TW200833159A - Electric heating device for hot runner systems - Google Patents

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TW200833159A
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TW
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electric heating
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patent application
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TW096134395A
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Inventor
Herbert Guenther
Original Assignee
Guenther Heisskanaltechnik
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Description

200833159 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 或熱 本發明關於熱通道系、统(特別是熱通道噴嘴及 通道分配器)用的一種電加熱裝置。 【先前技術】 …通迢系統用在射出成形工具中,以將-可流動的物 料一例如一種塑膠熔融物〜在一可預設的溫度 下送到-個可分離的模喪入物。它們大多有一根呈 通道的材料管,該材料管終止於—喷嘴口件。該喷嘴二 末端構成一喷嘴出口開口’ t玄出口開口經由, 口於模喪人物(模座)巾。為了使該可流動物料不致在材 ::π冷卻’故設有一個或數個電加熱裝置,該電加 熱衣置一直伸到喷嘴口件進去,以使溫度分佈儘量均句。 舉例而言’此電加熱裝置可設計成具有螺線圈形加執 元件的分別的構件的形式,它整合在—管形的函罩中,2 可在周圍侧插到該材料管上,如肌㈣撕⑽或us 455咖㈣示者,該函㈣—種㈣的疋材,該 用附加的保持或夾h件沿軸向以在材料管上。如不採 此方式也可將此加熱件設計成位在電絕緣層(它們可具 不同的導熱能力)《間的可撓性加熱條或可撓性加敎薦的 形式。該加熱薦固定在材料管的外周i。為此,歐洲專利 1 〇〇23 153提供導熱的膠帶’❿國際專利WO 97/03540 可使用具有自料(vel⑽W)或按扣的可繞性保持 200833159 帶。 這些習知加熱裝置的一缺點在於度量尺寸較大,因此 該熱通道喷嘴在建入時需要有許多可用空間,這點在大部 分的使用情形並非所要者,特別是當模座(Nest)的間隔 要很小時尤然。此外,較大的尺寸需要較高的加熱工率, 這點在能量消耗上有不利作用。此外,由於要加熱的質量 大,故變熱及冷卻的階段加長,如此,就提高生產速率方 面而言,受到限制。 為了解決這些問題,德專利DE-A-19941 038主張在一 材料管的壁(它和一條流動通道相關)上利用直接施覆以 材料癒合的方式施至少一個絕緣層及至少有一個加熱導線 路的加熱層,因此將加熱裝置與材料管設計成一件式,在 此,舉例而言,直接施覆作業係使用膜技術、厚層技術或 網版印刷技術達成,其中這些層在施覆後各分別地或同時 地燒入。將加熱裝置以材料癒合的方式設在層中的作業係 用於與流動通道的壁作永久性的牢固接合,並用於牢牢地 保持在該熱通道分配器或熱通道喷嘴上。