TW200905215A - Abnormality detection system and method for coaxial cable, and processing apparatus equipped with said system - Google Patents

Description

200905215 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關檢測同軸電纜的異常之同軸 檢測系統及其異常檢測方法、以及具備該里常 處理裝置。 【先前技術】 在平面直角顯示器或半導體裝置的製造中， 蝕刻處理或CVD成膜處理等，使用高頻電力的 的工程。高頻電力是產生於RF產生器，所被進 電力會被輸入至作爲給電線的同軸電纜，經由值 的阻抗與處理裝置的阻抗整合的整合器後，供耗 置。 使用於平面直角顯示器或半導體裝置的製達 置大，從設置於處理裝置本體的整合器到RF generator)的距離也會有變遠的情況。特別是值 直角顯示器的製造之處理裝置的同軸電纜的長虔 到20m〜30m。一旦同軸電纜的長度變長，則至 裝置施工時，或使同軸電纜移動時等，同軸電_ 折彎’有時造成同軸電纜中的內部導體斷線。一 體斷線，則無法將高頻電力供給至處理裝置，右 中不會產生電漿。 內部導體斷線後的同軸電纜是具有在斷線處 偏離的現象。若利用此現象，使用外部測定機著 纜的異常 測系統的 存在電漿 處理裝置 生的高頻 同軸電纜 至處理裝 之處理裝 產生器（ 用於平面 大多有達 工廠內的 會不小心 旦內部導 處理裝置 特性阻抗 、例如使 -4- 200905215 用網絡分析儀來測定同軸電纜的特性阻抗’則可檢測出有 無斷線發生、及斷線之處。 在此測定及檢測中，是從RF產生器及整合器卸下同 軸電纜，將同軸電纜的一端連接至網絡分析儀，將另一他 端經由終端電阻來接地。若同軸電纜的特性阻抗爲5 0 Ω ，則將終端電阻設爲5 0 Ω來測定同軸電纜的特性阻抗》 此刻，有時發現特性阻抗從5 0 Ω變大之處。如此的同軸 電纜是在內部導體發生斷線者，特性阻抗變大之處爲斷線 之處。 【發明內容】 (發明所欲解決的課題） 使用網絡分析儀的測定及檢測，是若未形成同軸電纜 的內部導體斷線等完全異常的狀態，則無法檢測出其異常 〇 同軸電纜的折彎有時會使發生內部導體不至於完全達 到異常狀態之類的縱向彎曲或裂縫。在內部導體產生縱向 彎曲或裂縫的同軸電纜是與招致完全異常的同軸電纜不同 ’可與正常的同軸電纜同樣地對處理裝置供給高頻電力。 亦即’在處理裝置中是正常地產生電漿。因此，在內部導 體發生縱向彎曲或裂縫的同軸電纜是與正常的同軸電纜難 辨別。 縱向彎曲或裂縫也許爲些微的異常，但縱向彎曲或裂 縫對於同軸電纜而言一定是特異點。一旦持續使用具有特 -5- 200905215 異點的同軸電續’則有可能不久在同軸電纜發生不良情況 〇 但，縱向彎曲或裂縫是不會使同軸電纜的特性阻抗變 化大。因此，縱向彎曲或裂縫難以在網絡分析儀進行檢測 。而且’使用網絡分析儀之類的外部測定機器的測定及檢 測是必須從RF產生器及整合器卸下间軸電纜，重新連接 至外部測定機器。因此，處理裝置不得不使停止。 本發明的目的是在於提供一種連縱向彎曲或裂縫之類 的些微異常也能夠檢測出，且可不使處理裝置停止來檢測 出些微的異常之同軸電纜異常檢測系統及該異常檢測方法 、以及具備該異常檢測系統的處理裝置。 (用以解決課題的手段） 爲了解決上述課題’本發明之第1形態的同軸電纜的 異常檢測系統的特徵係具備： 同軸電纜’其係將一端連接至RF產生器的輸出，將 另一端連接至整合器的輸入； 第1反射波檢出手段，其係檢測出上述同軸電纜的上 述RF產生器的輸出之反射波R; 第2反射波檢出手段，其係檢測出上述同軸電纜的上 述整合器的輸入之反射波r:及 檢測器’其係比較上述反射波R與上述反射波r，上 述反射波R與上述反射波r的關係爲R>r，上述反射波R 與上述反射波r的差分爲超過規定値時，檢測出上述同軸 -6- 200905215 電纜中的異常發生。 又，本發明之第2形態的同軸電纜的異常檢測方法的 特徵爲： 將同軸電纜的一端連接至RF產生器的輸出， 將上述同軸電纜的另一端連接至整合器的輸入， 檢測出上述同軸電纜的上述RF產生器的輸出之反射

波R 檢測出上述同軸電纜的上述整合器的輸入之反射波Γ > 比較上述反射波R與上述反射波r，上述反射波R與 上述反射波r的關係爲R>r，上述反射波R與上述反射波 r的差分爲超過規定値時檢測出上述同軸電纜中的異常發 生。 又，本發明之第3形態之具備同軸電纜的異常檢測系 統的處理裝置的特徵係具備： RF產生器，其係產生高頻電力； 處理裝置，其係對被處理基體實施處理； 作爲給電線的同軸電纜，其係將一端連接至上述RF 產生器的輸出，將來自上述RF產生器的高頻電力供給至 上述處理裝置； 整合器，其係將輸入連接至上述同軸電纜的另一端， 將輸出連接至上述處理裝置，使上述同軸電纜的阻抗與上 述處理裝置的阻抗整合； 控制器，其係控制上述整合器； 200905215 第1反射波檢出手段’其係檢測出上述同軸電纜的上 述RF產生器的輸出之反射波R; 第2反射波檢出手段’其係檢測出上述同軸電纜的上 述整合器的輸入之反射波r;及 檢測器，其係比較上述反射波R與上述反射波r，上 述反射波R與上述反射波r的關係爲R>r，上述反射波R 與上述反射波r的差分爲超過規定値時，檢測出上述同軸 電纜中的異常發生。 [發明的效果] 若根據本發明，則可提供一種連縱向彎曲或裂縫之類 的些微異常也能夠檢測出，且可不使處理裝置停止來檢測 出些微的異常之同軸電纜異常檢測系統及該異常檢測方法 、以及具備該異常檢測系統的處理裝置。 【實施方式】 以下，參照圖面來具體說明有關本發明之一實施形態 〇 圖1是表示具備本發明之一實施形態的同軸電纜的異 常檢測系統的處理裝置之一例的構成圖。 如圖1所示，具備一實施形態的同軸電纜的異常檢測 系統的處理裝置是具備：產生高頻電力的RF產生器！、 及對被處理基體實施處理的處理裝置2、及作爲將來自 RF產生器1的高頻電力供給至處理裝置2的給電線的同 -8- 200905215 軸電纜3、及使同軸電纜3的阻抗與處理裝置2的阻抗整 合的整合器4、及控制該整合器4的控制器5、及檢測同 軸電纜中的異常發生的檢測器6。 處理裝置2例如可舉使用於平面直角顯示器或半導體 裝置的製造之電漿乾蝕刻裝置或電漿CVD裝置等。圖1 是表示一例的平面直角顯示器（FPD )電漿乾蝕刻裝置。 FPD電漿乾蝕刻裝置是例如使用於除去被處理基體21的 玻璃基板上的薄膜，藉由蝕刻來形成電路圖案的工程等。 高頻電力是被供給至載置有被處理基體21 (本例是玻璃 基板）的載置台22。蝕刻氣體是從設於被處理基體21上 方的淋浴頭23來供給至處理室24的內部。淋浴頭23係 被接地，具有作爲載置台22的對向電極之機能。 同軸電纜3是將一端連接至RF產生器1的輸出11， 將另一端連接至整合器4的輸入41。