TW200905727A - Exposure apparatus and original - Google Patents

Description

200905727 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種曝光設備及一原版片（original)。 本發明的曝光設備適合作爲一使用極紫外線（extreme ultraviolet, EUV)來作爲曝光光線的曝光設備。 【先前技術】 目前，對於半導體元件，譬如像是DRAM及MPU， 的製造而言，已有大量的硏究及發展用於實現具有20奈 米或更小的關鍵齒寸（“CD”）的設計規則的元件。對於此世 代而言，一種使用EUV光線的曝光設備（EUV曝光設備）被 認爲是有潛力的曝光設備。在該EUV曝光設備中，該 EUV光線的光學路徑是在真空環境中被維持，用以防止 EUV光線在空氣中的吸收。大體上，一半導體曝光設備將 一原版片，譬如一標線板或光罩，的一電路的縮小尺寸的 圖案化影像透過投影光學系統轉移至一基材（如，晶圓）上 。當一粒子或微小的外物附著在該標線板之電路圖案化的 表面上時，該粒子的影像在每一這射時都會被轉移在同一 個位置上。粒子的附著會造成半導體元件製造的低良率並 降低半導體元件本身的可靠度。 此問題的解決之道爲，使用一水銀燈及一準分子雷射 作爲光源的曝光設備包含一被稱爲防塵膜（pellicle)之透明 保護膜其與該標線板相距數公釐，用來防止粒子直接附照 到電路圖案化的表面上及粒子影像的轉移。 該防塵膜具有約數奈米的厚度用以滿足該EUV曝光 -4- 200905727 設備所要求之透明度。此非常薄的防塵膜無法提供足夠的 機械強度或熱強度。對於EUV曝光設備而言，使用只包 括一透明的保護膜之防塵膜來防止粒子的附著是很困難的 〇 先前技術包括，例如，日本專利公開案第2 00 5 -43 895 及 2002-124463 號。 日本專利公開案第2005_43895號的不足之處在於， 使用一具有約30奈米至300奈米厚的膜來作爲該防塵膜 將該EUV光線（13.5奈米）大幅地降低至約50%，造成產出 率被降低。由上述材質製成的防塵膜層很容易被氧化並讓 其耐用性與搬運容易性變差。再者，一 10微米的電線網 被用來支撐30奈米至300奈米的膜層，且它的製造將極 爲困難。即使是它可應用至該曝光設備中用來將該投影光 學系統與該晶圓桌台隔開來的一個22公釐x8公釐的矩形 盤上，製造一個可以覆蓋約150公釐X150公釐大小的整 個標線板表面仍然是很困難的。因此，很難將一用於該曰 本專利公開案第2005 -43 895號中的過濾器盤當作一防塵 膜用在實際應用上。 曰本專利公開案第2002- 1 24463號是這些問題的一個 方便的解決方案，但仍有不足之處。此參考文獻只使用一 平面平行板電極來作爲通過靠近該標線板的區域的EUV 光線用以產生該電場。這可將該EUV光線通過區域周圍 的粒子排除掉，但無法將發生在其它區域中的粒子排除’ 譬如當標線板桌台在該標線板桌台空間內加速或減速時會 -5- 200905727 發生的粒子。如果該平面平行板可在整個標線板桌台空間 中產生電場的話，則粒子就可在該標線板桌台加速及減速 時被抑制。然而，在此例子中，當需要一 3 3 kV/m的電場 時’就需要施加數仟伏的電壓，這將造成放電及氣體分子 濺射’最終將增加粒子數量。另一實施例顯示利用一電線 網’但該電場只發生在標線板與該電線網之間，用以補捉 該EUV光線輻射所產生的電子。即使是此電線網被用來 補捉粒子’仍有一些粒子因爲極性的關係而無法被補捉， 且該電線網爲一不足的限制手段。 【發明內容】 本發明係有關於一種曝光設備及原版片用以防止灰塵 (粒子）附著到該原始版上。 