由於利用直接施 覆使厚度尺寸报小,因此該加熱裝置整體上只佔少許空 間,所有比起上述加熱裝置來,當功率特點近乎相同時, 其構造形狀可極緊密。此外,該功率密度可明顯提高,這 是因為熱係直接在所要加熱的熱通道元件的表面上產生及 取出之故。如此,這些加熱元件(它們大多為敏感易受損 者)過熱的情事可避免。此外,該噴嘴可迅速及準確加熱 及再冷卻,這點對整個生產過程很有利。 6 200833159 必要的::些具:材管加熱裝置的-缺點在於:加熱裝在 選擇、::夕下不此更換’也很難修理,此外加熱層的材料 1^1限制’故只能用—些材料,其燒人溫度要很低, s (匕—般由材料鋼製以同樣地受到該燒入溫 二:入過程時不會改變。因Λ,加熱導線層的燒入溫 又传超過材料管的材料的優異化溫度。 【發明内容】 種種缺點並提供一種 造。特別是提供一種 一種較佳的熱通道噴 本發明的目的在避免先前技術的 車乂仏的加熱裝置,它可簡單廉價地製 相關的方法,一種較佳的熱通道系及 嘴。 本發明的主要特徵見於中請專利範圍第卜23、25、28 項’申請專利範圍第2項、24、26〜27、27〜34項係進一 步的特點。 、、依本發明,熱通道系統(特別是熱通道喷嘴及/或熱 通逼分配器)肖的一種加熱裝置至少有一管形或匣形設計 勺載體元件以及至少一個帶有一加熱導線路的加熱層,其 :該加熱層由一燒入之落片或—燒入的厚層膏構成。由於 該載體元件設計成管形或匣形構造,故舉例而言,整個加 $裝置可推到一加熱通道噴嘴的材料管上,如此造成一種 $體上二部式的構造,由加熱裝置與材料管構成。該加熱 裴置可對應地更換,由於加熱層係為一燒入的箔片或一燒 入的厚層膏,因此加熱裝置厚度尺寸很小,因此整個加熱 200833159 裝置只佔少許空間,因此比起其他加熱裝置,當功率特點 近^相同日寺’熱通道喷嘴可以極緊密,此外該加熱裝置可 簡單廉價製造,這點對製造成本很有利。 在該加熱層上方至少設有一電絕緣遮蓋層,該層由外 將加熱層及載體元件遮蓋住並作電絕緣。此遮蓋層宜設成 加熱裝置的最外層。 為了將流動通道中的「實際溫度」檢出,宜至少設有 一個層,當作一溫度感測器,其電阻與溫度有關。利用電 阻的變化,可連續地測定實際溫度,其中該測量值可用於 调節本發明的加熱裝置。該用於當溫度感測器的層宜具有 一種正溫度係數(PTC)或負溫度係數(NTC)的材料。 如不採此方式,也可使用一種熱元件當作溫度感測器,其 構造與一電阻感測器相同,且測量點在喷嘴尖端附近。 此當作溫度感測器的層或該當作溫度感測器的熱元件 及加熱層,沿徑向宜在一共同平面中,如此本發明的加熱 裝置的構造空間可進一步減少,為了使熱接觸較佳,可在 此二層間有利地設一電絕緣的熱接觸層。 載體元件宜由一燒結材料(例如一陶瓷或一燒結金屬) 構成。但也可用一金屬、一合金、一種鋼或一鋼合金。使 用陶瓷有一好處,即:加熱導線或電阻金屬絲可直接設到 載體元件上,如果用一金屬,例如一種工具鋼、一種硬金 屬等,或一種鋼,則在載體元件與加熱導線之間設一絕緣 層’以將電阻金屬絲對載體元件造成電絕緣。但這種絕緣 層或中間層也可設在一陶瓷載體元件上,舉例而言,俾將 200833159 附著性改善。 中間層用)宜為一種玻璃 遮蓋層以及絕緣層(它當作 層’它在至少一道燒入程序後,相 之預應力’因此在載體元件受内壓 狀及/或陶瓷質之介電 對於載體元件受到壓力 層剝離(Delamination )的力量 程度發生)的力量抵消。此壓力 ••依载體元件之與膨脹相關的特 力負荷時會將絕緣層内的 (它和半徑有關地以不同 預應力宜用以下方式產生 丨而疋依各個案情形,將陶究絕緣層的膨服係古文 或遮蓋層的熱膨脹係數TECdea的比誤差(speeifie e_) TECde—TECM 或 TECdea—TECmf 得超過 5_10. 配合載體元件TECm之對應值作預設,其中這些差別膨服
