TW200849266A - Apparatus, method, and system of NAND defect management - Google Patents

Apparatus, method, and system of NAND defect management Download PDF

Info

Publication number
TW200849266A
TW200849266A TW097106681A TW97106681A TW200849266A TW 200849266 A TW200849266 A TW 200849266A TW 097106681 A TW097106681 A TW 097106681A TW 97106681 A TW97106681 A TW 97106681A TW 200849266 A TW200849266 A TW 200849266A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
erase
block
group
erase block
blocks
Prior art date
Application number
TW097106681A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI377575B (en
Inventor
Michael Murray
Original Assignee
Micron Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Micron Technology Inc filed Critical Micron Technology Inc
Publication of TW200849266A publication Critical patent/TW200849266A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI377575B publication Critical patent/TWI377575B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023Free address space management
    • G06F12/0238Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C16/00Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/10Programming or data input circuits
    • G11C16/14Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits
    • G11C16/16Circuits for erasing electrically, e.g. erase voltage switching circuits for erasing blocks, e.g. arrays, words, groups
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/76Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using address translation or modifications
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2212/00Indexing scheme relating to accessing, addressing or allocation within memory systems or architectures
    • G06F2212/72Details relating to flash memory management
    • G06F2212/7201Logical to physical mapping or translation of blocks or pages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • Memory System (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Description