依據本發明的一個態樣之曝光設備爲一種被建構來將 一原版片上的圖案曝光至一基材上的曝光設備，其包括一 電線電極列（w i r e e 1 e c t r 〇 d e r 〇 w)其包括多個平行的電線電 極，且其與該原版片相對，及一電源其施加一AC電壓至 該等電線電極’其中該電線電極列包括一第一電極組，及 一第二電線電極組其被施加一具有一相位的AC電壓，該 AC電壓的相位不同於施加在該第一電極組上之AC電壓的 相位。 一種依據本發明的另一態樣之具有一將被曝光至一基 材上的圖案的原版片包括一電線電極列其包括多個平行的 電線電極’一接點其被建構來將該電線電極電接觸至一電 -6- 200905727 源其施加一 AV電壓至該等電線電極’其中該電線電極列 包括一第一電極組，及一第二電線電極組其被施加一具有 一相位的AC電壓，該AC電壓的相位不同於施加在該第 一電極組上之AC電壓的相位。 本發明的進一步目的及其它特徵在參考附圖的下列說 明之後將會變得更加清楚。 【實施方式】 現參照附圖，本發明的描述將被提供。在每一圖中， 相同的元件都被標以相同的標號，且相同的描述將被省略 〇 參考圖1，此實施例的EUV曝光設備的說明將參考此 圖來提供。此實施例的EUV曝光設備可限制粒子附著到 該標線板上。 在圖1中’晶圓被標以標號1。反射式標線板被標以 標號2，其上具有一電路圖案。標線板夾頭被標以標號7 ，其夾持並固定該反射式標線板。標線板桌台被標以標號 3 ’其提供該標線板在掃描方向上的粗略移動。一標線板 夾頭被設置在該標線板桌台上’且該反射式標線板被放置 在該標線板夾頭上。標線板3被來自一照明光學系統（未 示出）的光線所照亮。此實施例的EUV曝光設備在靠近標 線板2處安排了一用來限制進入的粒子之電場機構。 一投影光學系統被標以標號5 ’其將從該標線板處被 反射的E U V投射至晶圓1上。—晶圓夾頭被標以標號6， 200905727 其夾持並固定該晶圓。一晶圓桌台被標以標號27，其可提 供在六個軸方向上的粗略移動與細微移動，且其xy位置 係藉由一雷射干涉儀（未示出）來一直加以監測。1 / A爲投 影光學系統的縮減比（r e d u c t i ο n r a t i 〇 )，V r爲標線板桌台3 的掃描速度，及Vw爲晶圓桌台27的掃描速度。這兩描 速度被實施同步化控制，用以符合Vr/Vw=点。 此曝光是在真空環境中被實施，且在該曝光設備的曝 光室內部必需要維持真空。在此，該標線板桌台被容納在 該曝光室的一標線版桌台空間4a內。該投影光學系統被 容納在該曝光室中的一投影光學系統空間4b內。該晶圓 桌台被容納在該曝光室中的一晶圓桌台空間4c內。這些 個別的空間分別獨立地提供真空幫浦單元l〇a，10b及10c ，使得它們的壓力可被獨立地控制。 一晶圓負載鎖定室被標以標號1 5。一載運臂被標以標 號8，其將晶圓攜載於該晶圓負載鎖定室與該晶圓桌台之 間。該晶圓負載鎖定室的一真空幫浦單元被標以標號1 〇e 。一晶圓桌台空間側閘閥被標以標號1 1 a，其將該曝光室 連接至該晶圓負載鎖定室1 5。一晶圓交換室側閘閥被標以 標號1 1 b，其將於下文中說明。一晶圓交換室被標以標號 1 4，其將該晶圓暫時存放在大氣壓力下。一載運臂被標以 標號1 3，其將該晶圓放入該負載鎖定室及將晶圓從負載鎖 定室中移出。 一標線板負載鎖定室被標以標號23。一載運臂被標以 標號22，其將標線板攜載於該標線板負載鎖定室與該標線 -8- 200905727 板桌台之間。該標線板負載鎖定室的一真空幫浦單元被標 以標號1 〇 d。一標線板桌台空間側閘閥被標以標號1 2 a， 其將該曝光室連接至該標線板負載鎖定室23。一標線板交 換室側閘閥被標以標號1 2b，其將於下文中說明。一標線 板交換室被標以標號19，其將該標線板暫時存放在大氣壓 力下。一載運臂被標以標號1 8，其將該標線板放入該負載 鎖定室及將標線板從負載鎖定室中移出。 此實施例的EUV曝光設備將於下文中說明。 爲了要解決在曝光設備的曝光期間發生之粒子附著到 標線板上的問題，此實施例的EUV曝光設備在靠近該標 線板處提供多個電線電極。