TW200818258A - Lithographic apparatus, method of calibrating a lithographic apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Description

200818258 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影裝置、一種用以校正微影裝置之 方法以及用以製造器件之方法。 【先前技術】

微影裝置係一機器，其將一所需圖案施加至一基板上， 通常施加至該基板之一目標部分上。微影裝置可用於（例 如）積體電路（IC)之製造。在該實例中，可使用一圖案化器 件（另稱為光罩/標線片，或在適用情況下稱為可程式化鏡 陣列）以產生欲形成於IC之個別層上的一電路圖案。此圖 =可轉移至-基板（如石夕晶圓）上之目標部分（如包含一個或 若干日日粒之刀）上。通常經由成像將該圖案轉移至該基 板上所提供之一輻射敏感材料（光阻）層上。一般而言，一 單-基板將包含連續圖案化之鄰近目標部分之H已 知的微影裝置包含所謂的步進機，其中藉由—次將整個圖 案曝露於目標部分上來昭y 术π射母一個目標部分；及所謂的掃 描器，其中藉由在一給定古^, 疋方向（掃描”方向）上透過輻射束 掃描圖案，同時與此方向平 口十仃或反平打地同步掃描基板來 -、射每㈤目Κ5刀。亦可以藉由將該圖案廢印至該基板 上而將該圖案從該圖案化器件轉移至該基板。 已建鐵將該微影投影裝置中 置中的基板^:潰在具有相對較高 折射率的液體（例如水）中， 以便填充該投影系統之最後元

件與該基板間的空間。因A ^ & 馬曝先輻射於液體中將具有較短 波長，故此點致能成德耘 又小特徵。（液體之效應亦可視為 122080.doc 200818258 增加該系統的有效να，且亦增加焦距）。已經建議其他浸 潰液體’包含具有懸浮於其中之固體粒子（例如石英）的 水。 然而’將該基板或基板與基板台浸入一液體浴中（例如 參見US 4,509,852，其係全部以引用的方式併入本文中）意 指必須於掃描曝光期間使大量的液體加速。此需要額外或 多個有力之馬達，且液體中的擾動可能導致不合需要且無 法預測的效應。 建議的解決方案之一係液體供應系統使用一液體限制系 統僅在該基板的局部區域上以及該投影系統之最後元件與 該基板之間提供液體（該基板的表面積一般大於該投影系 統之最後元件）。於專利WO 99/49504中揭示一種已建議用 以安排此舉的方式，該專利係全部以引用的方式併入本文 中。如圖2及3所解說，液體係藉由至少一入口以而供應至 該基板上（較佳係沿該基板相對於最後元件的移動之方 向），且在該投影系統下通過後藉由至少一出口 〇υτ而移 除。即，隨著在元件下於-X方向掃描基板，在元件之+χ 侧上供應液體並在-X側處將其帶走。圖2示意性顯示該配 置，其中經由入口 IN供應液體，並藉由與一低壓力來源連 接的出口 out在元件的另一側上將其帶走。在圖2之解說 中，沿基板相對於最後元件的移動之方向供應液體，雖然 情況不必如此。定位於該最後元件周圍的各種方位及數目 的入口及出口均可行，一個範例係顯示於圖3中，其中四 組入口（在任一側上均有一出口）係以規則圖案提供於最後 122080.doc 200818258 元件周圍。 已建義之另一解決方式係，將一密封部件提供給該液體 供應系統，該密封部件沿該#影系統之最後元件與該基板 口之間的空間之邊界的至少—部分延伸。圖4顯示此類解 决方式。雖然在Z方向（光軸方向）上可能存在某相對移 動’但是於XY平面中該密封部件相對於該投影系統實質 上係靜止的。在該密封部件與該基板表面之間形成一密封 件。較佳而言，該密封件為一無接觸式密封件，如氣封 件。具有一氣封件的此類系統係揭示於 中，忒專利係全部以引用的方式併入本文中。 王部以引用的方式併入本文中的砂-八-丨^別^⑻揭示一 成對或雙級浸潰微影裝置之概念。此類裝置具有用以支撐 基板的二級。調平測量係採用第一位置處的一級來實行， 其中沒有浸潰液體；並且曝光係採用第二位置處的一級來 實仃，其中存在浸潰液體。二級之提供允許同時實行調平 測量及曝光。或者，該裴置僅具有一級。 可在光學上藉由下列方式決定曝光期間該基板之位置： 使用干涉術決定用於每一個鏡之一偵測器中的一參考點與 對應鏡表面之一部分之間的距離，從形成於該基板台（亦 稱為反射部件）之橫向表面上的鏡反射輻射。鏡表面之攪 動可以導致基板位置之決定方面的誤差，此依次可以導致 覆盖誤差。 【發明内容】 需要補償鏡表面之攪動。 122080.doc 200818258 _依據本發明之一具體實施例，提供一種微影裝置，其包 δ 技衫系統，其係配置用以將自一圖案化器件的一圖 案技影至一基板上；一基板台，其係構造用以支撐該基板 亚具有形成於其一橫向側上的至少一個反射元件或反射部 件’基板台位移器件，其能夠相對於該投影系統而移動 該基板台；一基板台溫度監視系統或基板台溫度監視器， 其釔組恶用以決定該基板台之至少一部分的溫度，·一攪動 決定器件或攪動偵測器，其經組態用以使用由該基板台溫 度監視系統所決定的温度而估計該至少一個反射元件之位 置、方位或形狀之至少一項中的熱感應偏移；一基板台位 置決定器件或基板台位置偵測器，其係配置用以藉由反射 自忒至 > 一個反射元件的輻射並考量由該攪動決定器件所 估汁的忒至少一個反射元件之特性方面的偏移而決定該基 板台之一位置；以及一控制系統，其係配置用以供應一控 制“號給該基板台位移器件以便沿一預定路徑移動該基板 台，由藉由該基板台位置決定器件所決定的基板台之位置 的參考而決定該控制信號。 依據本發明之一替代性具體實施例，提供一種器件製造 方法，其包括：提供一基板台，其用以支撐該基板並具有 形成於其一橫向側上的至少一個反射元件；提供一基板台 位移器件，其能夠相對一投影系統而移動該基板台；決定 該基板台之至少一部分的溫度；使用決定的溫度而估計該 至少一個反射元件之位置、方位及形狀之至少一項中的熱 感應偏移；藉由反射自該至少一個反射元件的輻射並考量 122080.doc 200818258 該至少一個反射元件之特性方面的估計偏移而決定該基板 口之一位置；以及使用一控制系統以使用該基板台位移器 件沿一預定路徑而移動該基板台，由考量該至少一個反射 元件之特性方面的估計偏移所決定的該基板台之該位置的 參考而決定用於該控制系統的一控制信號。 依據本發明之一替代性具體實施例，提供一種校正一微 影裝置之方法，其包含：提供一基板台以支撐一基板，該 基板台具有形成於其個別橫向側上的第一及第二實質平面 反射部件，該第一反射部件係實質上與該基板台之平面中 的第一軸X正交，而且該第二反射部件係實質上與該基板 台之平面中的第二軸Y正交；在一第一位置與一第二位置 之間移動該基板台；在移動期間，反射自該第一反射部件 的轄射以測量該第一反射部件之表面圍繞垂直於X及γ軸 之一第三軸Z以及在該第一反射元件上的複數個不同點處 的一第一本地有效旋轉，並且反射自該第二反射元件的輻 射以測量該第二反射元件之表面亦圍繞Z轴以及在該第二 反射元件上的複數個不同點處的一第二本地有效旋轉；藉 由計算該第一本地有效旋轉之測量數值之一計算平均值與 該第二本地有效旋轉之測量數值之一計算平均值之間的差 異或該等第一及第二本地有效旋轉之測量數值之對應對之 間的平均差異而得到該等第一與第二反射器之間之角度方 面的偏移之估計。 依據本發明之一替代性具體實施例，提供一種器件製造 方法’其包含：提供一基板台以支撐該基板’該基板台具 122080.doc -10- 200818258 有形成於其個別橫向侧上的第一及第二實質平面反射部 件，該第一反射部件係實質上與該基板台之平面中的第_ 軸X正交，而且該第二反射部件係實質上與該基板台之平 面中的第二軸Y正交；在一第一位置與一第二位置之間移 動該基板台；在移動期間，反射自該第一反射元件的輻射 以測量該第一反射元件之表面圍繞實質上垂直於X及γ轴 • 之一第三轴2以及在該第一反射元件上的複數個不同點處 的一第一本地有效旋轉，並且反射自該第二反射元件的輻 ® 射以測量該第二反射元件之表面亦圍繞2軸以及在該第二 反射元件上的複數個不同點處的一第二本地有效旋轉；藉 由計异該第一本地有效旋轉之測量數值之一計算平均值與 該第二本地有效旋轉之測量數值之一計算平均值之間的差 異或該等第一及第二本地有效旋轉之測量數值之對應對之 間的平均差異而得到該等第一與第二反射器之間之角度方 面的偏移之估計；以及在後來將該基板曝露於藉由自一圖 _ 案化器件之投影系統所投影的圖案化輻射束期間，於該基 板台相對於一微影裝置中的一投影系統之移動的控制中使 用偏移之估計，該微影裝置經組態用以使用從該等第一及 第二反射部件所反射的輻射以在曝光期間監視並控制該基 - 板台之一位置。 依據本發明之一替代性具體實施例，提供一種微影裝 置，其包含：一基板台，其用以支撐一基板；第一及第二 實質平面反射部件，其係形成於該基板台之個別横向側 上，該第-反射部件係實質上與該基板台之平面中的第一 122080.doc -11 - 200818258

