TW200903578A - Stage apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method - Google Patents

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200903578 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係相關於平台設備，曝光設備，及用以製造裝 置之裝置製造方法。 【先前技術】 曝光設備使用平台設備以準確地校直基板（或原板）。 日本專利先行公開號碼2004-79639揭示利用永久磁鐵的 推斥力來獲得加速力以獲得用以移動平台的加速度之技 術。 將參考圖1 2 A及1 2 B說明日本專利先行公開號碼 2004-79639所揭示的平台設備。平台12〇4安裝欲校直的 基板（或原板）1 202。各個包括永久磁鐵和當作線性電動機 定子1 206的線性電動機1207在Y方向驅動平台1204。 將永久磁鐵1 2 3 3裝附至平台1 2 04的前和後側，與線性電 動機1 2 0 7分開。藉由在永久磁鐵1 2 3 3和裝附至平台基座 1201的永久磁鐵單元1 23 5之間產生推斥力，平台1204 可獲得大的加速度。當對平台1 2 0 4起作用的力變得大到 某程度時，用以安全停止平台1 204的減速單元變得需 要。 日本專利先行公開號碼6 1 -1 3 1 8 4 1揭示利用渦流的平 台減速單元。尤其是，將導電板設置在平台上以夾置在設 置於平台基座上的一對磁極之間。導電板所產生的渦流產 生對抗導電板移動的電阻力，如此這電阻力被用於振動抑 -4 - 200903578 制。 然而，當將導電板設置在平台基板上當作如日本專利 先行公開號碼61-131841所說明之平台的減速單元時’導 電板由於渦流的存在而發熱。因此’平台的熱變形發生’ 不利地影響平台的校直準確性。更糟的是，如日本專利先 行公開號碼6 1 -1 3 1 8 4 1 —般將額外設置導電板在平台上之 配置趕不上近年來提高平台準確性朝簡化/重量縮減的技 術潮流。 【發明內容】 鑑於上述問題而有了本發明，及具有抑制當驅動平台 上的平台時所產生的熱之影響當作其例示目的。 根據本發明的第一觀點，設置有平台設備，其包括一 平台；一推斥力產生單元，其被組配成利用磁性推斥力來 施加力至平台，推斥力產生單元包括第一磁鐵，其設置在 平台上，和第二磁鐵，其設置成在平台的移動衝程之一端 面對第一磁鐵；一驅動單元，其組配成在平台的移動衝程 內驅動平台；及一制動器單元，其包括被配置成抑制第一 磁鐵的移動之渦流產生構件。 根據本發明的第二觀點，設置有平台設備，其包含一 平台；一磁鐵推斥力產生單元，其包括磁鐵組合和插入磁 鐵，磁鐵組合結合複數磁鐵，複數磁鐵被配置成以間隔沿 著定置方向使複數磁鐵的不同極彼此垂直面對，及將插入 磁鐵插入在間隔中，使得在平台的移動衝程之一端，插入 -5- 200903578 磁鐵的極面對磁鐵組合中之複數磁鐵的同極；一,驅動單 元，其組配成在平台的移動衝程內驅動平台；及一制動器 單元，其包括被配置成抑制第一磁鐵的移動之渦流產生構 件。 根據本發明的第三觀點，設置有曝光設備，其包含一 光學系統，被組配成投射曝光光線，曝光光線將形成圖型 的原板照射至基板上；及上述的平台設備，其被組配成支 托和校直基板和原板的其中之一。 根據本發明的第四觀點，提供有裝置製造方法，其包 含以下步驟：備製一基板，在其上使用上述曝光設備來形 成潛像圖型；及顯影潛像圖型。 從下面例示實施例的說明（參考附圖）將可更加明白本 發明的其他特徵。 