TW200835388A - Organic electroluminescent device, display and electronic apparatus - Google Patents

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TW200835388A TW096134958A TW96134958A TW200835388A TW 200835388 A TW200835388 A TW 200835388A TW 096134958 A TW096134958 A TW 096134958A TW 96134958 A TW96134958 A TW 96134958A TW 200835388 A TW200835388 A TW 200835388A
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Emiko Kambe
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Description

200835388 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種有機電場發光元件(所謂有機el元 件)、及具有該元件之顯示裝置以及電子機器,特別是關 於在發光層含有發光性摻雜劑之有機電場發光元件、及具 有該有機電場發光元件之顯示裝置與電子機器。 【先前技術】
採用有機材料電致發光(electroluminescence :以下表示 為EL)之有機電場發光元件(所謂的有機el元件),其係於 陽極與陰極之間設有將有機電洞輸送層與有機發光層積層 之有機層、且可藉低電壓直流驅動進行高亮度發光之發光 元件而備受矚目。 圖9所示為上述有機電場發光元件之構成例之一的剖面 圖。圖不之有機電場發光元件2〇1,其包括由玻璃等構成 之透明基板202,設於基板202上之陽極203、設於陽極2〇3 上之有機層204、以及設於有機層2〇4上之陰極2〇5之構 成有機層204係具有將電洞注入層204a、電洞輸送層 2〇4b發光層2〇4c以及電子輸送層204d,自陽極203側 起依人層積而成之構成。該有機電場發光元件中, 丢本205所/主入之電子與自陽極所注入之電洞於發光 層204中再^合,且在該再結合之際所生成之光通過陽極 2〇3或陰極205進扞暮ψ。^ 丁蜍出此外,有機電場發光元件,其係 具有將陰極、有機層、陽^ ~♦ 自基板側起依次進行層積之 構成者。 ' 122600.doc 200835388
近年來,上述有機電場發光元件,旨在尋求更高效率 化、長壽命化。先前,作為電子輸送層204d一直採用如^ 爹工基圭琳銘(8_hydroxyquinoline alumimim(Alq3)),然而由 於Alq3電子移動度低,故報告有比Alq3具有較高電子移動 度之材料,如菲繞啉衍生物(例如參照專利文獻”或矽代環 戊一烯衍生物(例如參照非專利文獻2)。由於採用上述電子 輸送材料,電子注入得到強化,電子與電洞(孔)之再結合 區域集中於孔,主入電極(陽極2〇3)側,故再結合概率得以提 Γ7且發光效率得以提兩之同時,亦具有可進行低電壓驅動 之優點。然而,另一方面,由於電子與電洞之再結合區域 往陽極203側移動,到達電洞輸送層2〇4d之電子量會增 夕。而,作為電洞輸送層2〇4d 一般所採用之三苯胺衍生 物,在接受電子時,變得異常不穩定以致惡化。其結果會 縮短發光元件之發光壽命。 故而,致力於藉調整發光層或載體注入平衡實現長壽命 化。至於例如嘗試調整元件整體之載體平冑,揭示有於發 光^ 電子輸送層之間設置有電子注入限制層之有機電場 發光70件之例(例如參照專利文獻”。