整合器4的輸出42 是被連接至處理裝置2。 檢測器6會比較同軸電纜3的RF產生器1的輸出1 1 的反射波R與同同軸電纜3的整合器4的輸入41的反射 波r。檢測器6是在反射波R與反射波r的關係爲R>r， 且反射波R與反射波r的差分超過規定値時’檢測出同軸 電纜3中發生異常。 反射波R及反射波r，可另外設置檢測出該等的反射 波檢出手段，利用另外設置的檢出手段來檢測出’但本例 是利用RF產生器1及整合器4中具備的駐波比檢出基板 (VSWR ( Voltage Standing Wave Ratio)基板）所檢測出 200905215 的反射波。亦即，在本例，反射波R是利用RF產生器1 中具備的駐波比檢出基板（VSWR基板）1 2所檢測出的反 射波R，反射波r是利用整合器4中具備的駐波比檢出基 板（VSWR基板）43所檢測出的反射波r。 並且，規定値的一例爲其次所示般。 在同軸電纜3爲正常的狀態下，反射波R與反射波r 的關係是“ R与r ”。反射波R與反射波r的差分是隨同軸電

纜3的長度或高頻電力的強度而改變，大槪爲未滿1 〇〇 W 〇 相對的，在同軸電纜3的內部導體有異常的狀態下， 反射波R與反射波r的關係會形成“R>r”。而且，反射波 R與反射波r的差分會隨同軸電纜3的長度或高頻電力的 強度而改變，大槪擴大至100W以上200W程度爲止。藉 此，規定値是設爲1 00W以上200W以下。例如，將規定 値設定於1 〇 1 w時，檢測器6是當反射波R與反射波r的 關係爲形成R>r，反射波R與反射波r的差分爲1 0 1W以 上、或超過101W時，檢測出同軸電纜3中發生異常。 一旦在同軸電纜3的內部導體有異常，則反射波R與 反射波r的關係形成“R>r”，且反射波R與反射波r的差 分擴大至1 〇〇 W以上的理由之一，如以下所示。 圖2A是表示同軸電纜3爲正常的狀態時之反射波R 與反射波r的關係，圖2B是表示在同軸電纜3的內部導 體有異常時之反射波R與反射波r的關係。 如圖2A所示，當同軸電纜3爲正常的狀態時，來自 -10- 200905215 RF產生器1的高頻電力是大致原封不動地被輸入至整合 器4的輸入41。此時，在輸入41的部分，雖產生反射波 r，但此反射波r也會大致原封不動地送至RF產生器1的 輸出11。因此，RF產生器1的輸出11之反射波R與整 合器4的輸入之反射波r是大致形成相等。亦即，RF產 生器1側的駐波比檢出基板（VSWR基板）1 2所檢測出的 反射波R與整合器4側的駐波比檢出基板4 3所檢測出的 反射波r的關係是形成“R * r”。 相對的，在同軸電纜3的內部導體有異常時，如圖 2B所示，來自RF產生器1的高頻電力的一部份會在異常 處7反射。因此，被輸入至整合器4的輸入41之高頻電 力與正常的狀態時比較下減少。其結果，反射波r也是與 正常的狀態時比較下減少。 而且’在RF產生器1的輸出11是加上反射波I·，而 於異常處7反射後的反射波r'會送達。其結果，RF產生 器1的輸出1 1之反射波R是形成比反射波r更大。因此 ，RF產生器1側的駐波比檢出基板（V S WR基板）1 2所 檢測出的反射波R與整合器4側的駐波比檢出基板4 3所 檢測出的反射波r的關係是形成“R>r”，反射波R與反射 波r的差分亦例如擴大至100W以上。 如此，在本一實施形態中是利用圖2A及圖2B所示 的關係來檢測是否在同軸電纜3的內部導體發生異常。 