200849266 270 抹除區塊 280 可能的抹除區塊群 281 群位址 282 可能的抹除區塊群 284 可能的抹除區塊群 286 可能的抹除區塊群 288 可能的抹除區塊群 290 可能的抹除區塊群 292 可能的抹除區塊群 296 抹除區塊 297 抹除區塊 298 抹除區塊群 299 抹除區塊群 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: (無) 129260.doc 6- 200849266 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本文中所述的各具體實施例大 體器件,並勺八人, 上係關於非揮發性記憶 ,、匕έ配a非揮發性記丨咅體 【先前技術】 …件的瑕疫管理。 記憶體器件可分為兩種廣義領域:揮發性 揮發性記憶體哭件需要雷 、揮毛杜 n。件而要電力來維持資料;而 體則能夠在沒有電力供應T a -範例為快閃記憶體,其將資二=:性記憶體的 貝汛儲存在+導體器件中,而 不而要電力來維持該晶片中的資訊。 快閃記憶體可能#用Μηρ斗 使用NOR或非及閉器件來建構。非及閘 決閃可能係單位準式罝 ^ 早疋(SLC)或是多位準式單元(MLC) 二:目較於SLC非及閘快閃’ MLC非及閘快閃記憶體允 。用於“密度的記憶體器件,因為其允許在每—個 體單元令儲存兩個或兩個以上資料位元。 心 當在記憶體器件(例如非及閉快閃記憶體器件)上實施各 ::憶體操作時,可能必須在一相同的操作中對該記憶體 ;m—分來實施。舉例來說’當在—非及間 =體上實施抹除操作時,可能必須在作為相同操作的部 :的一整個記憶體區塊(有時候亦稱為抹除區塊)上來實施 2除操作。聚集—或多個抹除區塊在一起來形成能夠當 早一區塊來操作的一抹除區塊群可以加速該等記憶體操 ’並且可以減少管理與追蹤該等操作(包含一記憶體器 ^之抹除區塊聚集)所需要的耗用(overhead)。不過,於涉 129260.doc 200849266 及聚集抹除區塊的特定實例中’倘若該群中該等抹除區塊 中任何-者被判斷為有瑕疵’或者在該記憶體壽命中的晚 期發生故障,m包含該有瑕㈣除區塊的整個抹除區塊聚 集便被標記為有瑕疵的區塊。該些包含聚集抹除區塊的有 瑕获的區塊可能無法在任何記憶體操作中讓使用此記憶體 的裝置來使用。這造成浪費—記憶體陣列内的記憶體,其 包含浪費與有瑕疲的抹除區塊聚集在__起的良好抹除區 塊。 因此,可能要實施將該#良好的抹除區塊重新聚集成僅 包含無瑕疵抹除區塊的可用群組,並且從而重新利用該些 !除區塊之各項方案。不過,當測試與指派該些抹除區塊 時,實施該些技術可能變得非常複雜,且在該等實際記憶 體操作期間管理該些方案相關聯的耗用可能需要大量的資 源與處理時間,其可能導致速度下降並且損失包含併入一 或多項該些方案之記憶體陣列的器件的其它效能特徵。因 此,需要-種改良的裝置、方法及系、统,允許將抹除區塊 聚集在一記憶體陣列中,其施行方式必須簡單並且減少用 以管理在該記憶體陣列上所實施之記憶體操作所需要的資 源量及耗用。 ' 【發明内容】 。。本文所述的各種裝置、方法及系統包含一種在—記憶體 裔=(例如快閃記憶體器件或非及閘快閃記憶體器件)中出 現-或多個有瑕疫的抹除區塊時來實施聚集抹除區塊的簡 易方式。本文所述的各種具體實施例的裝置、方法及系統 129260.doc 200849266 係提供將複數個抹除區塊組合成一或多個抹除區塊群。於 各種具體實施例中,該些聚集僅包含無瑕疲的抹除區塊。 於各種具體實施例中,所有該等聚集均具有相同大小並且 包含相同數量的抹除區塊。此等抹除區塊聚集最小化決定 如何將該等抹除區塊聚集在一起所使用的方案的複雜性, 同時最小化用以在利用本文所述之各具體實施例中一或多 者的記憶體陣列上實施記憶體操作所需要之耗用管理。 【實施方式】 圖1為根據本發明各具體實施例之系統的步驟圖。圖i包 含根據本發明各具體實施例之系統1 〇〇的步驟圖。 於特定的具體實施例中,系統1 00包含一處理器1丨6及一 圮憶體态件1 60。處理器116並不限於任何特殊類型的處理 器。處理器116可形成在一基板108上,不過,具體實施例 並不限於被形成在一基板1 〇8上的處理器丨丨6,及/或不限 於被形成在一包含記憶體器件16〇或包含成像感測器1〇3之 基板108上的處理器116。處理器11 6可包含記憶體π 7,其 並不限於任何特殊類型的記憶體,其可包含揮發性與非揮 發性類型記憶體,且可包含快取記憶體。於各種具體實施 例中’記憶體11 7可用來儲存感測器1 〇丨所提供的電子信 號。於各種具體實施例中,記憶體11 7可儲存一映射表、 一索引表、或是如本文所述之各具體實施例中般地包含儲 存映射表與索引表兩者。於各種具體實施例中,處理器 116可透過一或多條互連(其包含互連134)被耦合至基板1〇8 上的複數個電子電路,該等互連可能包括一匯流排。 129260.doc 200849266 於特定的具體實施例中,記憶體器件i 6〇包含一記憶體 陣列161,其透過互連163被耦合至記憶體支援電路164。 記憶體陣列161不受限於任何特殊類型的記憶體陣列,且 可包含包括非及閘快閃記憶體的非揮發性記憶體。於各種 具體貝施例中’記憶體陣列16丨可被組織成複數個抹除區 塊。於各種具體實施例中,該些抹除區塊進一步被組織成 如本文所述的複數個抹除區塊群。支援電路可包含行位址 與列位址解碼器電路;驅動器電路,其係用於將資料寫入 且提供來自記憶體陣列161之資料輸出;介面電路,其係 用以讓記憶體支援電路164來處理在互連134與163之上收 到且提供的信號。記憶體支援電路1 64可能還包含記憶體 1 65。於各種具體實施例中,記憶體丨65包含一映射表及一 索引表、或是如配合本文所包含之各具體實施例所述般地 包含映射表與索引表兩者。 系統1 00可包含一成像感測器1 〇3。成像感測器1 〇3不受 限於任何特殊類型的成像感測器,並且可包含能夠感測電 磁輻射(其包含,但並不受限於可見光)的任何類型成像感 測器。於各種具體實施例中,成像感測器包含感測器1 〇 i 與感測裔支援電路144。成像感測器1 03可包含在作為一可 被用來捕捉視訊影像的器件(例如數位相機1 〇2、蜂巢式電 話104、或是視訊記錄器ι〇6)之部分的系統ι〇〇之中。於各 種具體實施例中,系統1 〇〇包含一透鏡1 54,其係用以聚焦 系統100内的光152或是其它波長的電磁輻射。系統100可 包含被設置在基板108上的一或多個電子電路。於各種具 129260.doc -10- 200849266 體實施例中,透鏡154形成被設置在基板1〇8上的該等電子 電路的部分。 於各種具體實施例中,感測器1〇1包含被配置在一連串 列/、行之中的複數個互補式金氧半導體(CM〇s)成像感測 器。具體實施例並不受限於特殊數量的^…仍成像感測 裔,或是不受限於此等感測器的特殊列數或行數。於各種 具體貝鼽例中,感測為、1 〇 1可包含一百萬個以上的CMOS成 像感測器。 於各種具體實施例中,系統100包含一顯示器112。顯示 器112並不限於任何特殊類型的顯示器。於各種具體實施 例中,顯示恭112可能包括電漿顯示器或發光二極體(led) 顯示器。於各種具體實施例中,顯示器U2可能包括一觸 碰螢幕或其它類型的器件,用以讓使用者輸入資料至系統 1〇〇。於各種具體實施例中,顯示器112可能透過互連13〇 被搞合至基板1 08之上的至少一電路。於各種具體實施例 中,顯示器112可能透過互連130被耦合至處理器116。 於特定的具體實施例中,系統1 00包含一小鍵盤丨丨4。小 鍵盤114並不限於任何特殊類型的小鍵盤。於各種具體實 施例中,小鍵盤114包含一具有背光的小鍵盤,用以照明 小鍵盤114中内含的一或多個按鍵之上所包含的任何文 字、字體、或是符號。於各種具體實施例中,小鍵盤丨14 可能透過互連132被耦合至基板ι〇8之上的至少一電路。於 各種具體實施例中,小鍵盤114可能透過互連132被_合至 處理器11 6。 129260.doc 200849266 .於各種具體實施例中,系統1⑽包含-ι/ο連接118,其 透過互連136被麵合至處理器U6。I/O連接118與互連136 並不受限於任何特殊類型的器件,並且可能係被用來透過 接118與互連136將處理器116連接至一外部器件(圖中 並未顯示)的任何類型器件。於特定的具體實施例中,1/0 連接U8包括-無線連接,用於將系統}⑼通信輕合至一或 夕個外u (圖巾並未顯示)或是一網路(例如網際網 路)。於各種具體實施例中,1/0連接118透過互連138被耗 合至-琿120。埠120並不受限於任何特殊類型的璋並且 可能係被用來連接-或多個外部器件(圖中並未顯示)或是 一網路(其包含網際網路)的系統1〇〇的任何特殊類型埠。於 各種具體實施例中,1/0連接118被耦合至一天線ιΐ9,用 以接收系統100處的信號,用以發射來自系統1〇〇的信號, 或是同時用以接收來自系統的信號且傳送信號至系統 1 00,其可能係使用一收發器。 在操作中,處理器116可能利用指令來進行操作,用以 實施涉及圮憶體器件1 6〇的一或多個記憶體操作。該些記 憶體操作可包含記憶體陣列161的抹除操作、從記憶體陣 列161的一或多個部分處讀取資料、以及將資料寫至記憶 體陣列161。於各種具體實施例中,該些或任何其它記憶 體操作中一或多者係在如本文包含的各種具體實施例中所 述般地被聚集在一起的複數個抹除區塊群上來實施。於各 種具體實施例中,記憶體支援電路164配合處理器U6來操 作,用以控制在記憶體陣列161上所實施的記憶體操作。 129260.doc -12- 200849266 互連 130、132、134、136、138、143、以及 i63並不受 限於任何特殊類型的互連。互連130、132、134、143、以 及163可能係任何類型的互連,其包含,但並不受限於: 貝體導體其包含位於一基板上的個別電線與電纟覽、導體 跡線;傳輸線路;光學傳輸電纜;以及無線連接。 於操作中,系統100可能透過透鏡154來接收光或其它電 磁輻射,作為一影像或一連串的影像。透鏡154提供入射 影像給感測器101,該感測器1〇1接著提供代表被感測器 10U己錄之影像的電子信號。感測器101内的像素可能被個 別5貝取’且所得信號可能由成像感測器1 03來處理,用以 產生該入射影像的至少一電表示。該或該等已記錄影像的 電表不的控制與處理可能係受控於成像感測器1〇3中所包 含的感測器支援電路144。於各種具體實施例中,該或該 等影像的控制與處理可能受到處理器116所提供之控制信 號的影響。於各種具體實施例中,成像感測器ι〇3所提供 的該或該等影像可能被儲存在記憶體陣列161之中。 於各種具體實施例中,成像感測器1〇3所提供的至少一 影像可能被顯示在顯示器112之上。於各種具體實施例 中,成像感測器103所提供的至少一影像可能透過1/〇連接 118被傳送至另一器件(圖中並未顯示)。