TW202236350A - 等離子體處理腔室的電弧的檢測方法及檢測裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明公開了一種等離子體處理腔室的電弧的檢測方法及檢測裝置，所述方法包括：通過一個射頻功率源向等離子體處理腔內輸送射頻功率，點燃等離子體處理腔內的反應氣體形成等離子體；發送射頻功率源的輸出功率訊號和反射功率訊號到一個控制器，控制器根據所述輸出功率訊號的和反射功率訊號的比值確定是否進入射頻功率穩定輸出區間；在射頻功率穩定輸出區間內，通過控制器計算獲取反射功率訊號的平均值、反射功率訊號的最大值；並將反射功率訊號的平均值和反射功率訊號的最大值進行比較獲得一個比值，比值小於一個預設閾值時判定發生弧光放電。本發明實現了快速檢測到有真空反應腔內電弧中的微弧，以便及時得知對應的晶圓的缺陷狀態的目的。
Description
本發明涉及等離子體處理裝置的技術領域，特別涉及一種等離子體處理腔室的電弧的檢測方法及檢測裝置。
目前的等離子體處理裝置例如等離子體增強化學汽相沉積(PE-CVD)系統、等離子體蝕刻系統和濺射系統的半導體生產設備廣泛用於在現代電子設備的生產的整個過程中。等離子處理裝置利用真空反應室的工作原理進行半導體基片和等離子平板的基片的加工。真空反應室的工作原理是在真空反應室中通入含有適當蝕刻劑或澱積源氣體的反應氣體，然後再對該真空反應室進行射頻能量輸入，以啟動反應氣體，來點燃和維持等離子體，以便分別蝕刻基片表面上的材料層或在基片表面上澱積材料層，進而對半導體基片和等離子平板進行加工。由於等離子體具有比真空反應室的側壁更高的電勢，或者基片表面電荷發生積累均可導致介電材料的擊穿，從而在真空反應室內引起微弧。真空反應室中高等離子電位產生的微弧通常會持續幾微秒，當發生微弧時，等離子體處理裝置中必然發生大電流的放電，相應的會在輸入等離子反應腔的各種電路中產生電流/功率的尖峰。如圖1所示，現有技術通常檢測連接到靜電夾盤20的直流高壓電源30的輸出端的電壓來判斷弧光放電現象，通過一個檢測器40檢測直流高壓電源（ESC供電電源）30的輸出電壓波動，PLC電路50連接在檢測器40的輸出端，處理檢測到的電壓訊號後將對應的資訊傳輸到主控制器60。由於直流高壓電源30中設有分壓電路，該分壓電路使得直流高壓被降到足夠的低壓訊號，從而能夠被檢測並輸送到主控制器60。其中該檢測器40的設計是用來檢測輸出高壓直流電源30輸出的電壓穩定的直流訊號的，所以取樣速率很低，對於放電時間極短（幾個毫秒）的放電無法採樣檢測到。即使選用更高級別的檢測器40能夠採樣到放電導致的電壓波動訊號，由於等離子體處理裝置中PLC電路50與主控制器60的通訊時間現在約為200毫秒，電弧放電特別是微弧放電的時間遠小於200ms（如幾個毫秒），對於現有常見的脈衝式等離子處理製程（輸出射頻功率呈脈衝式快速變化，如10K脈衝頻率）來說，由於射頻功率本身的高速變化導致檢測到的電壓訊號也高速變化，這會導致大量錯誤的放電訊號產生。而且這個錯誤訊號由於存在很大的延時，無法與當前正在進行的製程步驟對應，所以無法分辨是輸出功率突變導致的還是放電導致的。其它等離子處理製程中也會存在多個處理參數不同的步驟，如步驟一執行第一套參數，步驟二執行第二套參數，在步驟一、二切換過程中也會導致現有檢測系統檢測到錯誤到放電訊號，實際只是製程環境的變化導致的射頻阻抗失配。現有技術中，採用靜電吸盤（ESC）電流或電壓訊號檢測脈衝電弧無法以如此高的速度捕獲反射的功率資料，更不能適應脈衝式等離子處理製程的需要，由此不能及時檢測到電弧中的微弧，且由於ESC供電電源中設有分壓電路，由此很多微電弧產生的直流訊號會被雜訊淹沒，無法檢測到微電弧。由此也無法得知此時的放電訊號是尖峰失配還是原始射頻功率源自身導致的變化。而微弧的存在會引起來自真空反應室側壁的污染物聚集在真空反應室中正在處理的晶圓10上，從而導致有缺陷的晶圓10，該有缺陷的晶圓10會影響後續製程的進度。
本發明的目的是提供一種等離子體處理腔室的電弧的檢測方法及檢測裝置，實現快速檢測到有真空反應腔內電弧中的微弧，以便及時得知對應的晶圓的缺陷狀態的目的。
為了實現以上目的，本發明通過以下技術方案實現：
