氰酸酯）等。 脂肪族二異氰酸酯可舉出例如六亞甲基二異氰 三甲基六亞甲基二異氰酸酯等。 此等異氰酸酯硬化劑之異氰酸酯化合物可以是 或三聚物，亦可以是加成物。 異氰酸酯硬化劑的添加量爲0 · 1〜2 0質量份。 酯硬化劑少時’在切割時會有產生糊往電子構件 攏’或在電子構件封裝表面所刻印的雷射標記消 形。異氰酸酯硬化劑過剩時黏著劑變硬，會有在切 生晶片飛散的情形。 胺的使 時，不 有在電 環氧丙 散的情 之化合 香族異 苯基甲 酸酯、 酸酯、 二聚物 異氰酸 側面上 失的情 割時產 200918629 亦可在黏著劑層3適當地添加例如聚合引發劑、熱聚 合抑制劑、軟化劑、防老劑、塡料、紫外線吸收劑、及光 安定劑等各種添加劑。 (基材薄膜） 基材薄膜2厚度及種類沒有特別限定，能夠按照用途 而適當地選擇。沒有特別限定，可舉出例如聚氯乙烯、聚 乙烯、聚丙烯、聚對酞酸乙二酯等的聚酯、乙烯-乙烯醇、 乙烯-乙酸乙烯共聚物、乙烯·丙烯酸乙酯共聚物、及離子 聚合物樹脂等。基材薄膜2亦可使用此等樹脂的混合物、 共聚物、及多層薄膜等。 基材薄膜2的成型方法沒有特別限定，可舉出例如壓 延、T模頭擠壓、吹塑、及鑄型等。 爲了防止在剝離被黏著物時帶靜電，亦可在基材薄膜 2的一面或兩面塗布防靜電劑來施加防靜電處理。 防靜電劑以使用例如四級胺鹽單體爲佳。四級胺鹽單 體可舉出例如（甲基）丙烯酸二甲基胺基乙酯四級氯化物、 (甲基）丙烯酸二乙基胺基乙酯四級氯化物、（甲基）丙烯酸甲 基乙基胺基乙酯四級氯化物、對二甲基胺基苯乙烯四級氯 化物、及對二乙基胺基苯乙烯四級氯化物等，以使用（甲基） 丙烯酸二甲基胺基乙酯四級氯化物爲佳。 爲了防止黏結等目的，能夠在基材薄膜2的表面塗布 滑劑。滑劑在基材薄膜可以摻合3 0質量％作爲上限。滑劑 沒有特別限定，可舉出例如聚矽氧樹脂、或（改性）矽油等 矽化合物、氟樹脂、六方晶氮化硼、碳黑、及二硫化鉬等。 -16- 200918629 因爲電子構件的製造係在潔淨室進行，滑劑以使用聚矽氧 化合物或氟樹脂爲佳。因爲與防靜電層的相溶性良好，聚 矽氧化合物之中特別是使用具有聚矽氧接枝單體而成的共 聚物爲適合。 滑劑及防靜電劑的使用方法沒有特別限定，例如可以 在基材薄膜的一面塗布黏著劑，並在其背面塗布滑劑及/或 防靜電劑，亦可以將滑劑及/或防靜電劑摻合在基材薄膜2 的樹脂中而薄片化。 因爲能夠抑制黏結，以在基材薄膜2施加平均表面粗 糙度（Ra)爲5微米以下的皴紋加工爲佳。 在基材薄膜2形成黏著劑層3而成爲黏著片1的方法 沒有特別限定，可舉出例如凹版塗布器、逗點式刮刀塗布 器（comma coater)、棒塗布器、刮刀塗布器（knife coater)、 或是輥塗布器等塗布器在基材薄膜上直接塗布黏著劑之方 法。亦可使用凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、苯胺印刷、 膠版印刷、或網版印刷等在基材薄膜上印刷黏著劑。 <電子構件的製法> 黏著片1的被黏著物沒有特別限定，可舉出例如對半 導體電子構件進行樹脂模塑而構成的電子構件集合體、或 對在電路基板材上等形成電路圖案而成的電子構件進行模 塑而構成的電子構件集合體之BGA、CSP、堆疊記憶體模 組、及系統模組等。 