此外,至於調整好發 光層之載體平衡以嘗試擴大載體再結合區域,_示有設 置有電洞輸送材料·電子輸送材料•輻射源之混合層的有 機電場發光元件(例如參照專利文獻2、3)。再者,至於嘗 試調整發光層之載體積蓄,揭示有採用混合有載體移動度 各異之主體的有冑電場發光元件(例&參照專利文獻4、 5)另,揭不有採用具有辅助來自發光層的能量移動之辅 122600.doc 200835388 助掺雜劑之有機電場發光元件(例如參照專利文獻6、7)。 [專利文獻1]曰本專利特開2006_66872號公報 [專利文獻2]曰本專利特開20〇2·43063號公報 [專利文獻3]曰本專利特開3239057號公報 [專利文獻4]曰本專利特開3743005號公報 [專利文獻5]日本專利特開wood 〇6277號公報 [專利文獻6]曰本專利特開2005-108727號公報 [專利文獻7]曰本專利3370011號公報 [非專利文獻 1] Applied Physics Letter (美國)l〇th January 2000年,Vol· 76, No· 2,P197-199 [非專利文獻 2] Applied Physics Letter (美國)Hth January 2002年 ’ Vol· 80,No· 2,P189-191 [發明欲解決之問題] 然而,專利文獻1中記載之有機電場發光元件,由於設 置有電子注入限制層使得電子朝發光層注入受到限制,故 而,雖能達到元件長壽命化,然電子與電洞再結合區域之 發光效率降低。另,專利文獻2〜6中記載之有機電場發光 元件,亦存在由於電子與電洞再結合區域擴大,發光效率 降低之問題。更有甚者,專利文獻7中記載之發明,記載 有於不易發生能量移動之主體摻雜劑中混合用以促進能量 移動之紅螢烯。然,該技術係為僅限於從能量不易移動之 激發能量之大主體中導出紅色發光之技術,此外,該技術 依然存在有摻雜劑漢度消耗引起之效率降低問題。 因此,上述所做長壽命化之嘗試結果均與發光效率之高 122600.doc 200835388 效率化背道而馳。另,介# 另 亦有猎增加發光層中含有 劑,試圖達到發光效率之高 ^3有之摻雜 發光層中所含之摻雜劑為=筹嘗試,然 堆積而產生濃度消光,而仍 里依據 有發先奇叩顯著縮短之問題。 故’本發明之目的係為裎 .士 乎為麩供一種可同時實現高效率化與 長哥命化之有機電場發光元件。 【發明内容】 [解決課題之技術手段] 到上述目的之本發明係一種有機電場發光元件,1 與陰極之間,夹持有至少具借發光層之有機層: ###J〇 有兩種以上發出同色系光之 :,本發明有關一種顯示裝置,其係於基板上配置形成 有機電場發光元件之顯示裝置,該有機電場發光元件係在 陽極與陰極之間’爽持有至少具備發光層之有機層,盆特 徵在於:上述發光層含有兩 : S出问色糸光之摻雜 背J。再者,本發明有關一種電子^ … 电十铖态,其特徵在於具有上 述顯示裝置作為顯示部。 依據上述有機電場發光元件、顯 卞顯不裝置、及電子機器, 將發光層中含有2種以上發出同务会 色系光之摻雜劑的情況與 發光層中僅含有一種摻雜劑之情 况進行比較,前者之發光 效率較高。此外,由於發光層中含有異種摻雜劑,可抑制 堆積,故在不產生濃度消光的情況下亦能增加摻雜劑之總 含有量。由此達到延長發光壽命。 122600.doc 200835388 [發明之功效] 依據如上述之本發明,可達到高效率化與長壽命化,故 能以低耗電力實現長期信賴性優異之顯示器。 【實施方式】 • 以下就本發明之實施方式進行詳細說明。 ^ 圖1係顯示本發明之有機電場發光元件一構成例之剖面 圖。該圖所示之有機電場發光元件11,具有設於基板12上 之陽極13、重疊設於該陽極13上之有機層14、以及設於該 ® #機層14上之陰極15。 