軸x正交，而且該第二反射部件係實質上與該基板台之平 面中的第二轴Y正交；一基板台位移器件，其係配置用以 在一第一位置與一第二位置之間移動該基板台；一第一干 涉計，其係配置用以在移動期間反射自該第一反射元件的 輻射，從而測量該第一反射元件之表面圍繞垂直於又及Y 軸之一第三軸Z以及在該第一反射元件上的複數個不同點 處的一第一本地有效旋轉；一第二干涉計，其係配置用以 在移動期間反射自該第二反射元件的輻射，從而測量該第 二反射元件之表面亦圍繞2軸以及在該第二反射元件上的 複數個不同點處的一第二本地有效旋轉；一鏡對準決定器 件，其係配置用以藉由計算該第一本地有效旋轉之測量數 值之一計算平均值與該第二本地有效旋轉之 測量數值之一 計算平均值之間的差異或該等第一及第二本地有效旋轉之 測ϊ數值之對應對之間的平均差異而得到該等第一與第二 反射器之間之角度方面的偏移之估計。 依據本發明之-替代性具體實施例，提供—種校正一微 影裝置之方法，其包含：提供—基板台及由該基板台所支 撐的基板該基板台具有形成於其個別橫向側上的第一 及第二反射部件；在-第-位置與-第二位置之間移動該 基板台，在移動期@，藉由相對於該基板台上的已知位置 測量該基板上的對準濟# 丁早^ δ己之位置而得到該基板與該基板台 :間的：空間關係之對映；以及在移動期間，反射自該等 第及第反射。件的輕射並從該等部件得到其形狀及相 對於彼此的方位之至少一項。 122080.doc -12- 200818258 依據本發明之一替代性具體實施例，提供一種器件製造 方法，其包含：提供一基板台及由該基板台所支撐的一基 板’該基板台具有形成於其個別橫向側上的第一及第二反 射部件；在一第一位置與一第二位置之間移動該基板台； 在移動期間藉由相對於該基板台上的已知位置測量該基板 上的對準標記之位置而得到該基板與該基板台之間的一空 ， 間關係之對映；在移動期間，反射自該等第一及第二反射 _ 邛件的輻射並從該等部件得到其形狀及相對於彼此的方位 之至少一項；以及在後來將該基板曝露於藉由自一圖案化 器件之投影系統所投影的一圖案化輻射束期間，於控制該 基板台相對於一微影裝置中的一投影系統之移動中，使用 該等第一及第二反射部件之形狀及相對於彼此的方位之所 得到的至少一項’該微影裝置經組態用以使用從該等第一 及第二反射器所反射的輻射以在曝光期間監視並控制該基 板台之一位置。 _ 依據本發明之一替代性具體實施例，提供一種微影裝 置，其包含：一基板台，其係配置用以支撐一基板；第一 及第二反射部件，其係形成於該基板台之個別橫向侧上； 基板台位移器件，其係配置用以在一第一位置與一第二 - 位置之間移動該基板台；一基板至基板台對準器件，其經 組態用以在移動期間藉由相對於該基板台上的已知位置測 量該基板上的對準標記之位置而得到該基板與該基板台之 間的一空間關係之對映；以及一鏡攪動決定器件，其係配 置用以在移動期間反射自該等第一及第二反射部件的輻射 122080.doc -13- 200818258 並從該等部件得到其形狀及相對於彼此的方位之至少 項0

壯依據本發明之一替代性具體實施例，提供一種校正微影 裝置之方法包含：提供-基板台，用以支撐一基板且 具有形成於其橫向側上的第一及第二實質平面反射部件， 該$—反射部件係實質上與該基板台之平面中的第—軸χ ^交而且該第二反射部件係實質上與該基板台之平面中的 第—軸γ正交；配置一第一干涉計以反射自該第一反射部 件之-局部表面部分的t以便測量該局部表面部分沿χ轴 位置，配置一第二干涉計以反射自該第二反射部件之 局卩表面邛分的光以便測量該局部表面部分沿Υ軸之一 位置’配置該第-干涉計以亦測量該等局部部分相對於第 二的第一局部旋轉；配置該第二干涉計以亦測量該等 局部部分相對於2軸的第二局部旋轉；藉由該第二干涉計 之輸出的參考而實質上沿X軸移動該基板台，ϋ且在移動 期間’記錄該等第—及第二本地有效旋轉在沿移動的不同 點處之-組測量以便得到關於該第二反射部件之形狀的資 訊’其中在沿X軸的移動期間該基板台❹】至少〇·5 _的 本發明之-替代性具體實施例，提供-種器件製造 :’其包含：提供一基板台以支撐一基板，該基板台具 第二成於其横向側上的第一及第二實質平面反射部件，該 交而反射部件係實f上與該基板台之平面上的第-軸X正 且該第二反射部件係實質上與該基板台之平面上的第 122080.doc -14- 200818258 之-局邱1己^ 〃 α以反射自該第-反射部件

°:表面部分的光以便測量該局部表面部分沿X軸的 立置，配置一第二干涉計以反射自該第二反射部件之— 局部表面部分的光以便測量該局部表面部分沿υ軸的一位 置’配置該第―干涉計以亦測量該等局部部分相對於第三 轴的第局部旋轉；配置該第二干涉計以亦測量該 邛。卩分相對於ζ軸的第二局部旋轉；藉由該第二干涉卄^ 輸出的參考而實質上沿X轴移動該基板台，並且在移動期 間，記錄該等第一及第二本地有效旋轉在沿移動的不同點 處之一組測量以便得到關於該第二反射部件之形狀的資 訊，其中在沿X軸的移動期間該基板台達到至少〇5油的 速度；以及在後來將該基板曝露於藉由自一圖案化器件之 投，系統所投影的圖案化輻射束期間，於該基板台相對於 -微影裝置中的一投影系統之移動的控制中使用關於第一 反=部叙形狀的資訊，該微影裝置經組態用以使用從該 等第-及第二反射部件所反射的輻射以在曝光期間監視並 控制該基板台之一位置。 依據本發明之一替代性具體實施例，提供一種微影裝 置，其包含：-基板台，其係配置用以支撑—基板且具有 形成於其橫向侧上的第—及第二實f平面反射部件，該第 一反射部件係實質上與該基板台之平面中的第一軸X正交 而且該第二反射部件係實質上與該基板台之平面中的第二 軸γ正交’·一第—干涉計，其經組態用以反射自該第一反 射部件之—局部表面部分的光讀測量該局部表面部分沿 122080.doc •15- 200818258 X轴的一拍：番· 》 _ 置，—弟二干涉計，其經組態用以反射自該第 一反射部件之—局部表面部分的光讀測量該局部表面部 :沿:軸的1置，其中：該第一干涉計經（態用以亦測 里該等局部部分相對於第三軸z的第一局部旋轉；該第二 干涉计經組態用以亦測量該等局部部分相對於2軸的第二 局部旋轉；而且該微影裝置經組態用以藉由該第二干涉計 之輸出的參考而實質上沿X軸移動該基板台，並且在移動

期間記錄料第—及第二本地有效旋轉在沿移動的不同點 處之一組測量以便得到關於該第二反射部件之形狀的資 訊/、中在X轴的移動期間該基板台達到至少〇·5 的 速度。 · 、 依據本發明之一替代性具體實施例，提供一種微影裝 置，其包含配置用以將自一圖案化器件的_圖案投影至一 基板上的一投影系統，該微影裝置包含：一基板台，其係 配置用以支撐一基板，該基板台可從一測量站（其上可以 決定該基板與該基板台之間的一空間關係）以及一曝光站 (其上可以將自該圖案化器件的該圖案投影至該基板上）移 動；第-及第二反射部件，其係形成於該基板台之相對侧 上且實質上彼此平行；一第一干涉計，其係配置用以反射 自該第一反射部件的光以便在該基板台係於該測量台上時 測量該基板台相對於一第一軸的位置；以及一第二干、步 計，其係配置用以反射自該第二反射部件的光以便在該基 板台係於該曝光台上時測量該基板台相對於該第一轴的2 置，其中複數個對準標記係在該基板台之上表面上形成為 122080.doc -16- 200818258 接近於該第二反射部件且盥盆 千/、，、處於一已知空間關係中，該 碱〜裝置進一步包含一测量系 一 于、、、死其係配置用以使用該第 反射σ卩件而測量該等對進^ η— 寺對料§己在該測量台上的位置且從 而決疋該第一反射部件與該第二 係。 久町#件之間的一空間關