詳言之，該EUV曝光設備使 用一種技術其藉由交替地施加相位相差1 80度的AC電壓 至該電線來形成一週期性的非均勻電場用以限制進入的粒 子。 此技術的原理揭露在Masuda, S., K. Fujibakashi, K. Ishida and H. Inaba, IEEE translation from Trans. IEE, Japan, 92B, 9- 1 8( 1 972)的文獻中。此技數將參照圖2及3 來加以說明。一開始，具有不同相位的該AC電壓被交替 地施加至多個電線電極。換言之，AC電壓 VI(其具有例 如±5 00V的振幅及5 00Hz的頻率）被施加至一第一電線電 極組其包括圖2中的電線電極40a，40b及40c。AC電壓 V2(其具有例如±5 00V的振幅及5 00Hz的頻率）被施加至一 第二電線電極組其包括電線電極4 1 a，4 1 b及4 1 c，只是該 V 2的相位與V1的相位相差1 8 0度，如圖3所示。 -9- 200905727 因此，一依據該AC頻率之週期性的非均勻電場被形 成在該企極周圍，如圖4所示。當一帶電粒子50移動至 此電極列時’該粒子會因爲靜電力的關係而沿著該弧形的 電力線振動。藉此，離心力發生在離開該電極列的方向上 ’且粒子5 1可從該電極列處被驅離。即使是該粒子沒有 帶電荷，該電場爲一非均勻的電場且與帶電粒子類似地因 爲該粒子表面上之感應電荷而受到一遠離該電極列方向上 的力量。因此，此電極列可作爲一抵擋粒子入侵的屏障。 此實施例將此原理運用到該E U V曝光設備上，且讓 電線電極能夠作爲傳統的防塵膜（pellicle)之用。此構造將 被稱爲一電場防塵膜。 下文中說明本發明的第一實施例。圖5爲此實施例的 結構的前視圖。此實施例提供該桌台電場防塵膜。該標線 板2在其底面上具有一圖案化的表面。從該照明光學系統 發射出的EUV光線從底部入射到該標線板上，在該標線 板的圖案化表面上被反射，且入射到該投影光學系統上。 一被建構來吸住並固持該標線板的夾頭7透過一微動機構 被設置在該標線板桌台3上以供標線板之用。該標線板桌 台3的掃描方向在圖5中爲y方向。 標線板2係使用一靜電夾而被固持在該標線板夾頭7 上。當電壓被施加到該標線板夾頭7上時，電荷被感應產 生於該標線板表面上，且不必要的電場發生在該標線板表 面與該電線電極之間。該圖案化的表面被接地並維持在 0 V。一電線電極3 1將該標線板之圖案化的表面整個覆蓋 -10- 200905727 住。一種可想到的材質爲例如，sus，但亦可使用其它的 材質，只要該材質耐用起被處理成爲一薄的線即可。例如 ，金，白金，鉻，及鎳都可被使用。在此實施例中，該金 屬電極的方向（該金屬電極的縱長方向）垂直於該掃描方向 。在該EUV曝光設備中，一照明光學系統具有一 0.1或更 小的小NA，該極化的影響很小，且該電線的方向並沒有 特別的限制。因此，該電線電極方向並不一定要垂直於掃 描方向，而可以是與其平行或傾斜而與其夾一任意的角度 〇 該電線電極的電線直徑R及電線間距A通常是如下所 述地界定。在圖6中，標號6標示具有一線徑R之電線區 段。D爲介於該電線電極與該標線板之間的間距。標號6 1 爲一照明光線，且該照明光學系統被假設具有一 sin 0的 N A。 在此例子中，該電線所造成的照明降低爲△ I約爲 R/L。爲了要控制該照明降低△ I，該電線直徑R必需符合 下面的公式：

公式 1: R<z\IxL 相同地，該電線間距A必需要符合下面的公式，才能 使得相鄰的電線的陰影不會彼此重疊：

