TW200540893A

TW200540893A - Electrode for an energy storage device and method for making same

Info

Publication number: TW200540893A
Application number: TW094103242A
Authority: TW
Inventors: Masayuki Morita; Nobuko Yoshimoto; Yasuaki Mukai; Mikio Kasai; Hitoshi Furusho
Original assignee: Nissan Chemical Ind Ltd
Priority date: 2004-02-06
Filing date: 2005-02-02
Publication date: 2005-12-16
Also published as: JPWO2005076295A1; MY147504A; US7799894B2; TWI348719B; KR101170995B1; WO2005076295A1; CN1926647B; EP1713101B1; KR20060124693A; EP1713101A4; EP1713101A1; JP4827173B2; CN1926647A; US20070120112A1

Description

200540893 (1) 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明有關一種供能量儲存裝置用之電極，且有關其 _ 製造方法。本發明尤其有關供能量儲存裝置用而含有作爲，供電極用之活性材料的胺基喹噚啉聚合物的電極及其製 ’造。 Φ 【先前技術】已知爲能量儲存裝置中之一的電雙層電容器通常係由一對可極化之電極構成，該電極各含有多孔性材料、隔板、電解質溶液及其類者。此種電雙層電容器係爲利用屬於電雙層經由該電極間界面上之離子移動所建立的電能作爲充電及放電機制的裝置。因爲未涉及電極活性材料之電化學反應，故該電容器不具有如同二次電池之使用壽命，及包括優越之即時充電及放電特性、於寬幅溫度範圍保持 # 穩定之充電及放電特性及性能在重複使用時之降低量較少之特徵。 ~ 目前已接受電雙層電容器之靜電電容與可極化電極之 ' 表面積成比例的關係。是故，硏究具有高値比表面積之多孔性材料來作爲可極化電極，以增加電容。尤其，該可極化電極通常係藉著混合多孔性材料諸如含碳材料或其類者、作爲導電性輔劑之乙炔黑及氟聚合物或橡膠狀聚合物以得到電極組成物，將該電極組成物施加於集流器上而製得。例如，嘗試使用具有高電導係數、電 -5- 200540893 (2) 化學方面相當穩定且具有高値比表面積之活性碳（或多孔性含碳材料）作爲含碳材料來增進靜電電容。尤其’含碳材料諸如煤、煤焦碳、椰子殼、木屑、樹脂及其類者以氧化氣體諸如蒸汽、空氣、氧、C〇2或其類 .者或藉化學物質諸如氯化鋅、氫氧化鉀或其類者進行活化 (多孔性處理），以於其中形成細孔。使用形成之具有高値表面積之活性碳。 φ 近年來，電子裝置、電動車及其類者持續發展，包括電雙層電谷益之目g重儲存裝置的基礎設計亦改變。例如，電雙層電容器需能量高度致密化且型小而質輕。因此，變成需設計不僅改善每單位重量多孔性材料之靜電電容（F/g)，亦改善每單位體積之靜電電容（F/cm3)的電容器（參照日本公開專利編號 2000-68164及 2000-100668，及日本公開專利編號Hei 11-214270)。每單位重量多孔性材料（可極化電極）之靜電電容可使 φ 用具有前述高値表面積之多孔性材料來增加。然而，當比表面積增加時，多孔性材料之密度（塡充 ’率）降低。此情況下，每單位體積之靜電電容未非始終與 •比表面積之增量成比例。實際上，已知當比表面積增加至或超過特定程度時，每單位體積之靜電電容傾向降低。因此，當僅使用嘗試增加多孔性材料之比表面積的方法時，電雙層電容器之靜電電容的增量受限’因而難以使能量之高度致密化達到近年來所需之水平（參照曰本公開專利編號 Hei 1 1 -3 1 73 3 3 及 Hei 1 1 -297 5 77)。 -6 - 200540893 (3) 另一方面，發展可使用導電性聚合物作爲電極活性材料之能量儲存裝置諸如聚合物電池或電容器。當正及負電極個別由相同類型之導電性聚合物製得 ~ 時，其視正及負電極之氧化-還原電位而限於增寬反應電 - 位。因此，通常難以製得在高電壓下操作之聚合物電池或電容器。聚噻吩係爲當使用銀/氧化銀電極作爲參考電極時， φ 個別在約〇.7伏特及約2.3伏特之氧化側及還原側位置發現HOMO(最高佔用分子軌道）及LUMO(最低佔用分子軌道）的物質。由此可預測此化合物在相同類型導電性聚合物個別使用於正及負電極之條件下具有寬幅電位活性。因此，硏究使用聚噻吩之電極，以提供寬幅伏特範圍（參照 Journal Power Source % 47 冊第 89 頁，1 994) ° 此外，已發展一種聚合物電池或電容器，其中使用不同類型之導電性聚合物個別作爲正及負電極，使得較易氧 • 化之導電性聚合物作爲正電極，而較易還原之導電性聚合物作爲負電極。該電池或電容器可使用於寬幅伏特範圍， ^ 而電容高（參照日本公開專利編號2002- 1 34 1 62)。此電池 • 或電容器中，使用聚-5_氰基吲哚作爲正電極活性材料，而使用聚苯基喹噚啉作爲負電極活性材料。然而，因爲此種能量儲存裝置需於前述正及負電極中使用不同類型之分子，故就產能而言，此係缺點。因此，需發展一種可兼作爲正及負電極且可作爲顯示寬幅電位活性之電極活性材料的導電性聚合物化合物。 200540893 【發明η容】此等情況下，完成了本發明，目的係提出供能量儲存裝置用之電極及其製法，其中電能可於所需水平下致密 * 化，因此可製得型小且質輕之裝置。 - 爲了達到前述目的，吾人進行徹底硏究，結果發現含有藉著將新穎之胺基喹鸣啉化合物聚合所製得之導電性聚合物的電極可使用該聚合物化合物之氧化-還原氧化物及 φ 在該聚合物化合物表面發生之電雙層來作爲能量來源。因此，使用該等電極之裝置可於電容高於使用主要由已知之活性碳製得之電極的裝置之情況下儲存電荷。本發明係基於前述發現而完成。尤其，本發明嘗試提供下列供能量儲存裝置用之電極、包括該等電極之能量儲存裝置及製造該等電極之方法。 Π]—種供能量儲存裝置用之電極，其包括下式（la)之 # 聚胺基喹噚啉化合物作爲電極活性材料