【實施方式】 (第一實施例） 圖1A爲根據本發明的較佳第一實施例之平台裝置的 平面圖。圖1B爲推斥磁鐵單元（推斥力產生單元）的立體 圖。 在此平台設備中，基座引導2固定在主體基座1上， 及安裝處理物體3的平台4被支撐成可在一軸方向相對於 基座引導2移動。插入在基座引導2的上表面和平台4的 下表面之間的軸承14調整平台4的取向。因爲半導體曝 光設備需要具有高校直準確性，所以使用空氣軸承當作軸 -6- 200903578 承14較佳。線性電動機可移動元件5被固定在平台4的 兩側上。線性電動機定子6以非接觸方式面向線性電動機 可移動元件5，及經由其兩端的腳7固定在主體基座1 上。藉由以來自干涉儀的雷射光束照射反射鏡1 6來量測 平台4的位置。 此平台設備包含圖1B所示的推斥磁鐵單元。將各個 包括可移動磁鐵支托物8和可移動磁鐵9之磁鐵推斥可移 動元件1 5固定在平台4的前和後側。可移動磁鐵9是在 垂直方向被磁化的板狀單極永久磁鐵。在此實施例中，將 可移動磁鐵9的上側磁化成N極。磁鐵推斥可移動元件 1 5與配置在基座引導2上的磁鐵推斥定子1 0互動以施加 推斥力到平台4，藉以使其加速/減速。 上述推斥磁鐵單元的結構之特徵係其產生推斥力的方 向與永久磁鐵的磁化方向垂直。假設例如使在Y方向磁 化的磁鐵之同極彼此面對。甚至在此例中，能夠獲得 Y 方向的推斥力。然而，推斥力可具有影響的距離如此短以 致於平台4無法到達足夠高的速度。 如圖1 B所示，使同極的磁鐵彼此面對以利用垂直於 他們彼此面對的方向之方向所產生的力。如此能夠獲得對 應於彼此面對的同極之磁鐵的尺寸之力產生衝程。此外， 此推斥磁鐵單元具有上和下磁鐵1 2a及1 2b從兩側夾置可 移動磁鐵9的各自極面之結構。如此能夠抵消他們彼此面 對的方向之推斥力。 將用以施加加速/減速力到平台4的磁鐵推斥定子1 0 -7- 200903578 對應於磁鐵推斥可移動元件15固定在基座引導2上。將 磁鐵推斥定子10安裝在平台4的衝程之兩端。 磁鐵推斥定子10包括上軛鐵lla、上磁鐵12a、兩側 輒鐵1 3 a及1 3 b、下磁鐵1 2 b、及下輔鐵1 1 b當作磁鐵組 合。上和下磁鐵12a及12b是在垂直方向磁化的板形單極 永久磁鐵，像磁鐵推斥可移動元件1 5 —般。上和下磁鐵 12a及12b的極面像磁鐵推斥可移動元件15的同極。也 就是說’上磁鐵12a的下表面對應於N極，而下磁鐵12b 的上表面對應於S極。將上軛鐵1 1 a、側軛鐵1 3 a及 13b、及下軛鐵lib設製成上和下磁鐵12a及12b的磁通 從旁邊流經它們。 上和下磁鐵1 2 a及1 2b之間的間距只需要寬於可移動 磁鐵9的厚度，兩側軛鐵1 3 a及1 3 b之間的內間距只需要 寬於可移動磁鐵9的寬度。可移動磁鐵9被組配成以非接 觸方式插入在開口，即形成在一對上和下磁鐵12a及12b 與兩側軛鐵13a及13b間。 圖1B爲只有推斥磁鐵單元當作推斥系統的立體圖。 當磁鐵推斥可移動元件1 5存在於點線位置時，其接收箭 頭所指出的方向之推斥力。當在接收箭頭所指出的方向之 推斥力中從點線位置推出磁鐵推斥可移動元件1 5時，推 斥力的強度減低。當磁鐵推斥可移動元件1 5與磁鐵推斥 定子10分開成特定程度時，推斥力的強度變成零。因爲 平台4已加速到最大速度且由軸承14引導，所以其在此 時保持其速度的同時移動到相對側。 -8- 200903578 線性電動機可移動元件5產生力，使得平台4保持恆 定速度以對抗由於空氣阻力和軸承所產生的減速作用。平 台4的動能被保留直到平台4的相對側上之磁鐵推斥可移 動元件1 5與另一端的磁鐵推斥定子1 〇互動。