一種等離子體處理腔內的電弧的檢測方法，包括：通過至少一個射頻功率源向等離子體處理腔內輸送射頻功率，點燃等離子體處理腔內的反應氣體形成等離子體。發送至少一個射頻功率源的輸出功率訊號和反射功率訊號到一個控制器，所述控制器根據所述輸出功率訊號的和反射功率訊號的比值確定是否進入射頻功率穩定輸出區間。在所述射頻功率穩定輸出區間內，通過所述控制器計算獲取反射功率訊號的平均值、反射功率訊號的最大值；並將所述反射功率訊號的平均值和所述反射功率訊號的最大值進行比較獲得一個比值，所述比值大於一個預設閾值時判定發生弧光放電。
較佳地，兩個或多個射頻功率源輸出高頻和低頻射頻功率輸出到等離子體處理腔，至少一個射頻功率源發送射頻功率訊號到所述控制器。
較佳地，所述射頻功率穩定輸出區間內所述射頻功率源的輸出功率大於500W。
較佳地，所述反射功率訊號的平均值和反射功率訊號的最大值的比值小於1/2。
較佳地，所述反射功率訊號的平均值和反射功率訊號的最大值的比值小於1/4。
較佳地，所述反射功率訊號的平均值和反射功率訊號的最大值的比值小於1/10。
較佳地，還包括：計算所述反射功率訊號的平均值的取樣時間段長度t，200ms＜t≤400ms。
較佳地，還包括：在脈衝式處理製程中，所述射頻功率源輸出脈衝式功率，脈衝頻率100-100KHz，所述控制器接收射頻功率訊號，以獲得每個脈衝步驟中阻抗穩定匹配階段的微弧訊號。
較佳地，還包括：當所述比值小於或等於警告的預設檢測閾值時，發佈警告資訊。
較佳地，當所述比值小於或等於警報的預設檢測閾值時，發佈警報資訊，且立即中止晶圓製備製程。
另一方面，本發明還提供一種等離子體腔室內的電弧的檢測裝置，包括：
等離子體處理腔、設置在所述等離子體處理腔外部的射頻功率源和控制器；所述射頻功率源用於向所述等離子體處理腔內輸送射頻功率，點燃通入等離子體處理腔內的反應氣體形成等離子體；所述射頻功率源同時檢測從等離子體處理腔反射回射頻功率源的反射功率訊號；所述射頻功率源發送其自身的輸出功率訊號和反射功率訊號到所述控制器；所述控制器根據所述輸出功率訊號的和反射功率訊號的比值確定是否進入射頻功率穩定輸出區間；在所述射頻功率穩定輸出區間內，所述控制器計算獲取反射功率訊號的平均值、反射功率訊號的最大值；並將所述反射功率訊號的平均值和所述反射功率訊號的最大值進行比較獲得一個比值，所述比值小於一個預設閾值時判定發生放電。
較佳地，所述射頻功率源的數量至少為兩個，兩個或多個射頻功率源輸出高頻和低頻射頻功率輸出到等離子體處理腔，至少一個射頻功率源發送射頻功率訊號到所述控制器。
較佳地，所述射頻功率穩定輸出區間內所述射頻功率源的輸出功率大於500 W。
較佳地，所述反射功率訊號的平均值和反射功率訊號的最大值的比值小於1/2。
較佳地，所述反射功率訊號的平均值和反射功率訊號的最大值的比值小於1/4。
較佳地，所述反射功率訊號的平均值和反射功率訊號的最大值的比值小於1/10。
較佳地，還包括：計算所述反射功率訊號的平均值的取樣時間段長度t，200ms＜t≤400ms。
較佳地，還包括：在脈衝式處理製程中，所述射頻功率源輸出脈衝式功率，脈衝頻率100-100KHz，所述控制器接收射頻功率訊號，以獲得每個脈衝步驟中阻抗穩定匹配階段的微弧訊號。
較佳地，還包括：與所述控制器連接的警告裝置，根據所述控制器檢測到的放電現象出現的頻率和比值大小選擇發出警告訊號。
本發明至少具有以下優點之一：
本發明通過一個射頻功率源向等離子體處理腔內輸送射頻功率，點燃等離子體處理腔內的反應氣體形成等離子體；發送射頻功率源的輸出功率和反射功率到一個控制器，所述控制器根據所述輸出功率的和反射功率的比值確定是否進入射頻功率穩定輸出區間；在所述射頻功率穩定輸出區間內，通過所述控制器計算獲取反射功率的平均值、反射功率的最大值；並將所述反射功率的平均值和所述反射功率的最大值進行比較獲得一個比值，所述比值小於一個預設閾值時判定發生放電（例如弧光放電）。由此可知，所述射頻功率源其內部具有高速資料收集器，其能夠即時的，且以高取樣速率（~10μs間隔）發送或統計所述反射功率的資訊並將其統計的所述反射功率資訊傳輸至所述控制器，由此所述控制器根據所述反射功率資訊確定所述等離子處理腔室內是否發生弧光放電，且由於通過所述射頻功率源的取樣速率可以實現檢測微秒級內發生的反射功率，由此還可以實現微弧的檢測的目的。進一步的，可以實現快速檢測到有真空反應腔（等離子體處理腔）內電弧中的微弧，以便及時得知對應的晶圓的缺陷狀態的目的。