其中R1及R2個別表示氫原子、羥基、C^-Cio烷基、 C ! -C ! 〇烷氧基、可經Y取代之苯基、可經Y取代之吡啶基、可經Y取代之聯苯基、可經Y取代之萘基、可經Y 一取代之噻吩基、可經Y取代之吡咯基、可經Y取代之呋 -8- 200540893 (5) 喃基或可經Y取代之稠合雜芳基，其限制條件爲當Ri及 R2個別係爲前文定義之苯基、吡啶基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基時，此等基團可經 ’ 由單鍵連接；R3及R4個別表示氫原子、鹵原子、氰基、 - 硝基、胺基、Ci-C1G烷基、Ci-CM烷氧基、可經Y取代之苯基、可經Y取代之吡啶基、可經Y取代之聯苯基、可經Y取代之萘基、可經γ取代之噻吩基、可經γ取代之 • 卩比咯基、可經Y取代之呋喃基或可經γ取代之稠合雜芳基’其限制條件爲當R3及R4個別係爲前文定義之苯基、 D比卩疋基、聯本基、萘基、噻吩基、批略基、咲喃基或稠合雜芳基時’此等基團可經由單鍵連接；X1係表示_NH-R5-ΝΗ-或-NH-R6-，其中R5及R6個別表示Cl_c1G伸烷基、-C (Ο) C Η 2 -、- C H 2 C (Ο)-、可經γ取代之二價苯環、可經γ 取代之二價吡啶環、可經γ取代之二價聯苯基、可經γ 取代之二價萘環、可經γ取代之二價噻吩環、可經γ取 • 代之一價卩比略環、可經γ取代之呋喃環或可經γ取代之稠合雜環’其中Υ係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、 - 環氧基、乙烯基、烷基、κ1()鹵烷基、Cl-ClG烷 " 氧基、c 1 - c 1G氰基烷基、可經z取代之苯基、可經z取代之卩比B疋基、可經Z取代之聯苯基、可經z取代之寧基、可經Z取代之噻吩基、可經Z取代之毗咯基、可經z取代之咲喃基或可經Z取代之稠合雜芳基’其限制條件爲若 Y係二或多個，則Y可相同或相異，其中z係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、C1_C1G烷基、

-9- 200540893 (6)

Ci-Cio鹵院基、Ci-Cio院氧基、Ci-Cio氰基院基、苯其、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基，其限制條件爲若z係爲二或多個，則Z可相同或相異. * 且η係爲2或更大之整數。 • [2]如前述第1項所述之電極，其中R1及R2個別表示下式（2)之基團

其中R7至R11個別表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、烷基、鹵院基、C 1 - C ! 〇烷氧基、C ! - C4氰基烷基、可經z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經z取代之噻吩基，其中z 具Γ有前文所定義之意義。 [3]如前述第1項所述之電極，其中Rl及R2個別表示下式（3)之基團 R 16

⑶

其中R12至R18個別表示各取代於該式之環的任意位 -10- 200540893 置的氫原子、鹵原卞、氰基、硝基、胺基、環氧甚、乙烯基、Ci-C!。烷基、C^-Cm烷氧基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中Z具有前文所定義之意義。 [4 ]如前述之電極，其中R 1及R2個別表示下式（4 )之基團

(4) 其中R19至R21個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-Ci 〇烷基、C丨-C1()烷氧基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中Z具有前文所定義之意義；且A1係表示Ν Η、Ο或S。 [5]如前述第1項所述之電極，其中R1及R2個別表示下式（5 )之基團

-11 200540893 (8) 其中R22係表示鹵原子或氰基，且R23至R26個別表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-Cio烷基、Κ1()烷氧基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中Z具有前文所定義之意義。 [6]如前述第1至5項中任一項之電極，其中R5係表示下式（6)之基團

R 30

⑹ 其中R27至R3()個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-Cu烷基、Ci-C^烷氧基、可經Z取代之苯基、可 ♦ 經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中Z具有前文所定義之意義。 [7]如前述第1至5項中任一項之電極，其中R5係表 ^ 示下式（7)之基團

⑺ 200540893 (9) 其中R MR個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、q-CM烷基、Cl-C】。烷氧基、可經z取代之苯基、可經z取代之奈基或可經z取代之噻吩基，其中z具有前 - 文所定義之意義，且W1係表示νη、Ο或S。 [8]如前述第1至5項中任一項之電極，其中R5係表示下式（8)之基團

其中R33至R34個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯 φ 基、CrCw烷基、C^-Cw烷氧基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中z具有前 > 文所定義之意義；且Q1係表示NH、Ο或S° • [9]如前述第1至5項中任一項之電極，其中r5係表示下式（9)之基團

(9)

-13- 200540893 (10) 其中R3 5至R4G個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-Cio院基、Ci-Cio院氧基、可經Z取代之本基、可 • 經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中Z具有前文所定義之意義。 [10]如前述第1至5項中任一項之電極，其中R6係 φ 表示下式（10)之基團

(10) 其中R41至R44個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-Cio院基、Ci-Ci〇院氧基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中Z具有前文所定義之意義。 [11]如前述第1至5項中任一項之電極，其中R6係表示下式（1 1)之基團

(11)

-14- 200540893 (11) 其中R45至R46個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯 Λ 基、Ci-CM烷基、Ci-Cw烷氧基、可經Ζ取代之苯基、可 - 經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中Z具有前文所定義之意義；且W2係表示ΝΗ、Ο或S。 [12]如前述第1至5項中任一項之電極，其中R6係 φ 表示下式（12)之基團

其中R47至R48個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、c丨-C 1 〇烷基、C丨-C 1 〇烷氧基、可經Z取代之苯基、可經z取代之萘基或可經z取代之噻吩基，其中z具有前文所定義之意義；且Q2係表示NH、Ο或S。 Π3]如前述第1至5項中任一項之電極，其中R6係表示下式（13)之基團 (S) 一 /

200540893 (12) 其中R49至R54個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-Cm院基、Ci-CiG院氧基、可經Z取代之苯基、可 - 經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中Z具有前文所定義之意義。 [14]如前述第1項所述之電極，其中經由單鍵連接R1 φ 及R2所形成之基團係由式（14)表示

其中A2各爲C或N，R55至R62個別表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-CM烷基、C ! -C i 〇烷氧基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中Z具有前文所定義之意義，其限制條件爲當A2表示N時，R5 8及R59兩者皆不存在。 [15] —種供能量儲存裝置用之電極，其包含下式（lb) 之聚胺基喹鸣啉化合物作爲電極活性材料 -16- 200540893 (13) (lb) 其中 R1’及 R2’係接合以形成- CH2CH2CH2-，-CH2CH20-， -OCH2CH2-，-CH2OCH2-，-0CH20-，-CH2CH2S-，