因此，在以 與圖1B所示的點線位置之插入量之相同插入量在另一端 將其插入到磁鐵推斥定子1 0的同時，平台4的相對側上 之磁鐵推斥可移動元件15的速度亦變成零。 在根據此實施例的平台裝置中，將非磁性導體驅動單 元17a及17b插入在可移動磁鐵9和磁鐵推斥定子10之 間當作渦流制動器單元。圖2A至2C各個爲當作渦流制 動器單元的非磁性導體驅動單元1 7a及1 7b操作由磁鐵推 斥力所加速的平台4之狀態的側視圖。使當作渦流產生構 件之非磁性導體18a及18b接近可移動磁鐵9以面對可移 動磁鐵9，藉以產生渦流。 圖2A爲根據本發明的較佳第一實施例之正常模式中 具有非磁性導體驅動單元17a及17b的平台裝置之側視 圖。非磁性導體驅動單元17a及l7b在遠離可移動磁鐵9 的位置支托非磁性導體18a及18b(制動器開著（斷開））。 在此狀態中，甚至當可移動磁鐵9通過非磁性導體1 8 a及 1 8b之間也不會產生渦流。因爲沒有制動力作用在平台4 上，所以設置在兩端的推斥磁鐵單元繼續加速/減速驅 動。 圖2 B爲例如在緊急停止時所執行的制動模式中具有 非磁性導體驅動單元1 7 a及1 7b的平台裝置之側視圖。在 -9- 200903578 制動模式中’非磁性導體驅動單元1 7 a及1 7 b在接近可移 動磁鐵9的位置支托非磁性導體1 8a及1 8b(制動器關閉 (接通））。在此狀態中’隨著可移動磁鐵9通過非磁性導 體1 8 a及1 8 b之間而產生渦流，使得制動力在平台4上起 作用。 非磁性導體驅動單元1 7 a及1 7 b從磁鐵推斥可移動元 件1 5的上和下側夾置當作渦流產生構件的非磁性導體 1 8 a及1 8 b。如圖2 C所示，當非磁性導體驅動單元1 7 (非 磁性導體1 8)被配置在磁鐵推斥定子1 〇之上和下側的其 中之一上時，沒有非磁性導體驅動單元1 7所產生的制動 力在平台4的重心起作用。因此，使箭頭所指出的迴轉力 作用在平台4上，使得使過載施加到軸承14上。在最糟 的例子中，平台4與基座引導2接觸，導致破壞軸承 1 4。如圖2 B所示，藉由從可移動磁鐵9的上和下側夾置 非磁性導體1 8 a及1 8 b，使制動力作用在平台4的重心 上。如此能夠防止對軸承1 4產生破壞，因此安全地停止 平台4。 在此實施例中，雖然已採用將永久磁鐵9插入在一對 永久磁鐵12a及12b之間的配置當作例子來說明推斥磁鐵 單元，但是本發明並不侷限於此配置。推斥磁鐵單元設置 在平台的兩端較佳。然而’推斥磁鐵單元也可只設置在平 台的一端。也就是說，推斥磁鐵單元只需要包括設置在平 台上的第一磁鐵，和設置成在平台之移動衝程的一端面對 第一磁鐵之第二磁鐵，藉以藉由利用作用在第一磁鐵和第 -10- 200903578 二磁鐵之間的推斥力來施加力到平台。 (第二實施例） 圖3A爲根據本發明的較佳第二實施例之正常模式中 具有非磁性導體驅動單元1 7 a及1 7 b的平台裝置之側視 圖。在本發明的較佳第二實施例中，可將可移動磁鐵9配 置在磁鐵推斥定子1 〇的外面。非磁性導體驅動單元1 7a 及1 7b在遠離可移動磁鐵9的位置支托非磁性導體1 8 a及 1 8b (制動器開著（斷開））。在此狀態中，甚至當可移動磁鐵 9通過非磁性導體1 8a及1 8b之間也不會產生渦流。因爲 沒有制動力使平台4起作用，所以設置在兩端的推斥磁鐵 單元繼續加速/減速驅動。 圖3 B爲例如在緊急停止時所執行的制動模式中具有 非磁性導體驅動單元1 7a及1 7b的平台裝置之側視圖。在 制動模式中，非磁性導體驅動單元1 7a及1 7b在接近可移 動磁鐵9的位置支托非磁性導體18a及18b(制動器關閉 (接通））。在此狀態中，隨著可移動磁鐵9通過非磁性導 體1 8a及1 8b之間而產生渦流，使得制動力在平台4上起 作用。 