A>L 公式2 : -11 - 200905727 該間距D受限於一該標線板桌台的一設計上的物理限 制距離D 0。 公式3 : D<D0 如所討論的，該電線直徑R及該電線間距A同時符合 公式1至3。 詳言之，將該電線直徑R設定爲小於1 0 0微米及該電 線間距大於1 0 〇微米是合理的，但該電線直徑R及該電線 間距的數値與進來的粒子速度及帶電粒子數有關。 翻回到圖5，標號32爲一電線電極架其支撐該電線電 極3 1，並將其固定於該標線板桌台上。此電線電極架3 2 是用金屬製成的用以作爲一導電件且被接地用以將電雜訊 儘可Fi§地減小’該電雜訊是當發生在該電線電極上的電場 漏到該電線電極架以外的區域中時會發生的。標號37及 38爲電源，它們將具有不同相位的AC電壓交替地供應至 每一電線電極。發生在此電線電極3 1上的A C電場可防止 粒子3 0進入到該標線板的圖案化表面上。 此實施例採用此種將具有1 8 0度相位差的電壓交替地 施用之電壓施用方法’但一種變化例是可以想得到的，該 變化例可藉由每次將相位偏移1 2 0度來施加電壓至三個電 線電極來產生該AC電場的一發展波（pr〇gressive wave)於 該電極周圍。詳言之’如圖7及8所示，一電壓V3被施 加至第一電線電極組其包括電線電極4 7 a及4 8 b。一相位 -12- 200905727 比電壓V3快了 120度的電壓V4被施加至第二電線電極 組其包括48a及48b，如圖8所示。再者，一相位比電壓 V4快了 1 20度的電壓V5被施加至第三電線電極組其包括 49a及49b。藉此，該AC電場的一發展波可被產生在靠近 該電線電極處。一種電壓施用方法其交替地將具有彼此相 差了 180度的不同相位之電壓施加至每一電線電極，藉以 將靠近該電極附近的粒子驅離。在另一方面，被用來在電 極附近產生AC電場的發展波的此三相位的AC電壓只能 將接近的粒子驅離一特定的距離。例如，如果假設在圖5 的y方向爲該AC電場的發展波的方向的話，則被該標線 板驅離的粒子會移動於該y方向上。圖9爲從此實施例的 標線板圖案化表面觀看的圖式，及圖10爲其立體圖。該 電場防塵膜被提供至該標線板桌台3，使得該電場防塵膜 覆蓋該標線板2及該標線板夾頭7。因此，此實施例的電 場防塵膜可用該標線板桌台3加以掃描，用以一直且完全 地覆蓋該標線板2及該標線板夾頭7。此結構可防止粒子 附著到標限板側表面及標線板夾頭7上以及標線板圖案化 表面上。詳言之，該標線板夾頭7係當作一靜電夾頭，在 靠近該夾頭處產生電場，並吸引粒子。上述的結構可阻止 粒子。 標號33a及33b爲透過標線板桌台3施加電壓至電場 防塵膜的電極。此實施例的電壓施加方法交替地施加電壓 至每一電線電極，但本發明並不侷限於此方法，只要可提 供類似的阻擋粒子效果的方法都可被使用。例如，該電壓 -13- 200905727 可被施加至多個電線電極。 現參照圖1 1，1 2及1 3，來描述此實施例的標線板運 送。此實施例提供該電場防塵膜至該標線板桌台3，並將 該標線板2固持在該標線板夾頭7上。如圖1 1所示，此 實施例使用一閘門3 9作爲一防塵膜架側表面上的一打開/ 關閉機構。在圖Η中，當該標線板2的運送開始時，該 閘門3 9即打開。接下來，在該標線板2被送入到圖1 2所 示的預定位置之後，該運送臂3 4向上移動用以將該標線 板固持在該標線板夾頭7上。最後，如圖1 3所示，該運 送臂34被拉出，且該閘門3 9被關閉。此動作即完成該標 線板運送。此外，一用來將該電場防塵膜上下移動的驅動 機構可如圖14，1 5及1 6所示地被提供。在圖14中，當 該標線板2的運送開始時，一電場防塵膜驅動機構5 2即 將整個電場防塵膜架降下來。在此例子中，該標線板桌台 3與該電線電極架3 2b彼分開來，且標線板2被送至如圖 1 5所示的一預定的位置，同時該標線板桌台3是與該電線 電極架32b分開來的。然後，該運送臂34的一勝/下機構 將標線板2向上移動用以將該標線板固持在該標線板夾頭 7上。最後’如圖16所示，該運送臂34被拉出，且該電 場防塵膜驅動機構5 2將該電場防塵膜升高至該預定的位 置’並完成該標線板的運送。 因爲此實施例在靠近該標線板圖案化表面處提供電網 ’所以光學影響’譬如不均勻的照明，被考量。