TW200827016A - Treatment method and system of semiconductor processing tail gas including emission gas and dust - Google Patents

Description

200827016 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係由關於半導體製程尾氣 毛虱的處理，特別是關於一種 包έ廢氣及粉塵之半導體製程尾氣處理方法及系統。 【先前技術】 、半導體製程中應用到各種化學藥劑，於製程完成後產生半

導體製程減。错體製程錢巾包含了有麵廢氣及粉塵。 廢氣的麵依據製程的不同而改變，例如，會成為溫室氣體的 氣化物:恥、SF6、C2F6、C3Fs、c㈣

SlH4、SlCl2H2 ;毒性氣體：域3、PH3 ;酸性氣體：⑶、&、 Ha、HF 等。 現有的製程尾氣處理方式，主要包含水洗、燃燒、電熱、 乾式吸附、高溫觸媒加水洗等。水洗法係將廢氣通入水中，或 是與水霧混合，錢水雜齡轉於水巾。由於水洗法僅適 用於水溶性之成分，因此水洗法適_縣有限，無法單獨使 用。同時，水洗法必須耗費大量水源，且對小粒徑的粉塵過濾 效果也不佳，因此水洗法必須與其他方式配合，作為最後一道 淨化私序。燃燒法例如Jp2〇〇〇34293l、疋2〇〇1248821、 JP2_165422或WQ_鱗，赚法之溫度高， 吏氣體的熱分解率達到最高，然而燃燒法的燃燒過程不易控制 谷易導致爆炸問題，使得燃燒法無法廣泛的被應用。針對燃燒 法的缺失，因此可控制反應温度的電熱法被提出，例如 JP11319485、US6063353、W00074821、US6221323 及 5 200827016 EP1080775。但是電熱法的縣1度受電熱元件所能承受 的溫度’同時氣體快逮通過電熱元件的情況下，會造成氣體滞 抑間過紐，岑致熱分解、化學反應程度不足的問題。若減緩 氣流通過電熱凡件的速率，取會使得其效率及處理量過低。 同時’讓電熱元件持續放熱需要耗費大量電能，也造成處理成 本過高。針對電熱法局部溫度過低或是效率差的問題，則有電 漿破壞法魏-步提出，以在局親域中快速產生高溫，例如 4、細781599、__697、_遍4、 U_刪！、_職98及細2〇533〇號專利按被提 出。但疋電漿法仍有耗電問題’同時利用高電壓產生放電也需 要額外的變屢設備，導致設備成本過高。 而 此外’不論是燃燒法、電熱法、電漿法都會使氣體產生高 /孤，如果要進一步以過濾設備過濾粉塵，則高溫容易對過遽設 備造成損壞。以練法等過濾材料過濾粉塵的方式 ^ ==氣容易造成過濾材料燒毁。而透過旋風式除塵設: =電木塵法的方式，雖然沒有過渡材料被燒毁的問題，是 飛揚的粉塵及容易產生粉塵爆炸的問題。因此崎 法、笔熱法、電襞法，仍需要—段冷卻程 …、 分解氣中分離粉塵。 彳步由熱 方式ΪΠΓ高溫觸媒實際上的處理量有限，僅能搭配其他 '用，因此也無法成為主要的處理方式。同聍 、 焉溫觸媒所採用的材料，都容易受到粉塵污 ^式吸附 使得其應用受限制。 、作用也 6 200827016 【發明内容】 以上的問題，本發明提供—種半導體製程尾氣處理方 /及糸統食提升半導體製程尾氣之處理效率並降低耗能。 本發明提供-種包含廢氣及粉塵之半導體製程尾氣處理 方法，用以分離尾氣中廢氣及粉廢，並對尾氣進行淨化處理。 此處理方法首先提供複數侧粒體，並將顆粒體加敎至—可供 ===反_。料’導人悔餘尾氣並與 、才體進仃接觸，其中尾氣中廢氣受熱形成一熱分解氣，尾氣 中粉塵被顆粒體阻滞而被濾除。移除顆粒體及粉塵，並分離於 塵及顆粒體’同時將熱分解氣與經粉塵分離之顆粒體進行_ 換，提升顆粒體溫度使顆粒體再度循環使用 進行水洗纽，賴分概雜树。