依據本發明之一替代性且辦_ A 广具體-施例，提供一種校正微影 我罝之方法’其包含：提供一 权供杈衫糸統以將自一圖案化器 件的一圖案投影至一基板 孜上，耠供一基板台用以支撐一基 板，該基板台可從一測詈妯堂 ,^ 〗里站（其上可以決定該基板與該基 板口之間的一空間關係）以及一 曝光站（其上可以將自該圖 案化器件的該圖案投影至該基板上）移動；提供第一及第 -反射部件，其係於該基板台之相對側上且實質上彼此平 行、；提供一第一干涉計’其用以反射自該第-反射部件的 光以便在该基板台係於該測量台上時測量該基板台相對於 一第一軸的位置；提供一第二干涉計，其用以反射自該第 二反射部件的光以便在該基板台係於該曝光台上時測量該 基板台相對於該第-軸的位置；而且在該基板台之上表面 上提供複數個對準標記，其係接近於該第二反射部件且盘 其處於一已知空間關係中；並且在該基板台係在該測量台 上時使用該第-反射部件而測量該等對準標記的位置，從 而決定該第-反射部件與該第二反射部件之間的一空間關 係。 依據本發明之一替代性具體實施例，提供一種器件製造 方法，其包含：提供一投影系統以將自一圖案化器件的一 122080.doc -17- 200818258 圖案投影至一基板上；提供一基板台用以支撐一基板，該 基板台可從一測量站（其上可以決定該基板與該基板台之 間的一空間關係）以及一曝光站（其上可以將自該圖案化器 件的该圖案投影至該基板上）移動；提供第一及第二反射 部件，其係於該基板台之相對側上且實質上彼此平行；提 夂第干涉什，其用以反射自該第一反射部件的光以便 在該基板台係於該測量台上時測量該基板台相對於一第一 ㈣位置；提供-第二干涉計，其用以反射自該第二反射 部件的光以便在該基板台係於該曝光台上時測量該基板台 相對於該第-軸的位置；i且在該基&台之上表面上提供 稷數個對準標記，其係接近於該第二反射部件且與其處於 已知空間關係中；在該基板台係在該測量台上時使用該 第一反射部件而測量該等對準標記的位置，從而決定該第 一反射部件與該第二反射部件之間的一空間關係；以及使 用該等第-及第二反射部件之間的空間關係以在後來該基 • 板之曝光期間控制該基板台於該曝光台上的移動。 【實施方式】 壯圖1示意性地描述依據本發明之一項具體實施例的微影 裝置。該裝置包含一照明系統(照明器）IL，其經組態用以 ' 調節—輻射束B (例如UV輻射或DUV輻射）；一支撐結構 (例如光罩台）MT ’其係構造用以支撐一圖案化器件(例如 :罩）MA並與一第一定位器PM連接，該第一定位器經組 態用以依據某些參數而準確地固定該圖案化器件；一基板 台（例如晶圓台）WT’其係構造用以固持—基板（例如塗布 122080.d〇( -18- 200818258 光阻晶圓）w並與一第二定位器Pw連接，該第二定位器經 組態用以依據某些參數而準確地固定該基 系統(例如-折射投影透鏡系統)PS，其經組態用以 圖案化器件MA賦予輻射束B之—圖案投影至基板w的一目 標部分C (例如包含一或多個晶粒)上。 該照明系統可包含各種類型的光學組件，例如折射、反 射、磁性、電磁性、靜電或其他類型的光學組件或其任何 組合’其用以引導、成形或控制輻射。 該支撐結構支撐（即承載）該圖案化器件的重量。其以取 決於該圖案化器件的方位、該微影裝置的設計以及其他條 件（例如該圖^匕器件是否固持於真空環境中）之方式來固 持該圖案化时。該支撐結構可錢用機械、真空、靜電 或其他夾緊技術來固持圖案化器件。該支撑結構可係（例 如）一框架或一台，其可按需要而固定或可移動。該支撐 、’。構可確保該圖案化益件係處於一所需位置(例如相對於 該投影系統）。本文中任何地方使料術語"標線片”或"光 罩"皆可視為與更通用術語”圖案化器件"同義。 本文中所用的術語"圖案化器件"應廣泛地解釋為指可用 以賦予-輻射束在㈣面中的—圖案以便在該基板之一目 標部分中建立-圖案之任何器件。應注意料該輻射束的 圖案可能*會確切地對應於基板之目標部分中的所 案’例如在該圖案包含相移特徵或所謂的協助特徵之情況 下。一般而言’賦予該輻射束之圖案將對應於-器件^於 該目標部分中建立的n力能層，例如積體電路。、 122080.doc -19- 200818258 該圖案化器件可以係透射型或反射型。圖案化器件之範 例包含光罩、可程式化鏡陣列以及可程式化LCD面板。光 罩在微影中已為人熟知，且包含諸如二進制、交替式相移 以及衰減式相移等光罩類型，以及各種混合光罩類型。可 程式化鏡陣列之一範例使用較小鏡之一矩陣配置，每一個 鏡可以個別地傾斜以便在不同方向上反射一入射輻射束。 傾斜鏡將在藉由該鏡矩陣所反射的輻射束中賦予一圖案。 本文使用的術語"投影系統”應廣泛地解釋為涵蓋適合所 用的曝光輻射或適合其他因素（例如使用浸液或使用真空） 的任何類型之投影系統，包含折射、反射、反折射、磁 H、電磁性及靜電光學系統，或其任何級合。本文中任何 地方使用的術語”投影透鏡，，均可視為與更通用術語"投影 糸統"同義。 如此處所描述，該裝置係透射類型（例如採用一透射光 罩）。或者，該裝置可為反射類型（例如採用一以上參考的 類型之可程式化鏡陣列，或使用一反射光罩）。 該微影裝置可係具有二（雙級）或多個基板台（及/或二或 更多個光罩台）之類型。在此類”多級”機器中，可並列使用 額外的台，或可在一或多台上實行預備步驟，而將一或多 個其他台用於曝光。 多考圖1 ’知明器IL接收自一輪射源S〇之一轄射束。士梦 輻射源與該微影裝置可以係分離實體，例如當該輻射源係 f分子雷射時。在此類情況下，該輻射源並非視為形成該 微影裝置之一部分，而且該輻射束係藉助包含（例如）適當 122080.doc -20- 200818258 的引導鏡及/或-擴束器之-光束遞送系統肋而從韓射源 SO傳送至照明IHL。在其他情況下，該來源可以係該微影 裝置之一整體部分，例如當該輻射源係一水銀燈時。可將 輻射源⑽與照明㈣（在需要的情況下與該光束遞送系統 BD—起）稱為一輻射系統。

照明器IL可包含用以調整該輻射束之角強度分佈的一調 整器AM。一般而言，可以調整該照明器之一光瞳平面中 強度分佈的至少外及/或内徑範圍（共同分別稱為心外及〜 内）。另外，照明器IL可包含各種其他組件，例如一積分 |§ IN及一聚光器C0。該照明器可用以調節該輻射束，以 在其斷面中具有所需均勻度及強度分佈。 輻射束B係入射在固持於支撐結構（例如光罩台MT)上的 該圖案化器件（例如光罩MA)上，並藉由該圖案化器件加以 圖案化。橫過光罩MA之後，輻射束B穿過投影系統ps，其 將該輻射束聚焦於基板W之一目標部分c上。藉助於第二 定位器PW以及位置感測器IF (例如一干涉計元件、線性編 碼器或電容感測器），可以準確地移動基板台WT (例如）以 便在輻射束B之路徑中定位不同目標部分C。同樣地，第 疋位器PM以及另一位置感測器（其並未在圖1中加以明確 描述）可用以相對於輻射束B之路徑而準確地定位光罩 Μ A，例如在從一光罩庫機械地取回之後，或在一掃描.期 間。一般而言，可藉助一長衝程模組（粗略定位）及一短衝 程模組（精細定位）來實現光罩台MT之移動，該等模組形成 第一定位器PM之部分。同樣地，基板台WT的移動可使用 122080.doc -21- 200818258 一長衝程模組及一短衝轺 衡耘拉組加以實現，該等模組形 二定位器PW之部分。在—步進器之情況下（與-掃描器相 反)〜該光罩台MT可僅與一短衝程驅動器連接，或可加以 固疋。可使用光罩對準標記M1、M2以及基板對準標記 PI、P2來對準光罩MAm基板w。儘管所解說的該等基 板對準標記佔用專用目標部分，但是其可加以定位於目： 邛刀之間的空間内（此等係稱為劃線道對準標記）。

同樣地，在該光罩MA上提供多個晶粒的情形下，該等 光罩對準標記可加以定位於晶粒之間。 所描述的裝置可用於下列模式中之至少一個中·· 1·在步進模式中，該光罩SMT以及該基板台WT係保 持本質上靜止，同時將已賦予該輻射束之一整個圖案一次 投影至一目標部分c上（即一單一靜態曝光）。接著使該基 板台WT在X及/或γ方向上偏移，以便可以曝露一不同目標 部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單一靜態 曝光中所成像的目標部分c之尺寸。 2·在掃描模式中，同步掃描光罩台MT以及基板台 WT，同時將已賦予該輻射束之一圖案投影至一目標部分。 上（即一單一動態曝光）。可由投影系統PS之（縮）放率及影 像反轉特徵決定基板台WT相對於光罩台MT之速度及方 向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單一動態曝光 中該目標部分之寬度（在非掃描方向上），而掃描運動之長 度決定該目標部分之高度（在掃描方向上）。 3.在另一模式中，該光罩台MT係保持本質上靜止，從 122080.doc -22· 200818258 而固持-可程式化圖案化器#，並且當在將賦予該發輻射 束的一圖案投影至一目標部分c上時，移動或掃描基板台 WT。在此模式中，一般而言’使用一脈衝式輻射源，並 且在每次移動基板台WT之後或在一掃描期間的連續輻射 脈衝之間按需要更新該可程式化圖案化器件。此操作模式 可易於應用於利用可程式化圖案化器件（例如以上參考的 類型之一可程式化鏡陣列）的無光罩微影中。 亦可使用以上說明的使用模式的組合及/或變化或完全 不同的使用模式。 對於其中相對於該投影系統來移動該基板的基板曝光序 列而言，需要以準確系統在曝光期間決定基板貿相對於投 影系統PS的位置，以確保後來的曝光序列期間移動之精確 的重複性及良好的覆蓋。 為決定基板W相對於投影系統PS的位置，決定基板台 WT相對於投影糸統ps的位置。此舉可藉由下列方式達 到·在基板台WT之橫向表面上形成鏡，例如附著反射組 件、元件或部件或將反射塗層施加於基板台界丁之侧面。 為決定基板台WT在二維水平移動中的位置，需要至少二 個鏡以相對於彼此的非零角加以提供。一示範性組態係提 供一標稱矩形（或正方形）基板台WT並在基板台wt之實質 上彼此垂直的至少二個側上上形成反射元件或部件。例 如’將X及Y疋義為基板台WT之平面中的垂直軸（即，分別 實質上垂直於投影系統PS之一軸），可在標稱垂直於X軸的 基板台WT之一橫向侧上提供一第一鏡而且可標稱上垂直 122080.doc -23- 200818258 於Y軸的基板台WT之一橫向側上提供一第二鏡（此類鏡係 在圖7中標識為66及68，參見以下說明）。使用配置用以反 射自此等鏡的光之干涉計並在每一種情況下決定干涉計與 鏡表面之間的距離，可以分別決定基板台軸的 位置。