根據美國 專利公開第20 5 5/0403 45號的揭露，當—10微米的支撐 -14- 200905727 電線被使用且被安排成與一電路圖案相距2公釐或10公 釐時，不均勻的照明最多僅約1 %。因此，由此實施例的 電線電極所造成的不均勻照明的影響很小。 本發明的第一實施例已加以說明。雖然此實施例提供 電場防塵膜至該標線板桌台3上，但該電場防塵膜亦可被 提供到該標線板夾頭7上用以提供類似的效果。 現將描述第二實施例，其提供本發明的電場防塵膜至 一標線板基材，就像是傳統的防塵膜使用方法一樣。圖17 顯示將該電場防塵膜應用至該曝光設備。如圖所示，該電 線電極覆蓋該標線板圖案化的表面的整個表面。一種用來 將電壓施加至每一電線電極的電壓施用方法與第一實施例 相類似。圖1 7爲該電場防塵膜的前視圖。圖1 8爲該電場 防塵膜的立體圖。該標線板圖案化的表面被接地至GND 用以防止帶電。該電線電極架32被接地至GND用以減少 電場漏電。標號3 6 a爲一在該標線板2被容納在該標線板 夾頭7中時用來從該標線板夾頭7或該標線板桌台3施加 電壓的接點。該接點將電源電連接至該電線電極列。一接 點36b(未示出）被提供在與該接點36a相對的位置處。 類似於傳統的曝光設備’該標線板2與該防塵膜一起 被載運所以運送很容易。圖1 9顯示此狀態。該運送臂將 該標線本送至該標線板夾頭附近’且該標線板藉由使用該 運送臂的一升/降機構而被容納到標線板夾頭7中。然後 ，電壓被施加至該電場防塵膜的一電壓施加接點上。 此實施例的一個特徵爲’與傳統的防塵膜類似地抑制 -15- 200905727 粒子，且此實施例可在運送期間應用至該負載鎖定室的內 部中。圖2 0顯示此狀態。標號2 3爲一負載鎖定室。標號 1 2a爲在曝光設備側上的一閘閥。標號1 2b爲在一標線板 交換室側上的一閘閥。標線板2被支撐在該負載鎖定室內 。當輸入該標線板時，該負載鎖定室的內部被抽真空，且 在曝光該標線板時，該負載鎖定室的內部對空氣開放。在 大氣交換作業中，AC電壓37及38從該負載鎖定室的外 面被施加至該標線板的電壓施加接點3 6a及3 6b，用以啓 動該電場防塵膜。當該電場防塵膜被啓動時，粒子的附著 即可被抑制，粒子附著通常發生在負載鎖定室的空氣供應 及排放時。 現將描述第三實施例，其提供一種防止因哥倫布力 (Coulomb’s force)造成的振動或斷裂，該哥倫布力是在施 加電壓至電線電極時會發生的力。具有1 8 0度的相位差的 電壓被施加至每一電極。一正電荷及一負電荷在該電極內 交替，但沒有電流流動。因此，該等電線被預期會透過哥 倫布力而彼此相吸。如下文中所描述的，該哥倫布力大體 上係發生在平行的電線上，當該電壓被施加至該電極上時 ，具有± p [C/m]的直線密度之電荷以間距d[m]發生在平行 的電極上。一吸引力以每單位長度的力量方式被產生： 公式4 : -P1 F= —[N] -16- 200905727 電極的數目不是兩個，而是，電極被建構成一電極列 。每一電極以力量F彼此相吸，且理想下，合力爲零，其 爲施加在一個金屬電極上的力量。然而，因爲相位與擾亂 的關係，該合力並不是永遠都是零。 用於該電防塵膜的電線電極必需將其對於被投影的影 像的影響降低至最小。使用1 〇微米或更小的電線電極是 必要的，且此一電線電極需要小心的處理。因此，需要補 強件來防止斷裂。 有鑑於上述兩點，此實施例在一不同於該電線電極配 置方向的方向上將一絕緣的電線43連接至該電線電極的 中心，如圖2 1所示，用以提供一用於上述問題的解決之 道。一薄的，強韌的且絕緣的電線被用作爲一絕緣的電線 。例如，聚（對-苯烯苯並噁唑）（“PBO”）纖維（商標名爲 Zylon) ’聚乙烯（“PE”）纖維（商標名爲 Dyneema)， PPTA(aramid)纖維（商標名爲Kevlar)，及聚丙烯酸纖維（商 標名爲Vectran)是可被想到的例子。該絕緣的電線可被交 替地插入到該電線電極中，就像一衣服是用線編織成的， 如圖22所示。