以下說明中,係以自陽極13注入之電洞與陰極1 5所產生 之電子在發光層14c内結合時所產生的光,自基板12與相 反側之陰極15導出之上面發光方式的有機電場發光元件^ 之構成加以說明。 首先’設有有機電場發光元件11之基板12,係從如玻璃 之透明基板、矽基板、以及薄膜狀軟性基板等中適當選擇 φ 使用。另,使用該有機電場發光元件11構成的顯示裝置之 驅動方式為主動矩陣方式時,基板12宜採用每像素設有 TFT之TFT基板。此時,該顯示裝置係成為以TFT驅動上面 發光方式之有機電場發光元件11之構造。 〜 因此,為有效率地注入電洞,該基板12上所設之作為下 部電極之陽極13為可增大來自電極材料之真空準位的功函 數者,如鉻(C〇、金(Au)、氧化錫(Sn02)與銻(Sb)之合金、 氧化鋅(ZnO)與鋁之合金、銀(Ag)合金、以及上述金屬咬 合金之氧化物等,以單獨或混合狀態使用。 122600.doc 200835388 有機電場發光元件11為上面發光方式的情況下,若陽極 13係以南反射率材料構成,則可能以干涉效果以及高反射 率效果而改善光線向外射出之效率,此類電極材料宜採用 乂 A1八§專為主要成分的電極。上述高反射率材料層 上’右设有如ITO等功函數較大的透明電極材料層,則亦 可能提高载體注入效率。
且,使用該有機電場發光元件11構成的顯示裝置之驅動 方式為主動矩陣方式時,陽極13係對設有TFT之每像素進 行圖案化。因此,陽極13之上層設有圖示中省略之絕緣 膜’各像素之陽極13表面自該絕緣膜開口處露出。 另有機層14係自陽極13侧依序使電洞注入層i4a、電 洞輸送層14b、發光層14c、電子輸送層i4d積層者。上述 各層係包3藉真空蒸鍍法或例如旋轉鍍層法等之其他法所 形成的有機層。上述各層中,電洞注入層⑷、電洞輸送 層Wb、電子輸送層14d係採用一般材料。 又,作為本發明之特徵構成,發光層14c係含有2種 Μ上 發出同色系光之摻雜劑 至於:光摻雜劑,可舉例如苯乙烯基苯系色素、噁唑系 色素?£系色素、香豆素系色素、吖啶系色素等雷射用色 素’恩仿生物、莽四贫夕, 开本何生物、弁五苯衍生物、窟 (chrysene)衍生物箄之客公壬― 方香知煙糸材料’。比p各次甲基構 架化合物或金屬錯人物、& 口 圭吖啶酮衍生物、氰基次甲基吡 喃系衍生物(DCM、DCJTm #、,办. / )、本并嘆嗤系化合物、苯并咪 σ坐糸化合物、金屬螯人务 鸯緊口化之類噁辛化合物、硼化合物等之 122600.doc 200835388 螢光材料,由上述材料中挑選2種 種以上發出同色系 料加以使用。由此,與發光層14e中所含之摻_ 引起之濃度消光。 種的情況下相較,其可抑制摻雜劑含有量增加 接 21 士〇 、曲tit、、上算^槓所 此處,發光層14c中所含之2種以上的捧雜劑, 同-條件下進行測定時,螢料值波長的差在4Gnm:内 之摻雜劑,更好為H) nm以内。若使用2種以上之在該範圍
内之掺雜劑’由於顯示相同發光波長,故能量位準差異 小,且能抑制激發錯體(exciplex)之生成。又,2種以上^ 摻雜劑顯示相同發光波長,故可獲得辨識性優異之有機電 場發光元件。該發光層14e中之各摻雜劑濃度為膜厚比 0.5%以上15%以下。 此處,藍色發光波長區域為435 ⑪瓜,作為藍色 發光摻雜劑可舉例如下述結構式(丨)·“〗所示之硼化合物、 下述結構式(2)-1〜3所示之苯乙烯基苯系色素、下述結構式 (3)所示之篇衍生物、及下述結構式(4)所示之并四苯衍生 物。 [化1]
122600.doc -11 - 200835388
…結構式⑴一 2 …結構式(1)—3 結構式(t)_4 ·__ 構式(1) 一 5 [化2]
122600.doc -12- 200835388
•結構式(2)-2