圖5顯不一控制系統54，其經組態用以在曝光期間相對 於投影系統PS移動基板W以便在基板墀上形成一所需圖 案。可將回授及/或前授控制系統併入控制系統54中以便 使用基板台位移器件50透過一所需系列位置來準確地移動 基板台wt。在移動期間，藉由與干涉計52組合的基板台 位置決定器件53將基板台|丁之位置提供給控制系統^。 如上所述，干涉計52可藉由下列方式而操作：反射自形成 於基板台wt之橫向表面上的鏡66、68之光並使用干涉術 測量對應鏡表面之本地位置。 由基板台位置決定器件53提供的基板台位置方面的誤差 可能引起控制系統54之操作方面的對應誤差，並且可在曝 光期間沿_同於所料的路彳移動基板台 WT此可引起最終形成於該基板上的圖案之對準方面 誤差以及覆蓋之品質方面的降低。 々〜…代六仰對於彼此 的標稱位置及方仪得以_情況下。由加熱 光輕射）及/或冷卻（自（例如）密封部件中存在的浸潰液體: 蒸發)引起的基板台WT之畸變可能使該等鏡崎變且彼此未 對準。在將該等鏡襟稱配置成彼此垂直的情況下，角未對 122080.doc -24- 200818258 準可稱為π非正交性”。 依據圖5所解說的本發明之具體實施例，基板台位置決 疋裔件53係調適用以根據由基板台WT的溫度之測量的參 考所決定的鏡擾動而補償此畸變。

使用一基板台溫度監視器件58決定基板台WT之溫度， 忒為件在所不的具體實施例中係與形成於基板台WT之表 面附近的複數個溫度感測器55連接。此配置方面的變化係 可行的。例如，可使用一單一溫度感測器以代替複數個溫 度感測器55。此外，感測器55除係形成於基板台WT之主 體内以外，其可附於一外部表面。 由一攪動決定器件57決定鏡66及68的測量的溫度與鏡攪 動之間的關係（例如形狀、位置及/或對準/正交性方面的變 化）。攪動決定器件57可根據第一原理計算基板台WT之預 期畸變，例如使用基板台WT之熱及機械特性之模型以及 如圖5所示，可提供一儲存器件 適當的物理定則。或者， 56,其包含校正資料，該等資料提供從測量的溫度之特定 數值至基板台WT及鏡66、68 (或僅直接該等鏡）之預期畸 變的映射。欲儲存在儲存器件56中的校正資料可藉由下列 方式加以獲得：使用試驗晶圓及圖案實行曝光過程，並且 測量基板台WT之溫度以及針對各種不同操作條件之對應 畸變（獨立地）。插值可用以得到資料，其中測量的溫产; 數在處理儲存於儲存器件56中的校正表格的讀數之間。·"貝 正 資 根據第一原理或理論模型而計算預期畸變會消除爱 實驗的需求。另-方面’校正資料的使用會消除對言· 122080.doc -25 - 200818258 源以及深入地在理論上瞭解基板台WT及周圍組件之特性 的需求。 基板台位置決定器件53接收自攪動決定器件57的輸出並 係配置用以在考量該等鏡之攪動位置、形狀及/或方位的 情況下計算該基板台之位置。與控制系統54相通的基板台 位置因此比未補償鏡攪動之情況更準確。成像準確度及覆 蓋因此得到改良。 一般而言，基板台WT之熱負載係基板數目之函數（即其 取決於裝置的最近曝光歷史，包含已經曝露一給定批量的 多少個基板）、基板之掃描路由、所用的對準方案以及投 影系統PS之曝光設定。與基板台WT之長時間常數以及基 板台WT之尚熱電阻組合，變形成為一時間函數。 熱效應的主動補償可能不會提供完整的解決方式。除曝 光期間基板台WT之熱感應畸變以外，不同鏡之間的相對 方位可能由於其他因素仍隨時間及/或從一次基板曝光至 一次基板曝光而偏移。例如，基板台冒丁在一給定過程期 間於藉由曝光輻射及/或浸潰系統組件得以加熱及/或冷卻 之後，由於與基板台WT之熱循環相關聯的不可逆程^而 可能不會正確地恢復至其原始形狀。即使 根據基板台溫度之測量而決定基板台鏡之預期二 統’在決定基板台位置中仍可能出現誤差，因為用以將該 基板台之測量的溫度與鏡畸變鏈結的理論模型或校正表格 將不考量從-基板曝光至下―基板曝光所出現的系統特性 122080.doc -26 - 200818258 一種可订的方法係在每次對基板進行曝光之前實行該等 鏡之預曝光授動的詳細測量。然而，此類方法比較耗時而 且降低微影裝置的輸出。圖7解說一替代性方法，其中用 2分離對準步驟的掃描過程侧以同時實行有效鏡擾動測 4。因為攪動測量程序不需要分離掃描程序，所以不存在 輸出方面的重要降低。因此，可以獲得改良式成像準確度 •及覆蓋而無任何（若至少具有降低的）輸出成本。 • 如上所述，決定基板台WT相對於投影系統PS之位置可 用作決定基板W相對於投影系統p s之位置的程序之部分^ 。而，亦而要決定基板w與基板台WT之間的空間關係。 依據本發明之一具體實施例的背景（或預曝光）鏡攪動決定 耘序係與決定此後者特性相關聯的對準程序組合。 在基板台WT係實質上在其將針對採用所需劑量圖案對 基板W進行曝光所在的位置相同之位置時，可實行該基板 相對於基板台WT之對準。圖6示意性地解說一替代性配置 H (其可應用於以上說明的任何具體實施例），其中提供分離 測量站46 (當經組態用以執行此功率時亦稱為基板至基板 台對準器件）以執行基板對準及/或調平。當對準完成時， 將基板台WT移動至曝光站44，其中可以實行將所需劑量 一 圖案曝露於基板W上。通常而言，僅曝光站44具有一系統 以維持投影系統PS之最後元件與基板墀之間的浸潰液體 (例如用以包含浸潰液體的密封部件4〇)。一般而言，在此 類設定中，基板台WT具有一參考48 (有時稱為基點），其 可以包含一蝕刻通透板，該板具有一對應於一標準對準標 122080.doc -27 - 200818258 .己的圖案，其下面有回應輻射的—輻射感測器，其亦稱為 傳輸影像感測ii(Tis)。在測4站46上，移動基板台WTW 使用測量系統42㈣對準系統制參考48並接著彳貞測基板 w上的對準標記，從而使該等對準標記之方向X、丫及k (圍繞Z軸的旋轉）上的位置能得以找到（換言之，在測量站 46上獲得基板對準標記之對映，其實際上對應於基板w與 基板台WT之間的空間關係之對映）。在一具體實施例中， 相對於麥考48測量並決定該等對準標記之位置。 亦可以在測量站46上實行基板W之位準測量。為測量基 板W之位準，可以使用一調平束（從測量系統仏投影），其 橫過第一光栅，然後藉由基板臀進行反射。在藉由基板w 反射調平束之後，接著將一第二光柵放置在調平束之路徑 中。測量第一及第二光柵之影像所符合的範圍藉由一位準 測篁感測器測量並且藉由基板w之高度及/或傾斜度決定 (因此決疋Z座標、圍繞X軸的旋轉Rx、以及圍繞γ軸的旋 轉Ry)。為進一步說明基板之位準測量，參考歐洲專利申 請案EP 02,257,251，其係以引用的方式併入本文中。因 此，使用自基板W之對準的資料以及基板|之位準測量， 可以在測量站46上產生基板W之對映。 圖7顯示一示範性配置，其中使用二個傳輸影像感測器 (TIS) 60及62 (對應於上述參考48之特定具體實施例）實行 基板W相對於基板台WT之對準。TIS 60及62係相對於基板 台WT而固定並定位在基板台WT之上表面上的基板w之區 域外面。接著藉由測量系統42内的對準系統曝露基板冒以 122080.doc • 28 - 200818258 及ts上的對準標記，並且可以決定基板贾與基板台wt之 間的空間關係。在雙級系統中，在一测量站46上實行對準 測里’如以上說明。在圖7所示的組態中，移動基板台WT 以便曝露沿箭頭64之線的區域，該曝露藉由曝露第一 TIS 60開始，卩返後曝露基板w上的一系列區域，並於第二TIS 62中結束。路徑64可選擇為使基板台穿過X及γ方向上 的完全範圍之位置，將於欲在圖案曝光級中形成於基板w 上的圖案之曝光期間遇到該等位置。較佳而言，沿相對於 该等鏡之平面的實質45度路徑移動基板台WT。 依據本發明之一具體實施例，提供一鏡對準決定器件 65，其藉由自分別經組態用以反射自個別鏡上的局部區域 之輻射的干涉計51及52之測量的參考而決定基板台冒丁上 的不同鏡66與68之間的未對準。該等干涉計經組態用以同 時分別發射複數個（例如二個）雷射束，其係在空間上沿實 質上平行於基板台WT之平面中的對應鏡之表面的方向（即 垂直於投影系統PS的軸（，，z軸”)）而分離，但是具有小於該 等鏡之寬度的分離，以便對鏡表面進行局部測量。同時提