使用黏著片1並切割來製造電子構件的方法沒有特別 限定，例如將電子構件的集合體貼在黏著片而固定後’使 200918629 用旋轉圓刀刃進行切割而成爲電子構件封裝（晶片）之方法 能夠適合使用。 切割後的電子構件的回收方法沒有特別限定，以照射 放射線的方法爲佳。照射放射線而回收電子構件之方法， 可舉出例如下述的順序。 (1) 從黏著片的基材側照射紫外線及/或放射線。 (2) 使用真空筒夾或氣動鉗子等吸附並拾起。 亦可以使用刮刀等將電子構件封裝從電子構件固定用 黏著片刮落，隨後裝入盤中來代替氣動鉗子拾起。 紫外線及/或放射線的光源沒有特別限定，可舉出例如 低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵燈等的 紫外線源、或電子射線、或放出α射線、β射線、γ射線之 放射性同位素（Co6()等）。 <作用效果> 以下，說明本實施形態的電子構件固定用黏著片的作 用效果，邊參照第1圖邊說明。 本實施形態的電子構件固定用黏著片1具備基材薄膜 2、及層積於基材薄膜2而構成之黏著劑層3。而且該黏著 劑層3含有100質量份使（甲基）丙烯酸酯單體、含羧基單 體、及含羥基單體共聚合而成的丙烯酸聚合物、20〜200 質量份具有3個以上不飽和鍵的丙烯酸胺基甲酸酯低聚 物、0.01〜10質量份聚環氧丙基胺、及〇.1〜20質量份異 氰酸酯硬化劑。 依照該構成，因爲黏著劑的黏附力、及保持力優良， -18- 200918629 在切割時能夠防止電子構件的飛散。而且，因爲黏著劑的 凝聚力優良，能夠防止糊往電子構件側面上攏。而且，因 爲黏著劑的黏附力不會太高’能夠抑制刻印在電子構件封 裝表面之雷射標記在切割時消失。 又，本實施形態的電子構件固定用黏著片1，較佳是 在100質量份丙烯酸聚合物中所聚合之含羧基單體的比率 爲0.3〜15質量份、且含羥基單體的比率爲0.3〜15質量份。 這是因爲在1〇〇質量份丙烯酸聚合物中，所聚合的含 羧基單體的含量在此範圍時，玻璃轉移溫度（Tg)在-40〜 -1 0 °c的範圍，在常溫時的黏度適當之緣故。丙烯酸聚合物 的玻璃轉移溫度低時，在切割時會有產生糊往電子構件側 面上攏、或是刻印在電子構件封裝表面的雷射標記消失的 情形。丙烯酸聚合物的玻璃轉移溫度高時，會有黏附力下 降、且在切割時產生電子構件飛散（晶片飛散）的情形。 又，在1〇〇質量份丙烯酸聚合物中，所聚合的含羥基 單體的含量在此範圍時，玻璃轉移溫度（Tg)在_4〇〜- l〇°C的 範圍，在常溫時的黏度適當之緣故。丙烯酸聚合物的玻璃 轉移溫度低時，在切割時會有產生糊往電子構件側面上 攏、或是刻印在電子構件封裝表面的雷射標消失的丨B 形。丙烯酸聚合物的玻璃轉移溫度高時，會有黏附力下降、 且在切割時產生電子構件飛散（晶片飛散）的情形。 又，本實施形態的電子構件固定用黏著片1之丙嫌酸 聚合物的玻璃轉移溫度以-4 〇〜-1 〇。(：爲佳。 此時，因爲丙烯酸聚合物在常溫時的黏度適當’如上 -19- 200918629 述，能夠防止或減少在切割時糊往電子構件側面上攏、或 抑制刻印在電子構件封裝表面的雷射標記消失。 又，本實施形態的電子構件固定用黏著片1之具有3 個以上不飽和鍵之丙烯酸胺基甲酸酯低聚物的數量平均分 子量以3 0 0 0以下爲佳。 這是因爲具有3個以上不飽和鍵之丙烯酸胺基甲酸酯 低聚物的數量平均分子量高時，會有黏著劑的黏附力不足 的情形。 