K 此外該絕緣層及/或遮蓋層宜具有一種性質,在各燒 入溫度將載體表面潤濕。在特定狀況下,宜使該材料系統 至少部分地變到結晶狀態。 絕緣層/及或遮蓋層可具有一玻璃式或玻璃結晶式材 料系統,它至少含有一種預形成的玻璃,該玻璃在一可預 設的燒入溫度將載體元件的表面潤濕。此外該材系統可含 至少一種預形成的玻璃,它在一可預設的燒入溫度至少部 分地變成一結晶狀態。 如不用此方式(或除了此方式外同時另外)也可使該 材料系統含有另一種在燒入條件下不結晶的玻璃及/或至 少一種先前結晶的化合物,其中藉著將該材料系統之預形 成之玻璃式及結晶的成分的量比例在考慮其在各燒入過程 條件下各TEC的增加的情形下作最佳化,可得到一種陶究 200833159 介電層’其TEC值在〇〜π · 1〇-6/。辽範圍。 一在載體元件與絕緣層之間可另外設—平衡層,舉例而 言’它由化學鎳構成。這種平衡層同樣用於將載體元件與 絕緣層之間的不同熱膨脹係數平衡。此平衡層可用與絕緣 層及遮蓋層相同的方式施覆。 絕緣層及/或遮蓋層及’或平衡層宜為一種燒入的箔 片或-燒人的厚層f。但這些層也可利用引㈣覆或利用 熱鍍覆方式施覆。如不用此方式’也可作浸鍍(浸覆 , 隨後作燒入。 加熱導線路在加熱層中的設計及/或設置係配合各加 熱功率的需求。如此,舉例而言,以後在設在特別會發敎 的材料部段上的導線路部段可設計成具有較細或較粗的橫 截面,俾在此部段中釋出對應地更多或更少的熱能。〃 如果加熱導線路設計成螺旋形或婉誕形,則螺旋線的 螺距可部段式地選設成較小或較大,冑改變熱能釋出量。 此外導路的間隔可以部段式地選設成不同。 為了避免在加熱導線路的螺旋f點中呈點狀地產生加 度較高的位置(所謂「熱點」),在本發明的另一特點中-該婉挺情形加熱導線路的螺旋彎點巾至 附加的導電層,這種層橋將相鄰的加熱導線路 加見,mf點的導線路地電阻如所要地比其餘區域略 小,、因此利用此加熱裝置可達成極均勻的溫度分佈。 這些導電橋宜呈箔片或厚層膏的方式旋到加熱導線層 上。但這些層也可利用引爆層或用熱鐘覆而施覆。 200833159 在、纟巴緣層、加執道 接總爲 …、、、’㈢及/或溫度感測器之間可設一 ㈢。〜接觸層及/或該溫度感測器及 元件與加熱導線 飞4自又在載體 (絕緣層)宜選擇性地::作^ 們可簡單廉價地施覆,特::::片入的厚層膏。它 造極可靠且有利的加熱裝:Γ構造及使用’因此可製 接觸3二該:緣層及/或遮蓋層及/或平衡層及/或 —曰 或5亥當作溫度感測器用的層構成一種層複合物 (它將電阻金屬絲埋入), ° 緊密的構造。 α此本…加熱農置經常有 此外,本發明也關於一種熱通道系統,特別是一種埶 通道喷嘴或熱通道分配器,它具有上述種類的電加熱裝 置’此電加熱裝置隨該設計成f形或g形的載體元件係放 或推到一材料管、一棒、一分配器壁、一噴嘴或類似物上。 此外’本發明關於-具有—本發明之電加熱裝置的孰 通這喷嘴,其中該管形或e形設計放到一材料管上,形成 一種具有預定間隙的配合作用,此處該載體元件也可形成 該材料管,這點對熱傳送很有利。 最後,本發明關於一種製造一種熱通道系統(特別是 熱通道喷嘴及/或熱通道分配器)用的本發明的電加熱裝 置的方法,其中該加熱層及/或絕緣層及/或遮蓋層及/ 或接觸層及/或該當作溫度感測器的層用箔片技術或網版 印刷技術施覆。此施覆作業很容易嫻熟且可以組合起來出 奇地有利地實施,所產生之電加熱裏置可準確地且長期可 11 200833159 作&點對溫度的分佈及加熱元件的使用壽命整俨 上很有利。 且 :網:印刷技術施覆的層宜使用圓印刷技術呈膏的形 1^ : ^ ^可確保整體上程序的實施很經濟。所有的層