-sch2ch2-，-ch2sch2-，-CH2CH2N(R丨）-，-N(R，）ch2ch2-，-ch2n(r’）ch2-，-ch2ch2ch2ch2-，-ch2ch2ch2o-， -OCH2CH2CH2-，-CH2CH2OCH2-，-CH2OCH2CH2-， -CH20CH20-，-0CH2CH20-，-SCH2CH2S-，-OCH2CH2S-，-SCH2CH20-，-CH2CH = CH-，-CH = CHCH2-，-OCH = CH-，-CH = CHO-，-SCH = CH-，-CH = CHS-，-N(R’）CH = CH-，-CH = CHN(R，）·，-OCH = N-，-N = CHO-，-SCH = N-，

-N = CHS-，-N(R，）CH = N-，-N = CHN(R，）-，_N(R，）N = CH-， -CH = N(R，）N-，-CH = CHCH = CH-，-OCH2CH = CH-， -CH=CHCH20- ， -N=CHCH=CH· ， -CH=CHCH=N-， -N = CHCH = N-，-N = CHN = CH-或- CH = NCH-N-其中鍵結方令此等基團之碳原子的氫原子可經Y所取代，且R，係表示氫原子、Ci-Cio院基、Ci-Cio鹵院基、Ci-C1G氰基院基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之吡啶基、可經Z取代之聯苯基、可經Z取代之萘基、可經Z取代之噻吩基、可經Z取代之吡咯基、可經Z取代之呋喃基或可經z取代之稠合雜芳基；且R3、R4、X1、Y、Z及η個別具有前文 -17- 200540893 (14) 定義之意義。 [16]—種供能量儲存裝置用之電極，其包括下式（lc) 之聚胺基喹噚啉化合物作爲電極活性材料

(lc)

其中 R3’及 R4’係接合以形成-CH2CH2CH2-，-CH2CH20-，-OCH2CH2- ’ -ch2och2- ’ -och2o- ， -ch2ch2s-，-SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R’）-，n(r，）ch2ch2-，-CH2N(R，）CH2-，-ch2ch2ch2ch2-，-CH2CH2CH20-，-OCH2CH2CH2- ， -ch2ch2och2- ， -CH20CH2CH2-，-CH2OCH2O-，-0CH2CH20-，-SCH2CH2S-，.OCH2CH2S-，-SCH2CH20-，-CH2CH = CH-，-CH = CHCH2-，-OCH = CH- -CH = CHO-，-SCH = CH-，-CH = CHS-，-N(R，）CH = CH- CH = CHN(R-)-，-OCH = N-，-N二CHO-，-SCH = N-，-N = CHS-，-N(R，）CH = N- ， -N = CHN(Rf)- ， -N(R，）N = CH- ， -CH- N(R，）N- ， -CH = CHCH = CH- ， -OCH2CH = CH- ， - CH=CHCH20- ， -N=CHCH=CH- ， -CH-CHCH=N-，-N = CHCH = N-，-N = CHN = CH-，或-CH = NCH-N-其中鍵結於此等基團之碳原子的氫原子可經Y所取代；且R1、R2、 -18- 200540893 (15) R’、X1、Y、Z及η個別具有前文定義之意義。 [17]—種供能量儲存裝置用之電極，其包括下式（ld) 之聚胺基喹噚啉化合物作爲電極活性材料

(Id) 其中R1’、R2’、R3’、r4,、χ1及n個別具有前文定義之意義。 [18]如前述第15或17項所述之電極，其中藉接合 R1’及R2’所形成之基團係具有通式（15)

(15) 气 A" R63十十R66 R64r65 其中A係表示〇或s，且R63至R66係個別表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、cie c10烷基、G-Cw烷氧基、可經z取代之苯基、可經z取代之奈基或可經z取代之噻吩基，其中z具有前文所定義之意義。 [1 9 ]如則述第1 6或丨7項所述之電極，其中藉接合 -19- 200540893 (16) R3’及R4’所形成之基團係具有通式（16) A4 A4 R67^! f"R70 (16) r68 r69 其中A4係表示〇或S，且R67至R7G係個 φ 子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、Ζ c10烷基、C^-Cm烷氧基、可經Ζ取代之苯基代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中 Z 子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci C^-Cm鹵烷基、烷氧基、Ci-Cio氰基烷聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠 [20]如前述第16或17項所述之電極， R3’及R4’所形成之基團係具有通式（17) / \

N N * Μ (17) R71 R72 其中R71及R72係個別表示氫原子、鹵原硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-C^o烷基、基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基: 代之噻吩基，其中Z具有前文所定義之意義。 [2 1]—種能量儲存裝置，其包含如前述第別表示氫原」稀基、C 1 · 、可經Z取係表示鹵原 -C 1 〇院基、基、苯基、合雜芳基。其中藉接合子' 氰基' Ci-Cio烷氧 g可經Z取 1至20項 -20- 200540893 (17) 中任一項所述之供能量儲存裝置用電極。 [22]—種製造如第1項所述之供能量儲存裝置用電極的方法，該方法係包含在集流器電極上施加並構建由前式 ^ (1 a)所示之聚胺基喹鸣啉化合物所製得之電極活性材料。 - [23]—種製造如前述第15項所述之供能量儲存裝置用電極的方法，該方法係包含在集流器電極上施加並構建由前式（1 b)所示之聚胺基喹噚啉化合物所製得之電極活性 φ 材料。 [24] —種製造如前述第16項所述之供能量儲存裝置用電極的方法，該方法係包含在集流器電極上施加並構建由前式（1 c)所示之聚胺基喹鸣啉化合物所製得之電極活性材料。 [25] —種製造如前述第17項所述之供能量儲存裝置用S極的方法’該方法係包含在集流器電極上施加並構建由前式：（1 d)所示之聚胺基喹噚啉化合物所製得之電極活性 • 材料。 [26] —種製造如前述第1項所述之供能量儲存裝置用 β @ @ 〗去’該方法係包含藉著於集流器電極上進行電解 — 聚合而形成式（18a)所示之胺基喹鳄啉化合物 R1 R2

200540893 (18) 宜中 χ2 仅表示 /、 1糸表示-NH-R73-NH2 或-NH-R74，宜 ώ η73 γ Γ ρ 兵中R73係二價苯I 基、-C(〇)CH2-、_CH2C(〇)-、可經 γ 取價聯苯；：：經γ取代之二價《環、可經”代可經Υ取代之二價萘環、可經γ 噻吩環、所破 1 呋喃基、基、取代喃基義。丁經Υ取代之二價吡咯環、可經γ取環或可繂ν π t Υ取代之稠合雜環，且R74係爲C, Γ 户 7酼其 J 11 - L 1 〇火兀 2 土、可經Y取代之苯基、可經Y取代之吡啶可經Y取代之聯苯基、可經γ取代之萘基、可經Y 之嚷吩基、可經Y取代之吡咯基、可經Y取代之咲或可經Y取代之稠合雜芳基；且