藉由配置磁鐵推斥可移動元件15在磁鐵推斥定子10 的外面，亦可將非磁性導體驅動單元17a及17b配置在磁 鐵推斥定子10的外面。當將非磁丨生導體驅動卓兀17a及 17b配置在磁鐵推斥定子10的外面時’與將它們配置在 磁鐵推斥定子1 〇的內部之例子比較’能夠容易地確定它 -11 - 200903578 們的裝設空間，且能夠容易地執行維修保養。也可以將平 台4遠離渦流流經非磁性導體〖8a及丨8b所產生之熱源， 如此可抑制平台4的熱變形和提高停止準確性。 圖4A爲根據本發明的較佳第一和第二實施例之正常 模式中非磁性導體驅動單元1 7 a及1 7 B的細節圖。致動器 2 0 a及2 0 b垂直驅動非磁性導體1 8 a及1 8 b。由非磁性非 導體所製成的引導構件19a及19b引導非磁性導體18a及 18b垂直移動。諸如螺線管或空氣筒等直接作用機構被使 用當作各個致動器20a及20b。 在正常模式中，非磁性導體驅動單元1 7a及1 7b在遠 離可移動磁鐵9的位置支托非磁性導體1 8 a及1 8 b (制動器 開著（斷開））。在此狀態中，可移動磁鐵9和各個非磁性 導體1 8a及1 8b之間的間隙G是寬的。因爲非磁性導體 1 8a及1 8b未產生渦流，所以沒有制動力作用在可移動磁 鐵9上。 圖4B爲例如在緊急停止時所執行的制動模式中非磁 性導體驅動單元1 7a及1 7b之側視圖。在制動模式中，非 磁性導體驅動單元1 7a及1 7b在接近可移動磁鐵9的位置 支托非磁性導體18a及18b(制動器關閉（接通））。在此狀 態中，可移動磁鐵9和各個非磁性導體1 8 a及1 8 b之間的 間隙G是窄的。因爲非磁性導體1 8a及1 8b產生渦流，所 以制動力作用在可移動磁鐵9上。 (第三實施例） -12- 200903578 圖5A爲根據本發明的較佳第三實施例之正常模式中 的非磁性導體驅動單元1 7a及1 7b圖。在本發明的較佳第 三實施例中，將非磁性導體1 8 a及1 8 b可迴轉式支撐成迴 轉電動機21a及21b、皮帶22a及22b等可迴轉式驅動它 們。在正常模式中’藉由迴轉電動機來使非磁性導體1 8 a 及1 8 b保持垂直站立（制動器開著（斷開））。面對可移動磁 鐵9之非磁性導體18a及18b的表面面積等於它們的厚 度。若使用薄板當作非磁性導體1 8 a及1 8 b，則它們面對 可移動磁鐵9之表面面積變得非常小。因爲所產生渦流的 強度亦變得非常小’所以制動力難以在可移動磁鐵9上起 作用。 圖5 B爲例如在緊急停止時所執行的制動模式中之非 磁性導體驅動單元17a及17b圖。藉由迴轉電動機來使非 磁性導體18a及18b保持水平躺著（制動器關閉（斷開））。 面對可移動磁鐵9之非磁性導體1 8a及1 8b的表面面積可 如它們寬的表面一般大。因爲所產生渦流的強度亦變得較 大，所以大制動力在可移動磁鐵9上起作用。 如圖5 C的平面圖所示，從兩側滑動非磁性導體1 8 a 及1 8 b之非磁性導體驅動單元1 7 a及1 7 b可被用於改變非 磁性導體18a及18b的表面面積。致動器20a及2 0b水平 驅動非磁性導體1 8 a及1 8 b。由非磁性非導體所製成的引 導構件19a及19b引導非磁性導體18a及18b水平移動。 諸如螺線管或空氣筒等直接作用機構被使用當作各個致動 器 20a 及 20b 。 -13- 200903578 在正常模式中，非磁性導體驅動單元17a及17b引導 非磁性導體1 8a及1 8b到它們不重疊可移動磁鐵9的位置 (制動器開著（斷開））。在此狀態中，非磁性導體18a及 18b完全未重疊可移動磁鐵9。因爲非磁性導體i8a及 1 8b未產生渦流’所以沒有制動力作用在可移動磁鐵9 上。 