又’本實施形態的電子構件固定用黏著片1以電子構 件封裝固定用爲佳。 上述黏著片1係如上述，因爲切割性或拾起性等優 良，所以能夠謀求提高封裝的信賴性。 又’本實施形態的電子構件的製法，以使用上述電子 構件固定用黏著片1爲佳。 上述黏著片1係如上述，因爲切割性或拾起性等優 良’所以能夠謀求生產製程的合理化、或是提升電子構件 的品質或生產力等。 [實施例] 以下’進一步說明本發明的實施例，但是本發明未限 定於此等。 <實驗材料的調製> 實驗Ν ο · 1 -1之黏著劑及黏著片的製法如下。其他的實 驗例之表1或表2所記載的事項以外係與實驗No bi同樣。 (使用材料） -20 - 200918629 (甲基）丙烯酸酯共聚物A:係使調配由74質量份丙烯 酸丁酯、20質量份甲基丙烯酸甲酯、1質量份丙烯酸2 -羥 基乙酯、5質量份丙烯酸所構成的原料組成物共聚合，來 得到含有共聚物（丙烯酸聚合物A)之合成品。丙烯酸聚合物 A的玻璃轉移溫度（Tg)爲-28.8 本公司製品）。 丙烯酸胺基甲酸酯低聚物A :係使用異氰酸酯成分爲 脂肪族二異氰酸酯之六亞甲基二異氰酸酯的單體、含有羥 基的丙烯酸酯成分係新戊四醇五丙烯酸酯之胺基甲酸酯低 聚物，數量平均分子量（Μη)爲2,500,乙烯基數爲每1分子 爲10個之本公司製品。 丙烯酸胺基甲酸酯低聚物Β :係使用異氰酸酯成分爲 脂肪族二異氰酸酯之異佛爾酮二異氰酸酯的單體、含有羥 基的丙烯酸酯成分係新戊四醇三丙烯酸酯之胺基甲酸酯低 聚物，數量平均分子量（Μη)爲600，乙烯基數爲每1分子 爲6個之本公司製品。 丙烯酸胺基甲酸酯低聚物C :係使用使聚（環氧丙烷） 二醇的末端與六亞甲基二異氰酸酯反應而成之末端異氰酸 酯低聚物，更與丙烯酸2-羥基乙酯反應而成之末端丙烯酸 酯低聚物，數量平均分子量（Μη)爲3，400，乙烯基數爲每1 分子爲2個之本公司製品。 光聚合引發劑：使用由1-羥基環己基苯基酮所構成的 市售品（CIBA SPECIALTY CHEMICALS 公司製、IRGACURE 184)。 聚環氧丙基胺：使用由N，N，N’，N’-四環氧丙基-間二甲 -21 - 200918629 苯二胺所構成的市售品（MITSUBISHI GAS CHEMICAL公 司製、TETRAD X)。 異氰酸酯硬化劑：使用來自三羥甲基丙烷的二異氰酸 甲苯酯加成物的合成品（NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY 公司製 L-45E)。 基材薄膜：使用厚度爲150微米的聚乙烯製薄片之市 售品。 (黏著劑） 黏著劑係以表1及表2所記載的調配，混合1 00質量 份丙烯酸聚合物A、丙烯酸胺基甲酸酯低聚物、3質量份光 聚合引發劑、聚環氧丙基胺、及異氰酸酯硬化劑而製造。 (黏著片） 在聚乙烯製的基材薄膜的一面塗布黏著劑，設置厚度 15微米的黏著劑（層）。 (評價方法） 切割性（晶片飛散）：將由電子構件用封裝成形用模塑 樹脂所模塑而成的電子構件封裝集合體與電子構件用封裝 固定用黏著片貼合，放置1 〇分鐘後，切割成8毫米X 8毫 米的晶片。係重複該作業5次後的時候，晶片飛散對晶片 總數的比率。 糊往上攏：將黏著片貼合電子構件封裝集合體，並放 置10分鐘後，切割成8毫米x8毫米來製造電子構件封裝（晶 片），重複該作業5次。