Ri、R2、R3、r4及γ個別具有如同前文定義之意合 [2 7 ] —種製造如前述第1 5項所述之供能鸶儲存裝置用的電極，該方法係包含使式（1 8 b)所示之胺基喹哼啉化物於集流器電極上進行電解聚合，

R1， R2· W N N

(18b) R3 其中R1’、R2’、R3、R4及X2個別具有如前文定義之意義。 -22- 200540893 (19) [28]—種製造如前述第16項所述之供能量儲存裝置用的電極’該方法係包含使式（1 8c)所示之胺基喹鸣啉化合物於集流器電極上進行電解聚合，

(18c) 其中R1、R2、R3’、R4’及X2個別具有如前文定義之意義。 [29]—種製造如前述第17項所述之供能量儲存裝置用的電極’該方法係包含使式（1 8d)所示之胺基喹噚啉化合物於集流器電極上進行電解聚合， R1' R2’

其中R1’、R2’、R3’、R4’及X2個別具有如前文定義之意義。作爲本發明供能量儲存裝置用之電極的電極活性材料 -23- 200540893 (20) 的式（1 a)至（1 d)聚胺基喹鸣啉化合物具有良好之耐熱性，且可輕易控制其涉及質子移動的電化學氧化還原；電位，並具有良好之循環性質。 ^ 而且，此等聚胺基喹鳄啉化合物於單一分子中具有電 • 子給予基團及電子接受基團，係爲不僅可作爲正電極或負電極且亦具有寬幅電位活性之導電性聚合物化合物。配置有使用聚胺基喹鸣啉化合物作爲電極活性材料之 • 本發明供能量儲存裝置用電極之裝置可確保於高電容下之儲存。尤其，當使用聚胺基喹鸣啉化合物作爲供電雙層電容器用之電極時，電極活性材料之氧化還原反應及發生於該電極表面上之電雙層兩者皆作爲能量來源，故可得到較單獨使用活性碳之習用電雙層電容器更高之電容的儲存。【實施方式】下文詳細描述本發明。 • 本發明能量儲存裝置之電極係包含前式（la)至（Id)中任一式所示之聚胺基喹噚啉化合物作爲電極活性材料。首先，描述式（la)至（id)之聚胺基喹噚啉化合物或式 ^ (18a)至（18d)之胺基喹噚啉化合物。此等式中，R1及R2個別表示氫原子、羥基、Cl_C1() 院基、C i - C ! 〇院氧基、可經Y取代之苯基、可經 Y取代之吡啶基、可經Y取代之聯苯基、可經γ取代之萘基、可經Y取代之噻吩基、可經γ取代之吡咯基、可經γ取代之呋喃基或可經Y取代之稠合雜芳基，其限制條件爲 -24- 200540893 (21) 當R1及R2個別係爲前述苯基、吡啶基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基時，此等基團可經由單鍵接合。 • R1’及 R2’結合以形成-CH2CH2CH2-，-CH2CH20-，- • OCH2CH2- ， -CH2OCH2- ， -OCH2O- ， -CH2CH2S-，-SCH2CH2-，-CH2SCH2·，-CH2CH2N(R’）-，-N(R丨）CH2CH2- ，-CH2N(R,)CH2- ^ -CH2CH2CH2CH2- » -CH2CH2CH2O- 5 - • OCH2CH2CH2- ， -CH2CH2OCH2- ， -CH2OCH2CH2-，-CH20CH20-，-0CH2CH20-，-SCH2CH2S-，-OCH2CH2S- ，-SCH2CH20-，-CH2CH = CH-，-CH = CHCH2-，-OCH = CH-，-CH = CHO-，-SCH = CH-，-CH = CHS-，-N(Rf)CH = CH- » -CH = CHN(R丨）·，-OCH = N-，-N = CHO-，-SCH = N·，-N = CHS-，-N(R，）CH = N- ， -N = CHN(R，）- ， -N(R’）N = CH-，- CH = N(R 丨）N- ， -CH = CHCH = CH- ， -OCH2CH = CH-，- CH = CHCH20- ， -N = CHCH = CH- ， -CH = CHCH-N-，- φ N = CHCH = N-，-N = CHN = CH-，或-CH = NCH = N-其中鍵結於此等基團之碳原子之氫原子可經Y所取代，且R ’係表示氫原子、Ci-Cio院基、Ci-C1G鹵院基、Ci-Cio氰基院基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之吡啶基、可經Z取代之聯苯基、可經Z取代之萘基、可經Z取代之噻吩基、可經z取代之吡咯基、可經z取代之呋喃基或可經z取代之稠合雜芳基。尤其可提及下式（2)至（5)、（14)及（15)之基團： -25- 200540893 (22)

當考慮胺基喹哼啉化合物之溶解度時，R1、R2、R1 ’ 及R2’較佳應經取代基Y所取代。取代基Y較佳應爲Cr C i 〇烷基或C ! - C丨〇烷氧基，更佳爲C丨_ C 5烷基或C丨-C 5烷氧基。當考慮胺基喹鳄啉化合物之電性質時，R1及R2較佳應爲經由單鍵鍵結R1及R2所形成之前式（14)基團。尤其，式（14)中之A2較佳應爲碳原子。另一方面，R3及R4係個別表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、Ci-Ci〇烷氧基、Ci-Ci〇烷氧基、可經Y 所取代之苯基、可經Y所取代之吡啶基、可經Υ所取代之聯苯基、可經Y所取代之萘基、可經γ所取代之噻吩基、可經γ所取代之吡咯基、可經Υ所取代之呋喃基或可經γ所取代之稠合雜芳基，其限制條件爲當r3及r4個別係爲前述苯基、吡啶基、聯苯基、萘基、噻吩基、11 比略基、呋喃基或稠合雜芳基時，此等基團可經由單鍵來結 -26- 200540893 (23) 合。