由干涉計51偵測的X鏡表面圍繞2軸 存在差異而且長度方面的 。對於圖7所示的組態而 圍繞z軸的本地有效旋轉 122080.doc -29- 200818258 22Rzx。由干涉計52偵測的γ鏡表面圍_的本地 有效凝轉係表示為RZy。

當沿路徑64相對於投影_ps移動基板台资時，該等 干涉計可以測量鏡表面之位置及其在其個別表面上的若干 不同位置處的本地Rzx及Rzy數值。鏡表面上的測量部分之 分離將取決料行測量所採用頻率："取樣頻率"。可以夢 由在取樣點之每-個處所測量的本地鏡位置之參考而得,； 鏡表面之形狀（即該干涉計從干涉計反射光的該鏡之該部 分與該干料的分離，或干㈣輻射束之長度）。藉由取 用於一鏡的取樣點之Rzx或Rzy數值的加權平均值，可得到 該鏡之平均旋轉。需要權重’因為一給定鏡上的測量區域 之密度在對準掃描期間可能發生變化。在圖7所示的配置 中’假^定掃描速度及取樣頻率，可以為該等樣本之每 一個提供同一權重，因為基板台WT在一直線上從對準掃 描之起點移動至對準掃描之終點。然而，若對準掃描並不 直，或掃描速度及/或樣本頻率係可變的，則點密度將發 生變化而且將需要將不同權重應用於不同樣本。例如，在 更頻繁地取樣的該鏡之區域中，可能必需降低樣本權重以 便該區域中的本地表面旋轉並不過分地貢獻平均旋轉之叶 算，且反之亦然。 若X鏡66之平均旋轉係表示為xrot並且丫鏡68之平均旋轉 係表示為yrot，則X及Y鏡的總未對準（或非正交性）係 及Rzy之平均數值方面的差異： 未對準=yrot - xrot =平均（Rzy)-平均（Rzx)=平均 122080.doc •30- 200818258 (Rzy-Rzx) 〇 將沿對角線掃描的Rzx及Rzx之測量與沿X及Y的掃描之 測量組合可用以得到關於該等鏡之形狀及方位的詳細資 訊。 如以上說明，當一鏡區塊之各鏡具有與完美矩形鏡區塊 的形狀Y(X)及X(Y)時，Rzx及Rzy測量將測量與沿該鏡的 位置成函數關係的該鏡之本地角，如下所示：

Rzy=d{Y(X)}/dX

Rzx=-d{X(Y)}/dY 倒轉等式會產生：

X 7(X)= \Rzy{x)dx^rY(Si) ο r X(Y) = - f Rzx{y)dy^ Χ(0) 在Υ = Yfixed情況下於X方向上進行掃描並且測量Rzx及 Rzy會提供：

X

ScanY(X) = Rzx(Yfixed))dx ο

X =^{Rzy{x))dx- Rzx(Yfixed)X =Υ(Χ)-Υ(0)-αΧ 重新配置會提供：

Y(X) = ScanY{X)^ 7(0)+ oX 此係鏡Y(X)相對於未知旋轉aX及平移Y(0)的形狀，因此 Υ(Χ)相對於一線而言係已知的。 在X=Xfixed情況下於Υ方向上進行掃描並且測量Rzx及 122080.doc •31- 200818258

Rzy可提供：

Y

ScanX(y) = {(Rzy(Xfixed) - Rzx(y))dy o

Y

=-I {Rzx{y))dy + Rzy{Xfixed)Y =X(Y)-X(0)-bY 重新配置會提供：

X{Y) = ScanX{Y) + Χ(0) + bY 此係鏡Χ(Υ)相對於未知旋轉bX及平移Χ(0)的形狀，因此 Χ(Υ)相對於一線而言係已知的。 在由X = S及Y = S定義的掃描線上的一般點處，以測量 Rzx及Rzy的45度角在X及Υ上掃描會提供：

ScanXY(S) = f (Rzy(s) - Rzx(s))ds ο J Rzy{s)ds

s ο ο 因為Rzy僅取決於X而且Rzx僅取決於Υ，所以下列屬實：

X Y - 假設 X = S，Y = S ScanXY(S) = f ~(χ)^ίχ: - f 假設 x=s，γ=s = {〇明-r(o)}° + {則-增} • 假設 X = S，Y = S = {ScanY(X) + + {ScanX(Y) + bY} 假設 X = S，Υ = S = {ScanY(X) + ScanX(Y)} ^{aX^bY) ={ScanY(S) + ScanX {S)} + {a5+ 65} 重新配置會提供： {aS+ bS} = {ScanY(S)^ ScanX(S)} 122080.doc -32- 200818258 現在具有涉及自三個掃描的結果之下列等式： ZC7) = Z⑼ +

Y(X) = ScanY(X) + 7(0) + aX {aS-l· bS} = ScanXY(S)- {ScanY{S)-l· ScanX(S)} 將鏡旋轉bY及aX分成剛性鏡區塊旋轉"r"及剪切"f"會提 供：

- X{Y) = ScanXiY) + X(0) - rY\ fY Y(X)= ScanY{X)\ 7(0)+ rX\ fii ‘ ScanXY{S) - {ScanY{S) + ScanX(S)} = {(r + /)5 + (- r + f)S} =2β ’ 從最後等式可以決定剪切nf” ： 05^ {ScanXY(S)~ {ScanY(S)^ ScanX(S)}} 取其導數會提供：

f = d[05*{ScanXY(S)- {ScanY(S) + ScanX(S)}}]/dS =0.5 * {d[ScanXY(S)] / ds - d[ScanY(S)] / ds - d[ScanX(S)] / ds) 其係基本上從自ScanXY之線性擬合的ScanX及ScanY減去 線性擬合。替代： 塵 X(Y) = ScanX(Y) + X(0) -rY\ 0.5 * {d[ScanXY(S)] / ds ™ - d[ScanY(S)] / ds - / * 7

F(X) = ScanY(X) + 7(0) + rX + 0.5 * {d[ScanXY(S)] / Λ -d[ScanY(S)] / ^ - ί/[&απΧ(5)] I ds}^ X ^ 其僅留下未知位置X(〇)及Y(0)，以及未知旋轉nr"。當相對 ‘ 於該基板台對準該基板時，按常規決定此等參數。 因此，三個掃描ScanX、ScanY及ScanXY可以提供鏡形 狀 X(Y)及 Y(X)。 以上掃描期間干涉測量（即ScanX、ScanY及ScanXY)之 準確度指示可以獲得鏡形狀採用的精度。在該等鏡上進行 122080.doc •33- 200818258 緩慢掃描期間取許多讀數可以降低自干涉術的誤差。然 而’此方法花費較長時間並且在需要以規則為基礎（例 如’在每一次曝光之間）測量鏡形狀的情況下可能會降低 輸出。 在u影應用中，通常情況係干涉術測量經受具有高頻率 成分的誤差：所謂的”迅速誤差”。例如，可將迅速誤差定 義為出現在時間比例上的誤差，該等時間比例係在很大程 度上短於在等於重要鏡畸變之最小預期波長（若鏡畸變測 虽私序之解析度）的距離内橫跨該鏡實行一測量掃描所必 需的時間。例如’在欲加以測量的鏡變形波長係2〇 且0亥鏡上的掃描速度係5〇〇 mm/s的情況下，用以定義”迅 速誤差的相關時間比例將係2〇 mm/500 mm/s = 25 ms。時 間比例上出現的短於25 ms的雜訊將於在該25 ms週期期間 取足夠樣本的情況下得以濾出（藉由平均法）。對於〇·2 ms 之典型取樣速率而言，將在25 ms期間取125個樣本，此將 在很大程度上濾出迅速誤差σ 若（假定）400 mm的整個鏡係以5〇〇 mm/s的掃描速度所 測里’則總測篁時間係〇 · 8 s。因此，亦避免慢於〇 · $秒的 (大波長）漂移。在以此方式移除迅速誤差以及慢漂移之 後’所有剩下的係出現在中間時間比例上的變化··即2 $ ms與0.8秒之間，此係預期不會太大。例如，通常具有使 該等鏡在約數分鐘的時間比例上變形的熱基板台漂移，以 及在ms時間比例上產生雜訊的干涉計束中的空氣壓力變 化。此等雜訊來源皆可以藉由下列方式加以避免··針對 122080.doc -34- 200818258 20mm典型波長鏡變形，以用於4〇〇瓜瓜鏡的瓜㈤“之掃 描速度測量該鏡。 文一飯而言，選擇掃描速度以便在明顯快於慢漂移之重 要機制所需的時間而實行該鏡的整個掃描以對測量信號產 生重要效應。在本具體實施例之迅速掃描中使用的最佳速 度將因此取決於所存在的特定誤差機制。