刀別^層且同時燒入(共燒)、燒入溫度S 800〜140(TC 之間。 本毛明的其他特點、細節及優點見於申請專利範圍的 予以及以下配合圖式之實施例的說明。 【實施方式】 乂下’圖中相同的圖號表示相同文件。 圖1中所示的熱通道噴嘴(12)有一殼體(圖未示), :糸-用於將熱塑性塑膠加工的射出成形, 有一個整髀3 Μ # , 0同形的材料管(13)可放入該殼體中。一個 宓圭才料管末端形成的接頭(17)與殼體在同一平面上,且呈 #式在刀配益上。在端處有一喷嘴尖端(18)放入(且 ^軸向縱向延伸的材料管(13)中,該噴嘴尖端 將该材料答d 1i 、 中形成的流動通道(14) 一直延續到一模座 C 圖未小 \ q> -y- ^ 同 十面(圖未示)中。喷嘴尖端(18)也可在相 月匕方式的場合與材料管(13)設計成一體。 Λ材料官(13)(它例如由鋼製成者)的壁(16)的外周 |£ I 卜-tKL. | (2 ▲、加熱裝置(1〇)。它包含一匣狀的陶瓷載體元件 八 /載體元件同時作電絕緣,一條捲繞在其上的電阻 i 屬絲(2 3)構忐 _ l 加…、¥線圈(22),它一如圖2的示意圖所 12 200833159 示’各依所要的溫度密度而定,也可配設成蜿蜒狀。在該 電阻金屬絲(22)上方施一個外遮蓋層(24),它由上方將加熱 導線圈(22)及其下方的載體元件(20)蓋住並作電絕緣。此可 任意配設的電阻金屬絲(23)可各依所需功率而定呈不同厚 度及/或設置施到載體元件(20)上。如此,在需要時可在 材料管(1 3)内達成一定之溫度分佈。 為了要能將材料管(13)内及壁(16)内的溫度的升高及走 勢追踪或控制及調節,故在載體元件(2〇)與遮蓋層(2句之間 設有一 PTC材料構成的溫度感測器(28),其電阻隨溫度上 升而增加(圖2)。為了要有較佳的熱接觸,可在電阻金 屬、、、糸(23)與’亚度感測為(28)之間存在一電絕緣的接觸層 (26),它在必要時也可設在其他層之間。 當作溫度感測器的層928)可一如加熱層(22),具有導 線路,該導線路當作熱感測器測量度走勢(見圖4),此 導線路(29)宜位在與加熱層(22)的加熱導線路(23)相同的平 面中,它們共同被遮蓋層(24)由側保護,用此方式,加熱 裝置(1〇)的高度減到最小,圖3、圖4及圖5顯示加熱導 路(22)的設計及溫度測量用的導路(29)的另種變更之可能方 式。 各層(22)(24)(26)(28)利用直接施覆方式呈材料癒合的 方式施到載體元件(20)上,然後在燒入條件(這些條件各 因材料而異作預設)下燒入,因此造成一種材料癒合方式 的複合物,它構成加熱裝置⑽。由於此層複合物的個別 功能層(2〇)(22)(26)(28),Μ其依材料而異的構造很相似 13 200833159 而互相有極佳的附著能力,因此 於機械性及/或熱負荷可長期地w ()正體本身對 Ί 了』長期地有極咼的抵抗力,在此声 ^物產生後,將加熱裝置⑽推到材料管(13)上,留一^ =間隙’此間隙選設成使加㈣置⑽在加熱的操作狀 的,不會受到因熱作用膨脹的材料管(13)魏,㈣常 可確保載體元件(20)與材料f(13)之間最佳的熱傳送。 較佳的熱傳送作用可藉著將载體元件内側或材料管外 側另外粗糙化而達成。要作較佳的熱傳送也可將載體元件 内侧或材料管外側設以暗色或黑色的層。