R3’及 R4’接合以形成 _CH2CH2CH2-，-CH2CH20-，-OCH2CH2- ， -CH2OCH2- ， -OCH2O- ， -CH2CH2S-，-SCH2CH2-，-ch2sch2-，-ch2ch2n(r，）-，-n(r，）ch2ch2· ，-CH2N(R’）CH2-，-CH2CH2CH2CH2-，-CH2CH2CH20-，-OCH2CH2CH2- ， -CH2CH20CH2- ， -CH20CH2CH2-，-ch2och2o-，-och2ch2o-，-SCH2CH2S-，-OCH2CH2S-，-SCH2CH20-，-CH2CH = CH-，-CH = CHCH2-，-OCH = CH-，-CH = CHO-，-SCH = CH-，-CH = CHS-，-N(R，）CH = CH-，- CH = CHN(R，）-，-OCH = N-，-N = CHO-，-SCH = N·，-N = CHS-，-N(R，）CH = N- ’ -N = CHN(Rf)- ， -N(Rf)N = CH-，-CH = N(R 丨）N- ， -CH = CHCH = CH- ， -OCH2CH = CH-，- CH = CHCH2〇- ， -N = CHCH = CH- ， -CH = CHCH-N- ， · N = CHCH = N-，-N = CHN = CH-，或-CH = NCH = N-其中鍵結於此等基團之碳原子的氫原子可經Y取代，且Z具有如同 9 前文定義之意義。當R3及R4個別係爲烷基或烷氧基時，此等基團就電導係數觀點而言，較佳應具有1至5個碳原子。就提供良好之氧化還原電位而言，R3及R4較佳應爲苯基、萘基或噻吩基。就電特性之觀點而言，R3、R4、R3’及R4’較佳應經取代基Y所取代。該取代基Y較佳係包括Ci-c^烷基或烷氧基，更佳爲烷基或C^-Cs烷氧基。除了針對R^R2、R1’及R2’所例示之式（2)至（5)及（14)之基團外，特例係包括下式（16)及（17)之基團。 -27- 200540893 (24) A4

67

(16) (17)

式（la)至（Id)中，X1 係表示-NH-R5-NH-或-NH-R6-，其中 R5及R6個別表示 Κ1()伸烷基、_C(0)CH2-、-CH2C(0)-、可經Y取代之二價苯環、可經Y取代之二價吡啶環、可經Y取代之二價聯苯基、可經Y取代之二價萘環、可經 Y取代之二價噻吩環、可經 Y取代之吡咯環、可經Y取代之呋喃環或可經Y取代之稠合雜環。特例爲下式（6)至（13)之基團：

(12)

前述式（18a)至（18d)中，X2係表示-NH-R73-NH2或- -28- 200540893 (25) NH-R74，其中R73係爲Ci-Cio伸烷基、 CH2C(0)-、可經Y取代之二價苯環、可經吡啶環、可經Υ取代之二價聯苯基、可經 ' 萘環、可經Υ取代之二價噻吩環、可經 - 環、可經Υ取代之呋喃環或可經Υ取代之 R74係表示烷基、乙醯基、可經γ所可經Υ所取代之吡啶基、可經Υ所取代之 • Υ所取代之萘基、可經Υ所取代之噻吩基代之吡咯基、可經Υ所取代之呋喃基或可糸稠合雜芳基。就提供良好氧化還原電位之觀點而言 R74較佳應個別爲二價苯環、二價萘環或二保持諸如聚胺基喹噚啉化合物薄膜之穩定的而言，此等環狀取代基較佳應個別進一步經取代。 φ 就提供良好之氧化還原電位之觀點而f 爲苯基、萘基或噻吩基。就保持諸如由聚胺基喹鸣啉化合物製得 _ 非晶性之觀點而言，r5、R6、R73及R74較步經取代基υ所取代。此情況下，取代基烷基或Ci-Cio烷氧基，更佳爲院氧基。雖然式（1)所示之聚胺基喹噚啉化合物E 格，但重量平均分子量較佳係爲1，000至 -C(0)-CH2-、- Y取代之二價 Y取代之二價 Y取代之吡咯稠合雜環，且取代之苯基、聯苯基、可經、可經Y所取 I γ所取代之，：、R73 及價噻吩環。就電特性之觀點丨取代基Y所 I*，R6較佳應之薄膜的穩定佳應個別進一 Y較佳應包括烷基或Crq 的分子量不嚴 1 0 0，0 0 0 範圍 -29- © 200540893 (26) 內，更佳爲4,000至50,000。就此言之，雖然式（1)中之η 係爲2或更大之正整數，但η以足以確定前述重量平均分子童車Β圍之整數爲佳，例如η = 2至400。 - 前述個別式中，該Ci-Cio烷基可爲直鏈、分支鏈或 - 環狀，且包括例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、第二丁基、正戊基、正己基、2-乙基丙基、2，2-二甲基丙基、1,2-二甲基丙基、1，1，2-三甲 Φ 基丙基、1，2,2-三甲基丙基、1-乙基-1-甲基丙基、1-乙基-2 -甲基丙基、1-甲基丁基、2 -甲基丁基、3 -甲基丁基、 1，1-二甲基丁基、1，2-二甲基丁基、1，3-二甲基丁基、2,2-二甲基丁基、2,3-二甲基丁基、3，3-二甲基丁基、卜乙基丁基、2-乙基丁基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、3-甲基戊基、4-甲基戊基及其類者。應注意Cl_Cl()伸烷基係表示其中自前述烷基消去一個氫原子之基團。就Ci-C!。鹵烷基而言，提及其中前述烷基之至少一 Φ 個氫原子被鹵原子所取代之基團。應注意鹵原子可爲氯、溴、确及氟原子中之任一種。就氧基院基而言，提及其中前述院基之至少 '一個氫原子被氰基所取代之基團。就稠合雜芳基而言，提及噻吩并[3,4_b]吡瑞啶-5-基 (thieno[3,4-b]pyradin-5-yl)、呋喃并[3,4-b]吡瑞啶-5-基、 6 Η -卩比略并[3，4 _ b ]卩比瑞D定-5 -基及其類者。 C 1 - C 1 〇丨兀氧基可爲直鍵、分支鍵或環狀，且包括例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁 -30- 200540893 (27) 氧基、第二丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、正己氧基、 1,1-二甲基丙氧基、1，2-二甲基丙氧基、2,2-二甲基丙氧基、1-乙基丙氧基、1，1，2-三甲基丙氧基、1，2,2-三甲基丙氧基、1-乙基-1-甲基丙氧基、1-乙基-2-甲基丙氧基、1-- 甲基丁氧基、2-甲基丁氧基、3-甲基丁氧基、1-乙基丁氧基、2-乙基丁氧基、1，1-二甲基丁氧基、1,2-二甲基丁氧基、1，3-二甲基丁氧基、2,2_二甲基丁氧基、2,3-二甲基 φ 丁氧基、3,3-二甲基丁氧基、1-甲基戊氧基、2-甲基戊氧基、3-甲基戊氧基、4-甲基戊氧基及其類者。前述基團中，”n”、”i”、”s”及”t”個別表示正、異、第二及第三。式（1)所示之化合物的實例係包括以下所示者，唯非限制