傳送成像感測器 103所提供的影像可包含將影像以電子郵件傳送至另一器 件。於各種具體實施例中,成像感測器103所提供的該等 〜像可月d亥影 象中添加額夕卜的資訊,例力被疊加在成像 感測器103所提供的該至少一影像上的文字資訊或其它影 129260.doc -13- 200849266 像或符號或圖形。於各種具體實施例中,被添加在成像感 測器103所提供的該影像上的文字資訊係由使用者透過小 鍵盤114或是透過顯示器丨丨2輸入的。於各種具體實施例 中’被添加在成像感測器i03所提供的該影像上的文字資 汛係透過I/O連接11 8而收到的,例如被當作電子郵件來接 收的文字。 圖2為根據本發明各具體實施例之記憶體器件的功能方 塊圖。於各種具體實施例中,記憶體器件2〇〇包含一記憶 體陣列202。記憶體器件2〇〇並不受限於任何特殊類型的記 憶體裔件。於各種具體實施例中,記憶體器件2〇〇係一非 及閘快閃圯憶體器件。於各種具體實施例中,記憶體器件 200的一或多個部分包含包括非及閘快閃記憶體單元的記 fe體單元,其包含可運作用以在每一個多位準式單元中儲 存兩個或兩個以上資料位元的多位準式單元。於各種具體 實施例中,記憶體陣列202僅代表該記憶體器件2〇〇的一部 分。於各種具體實施例中,記憶體陣列2〇2包括一類似於 或完全相同於圖1的記憶體陣列! 6丨的記憶體陣列,其中, 記憶體陣列202包含在一記憶體器件或特定其它器件之 中。 再度芩考圖2,於各種具體實施例中,記憶體陣列2〇2包 含複數個抹除區塊群,舉例來說,其包含,但並不受限 於:抹除區塊群210、抹除區塊群25〇、以及抹除區塊群 299。記憶體陣列202中的抹除區塊群的數量並不受限於任 何特殊數量的抹除區塊群,並且可包含兩個、三個、四 129260.doc 14 200849266 個、或是更多個抹除區塊群。介於抹除區塊群250與抹除 區塊群299之間的虛線298代表可提供作為部分記憶體陣列 202之部分的一或多個額外抹除區塊群。於各種具體實施 例中,抹除區塊群299以及虛線298所代表的任何抹除區塊 群可包含抹除區塊群210之中與抹除區塊群250之中所示的 複數個抹除區塊。 為簡化與圖2有關的說明,本文僅詳細說明抹除區塊群 210與250。抹除區塊群210與250的具體實施例與特點可相 等地套用至抹除區塊群299且可套用至虛線298所代表的任 何抹除區塊群。 於各種具體實施例中,一或多個抹除區塊群21 0、250、 2 9 9、以及虛線2 9 8所代表的任何抹除區塊群可形成在一或 多個分離的晶粒(舉例來說,圖1中的晶粒166)上。於各種 具體實施例中,包含於記憶體陣列202之每一個該等抹除 區塊群210、250、298、299位在一分離的晶粒上。於各種 具體實施例中,該一或多個分離晶粒可包含在相同基板中 (舉例來說,圖1中的基板168)。於各種具體實施例中,記 憶體陣列202中的每一個該等抹除區塊群係形成在一分離 的基板之上並且實體上彼此堆疊,用以形成一記憶體器 件。於各種具體實施例中,該複數個抹除區塊群之每—者 各係位於一不同的晶粒之上,且每一個該等不同的晶粒實 體上被堆疊,用以形成一記憶體器件(參見圖丨中的堆疊 167與器件160)。 且 於各種具體實施例中,該記憶體器件可包含一處理器, 129260.doc 15 200849266 例如圖1中的處理器116。於各種具體實施例中,該記憶體 器件200(其包含記憶體陣列2〇2)可包含一連接或一埠(例如 圖1中的埠120),用以讓該記憶體器件200被當作一可攜式 圮憶體器件而使用,例如一記憶棒或一記憶卡。於各種具 體實施例中,埠120包括一通用序列匯流排(USB)埠。 再度參考圖2,抹除區塊群210包含複數個抹除區塊,其 包含抹除區塊212、214、216、218、220、222、以及 230。抹除區塊群210並不受限於任何特殊數量的抹除區 塊’如介於抹除區塊222與抹除區塊230之間的虛線296所 示。於各種具體實施例中,抹除區塊212、2 14、2 16、 218、220、222、以及230中每一者均包含一抹除區塊號碼 211,用以獨特地識別抹除區塊群21〇内的每一個該等抹除 區塊。舉例來說,如圖2中所示,抹除區塊21 2包含一抹除 區塊號碼π0”,用以獨特地識別抹除區塊群21 0内的抹除區 塊212,以便與抹除區塊群210中包含的其它抹除區塊作區 分。 於各種具體實施例中,抹除區塊214、216、218、220、 以及222分別包含一抹除區塊號碼”1”、”2"、”3”、”4,’、以 及”5”,用以獨特地識別抹除區塊群210内的每一個該些抹 除區塊,以便與抹除區塊群2 1 0内的其它抹除區塊作區 分。抹除區塊230代表抹除區塊群210中所包含的第Ν個抹 除區塊,其中,抹除區塊230包含一對應於抹除區塊群210 中所包含的’’第Ν個”抹除區塊的抹除區塊號碼,且其中, 介於抹除區塊222與230之間的抹除區塊群210中所包含的 129260.doc -16- 200849266 任何抹除區塊均包含一抹除區塊號碼,用以獨特地識別此 些介於抹除區塊222與230之間的抹除區塊。 抹除區塊群250包含複數個抹除區塊,其包含抹除區塊 25 2、254、256、25 8、260、262、以及 270。抹除區塊群 2 5 0並不受限於任何特殊數量的抹除區塊,如介於抹除區 塊262與抹除區塊270之間的虛線297所示。於各種具體實 施例中,抹除區塊252、254、256、258、260、262、以及 270中每一者均包含一抹除區塊號碼25 1,用以獨特地識別 抹除區塊群2 5 0内的每一個該等抹除區塊,以便與抹除區 塊群2 5 0内的其它抹除區塊作區分。舉例來說,如圖2中所 示,抹除區塊252包含一抹除區塊號碼”〇”,用以獨特地識 別抹除區塊252,以便與抹除區塊群250中包含的其它抹除 區塊作區分。 於各種具體實施例中,抹除區塊254、256、258、260、 以及262分別包含一抹除區塊號碼”1”、”2,,、”3"、,,4,,、以 及π 5 ”,用以獨特地識別每一個該些抹除區塊,以便與抹 除區塊群250内的其它抹除區塊作區分。抹除區塊270代表 抹除區塊群250中所包含的”第N個π抹除區塊,其中,抹除 區塊2 7 0包含一對應於抹除區塊群2 5 0中所包含的,,第Ν個,, 抹除區塊的抹除區塊5虎碼’且其中,介於抹除區塊2 6 2與 270之間的抹除區塊群250中所包含的任何抹除區塊均包含 一抹除區塊號碼,用以獨特地識別介於抹除區塊262與270 之間的抹除區塊。 抹除區塊群210與250中所包含的抹除區塊並不受限於任 129260.doc -17- 200849266 何特殊大小的抹除區塊。於各種具體實施例中,抹除區塊 群210與250内的該等抹除區塊分別對應於記憶體陣列202 中的一頁記憶體。於各種具體實施例中,抹除區塊群2 i 〇 與250内的每一個抹除區塊分別對應於記憶體陣列202中的 數頁記憶體。 於各種具體實施例中,用以獨特地識別抹除區塊群21 〇 内該等抹除區塊的每一個抹除區塊號碼211匹配用以獨特 地識別抹除區塊群250内該等抹除區塊的其中一個且只有 一個抹除區塊號碼25 1。於各種具體實施例中,記憶體陣 列202包含複數個抹除區塊群210與250,其中,該複數個 抹除區塊群之每一者各包括複數個抹除區塊212、214、 216、218、220、222、230 以及 252、254、25 6、25 8、 260、262、270,每一抹除區塊各係藉由該複數個抹除區 塊内獨特之一匹配的獨特複數個抹除區塊號碼211與25 1來 進行識別並且橫跨該複數個抹除區塊群2 1 〇與250進行匹 配。 於包含兩個以上抹除區塊群的具體實施例中,該複數個 抹除區塊群可包含該複數個抹除區塊群中每一個抹除區塊 的一匹配的獨特抹除區塊號碼,其獨特地識別該複數個抹 除區塊群之每一者内的該等抹除區塊並且橫跨該複數個抹 除區塊群之每一者來匹配每一個該另外複數個抹除區塊群 中的另一抹除區塊號碼。 於各種具體實施例中,包含在抹除區塊群210之中的該 等抹除區塊可能與一狀態指示符21 3相關聯,而包含在抹 129260.doc -18- 200849266 除區塊群250之中的該等抹除區塊可能與一狀態指示符253 相關聯。如圖2中所示,為達解釋目的,抹除區塊212、 214、216、以及222包含”良好(GOOD)”的狀態指示符 213,而抹除區塊218以及220包含’,不良(BAD)”的狀態指示 符213。同樣如圖2中所示,為達解釋目的,抹除區塊 252、 256、258、以及260包含"良好,,的狀態指示符253, 而抹除區塊254以及262包含”不良,,的狀態指示符253。 狀態指示符213與253並不受限於作為一抹除區塊之狀態 指示符而使用的任何特殊類型詞語或數值。在狀態指示符 21 3或2 5 3中指定π良好’’可能表示一無瑕疯的抹除區塊,而 狀態指示符213或253中的”不良”狀態指示符可能表示一有 瑕疵的抹除區塊。判斷一特殊抹除區塊究竟係”良好,,或 π不良π ’或者究竟係無瑕疫或有瑕疫,可以以該記憶體陣 列202被測試且用在使用該記憶體陣列202的任何應用中的 記憶體操作時被視為適用於該記憶體陣列202的任何基礎 來進行。 應該瞭解的係,抹除區塊230以及介於抹除區塊222與 23 0之間的任何抹除區塊可包含一狀態指示符2U,而抹除 區塊270以及介於抹除區塊262與270之間的任何抹除區塊 可包含一狀態指示符2 5 3。 於各種具體實施例中,與抹除區塊群210及250中的抹除 區塊相關聯的狀態指示符的數值可能被儲存在與該狀態指 示符相關聯的每一個抹除區塊内。於各種具體實施例中, 與該等抹除區塊相關聯的狀態指示符被儲存在並非包含在 129260.doc -19- 200849266 與該等抹除區塊群相關聯的抹除區塊之中的一記憶體位置 中。於各種具體實施例中,與一狀態指示符相關聯的並且 表示一抹除區塊究竟係有瑕疵或無瑕疵的數值可能係一二 進制位元,其包含一用以表示一特殊抹除區塊之狀態的 ”1’’或”〇"的數值。 於各種具體實施例中,複數個抹除區塊可能被聚集在一 起並且與一群位址相關聯,以便提供一與該群位址相關聯 的更大記憶體區塊。於各種具體實施例中,該群位址與一 群位址號碼相關聯。聚集該等抹除區塊產生可配合該群位 址來操作的更大記憶體區塊。對於在區塊層級上實施記憶 體操作(舉例來說,但並不受限於對非及閘快閃記憶體進 行區塊抹除)的記憶體(例如非及閘快閃記憶體)來說,將該 記憶體内的抹除區塊聚集成更大記憶體區塊減少與在該記 I*思體上所貝施之插作相關聯的糸統層級管理。於各種且體 實她例中’將抹除區塊聚集成更大的抹除區塊群可以減少 要由具有該等更大抹除區塊群的系統來管理與追縱的群位 址總數,並且因而減少與管理及追蹤在包含該等更大抹除 區塊聚集的系統上所實施之記憶體操作相關聯的耗用。 