圖5 D爲例如在緊急停止時所執行的制動模式中之非 磁性導體驅動單元1 7 a及1 7 b圖。在制動模式中，非磁性 導體驅動單元1 7 a及1 7 b驅動非磁性導體1 8 a及1 8 b到它 們重疊可移動磁鐵9的位置（制動器關閉（接通））。在此狀 態中，非磁性導體1 8a及1 8b在具有劃影線部位所指出的 面積之區域中重疊可移動磁鐵9。因爲非磁性導體18a及 1 8 b產生渦流，所以制動力在可移動磁鐵9上起作用。 如第一實施例一般，非磁性導體驅動單元1 7 a及1 7 b 從磁鐵推斥可移動元件15的上和下側夾置當作渦流產生 構件的非磁性導體1 8 a及1 8 b。如上述，驅動非磁性導體 1 8a及1 8b以改變面對可移動磁鐵9之非磁性導體1 8a及 1 8b的表面面積。如此能夠調整渦流。 (第四實施例） 圖6A爲根據本發明的較佳第四實施例之正常模式中 具有電阻値改變單元23a及23b的平台設備之側視圖。在 本發明的較佳第四實施例中，非磁性導體1 8a及1 8b面對 可移動磁鐵9，使得電阻値改變單元2 3 a及2 3 b能夠調整 -14- 200903578 非磁性導體18a及18b的電阻値。當電阻値改變單元23 a 及23b增加面對可移動磁鐵9之非磁性導體18a及18b的 電阻値時，沒有渦流產生（制動器開著（斷開））。在此狀態 中，非磁性導體1 8a及1 8b未產生渦流。因爲沒有制動力 作用在平台4上，所以設置在兩端的推斥磁鐵單元繼續加 速/減速驅動。 圖6B爲例如在緊急停止時所執行的制動模式中具有 電阻値改變單元23a及23b的平台裝置之側視圖。在制動 模式中，當電阻値改變單元2 3 a及2 3 b減少面對可移動磁 鐵9之非磁性導體1 8a及1 8b的電阻値時，產生渦流（制 動器關閉（接通））。在此狀態中，非磁性導體18a及18b產 生渦流，使得制動力在平台4上起作用。 如第一實施例一般，電阻値改變單元2 3 a及2 3 b從磁 鐵推斥可移動元件1 5的上和下側夾置當作渦流產生構件 的非磁性導體1 8a及1 8b。如上述，驅動非磁性導體1 8a 及1 8b以改變面對可移動磁鐵9之非磁性導體1 8a及1 8b 的表面面積。如此能夠調整渦流。 (第五實施例） 圖7 A爲根據本發明的較佳第五實施例之電阻値改變 單元2 3 a及2 3 b的配置圖。在本發明的較佳第五實施例 中，以矩陣排列各個具有足夠小於可移動磁鐵9的面積之 面積的複數非磁性導電基板2 5 a及2 5 b。個別非磁性導電 基板2 5 a及2 5 b被絕緣，使得毗連者不會彼此電連接。交 -15- 200903578 換元件26a及26b以矩陣方式連接非磁性導電基板25a及 25b。當想要在緊急情況時停止平台4或改變平台的速度 時，在接收來自控制器24的信號時控制交換元件26a及 26b ° 圖7B爲根據本發明的較佳第五實施例之正常模式中 的電阻値改變單元23a及23b之操作圖。在本發明的較佳 第五實施例中，當作半導體交換元件的FET(場效電晶體） 被設置當作交換元件26a及26b。當施加電壓到FET的閘 時，P型半導體（圖7中以”p”表示）中的電洞向下耗盡。結 果，將電子所在的反轉層形成在基板（P)的表面上。電子 在當作η型雜質區（圖7中以”η”表示）的源極和汲極之間 遷移，以在它們之間供應電流。爲了在兩方向供應渦流， 只需要在相對方向將兩FET並置。使用例如半導體處理 能夠在非磁性導電基板2 5 a及2 5 b上精密配置F Ε Τ。 如圖7B所示，在正常模式中，各個FET的源極和汲 極之間的電阻値在關掉從控制器24施加的電壓時增加。 因爲即使當可移動磁鐵9通過非磁性導電基板25a及25b 之間仍沒有渦流流動，所以沒有制動力在可移動磁鐵9上 起作用。 