雖然圖22顯示只有一個絕緣的電線用於補 強’但亦可以有多個絕緣的電線被插入到每一電線電極中 ’用以提高其強度。 因爲此構造可防止該電線振動並補強該電線，所以該 電防塵膜可被輕易地製造及搬運。 傳統上地’一 EUV防塵膜被認爲是看不見的。在另 一方面，本發明於一靠近該標線板圖案化表面處設置平面 -17- 200905727 構造之多個平行的電線電極，使得它們彼此相對，且交替 地施加有1 8 0度相位差之電壓，藉以防止粒子入射到該標 線板圖案化的表面上。根據本發明，該電場防塵膜永遠都 覆蓋該標線板的整個表面，與該標線板一起移動於該掃描 曝光中，並抑制來自該標線板桌台空間與該投影光學系統 空間的粒子。本發明的電場防塵膜並沒有使用一薄膜，它 是用電線電極列製成的。因此，該EUV光線的透射性很 少減弱。該電線電極是用直徑爲1 0微米或更小的金屬製 成’因此它的製造與組裝很容易。因此，本發明可提供一 實用的EUV防麈膜。 再者’本發明並不侷限於這些較佳實施例且各式的變 化與修改可在不偏離本發明的範圍下被達成。 【圖式簡單說明】 圖1顯示一可應用本發明的一 EUV曝光設備系統。 圖2顯示一據本發明之一種施加AC電壓至第一電線 電極的A C電壓施加方法。 圖3顯示一種在第一實施例中的AC電壓波形其具有 一不同的第一相位。 圖4爲本發明所依賴之電場防塵膜（electric field p e 11 i c 1 e )的原理說明圖。 圖5爲第一實施例之電場防塵膜的前視圖。 圖6爲介於本發明的電線直徑R與一電線間距A之間 的說明性圖式。 -18- 200905727 圖7顯示一據本發明之一種施加AC電壓至第二電線 電極的A C電壓施加方法。 圖8顯不一種在第一實施例中的AC電壓波形其具有 一不同的第二相位。 圖9爲依據第一實施例之電場防塵膜的平面圖。 圖10爲依據第一實施例之電場防塵膜的立體圖。 圖11爲載負可應用到第一實施例上之步驟A的第一 標線板。 圖12爲載負可應用到第一實施例上之步驟B的第一 標線板。 圖13爲載負可應用到第一實施例上之步驟C的第一 標線板。 圖14爲載負可應用到第一實施例上之步驟A的第二 標線板。 圖15爲載負可應用到第一實施例上之步驟B的第二 標線板。 圖16爲載負可應用到第一實施例上之步驟C的第二 標線板。 圖1 7爲依據第二實施例之電場防塵膜的前視圖。 圖1 8爲依據第二實施例之電場防塵膜的立體圖。 圖1 9爲載負著可應用於第二實施例上之方法的標線 板。 圖20爲可應用到一負載鎖定室（load lock chamber)上 之該第二實施例的結構。 -19- 200905727 圖2 1爲依據第三實施例的電場防塵膜的立體圖。 圖22爲一種依據第三實施例之施接AC電壓至電線電 極的A C電壓施加方法。 【主要元件符號說明】 1 :晶圓 2 :反射式標線板 3 :標線板桌台 4a :標線板桌台空間 4b :投影光學系統空間 4c :晶圓桌台空間 5 :投影光學系統 6 :晶圓夾頭 7 :標線板夾頭 8 :運送臂 10a :真空幫浦單元 l〇b :真空幫浦單元 1 〇 c :真空幫浦單元 10d :真空幫浦單元 10e :真空幫浦單元 1 1 a :晶圓桌台空間側閘閥 1 1 b :晶圓交換室側閘閥 1 2a :標線板桌台空間側閘閥 12b :標線板交換室側閘閥 -20- 200905727 1 3 :運送臂 1 4 :晶圓交換室 1 5 :晶圓負載鎖定室 1 8 :運送臂 1 9 :標線板交換室 22 :運送臂 2 3 :負載鎖定室 2 3 :標線板負載鎖定室 2 7 :晶圓桌台 3 0 :粒子 3 1 :電線電極 3 2 :電線電極架 3 3 a :電極 3 3 b :電極 3 4 :運送臂 36a :接點 3 6 b :接點 3 7 :電源 3 8 :電源 40a :電線電極 4 0 b :電線電極 4 0 c :電線電極 4 1 a :電線電極 43 :絕緣電線 -21 200905727 4 7 a_ :電極 4 7 b :電極 4 8 a :電極 48b :電極 4 9 a :電極 4 9 b :電極 5 0 :帶電粒子 5 1 :粒子 5 2 :電場防塵膜驅動機構 6 0 :電線區段 61 :照明光線 R :電線直徑 A :電線間距 -22