於各種具體實施例中,實施區塊抹除、寫入、或讀取功 能可能係藉由提供該等命令用以在一群位址上實施所需的 記憶體操作以便在被聚集在一起且與該群位址相關聯的複 數個抹除區塊中所包含的所有抹除區塊之上來實施,並且 從而減少用以在包含該等更大抹除區塊聚集的系統上實施 一記憶體操作所需要的命令與位址數量。 129260.doc -20- 200849266 於各種具體實施例中,記憶體陣列202包含一或多個可 能的抹除區塊群280、282、284、286、288、以及290,與 一群位址28 1相關聯的每一個該些一或多個可能的抹除區 塊群均包含一群位址號碼。於各種具體實施例中,且為達 解釋目的假設僅探討抹除區塊群210與250,每一個該一或 多個可能的抹除區塊群280、282、284、286、288、以及 290希望僅包含一個且剛好一個來自該複數個抹除區塊群 210與25 0之每一者中的抹除區塊。所以,實際形成的每一 個該一或多個可能的抹除區塊群280、282、284、以及290 包含相同的抹除區塊總數。 如圖2中所示,其具有解釋用途而沒有任何限制意義, 該一或多個抹除區塊群280包含來自抹除區塊群210的抹除 區塊212以及來自抹除區塊群250的抹除區塊252,如箭頭 203所示。如圖2中所示,其具有解釋用途而沒有任何限制 意義,該一或多個抹除區塊群282包含來自抹除區塊群21〇 的抹除區塊214以及來自抹除區塊群250的抹除區塊258, 如箭頭204所示,該一或多個抹除區塊群284包含來自抹除 區塊群2 10的抹除區塊216以及來自抹除區塊群2 5 0的抹除 區塊256,如箭頭205所示,以及該一或多個抹除區塊群 290包含來自抹除區塊群210的抹除區塊222以及來自抹除 區塊群250的抹除區塊260,如箭頭206所示。 如圖2中所示,抹除區塊218、220、254、以及262具有 ff不良”的狀態指示符,所以,並不包含在實際形成的該一 或多個抹除區塊群280、282、284、以及290中的任一者之 129260.doc -21 - 200849266 中。 如圖2中所示’實際形成的該一或多個抹除區塊群280、 282、284、以及290之每一者各包含一來自該複數個抹除 區塊群2 10與250之每一者的無瑕疵(由狀態指示符中的,,良 好狀悲所示)抹除區塊,所以,每一者各包含相同的抹除 區塊總數。此配置可以讓所形成的抹除區塊群全部僅具有 無瑕疵的抹除區塊且全部具有相同的大小,其中,該等經 I集的已抹除區塊之每一者各與一群位址相關聯。此配置 可以藉由指定一群位址且知悉任何該些群位址對應於具有 全部為無瑕疵抹除區塊且具有已知總大小的記憶體陣列 202的一部分而在該些經聚集的抹除區塊上實施記憶體操 作。因此,與實施該等記憶體操作相關聯的耗用以及在記 十思體操作期間與管理該些抹除區塊相關聯的耗用減少。 如圖2中所示,該一或多個抹除區塊群280、282、 284、以及290中至少一者包含一僅抹除區塊聚集,其具有 一相同匹配獨特抹除區塊號碼。舉例來說,該一或多個抹 除區塊群280包含抹除區塊212與252,其中,抹除區塊212 與252兩者均包含一相同匹配獨特抹除區塊號碼211、 25 1,其為抹除區塊”〇”。於另一範例中,該一或多個抹除 區塊群284包含抹除區塊216與256,其中,兩個抹除區塊 均包含一相同抹除區塊號碼211、251,其為抹除區塊號碼 2”。該些抹除區塊聚集方式可稱為一對一聚集,因為該 一對一聚集中的每一個該等抹除區塊均與該聚集中所包含 的每一個其它抹除區塊具有一相同匹配獨特抹除區塊號 129260.doc -22· 200849266 碼。 圖2中退顯示出’该一或多個抹除區塊群280、282、 284、以及290中至少一者包含一含有具有來自抹除區塊群 250的至少一抹除區塊之抹除區塊聚集,其具有相同於抹 除區塊群210之群組中被指定為有瑕疵或”不良"抹除區塊 的對應抹除區塊號碼211的抹除區塊號碼25 1。舉例來說, 該一或多個抹除區塊群282包含來自抹除區塊群2丨〇的抹除 區塊214以及來自抹除區塊群250的抹除區塊258,其中, 抹除區塊258包含抹除區塊號碼”3”,其對應於抹除區塊群 2 1 〇中抹除區塊2 1 8的相同抹除區塊號碼” 3 ”,且其中,抹 除區塊2 1 8包含用以表示為有瑕疯區塊的”不良”狀態指示 符。於另一範例中,該一或多個抹除區塊群29〇包含來自 抹除區塊群210的抹除區塊222以及來自抹除區塊群25〇的 抹除區塊260,其中,抹除區塊26〇包含抹除區塊號碼 ,其對應於抹除區塊群210中抹除區塊22〇的相同抹除 區塊號碼”4”,且其中,抹除區塊22〇包含用以表示為有瑕 疲區塊的”不良”狀態指示符。 Α些抹除區塊聚集方式可稱為,,再映射"聚集,因為該聚 木中的至少一個該等抹除區塊具有一對應於不包含在該聚 集中的有瑕疵抹除區塊的抹除區塊號碼,因此,並非該聚 集之中的所有抹除區塊均能夠具有一相同匹配獨特抹除區 塊號碼。這與一對一聚集方式不同,在一對一聚集方式, 4聚集之中所包含的每一個抹除區塊必定具有_相同匹配 獨特抹除區塊號碼。 129260.doc -23- 200849266 圖2中還顯示出,與抹除區塊286與288相關聯的一或多 個可能抹除區塊群並未形成一群抹除區塊群。於各種具體 實施例中,這係因為被指定為基本抹除區塊群的抹除區塊 群(為達解釋目的,在本範例中為抹除區塊群2 10)之抹除區 塊中的抹除區塊286與288兩者具有,,不良”的狀態指示符 2 1 3的關係,因此並不形成與該些一或多個抹除區塊群相 關聯的聚集。因此,不形成任何的抹除區塊聚集以包含與 該一或多個可能抹除區塊群288相關聯的抹除區塊218,且 不形成任何的抹除區塊聚集以包含與該一或多個可能抹除 區塊群290相關聯的抹除區塊220。 不過,如上面所述,具有相同於該基本抹除區塊群21〇 中的一有瑕疵抹除區塊的匹配獨特抹除區塊號碼的一或多 個抹除區塊可被再映射而形成具有一來自該指定基本抹除 區塊群的無瑕疫抹除區塊的一或多個抹除區塊群。於各種 具體貝施例中’來自除δ亥基本抹除區塊群外的抹除區塊群 且與該基本抹除區塊群中的一有瑕疲抹除區塊具有相同的 匹配獨特抹除區塊號碼的此抹除區塊的匹配獨特抹除區塊 號碼被再映射至一抹除區塊聚集,以便包含一來自該基本 抹除區塊群的無瑕疵抹除區塊。 於各種具體實施例中,與該一或多個抹除區塊群相關聯 的一對一抹除區塊組合與再映射抹除區塊組合可依照下面 方式來形成。針對抹除區塊群中所包含的每一個抹除區塊 來判斷該特殊抹除區塊究竟係有瑕疵或無瑕疵。對於任何 該複數個抹除區塊來說(其中橫跨該複數個抹除區塊群具 129260.doc -24- 200849266 有一相同匹配獨特抹除區塊號碼的該複數個抹除區塊中的 母一者在所有該等抹除區塊群中均為無瑕疵),所形成的 一抹除區塊聚集包含來自該複數個抹除區塊群之每一者中 的汶複數個抹除區塊的其中一者並且具有一相同匹配獨特 抹除區塊號碼。此種抹除區塊聚集方式可稱為一對一聚 集。在群位址號碼與該匹配獨特抹除區塊號碼相同的一對 一聚集方式中,該等一對一群之中的任何與所有抹除區塊 的抹除區塊號碼均可能與該群位址號碼為相同號碼,所以 不需要進行任何映射來判斷哪個抹除區塊包含在該一對一 聚集之中。 該等抹除區塊群中的其中一者被指定為基本抹除區塊 群。此指定並不受限於被指定為該等基本抹除區塊群的該 複數個抹除區塊群中的任何特殊抹除區塊群,且於各種具 體貝施例中,可藉由選擇能夠如本文所述般地形成最大額 外可抹除區塊群的抹除區塊群來決定。 於各種具體實施例中,判斷是否可以進行無瑕疵抹除區 塊的額外聚集,其作法係先將無瑕疵的抹除區塊放置在未 包含在一對一聚集之中的基本抹除區塊群中。於各種具體 實施例中,來自該基本抹除區塊群的該些無瑕疵抹除區塊 並不包含在-對-聚集《中,目$來自❺該基本抹除區塊 群外的至少-個抹除區塊群且與來自該基本抹除區塊群的 無瑕疵抹除區塊具有相同抹除區塊號碼的至少一抹除區塊 被判定為有㈣。對該基本抹除區塊群巾該些無瑕疲抹除 區塊中的任—者來說,必須判斷除該基本抹除區塊群外的 129260.doc -25· 200849266 每-個抹除區塊群中是否有至少一抹除區塊為無瑕疵且尚 未被包含橫跨該複數個抹除區塊群的一抹除區塊聚集之 中。倘若符合該些條件,則形成一額外的抹除區塊聚集, 以便包含來自該基本抹除區塊群的該無瑕疵抹除區塊以及 尚未被匕s在抹除區塊聚集之中的基本抹除區塊群以外 的該複數個抹除區塊群之每一者中的該等無瑕疵抹除區塊 的其中一者。該些類型的抹除區塊聚集方式可稱為”再映 射’’聚集。 於各種具體實施例中,上述用以形成再映射抹除區塊群 的程序可反覆進行,直到無法為該基本抹除區塊群中尚未 被形成一對一聚集或尚未被形成再映射聚集的任何無瑕疵 抹除區塊形成任何額外聚集為止。於各種具體實施例中, 當該基本抹除區塊群中沒有任何尚未被包含在一對一聚集 或再映射聚集之中的無瑕疵抹除區塊時便可能無法形成任 何額外的聚集。於各種具體實施例中,雖然該基本抹除區 塊群中有尚未被包含在一對一聚集或再映射聚集之中的一 或多個無瑕疵抹除區塊但其中卻沒有至少一無瑕疵抹除區 塊仍殘留在尚未被包含在一對一聚集或再映射聚集之中橫 ~该複數個抹除區塊群中的該複數個抹除區塊群之每一者 之中時,便可能無法形成任何額外的聚集。 於各種具體實施例中,抹除區塊的再映射聚集與具有相 同於用以識別被包含在該再映射聚集之中的基本抹除區塊 群之中的抹除區塊的抹除區塊號碼的群位址號碼的群位址 相關聯。舉例來說,包含抹除區塊214與258的該一或多個 129260.doc -26· 200849266 抹除區塊群282可能與對應於該基本抹除區塊群的抹除區 塊2 14相關聯的抹除區塊號碼的群位址號碼”丨,,相關聯。 於各種具體實施例中,一直形成該些額外的抹除區塊 群,直到依據用以形成該些額外抹除區塊聚集的必要條件 可能無法產生任何額外的抹除區塊群為止。 一旦已經依據該等再映射聚集形成該一對一聚集及該一 或多個額外抹除區塊群之後,便可以依據與該些_或多個 抹除區塊群相關聯的群位址在該記憶體上實施操作。 應該瞭解的係,該複數個抹除區塊聚集之一者可能以本 文所述之抹除區塊聚集的任何各種組合方式包含抹除區塊 230,且可包含介於抹除區塊222與230之間的一或多個抹 除區塊,且可包含抹除區塊270,且可包含介於抹除區塊 262與270之間的一或多個抹除區塊。本文所述之包含該一 或多個抹除區塊群280、282、284、以及290的抹除區塊聚 集僅具有解釋用途。 具體實施例並不受限於僅使用兩個抹除區塊群來形成該 一或多個可能的抹除區塊群。一對一抹除區塊群與再映射 抹除區塊群兩者可以使用包含一對一抹除區塊群與再映射 抹除區塊群的複數個抹除區塊群來形成,每一個抹除區塊 群均包括其中來自有三或多個抹除區塊群被包含在該複數 個抹除區塊群之中的複數個抹除區塊群中每一者的一抹除 區塊。舉例來說,但是並不限於此範例,可以產生包含來 自抹除區塊群210、250、299以及由虛線298所表示之介於 抹除區塊群250與299之間的任何抹除區塊群的抹除區塊的 129260.doc -27- 200849266 ♦集。