如圖7C所示，在制動模式中，當打開從控制器24所 施加的電壓時，電流流動在各個FET的源極和汲極之 間。因爲渦流隨著可移動磁鐵9通過非磁性導電基板2 5 a 及2 5 b之間而流動，所以制動力在可移動磁鐵9上起作 200903578 (第六實施例） 圖8A爲根據本發明的較佳第六實施例之電阻値改變 單元23a及23b的配置圖。在本發明的較佳第六實施例 中，各個開關27a及27b連接到當作渦流產生構件之複數 線圈28a及28b的其中對應之一的兩端，使得它們面對可 移動磁鐵9。當想要在緊急情況時停止平台4或改變平台 的速度時，控制器24控制開關27a及27b。當線圈28a 及2 8b的數目增加時，能夠增加制動力的強度。控制器 24能夠藉由選擇線圈28a及28b變成短路來調整制動 力。 圖8 B爲根據本發明的較佳第六實施例之正常模式中 的電阻値改變單元23a及23b之操作圖。當根據來自控制 器24的信號關掉開關27a及27b時接通各個線圈28a及 28b的兩端。因爲即使當可移動磁鐵9通過線圈28a及 2 8b之間仍沒有渦流流動，所以沒有制動力在可移動磁鐵 9上起作用。 圖8 C爲根據本發明的較佳第六實施例之制動模式中 的電阻値改變單元2 3 a及2 3 b之操作圖。當根據來自控制 器24的信號打開開關27a及27b時使線圈28a及28b的 兩端短路。因爲渦流隨著可移動磁鐵9通過線圈28a及 2 8b之間而流動，所以制動力在可移動磁鐵9上起作用。 (第七實施例） -17- 200903578 圖9A爲根據本發明的較佳第七實施例之具有冷卻裝 置2 9a及29b的非磁性導體驅動單元之配置圖。因爲當可 移動磁鐵9通過非磁性導體18a及18b下方時產生渦流， 所以制動力在可移動磁鐵9上起作用。當渦流流經導體時 產生焦耳熱。 爲了處理此情況，使冷卻構件3 0a及3 Ob與非磁性導 體18a及18b的下表面緊密接觸，使得冷卻單元32經由 冷卻管3 1 a及3 1 b供應冷卻劑給它們。冷卻單元3 2供應 冷卻氣體或冷卻液體當作冷卻劑以排出非磁性導體1 8a及 1 8 b所產生的焦耳熱到外面。如圖9 B所示，也可以在非 磁性導體1 8a及1 8b中形成流動路徑以整合冷卻構件30a 及 3 0 b。 像圖9A及9B —般，圖9C爲具有冷卻裝置29a及 29b之電阻値改變單元的配置圖。因爲當可移動磁鐵9通 過線圈28a及28b之間時產生渦流，所以制動力在可移動 磁鐵9上起作用。當渦流流經線圏時產生焦耳熱。 爲了處理此情況’使冷卻構件30a及30b與線圈28a 及2 8 b的下表面緊密接觸，使得冷卻單元3 2經由冷卻管 3 1 a及3 1 b供應冷卻劑給它們。冷卻單元3 2供應冷卻氣 體或冷卻液體當作冷卻劑以排出線圈28a及28b所產生的 焦耳熱到外面。如圖9 D所示’也能夠以諸如陶瓷等非磁 性非導體所製成的護套覆蓋整個線圈28a及28b，如此加 強冷卻效率。 如上述，當設置冷卻裝置到非磁性導體驅動單元’能 -18- 200903578 夠排出由渦流所產生的焦耳熱到平台的外面。如此能夠以 高停止準確性來設置免受任何熱影響的平台設備。 (應用例子） 圖1〇爲用於半導體裝置製造處理和應用根據本發明 的平台設備1 1 05之曝光設備的配置之槪要圖。參考圖 10，將照明光學系統11 ο 1發出的光施加到當作原板的光 罩1102上。將光罩11〇2支托在光罩平台1103上。以匹 配縮小投影透鏡1104的倍率投影和縮小光罩1102的圖 型。形成光罩圖型影像之縮小投影透鏡1 1 04的影像面與 Z方向垂直。當作曝光目標樣本之處理物體（基板）3的表 面被塗佈有抗蝕劑且具有在曝光處理中所形成的拍攝區之 陣列。 