域—料可將半= 製程尾氣中的粉塵加以去除，同時廢氣中的有害成分進行執分 解後以水洗淨化’輯域淨之排放氣。 理2發Γ更提供—種包含廢氣及粉塵之半導體製程尾氣處 離二U含有複數個顆粒體、一高溫反應裝置、一粉塵分 衣 …、回收儲放裝置及一水洗淨化裝置。其中，高溫反 應裝_以容置並加_粒體，同時半導體製程尾氣係被導 ^溫反應裝置與顆粒體進行接觸，使尾氣中廢氣進行熱分解 /成…刀解氣’並使廢氣中粉塵被顆粒體阻滞而被濾除。於 縣離裝置係肋自高溫反應裝置接收粉塵及顆粒體，並分= _與顆粒體分離。熱回收館放裝置係用以自粉塵分離裝置接 收經粉塵分離之難體，並由高溫反應區接收熱分解氣，使熱 200827016 刀解氣粉塵分離之顆粒體進行熱交換，並將經熱交換之顆 粒體輸送至高溫反應裝置中。水洗淨化裝置係連接於熱回收儲 _ 放裝置1以接收熱分解氣，以對熱分解氣進行水洗處理，使 - 熱分解氣溶解於水中。如此一來即可將半導體製程尾氣中的粉 塵加以去除’同時廢氟中的有害成分進行熱分解後以水洗= 化’而排出乾淨之排放氣。 r 核明係可於高溫反應階段就直接分離廢氣雜塵，並延 _ 長^之解時間，以提升整體反應效率。啊熱分解氣之 熱置可對錢進行麵，藉崎健體耗能。 “有關本發明的特徵與實作，兹配合圖示作最佳實施例詳細 * €兄明如下。 【實施方式】 請參閱「第1圖」所示，係為本發明實施例所揭露之一種 包含廢氣及粉塵之半導體製程尾氣處理方法，用以分離尾氣中 _廢氣及粉塵’並使廢氣形成一熱分解氣，以淨化半導體製程尾 氧0 1 ^職及粉塵之 ^先係提供魏_讀，_«高溫反應區並加表 ^吏廢氣熱分解形成熱分解氣之之反應溫度（隨）。反肩 恤度贴可使廢賴分解而形賴分解氣之溫度，—般而々 :溫=氏现度至_度之間，即可讓大部分製議 物Γ、Ϊ、、分解氣。廢氣的種類如：會成為溫室氣體的氟化 3 c2p6' c3f8 > c4f8 ^ cf4 ； ： sih4 ' 827016

SiC12H2，毒性氣體：AsH3、PH3 ;酸性氣體：Cl2、p2、卜 ®等。於此，顆粒體可於高溫反應區中堆積構成—靜態顆粒 床，亦可堆積並持續移動構成一移動顆粒床。 、接著導入半導體製程尾氣至高溫反應區中，通過顆粒體構 成之靜態祕床或是移動顆粒床，而與雜體進行接觸 (sm)。由於高温反應區的溫度及顆粒體已被加熱至反麻溫 度、，且顆粒體可構成高溫熱容，維持釋出熱量並維持溫度、 此半導體製程尾氣與雛體進行接觸時，廢氣受熱進行孰分. ^或是與雜體成分產生化學反應，形成無害㈣。同時粉 =顆粒體阻滞而被濾除’使半導體製程尾氣通過移動顆粒 ΓΐΓΓ錢，κ _分贿歧_賴分解之廢 二間隙時，係可供廢氣通過並阻滯粉塵，且顆 需構成大面積與廢氣接觸，並進行熱交換對孰氣加 此顆粒體需為綠容、耐高温、具觸媒特性、句具備化 子反應活性及粒徑小等特性。 接著由高溫反應區移除顆粒體及粉 離，針對粉塵進行過滹以收隹扒鹿h ⑪敎顆粒體刀 區移除熱峨，伽），由高溫反應 熱分解氣與顆粒體進行教交換,_鱗塵分離之顆粒體，使 使顆粒⑼㈣i翻 、摘教體進行預熱（S140)， 氣的熱分觀與__交換時敎分解 孔的咖度係持績下降並持續進 I、刀解 可以被提升而達到麵的效果。㈣知，同時顆粒體的溫度也 後，再度將顆粒rr入、遏體與熱分解氣完成熱交換 專又將職體^反應區進行循環再使用(s⑷）。 9 200827016 熱分解氣與顆粒體進行熱交換後，可使熱分解氣之溫度不 降，並使尚未熱分解之廢氣進行熱分解，但是熱分解氣中還是 會包含部分未熱分解的廢氣。此時再對熱分解氣進行水洗處理 (S150)，將熱分解氣通入水中或是對熱分解氣噴灑水霧，使 熱分解氣中尚未熱分解之廢氣及熱分解氣中水溶性成分溶解 於水中，完成對半導體製程尾氣的淨化（S160)。 熱匀％氣被由南溫反應區移出後’係進一步與待置入之顆 粒體進行熱交換。