“·結構式(4) 另,紅色發光波長區域為595 nm〜635 nm,作為紅色發 光摻雜劑可舉例如下述結構式(5)-1〜6所示之硼化合物、下 述結構式(6)·1〜5所示之二氰基次甲基吡喃系衍生物。 122600.doc -13- 200835388 [化4]
[化5]
•结構式(6)-3 122600.doc -14- 200835388
再者,綠色發光波長區域為495 nm〜535 nm,作為綠色 摻雜劑,可舉例如下述結構式(7)-1〜4所示之硼化合物、下 述結構式(8)-1〜3所示之香豆素系色素、下述結構式(Μ-ΐ 〜3 所示 之蒽衍 生物。 [化6]
結構式(7〉一 1
122600.doc •15- 200835388 [化7]
•••结構式(8)-2
結構式(8) — 3 [化8]
••結構式(9)一2
,•结構式(9)一3 122600.doc •16- 200835388 —另,作為電子輸送層14d,可使用包含例如蒽衍生物、 ^、vo啉何生物、矽代環戊二烯衍生物、或具有氮雜芳基構 架之鹼金屬及鹼土金屬、或鑭系元素(La、Ce、Pr、Nd、
Sm: Eu、Gd、Tb、Dy、H〇、匕、Tm、竹、㈣之金屬以 及氧化物、複合氧化物、氟化物材料之構成。
此處,作為電子輸送層14d,由於上述材料中亦採用電 子注入性強的f衍生物、菲繞琳衍生物、石夕代環戊二稀衍 生物可將所需電子充分有效地注入發光層i4c,故而較 好據此,與上述構成之發光層14c組合,再結合區域之 局部化成為可能,使注入因數(對於發光層i4c之電子與電
洞的注入平衡)γ接近1而達到高效率化同時更可做到長I 命化。 可 另,構成有機層14之各層ua〜Ud亦可兼具其他要件。 做為此等例,例如發光層14c可兼作為電子輸送層⑷之電 子輸送性發光層、又相反地亦可兼作為電洞輸送層l4b之 電洞輸送性發光層。再者,各層14a〜⑷分料為積層構 造。例如發光層14c係由藍色發光層、綠色發光層以及红 色發光層之積層構造所構成,其亦可構成發出白光之有機 電場發光元件。 其次’陰極15係使心函數較小之材料,構成財 Η相連接之層,且為透光性良好之構成。上述構成,例: 陰極15成為自陽極13側起依次積層第丨層、第2層bb、 及視情況之第3層(圖示省略)之構造。 S 、 第1層仏採用功函數小、且透光性良好之材料所構成。 122600.doc 17· 200835388 此類材料舉例有如Li2〇 ' CS2〇、UF或CaF2等鹼金屬氧化 物、鹼金屬氟化物、鹼土金屬氧化物及鹼土金屬氟化物。 另,第2層15b係由薄膜之MgAg電極或Ca電極等之具有透 光丨生且‘電性良好之材料所構成。此外,若該有機電場發 光元件11為尤其是於陽極丨3與陰極丨5間,使發光光束共振 而發射出之之孔穴結構之上面發光元件時,則第2層工%之 構成宜採用如Mg-Ag般之半透性發射材料。再者,視需要 進而積層之第3層係由例如透明鑭系元素氧化物所構成, 形成作為用於抑制電極惡化之封裝電極。 另,以上之第1層15a、第2層15b、及第3層係採用真空 蒸鍍法、濺鍍法、以及電漿CVD法等方法所形成。此外, 右採用該有機電場發光元件構成之顯示裝置的驅動方式為 主動矩陣方式時,則陽極15藉由此處圖示省略之覆蓋於陽 極13周緣之絕緣膜以及有機層14,在與陽極13絕緣的狀態 下,於基板12上形成底層膜,其可作為於各像素之共通電 極。 圖2所示為採用上述有機電場發光元件丨所構成之顯示裝 置20之面板構成之一例的概略電路結構圖。 如圖所示,在顯示裝置20中配置有有機電場發光元件u 之基板12上,设定顯示區域12a與及其周邊區域12b。顯示 區域12a係為以下構成:複數根掃描線21與複數根信號線 23縱横配線,與各自交叉部相對應,各設有丨個像素之像 素陣列部。再者,周邊區域12b配置有掃描驅動掃描線以 之掃描線驅動電路25與將對應於亮度資訊之影像信號(即 122600.doc -18- 200835388 輸入信號)供至信號線23之信號線驅動電路27。