概述而言，迅速掃描避免慢漂移誤差，例如基板台 在幾分鐘内的熱漂移，並且迅速取樣或實行多次掃描允許 迅速雜訊（例如從壓力變化及其他迅速誤差來源出現的雜 讯）猎由平均法加以濾出。壓力感測器及熱感測器可用以 移除空氣壓力Μ氣溫度之長期漂移，&而僅自下雜訊。 在空氣壓力/溫度中的雜訊係一因素的情況下，雜訊之 來源將具有-效應。例如，在將氣刀用以包含投影系統 之最後元件與基板W之間之區域中的浸潰液體之浸潰微影 系統情況下，氣刀裝置之操作細節及品質將比較重要。 在預期基板台WT以及鏡之動態變形係一因素的情況 下，可以預期掃描之加速部分的誤差可能高於恆定速度部 分。在此情況下，僅在基板台WT移動之恆定速度階段期 間取讀數可以降低誤差。 如以上說明，應該將該鐃上的測量掃描速度選擇為快到 足以濾、出熱漂移及緩慢變化的誤差。然而，掃描速度不應 該太高，否則增加數量的迅速誤差可能開始貢獻信號，除 非可以適當地增加取樣速度。例如，彳提供壓力感測器以 測量可加以補償的大氣壓力變化。然而，壓力感測器可能 122080.doc 35- 200818258 具有受限範圍，因此出現太快以致不能加以偵測並藉由壓 力感測器加以補償的壓力變化可能貢獻鏡測量方面的誤 差，除非針對此等欲加以濾出/平均化的誤差而足夠缓慢 地掃描該鏡。因此，在快到足以濾出熱漂移及其他慢漂移 誤差的測量掃描速度，與足夠慢以至充分的取樣可用以濾 出迅速雜訊來源的掃描速度之間可以達到平衡。 頃發現，在浸潰系統中，僅使用採用0.55與1;1 m/s之間

的掃描速度之掃描的恆定速度部分，可以達到優於〇5 的干涉測里之再現性。此等掃描速度對應於約〇·5秒的掃 描時間。 如上所述，在雙級微影系統中，當對準完成且基板W準 備加以曝光時，可採用測量站46上的基板台WTW及提供 用以將基板台WT從測量站46移動至曝光站44的構件而實 行基板對準測量。鏡係m基板台射之橫向侧上並用 以在基板台WTmw6及曝光站44上得以掃描時測量 δχ 土板σ之位i纟某些系統中’有利的係與曝光站44相 比’在測量站46上將不同鏡用於位置測量。此可意指將不 同鏡用於X及γ位置測吾，+土 、 或者將不同鏡用於僅X或僅γ位 置測量。例如’一共同鏡可用於x測量，而二個鏡係提供 用於γ測量。在提供二個鏡的情況下，其可表示為針對在 測量台上使料鏡之γ測量，以及針對在曝光台上使用的 ，兄之+光而且可加以定位在（例如）基板台资之相對側 上0 當在測量及曝光台上使用 不同鏡時 鏡之間的相對對準 122080.doc -36 - 200818258 及/或形狀（即鏡之 由於加埶 的二間關係）可在曝光之間改變（例如 況下， （），此可導致覆蓋誤差。在使用相同鏡的情 算# 預4的鏡變形將不會引起此類覆蓋問豸，只要該 專鏡在對準及曝光期間具有同一誤差。 依據本發明夕 之一具體實施例（其係描述在圖8中），此問 、，糸猎由下列方式而克服··將基板台WT之上側上的對準 提供成接近於欲在對準期間用在曝光站44上的鏡，

△ *光鏡72，其係定位成與Υ測量鏡74相對。已誇大基 板σ WT之形狀以突顯與其標稱矩形形式的偏差。藉由角 度78顯示γ曝光鏡72與丫測量鏡74之間的所謂”非正交”或未 對準。共用X鏡係表示為76。 應該較佳將對準標記70定位在Υ曝光鏡72内約1〇 mm。 在典型系統中，此分離將在如採用對準標記7〇之位置所 決定的Y曝光鏡72之本地形狀中引起約〇·〇5 nm的不確定， 此係可以接受的。此估計係基於5〇 χ 1〇_9的熱膨脹係數， 以及〇·1 Κ的溫度偏移，對準標記70與Υ曝光鏡上的對應點 之分離中的偏移係由下列提供·· (5〇χ ΗΓ9)Χ α1χ (10χ 10, 〇飯10-9祖於在測量站牝上進行對 準期間’相對於在測量站46上操作的X及γ鏡（共用乂鏡％ 及Υ測量鏡74)而測量基板對準標記80之位置。亦測量對準 標記70之位置，其在接近於γ曝光鏡72之表面的情況下接 近對應於Υ曝光鏡72之表面的形式。對準標記7〇相對於χ 及Υ測量鏡76及74之位置的測量因此產生Υ曝光鏡72與^測 量鏡74之間的空間關係。因此獲得的空間關係之精度將取 122080.doc -37- 200818258 決於所提供的對準標記70之數目（間距更接近的標記可以 更精確地定義鏡表面之形狀，以小比例偏差為例）。因為 對準標圮70之測量可能花費額外時間，所以有利的可能係 僅測里降低數目的對準標記7 〇以便不使輸出折衷太大。可 以藉由少至（例如）二或三個對準標記7〇來獲得γ曝光鏡Μ 與Υ測里鏡74之間的相對角度之變化。 一旦已建立Υ曝光鏡72與Υ測量鏡74之間的空間關係， 則當使用曝光站44上的γ曝光鏡72移動該基板台時，可以 應用使用Υ測量鏡74在測量站46上實行的對準測量。 儘管可在本文中特定參考IC製造中的微影裝置之使用， 但疋應瞭解本文說明的微影裝置可具有其他應用，例如整 合式光學系統的製造、用於磁疇記憶體的導引及偵測圖 案、平面板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等。熟 習技術人士應瞭解，在此類應用的背景下，本文中任何地 方使用的術語”晶圓，，或，，晶粒"均可分別視為與更一般的術 語”基板”或”目標部分"同義。本文所參考的基板可在曝光 之前或之後，於（例如）循跡（通常將一光阻層施加於一基 板並顯影已曝露光阻之工具）、度量衡工具及/或檢驗工具 中進行處理。在適㈣情況下，本文的揭示内容可應用於 此類及其他基板處理工具。此外，例如為建立一多層扣， 可對該基板進行多次處理，因此本文所用的術語基板亦可 指已經包含多個已處理層的基板。 本文所使用的術語”輻射”及"光束"涵蓋所有類型的電磁 輻射，包括紫外線（UV)輻射（例如’具有約365、248、 122080.doc -38- 200818258 193、157或 126 nm 之波長）。 在背景允許的情況下，術語"透鏡"可指各種類型光學組 件（包含折射及反射型光學組件）之任一類型或組合。 儘管以上已說明本發明之特定具體實施例，但是應明白 本發明可採用除所說明的方式以外之方式加以實施。例 如，本發明可採取以下形式：一電腦程式，其包含說明如 以上所揭示的方法之一或多個序列的機器可讀取指令；或 一資料儲存媒體(例如半導體記憶體、磁碟或光碟），其具 W 冑储存於其中的此類電腦程式。 本發明可應用於任何浸潰微影裝置，尤其係（但並不僅 限於）上述類型。 以上說明係預計具有說明性而非限制性。因此，熟習技 術人士將明白，可以如說明對本發明進行修改而脫離以下 陳述的申請專利範圍之範轉。 【圖式簡單說明】 _ 現在僅藉由範例並參考隨附示意圖而說明本發明之具體 實施例，在該等圖中對應的參考符號指示對應的零件，且 其中： . 圖1描述依據本發明之一具體實施例的一微影裝置； - 圖2及3描述用於一微影投影裝置之一傳統液體供應系 統； 圖4描述用於—微影投影裝置的—傳統液體供應系統； 圖5描述一微影裝置，其具有依據本發明之一具體實施 例的一基板台溫度監視系統、一攪動決定器件、以及一控 122080.doc -39- 200818258 制糸統； 圖6解說一雙級浸潰系統中的測量及曝光站； 圖7描述一對準校正過程期間該基板台之運動；以 圖8描述具有沿Y曝光鏡的對準標記之一基板台。 【主要元件符號說明】 40 密封部件 ~ 42 測量系統 44 曝光站 ⑩ 46 測量站 48 參考 50 干涉計 51 干涉計 52 干涉計 53 基板台位置決定器件 54 控制系統 • 55 溫度感測器 56 儲存器件 57 攪動決定器件 ' 58 基板台溫度監視器件 60 TIS 62 TIS 64 路徑 65 鏡對準決定器件 66 鏡 122080.doc -40· 200818258 68 鏡 70 對準光罩 72 Y曝光鏡 74 Υ測量鏡 76 χ鏡 AM 調整器 B 輻射束 BD 遞送系統 C 目標部分 CO 聚光器 IF 位置感測器 IL 照明器 IN 積分器/入口 Ml 光罩對準標記 M2 光罩對準標記 MA 圖案化器件 MT 光罩台 OUT 出CT PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PM 第一定位器 PS 投影系統 PW 第二定位器 SO 輻射源 122080.doc •41- 200818258

w WT 基板 晶圓台 122080.doc -42-

Claims (1)