以下結合附圖和具體實施方式對本發明提出的一種等離子體處理腔室的電弧的檢測方法及檢測裝置作進一步詳細說明。根據下面說明，本發明的優點和特徵將更清楚。需要說明的是，附圖採用非常簡化的形式且均使用非精確的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施方式的目的。為了使本發明的目的、特徵和優點能夠更加明顯易懂，請參閱附圖。須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技術的人士瞭解與閱讀，並非用以限定本發明實施的限定條件，故不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關係的改變或大小的調整，在不影響本發明所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發明所揭示的技術內容能涵蓋的範圍內。
需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關係術語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關係或者順序。而且，術語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，並不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設備中還存在另外的相同要素。
如圖2所示，本實施例提供的一種等離子體處理腔內的電弧的檢測方法，包括：步驟S1、通過至少一個射頻功率源向等離子體處理腔內輸送射頻功率，點燃等離子體處理腔內的反應氣體形成等離子體；步驟S2、發送至少一個射頻功率源的輸出功率訊號和反射功率訊號到一個控制器，所述控制器根據所述輸出功率訊號的和反射功率訊號的比值確定是否進入射頻功率穩定輸出區間；當等離子處理腔向射頻功率源反射的功率小於射頻電源輸出功率的約5%以下時，說明匹配器已經基本完成匹配，等離子阻抗基本達到穩定，此時再檢測到反射功率突變就代表放電現象發生。步驟S3、在所述射頻功率穩定輸出區間內，通過所述控制器計算獲取反射功率訊號的平均值、反射功率訊號的最大值；並將所述反射功率訊號的平均值和所述反射功率訊號的最大值進行比較獲得一個比值，所述比值小於一個預設閾值時判定發生放電（例如弧光放電）。
在本實施例中，所述反射功率訊號的平均值和反射功率訊號的最大值的比值小於1/2。或者，所述反射功率訊號的平均值和反射功率訊號的最大值的比值小於1/4。或者，所述反射功率訊號的平均值和反射功率訊號的最大值的比值小於1/10。
具體的，當所述反射功率訊號的平均值小於所述反射功率訊號的最大值時，則所述等離子體腔室內存在電弧包括微弧（微電弧）。
當所述反射功率訊號的平均值等於或約等於所述反射功率訊號的最大值時，則所述等離子體腔室內不存在電弧包括微弧（微電弧）。
如圖4所示，所述入射頻功率穩定輸出區間為開始蝕刻之後的一個預設延遲時間（如圖4中的1s）段之後到蝕刻結束的時間段。請繼續參考圖4，在本實施例中，在進行電弧檢測之前，還可以通過在所述輸出功率大於500W時，可以排除夾緊基片（chuck）或鬆開基片（dechuck）的過程，進一步確定是否進入所述射頻功率穩定輸出區間。即忽略開始檢測之前的其所檢測的反射功率資訊的操作，以防止捕獲了由實際上不代表電弧的射頻功率變化引起的錯誤訊號。
如圖3所示，所述反射功率訊號的平均值的計算包括：獲取預設的取樣時間段t（例如圖3中的0.5s間隔）內的反射功率訊號，由此計算該預設時間段內的反射功率訊號的平均值（圖3中曲線A表示的值），其反射功率訊號的最大值為取樣時間段t內的反射功率最大值，如圖3中的曲線P，顯示了反射功率峰值變化曲線。該預設的取樣時間段可以根據控制器與所述射頻功率源之間的通信時間（例如200ms）來確定，計算所述反射功率訊號的平均值的例如取樣時間段長度t， 200ms＜t≤400ms。較佳地，可以為250ms，由此可以防止丟失資料點。完成一次製程步驟切換後等1000ms後再次進入檢測狀態。
在本實施例中，等離子體處理裝置一般設有至少兩個射頻功率源，其中，兩個或多個射頻功率源輸出高頻和低頻射頻功率輸出到等離子體處理腔，至少一個射頻功率源發送射頻功率訊號到所述控制器。
在脈衝式處理製程中，所述射頻功率源輸出脈衝式功率，脈衝頻率100-100KHz，所述控制器接收射頻功率訊號，以獲得每個脈衝步驟中阻抗穩定匹配階段的微弧訊號。