此時熱分解氣的溫度雖然·會持續下降，但是 可延長熱分解氣的熱分解反應時間，以提升其成分氣體的熱分 解比例，同時將熱分解氣的溫度下降到適合直接進行水洗的溫 度。同時’待置入高溫反應區之顆粒體也可以先被預熱，使其 被置入高溫反舰時，溫度可迅麵提升至反應溫度，減少加 熱所需的耗能。 此外，尾氣在被導入與顆粒體進行接觸之前，可預先對尾 氣進行前端水洗處理卵0)，預先使尾氣中廢氣的部分水溶性 成分溶解财巾，降低尾氣巾純及粉塵量，啸升處理效率。 透過本發明提出之處理方法，可降減應溫度，提升粉塵 攔截率。以包含廢氣成分為3_ppm石夕甲烧（SiH4)及粒徑 為1微米(卿)之粉塵的尾氣為例，本發明處理方法採用的顆 粒體粒位1〜4公釐（mm)之間’辆粒體之材質包含氧化舞 (CaO)。顆粒體提供大_面積、作為熱容、作為與有害氣 體反應之吸_、及作為降低有害氣體反應溫度之觸媒。將石夕 甲烧及粉麟人齡體中進行接觸，獅.體中的氧倾可作為 10 200827016 矽甲烷熱分解之觸媒，使矽甲烷之溫度只要被加熱至攝氏35〇 度’就能使外炫（SiH4)就可以與氧氣（〇2)反應形成低污 — 染的二氧化矽(Si〇2)及水。而且顆粒體也可以有效濾除超過99 . %的粉塵，經粉塵分離之後可再度被循環使用。相同的尾氣若 透過直接的方式處理，财甲賴溫度必彡碰加熱至攝氏 850度才此有效分解，且粉塵還必須透過水洗處理去除。但縱 使是連績兩次水洗處理，粒徑為丨微米（以❿)之粉塵的去除率 φ 仍小於81%。 若廢氣成分為安定之氟化物，例如15000ppm之六氟化硫 (SF6) ’直接加熱使其熱分解必須加熱至攝氏I]⑻度以上才 能開始分解，這意味著需要更多次水洗處理進行冷卻。本發明 之處理方法將六氟化硫導入與被加熱之顆粒體進行接觸中，顆 粒體的氧倾材質可作為吸附劑，吸收六氟化硫並進行反應，、 形成氟化飼（⑽2)及硫化舞（CaS)，其反應溫度小於攝氏 • _度’實際上於攝氏4〇〇度至_度之間即可讓超過99·现 的氟化物去除。同時，顆粒體仍可持續有效地濾除_，並經 粉塵分離循環使用。 a請參閱「第2圖」及「第3圖」所示，係為本發明第一實 %例所提供之—種包含廢氣及粉塵之半導體製程尾氣處理系 i 統200 ’半導體製程尾氣處理系統2〇〇係用以執行處理方法’，、 ' =離包含廢氣及粉塵32〇之半導體製程尾氣_，並將分 離後之廢氣310淨化。半導體製程尾氣處理系統包含有複數個 顆粒體加、一高溫反應裝置22〇、一顆粒體及粉塵輪送裝置 11 200827016 230、-粉塵分離裝置24Q、—熱回收儲放裝置25()、一水洗淨 化裝置260及一前端水洗淨化裝置270。 • +導體尾氣300係先被導入前端水洗淨化裝置270中，使 尾氣300通入水中或是對尾氣300噴灑水霧，以對尾氣300進 行前端水洗處理。前端水洗淨化裝置27()制以預先使尾氣 300中尾氣31〇的部分水溶性成分預先溶於水中，並移除部分 粉塵320’以降低尾氣中廢氣31〇及粉塵32〇量，進而降低系 _ 4負擔,，提升處理效率，並增加系統可處理之尾氣300量。 顆粒體210係用以作為過濾材，用以阻滞並搁截半導體製 程尾氣300中的粉塵32〇。同時，顆粒體21〇作為熱容，在被 加熱至高溫後，_釋出熱量，制遭溫度不會瓣。此外， 顆粒體210可構成一個大接觸面積，轉體製程尾氣通過 顆粒體210之間的間隙時，使半導體製程尾氣中的廢氣 與顆粒體210接觸。因此’顆粒體的材料，可針對廢氣的 鲁成分’找出可促進熱分解的材質以作為觸媒，以及選用可在低 溫中與氣體反應之吸附劑成分作為顆粒床反應劑材質。當然亦 可直接選擇可抵抗廢氣310於高溫下侵钱的材料，以利顆粒體 21〇持續循環使用。前述做為觸媒或吸附劑的材質可用來構成 整個顆粒體或是添加於顆粒體中。