此層可由一黑色 漆構成,例如在建構輻射加熱元件所用者,如不用此=式 (或除了此方式外’同時另外)也可使用暗色材料以作載 體官,例如黑色氧化鋁。如果使用金屬載體管,則可利用 燒入過程在管内側上造成金屬的黑色韌鍛色(Anlauf)。 適用於將個別功能層施覆的方法有箔片技術以及厚層 網版印刷技術,要施覆絕緣或遮蓋層則還有「引爆施覆法」 或熱施覆方法。然而宜利用圓印刷技術使用厚層網版印刷 技術。這些層可個別地或共同地燒入。 加熱導線圈(22)及溫度感測(28)的電阻金屬(23)(29)用 的電端子(23,)及(29,)可同樣地用厚層技術或傳統方式實 施。其中,為此所需的接點設計成使功率的供應或資訊的 傳輸可經由可插接的電纜接線達成。 圖6顯示一本發明的加熱裝置的一變更實施例的展開 圖及部分分格的示圖。因此加熱裝置(30)包含一管形或昆 形的載體元件(3 2),它大致相當於圖1及圖2所示之加熱 14 200833159 裝置⑽的載體元件(20),但不由㈣製成,而由—種 或合金製成。A 了作電絕緣’在載體元件(2q)上設— 層或-介電層(34),其上再設該系列:加熱導線圈(22)、、接 觸層(26)、溫度感測器(28)及遮蓋層(24),一如在圖2所八 的加熱裝置⑽,個別的功能層用與加熱裝置⑽;目同的: 式施力口。 為了用圓印刷技術產生介電層(34),故將一厚層介電 質膏施到載體元件(32)的表面上,此表面用習知方式弄粗 糙以使附著強度較佳。舉例而言’介電質膏的固體成份, 舉例而言,由一種玻璃構成,它在9〇〇t以上的溫度範圍 就地(in situ)結晶,其主成份Ba〇、ΜΑ、si〇2,其近 似之分子組成為Ba0、Al2〇3、Si〇2,。在燒入後所2得 電質層(32)在溫度範圍20〜30(rc時,TEC為6· 1〇_6/。&。 受到金屬壁(16)與介電質層(34)之間如此造成的τε^ 誤配合(Mismatch)(在5 . 1〇·6/^的度量級)影響, 當該載體元件(32)的壁(16)(它覆有介電質)在純粹彈性變 形的溫度範圍〔亦即在玻璃轉變溫度(約7〇(rc )與室溫 之間〕中冷卻時,要考慮到會造成約35〇〇巴的壓應力〔當 該介電質層(34)之假設的e模數為2· 1〇巴時〕。此壓力 預應力的大小尚未達到介電質的自身壓力強度的臨界極限 值(在6000巴以上開始)。因此即使如果載體元件(32)的 壁(16)在2000巴的負荷時呈圓筒狀膨脹時,此值也是以可 靠地防止在介電質層中發生拉應力以及在隨後的層中發生 拉應力。 15 200833159 本發明不於上述實施例,而係可作種種變更而不脫離 申請專利範圍所定義之本發明的保護範圍。 因此舉例而言,絕緣層及/或遮蓋層可具有一玻璃或 玻璃結晶式材料系統,它至少含有一種預形成的玻璃,該 玻璃在一可預設的燒入溫度將載體元件的表面潤濕。此外 違材料系統可含至少一種預形成的玻璃,它在一可預設的 燒入溫度至少部分地變成一結晶狀態。 如不用此方式(或除了此方式外同時另外)也可使該 材料系統含有另一種在燒入條件下不結晶的玻璃及/或至 少一種先前結晶的化合物,其中藉著將該材料系統之預形 成之玻璃式及結晶的成份的量比例在考慮其在各燒過程條 件下各TEC的增加的情形下作最佳化,可得到一種陶瓷介 笔層’其TEC值在〇〜9· ΐ〇-6/°κ範圍。 絕緣層及/或遮蓋層及/或平衡層宜為一種燒入的箔 片或-燒人的厚層膏。但這些層也可利用引爆鑛覆或利用 熱鑛覆方式施覆。如不用此方式,也可作浸鑛(浸覆過程), 隨後作燒入。 所有在申明專利範圍、說明書及圖式中所述的特點及 "ί炎點’包括結構細節、空間安 门女排及方法步驟,不論單獨地 或作各種不同組合,都在本發明範疇之中。 