當所述比值大於警告的預設檢測閾值時，則忽略發佈的警告資訊；當所述比值小於或等於警告的預設檢測閾值時，則發佈警告資訊。
當所述比值大於警報的預設檢測閾值時，則忽略發佈的警報資訊。
當所述差值小於或等於警報的預設檢測閾值時，則發佈警報資訊，且立即中止晶圓製備製程。
在本實施例中，為了便於理解上述閾值之間的關係，在此舉例進行說明，所述預設閾值小於所述警報的預設檢測閾值且小於警告的預設檢測閾值。
例如：所述預設閾值可以為0.1，所述警報的預設檢測閾值可以為0.5；所述警告的預設檢測閾值可以為0.8。
上述檢測器警報資訊與警告資訊可以為一種，也可以為兩種且能夠同時發佈。
另一方面，基於同一發明構思，本發明還提供一種等離子體腔室內的電弧的檢測裝置，包括：等離子體處理腔，設置在所述等離子體處理腔外部的射頻功率源和控制器；所述等離子處理腔內通入有反應氣體；所述射頻功率源用於向所述等離子體處理腔內輸送射頻功率，點燃等離子體處理腔內的反應氣體形成等離子體；所述射頻功率源同時檢測從等離子體處理腔反射回射頻功率源的反射功率訊號；所述射頻功率源發送其自身的輸出功率訊號和反射功率訊號到所述控制器；所述控制器根據所述輸出功率訊號的和反射功率訊號的比值確定是否進入射頻功率穩定輸出區間；在所述射頻功率穩定輸出區間內，所述控制器計算獲取反射功率訊號的平均值、反射功率訊號的最大值；並將所述反射功率訊號的平均值和所述反射功率訊號的最大值進行比較獲得一個比值，所述比值小於一個預設閾值時判定發生放電（例如弧光放電）。
在本實施例中，所述反射功率訊號的平均值和反射功率訊號的最大值的比值小於1/2。或者，所述反射功率訊號的平均值和反射功率訊號的最大值的比值小於1/4。或者，所述反射功率訊號的平均值和反射功率訊號的最大值的比值小於1/10。
在本實施例中，在進行電弧檢測之前，所述控制器還可以通過在所述輸出功率大於500W時，以排除夾緊基片（chuck）或鬆開基片（dechuck）的過程，進一步確定是否進入所述射頻功率穩定輸出區間，防止捕獲了由實際上不代表電弧的射頻功率變化引起的錯誤訊號。即，所述射頻功率穩定輸出區間內所述射頻功率源的輸出功率大於500W。
在本實施例中，等離子體處理裝置一般設有至少兩個射頻功率源，其中，兩個或多個射頻功率源輸出高頻和低頻射頻功率輸出到等離子體處理腔，至少一個射頻功率源發送射頻功率訊號到所述控制器。
在脈衝式處理製程中，所述射頻功率源輸出脈衝式功率，脈衝頻率100-100KHz，所述控制器接收射頻功率訊號，以獲得每個脈衝步驟中阻抗穩定匹配階段的微弧訊號。
上述裝置還包括：與所述控制器連接的警告裝置，根據所述控制器檢測到的放電現象出現的頻率和比值大小選擇發出警告訊號。當所述控制器判斷所述比值大於警告的預設檢測閾值時，則忽略所述警告裝置發佈的警告資訊；當所述控制器判斷所述比值小於或等於警告的預設檢測閾值時，所述警告裝置發佈警告資訊。
上述裝置還包括：與所述控制器連接的警報裝置，根據所述控制器檢測到的放電現象出現的頻率和比值大小選擇發出警報訊號。當所述控制器判斷所述比值大於警報的預設檢測閾值時，則忽略所述警報裝置發佈的警報資訊；當所述控制器判斷所述差值小於或等於警報的預設檢測閾值時，所述警報裝置發佈警報資訊，且通過所述控制器控制立即中止晶圓製備製程。
綜上所述，本實施例通過一個射頻功率源向等離子體處理腔內輸送射頻功率，點燃等離子體處理腔內的反應氣體形成等離子體；發送射頻功率源的輸出功率和反射功率到一個控制器，所述控制器根據所述輸出功率的和反射功率的比值確定是否進入射頻功率穩定輸出區間；在所述射頻功率穩定輸出區間內，通過所述控制器計算獲取反射功率的平均值、反射功率的最大值；並將所述反射功率的平均值和所述反射功率的最大值進行比較獲得一個比值，所述比值小於一個預設閾值時判定發生放電。由此可知，所述射頻功率源其內部具有高速資料收集器，其能夠即時的，且以高取樣速率（~10μs間隔）發送或統計所述反射功率的資訊並將其統計的所述反射功率資訊傳輸至所述控制器，由此所述控制器根據所述反射功率資訊確定所述等離子處理腔室內是否發生弧光放電，且由於通過所述射頻功率源的取樣速率可以實現檢測微秒級內發生的反射功率，由此還可以實現微弧的檢測的目的。進一步的，可以實現快速檢測到有真空反應腔內電弧中的微弧，以便及時得知對應的晶圓的缺陷狀態的目的。