-31 200540893

Η η

-32- 200540893 (29)

-33- 200540893

200540893 (31) 其次，描述合成選自式（18a)至（18d)(式（la)至（Id))之式（18a)(式（la))化合物的方法。此化合物可自下式（19)所示之起始5 -胺基喹鸣啉化合物製備

其中R1至R4個別具有如同式（la)所定義之意義。雖然對合成之特定方式不設限，但可使用Journal of the Chemical Society Perkin Transactions I(J.Chem. Soc· Perkin Trans. I) 1 9 8 8，ρρ·1331 至 1 3 3 5，及 in Chemistry Letters(Chem· Lett.)1997，pp. 1185 至 1186 所述之方法。例如，對應之5 _胺基喹噚啉化合物溶解於適當之溶劑中，於室溫下在適當之鹼存在下與硝基氟苯反應，之後於Pd/C存在下進行氫化反應，以得到所需之產物，其中苯環被導至R5之位置。在R6具有噻吩基之所期待化合物可藉著將5 -胺基喹噚啉化合物溶解於適當之溶劑中，添加催化量之Pd2(dba)3及BINAP，且於適當之鹼存在下與 2-溴噻吩反應而製備。應注意前式（19)之5-胺基喹鳄啉化合物的合成不受限制，但可使用例如 Journal of American Chemical -35- 200540893 (32)

Society(J.Am.Chem.Soc.)1957 ， Vol.79 ， pp.2245 至 2248，and Journal of Organic C h e m i s t r y (J · o r g · C h e m ·)， 1966，Vol.31，pp.3384 至 3390 所述之方法。 ‘ 雖然製備式（la)所示之聚胺基喹鳄啉化合物的方法不 - 受限制，但此聚合物化合物可藉著以任何任意方法聚合式 (18a)之胺基喹鸣啉化合物而製備。該種聚合方法可包括例如化學氧化聚合、電解氧化聚合、催化聚合及其類者。 • 大部分情況下，考慮聚合物可在電極表面上形成之事實，以化學氧化聚合及電解氧化聚合爲佳，其中以電解氧化聚合更佳。用於化學氧化聚合之氧化劑不嚴格，包括例如過硫酸銨、過氧化四銨、氯化鐵、硫酸鈽及其類者。電解氧化聚合所用之特定方法如下：將氧化劑添加於例如式（1 8 a)之單體並充分攪動，於其中添加有機溶劑以製得均勻溶液：形成之溶液利用裝置有鉑網相對電極及其 • 類者之三電極燒杯型電池進行電解聚合。電解聚合係根據電化學測量系統使用鉑板（其表面以砂紙磨粗）作爲試驗電極基材且使用Ag/Ag +作爲參考電極 • 來進行電解聚合。更特定之電解聚合方法可使用例如電位掃描方法及定電位方法。如此’得到以薄膜形式沈積於電極上之所需聚合物化合物。用於電解氧化聚合之氧化劑係包括例如鹽酸、硫酸、過氯酸、三氟甲磺酸、對-甲苯磺酸及其類者，其中以過氯酸爲佳。 -36- 200540893 (33) 有機溶劑之實例係包括N，N-二甲基甲醯胺、四氫呋喃、乙羟、二氯甲烷、二二甲基亞愦、甲醇、乙醇及其類者，其中以N，N-二甲基甲醯胺爲佳。 ^ 利用其良好特性，前文說明之式（1 a)至（1 d)所示的聚 - 胺基喹哼啉化合物可簡便地用爲能量儲存裝置之活性材料，尤其是作爲電極活性材料。就此言之，聚胺基喹哼啉本身係導電性，預測可有降低電極界面之接觸電阻的效 φ 果。使用式（la)至（Id)所示之聚胺基喹噚啉化合物製造供能量儲存裝置用之電極的方法不重要。前式（18 a)至（18 d) 中任一種的單體於電極上進行電解氧化聚合，以沈積式 (la)至（Id)中任一種聚合物化合物的薄膜，以製得電極。此外，聚胺基喹噚啉化合物可根據真空沈積法、旋塗法、浸漬法、鑄造法、網版印刷法或其類者轉化成薄膜。使用此等方法，電極可覆上含有聚胺基喹噚啉化合物的薄 # 膜。尤其，含有作爲電極活性材料之聚胺基喹噚啉化合物 ^ 的電極可利用一方法輕易製得，其中塗覆含有由式（la)至 * (1 d)中任一者所示之聚胺基喹鳄啉化合物所製得之電極活性材料的組成物，且塗覆並積聚於集流器電極上。含有聚胺基喹噚啉化合物之塗覆組成物的成份不受限制。例如，包含聚胺基喹鸣啉化合物、用以改善薄膜形成性質、分散劑及其類者之組成物。聚胺基喹噚啉化合物之含量係爲例如約50至約90重量百分比範圍內。 -37- 200540893 (34) 應注意若需要，則可適當地調配添加劑，諸如熱安定劑、光安定劑、塡料、強化劑及其類者。至於前述供能量儲存裝置用之電極，僅列出其中藉諸 - 如電解聚合或塗覆將聚胺基喹鸣啉化合物製得之電極活性 • 材料沈積於電極表面上之實施例’本發明不限於此。例如，使用藉著預先與聚胺基喹噚啉化合物之電極活性材料混合所製得之電極組成物來製造電極。 φ 供能量儲存裝置用之電極可有利地使用於各種類型之能量儲存裝置，諸如電雙層電容器、鋰離子電池、質子聚合物電池、鎳氫電池、鉛電池組及其類者。較佳係將該電極使用於電雙層電容器、鋰離子電池及質子聚合物電池。尤其，當電極使用於電雙層電容器時，該電極活性材料之氧化還原反應及發生於該電極表面上之電雙層兩者皆可作爲能量來源，故可於較使用活性碳之習用電雙層電容器高的電容下儲存。實施例更特別藉合成例及實施例描述本發明’其不應對本發明構成限制。亦描述對照例。合成例1 2，3 -二羥基-5 -胺基喹鳄啉之合成根據下列方法（1)至（3)製備 -38- 200540893 (35) (1 ) 2，3 -二胺基硝基苯之合成