掃描線21與信號線23之交叉部所設有之像素電路係以例 如開關用的薄膜電晶體Trl、驅動用的薄膜電晶體Tr2、保 持電容Cs、以及有機電場發光元件11所構成。此外,藉由 掃描線驅動電路25之驅動,將信號線23所寫入之影像传 號,通過開關用薄膜電晶體Trl,保持於保持電容Cs,盘 所保持信號量相對應之電流由驅動用薄膜電晶體Tr2供給 至有機電場發光元件Π,有機電場發光元件1 1以對應於上 述電流值之亮度進行發光。另,驅動用薄膜電晶體Td與 保持電容Cs與共通電源供給線(Vcc)29相連接。 此外,如上述之像素電路構成僅為其中一例,必要時可 於像素電路内設置電容元件,進而亦可設置複數個電晶體 以構成像素電路《另,周邊區域12b亦可追加與像素電路 變更相對應之所需驅動電路。 且,如上述之顯示裝置中,覆蓋配置有有機電場發光元 件11之顯示區域的封裝罐與基板12之間,有機電場發光元 件11設為封裝狀態,或填充於基板12與相對基板間的樹脂 中’有機電場發光元件U設為封裝狀態,而防止構成顯示 裝置之有機材料劣化。3,該顯示裝置在由與基板12之相 反側進行發光光束導㈣,宜將透光性樹脂填充至透光性 相對基板與基板12之間而封裝有機電場發光元件U之構 亦包括圖3所示之已封裝 以包圍住像素陣列部之顯 例如,本發明相關之顯示裝置 構成之模組形狀者。例如相當為 122600.doc 200835388 示區域12a之方式,設有密封部31,以該密封部3ι作為黏 著劑,黏貼至透明玻璃等相對部(封裝基板33)而形成之顯 示模組。該透明封裝基板33上亦可設有彩色過濾片、保護 膜、遮光膜等。且,形成有顯示區域12a作為顯示模组之 基板12上,亦可設有用以自外部向顯示區域12&(像素陣列 部)進行信號輸入之軟性印刷基板35。 依據上述之有機電場發光元件及顯示裝置,將發光層 中S有2種以上發出同色系光之摻雜劑的情況與發光層 14c中僅含有—種摻雜劑之情況進行比較,前者之發光效 率有所提高。此外,由於發光層14c中含有異種推雜劑, 可抑制堆積,故可增加摻雜劑之總含有量。由此使實現低 耗電力且長期信賴性優質之顯示器成為可能。 且,本發明之有機電場發光元件並非限定於採用TFT基 板之主動矩陣方式的顯示裝置所用之有機電場發光元件, 亦可適合作為使用於被動方式之顯示裝置之有機電場發光 元件’且可獲得相同效果。於被動方式之顯示裝置情況 下,其構成為以上述陰極15與陽極13之一作為信號線,另 "者作為扣*描線。 此外,上述實施方式中,就自設於與基板12相反側之陰 極15進打發光導出之「上面發光型」的情況進行說明。 ^本毛明以透明材料構成基板12,故亦適用於自基板J 2 侧進灯發光導出之「透過型」有機電場發光元件。該種情 況下,採用圖1進行說明之積層構造中,由透明材料所構 、 板2上的私極13,係採用如ITO等功函數大的透明 122600.doc -20- 200835388 電極材料所構成。由皮匕,可由基板12似與基板12之相反 Ο兩侧進行♦光導出。另,上述構造中,由於陰極1 5係以 射材料所構成,故只可由基板丨2側進行發光導出。此種 f月況下亦可在陰極15之最上層設置AuGe或An、Pt等之 - 封裝電極。 - 再者,使用圖1所說明之積層構造,即使為自由透明材 料所構成之基板12側反向進行積層,以陽極13作為上部電 φ 和之構成,亦可構成自基板12側進行發光導出之「透過 型」的有機電場|光元件。必匕冑情況了,使成為上部電極 之陽極13變更為透明電極,則可由基板12側及與基板I:之 相反側兩側進行發光導出。 