此外,若可能的話,如上面所述且取決於無瑕疵抹 除區塊的可n藉由組合—來自_指定基本抹除區塊群 的抹除區塊以及來自該指定基本抹除區塊群以外的該複數 個抹除區塊群之每一者(其包含抹除區塊群21〇、25〇、299 以及由虛線298所表示之介於抹除區塊群250與299之間的 任何抹除區塊群)的一抹除區塊還可以形成再映射抹除區 塊群’而且來自該指定基本抹除區塊群以外的該複數個抹 除區塊群的至少一抹除區塊具有用以識別該基本抹除區塊 群中一有瑕疵抹除區塊的匹配獨特抹除區塊號碼。 於各種具體實施例中,可能無法形成任何再映射抹除區 塊聚集。舉例來說,倘若在該抹除區塊聚集中所包含的任 何該複數個抹除區塊群中僅偵測到一有瑕疵抹除區塊,則 可能無法形成一再映射抹除區塊聚集。未必需要實際形成 一再映射抹除區塊聚集方能在一記憶體器件中運用本文所 述的具體實施例。 具體實施例並不受限於利用單組的抹除區塊群來形成所 有該等抹除區塊群方能形成該一或多個可能的抹除區塊 群。舉例來說,可以使用複數個抹除區塊群,其中,可以 將兩組或兩組以上抹除區塊群組織成分離的複數個抹除區 塊群’且其中,可以在每一個該分離的複數個抹除區塊群 内分開產生該等抹除區塊聚集。包含該等分離的抹除區塊 聚集的該些分離抹除區塊群可能與一共同的群位址號碼相 關聯’從而建立與一共同群位址號碼相關聯的複數個抹除 區塊群的一相關組。 129260.doc -28- 200849266 熟習本技術的人士便瞭解’可以形成該複數個抹除區塊 群的相關組的另-聚集,用以建立複數個抹除區塊群的該 等相關組的階層組(hier⑽hieal set)。該些階層組可能㈣ 複數個抹除區塊群的該等相關組中每—者相關聯的一高階 群位址號碼進-步相關聯。該等階層組㈣層數並不受限 於任何特殊的層數,並且可根據被視為適用在套用該階層 組方案的應用的任何層組合來產生。 於各種具體實施例中’可以將非_對—聚集的映射儲存 在一映射表之中。 圖3為根據本發明各具體實施例的映射表。於各種具體 貝施例中’映射表3〇〇包含複數列31〇以及一或多行3〇1、 302 3 04、3 06、及308。於各種具體實施例中,行3〇1包 έ映射表300中所包含的每一列31〇的一列數。於各種具體 只施例中’行3 〇 1包含從零開始依序配置的遞增整數,用 以識別映射表3〇〇中所包含的每一列3 10。 於各種具體實施例中,列3 1 0包含預定數量的列,其 中’該預定數量的列為可被儲存在映射表3〇〇之中的抹除 區塊組合設定一最大的映射數。於各種具體實施例中,映 射表300中所包含的行數藉由在形成該抹除區塊組合中所 包含的抹除區塊群的數量來決定。於各種具體實施例中, 身于表3 0 〇包含與該基本抹除區塊群相關聯的行3 〇 2,以及 與除该基本抹除區塊群外的其中一個抹除區塊群相關聯的 名員外行304、306、以及308。行308與相關聯於,,第Μ個,,抹 除區塊群的,’第Μ行”相關聯。行306與行304與308之間的一 129260.doc -29- 200849266 或多行相關聯,行304與308之間的一或多行則與相關聯於 行304的一抹除區塊群及相關聯於行308的第Μ個抹除區塊 群之間的一或多個抹除區塊群相關聯。 為達解釋目的,行302與圖2的抹除區塊群210相關聯, 行304與圖2的抹除區塊群250相關聯,偭行406與408則與 記憶體陣列202中所包含的任何額外抹除區塊群相關聯。 如圖3中所示,列3 12在行3 02中包含一號碼,,1 ”且在行 304中包含一號碼”3”。行302中的號碼,,1”代表的係與圖2中 抹除區塊214相關聯的匹配獨特抹除區塊號碼,而行3 〇4中 的號碼”3"代表的係與圖2中抹除區塊258相關聯的匹配獨 特抹除區塊號碼。因此,整條列3丨2便代表該一或多個抹 除區塊群282的映射並且與群位址號碼ι(映射表3⑽的列 3 12與行302中所含者)相關聯。應該瞭解的係,各種具體 實施例可包含兩個以上的抹除區塊群,與群位址,,丨”相關 聯的每一個額外抹除區塊群的映射可能在行3〇6與3〇8之下 被加入列312之中,以便完成該映射。 在映射表300中,列314在行3〇2中包含一號碼”5"且在行 304中包含一號碼”4”。行3〇2中的號碼"5”代表的係與圖2中 抹除區塊222相關聯的匹配獨特抹除區塊號碼,而行中 的號碼”4"代表的係與圖2中抹除區塊相關聯的匹配獨 特抹除區塊號碼。因此,整條列314便代表該一或多個抹 除區塊群290的映射並且與群位址號碼5(映射表300的列 ^4/、仃3〇2中所含者)相關聯。應該瞭解的係,各種具體 α例可包含兩個以上的抹除區塊群,與群位址號碼"5" 129260.doc -30- 200849266 相關聯的每一個額外抹除區塊群的映射可能在行3〇6與308 之下被加入列314之中,以便完成該映射。 塊映射,而包含與列312與314中所示者不同且各列彼此不 同的抹除區塊組合。 列316、318、320、以及330代表映射表3 〇〇之中所包含 7一或多個額外列。列316、318、32〇、以及33〇中的一或 多者可包含或可能不包含如列312與314所示的額外抹除區
於各種具體實施例中,映射表300提供一儲存位置,用 以儲存秩跨複數個抹除區塊群的非一對一抹除區塊聚集的 映射。這可在記憶體操作中將該些抹除區塊當作和同樣可 用在相同記憶體陣列或相同記憶體器件中記憶體操作的每 一個一對一抹除區塊聚集具有相同大小與相同抹除區塊號 碼的抹除區塊群來使用。於各種具體實施例中,該映射表 被儲存在δ亥非及閘快閃記憶體器件的一系統區之中。於各 種具體實施例中,舉例來說,該非及閘快閃記憶體的該系 統區為圖1中所示之記憶體支援電路中的記憶體165。 於各種具體實施例中,當要實施一記憶體操作時,便決 定一目標群位址號碼。該目標群位址號碼代表用以映射要 在其上實施該記憶體操作的一記憶體器件或一記憶體陣列 的部分之群位址。接著便可以實施映射表搜尋,以便判斷 匹配該目標群位址號碼的群位址號碼是否包含在該映射表 之中。於各種具體實施例中,舉例來說,在行3 〇 2 (該映射 表之中包含一與來自被包含在被映射於該映射表的每一列 的每一種組合之中的基本抹除區塊群的抹除區塊相關聯的 129260.doc -31 - 200849266 匹配獨特抹除區塊號碼的行)中實施該搜尋。行3〇2中的該 數對應於该群位址號碼,所以,胃目標群位址號碼可能與 行302中的每一個數作比較,以便判斷該些群位址號碼中 是否有任一者匹配該目標群位址號碼。 倘若在A映射表中找到該目標群位址號碼的匹配數,則 可以從該映射表中讀出該等抹除區塊(其包含與匹配該目 才示群位址號碼的群位址號碼相關聯的抹除區塊的聚集)的 映射並且用以利用實施記憶體操作該被讀出的映射之中所 包含的抹除區塊來實施該記憶體操作。 倘右在邊映射表中找不到匹配,則假設與該群位址號碼 相關聯的該複數個抹除區塊為一對一的抹除區塊聚集,全 部具有一相同匹配獨特抹除區塊號碼以及一與此相同匹配 獨特抹除區塊號碼相同的群位址號碼。所以,可以使用該 等抹除區塊號碼(該等抹除區塊號碼全部具有與該目標號 碼相同的匹配獨特抹除區塊號碼)來實施記憶體操作,而 不需要讀取一映射結果。 搜尋該映射表以判斷是否有一匹配該目標群位址號碼的 群位址號碼並不受限於任何特殊類型的搜尋或任何特殊的 搜尋技術。可以使用任何類型的搜尋或搜尋技術。各種具 體實施例包含一索引表,其包含一或多個群位址號碼範圍 乂及進入映射表之中的相關聯位移值,以便加速該映射 表搜尋。 圖4為根據本發明各具體實施例的索引表。索引表400包 含複數列41 〇(其包含列412、414、416、418、420、422及 129260.doc -32- 200849266 43 0)以及行401、402及404。於各種具體實施例中,行401 包含索引表400中所包含的每一列41〇的一列數。於各種具 體實施例中’行401包含從零開始依序配置的遞增整數, 用以識別索引表4〇〇中所包含的每一列41〇。 於各種具體實施例中,行4〇2與群位址號碼範圍相關 聯。於各種具體實施例中,該些群位址號碼範圍與用以配 合遠索引表來使用以加速該映射表之搜尋的映射表相關聯 的群位址號碼範圍相關聯。 於各種具體實施例中,行404包含一進入與該等群位址 號碼範圍中每一者相關聯的映射表之中的位移值。藉由決 定哪一列410包含一與該映射表中待搜尋的目標群位址號 碼相關聯的群位址號碼,該索引表便在開始搜尋該映射表 之前提供一進入該映射表之中的位移值。相較於從該映射 表的第一列或起始列處開始搜尋而搜尋該映射表,藉由使 用進入该映射表之中的位移值作為該映射表中的起始點, 便可以從比較靠近該映射表中發現該目標群位址號碼(若 存在的話)之列的列處來開始搜尋該映射表的各列。 為達解釋目的,行402包含群位址號碼範圍,其包含列 412中群位址號碼〇至1的群位址號碼範圍、列414中群位址 號碼2至3的群位址號碼範圍、列41 6中群位址號碼4至5的 群位址號碼範圍、列418中群位址號碼6至7的群位址號碼 範圍、以及列420中群位址號碼8至9的群位址號碼範圍。 對介於0至9之間的任何給定目標位址號碼來說,藉由在該 索引表400中找出在該群位址號碼範圍中包含一匹配該目 129260.doc -33 · 200849266 標群位址號碼之數值的列便可以從索引表400的行4〇4中決 定出一對應的位移值。
接著’可以使用該對應位移值來決定用以搜尋該映射表 的入口點’並且不需要搜寻該映射表中的每一列,舉例來 說,位於匹配該目標群位址號碼的群位址號碼的潛在位置 以下的列。於各種具體實施例中,進入該映射表之中的位 移值對應於該映射表中的連續列數。舉例來說,圖4中索 引表400的行404中的位移值可能對應於圖3中映射表3〇〇的 行301中的列數。因此,舉例來說,索引表4〇〇中列412與 414的位移值”〇”係表示應該從對應於行3〇1中映射表列數 ”〇”的映射表300的列3 12處來開始搜尋映射表3〇〇。於另一 範例中,索引表400中列416、418、與42〇的位移值,,丨,,係 表示應該從對應於映射表300的行3〇1中列數,,丨,,的列314處 來開始搜尋映射表300。 於各種具體實施例巾,行404中所包含的位移值係基於 群位址號碼的範圍跨距以及以被映射在該映射表之中 的該等可能組合抹除區塊佔用該映射表的結果來決定。 於各種具體實施例中,該索引表的行4()4中所包含的位 ,值係利用該目標群位址號碼除以—跨距所得到的商數來 具出。該跨距被認定係-等於該索引表的行術中所包含 的每一個群位址範圍中所包含的群位址號碼的數值。一作 決定出該商數之後,便戴取該商數,以便僅包含該商數的 ^部分’從而導致-零或正整數。該零或正整數對應於 邊索引表400中的單—列’其在行例中包含—位移值。 129260.doc -34- 200849266 以行4〇4的位移值係代表進入與該索引表相關聯的映 射表之中的人口點之列數。在該映射表中搜尋—群位址號 碼可以從該映射表中讓該映射表包含遞減或遞增配置之群 位址號碼的列處開始。