儘管本發明的內容已經通過上述較佳實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在本發明所屬技術領域中具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
10:晶圓
20:靜電夾盤
30:直流高壓電源
40:檢測器
50:PLC電路
60:主控制器
S1～S3:步驟
圖1為現有技術中的對等離子體處理腔室的電弧的檢測裝置的主要結構示意圖；
圖2為本發明一實施例提供的一種等離子體處理腔室的電弧的檢測方法的流程示意圖；
圖3為本發明一實施例提供的一種等離子體處理腔室的電弧的檢測方法的反射功率平均值的計算示意圖；
圖4為本發明一實施例提供的一種等離子體處理腔室的電弧的檢測方法的電弧檢測的穩定區間的示意圖。
S1~S3:步驟
Claims (19)
- 一種等離子體處理腔內的電弧的檢測方法，其中，包括下列步驟： 通過至少一個射頻功率源向一等離子體處理腔內輸送射頻功率，點燃該等離子體處理腔內的反應氣體形成等離子體； 發送該至少一個射頻功率源的一輸出功率訊號和一反射功率訊號到一個控制器，該控制器根據該輸出功率訊號和該反射功率訊號的比值確定是否進入一射頻功率穩定輸出區間；以及 在該射頻功率穩定輸出區間內，通過該控制器計算獲取一反射功率訊號的平均值、一反射功率訊號的最大值；並將該反射功率訊號的平均值和該反射功率訊號的最大值進行比較獲得一個比值，該比值小於一個預設閾值時判定發生放電。
- 如請求項1所述的等離子體腔室內的電弧的檢測方法，其中， 兩個或多個該射頻功率源輸出高頻和低頻射頻功率輸出到該等離子體處理腔，至少一個該射頻功率源發送一射頻功率訊號到該控制器。
- 如請求項1所述的等離子體腔室內的電弧的檢測方法，其中，還包括：該射頻功率穩定輸出區間內該射頻功率源的輸出功率大於500W。
- 如請求項1所述的等離子體腔室內的電弧的檢測方法，其中， 該反射功率訊號的平均值和該反射功率訊號的最大值的比值小於1/2。
- 如請求項1所述的等離子體腔室內的電弧的檢測方法，其中， 該反射功率訊號的平均值和該反射功率訊號的最大值的比值小於1/4。
- 如請求項1所述的等離子體腔室內的電弧的檢測方法，其中， 該反射功率訊號的平均值和該反射功率訊號的最大值的比值小於1/10。
- 如請求項1所述的等離子體腔室內的電弧的檢測方法，其中，還包括： 計算該反射功率訊號的平均值的取樣時間段長度t，200ms＜t≤400ms。
- 如請求項1所述的等離子體腔室內的電弧的檢測方法，其中，還包括： 在脈衝式處理製程中，該射頻功率源輸出脈衝式功率，脈衝頻率100-100KHz，該控制器接收一射頻功率訊號，以獲得每個脈衝步驟中阻抗穩定匹配階段的一微弧訊號。
- 如請求項1所述的等離子體腔室內的電弧的檢測方法，其中，還包括： 當該比值小於或等於警告的一預設檢測閾值時，發佈一警告資訊。
- 如請求項1所述的等離子體腔室內的電弧的檢測方法，其中， 當該比值小於或等於警報的一預設檢測閾值時，則發佈一檢測器警報資訊，且立即中止晶圓製備製程。
- 一種等離子體腔室內的電弧的檢測裝置，其中，包括： 一等離子體處理腔、設置在該等離子體處理腔的外部的一射頻功率源和一控制器； 該射頻功率源用於向該等離子體處理腔內輸送射頻功率，點燃通入該等離子體處理腔內的反應氣體形成等離子體；該射頻功率源同時檢測從該等離子體處理腔反射回該射頻功率源的一反射功率訊號； 該射頻功率源發送其自身的一輸出功率訊號和該反射功率訊號到該控制器； 該控制器根據該輸出功率訊號的和該反射功率訊號的比值確定是否進入一射頻功率穩定輸出區間； 在該射頻功率穩定輸出區間內，該控制器計算獲取該反射功率訊號的平均值、該反射功率訊號的最大值；並將該反射功率訊號的平均值和該反射功率訊號的最大值進行比較獲得一個比值，該比值小於一個預設閾值時判定發生放電。
- 如請求項11所述的等離子體腔室內的電弧的檢測裝置，其中，該射頻功率源的數量至少為兩個，兩個或多個該射頻功率源輸出高頻和低頻射頻功率輸出到該等離子體處理腔，至少一個該射頻功率源發送一射頻功率訊號到該控制器。
- 如請求項11所述的等離子體腔室內的電弧的檢測裝置，其中， 該射頻功率穩定輸出區間內該射頻功率源的輸出功率大於500W。
- 如請求項11所述的等離子體腔室內的電弧的檢測裝置，其中， 該反射功率訊號的平均值和該反射功率訊號的最大值的比值小於1/2。