並且’圖2B所示的異常處7的反射現象是發生於內 部導體的些微異常，例如縱向彎曲或裂縫，因此即使是縱 -11 - 200905215 向彎曲或裂縫之類的些微異常也能夠檢測。 在檢測器4檢測出異常時，例如使RF產生器1及處 理裝置2停止，而來更換同軸電纜3。RF產生器1及處 理裝置2可根據來自檢測器6的直接命令使停止，或例如 在操作處理裝置2的操作裝置8的顯示器8 1顯示“發生異 常”，或使警報器1 〇響起來報知“發生異常”，通知操作者 “發生異常”，由操作者本身來使RF產生器1及處理裝置 2停止。 上述“發生異常”的顯示、或上述“發生異常”的發報， 可因應所需採用，採用時可只採用其中之一或雙方。 又，本例的檢測器6是在控制整合器4的控制器5附 加檢測器6的機能，將檢測器6內藏於控制器5，但檢測 器6例如亦可爲控制器5的外裝機器。 在圖1所示的裝置中，作爲同軸電纜的異常檢測系統 1〇〇機能的部分是：同軸電纜3、及檢測出同軸電纜3的 RF產生器1的輸出11的反射波R之第1反射波檢出手段 (在本例是駐波比檢出基板（V S WR基板）1 2 )、及檢測 出同軸電纜3的整合器4的輸入41的反射波r之第2反 射波檢出手段（在本例是駐波比檢出基板（VSWR基板） 4 3 )、及比較反射波R與反射波r，反射波R與反射波r 的關係爲R>r，反射波R與反射波r的差分爲超過規定値 時，檢測出同軸電纜3中的異常發生之檢測器6的部分。 在如此的異常檢測系統1 00中，如上述般可因應所需 安裝顯示“發生異常”的顯示器81、或報知“發生異常”的警 -12- 200905215 報器1 〇。 其次，說明有關異常檢測系統1 〇 〇的操作程序之一例 〇 圖3是表示異常檢測系統1 00的操作程序之一例的流 程圖。 首先，設定來自RF產生器1的開啓之延遲（delay ) 時間（ST.1 )。 此延遲時間是RF產生器1開啓，高頻電力安定供給 至整合器4爲止的等待時間。延遲時間是按照同軸電纜3 的長度或高頻電力的強度來變化，例如1 〇秒。 其次，設定反射波R與反射波：r的差分，亦即設定規 定値（S T _ 2 )。 規定値是如上述般，按照同軸電纜3的長度或高頻電 力的強度來改變，若舉一例，則爲100W以上200W以下 〇 其次，設定檢出時間（ST.3 ) 檢出時間是比較反射波R與反射波r，反射波R與反 射波r的關係爲R>r，監視反射波R與反射波r的差分是 否超過規定値的時間。此檢出時間也是按照同軸電纜3的 長度或闻頻電力的強度來改變，例如大槪5秒以上1 〇秒 以下。 在經歷如此的程序ST.1〜ST.3之下，對異常檢測系 統1 〇 〇設定延遲時間、規定値、及檢出時間的檢測資料。 該等的資料是例如由圖1所示的操作裝置8的輸入手段（ -13- 200905215 例如鍵盤）8 2來輸入’設定於異常檢測系統1 0 0的檢測 器6。 另外，檢測資料的設定順序並非限於圖3所示的順序 ，可爲任意。 又，藉由使所被設定的檢測資料記憶於控制器5、或 掃描裝置8，只要無資料的變更’程序ST.1〜ST.3實施 一次即可。 在設定檢測資料之後’開啓RF產生器1 ( ST.4 ) ’ 將高頻電力供給至處理裝置2，開始對被處理基體21的 處理（ST.5 )，又，在RF產生器1開啓之後，延遲時間 經過後，開始對同軸電纜3的異常檢測（ST.6 )。在本一 實施形態中，對同軸電纜3的異常檢測是與對被處理基體 2 1的處理並列執行。 