另,上述實施方式所說明之本發明的有機電場發光元 件亦可適用於以具有發光層之有機層單元所積層之堆積 型有機電場發光元件。此處所謂堆疊型,係為多光子射出 凡件(ΜΡΕ元件),如,特開平11-329748號公報中述及以複 Φ 數有機電場發光元件係介以中間導電層電性串聯為其特徵 之元件。 另,特開2003-45676號公報及特開2〇〇弘27286〇號公報 中,記載有實現多光子射出元件(MPE元件)的元件構成之 - 揭不及詳細實施例。由此,將有機層單元以2個單元進行 積層時,理想上,在1 m/w不發生變化的情況下可使 變為2倍;於3層積層時,理想上,在i m/w不發生變化的 情況下可使cd/A變為3倍。 故,將本發明應用於堆疊型時,因其作為堆疊型可提高 122600.doc -21 - 200835388 效率進而可達到長#命化,上述效果與本發明之長壽命 化效果互為相乘效果,故而可獲得壽命極長之元件。 <適用例> 又以上°兒明之本發明相關的顯示裝置,可適用於圖4〜 圖8所示之各類電子機器’例如數位相機、個人筆記型電 腦、行動電話等的手提式終端裝置、攝影機等之輸入至電 子機器的影像信號、或電子機器内所生成之影像信號以圖 像或影像進行顯示之所有領域的電子機器之顯示裝置。以 下,就本發明所適用的電子機器的一例進行說明。 圖4為本發明所適用之電視機的立體圖。與本適用例相 關之電視機,係包括由前面板1〇2、濾光玻璃1〇3等構成之 影像顯示晝面部1G1,該影像顯示畫面部1G1係採用本發明 相關之顯示裝置製作而成。 圖5所示為本發明所適用之數位相機圖示,為由正面 觀察之立體圖,(B)為自反面觀察之立體圖。與本適用例 相關之數位相機,係包括閃光用發光部m、顯示部Η:、 選單鍵113、閃光按鈕114等,其顯示部112係採用本發明 相關之顯示裝置製作而成。 圖6所示為本發明所適用之個人筆記型電腦之立體圖。 與本適用例相關之個人筆記型電腦,係包括將文字等輸入 至本體121時操作所用鍵盤122、顯示圖像之顯示部123 等,其顯示部123係採用本發明相關之顯示裝置製作 成。 圖7所示為本發明所適用之攝影機之立體圖。與本適用 122600.doc -22- 200835388 幻相關之攝像機,係包括本體部13 1、面向前方之於側面 上之被拍攝物攝影用之透鏡132、拍攝時之開始/停止開關 133、顯不部134等,其顯示部134係採用本發明相關之顯 示裝置製作而成。 圖8所示為本發明所適用之攜帶式終端裝置、如行動電 話之圖示,其中,(A)為開啟狀態時的正面圖、(B)為其側 面圖、(c)為閉合狀態時的正面圖、(D)為左側視圖、(e)為 右側視圖、(F)為上視圖、(G)為底視圖。與本適用例相關 之订動電話,係包括上部框體141、下部框體142、連接部 (此處為樞紐部)143、顯示器144、副顯示器145、圖像燈 146、攝像頭147等,其顯示器144及副顯示器145係採用本 發明相關之顯示裝置製作而成。 [實施例] 以下就本發明具體實施例及與實施例相對應t比較例的 有機電場發光元件之製造步驟及其評價結果進行說明。 <實施例1> θ於上述實施形態中,形成有圖丨所說明之構成的有機電 %發光兀件11。以下就有機電場發光元件〗i之製造步驟進 行說明。 首先,於由30 mmx30 mm的玻璃板所構成的基板12上形 成有含10 wt%歛、膜厚為12〇 nm之銘合金層的陽極u。再 者,通過s!〇2蒸鍍,製造2 mmx2咖的發光區域之外罩 上絕緣膜(圖示省略)的有機電場發光元件用單元。 其次’於陽極13上,蔣φ止節立八 將出先興產公司所製造的HI-4〇6藉 122600.doc -23- 200835388 由真空蒸鍍法形成膜厚為10 nm(蒸鍍速度為0.2〜0.4 nm/sec)之電洞注入層丨仏。且,ΗΙ-4〇6為電洞注入性材 料。 