所以,在該位移值所表示的列以前 的^[何列均不含有匹配該目標位址號碼的群位址號碼。 於該等群位址號碼以遞增順序配置的具體實施例中,當 找到-匹酉己婁文或是當一匹配數與言亥目標位址號碼比較之後 大於該目標位址號碼時便可以終止搜尋該映射表。於第二 種h况中 匹配遠目標位址號碼的群位址號碼並不被儲 存在該映射表之中。 為達解釋目的,當目標位址為"3”且與行4〇2中每一列的 群位址範圍2相關聯之具有跨距2的索引表4〇〇來說,目標 位址3除以跨距2代表3/2,當進行截取之後便提供數值 1。使用该經截取的數值1作為索引表4〇〇中列1的表示符, 那麼,進入該映射表之中的位移值便被判定為具有索引表 400的列414中的數值零。 使用該零位移值作為進入圖3之映射表3〇〇之中的入口 點,那麼,目標位址值,,3”便與行402中列414(列1}中的群 位址號碼”5”作比較。因為目標位址值,,3”並不匹配列i的群 位址號碼’’ 5 ’’並且小於該群位址號碼,所以,便結束搜尋 該映射表’而不需要比較該目標位址號碼與該映射表的列 4 12或是列416、418、420、430中任一列的群位址值。因 此便縮短用以判斷一群位址號碼是否包含在該映射表之中 所需要的時間。 129260.doc -35- 200849266 圖5為說明根據本發明各具體實施例之數種方法的流程 圖。方法500始於步驟51〇,其判斷一目標群位址是否匹配 一被儲存在一映射表之中的群位址。 包含該映射表的方法500的各種具體實施例還進一步包 含為包含一基本抹除區塊群的該複數個抹除區塊群之中所 包含的每一個抹除區塊提供一狀態指示符,該狀態指示符 具有一有瑕疵表示值或一無瑕疵表示值。各種具體實施例 進一步包含將被儲存在映射表之中,包含該群位址的複數 個群位址限制在一最大數目。 方法500在步驟5 12處可包含決定一對應於一用以識別一 圮te體為、件中之複數個抹除區塊的群位址號碼的目標群位 址號碼。各種具體實施例可包含提供一包含複數個群位址 1巳圍的索引表,其中,每一個群位址範圍均對應於進入該 映射表之中的複數個位移值之一者。 方法500在步驟514處可包含藉由以該目標群位址號碼除 以一跨距來決定一第一位移值。 方法500在步驟516處可包含依據該第一位移值從一索引 表中取出一弟二位移值。 方法500在步驟518處可包含在一映射表的複數個群位址 號碼中搜尋該群位址號碼,以便判斷該目標群位址是否包 έ在《亥映射表之中。各種具體實施例可包含從由該第二偏 移位移值所決定的該映射表巾之_點處來開始搜尋該群位 址號*纟中’ 4映射表中的該複數個群位址數位址號碼 之任-者對應於包含一基本抹除區塊群的複數個抹除區塊 129260.doc • 36 - 200849266 群之一者之十的複數個抹除區塊之一者的映射,其中,該 映射中的所有該複數個抹除區塊均為無瑕疵且該映射中的 該複數個抹除區塊中至少一者具有一用以在該基本抹除區 塊群中識別一有瑕疵抹除區塊的匹配獨特抹除區塊號碼。 方法500的各種具體實施例可包含,對包含該基本抹除 區塊群的該複數個抹除區塊群之一者之中的該複數個抹除 區塊之一者的每一個映射來說,任何一特殊映射的對應群 位址號碼係一與對應於該任何一特殊映射中所包含的該基 " 本抹除區塊群中的一抹除區塊的匹配獨特抹除區塊號碼相 同的號碼。方法500的各種具體實施例可包含將該目標群 位址號碼除以一跨距來決定一第一位移值,其包含將該目 標群位址除以該跨距所產生的商數截取至一包含零的整數 值,並且使用該整數值作為該第一位移值。 方法500的各種具體實施例可包含決定該第二位移值, 其包含在5亥索引表中定位對應於該整數值的該第二位移 〔 值。方法5〇〇的各種具體實施例可包含決定一目標群位 址,其包含決定一要在其上實施一記憶體操作的群位址。 方法500的各種具體實施例可包含判斷該目標群位址是否 包含在該映射表之中,其包含在該映射表之中尋找匹配該 目標群位址的群位址。 方法500在步驟520處可包含倘若找到匹配的話便在該映 射表所示且具有一匹配該目標群位址的第一群位址的第一 複數個抹除區塊中實施一記憶體操作。 各種具體實施例可包含從包含—基本抹除區塊群的複數 129260.doc -37- 200849266 個抹除區塊群中選出該第一複數個抹除區塊。 方^ 5〇〇的各種具體實施例還進一步包含為包含一基本 抹除區塊群的該複數個抹除區塊群之中所包含的每一個抹 除區塊提供—狀態指示符,該狀態指示符具有-有瑕疲表 示值或一無瑕疵表示值。 各種具體實施例可包含該複數個抹除區塊群之每一者各 包括複數個抹除區塊,每一抹除區塊各係由該複數個抹除 區塊内獨特的匹配獨特複數個抹除區塊號碼來識別並且橫 跨忒複數個抹除區塊群來進行匹配。各種具體實施例可包 含該第一複數個抹除區塊均包含來自該基本抹除區塊群的 一無瑕疵抹除區塊以及來自除該基本抹除區塊群外的該複 數個抹除區塊群之每一者的一無瑕疵抹除區塊。各種具體 實施例可包含來自除該基本抹除區塊群外的一抹除區塊群 的至少一第一複數個抹除區塊包含一相同於用以在該基本 抹除區塊群中識別一有瑕疵抹除區塊的匹配獨特抹除區塊 號碼的第一匹配獨特抹除區塊號碼。 方法500的各種具體實施例可包含該第一群位址匹配該 第一複數個抹除區塊中所包含的該基本抹除區塊群中的該 抹除區塊的匹配獨特抹除區塊號碼。方法5〇〇的各種具體 實施例可包含,倘若一匹配該目標群位址的群位址號碼包 含在該映射表之中,則利用來自匹配該目標群位址的映射 表中的該再映射群位址之中所包含的該等抹除區塊在該記 憶體器件上實施操作。 方法500在步驟530處可包含,倘若沒有找到匹配,則在 129260.doc -38 · 200849266 具有一匹配該目標群位址的第二群位址的第二複數個抹除 區塊中實施一記憶體操作。 各種具體實施例可包含,該第二複數個抹除區塊係選自 包含該基本抹除區塊群的該複數個抹除區塊群並且包含來 自該複數個抹除區塊群之每一者具有一相同匹配獨特抹除 區塊號碼的一無瑕疵t抹除區塊。 各種具體實施例可包含該第二群位址匹配該第二複數個 抹除區塊中所包含的該基本抹除區塊群中的該抹除區塊的 匹配獨特抹除區塊號碼。方法5〇〇的各種具體實施例可包 含’倘若該目標群位址並不包含在該映射表之中,則利用 來自具有一匹配該目標群位址的抹除區塊號碼的該複數個 抹除區塊群之每一者中的該抹除區塊在該記憶體器件上實 施操作。 構成本發明一部分的附圖所示的係可實行本發明主要内 容的特定具體實施例,其具有解釋目的而沒有限制性。本 文對圖中所示的具體實施例解釋的非常詳細,足以讓熟習 本技術的人士來實行本文所揭示的教示内容。從本文中可 以運用並衍生出其它具體實施例,俾使在未脫離本發明範 缚下進行結構性與邏輯性替換與變更。所以,實施方式並 不具限制意義,且各種具體實施例的範疇僅由隨附的申請 專利範圍及與此等申請專利範圍等同的完整範圍來定義。 當本文實際上揭示一個以上發明或新穎概念時,可能以 ’’本發明,,一詞來個別或統稱本發明主要内容的此等具體實 施例,其僅係為圖方便而並非希望將本申請案的範疇自動 129260.doc •39- 200849266 限制在任何單一發明或新穎概念。因此,雖然本文已經解 釋與說明特定的具體實施例,不過,可達成相同目的任何 合宜配置均可用來取代本文所示的特定具體實施例。本揭 示内谷希望涵蓋各種具體實施例的任何與所有適應例或變 化例。熟習本技術的人士在瀏覽上面說明之後便明白上面 的具體實施例以及本文未明確說明的其它具體實施例的組 合0 通常不對”低,,邏輯信號與”高”邏輯信號的電壓幅度進行 疋義,因為它們可能具有各種相對數值,包含負電壓與正 電壓。’’高”邏輯信號與”低”邏輯信號僅由它們的相互關係 來疋義,用以代表二進制數值。一般來說,,,高”邏輯信號 的電壓位準或電位高於”低,,邏輯信號,或者,,,低,,信號與 ”南二信號具有不同的極性或負極性。_習本技術的人士便 非常瞭解,於特定的邏輯系統中,當以接地為基準的負電 壓電位來代表’’低”邏輯值時,甚至可以接地電位來代表 ”高1’邏輯值。 、發明摘I符合37 C.FR. §172(b)的要求,必須讓讀者快 速地確$本技術性揭示的本f。應該瞭解的係,其並非要 ::或限制申請專利範圍的㈣或意義。在前面的實施方 L夂馆為達*暢呪明本揭示的目#,在單-具體實施例中 兩要^主集在—起。本揭示内容的方法不應被解釋所 過每—請求項中明確提及者。確切地說,即 要 焉不具體實施例中所有特點亦可發現本發明主 要内容。因庇,丁^_ 丄 工 下面的申請專利範圍被併入實施方式中, 129260.doc -40- 200849266 其 中,每一請求項均代表 f圖式簡單說明】 一不同的具體 實施例 圖!為根據本發明各具體實施例之系統的步驟圓; 圖2為根據本發明各具體實施例之記憶體哭件的功能方 塊圖; % 圖3為根據本發明各具體實施例的映射表· 圖4為根據本發明各具體實施例的索引表·,以及 圖5為說明根據本發明各具體實施例之數種方法的流程 圖0 【主要元件符號說明】 100 系統 101 感測器 102 數位相機 103 成像感測器 104 蜂巢式電話 106 視訊記錄器 108 基板 112 顯示器 114 小鍵盤 116 處理器 117 記憶體 118 I/O連接 119 天線 120 埠 129260.doc -41 - 200849266 130 互連 132 互連 134 互連 136 互連 138 互連 143 互連 144 感測器支援電路 152 光 154 透鏡 160 記憶體器件 161 記憶體陣列 163 互連 164 記憶體支援電路 165 記憶體 166 晶粒 167 堆疊 168 基板 200 記憶體器件 202 記憶體陣列 210 抹除區塊群 211 抹除區塊號碼 212 抹除區塊 213 狀態指示符 214 抹除區塊 129260.doc -42- 200849266 216 抹除區塊 218 抹除區塊 220 抹除區塊 222 抹除區塊 230 抹除區塊 250 抹除區塊群 251 抹除區塊號碼 252 抹除區塊 253 狀態指示符 254 抹除區塊 256 抹除區塊 258 抹除區塊 260 抹除區塊 262 抹除區塊 270 抹除區塊 280 可能的抹除區塊群 281 群位址 282 可能的抹除區塊群 284 可能的抹除區塊群 286 可能的抹除區塊群 288 可能的抹除區塊群 290 可能的抹除區塊群 292 可能的抹除區塊群 296 抹除區塊 129260.doc -43- 200849266 297 抹除區塊 298 抹除區塊群 299 抹除區塊群 300 映射表 301 行 302 行 304 行 306 行 308 行 310 列 312 列 314 列 316 列 318 列 320 列 330 列 400 索引表 401 行 402 行 404 行 410 列 412 列 414 列 416 列 129260.doc -44- 200849266 418 列 420 列 422 列 430 列 129260.doc -45