使用200倍的光學顯微鏡觀察糊有 無往晶片側面上攏的情形，觀察得到糊往上攏的比率。 -22 - 200918629 雷射標記消失：將黏著片貼在電子構件封裝集合體之 顯示雷射標記的面，並放置1 〇分鐘後，切割成8毫米X 8 毫米，使用80 W/cm的高水銀燈自基材面10公分的距離照 射紫外線1 5秒，來使黏著劑層硬化，並藉由真空筒夾拾起 1 〇〇個晶片。確認晶片表面之雷射標記消失爲5個以上時 爲差，雷射標記消失爲4個以下時爲可，都保持有雷射標 §己爲良。 [表1] 單位/實驗No. 1-1 1-2 1-3 1-4 1-5 丙烯酸聚合物 (質量份） 100 100 100 100 100 丙烯酸胺基甲酸酯低聚 物的調配量 (質量份） 100 100 100 15 220 丙烯酸胺基甲酸酯低聚 物的種類 - A B C A A 丙烯酸胺基甲酸酯低聚 物的數量平均分子量 - 2500 600 3400 2500 2500 聚環氧丙基胺 (質量份） 0.1 0.1 0.1 0.1 0.1 異氰酸酯硬化劑量 (質量份） 3 3 3 3 3 切割性(晶片飛散數） (%) 0 0 26 32 0 糊往上攏 (%) 0 0 0 0 18 雷射標記消失 (%) 0 0 0 0 20 (良） (良） (良） (良） (差） 備考 實施例 實施例 實施例 比較例 比較例 -23 - 200918629 丙烯酸聚合物B :係使調配由6 0質量份丙烯酸丁酯、 35質量份甲基丙烯酸甲酯、4質量份丙烯酸2-羥基乙酯、1 質量份丙烯酸所構成的原料組成物共聚合，來得到含有共 聚物（丙烯酸聚合物Β)之合成品。丙烯酸聚合物Β的玻璃 轉移溫度（Tg)爲-13.9°C (本公司製品）。 丙烯酸聚合物C:係使調配由93質量份丙烯酸丁酯、 〇質量份甲基丙烯酸甲酯、2質量份丙烯酸2-羥基乙酯、5 質量份丙烯酸所構成的原料組成物共聚合，來得到含有共 聚物（丙烯酸聚合物C)之合成品。丙烯酸聚合物C的玻璃 轉移溫度（Tg)爲- 49.6t (本公司製品）。 丙烯酸聚合物D :係使調配由8 3質量份丙烯酸丁酯、 1 〇質量份甲基丙烯酸甲酯、2質量份丙烯酸2-羥基乙酯、5 質量份丙烯酸所構成的原料組成物共聚合，來得到含有共 聚物（丙烯酸聚合物D)之合成品。丙烯酸聚合物D的玻璃 轉移溫度（Tg)爲- 39.4°C (本公司製品）。 丙烯酸聚合物E:係使調配由60質量份丙烯酸丁酯、 33質量份甲基丙烯酸甲酯'2質量份丙烯酸2-羥基乙酯、5 質量份丙烯酸所構成的原料組成物共聚合’來得到含有共 聚物（丙烯酸聚合物E)之合成品。丙烯酸聚合物E的玻璃轉 移溫度（Tg)爲-12.2°C (本公司製品）。 表2係以實驗No.1-1的處方爲基礎，來評價改變丙烯 酸聚合物的種類時的評價結果。表2中的各實驗例除了如 表2所記載的事項以外係與實驗N 〇 . 1 -1同樣。 -24 - 200918629 [表2] 單位/實驗No. 2-1 1-1 2-2 2-3 2-4 2-5 丙烯酸聚合物的種類 _ A B C D E 丙烯酸聚合物的Tg (°C) -28.8 -13.9 -49.6 -39.4 -12.2 切割性(晶片飛散數） (%) 0 0 0 0 0 糊往上攏 (%) 0 0 2 0 0 雷射標記消失 (%) - 0 (良） 0 (良） 3 (可） 0 (良） 0 (良） 備考 - 比較例 實施例 實施例 實施例 實施例 實施例 註：未使用丙烯酸聚合物之實驗No. 