以本實施例為例，針對尾氣 :廢氣成分祕甲院及六氟化硫（SF6)，且粉塵粒徑 在1微米（/zm)時，顆粒體21〇之粒徑在卜4公董（麵） 7，以_錢麟㈣。赚體職材質包含氧簡 a〇)，在顆粒體加熱至攝氏4〇〇度至7〇〇度，可提供足夠 200827016 的接觸表面知與廢氣S10進行接觸而對廢氣⑽加熱。同時氧 化舞的成分可作為㈣劑或是觸，促進廢氣则進行反應。 以石夕甲垸（SiH4)及六氟化硫（SF6)為例，氧化約作為石夕甲 ，（卿）熱分解之觸，降（siH4)與氧氣反應之 、又將反應酿度由攝氏85〇度下降至35〇度。氧化转同時作 為六氟化硫（sf6)之吸附劑，與六氟化硫（sF6)反應可形成 易溶於水的成分或是易於濾除的固態成分，其反應溫度在攝氏 400度至600度即可達成，遠低於直接加熱六氟化硫（sf6) 至熱分解所需賴氏謂度。前述熱分解過程之反應式如 τ ： 4CaO + SF6+ SiH4 + 202 3CaF2 + CaS + Si〇2 + 2H2〇 + 2〇2。顆粒體成分不以氧化鮮為限，端視廢氣训之成分決定， 選擇適合做為觸媒或是吸附劑之材質，並依據粉塵32〇粒徑大 小決定顆粒體21〇之粒徑。 、、咼溫反應裳Ϊ 220包含下料斗221及導流單元223。下料 斗Μ〗的内。卩構成一個咼>盈反應區222，且下料斗221之頂部 -有顆粒體入口 22ia，而下料斗221的底部具有顆粒體出 口 221b。顆粒體21〇係由顆粒體入口 221&置入下料斗的 =溫反應區222中，使顆粒體210堆積於下料斗221中，並持 續向顆粒體出口 221b移動而到達高溫反應區222外（即下料 T 221外部）。由於顆粒體21〇係為持續移動，因此可構成— 移動顆粒床。下料斗221的侧面設有一或是複數個通氣管 故連接於前端水洗淨化裝置27〇或是直接連接半導體設備 之排氣管’通氣管224係用以導入半導體製程尾氣3〇〇至下料 ♦ 13 200827016 斗221内部的高溫反應區222，並通過顆粒體21〇所形成之移 動顆粒床，而與顆粒體210進行接觸。包含有純31〇及粉塵 • 320之半導體製程尾氣300通過時，粉塵32〇係被顆粒體21〇 攔截並濾除’且與粉塵320混合的顆粒體210藉由顆粒體出口 221a離開高溫反應區222。而導流單元223則設置於下料斗 221中，位於顆粒體21〇移動的路徑上，如此一來顆粒體2川 向下_時麟可獲得改善，崎會出現局部滯㈣現象。用 • 於對高溫反應區222及顆粒體21〇加熱之加熱裝置29〇，例如 加熱棒係設置於導流單元223中。 半導體製程尾氣3〇〇中的廢氣可在高溫反應區222中被加 熱至攝氏4〇0度到800度，進行熱分解而形成熱分解氣。以有 害氣體狀（AsH3)為例，其在高溫下會與氧氣（〇2)作用， 形成由安定的氧化物三氧化二坤（為〇3)及水蒸氣（3H2〇) 構成的熱分解氣330，其反應式如下：細3 (g) + 3〇办卜 春 As2〇3 + 3H2〇。再以石夕甲烧（SiH4)為例，其在高溫下會與氧 氣（〇2)作用’形成安定的氧化物二氧化石夕（Si〇2)及水蒸氣 (h2o) ’ 其反應式如下：siH4(g) + 2〇2(g)—峨 + 2邮。 上述反應以在㈤酿下持續反應才能達成’因此透過顆粒體 210作為熱容可有效保持高溫，提供大加熱表面積，同時顆粒 體別形賴義難床也可叫雜雜該〇，增加廢氣 ' 與顆粒體210接觸並被持續加熱的時間。 "由於半導體製程尾氣300係通過移動顆粒床 ，因此可使廢 氣3K)流經複數個顆粒體21〇的表面，祕持'續加熱進行熱^ 14 200827016 解形成熱分解氣330。粉塵32〇可被顆粒體21()阻滯而被遽除， 同時藉由顆粒體別的持續移動，粉塵32G會伴隨著顆粒體 ‘ 21G朝向雛體221b出口移動，而離開下料斗221。顆粒體及 . 