1. 200818258 十、申請專利範圍： 1· 一種微影裝置，其包括： 一投影系統，其係配置用以將自一圖案化器件之一圖 案投影至一基板上； Θ 一基板台，其係構造用以支撐該基板並包含形成於其 s 一橫向側上的至少一個反射元件； * 一基板台位移器件，其經組態用以相對於該投影系統 移動該基板台； 籲 一基板台溫度監視器，其經組態用以決定該基板台之 至少一部分的一溫度； 一攪動偵測器’其經組態用以使用由該基板台溫度監 視器所決定的該溫度而估計該至少一個反射元件之一位 置、方位或形狀之至少一項中的一熱感應偏移； 一基板台位置偵測器，其係配置用以藉由反射自該至 少一個反射元件的輻射並考量藉由該攪動偵測器所估計 ^ 的該至少一個反射元件之該熱感應偏移而決定該基板台 之一位置；以及 一控制系統，其係配置用以供應一控制信號給該基板 • 台位移器件以便沿一預定路徑移動該基板台，該控制信 ’ 號係根據由該基板台位置偵測器所決定的該基板台之該 位置而決定。 2·如請求項i之微影裝置，其中該基板台包含形成於其橫 向侧上的二個實質平面反射元件並且該攪動偵測器係配 置用以決定定義在該二個反射元件之間之角度中的一熱 122080.doc 200818258 感應偏移。 =求項!之微影裝置，其進一步包括一儲存器件，直 匕：板正資料’該等資料提供該基板台之至少一部分的 測量溫度與形成於該基板台之一側上的一反射元件：該 位置、方位或形狀之至少-項中的對應偏移之間的一映 射，而且其中該攪動偵測器經組態用以藉由從該校正表 袼擷取資料而估計該等熱感應偏移。 ❿4.如請求们之微影裝置，其中該攪動偵測器經組態用以 使用^:學#型而估計該熱感應偏移，該數學模型說明 預期該基板台如何隨該基板台之至少—部分的該溫度之 一函數得以畸變。 5 ·如明求項1之微影設備，其進一步包括·· 一液體供應系統，其經組態用以採用液體至少部分地 填充該投料、統之—最後元件與該基板之間的—空間； 以及 • 、封部件’其係配置用以實質上包含該投影系統之 該最後元件與該基板之間之該空間内的該液體。 6· 一種器件製造方法，其包括： 提供一基板台用以支撐一基板並具有形成於其一橫向 ^ 側上的至少一個反射元件； 提供一基板台位移器件用以相對於一投影系統移動該 基板台； 決定該基板台之至少一部分的一溫度； 使用該決定溫度估計該至少一個反射元件之該位置、 122080.doc -2- 200818258 方位或形狀之至少一項中的一熱感應偏移； 藉由反射自該至少一個反射元件的輻射並考量該至少 一個反射元件之一位置、方位或形狀之至少一項中的該 估計熱感應偏移而決定該基板台之一位置；以及 • 使用一控制系統以使用該基板台位移器件沿一預定路 徑移動該基板台，根據考量該至少一個反射元件之該估 ' 計偏移的該基板台之該決定位置而決定用於該控制系統 的一控制信號。 7_ 一種校正一微影裝置之方法，其包括： 提供一基板台以支撐一基板，該基板台包含形成於其 個別橫向側上的第一及第二實質平面反射部件，該第一 反射部件係實質上與該基板台之一平面中的一第一軸正 交，而且該第二反射部件係實質上與該基板台之該平面 中的一第二轴正交，該第一軸係實質上垂直於該第二 轴； • 纟一第一位置與-第二位置之間移動該基板台； 於在該第一位置與該第二位置之間移動該基板台期 ， 間’反射自邊第—反射部件的輕射以測量該第-反射部 件之-表面15繞實質上垂直於該等第一及第二軸之一第 一軸以及在該第-反射部件上的複數個不同點處的一第 本地有放旋轉，並且反射自該第二反射部件的轄射以 測里該第一反射邛件之一表面圍繞該第三軸以及在該第 二反射部件上的複數個不同點處的—第三本地有效旋 轉；以及 122080.doc 200818258 藉由汁异該第一本地有效旋轉之該等測量數值之一計 ^平均值與该第二本地有效旋轉之該等測量數值之一計 算平均值之間的一差異或該等第一及第二本地有效旋轉 之該等測量數值之對應對之間的一平均差異而得到定義 “專弟與弟一反射态部件之間之角度方面的一偏移 之一估計。 8·如請求項7之方法，其中在該得到中，考量於在該等第

   一與第二位置之間移動該基板期間進行的該等第一及第 二本地有效旋轉之測量的一密度而得到該等計算平均 值。 9·如請求項8之方法，其中當依據在處於討論中的該反射 部件之該表面上的該對應點處所進行的測量之該空間密 度而計算該平均值時，藉由對該等第一及第二本地有2 旋轉之個別測量進行加權而考量測量之該密度。 1〇·如請求項9之方法，丨中與在較高測量密Ζ區域中進 行的測量相比，將一較高權重提供給在相對較低測量密 度之區域中進行的測量。 11·如請求項7之方法，其中實質上同時採用該得到，該基 板台從該第-位置至該第二位置之移動係用以測量該基 板以及該基板台上的對準標記以便決定該基板與該基板 台之間的一空間關係。 12. 一種器件製造方法，其包括： 提供一基板台以支撐該基板，該基 /悉板台包含形成於其 個別横向側上的第一及第二實 負十面反射部件，該第一 122080.doc -4- 200818258 反射部件係實質上與該美妬A夕 _ 、忑暴板口之一平面中的一第一軸正 父’而且該第二反射部杜展奋 人对。卩件係實質上與該基板台之該平面 中的一弟二轴正交， 一 該弟一軸係實質上垂直於該第二 軸； 在一第一位置與一 第二位置之間移動該基板台

   於在為第-位置與該第二位置之間移動該基板台期 間’反射自該第-反射部件的輻射以測量該第—反射部 件之-表面圍繞實f上垂直於該等第-及第二軸之一第 三軸以及在該第一反射部件上的複數個不同點處的一第 本地有效旋轉，並且反射自該第二反射元件的輻射以 測$该第二反射部件之一表面亦圍繞該第三轴以及在該 第二反射部件上的複數個不同點處的一第二本地有效旋 轉； 藉由計算該第一本地有效旋轉之該等測量數值之一計 异平均值與該第二本地有效旋轉之該等測量數值之一計 算平均值之間的一差異或該等第一及第二本地有效旋轉 之該等測量數值之對應對之間的一平均差異而得到定義 在該等第一與第二反射器部件之間之角度方面的一偏移 之一估計；以及 使用該偏移之該估計以在後來採用藉由一圖案化器件 所圖案化並由一投影系統所投影的一輻射束而對該基板 進行曝光期間控制該基板台相對於一微影裝置中的該投 影系統之移動，該微影裝置經組態用以使用從該等第一 及第二反射部件反射的輻射以在該曝光期間監視並控制 122080.doc 200818258 該基板台之一位置。 13· —種微影裝置，其包括·· 一基板台’其經組態用以切__基板； 第一及第二實質平面反射部件，其係形成於該 之個別橫向側上，該第一苻 土板D 反射邛件係實質上與該基板△ 之一平面中的一第一:六 ^ σ 所 軸正又，而且該第二反射部件係f 貝上與該基板台之該平面中 ” Y的弟一軸正父，該第一軸

   係只質上垂直於該第二軸； 一-基板台位移器彳，其係配置用以在一第一位置與一 第二位置之間移動該基板台； /、 第干涉汁，其係配置用以於在該第一位置與該第 二位置之間移動該基板台期間反射自該第—反射部件的 輻射，從而測量該第一反射部件之一表面圍繞實質上垂 直於該等第-及第二軸之_第三軸以及在該第—反射部 件上的複數個不同點處的一第一本地有效旋轉； 一第二干涉計，其係配置用以在該移動期間反射自該 第二反射部件的輻射，從而測量該第二反射部件之一表 面亦圍繞該弟二軸以及在該第二反射元件上的複數個不 同點處的一第二本地有效旋轉；以及 一鏡對準偵測器，其係配置用以藉由計算該第一本地 有效旋轉之該等测量數值之一計算平均值與該第二本地 有效旋轉之該等測量數值之一計算平均值之間的一差異 或該等第一及第二本地有效旋轉之該等測量數值之對應 對之間的一平均差異而得到定義在該等第一與第二反射 122080.doc -6 - 200818258 器部件之間之角度方面的一偏移之一估計。 14· 一種校正一微影裝置之方法，其包括： 提供一基板台，其經組態用以支撐一基板，該基板台 具有形成於其個別橫向側上的第一及第二反射部件； • 在一第一位置與一第二位置之間移動該基板台； 於在該第一位置與該第二位置之間移動該基板台期 — 間’藉由相對於該基板台上的已知位置測量該基板台上 • 的對準標記之位置而得到該基板與該基板台之間的一空 間關係之一對映；以及 在該移動期間，反射自該等第一及第二反射部件的輻 射並攸其得到該等第一及第二反射部件相對於彼此的_ 形狀或方位之至少一項。 15· —種器件製造方法，其包括： 提供一基板台以支撐一基板，該基板台具有形成於其 個別橫向側上的第一及第二反射部件； • 在一第一位置與一第二位置之間移動該基板台； 於在該第一位置與該第二位置之間移動該基板台期 間藉由相對於該基板台上的已知位置測量該基板台上 的對準標記之位置而得到該基板與該基板台之間的一空 間關係之一對映； 在該移動期間，反射自該等第一及第二反射部件的輻 :從八彳于到該等第一及弟一反射部件相對於彼此的一 形狀或方位之至少一項；以及 該專弟一及第二反射部件之該得到的形狀及/或方 122080.doc 200818258 位以在後來將該基板曝露於藉由—圖案化器件所圖案化 亚由-投影系統所投影的-輻射束期間控制該基板台相 對於-微影裝置中的該投影系統之移動，該微影裝置經 組態用以使用從該等第一及第二反射部件反射的輻射以 在該曝光期間監視並控制該基板台之_位置。 16· —種微影裝置，其包括： 一基板台，其係配置用以支撐一基板，·