如此，本一實施形態的異常檢測系統1 00是可使對同 軸電纜3的異常檢測與被處理基體21的處理並列執行， 因此不僅可檢測縱向彎曲或裂縫之類的些微異常，而且還 可不使處理裝置2停止來檢測該些微的異常。又，由於使 對同軸電纜3的異常檢測與對被處理基體21的處理並列 執行’因此處理裝置2的生產能力也不會被阻礙。 另外’異常檢測系統100可在對被處理基體21的處 理期間’一邊重複檢測一邊使常時開動，或間歇性地例如 隔數分鐘開動。 其次’說明有關同軸電纜3的一例。 圖4是表示同軸電纜3之一例的立體圖。 -14- 200905215 作爲使用於平面直角顯示器或半導體裝置的製造之電 漿乾蝕刻裝置或使用於電漿CVD裝置的同軸電纜3之一 ，有爲了輕量化，而將內部導體31設爲中空狀的同軸電 纜3 ’。將此同軸電纜3，的一例顯示於圖4。中空狀的導體 爲使用銅管或鋁管等。 但，將內部導體31設爲中空狀的導體之同軸電纜3’ ，如圖5 A所示，一旦極端地折彎，則如圖5 B所示’在 折彎之處，容易發生縱向彎曲32。一旦發生縱向彎曲32 ，則幾乎不會回到原來的狀態，因此同軸電纜3 ’中的特 異點是大致永久性存在。 即使是在如此內部導體31爲容易縱向彎曲的同軸電 纜3 ’中，只要使用本一實施形態的異常檢測系統1 00，便 可簡單地檢測是否有發生縱向彎曲3 2，因此即使是容易 縱向彎曲的同軸電纜3 ’照樣可安全地使用。 以上，藉由一實施形態來説明本發明，但本發明並非 限於上述一實施形態，可爲各種的變形。並且，本發明的 實施形態並非上述一實施形態爲唯一的實施形態。 例如，上述一實施形態是處理裝置2爲使用於平面直 角顯示器或半導體裝置的製造之電槳乾蝕刻裝置或電漿 CVD裝置，但並非限於上述裝置，只要是使用高頻電力 的處理裝置即可。 其他，上述一實施形態可在不脫離本發明的主旨範圍 內實施各種的變形。 -15- 200905215 【圖式簡單說明】 圖1是表示具備本發明之一實施形態的同軸電纜的異 常檢測系統的處理裝置之一例的構成圖。 圖2A是表不同軸電纜3爲正常的狀態時的反射波R 與反射波r的關係圖，圖2B是表示同軸電纜3的內部導 體有異常時的反射波R與反射波r的關係圖。 圖3是表示異常檢測系統1 〇〇的操作程序之一例的流 程圖。 圖4是表示同軸電纜3之一例的立體圖。 圖5A是表示同軸電纜3’折彎的狀態剖面圖，圖5B 是表示在折彎後的同軸電纜3 ’產生縱向彎曲32的狀態剖 面圖。 【主要元件符號說明】 1 : RF產生器 2 :處理裝置 3、3 ’ ：同軸電纜 4 :整合器 5 ’·控制器 6 :檢測器 8 :操作裝置 1 〇 :警報器 1 1 : RF產生器的輸出 1 2 :駐波比檢出基板 -16- 200905215 3 1 :內部導體 3 2 :縱向彎曲後之處 4 1 :整合器的輸入 42 :整合器的輸出 4 3 :駐波比檢出基板 -17

Claims (1)

1. 200905215 十、申請專利範圍 1. 一種同軸電纜的異常檢測系統，其特徵係具備： 同軸電纜，其係將一端連接至RF產生器的輸出，將 另一端連接至整合器的輸入； 第1反射波檢出手段，其係檢測出上述同軸電纜的上 述RF產生器的輸出之反射波R ; 第2反射波檢出手段，其係檢測出上述同軸電纜的上 述整合器的輸入之反射波r;及 檢測器，其係比較上述反射波R與上述反射波r，上 述反射波R與上述反射波r的關係爲R>r，上述反射波R 與上述反射波r的差分爲超過規定値時，檢測出上述同軸 電纜中的異常發生。 2. 