粉塵輪送裝置230係連接於下料斗221的顆粒體出口薦， 用以接收混合粉塵320的顆粒體21〇並加以運送，使混合粉塵 的顆粒體210離開下料斗221。 知H置24〇係連接於顆粒體⑽及粉塵輸送裝置 • 23G ’用以自局溫反應區222_接收粉塵32G及顆粒體21〇，並 將粉塵320與顆粒體分離21〇，並個別輸送。粉塵分離裝置罵 可以^重力分離器或旋風分離器，利用單一粉塵顆粒與顆粒體 的重！至別，將粉塵32〇與顆粒體·分離。也可以是筛網， 透過粉塵320與顆粒體21〇的粒徑差異分離粉塵32〇。經分離 之後的粉塵320係由氣流帶動至一粉塵收集裝置2⑽，例如— 慮衣’將粉塵320集中後以利清除。而顆粒體21〇則被送入熱 ， 回收儲放裝置25〇中，以利回收運用。在顆粒體训與粉塵 320混合過中，由於廢氣已充分吸收顆粒體210的熱量， 使朝向顆粒體出口 221b移動的顆粒體21〇溫度大幅下降，同 日物恤反應區222中的氧氣也被廢氣消耗殆盡，因此可避 免叙塵320出現爆炸問題。同時在粉塵32〇的輸送、分離過程 中，更進-步使溫度下降，因此可避免粉塵的溫度過高 粉塵收集裝置280被燒毁。 牡熱回收儲放裝置25〇連接於高、溫反應裝置及粉塵分離 衣置240熱回收儲放裝置250係接收自粉塵分離裝置240分 15 200827016 離之顆粒體210。同時由高溫反應裝置22〇接收於高溫反應區 222產生之熱分解氣33〇。.由高溫反應1離開之熱分解氣仍保 有接近反應溫度的高溫，同時熱分解氣33()也會含有尚未完全 分解之廢氣310，因此不適合直接排放或是進行下一步處理程 序。而經過輸送、分離之後的顆粒體21〇，其溫度則遠低於反 應溫度，若直接置入下料斗221中，可能導致高溫反應區222 的溫度驟降，同時也必練費能量重新加熱。 將顆粒體210及熱分解氣33〇共同置於熱回收儲放裝置 250 ’可以讓顆粒體21〇及熱分解氣33〇進行熱交換，使顆粒 體210溫度上升而熱分解氣33〇溫度下降。同時，也可以延緩 熱分解氣330進入下—處理程序的時間，使得熱分解氣33〇能 夠4寸、、ί熱刀解’降低未完成熱分解之熱氣的比率。完成熱 交換後，顆粒體210再度循環使用而被送入下料+ 221中。由 於顆粒體210的溫度已經被提昇，因此當顆粒體21〇進入下料 斗221中時，可以降低高溫反應區222溫度下降的程度，並減 少加熱顆粒體210所需的耗能。而熱分解氣33〇則在進一步熱 分解及降溫後，可被送人下-處理程序，不需要額外設置降溫 設備或是緩衝儲放設備。 水洗淨化裝置260連接於熱回收儲放裝置25〇，用以接收 熱分解氣330崎該熱分解氣33〇進行水洗。熱分解氣可 與水霧混合或是通入水中，使熱分解氣33时未完全熱分解之 成分、或是不易熱分解的成分溶解於水中。同時，熱分解產生 的氧化物也可以容於水中，以使熱分解氣33〇巾的廢氣⑽的 ]6 200827016 殘存量降至最低，以供排放。 芩閱「第4圖」及「第5圖」所示，係為本發明第二實施 例所提供之-種包含廢氣及粉塵之半導體製程尾氣處理系統 2〇〇’其包含複數個顆粒體210、_高溫反應裝置22〇、一顆粒 ，及粉塵輸送裝置现、-粉塵分離裝置罵、一熱回收儲放 衣置250、一水洗淨化裝置26〇及—前端淨化水洗裝置。

前端水洗淨化裝置270係用以對半導體製程尾氣300進行前端 水洗處理’接著半導體製程尾氣係被導人高溫反應裝置 220中與顆粒體no進行接觸。尾氣中廢氣係通過顆 粒體加之間的間隙並與顆粒體21〇接觸，而被加熱並形成熱 刀解氣。粉塵320職顆粒體21〇攔截而濾除。包含粉塵 320之顆粒體210移動至顆粒體及粉塵輸送裝置230，接著被 輸送至粉塵分離裝置24Q，以分離粉塵32()及顆粒體21〇。粉 塵32〇係被粉塵收集裝置收集，而經粉塵，之顆粒體 2K)=被輪送至熱回收儲放裝置25()，進行再度循環使用而被 置入冋概反應裝置22〇。