   第-及第二反射部件，其係形成於該基板台之個別橫 向側上； 一基板台位移器件，其係配置用以在一第一位置與一 第二位置之間移動該基板台； I基板至基板台對準器件，其經組態用以在該等第一 與第二位置之間移動該基板台期間藉由相對於該基板台 上的已知位置測量該基板上的對準標記之位置而得到該 基板與該基板台之間的一空間關係之一對映；以及 鏡攪動偵測器，其係配置用以在該移動期間反射自 該等第一及第二反射部件的輻射並從其得到該等第一及 第二反射部件相對於彼此的一形狀或方位之至少一項。 17· —種校正一微影裝置之方法，其包括： 提供一基板台以支撐一基板，該基板台具有形成於其 杈向側上的第一及第二實質平面反射部件，該第一反射 部件係實質上與該基板台之一平面中的一第一軸正交而 且該第二反射部件係實質上與該基板台之該平面中的一 第一軸正交，該第一軸係實質上垂直於該第二軸； 122080.doc 200818258 配置一第一干涉計以反射自該第一反射部件之—.^ 表面部分的光以便測量該局部表面部分沿該第一輛之_ 位置； 配置一第二干涉計以反射自該第二反射部件之— .^ 丁 <局部 衣面部分的光以便測量該局部表面部分沿該第二轴之— 位置；

   配置該第一干涉計以進一步測量該等局部部分相對於 係實質上垂直於該等第一及第二軸之一第三軸的一第一 局部旋轉； 配置該第二干涉計以進一步測量該等局部部分相對於 該第三軸的一第二局部旋轉；以及 、 精由該第二干涉計之一輸出的參考實質上沿該第—軸 移動遠基板台並且在該基板台之移動期間在沿該移動的 不同點處記錄該等第一及第二本地有效旋轉之一組测旦 以，到關於該第二反射部件之一形狀的資訊，其中在2 該第一軸的該移動期間該基板台達到至少0.5 _的_二 18·如„月求項17之方法，其中僅在沿該第一軸的該移動之 但定速度階段期間實行該記錄。 i9.如請求項17之方法，其進一步包括： 根據該第一 +、冰▲丄 干涉计之一輸出實質上沿該第二轴#動$ 基板台並且在兮其此“ ㈣動該 隹該基板台實質上沿該第二軸之 沿著沿該第-鉍Μ _ 秒勒期間隹 一輛的該移動之不同點處記錄該等第一及第 二本地有效旋轅 得之一組測量以便得到關於該第一反射部 122080.doc 200818258 件之一形狀的資訊，直由 μ 、 八中在該弟二軸的該移動期間該 基板台達到至少〇.5 m/s的-速度。 20·如請求項19之方沐，甘士受 ，、中僅在沿該第二轴的該移動之一 恒定速度階段期間實行該記錄。 21.如請求項19之方法，其進一步包括：

   沿與該等第-及第二軸斜交的一對角線路徑移動該基 板口 ϋ且在該基板台沿該對角線路徑之移動期間於沿 該對角線路徑的不同點處記錄該等第一及第二本地有效 旋轉之-組測量對以便得到關於該等第—及第二反射部 件之一形狀的資訊。 22. 一種器件製造方法，其包括： 提供一基板台’錢組態用&支撐一基板，該基板台 包含形成於其橫向側上的第一及第二實質平面反射部 件，該第一反射部件係實質上與該基板台之一平面中的 一第一軸正交，而且該第二反射部件係實質上與該基板 台之該平面中的一第二軸正交，該第—轴係實質上垂直 於該第二軸； 使用一弟一干涉δ十以反射自該第一反射部件之一局部 表面部分的光以便測S该局部表面部分沿該第一轴之一 位置； 使用一第二干涉計以反射自該第二反射部件之一局部 表面部分的光以便測篁該局部表面部分沿該第二軸之一 位置； 使用該第一干涉計以進一步測量該等局部部分相對於 122080.doc -10· 200818258 及第二軸之一第三軸的一第一 係實質上垂直於該等第一 局部旋轉； 使用该弟二干涉計以淮__,κ r _ t 進一步挪Ϊ該等局部部分相對於 該第三軸的一第二局部旋轉； 根據該第二干涉計之該輸出實質上沿該第-軸移動該 基板台，並且在該基板台實質上沿該第-軸之移動期間 在沿該移動的Μ點處記錄料第—及第二本地有效旋 =之-組測量以便得到關於該第二反射部件之一形狀的 貝訊〃中在/σ該第—軸的該移動期間該基板台達到至 少0.5 m/s的一速度；以及 23. 使用關於該第-反射部件之該形狀的該資訊以在後來 將该$板曝露於藉由一圖案化器件所圖案化並由自一圖 案器件之杈衫系統所投影的一輻射束期間控制該基 板台相對於-微影裝置中的該投影系統之移動，該微影 裝置經組態用以使用從該等第_及第二反射器反射的輕 射以在該曝光期間監視並控制該基板台之一位置。 一種微影裝置，其包括： # -基板台’其係配置用以支撐一基板且包含形成於其 &向側上的第-及第二實質平面反射部件，該第一反射 邛件：實質上與該基板台之一平面中的一第一軸正交而 該第二反射部件係實質上與該基板台之該平面中的一 第一軸正交，該第一軸係實質上垂直於該第二軸； 弟一干涉計，其經組態用以反射自該第一反射部件 之一局部表面部分的光以便測量該局部表面部分沿該第 122080.doc -11- 200818258 一軸之一位置； 一第二干涉計，其經組態用以反射自該第二反射部件 之一局部表面部分的光以便測量該局部表面部分沿該第 二軸之一位置，其中·· 該第一干涉計經組態用以進一步測量該等局部部分相 對於係實質上垂直於該等第一及第二軸之一第三軸的一 第一局部旋轉；

   該第二干涉計經組態用以進一步測量該等局部部分相 對於該第三軸的一第二局部旋轉；以及 該微影裝置經組態用以（a)根據該第二干涉計之一輸出 貝貝上沿該第一軸移動該基板台，並且在該基板台實質 上沿該第一軸之移動期間，（b)在沿該移動的不同點處記 錄忒等第一及第二本地有效旋轉之一組測量以便得到關 於該第二反射部件之一形狀的資訊，其中在沿該第一軸 的該移動期間該基板台達到至少0.5 m/s的一速度。 24. —種微影裝置，其包括： 一投影系統’其係配置用以將自一圖案化器件之一圖 案投影至一基板上； 丞槪台，其係配置 牙一基板，該基板台可從 上面決定該基板與該基板台之間的—㈣關係之一測量 站以及上面將自該圖案化器件之該圖案投影至該基板上 的一曝光台上移動； 第一及第二反射部件，盆孫花^ ，、係形成於該基板台之相對侧 上且實質上彼此平行； 122080.doc -12- 200818258 3第—干涉計’其係配置用以反射自該第-反射部件 、、便在該基板台係於該測量台上時測量該基板台相 對於一第一軸之一位置；以及 =弟二干涉計，其係配置用以反射自該第二反射部件 Y便在4基板台係於該曝光台上時測量該基板台相 對於該第一軸之該位置，其中： /基板口之一上表面上形成複數個對準標記，其係 • 接=該第二反射部件且與其處於—已知空間關係/，、 :1。裝置進纟包括一測量系統，其係配置用以使用 該弟:反射部件在該測量台上測量該等對準標記之位置 、、、又„亥等第一與第二反射部件之間的一空間關係。 25·種校正一微影裝置之方法，其包括： 提供-投影系統以將自一圖案化器件之一圖案投影至 一基板上； ▲提供-基板台以支稽-基板’該基板台可從上面決定 • 肖基板與該基板台之間的-空間關係之-測量站以及上 面將自該圖案化器件之該圖案投影至該基板上的一曝光 台上移動； 提供第一及第二反射部件，其係於該基板台之相對侧 ， 上且實質上彼此平行； 提供-第-干涉計以反射自該第一反射部件的光，從 而在該基板台係於該測量台上時測量該基板台相對於一 第一軸之一位置； 提供-第二干涉計以反射自該第二反射部件的光，從 122080.doc -13· 200818258 而在該基板台係於該曝光台 第一軸之該位置；以及 上日守測1該基板台相對於該 、·，、饮双调對準標記，苴係 接近於該第二反射部件且與其處於-已知空間關係/;、及 _在該基板台係於該測量台上時使用該第—反射部㈣ 量該等對準標記之位置，從而決定該等第一與第二反射 部件之間的一空間關係。 26· —種器件製造方法，其包括：

   提供一投影系統以將自一圖宰化 -基板上； 3案化…-圖案投影至 ▲提供一基板台以支樓-基板’該基板台可從上面決定 该基板與該基板台之間的—空間關係之_測量站以及上 面將自該圖案化n件之該圖案投影至該基板上的— 台上移動； + 提供第-及第二反射部件，其係於該基板台之相對侧 上且實質上彼此平行； 提供一第-干涉計以反射自該第一反射部件的光，從 ^在該基板台係於該測量台上時測量該基板台相對於一 第一軸之一位置； 提供-第二干涉計以反射自該第二反射部件的光，從 =在該基板台係於該曝光台上時測量該基板台相對於該 第一軸之該位置；以及 在該基板台之一上表面上提供複數個對準標記，其係 接近於該第一反射部件且與其處於一已知空間關係中； 122080.doc -14- 200818258 旦在該基板线於該測量台上時使用該第—反射部件測 里該等對準標記之位置’從而決定該等第一與第二反射 部件之間的一空間關係；以及 使用該等第一與第二反射部件之間的該空間關係以在 後來該基板之曝光期間控制該基板台於該曝光台上的移 動0

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