〇2N

no2

14克市售1-胺基-2,5-二硝基苯溶解於225毫升甲醇中，在反應溫度保持於6(TC下使用滴液漏斗添加將60克硫化鈉及2 1克碳酸氫鈉溶解於240克水中所得之溶液。添加完成之後，於60°C持續攪拌1小時。反應完全後，混合物冷卻至室溫並過濾。 m/s: (FD + ) 153 (計算値 1 5 3.1 3 96) ^-NMR ： 7.722 8，7.7203，7.7206，7.243 3， 6.9245，6.6209，6.6063，6.603 8，6.5 8 86，5.9210， 3.3978 ppm 產量：7.79 克（66.5%)

產物外觀：紅棕色之細晶體熔點·· 1 4 0 °C (2) 2，3-二羥基-5-硝基喹Df啉之合成 o2n

nh2 (C00H)22H20 ----►

OH OH 4克（26.12毫莫耳）2,3·二胺基硝基苯及 6.59克 200540893 (36) (5 2.2 4毫莫耳）市售脫水草酸溶解於5 0 %乙酸中’之後於其沸點在氬流中反應3小時。反應完全之後，混合物冷卻至室溫，濾出形成之沉澱結晶。 — 產量：3.01 克（55.6 %) • 產物外觀：黃色細晶體 m/z : 207 (計算値 207.1 44) • (1 2) 3，1-二羥基_4-胺基喹噚啉之合成

H2 風 0H 5% Pd/C

1 產量：1.10克 2 產物外觀：淡黃色細晶體 3 · 0 0克2，3 -二羥基-5 -硝基喹鸣啉溶解於1 〇〇克1 : 1 甲醇及二鸣烷溶劑中，之後反應系統以氬充分清洗，之後 φ 另外添加1 ·〇〇克5% Pd/C (含水）。之後，該系統以氫清洗，之後於室溫下反應20小時。反應完全後，反應產物分散於6.0 0克碳酸鉀在1 3 0毫升水中之溶液中，隨後溶解於其中。慢慢將35%鹽酸添加於過濾後所得之溶液中，以得到沉澱物。 4 m/z : (FD + ) 177 (計算値 177.1616) 13C-NMR : 1 5 5.803 0 ， 1 5 5.65 04 ， 1 3 5.95 70 ， 1 26.83 90， 1 24.1 3 03， 1 1 2.3 265， 1 09.6025， 1 03.84 1 8 200540893 (37) ppm 合成例2 2,3 -二苯基-5-胺基喹噚啉之合成根據以下方法（1)及（2)製備。

1.53克（10毫莫耳）2,3·二胺基硝基苯及2.00克（9.6 毫莫耳）苯偶醯置入四頸燒瓶中，於其中添加3 0克混合比爲1 : 1之乙酸及甲醇的溶劑以進行溶解。之後，混合物於7(TC之反應溫度反應2小時。反應之後，移除溶劑，形成之產物以矽膠管柱萃取（乙酸乙酯：己烷=1 : 1 )。產量：2.1 1克產物外觀：黃色細晶體 m/z : 327 (計算値 327.24) (2) 2,3-二苯基-5-胺基喹噚啉之合成 ⑧ -41 - 200540893 (38)

’ 1.04克2,3-二苯基-5_硝基喹鸣啉溶解於30克二噚烷中，之後以氬清洗，再添加〇·5克5% Pd/C (含水）°再次以氬充分清洗後，添加氫，於室溫下反應3 0小時。反應 ® 完全後，過濾反應混合物並移除溶劑，之後以矽膠管柱單離並純化（乙酸乙酯：己烷=1 : 3)。產量：0.73克產物外觀：黃色細晶體 m/z : 297 (計算値 Μ : 297.36) 13C-NMR : 1 5 3.605 5，1 5 0.1 1 8 5，1 44.2280，141.9619， 1 39.45 1 6，1 3 9.3 524，1 3 1.1 348，1 3 0,0894，1 29.93 68， 128.7694， 128.6473， 128.3497， 128.1743， 117.2098， 110.2511 ppm 合成例3 2,3 - 一* (4 -甲基本基）-5-胺基陸曙琳之合成根據以下方法（1)及（2)製備。 (1) 2,3-二（4-甲基苯基）-5-硝基喹鸣啉之合成 -42- 200540893 (39)

, 1.84克（12毫莫耳）2,3-二胺基硝基苯及2.38克（l〇毫莫耳）4，4’-二甲基苯偶醯溶解於40克乙酸與甲醇（1 : 1) 混合溶劑中，於8 0 °C反應溫度下反應4小時。反應完全 | 後，移除溶劑，形成之反應產物藉矽膠管柱萃取。產量：1 .30克產物外觀：黃色細晶體 m/z : 3 5 5 (計算値 3 5 5.3 9) 13C-NMR : 1 54.8950，1 54.83 3 9，1 47.0894， 1 40.7563，1 40.1 307，1 3 9.863 6，135.5 984，1 3 5.1 25 3， 1 3 3.706 1，1 3 3.2254，1 3 0.2725，1 29.7003，1 2 9.3 1 8 8， 129.1204 ， 128.4108 ， 127.7470 ， 124.2142ppm φ (2) 2,3-二（4-甲基苯基）-5-胺基喹鸣啉之合成

2.02克2,3 -二（4 -甲基苯基）-5·硝基喹鸣啉溶解於克二鸣烷中，之後以氬清洗並添加0.6克5% Pd/C (含水）。再次以氬清洗後，系統於室溫下以反應用氫清洗1 8 -43- 200540893 (40) 小時。反應完全後，過濾該系統。過濾殘留物以丙酮洗滌，之後以二鸣烷洗滌，再次過濾。自形成之濾液移除溶劑，之後使用矽膠管柱萃取反應產物。 • 產量：1 .36克 • 產物外觀：黃色細晶體 m/z : 3 25 (計算値 325.1 4) "C-NMR : 153.6131，1 5 0.1 643，1 44.0907， • 141.8551， 138.6581， 138.5894， 136.7074， 136.6666， 1 3 1.272 1，1 3 0.776 1，129,9292，1 29.7766，1 29.03 65， 1 28.98 1 5，1 1 7.2403，1 1 0.0603 ppm 合成例4 2,3-二（4-甲氧苯基）-5-胺基喹鸣啉之合成根據以下方法（1)及（2)製備 (1) 2,3-(4-二甲氧苯基）-5-硝基喹鳄啉之合成

1.54克（10毫莫耳）2,3-二胺基硝基苯及2.25克（8·3 毫莫耳）4,4，-二甲氧苯偶醯溶解於1〇〇克混合溶劑（乙酸：甲醇=1 : 1 )，於室溫下反應2 0小時，反應完全後過

濾。形成之過濾殘留物以丙酮及二鳄烷洗滌，再次過濾。 -44- 200540893 (41) 自形成之濾液移除溶劑，反應產物藉矽膠管柱萃取。產量：1.24克產物外觀：黃色細晶體 m/z : 3 8 7 (計算値：3 8 7.3 9)