【圖式簡單說明】 圖1係一本發明的熱通道喑 有一 …、迴逼贺鳴的一示意剖面圖,它具 本發明的加熱裝置的第—實施例, 16 200833159 圖2係圖 示圖, 所示加熱裝置在解捲繞 及部分地分格時的 圖3係圖1及圖2的加熱裝置在解捲繞狀態的示圖, 具有一熱感測器, 圖4係另一種加熱及熱感測器設置, 圖5係具有熱感測器的加熱手段的另一實施例, 圖6係一本發明加熱裝置一變更實施例在部分解捲及 部分地摺起的狀態。 【主要元件符號說明】 (10) 加熱手段 (12) 熱通道喷嘴 (13) 金屬管 (14) 流動通道 (16) 壁 (17) 接頭區域 (18) 喷嘴尖端 (20) 載體元件 (22) 加熱層 (23) 加熱導線路 (23’) 端子 (24) 遮蓋層 (26) 接觸層 (2 8) 當作溫度感測器的層 17 200833159 (29) 導線路 (29’) 端子 (30) 加熱裝置 (32) 載體元件 (34) 介電質層

Claims (1)

  1. 200833159 十、申請專利範圍: 1 ·一種熱通道系統用的電加熱裝置(10)(30),特別是 熱通道喷嘴(1 2)及/或熱通道分配器用者,具有至少一個 設計成管形或匣形的載體元件(20)(30),且具有至少一個具^ 有加熱導線路(23)的加熱層(22),其中該加熱層(22)為一繞 入的fl片或一燒入的厚層f。 2 ·如申請專利範圍第1項之加熱裝置,其中: 該加熱層(22)上至少施覆一電絕緣的遮蓋層(24)。 3 ·如申請專利範圍第1或第2項之加熱裝置,其中: 設有當作溫度感測器用的導電層(28)設計成導電層的 形式,其電阻與溫度有關。 4 _如申請專利範圍第3項之電加熱裝置,其中: 該用於作溫度感測器的層(28)具有一種PTC或NTC材 料。 5 ·如申請專利範圍第3項之電加熱裝置,其中: 該溫度感測器(28)設計成熱元件形式,且由一種材料 構成’该材料適合產生熱應力。 6 ·如申請專利範圍第3項之電加熱裝置,其中: 。亥酿度感測裔(28),以及該構成加熱導線(22)的電阻金 屬絲(23)沿徑向位在一共同平面中。 7·如申請專利範圍第i或第2項之電加熱裝置,其中: 5亥載體元件(20)(3 0)由一種燒結材料製成。 8 ·如申請專利範圍第8項之電加熱裝置,其中·· 該燒結材料為一種陶冑、一燒結的金屬或一燒結的合 19 200833159 金0 9 ·如申請專利範圍第1或第2項之電加熱裝置,复 該載體元件(2〇)(32)由金屬或一合金、或鋼Y ,,、中: 製成。 或鋼合金 1 0 ·如申請專利範圍第i或第2項之電加 中: 、罝,其 該載體元件(20)(32)與電阻金屬絲(23)之間_ 層(3 4)。 、、、巴緣 中.1 1.如申請專利範圍第i或第2項之電加熱裝置,其 在載體元件(20)(32)與絕緣層(34)之間設有一平衡層。 中:1 2.如申請專利範圍第丨或第2項之電加熱裝置'其 该絕緣層(34)及/或遮蓋層(24)及,平衡層為—種破 式及/或陶瓷式的介電質層。 1 3 .如申請專利範圍第i或第2項之電加熱裴置,1 中: 〃 “巴緣層(34)及/或遮蓋層㈣及/或平衡層在至少一 逼燒入程序後相對於該載體元件(20)(32)。 ^ 4·如申請專利範圍第14項之電加熱裝置,其中: 為絕緣層(34)的線熱膨脹係數(TECD£)及遮蓋層(24) 、臬熱恥脹係婁i: (tecdea)及/或該平衡層的線熱膨脹係 婁欠在燒入私序後比載體元件(2〇)(3幻的線熱膨脹係數 ()更小。 20 200833159 1 5 ·如申請專利範圍第i或第2項之電加熱裝置,t 中·· 該絕緣層(34)及/或遮蓋層(24)及/或平衡層為一燒入 的箔片或一燒入的厚層膏。 