另於其上部,將出光興產公司所製造的111^32〇藉由真空 蒸鍍法形成膜厚為10 nm(蒸鍍速度為〇·2〜〇·4 nm/sec)之電 洞輸送層14b。且HT-320為電洞輸送性材料。 再者,於電洞輸送層14b上,係將下述結構式(10)所示 ADN[9,10-二-(2-萘基)-蒽]作為主體,含有藍色發光摻雜 劑的下述結構式(11)所示之的苯乙烯衍生物(發光峰值波長 為45 1 nm)與下述結構式(12)所示之侧化合物(發光峰值波 長為448 nm)作為摻雜劑形成發光層14c:。上述苯乙烯衍生 物與硼化合物之摻雜劑濃度係使膜厚比分別成為5%之方 式,藉由真空蒸鍍法,使該等材料與隨後所示之電子注入 層的總膜厚成為36 nm之方式,調整發光層14e之膜厚而成 膜。該等藍色發光摻雜劑之發光峰值波長差為1〇 nm以 [化9]
122600.doc -24· 200835388 [化 ίο]
• ••結構式(1 1)
[化 11]
••結構式(12) 其次,於發光層14c上,採用巴索庫布羅因 (Bathocupuroine)所組成之菲繞啉衍生物,藉由真空蒸錢 法,形成10 nm(鍍氣速度0.1 nm/sec)之膜厚作為電子輸送 層 14d 〇 如上述形成電洞注入層14a〜電子輸送層14d為止的有機 層14後,將LiF藉由真空蒸鍍法形成約〇·3 nm(蒸鍍速度〇·1 nm/sec)之膜厚作為陰極15之第1層15a,其後,將MgAg藉 由真空蒸鍍法形成10 nm之膜厚作為第2層15b,而形成2層 構造之陰極15。 <實施例2> 此實施例中,除電子輸送層l4d之巴索庫布羅因以Alq3 122600.doc -25- 200835388 替代之外,其餘均參照實施例1之相同方法進行有機電場 發光元件之製作。 <比較例1> 相對於上述實施例1、2之比較例1,除變更實施例1之發 - 光層14〇外,其餘均參照實施1之相同方法進行有機電場發 - 光元件之製作。發光層14c係以上述結構式(1〇)所示之ADN 為主體’且含有藍色發光摻雜劑之上述結構式(11)所示的 苯乙烯衍生物使成為5%膜厚比。 <比較例2> 相對於上述實施例1、2之比較例2,除變更實施例1之發 光層14c外,其餘均參照實施1之相同方法進行有機電場發
光το件之製作。發光層14e係以上述結構式(1〇)所示之ADN 為主體’且含有作為藍色發光摻雜劑之上述結構式(11)所 示的苯乙烯衍生物使成為5%膜厚比,且以電洞輸送材料α_ NPD(N,Nf-二(萘-1-基)_Ν,Ν’_二苯基聯苯胺)取代上述結構 • 式〇2)所示之硼化合物,並使其濃度成為膜厚比5%之方式 含有。 <比較例3> 相對於上述實施例丨、2之比較例3,除變更實施例丨之發 光層14c外,其餘均參照實施i之相同方法進行有機電場發 光疋件之製作。發光層14c係以上述結構式(1〇)所示之ADN 為主體,且含有作為藍色發光摻雜劑之上述結構式(n)所 示的本乙烯讨生物使成為5 %膜厚比,且含有作為紅色發 光摻雜劑之下述結構式(13)所示之(2_(1,^二曱基乙基) 122600.doc -26- 200835388 (2-(2,3,6,7-四氫-1,1,7,7-四甲基-111,511-苯并卩』]喹嗪-9-基)乙烯基)-4H_吡喃·4_亞基)丙烷二腈((2-(1,1-01〇^化丫16仇71)-6-(2-(2,3,6,7-tetrahydro· 1,1,7,7-tetramethyllII,5II-benzo[i j] quinolizin-9-yl)ethenyl)-4H-pyran-4-ylidene)propanedinitrile (DCJTB))(發光峰值波長615 nm)之濃度使成為膜厚比5%。 [化 12]