廢氣於高溫反應裝置⑽中形成 之熱分解4亦被送入熱回收儲放襞置250中與顆粒體210進行 熱交換，以對再循環使用之顆粒體2ig進行預熱。 ^ ^一、、第4圖」及「第5圖」所示，高溫反應裝置220 係由複數個下料斗221所構成，每一下料斗221之顆粒體入 口，係與位於上方之下料斗221之顆粒體出口連接，藉以由上 方之下料斗221承接顆粒體210。而位於最上方的下料斗221 係連接於熱回_放裝置25Q，以接收再循環使用之顆粒體 17 200827016 no。各下料斗ηι中具有一導流單元，位於顆粒體训移動 的路控上’改善顆粒體210向下移動時之流場，而不會出現局 . 部滞留。多個下料斗別的結合係可提升濾'除粉塵3/〇效果。， • 並增加廢氣310與顆粒體加接觸並被加熱的時間，而提升廢 氣310熱分解比例。 x 各下料斗221之-侧具有一進氣口 221c，另一側具有一 排氣口 221d。且高溫反應裝置22〇更具有一進氣罩奶及一 # 排氣罩226 ’其中進氣罩225係覆蓋於各下料斗加之進氣口 221c ’並連接於前端水洗淨化裝置挪，以導入尾氣由進 氣口221d進入各下料斗221巾，使尾氣3〇〇與各下料斗221 中的顆粒體210進行接觸。排氣罩挪係覆蓋於各下料斗如 之排乳σ 221d，並連接於熱回收儲放裝置25()，以導入尾氣 3〇〇中廢氣310形成之熱分解氣由排氣口咖導入熱回收儲 衣置25〇使熱刀解氣與經粉塵32〇分離之顆粒體加進行 熱交換。而顆粒體21G持續向下移動，可於不同的下料斗221 中持補截顆粒體21〇’提升粉塵畑被濾除率，避免粉塵汹 未被完全濾除。 —隹Λ、、:本發月以勒述之較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限疋本發明’任何姑相像技藝者，在不脫離本發明之精神和 範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保謹範 圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。又 【圖式簡單說明】 第1圖為本發_揭露之包含廢氣及粉塵之半導體製程 18 200827016 尾氣處理方法的流程圖； •第2圖為本發明第一實施例所揭露之包含廢氣及粉塵之 半導體製程尾氣處理系統之系統方塊圖； 第3圖為本發明第一實施例之系統示意圖； 第4圖為本發明第二實施例之系統示意圖；及 第5圖為本發明第二實施例中，部分元件之剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 200 包含廢氣及粉塵之半導體製程尾氣處理系統 210 顆粒體 220 南溫反應裝置 221 下料斗 221a 顆粒體入口 221b 顆粒體出口 221c 進氣口 221d 排氣口 222 雨溫反應區 223 導流單元 224 通氣管 225 進氣罩 226 排氣罩 230 顆粒體及粉塵輸送裝置 240 粉塵分離裝置 19 200827016

250 熱回收儲放裝置 260 水洗淨化裝置 270 前端水洗淨化裝置 280 粉塵收集裝置 290 加熱裝置 300 半導體製程尾氣 310 廢氣 320 粉塵 330 熱分解氣

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Claims (1)