Claims (1)

1. 200905727 十、申請專利範圍 1. 一種被建構來將一原版片上的圖案曝光至一基材上 的曝光設備，該曝光設備包含： 一電線電極列（wire electrode row)，其包括多個平行 的電線電極，且其與該原版片相對；及 一電源，其施加一 AC電壓至該等電線電極， 其中該電線電極列包括一第一電線電極組，及一第二 電線電極組其被施加一具有一相位的A C電壓，施加至該 第二電線電極組的A C電壓的相位不同於施加在該第一電 線電極組上之AC電壓的相位。 2 .如申請專利範圍第1項之曝光設備，其中該第一電 線電極組的電線電極與該第二電線電極組的電線電極係被 交替地配置。 3 .如申請專利範圍第1項之曝光設備，其中該電線電 極列進一步包含一第三電線電極組其被施加一具有一相位 的AC電壓，施加至該第三電線電極組的AC電壓的相位 不同於施加在該第一與第二電線電極組上之AC電壓的相 位。 4.如申請專利範圍第3項之曝光設備，其中該第一電 極組的電線電極，該第二電極組的電線電極及該第三電極 組的電線電極係被依序地配置。 5 .如申請專利範圍第1項之曝光設備，其更包含一桌 台其被建構來移動該原版片， 其中該電線電極列被固定到一設置在該桌台上的電線 -23- 200905727 電極架上。 6 .如申請專利範圍第1項之曝光設備，其更包含一桌 台其被建構來移動該原版片，及一夾頭其被設置在該桌台 上且被建構來固持該原版片， 其中該電線電極列被固定到一設置在該夾頭上的電線 電極架上。 7.如申請專利範圍第5或6項之曝光設備，其中該電 線電極架包括一導電件。 8 .如申請專利範圍第5或6項之曝光設備，其中該電 線電極架具有一在一側表面上的打開及關閉機構，且該原 版片從該電線電極架之打開的側表面被載送至該桌台。 9.如申請專利範圍第5或6項之曝光設備，其中該電 線電極架可與該桌台分離，且該原版片在該電線電極架與 該桌分離時被載送至該桌台。 1 〇 .如申請專利範圍第1項之曝光設備，其中該電線 電極列係用絕緣電線加以連接，該絕緣電線延伸在一不同 於該等電線電極的配置方向的方向上。 11. 一種被建構來將一原版片上的圖案曝光至一基材 上的曝光設備，該曝光設備包含： 一被建構來移動該原版片的桌台，其包括一具有多個 平行的電線電極的電線電極列； 一電源，其施加一 AC電壓至該等電線電極；及 一接點，其被建構來將該電源電連接至該電線電極， 其中該電源施加一 AC電壓至該電線電極列的一第一 -24- 200905727 電線電極組，及另一 AV電壓至一第二電線電極組，該另 一 AC電壓具有一相位，其不同於用於該第一電線電極組 的AC電壓的相位。 1 2 .如申請專利範圍第1 1項之曝光設備，其更包含一 曝光室其被建構來容納該原版片用以將該圖案曝光至該基 材上，該桌台，該電源，與該接點都被設置在該曝光室內 〇 1 3 .如申請專利範圍第1 1項之曝光設備，其更包含一 曝光室其被建構來容納該原版片用以將該圖案曝光至該基 材上，及一負載鎖定室其透過一閘閥被連接至該曝光室， 其中該桌台，該電源，與該接點都被設置在該負載鎖定室 內。 14. 一種原版片，其具有一將被曝光至一基材上的圖 案，該原版片包含： 一電線電極列，其包括多個平行的電線電極； 一接點，其被建構來將該電線電極電接觸至一電源其 施加一 A V電壓至該等電線電極， 其中該電線電極列包括一第一電線電極組，及一第二 電線電極組其被施加一具有一相位的AC電壓，施加至該 第二電線電極組的AC電壓的相位不同於施加在該第一電 線電極組上之A C電壓的相位。 -25-