- 如請求項11所述的等離子體腔室內的電弧的檢測裝置，其中， 該反射功率訊號的平均值和該反射功率訊號的最大值的比值小於1/4。
- 如請求項11所述的等離子體腔室內的電弧的檢測裝置，其中， 該反射功率訊號的平均值和該反射功率訊號的最大值的比值小於1/10。
- 如請求項11所述的等離子體腔室內的電弧的檢測裝置，其中，還包括： 計算該反射功率訊號的平均值的取樣時間段長度t，200ms＜t≤400ms。
- 如請求項11所述的等離子體腔室內的電弧的檢測裝置，其中，還包括： 在脈衝式處理製程中，該射頻功率源輸出脈衝式功率，脈衝頻率100-100KHz，該控制器接收一射頻功率訊號，以獲得每個脈衝步驟中阻抗穩定匹配階段的一微弧訊號。
- 如請求項11所述的等離子體腔室內的電弧的檢測裝置，其中，還包括：與該控制器連接的一警告裝置，根據該控制器檢測到的放電現象出現的頻率和比值大小選擇發出一警告訊號。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011215442.XA CN114446752B (zh) | 2020-11-04 | 2020-11-04 | 一种等离子体处理腔内的电弧的检测方法及检测装置 |
| CN202011215442.X | 2020-11-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202236350A true TW202236350A (zh) | 2022-09-16 |
| TWI821768B TWI821768B (zh) | 2023-11-11 |
Family
ID=81361144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110140215A TWI821768B (zh) | 2020-11-04 | 2021-10-29 | 等離子體處理腔內的電弧的檢測方法及檢測裝置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114446752B (zh) |
| TW (1) | TWI821768B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115020178A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-09-06 | 深圳市恒运昌真空技术有限公司 | 等离子体腔电弧抑制方法、装置和射频电源系统 |
| CN116170932B (zh) * | 2023-02-17 | 2024-02-13 | 上海励兆科技有限公司 | 一种支持脉冲监测功能的射频等离子体源 |
| CN117219481B (zh) * | 2023-09-13 | 2024-07-16 | 拓荆科技股份有限公司 | 反应腔内等离子体特性的检测系统、检测方法及存储介质 |
| CN117828275B (zh) * | 2024-01-10 | 2024-07-02 | 江苏神州半导体科技有限公司 | 一种等离子体腔室arcing的预测方法及装置 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7292045B2 (en) * | 2004-09-04 | 2007-11-06 | Applied Materials, Inc. | Detection and suppression of electrical arcing |
| US7305311B2 (en) * | 2005-04-22 | 2007-12-04 | Advanced Energy Industries, Inc. | Arc detection and handling in radio frequency power applications |
| US7728602B2 (en) * | 2007-02-16 | 2010-06-01 | Mks Instruments, Inc. | Harmonic derived arc detector |