1. 200827016 十、申請專利範圍： 1. -種包含廢氣及粉塵之半導體製程尾.氣之處理方法，該方法包 含下列步驟： 提供複數個触體’並加熱至—反應溫度； 導入半導體製程聽並__減進行接觸，其尾氣中 廢亂可形成—熱分解氣，尾氣愤塵被鱗顆減阻滯而被濾 除； 私除該等顆粒體及粉塵，並分離該粉塵及該等顆粒體； 將該熱分解氣與經粉塵分離之該等顆粒體進行熱交換，使 該等顆粒體循環再使用；及 對該熱分解氣進行水洗處理。 2·如申請專利範圍第1項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程尾 氣處理方法，其中更包含一步驟，堆積並移動顆粒體而構成_ 移動顆粒床。 3·如申凊專利範圍第1項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程尾 氣處理方法，其中該反應溫度係為攝氏400度至700度。 4·如申睛專利範圍第1項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程尾 氣處理方法，其中該廢氣係為氟化物，其係選自、sp6、 c2p6、C3F8、C4F8 及 CF4 所成組合。 巳如申請專利範圍第1項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程尾 氣處理方法，其中該廢氣係為燃燒性氣體·，其係選自SiH4或 SiCl2H2。 6·如申請專利範圍第丨項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程尾 21 200827016 氣處理方法’其中該廢氣係為毒性氣體，其係選自AsH3或扭。 =申請專利範圍第1項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程尾 氣處理方法，其巾該廢氣絲雜氣體，其係選自、F毛 聰或HF所成組合。 2 δ· ^料概_丨賴紅包含聽及缝之半導體製程尾 乳处理方法，其中該水洗處理係將該熱分解氣通入水中。

   $申明專利範圍第1項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程尾 J处理方去，其中該水洗處理係對該熱分解氣噴灑水霧。 1〇· t申請專利範圍第1項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程尾 f處理方法，其巾係於該尾氣被導人與該等顆粒體進行接觸之 鈾’對該尾氣進行一前端水洗處理。 1L =申請專利翻第丨項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程尾 氣處理方法，其中該顆粒體之材f包含氧化每。 12·如申請專利範圍第i項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製裎尾 氣處理方法，其中該顆粒體之粒徑為1〜4公釐（mm)。毛 13· 一種包含廢氣及粉塵之半導體製程尾氣之處理系統，|^處理系 统包含有： μ 複數個顆粒體； 一高溫反應裝置，用以容置並加熱該等顆粒體，其中該半 導體製程尾氣係被導入該高溫反應裝置與該等顆粒體進行接 觸，其中尾氣中廢氣形成一熱分解氣，尾氣中粉塵被該等顆粒 體Ρ且滯而被濾除； 接收該粉塵及該 一粉塵分離裝置，用以自該高溫反應裝置 22 200827016 寺顆粒體’並將该寺粉塵與該顆粒體分離； -熱回收儲放裝置’用以自該粉塵分離裝置接收經粉塵分 / 離之顆粒體，並由該高溫反應區接收該熱分解氣，使該熱分解 • 氣與該顆粒體進行熱交換，並將輸送該等顆粒體至該高溫2靡 區；及 心 -水洗裝置，連接於該熱回㈣放裝置，肋接收該熱分 解氣以對該熱分解氣進行水洗處理，以使該熱分解氣中未完2 φ 熱分解之成分溶解於水中。 R如申請專利範圍第13項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程 尾_理系統，其中更包含-前端水洗淨化裝置，該尾氣係於 被導入該高溫反應裝置前先被導入該前端水洗淨化裝置，以進 行一前端水洗處理。 