Claims (1)

  1. 200849266 十、申請專利範圍: 1 · 一種裝置,其包括: 一記憶體器件,其可組態成包含一基本抹除區塊群的 複數個抹除區塊群,其中該複數個抹除區塊群之每一者 各包括複數個抹除區塊,每一抹除區塊各係由該複數個 抹除區塊内獨特的匹配獨特複數個抹除區塊號碼來識別 並且橫跨該複數個抹除區塊群來進行匹配;以及
    一映射表,其被耦合至該複數個抹除區塊群,該映射 表儲存至J/ 一群位址號碼,該至少一群位址號碼對應於 用以哉別该基本抹除區塊群中之一無瑕疵抹除區塊的該 匹配獨特複數個抹除區塊號碼之一者,以及對應於用以 識別除該基本抹除區塊群外的該複數個抹除區塊群之每 者中之單個無瑕疵抹除區塊的該匹配獨特複數個抹 除區塊號碼中之數者,其中該數者之至少—者包含用以 識別4基本抹除區塊群中之一有瑕疵抹除區塊的該匹配 獨特複數個抹除區塊號碼之一者。 2·如明求項1之裝置,其中該映射表儲存-包含該群位址 號碼的群位址。 3·如請求項1之裝置 閃記憶體器件。 4 ·如凊求項3之裝置 閃記憶體器件的一 ,其中該記憶體器件包括一非及閘快 ,其中该映射表被儲存在該非及閘快 系統區中。 129260.doc 200849266 數目。 6’如凊求項1之裝置,其中該記憶體器件包括複數個非及 閘快閃記憶體單元,丨包含多位準式單元,其可運作用 以在每一個多位準式單元中儲存兩個或兩個以上資料位 元。 ' 7· 一種裝置,其包括: 一記憶體器件,其可組態成包含一基本抹除區塊群的 複數個抹除區塊群,其中,該複數個抹除區塊群之每一 者各包括複數個抹除區塊,每一抹除區塊各係由該複數 個抹除區塊内獨特的匹配獨特複數個抹除區塊號碼來識 別並且橫跨該複數個抹除區塊群來進行匹配;以及 一映射表’其被耦合至該複數個抹除區塊群,該映射 表儲存至少一群位址號碼,該至少一群位址號碼對應於 用以識別該基本抹除區塊群中之一無瑕疵抹除區塊的該 匹配獨特複數個抹除區塊號碼之一者,以及對應於用以 識別除該基本抹除區塊群外的該複數個抹除區塊群之每 一者中之一單個無瑕疵抹除區塊的該匹配獨特複數個抹 除區塊號碼中之數者,其中該數者之至少一者包含用以 識別该基本抹除區塊群中之一有瑕疵抹除區塊的該匹配 獨特複數個抹除區塊號碼之一者,以及其中該複數個抹 除區塊群中之第一者係位於不同於該複數個抹除區塊群 中之第二者的晶粒上。 8·如請求項7之裝置,其中該複數個抹除區塊群之每一者 均係位於不同的晶粒上。 129260.doc 200849266 9·如明求項7之裝置,其中該複數個抹除區塊群之每一者 均係仅於不同的晶粒上,且該等不同晶粒之每一者實體 上被堆疊以形成該記憶體器件。 、 ι〇·如睛求項7之裝置,其進一步包括: 一索引表,用以儲存進入該映射表中的複數個位移值 中每一者的一值。 11·如請求項10之裝置,其中,該值對應於該記憶體器件中 所包含的一群位址範圍。 12·如請求項10之裝置,其中該映射表儲存一包含該群位址 號碼的第一群位址,以及其中該記憶體器件包含一不被 儲存在該映射表之中的第二群位址。 13·如請求項12之裝置,其中該第二群位址包含一群位址號 碼’其對應於一用以識別該基本抹除區塊群中之一無瑕 疵抹除區塊的抹除區塊號碼,以及一用以識別除該基本 抹除區塊群外該複數個抹除區塊群之每一者中與該基本 抹除區塊群中之一無瑕疵抹除區塊具有相同抹除區塊號 碼的一無瑕疵抹除區塊的抹除區塊號碼。 14.如請求項12之裝置,其中,包含該第二群位址及被儲存 在該映射表中的任何群位址的群位址總數小於該基本抹 除區塊群中的抹除區塊總數。 1 5 · —種系統,其包括: 一處理器,其包含一處理器記憶體; 一記憶體陣列,其係被耦合至該處理器,該記憶體陣 列可被配置成包含一基本抹除區塊群的複數個抹除區塊 129260.doc 200849266 群,其中該複數個抹除區塊群之每一者各包括複數個抹 除區塊’母一抹除區塊各係由該複數個抹除區塊内獨特 的匹配獨特複數個抹除區塊號碼來識別並且橫跨該複數 個抹除區塊群來進行匹配;以及 一映射表,其被耦合至該複數個抹除區塊群,該映射 表儲存至少一群位址號碼,該至少一群位址號碼對應於 用以識別該基本抹除區塊群中之一無瑕疵抹除區塊的該 匹配獨特複數個抹除區塊號碼之一者,以及對應於用以 識別除該基本抹除區塊群外的該複數個抹除區塊群之每 一者中之一單個無瑕疵抹除區塊的該匹配獨特複數個抹 除區塊號碼中數者,其中該數者之至少一者包含用以識 別該基本抹除區塊群中之一有瑕疵抹除區塊的該匹配獨 特複數個抹除區塊號碼之一者。 1 6 ·如凊求項1 5之系統,其中該複數個抹除區塊群之一些者 係位於不同的晶粒上,且其中該等不同晶粒之每一者實 際上被相互堆疊以形成一記憶體器件。 1 7·如請求項丨6之系統,其中該記憶體器件包括一非及閘快 閃記憶體器件。 18·如請求項16之系統,其中該處理器係位於該等不同晶粒 其中一者之上。 19.如請求項15之系統,其中待儲存在該映射表之中的群位 址的總數,包含該至少一群位址號碼,被限制在〆最大 數目。 2〇·如請求項15之系統,其進一步包含·· 129260.doc 200849266 7、夺〃、係用以儲存進入該映射表的至少一位移 值的值。 21· —種方法,其包括: 判斷一目標群位址是否匹配被儲存在一映射表之中的 群位址;以及 倘若找到匹配’則在該映射表所示且具有匹配該目標 群位址的一第一群位址的第一複數個抹除區塊中實施一 記憶體操作,其中該第一複數個抹除區塊係選自包含_ 基本抹除區塊群的複數個抹除區塊群,其中該複數個抹 除區塊群之每一者各包括複數個抹除區塊,每一抹除區 塊各係由該複數個抹除區塊内獨特的匹配獨特複數個抹 除區塊说碼來識別並且橫跨該複數個抹除區塊群來進行 匹配’以及其中,該第一複數個抹除區塊均包含來自該 基本抹除區塊群的一無瑕疵抹除區塊以及來自除該基本 抹除區塊群外的該複數個抹除區塊群之每一者的一無瑕 /疵抹除區塊,其中來自除該基本抹除區塊群外的一抹除 區塊群的至少一第一複數個抹除區塊包含一第一匹配獨 特抹除區塊號碼,該第一匹配獨特抹除區塊號碼相同於 用以在邊基本抹除區塊群中識別一有瑕疲抹除區塊的匹 配獨特抹除區塊號碼。 22·如請求項21之方法,其中該第一群位址匹配該第一複數 個抹除區塊中所包含的該基本抹除區塊群中的該抹除區 塊的匹配獨特抹除區塊號碼。 23 ·如請求項2 1之方法,其包括: 129260.doc 200849266 倘若沒有找到匹配,則在具有匹配該目標群位址的第 一群位址的一第二複數個抹除區塊中實施一記憶體操 作,其中該第二複數個抹除區塊係選自包含該基本抹除 區塊群的該複數個抹除區塊群並且包含來自該複數個抹 除區塊群之每一者的具有一相同匹配獨特抹除區塊號碼 的一無瑕疯抹除區塊。 24·如請求項23之方法,其中該第二群位址匹配該第二複數 個抹除區塊中所包含的該基本抹除區塊群中的該抹除區 塊的匹配獨特抹除區塊號碼。 2 5 ·如請求項21之方法,其進一步包含: 提供一包含複數個群位址範圍的索引表,其中,每一 個群位址範圍均對應於進入該映射表之中的複數個位移 值之一者。 26·如請求項2 1之方法,其進一步包含: 為包含一基本抹除區塊群的該複數個抹除區塊群之中 所包含的每一個抹除區塊提供一狀態指示符,該狀態指 不符具有一有瑕疵表示值或一無瑕疵表示值。 27,如請求項21之方法,其進一步包含: 將被儲存在映射表之中、包含該群位址的複數個群位 址限制在一最大數目。 28· —種方法,其包括: 决疋一目標群位址號碼,其對應於一用以識別一記憶 體器件中複數個抹除區塊的群位址號碼; 藉由將該目標群位址號碼除以一跨距來決定一第一位 129260.doc 200849266 移值; 依據/弟位移值從一索引表中取出一第二位移值; 以及 在一映射表的複數個群位址號碼中搜尋該群位址號 • 碼’以便判斷該目標群位址號碼是否包含在該映射表之 • 中’其係從由該第二偏移位移值所決定的該映射表中之 -點處開始搜尋,其中,該映射表中的該複數個群位址 數位址號馬之任一者對應於包含一基本抹除區塊群的複 數個抹除區塊群之一者之_的複數個抹除區塊之一者的 映射,其中該映射中的所有該複數個抹除區塊均為無 瑕疵且該映射令的該複數個抹除區塊中之至少一者具有 用以在該基本抹除區塊群中識別一有瑕疵抹除區塊的一 匹配獨特抹除區塊號碼。 29·如明求項28之方法,其中對包含該基本抹除區塊群的該 複數個抹除區塊群之一者之中的該複數個抹除區塊之一 者的每一個映射來說,任何一特殊映射的對應群位址號 碼係一與對應於該任何一特殊映射中所包含的該基本抹 除區塊群中的一抹除區塊的匹配獨特抹除區塊號碼相同 的號碼。 30. 如請求項28之方法,其中藉由將該目標群位址號碼除以 一跨距來決定一第一位移值包含: 將該目標群位址號碼除以該跨距所產生的商數截取至 一整數值,並且使用該整數值作為該第一位移值。 31. 如請求項3〇之方法,其中決定該第二位移值包含: 129260.doc 200849266 在該索I + )丨表中定位對應於該整數值的該第二位移值。 3 2 ·如請求項2 s 只α之方法,其中決定一目標群位址包含: >j-L 定 ' —要在其上實施一記憶體操作的群位址號碼。 Μ 1求項Μ之方法,其中判斷該目標群位址號碼是否包 含在該映射表之中包含: l該映射表中找出一匹配該目標群位址號碼的群位址 號碼。 34. 如請求項28之方法,其進一步包含: 4尚右·一匹配該目標群位址號碼的群位址號碼包含在該 映射表之中’則利用來自匹配該目標群位址號碼的映射 表中的一再映射群位址之中所包含的該等抹除區塊在該 記憶體器件上實施操作。 35. 如請求項28之方法,其進一步包含: / 倘若該目標群位址號碼並不包含在該映射表之中,則 利用來自具有一匹配該目標群位址號碼的抹除區塊號碼 的違複數個抹除區塊群之每一者中的該抹除區塊在該記 憶體器件上實施操作。 36· —種系統,其包括: 蜂巢式電話’其包含一成像器件與一透鏡,用以提 供一影像給該蜂巢式電話中所包含的感測器; 一快閃記憶體器件,其係用以儲存該影像,該記憶體 器件可組態成包含一基本抹除區塊群的複數個抹除區塊 群,其中该複數個抹除區塊群之每一者各包括複數個抹 除區塊,每一抹除區塊各係由該複數個抹除區塊内獨特 129260.doc 200849266 的匹配獨特複數個抹除區塊號碼來識別並且橫跨該複數 個抹除區塊群來進行匹配;以及
    一映射表’其被耦合至該複數個抹除區塊群,該映射 表儲存至少一群位址號碼,該至少一群位址號碼對應於 用以識別該基本抹除區塊群中之一無瑕疵抹除區塊的該 匹配獨特複數個抹除區塊號碼之一者,以及對應於用以 識別除該基本抹除區塊群外的該複數個抹除區塊群之每 者中之一單個無瑕疵抹除區塊的該匹配獨特複數個抹 除區塊號碼中之數者,其中該數者之至少一者包含用以 識別該基本抹除區塊群中之一有瑕疵抹除區塊的該匹配 獨特複數個抹除區塊號碼之一者。 37·如請求項36之系統,其進一步包含: 一收發器’其可運作用以發送被儲存在該快閃記憶體 器件之中的影像。 38·如請求項36之系統,其進一步包含: 39. 一小鍵盤,其係 该快閃記憶體器件 如請求項36之系統 相同的基板上。 用以將包含文字的使用者輪入儲存在 之中。
    中該透鏡被放置在一 與該感測器 互補式金氧半導體成像感測器。 41·如:求項36之系統,其進一步包含: 值的值弓|表,其係用以儲存進入該映射表的至少一位 129260.doc 200849266 42· —種方法,其包括: 在包含一成像器件的一蜂巢式電話中所包含的快閃記 憶體器件上實施-記憶體操作’用以提供待儲存在該快 閃記憶體器件中的影像的電表示; 其中,實施該記憶體操作包含·· 判斷一目標群位址是否匹配被儲存在一映射表之中 的群位址;以及倘若找到匹配,則在該映射表所示且具 有一匹配該目標群位址的第一群位址的第一複數個抹除 區塊中實施一記憶體操作,其中該第一複數個抹除區塊 係遥自包含一基本抹除區塊群的複數個抹除區塊群,其 中,该複數個抹除區塊群之每一者各包括複數個抹除區 塊’每一抹除區塊各係由該複數個抹除區塊内獨特的匹 配獨特複數個抹除區塊號碼來識別並且橫跨該複數個抹 除區塊群來進行匹配,以及其中該第一複數個抹除區塊 均包含來自該基本抹除區塊群的一無瑕疵抹除區塊以及 來自除該基本抹除區塊群外的該複數個抹除區塊群之每 一者的一無瑕疵抹除區塊,其中,來自除該基本抹除區 塊群外的一抹除區塊群的至少一第一複數個抹除區塊包 含一相同於用以在該基本抹除區塊群中識別一有瑕/疵抹 除區塊的匹配獨特抹除區塊號碼的第一匹配獨特抹除區 塊號碼。 43·如請求項42之方法,其包括: 倘若沒有找到匹配,則在具有一匹配該目標群位址的 第二群位址的第二複數個抹除區塊中實施該記憶體操 129260.doc -10- 200849266 作,其甲該第二複數個抹除區塊係選自包含該基本抹除 區塊群的該複數個抹除區塊群並且包含來自該複數個抹 除區塊群之每一者具有一相同匹配獨特抹除區塊號碼的 一無瑕疲抹除區塊。 44·如請求項42之方法,其中判斷一目標群位址號碼是否匹 配一映射表中所儲存的至少一群位址中任何一者包含: 藉由將該目標群位址號碼除以一跨距來決定一第一位 移值; 依據該第一位移值從一索引表中取出一第二位移值; 以及 在該映射表的複數個群位址號碼中搜尋該群位址號 碼’以便判斷該目標群位址是否包含在該映射表之中, 其係從由該第二偏移位移值所決定的該映射表中之一點 處開始搜尋。 45.如請求項42之方法,其中實施一記憶體操作包含: 將該影像的一部分寫入至對應於一選定目標群位址的 複數個抹除區塊。 46·如請求項42之方法,其中實施一記憶體操作包含: 從對應於一選定目標群位址的複數個抹除區塊中讀取 被儲存在該快閃記憶體器件中的該影像的一部分。 129260.doc
TW097106681A 2007-02-26 2008-02-26 Apparatus, method, and system of nand defect management TWI377575B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/710,794 US7669092B2 (en) 2007-02-26 2007-02-26 Apparatus, method, and system of NAND defect management