如申請專利範圍第1項之同軸電纜的異常檢測系 統，其中， 上述第1反射波檢出手段爲上述RF產生器所具備的 駐波比檢出基板， 上述第2反射波檢出手段爲上述整合器所具備的駐波 比檢出基板， 上述反射波R係利用上述RF產生器所具備的駐波比 檢出基板所檢測出的反射波，上述反射波！·係利用上述整 合器所具備的駐波比檢出基板所檢測出的反射波。 3. 如申請專利範圍第1或2項之同軸電纜的異常檢 測系統，其中，具備：上述檢測器檢測出上述同軸電纜中 的異常發生時，顯示該異常發生的顯示器、及報知該異常 -18- 200905215 發生的警報器的至少其中之一個。 4 ·如申請專利範圍第丨〜3項中的任一項所記載之同 軸電續的異常檢測系統，其中，上述規定値爲1 〇〇W以上 200 W以下·。 5 ·如申請專利範圍第丨〜4項中的任一項所記載之同 軸電纜的異常檢測系統，其中，上述同軸電纜，係內部導 體爲使用中空狀的導體。 6 ·如申請專利範圍第1〜5項中的任一項所記載之同 軸電纜的異常檢測系統，其中，上述同軸電纜的異常檢測 ’係與使用來自上述RF產生器的高頻電力的處理裝置之 對被處理基體的處理並列執行。 7 . —種同軸電纜的異常檢測方法，其特徵爲： 將同軸電纜的一端連接至RF產生器的輸出， 將上述同軸電纜的另一端連接至整合器的輸入， 檢測出上述冋軸電纜的上述RF產生器的輸出之反射 波R， 檢測出上述同軸電纜的上述整合器的輸入之反射波Γ 5 比較上述反射波R與上述反射波r，上述反射波R與 上述反射波r的關係爲R>r，上述反射波R與上述反射波 r的差分爲超過規疋値時檢測出上述问軸電纜中的異常發 生。 8.如申請專利範圍第7項之同軸電纜的異常檢 '測方 法，其中，上述規定値爲100W以上200W以下。 -19- 200905215 9 -如申請專利範圍第7或8項之同軸電纜 測方法，其中，上述同軸電纜的異常檢測，係與 上述RF產生器的高頻電力的處理裝置之對被處 處理並列執行。 1 〇 _ —種具備同軸電纜的異常檢測系統的處 其特徵係具備： RF產生器，其係產生高頻電力； 處理裝置，其係對被處理基體實施處理； 作爲給電線的同軸電纜，其係將一端連接3 產生器的輸出’將來自上述RF產生器的高頻電 上述處理裝置； 整合器，其係將輸入連接至上述同軸電纜的 將輸出連接至上述處理裝置，使上述同軸電纜的 述處理裝置的阻抗整合； 控制器，其係控制上述整合器； 第1反射波檢出手段，其係檢測出上述同軸 述RF產生器的輸出之反射波R ; 第2反射波檢出手段，其係檢測出上述同軸 述整合器的輸入之反射波r ;及 檢測器，其係比較上述反射波R與上述反射 述反射波R與上述反射波r的關係爲R>r，上述 與上述反射波r的差分爲超過規定値時’檢測出 電纜中的異常發生。 U.如申請專利範圍第1 0項之具備同軸電 的異常檢 使用來自 理基體的 理裝置， :上述RF 力供給至 另一端， 阻抗與上 電纜的上 電纜的上 波r，上 反射波R 上述同軸 纜的異常 -20- 200905215 檢測系統的處理裝置，其中，上述規定値爲1 ο 0 W以上 200W以下。 12.如申請專利範圍第1 0或1 1項之具備同軸電纜的 異常檢測系統的處理裝置，其中，上述同軸電纜的異常檢 測，係與使用來自上述RF產生器的高頻電力的上述處理 裝置之對被處理基體的處理並列執行。 1 3 .如申請專利範圍第1 〇〜1 2項中任一項所記載之 具備同軸電纜的異常檢測系統的處理裝置，其中，上述處 理裝置爲電漿乾蝕刻裝置、或電漿CVD裝置。 -21 -