下面將說明使用根據本發明的較佳實施例之曝光設備 的半導體裝置製造處理。圖11爲整個半導體裝置製造處 理的順序之流程圖。在步驟S 1 (電路設計）中，設計半導體 裝置的電路。在步驟S2(遮罩製造）中，依據所設計的電路 圖型來製造遮罩（又稱作原板或光罩）。在步驟S3(晶圓製 造）中’使用諸如矽等材料製造晶圓（又稱作基板）。在稱 作預處理之步驟S4(晶圓處理）中，上述曝光設備藉由使用 遮罩和晶圓的微影法在晶圓上形成實際電路。在稱作後處 理的步驟S5(裝配）中，使用步驟S4所製造的晶圓來形成 半導體晶片。此步驟包括諸如裝配（晶圓切割和接合）和封 裝（晶圓包裝）等處理。在步驟S6(檢測）中，執行包括步驟 -19- 200903578 s 5所製造的半導體裝置之操作檢查測試和耐久性測試之 檢測。在步驟S7中，以這些處理完成半導體裝置並且裝 運。 上述步驟S 4的晶圓處理包括下面步驟：氧化晶圓表 面的氧化步驟；在晶圓表面上形成絕緣膜之CVD步驟； 以汽相沈積在晶圓上形成電極之電極形成步驟；植入離子 到晶圓之離子植入步驟；施加光敏劑到晶圓之抗蝕處理步 驟；曝光已經過抗蝕處理步驟的晶圓之曝光步驟；透過遮 罩圖型來使用上述曝光設備在抗蝕劑上形成潛像圖型；顯 影曝光步驟所曝光的晶圓之顯影步驟；蝕刻除了顯影步驟 所顯影的潛像圖型之外的部位之蝕刻步驟；及去除鈾刻後 剩下的任何不需要抗蝕劑之抗蝕劑去除步驟。藉由重複這 些步驟，在晶圓上形成電路圖型的多層結構。 儘管已參考例示實施例說明本發明，但是應明白本發 明並不侷限於所揭示的例示實施例。下面申請專利範圍的 範疇與最廣義的解釋一致以涵蓋所有此種修正和同等結構 及功能。 【圖式簡單說明】 圖1A及1B爲根據本發明的較佳第一實施例之平台 裝置的平面圖和立體圖； 圖2A至2C爲根據本發明的較佳第一實施例之平台 裝置的側視圖； 圖3A及3B爲根據本發明的較佳第二實施例之平台 -20- 200903578 裝置的側視圖； 圖4A及4B爲根據本發明的較佳第一和第二實施例 之非磁性導體驅動單元的細節圖； 圖5A至5D爲根據本發明的較佳第三實施例之非磁 性導體驅動單元的細節圖； 圖6A及6B爲根據本發明的較佳第四實施例之平台 裝置的側視圖； 圖7A至7C爲根據本發明的較佳第四實施例之改變 單元的細節圖； 圖8A至8C爲根據本發明的較佳第五實施例之電阻 値改變單元的細節圖； 圖9A至9D爲根據本發明的較佳第六實施例之冷卻 裝置的細節圖； 圖10爲應用根據本發明的較佳實施例之平台裝置的 曝光設備之槪念圖； 圖1 1爲全部半導體裝置製造處理的順序之流程圖； 及 圖12A及12B爲具有習知推斥加速單元的平台裝置 之立體圖。 【主要元件符號說明】 1 :主體基座 2 :基座引導 3 :處理物體 -21 - 200903578 4 :平台 5 :線性電動機可移動元件 6 :線性電動機定子 7 :腳 8 :可移動磁鐵支托物 9 :可移動磁鐵 1 〇 :磁鐵推斥定子 1 1 a :上軛鐵 1 1 b :下軛鐵 1 2 a :上磁鐵 12b :下磁鐵 1 3 a :側軛鐵 1 3 b :側軛鐵 1 4 :軸承 1 5 :磁鐵推斥可移動元件 1 6 :反射鏡 1 7 :非磁性導體驅動單元 17a :非磁性導體驅動單元 17b :非磁性導體驅動單元 1 8 :非磁性導體 1 8 a :非磁性導體 18b :非磁性導體 19a :引導構件 19b :引導構件 -22 200903578 2 0 a ‘·致動器 2 0 b :致動器 2 1 a :迴轉電動機 2 1 b :迴轉電動機 22a :皮帶 2 2 b :皮帶 2 3 a :電阻値改變單元 