| US8289029B2 (en) * | 2008-02-14 | 2012-10-16 | Mks Instruments, Inc. | Application of wideband sampling for arc detection with a probabilistic model for quantitatively measuring arc events |
| IE20090628A1 (en) * | 2009-08-17 | 2011-03-30 | Lexas Res Ltd | Method and apparatus for the detection of arc events during the plasma processing of a wafer, surface or substrate. |
| US20120000765A1 (en) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Primestar Solar, Inc. | Methods of arc detection and suppression during rf sputtering of a thin film on a substrate |
| US8872525B2 (en) * | 2011-11-21 | 2014-10-28 | Lam Research Corporation | System, method and apparatus for detecting DC bias in a plasma processing chamber |
| KR101303040B1 (ko) * | 2012-02-28 | 2013-09-03 | 주식회사 뉴파워 프라즈마 | 플라즈마 챔버의 아크 검출 방법 및 장치 |
| JP5534365B2 (ja) * | 2012-06-18 | 2014-06-25 | 株式会社京三製作所 | 高周波電力供給装置、及び反射波電力制御方法 |
| JP6456298B2 (ja) * | 2012-12-18 | 2019-01-23 | トゥルンプフ ヒュッティンガー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ウント コンパニー コマンディートゲゼルシャフトＴＲＵＭＰＦ Ｈｕｅｔｔｉｎｇｅｒ ＧｍｂＨ ＋ Ｃｏ． ＫＧ | アーク消弧方法及び電力変換器を備えた電力供給システム |
| CN103774105B (zh) * | 2014-01-10 | 2016-04-06 | 西安理工大学 | 一种用于磁控溅射工艺的电弧检测及抑制方法 |
| EP3035365A1 (en) * | 2014-12-19 | 2016-06-22 | TRUMPF Huettinger Sp. Z o. o. | Method of detecting an arc occurring during the power supply of a plasma process, control unit for a plasma power supply, and plasma power supply |
| US10170287B1 (en) * | 2017-10-16 | 2019-01-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Techniques for detecting micro-arcing occurring inside a semiconductor processing chamber |
-
2020
- 2020-11-04 CN CN202011215442.XA patent/CN114446752B/zh active Active
-
2021
- 2021-10-29 TW TW110140215A patent/TWI821768B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN114446752A (zh) | 2022-05-06 |
| TWI821768B (zh) | 2023-11-11 |
| CN114446752B (zh) | 2024-04-05 |
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