2-1，因爲無法使用作 爲電子構件固定用黏著片而中止評價。 <實驗的考察> 由表1及表2所示的實驗結果，得知使用該電子構件固 定用黏著片時，因爲黏著劑的黏著力/保持力優良，所以 能夠防止或減少在切割時電子構件的飛散。而且，使用該 電子構件固定用黏著片時，因爲黏著劑的凝聚力優良，能 夠防止或減少糊往電子構件側面上攏。而且，如顯示本實 施例之第2圖及顯示比較例的第3圖，使用該電子構件固 定用黏著片時，因爲黏著劑的黏附力不會太高，所以能夠 抑制刻印在電子構件封裝表面的雷射標記在切割時消滅。 以上，基於實施例說明了本發明。該實施例終究只是例 示性，該業者應當理解能夠有各種變形例且如此的變形例 亦在本發明的範圍內。 [產業上之利用可能性] -25 - 200918629 因爲本發明的電子構件固定用黏著片具有能夠達成防 止在切割時電子構件的飛散、防止糊往電子構件側面上 攏、且能夠抑制刻印在電子構件封裝表面的雷射檩記在切 割時消滅之效果，故適合使用於切割電子構件集合體來製 造電子構件之方法。 【圖式簡單說明】 第1圖係本發明的一個實施形態的黏著片的剖面模式 圖。 ^ 第2圖係本發明的一個實施形態的黏著片在剝離後的 雷射標記（刻印於電子構件封裝表面）的光學顯微鏡照片。 第3圖係先前的黏著片在剝離後的雷射標記（刻印於電 子構件封裝表面）的光學顯微鏡照片。 【元件符號說明】 1 黏著片 2 基材薄膜 3 黏著劑層 -26 -

Claims (1)

  1. 200918629 十、申請專利範圍： 1. 一種電子構件固定用黏著片，具備基材薄膜、及在該基 材薄膜層積而構成之黏著劑層’該黏著劑層含有100質 量份使（甲基）丙烯酸酯單體、含羧基單體、及含羥基單體 共聚合而成的丙烯酸聚合物、2〇〜2〇〇質量份具有3個以 上不飽和鍵的丙烯酸胺基甲酸酯低聚物、0 ·0 1〜1 0質量 份聚環氧丙基胺、及〇 · 1〜2 0質量份異氰酸酯硬化劑。 2. 如申請專利範圍第1項之電子構件固定用黏著片’其中 " 在100質量份該丙烯酸聚合物中之含羧基單體的比率爲 0.3〜15質量份，且含羥基單體的比率爲0.3〜15質量份。 3. 如申請專利範圍第1項之電子構件固定用黏著片，其中 該丙烯酸聚合物的玻璃轉移溫度爲-4 0〜-1 0 °C的範圍。 4 .如申請專利範圍第1項之電子構件固定用黏著片，其中 該具有3個以上不飽和鍵之丙烯酸胺基甲酸酯低聚物的 數量平均分子量爲3000以下。 5 ·如申請專利範圍第1項之電子構件固定用黏著片，係電 子構件封裝固定甩。 6 · —種電子構件的製法’係使用如申請專利範圍第1項之 電子構件固定用黏著片。 -27 - 200918629 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第1圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 1 黏著片 2 基材薄膜 3 黏著劑層 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：
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