23b :電阻値改變單元 24 :控制器 2 5 a :非磁性導電基板 2 5 b :非磁性導電基板 2 6 a :交換元件 2 6b :交換元件 27a :開關 2 7 b :開關 2 8 a :線圈 2 8 b :線圈 29a :冷卻裝置 29b :冷卻裝置 3〇a :冷卻構件 30b :冷卻構件 3 1 a :冷卻管 3 1 b :冷卻管 3 2 :冷卻單元 -23- 200903578 11 〇 1 :照明光學系統 1102：光罩 1 103 :光罩平台 1104 :縮小投影透鏡 1 1 0 5 :平台設備 120 1 :平台基座 1202 :基板 1204:平台 1 206 :線性電動機定子 1 2 0 7 :線性電動機 1 2 3 3 :永久磁鐵 1 2 3 5 :永久磁鐵單元 G :間隙 -24-

Claims (1)

1. 200903578 十、申請專利範圍 1. 一種平台設備，包含： 一平台， 一推斥力產生單元，其被組配成利用磁性推斥力來施 加力至該平台，該推斥力產生單元包括第一磁鐵，其設置 在該平台上；和第二磁鐵，其設置成於該平台的移動衝程 之一端面對該第一磁鐵； 一驅動單元’其組配成在該平台的移動衝程內驅動該 平台；及 一制動器單元，其包括被配置成抑制該第一磁鐵的移 動之渦流產生構件。 2·根據申請專利範圍第1項之設備，其中該制動器 單元被組配成可接通和斷開制動器。 3 ·根據申請專利範圍第1項之設備，其中該渦流產 生構件包括複數渦流產生構件，及 該渦流產生構件被配置有間隔，藉以夾置該第一磁 鐵。 4.根據申請專利範圍第1項之設備，其中該制動器 單元包括冷卻單元，該冷卻單元被組配成冷卻該渦流產生 構件。 5 .根據申請專利範圍第1項之設備，其中該制動器 單元包括渦流調整單元，該渦流調整單元被組配成調整該 渦流產生構件所產生之渦流的強度。 6.根據申請專利範圍第5項之設備，其中該渦流調 -25- 200903578 整單元包括間隙調整單元，該間隙調整單元被組配成調整 該第一磁鐵和該渦流產生構件之間的間隙。 7 ·根據申請專利範圍第5項之設備，其中該渦流調 整單元包括面積調整單元，該面積調整單元被組配成調整 面對該第一磁鐵之該渦流產生構件的表面之面積。 8 ·根.據申請專利範圍第5項之設備，其中該渦流調 整單元包括電阻値改變單元，該電阻値改變單元被組配成 改變該渦流產生構件的電阻値。 9 ·根據申請專利範圍第8項之設備，其中該電阻値 改變單元包括複數非磁性導體，其以矩陣排列；和交換元 件，其分別連接至該複數非磁性導體。 1 〇 ·根據申請專利範圍第8項之設備，其中該電阻値 改變單元包括複數線圈；和交換元件，其被配置在各個該 複數線圈的兩端。 11. 一種平台設備，包含： —平台； 一磁鐵推斥力產生單元，其包括磁鐵組合和插入磁 鐵，該磁鐵組合結合複數磁鐵，該複數磁鐵被配置成以間 隔沿著設定方向使複數磁鐵的不同極彼此垂直面對，及將 該插入磁鐵插入在該間隔中，使得在該平台的移動衝程之 一端，該插入磁鐵的極面對該磁鐵組合中之該複數磁鐵的 同極； 一驅動單元，其組配成在該平台的移動衝程內驅動該 平台；及 -26- 200903578 一制動器單元，其包括被配置成抑制該第一磁鐵的移 動之渦流產生構件。 12. —種曝光設備，包含·· 一光學系統’被組配成投射曝光光線，該曝光光線將 形成圖型的原板照射至基板上；及 一平台設備’係根據申請專利範圍第1項所定義，其 被組配成支托和校直該基板和該原板的其中之_。 13. —種裝置製造方法’包含以下步驟： 備製一基板，在其上使用根據申請專利範圍第12項 所定義之曝光設備形成潛像圖型；及 顯影該潛像圖型。 -27-