1 6 ·如申請專利範圍第1或第2項之電加熱裝置,其 中: 該絕緣層(34)及/或遮蓋層(24)及/或平衡層利用引爆 覆層或熱覆層或浸鐘覆層施覆。 1 7 .如申請專利範圍第1或第2項之電加熱裝置,其 中·· /、 该電阻金屬絲(23)的設計及/或設置配合各加熱功率 的需求。 1 8 .如申請專利範圍第丨或第2項之電加熱裝置,其 中·· 該電阻金屬絲(23)設計成至少部段式地呈蜿蜒狀。 1 9 ·如申請專利範圍第18項之電加熱裝置,其中: 該婉蜒的加熱導線路(23)在其彎點至少部式地設有一 附加之導電層。 2 0 ·如申請專利範圍第1或第2項之電加熱裝置,其 中: 在該絕緣層(34)、該構成加熱導線(22)的電阻金屬絲(23) 及/或該溫度感測器(28)之間各設有一接觸層(26)。 2 1 ·如申請專利範圍第1或第2項之電加熱裝置,其 中: 21 200833159 該接觸層(26)及/或該當作溫度感測器用的層 入的箔片或燒入的厚層膏。 ' 2 2 ·如申請專利範圍第i或第2項之電加熱裝置,其 中: ’、 該絕緣層(34)及/或該遮蓋層(24)及/或該平衡層及/ 或该接觸層(26)及/或該當作溫度感測器用的層(28)構成一 種層複合物,將電阻金屬絲(23)埋入。 2 3 · —種熱通道系統,特別是加熱通道喷嘴或加熱通 逼分配器,其具有一個申請專利範圍第丨項的電加熱裝置 (10)(30) 〇 2 4 .如申請專利範圍第25項之熱通道系統,其中: 該管狀或匣狀設計的載體元件(20)(32)放到一材料管 (I3)、一棒、一分配器臂、一喷嘴或一類似物上。 2 5 · —種熱通道系統,具有一個申請專利範圍第丨項 的%加熱裝置(10)(30),其特徵在:該電加熱裝置(1〇)(3〇) 放到一圓筒形材料管(丨3)上,形成一種具有預定的間隙的 配合部。 2 6 ·如申請專利範圍第28項之熱通道系統,其中: 該電加熱裝置(10)(30)的載體元件(2〇)(32)的内側及/ 或该材料管(1 3)的外側粗糖化。 2 7 ·如申請專利範圍第27或28項之熱通道系統,其 中: 该電加熱裝置(1〇)(3〇)的載體元件的内側及/ 或。亥材料管(丨3)的外側塗覆成暗色或利用溫度處理成晦暗 22 200833159 狀。 2 8 · —種製造申請專利範圍第1項的一種熱通道系統 用的電加熱裝置(10)(3 0)的方法,該電加熱裝置特別供熱通 道喷嘴(12)及/或熱通道分配器用,其特徵在:將該構成 加熱導線(22)的電阻金屬絲(23)裝到載體元件(20)(32)上, 然後將遮蓋層(24)用箔片技術或網版印刷技術施覆。 2 9 · —種製造如申請栽範圍第28項之方法: 在電阻金屬絲(23)施加前將絕緣層(34)用箔片技術或網 版印刷技術施在載體元件(20)(32)上。 3 0 ·如申請專利範圍第28項之方法,其中: 將各層分別地施覆,然後燒入。 3 1 ·如申請專利範圍第28項之方法,其中: 對各層的燒入溫度不同。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項之方法,其中: 對各層的燒入溫度不同且在每次燒入步驟後下降。 3 3·如申請專利範圍第28項之方法其中: 將所有層分別施覆並同時燒入(共燒入)。 3 4·如中請專利範圍第28項之方法,其中: 燒入溫度在8〇〇〜14〇〇t:範圍。 十一、圖式: 如次頁。 23
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