15·如申請專利範圍第13項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程 尾氣處理系統，其中該顆粒體之粒徑係為1〜4公釐。 馨I6·如申請專利範圍第ls項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程 尾氣處理系統，其中該顆粒體之材質包含氧化鈣。 Π·如申請專利範圍第13項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程 毛氣處理糸統，其中該顆粒體被加熱至攝氏4⑽度至7⑽度。 18. 如申睛專利範圍第13項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程 、 尾氣處理系統，其中該顆粒體係堆積並移動於該高溫反應裝置 .中，而形成一移動顆粒床。 19. 如申請專利範圍第13項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程 尾氣處理系統，其中該高溫反應裝置包含一下料斗，該下料斗 23 200827016 的内部構成一高溫反應區，用以容置該顆粒體。 20. 如申請專利範圍第19.項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程 ' 尾氣處理系統，其中該下料斗具有一顆粒體入口及-顆粒體出 • 口，該顆粒體係由顆粒體入口被置人該下料斗中，並持續向該 顆粒體出口移動而到達該下料斗外部。 21. 如申睛專利㈣第19酬述之包含廢氣及粉塵之半導體製程 尾氣纽祕，其中該高溫反縣置更包含—導流單元，設置 • 於下料斗中，用以改善該等顆粒體移動時之流場。 22. 如申請專利範圍第21項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程 尾乳處m其巾更包含—加熱裝置，熱置於料流單元中。 23. 如中請專利翻第19項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程 尾氣處理系統，其中更包含有至少一通氣管，設置於該下料斗 之側面，以供該半導體製程尾氣被通入該下料斗。 •如申n月專利範圍第13顿述之包含廢氣及粉塵之半導體製程 • 尾氣處理系統，其中該高溫反應裝置包含複數個互相連接:下 料斗，該等顆粒體係堆積並持續移動該等下料斗中。 25. 如=請專利範圍第24項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程 尾氣處理系統，其中各該下料斗之一側具有一進氣口，用:供 該尾氣被導入各該下料斗’且各該下料斗之另一側具有一排氣 。口，用以該熱分解氣被導入該熱回收儲放裝置該。 26. 如=請專利範圍第25項所述之包含廢氣及粉塵之半導體製程 尾，處理系統’其中更包含一進氣罩，係覆蓋於各該下料= 進氣口 ’用以以導入該尾氣由各該下料斗之進氣口進入各該下 24 200827016 料斗。 27·如申請專利範圍第25 尾氣處理系統，复中更=述之包含廢氣及粉塵之半導體製程 氣口，並連接於顿匕3一排氣罩，覆蓋於各該下料斗之排 連接於該熱回收儲放裝置，用以使批 解氣由各該下料斗之排氣口導入該熱回收館放 28.二申;專利範圍第13項所述之包含廢氣及粉塵之半導辭程 =理系統’其中更包含一顆粒體及粉塵輪送裝二 至該粉塵分離裝置。 私顆板體並加以運送 饥如申請專利範圍第13項所述之包含廢氣及粉塵 “ 尾氣處m其+該粉塵分職置係為 、&衣& 風分離器、-筛網。 巧重力分離器、-旋

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