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200849266A true TW200849266A (en) 2008-12-16
TWI377575B TWI377575B (en) 2012-11-21

Family

ID=39465018

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097106681A TWI377575B (en) 2007-02-26 2008-02-26 Apparatus, method, and system of nand defect management

Country Status (7)

Country Link
US (5) US7669092B2 (zh)
EP (1) EP2115748B1 (zh)
JP (2) JP2010519647A (zh)
KR (2) KR101576898B1 (zh)
CN (1) CN101622675B (zh)
TW (1) TWI377575B (zh)
WO (1) WO2008106095A1 (zh)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7669092B2 (en) 2007-02-26 2010-02-23 Micron Technology, Inc. Apparatus, method, and system of NAND defect management
US20090013148A1 (en) * 2007-07-03 2009-01-08 Micron Technology, Inc. Block addressing for parallel memory arrays
TW200931425A (en) * 2008-01-11 2009-07-16 Phison Electronics Corp Method for managing flash memory blocks and controller using the same
US8099544B2 (en) * 2008-02-29 2012-01-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Information processing apparatus and nonvolatile semiconductor memory drive
KR20110031522A (ko) * 2009-09-21 2011-03-29 삼성전자주식회사 메모리 장치, 이를 구비하는 메모리 시스템 및 이의 제어 방법
US20140052897A1 (en) * 2012-08-17 2014-02-20 Seagate Technology Llc Dynamic formation of garbage collection units in a memory
US9235468B2 (en) 2013-04-12 2016-01-12 Qualcomm Incorporated Systems and methods to improve the reliability and lifespan of flash memory
US10452306B1 (en) * 2013-12-31 2019-10-22 EMC IP Holding Company LLC Method and apparatus for asymmetric raid
US9766819B2 (en) 2014-12-30 2017-09-19 Sandisk Technologies Llc Systems and methods for managing storage endurance
US9703661B2 (en) 2015-02-05 2017-07-11 International Business Machines Corporation Eliminate corrupted portions of cache during runtime
JP6523193B2 (ja) * 2016-03-08 2019-05-29 東芝メモリ株式会社 ストレージシステム、情報処理システムおよび制御方法
JP6912240B2 (ja) * 2017-03-29 2021-08-04 ラピスセミコンダクタ株式会社 メモリシステム及びメモリの管理方法
US10437729B2 (en) 2017-04-19 2019-10-08 International Business Machines Corporation Non-disruptive clearing of varying address ranges from cache
KR102435890B1 (ko) * 2017-08-17 2022-08-25 삼성전자주식회사 스토리지 장치의 어드레스 맵핑 방법 및 동작 방법
CN109241306B (zh) * 2018-08-20 2023-05-26 南京理工大学 一种适用于图像缺陷标注的数据存储方法
JP2020170477A (ja) * 2019-04-05 2020-10-15 株式会社バッファロー 記憶装置、その制御方法、及びプログラム
US11042483B2 (en) 2019-04-26 2021-06-22 International Business Machines Corporation Efficient eviction of whole set associated cache or selected range of addresses
WO2021050767A1 (en) 2019-09-12 2021-03-18 Relievant Medsystems, Inc. Systems and methods for tissue modulation

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8829274D0 (en) * 1988-12-15 1989-01-25 British Broadcasting Corp Improvements to rds radio systems
EP0617363B1 (en) 1989-04-13 2000-01-26 SanDisk Corporation Defective cell substitution in EEprom array
US5563828A (en) * 1994-12-27 1996-10-08 Intel Corporation Method and apparatus for searching for data in multi-bit flash EEPROM memory arrays
JP4008049B2 (ja) * 1995-03-20 2007-11-14 富士通株式会社 アドレス送信装置、アドレス送信方法およびアドレス送信システム
GB2291991A (en) * 1995-09-27 1996-02-07 Memory Corp Plc Disk drive emulation with a block-erasable memory
US6035432A (en) * 1997-07-31 2000-03-07 Micron Electronics, Inc. System for remapping defective memory bit sets
JPH1196081A (ja) * 1997-09-22 1999-04-09 Chishiki Joho Kenkyusho:Kk 記憶装置の制御方法および記憶装置ならびに記憶装置の製造方法
US6192072B1 (en) * 1999-06-04 2001-02-20 Lucent Technologies Inc. Parallel processing decision-feedback equalizer (DFE) with look-ahead processing
US20080071973A1 (en) * 2000-01-06 2008-03-20 Chow David Q Electronic data flash card with various flash memory cells
US7702831B2 (en) * 2000-01-06 2010-04-20 Super Talent Electronics, Inc. Flash memory controller for electronic data flash card
US7620769B2 (en) * 2000-01-06 2009-11-17 Super Talent Electronics, Inc. Recycling partially-stale flash blocks using a sliding window for multi-level-cell (MLC) flash memory
US6742078B1 (en) 1999-10-05 2004-05-25 Feiya Technology Corp. Management, data link structure and calculating method for flash memory
EP1130516A1 (en) * 2000-03-01 2001-09-05 Hewlett-Packard Company, A Delaware Corporation Address mapping in solid state storage device
US6738887B2 (en) * 2001-07-17 2004-05-18 International Business Machines Corporation Method and system for concurrent updating of a microcontroller's program memory
US7159141B2 (en) * 2002-07-01 2007-01-02 Micron Technology, Inc. Repairable block redundancy scheme
KR100457812B1 (ko) * 2002-11-14 2004-11-18 삼성전자주식회사 플래시 메모리, 그에 따른 플래시 메모리 액세스 장치 및방법
GB2395307A (en) * 2002-11-15 2004-05-19 Quadrics Ltd Virtual to physical memory mapping in network interfaces
US6901498B2 (en) 2002-12-09 2005-05-31 Sandisk Corporation Zone boundary adjustment for defects in non-volatile memories
US7043623B2 (en) * 2003-01-22 2006-05-09 Intelitrac, Inc. Distributed memory computing environment and implementation thereof
US20050144516A1 (en) 2003-12-30 2005-06-30 Gonzalez Carlos J. Adaptive deterministic grouping of blocks into multi-block units
KR100608592B1 (ko) 2004-01-27 2006-08-03 삼성전자주식회사 플래시 메모리의 데이터 관리 장치 및 방법
JP4235595B2 (ja) * 2004-09-30 2009-03-11 Tdk株式会社 メモリコントローラ、メモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム及びフラッシュメモリの制御方法
US20060161724A1 (en) * 2005-01-20 2006-07-20 Bennett Alan D Scheduling of housekeeping operations in flash memory systems
US7315917B2 (en) * 2005-01-20 2008-01-01 Sandisk Corporation Scheduling of housekeeping operations in flash memory systems
JP4665539B2 (ja) * 2005-01-31 2011-04-06 ソニー株式会社 メモリ制御装置、メモリ制御方法、プログラム
US7743303B2 (en) * 2007-01-22 2010-06-22 Micron Technology, Inc. Defective memory block remapping method and system, and memory device and processor-based system using same
US7669092B2 (en) 2007-02-26 2010-02-23 Micron Technology, Inc. Apparatus, method, and system of NAND defect management

Also Published As

Publication number Publication date
US20080209107A1 (en) 2008-08-28
US8892969B2 (en) 2014-11-18
CN101622675B (zh) 2015-11-25
KR101576898B1 (ko) 2015-12-11
US20100153793A1 (en) 2010-06-17
CN101622675A (zh) 2010-01-06
US20140115411A1 (en) 2014-04-24
US20130139012A1 (en) 2013-05-30
EP2115748B1 (en) 2015-11-11
JP5706945B2 (ja) 2015-04-22
JP2010519647A (ja) 2010-06-03
TWI377575B (en) 2012-11-21
KR20150093251A (ko) 2015-08-17
US7669092B2 (en) 2010-02-23
US8621294B2 (en) 2013-12-31
US8365028B2 (en) 2013-01-29
EP2115748A1 (en) 2009-11-11
JP2014041648A (ja) 2014-03-06
US7992060B2 (en) 2011-08-02
KR20090125145A (ko) 2009-12-03
WO2008106095A1 (en) 2008-09-04
US20110296261A1 (en) 2011-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200849266A (en) Apparatus, method, and system of NAND defect management
US9865351B2 (en) Memory system with non-volatile memory device that is capable of single or simulataneous multiple word line selection
US8732519B2 (en) Method for using bad blocks of flash memory
CN1270244C (zh) 存储器装置及存储器访问限制方法
US20080112222A1 (en) Non-volatile semiconductor memory device
TW200405349A (en) Nonvolatile memory device
CN105006251B (zh) Nand型闪存及其程序化方法
CN103914397B (zh) 闪存存储设备及其管理方法
CN110322918A (zh) 存储器件和操作该存储器件的方法
CN108062965A (zh) 半导体存储装置、控制器及其操作方法
US8634239B2 (en) Hybrid multi-level cell programming sequences
TWI272481B (en) Method and apparatus for performing multi-page write operations in a non-volatile memory system
US8045374B2 (en) Erase verification method of flash memory by selectively assigning deselected sectors
US8725930B2 (en) Semiconductor memory device
JP2006048746A (ja) メモリカード
US11327770B2 (en) Data storage devices, access device and data processing methods
US20120311243A1 (en) Method for increasing reliability of data accessing for a multi-level cell type non-volatile memory
CN102237130B (zh) 一种寻找多层单元闪存中最低有效位页的方法及系统
CN101685423B (zh) 记忆装置及其操作方法
US8122183B2 (en) Data managing method for flash memory and flash memory device using the same
JP2014021763A (ja) メモリ装置
CN118155695A (zh) 存储器及其测试方法、存储器系统
JP2004326962A (ja) 不揮発性半導体メモリ