<評價結果> 如上述所製作之實施例1、2及比較例1-3之有機電場發 光元件,測定其電流密度為10 mAcnT2時的電壓(V)以及電 流效率(cd/A)。另,以125 mA/cm2定電流驅動時之初期亮 度作為1,將相對亮度降低至0.9以下的時間作為發光壽命 進行測定,並測出此時驅動電壓上升幅度(△ V)。其結果 如下表1所示。 122600.doc -27- 200835388 [表1] 發光層 電子 電流 效率 (cd/A) 電壓(V) 時間(h) 電壓上昇 幅度 (△V) 主體 摻雜劑 輸送層 實施例1 ADN 式(11)+式(12) 巴索庫 布羅因 6.3 5.5 420 0.05 實施例2 ADN 式(11)+式(12) Alq3 4.3 7.5 400 0.1 比較例1 ADN 式(11) 巴索庫 布羅因 5.8 5.5 120 0.3 比較例2 ADN 式(ll)+a-NPD 巴索庫 布羅因 '3.3 5.3 300 卜 0.05 比較例3 ADN 式(11)+式(13) 巴索庫 布羅因 0.3 62 20 0.3 …ν, ό ώ裡从工籃巴贫无膠雜劑 之實施例1、2的有機電場發光元件,與比較例卜3之有機 電場發光元件進行比車交,確認、前者之壽命長達4⑼U 上,電壓上升幅度亦可抑制在01 ν以下。特别是,於電 子输送層14d採用由巴索庫布㈣構成的菲繞切生物之 只加例1之有機電場發光元件’其與電子输送層⑷係採用 Alq3之實施例2的有機電場發光元件進行比較,可確認由 於其電子注人效率增加,使電壓降低,電流 了 ^上可說明’基於發光層14e中含2種以上藍色發^雜 劑,可實現高效率化及長壽命化。 多” 【圖式簡單說明】 剖:本發明實施形態相關之有機電場發光元件構成之 圖2為實施形態之顯示裝置之一電路構成圖。 圖3為適用本發明之已封裝構成之模 成圖。 幻顯不裝置構 圖4為適用本發明之電視機立體圖。 122600.doc -28- 200835388 圖5為適用本發明之數位相機顯示圖,(A)為 之立體圖,(B )為自反側觀察之立體圖。 正面觀察 圖6為適用本發明之個人筆記型電腦之立體圖。 圖7為適用本發明之攝影機之立體圖。
圖8為適用本發明之攜帶式終端裝置,例如 圖式,(A)為開啟狀態時之正面圖、(B)為其側 閉合狀態時之正面圖、(D)為左側視圖、(£)為 (F)為上視圖、(G)為底視圖。 行動電話之 面圖、 右側视圖、 圖9為先前有機電場發光元件構成之剖面圖 【主要元件符號說明】
11 13 14 14c 14d 15 20 有機電場發光元件 陽極 有機層 發光層 電子輸送層 陰極 顯示裝置 122600.doc -29-

Claims (1)

  1. 200835388 十、申請專利範園: 1. 2· 3.
    :種有機電場發光元件,其係在陽極與陰極之間, 有至少具傷發光層之有機層,其特徵在於: ::發先層含有兩種以上發出同色系光之摻雜劑 明、項1之有機電場發光元件,其中2種以上的上 雜劑之發錢峰波長差為4Gnm以内。 如請求項1之有機電場發光元件,其中上述陰極與 :光層之間’配置有含蒽衍生物、菲繞啉衍生物、 ^戍一稀衍生物之層。 夹持 述摻 上述 矽代 考二員示衣置,其係於基板上排列形成有機電場發光元 件而成,該有機電場發光元件係在陽極與陰極之間,夾 持有至少具備發光層之有機層,其特徵在於: Λ 上述有冑電場發光元件之上述發光層纟有兩種以上發 出同色系光之摻雜劑。 Χ
    5·種電子機裔,其係具有顯示部,該顯示部係於基板上 排列形成有機電場發光元件而成,該有機電場發光元件 係在陽極與陰極之間,夾持有至少具備發光層之有機 層,其特徵在於: 上述有機電場發光元件之發光層含有兩種以上發出同 色糸光之換雜劑。 122600.doc
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