13C-NMR : 1 6 1.0983，1 60.9075，1 54.3 3 03， 154.2464， 146.9520， 140.6495， 133.5993， 133.1415 131.9207， 130.8448， 130.4099， 127.5104， 124.0998 114.1043 ， 113.8830 ppm (2) 2,3-二（4-甲氧苯基）_5-胺基喹噚啉之合成

0.55克2,3-(4-二甲氧苯基）-5-硝基喹噚啉溶解Ϊ 克二噚烷中，之後以氬充分清洗，添加〇 · 5克5 % (含水）且再次令人滿意地以氬清洗。此系統以氫清洗室溫下反應24小時。反應完全後，過濾該系統。形過濾殘留物以丙酮洗滌，之後以二鸣烷洗滌並再次過自形成之濾液移除溶劑，反應產物以矽膠管柱萃取。產量：0.37克產物外觀：黃色細晶體 m/z : 3 2 5 (計算値：3 25.43 ) ^ 30 Pd/C 並於成之濾。 -45- 200540893 (42) 13C-NMR ： 1 60.1 3 69 ， 1 60.0606 ， 1 5 3.1 3 24 149.7370 ， 144.0144 ， 141.7483 ， 131.3942 ， 131.2874 130.6235 ， 117.1640 ， 113.8296 ， 113.6618 ， 110.0145 55.3828 ppm 合成例5 2,3-二（4-溴苯基）-5-胺基喹鸣啉之合成 • 根據以下方法（1)及（2)製備 (1) 2,3-二（4-溴苯基）-5_硝基喹噚啉之合成

Br

Br 1.53克（10毫莫耳）2，3-二胺基硝基苯及3·68克（10毫莫耳）4,4’-二溴苯偶醯溶解於80克乙酸與甲醇（1 : 1)混合溶劑中，於70 °C反應溫度下反應30小時。反應完全後，移除溶劑，反應產物以矽膠萃取。產量：1.89克產物外觀：黃色細晶體 m/z : 48 5 (計算値 485.1 2) 13C-NMR ： 1 5 3.445 3 ， 1 5 3.3 6 1 3 ， 1 47.0065 ， 140.7945 ， 136.8116 ， 136.3766 ， 133.7824 ， 133.2635 ， (^) -46- 200540893 (43) 132.0504 ， 131.8749 ， 131.8215 ， 131.3789 ， 128.5787 ， 1 24.9849，1 24.8780，1 24.7 1 02 ppm • (2) 2,3-二（4-溴苯基）-5-胺基喹哼啉之合成

1.01克（2.1毫莫耳）2,3-二（4-溴苯基）·5-硝基喹噚啉

溶解於30克二噚烷中，之後以氬充分清洗，添加〇.3克 5% Pd/C(含水）並再次以氬充分清洗。此系統以氫氣清洗且於室溫下反應24小時。反應完全後，過濾該系統。形成之過濾殘留物以丙酮及後續二鳄烷洗滌，並再次過濾。自形成之濾液移除溶劑，反應產物以矽膠管柱萃取。產量：0.66克產物外觀：黃色細晶體 m/z : 45 5 (計算値：45 5.1 2) 13C-NMR ： 1 5 1.966，1 48.493，1 44.065，1 4 1.897， 1 3 7.920 ， 1 3 7.820 ， 1 3 5.042 ， 1 3 1.706 ， 1 3 1.63 7 ， 131.492 ， 131.400 ， 131.248 ， 123.514 ， 123.377 ， 117.064，110.452 ppm 合成例6 -47- 200540893 (44) 2,3-二噻吩基-5-胺基喹噚啉之合成根據以下方法（1)及（2)製備。 (1) 2,3-二噻吩基-5-硝基喹哼啉之合成

0.22克（0.144毫莫耳）2,2，-二胺基硝基苯及0·01938 克（0.08 7毫莫耳）2,2，-噻吩溶解於乙酸與甲醇（1:丨）混合溶劑中，於7 0 °C反應溫度下反應3 0小時。反應完全後’ 移除溶劑，形成之反應產物以矽膠管柱萃取。產量：0.04克產物外觀：黃色細晶體

m/z : 3 3 9 (計算値：3 3 9.40) (2) 2,3-二噻吩基-5-胺基喹鳄啉之合成

1.0 1克（3.0毫莫耳）2,3-二噻吩基-5-硝基喹鳄啉溶解於30克二噚烷中，該系統以氬充分清洗。之後’添加〇·3 -48- 200540893 (45) 。此系後，過洗滌，膠管柱克5% Pd/C(含水），之後再次令人滿意地以氬清洗統以氫氣清洗，於室溫下反應2 4小時。反應完全濾該系統。形成之過濾殘留物以丙酮及後續二噚烷再次過濾。自形成之濾液移除溶劑’反應產物以矽萃取。產量：0.40克產物外觀：黃棕色細晶體 m/z : 309 (計算値 309.42) • 546， 820 ， 91 1 ， "C-NMR : 1 46.5 69，1 43.75 2，142.111，141 141.233 ， 131.232 ， 130.614 ， 129.064 ， 128, 1 2 8.5 5 3 ， 1 28.469 ， 1 2 7.5 3 0 ， 1 27.46 1 ， 116, 116.911，1 1 0.422，99.902 ppm 合成例7 10-胺基二苯并（A，C)吩哄之合成根據以下方法（1)及（2)製備。 (1) 1，2,3-三胺基苯之合成

15.0克（82毫莫耳）2,6-二硝基苯胺溶解於150 中，反應系統令人滿意地以氮清洗，於其中添加克THF 7.6克 -49- 200540893 (46) 5 % Pd/C(含水）。之後，該系統以氫清洗，之後於室溫下反應1 5小時。反應完全後’過濾反應溶液以自該溶液移除Pd，形成之濾液於原樣下濃縮’得到所需產物。所得之產物不安定’於原樣下使用於後續反應。 (2) 10 -胺基二苯并（A，C)吩哄之合成

10.1克（82毫莫耳）1，2,3-三胺基苯及14.6克（70毫莫耳）9,10-菲锆置入四頸燒瓶中，於其中添加3 5 0克乙酸與甲醇於1 : 1之用於溶解的溶劑，之後於70 °C反應溫度下 φ 反應2小時。反應後，移除溶劑’形成之產物以甲醇洗滌，得到所需產物。產量：1 7 · 1克產物外觀：土黃色固體 m/z : 29 5 (計算値：295.1 1 ) 13C-NMR : 1 46.932，1 44.1 45，1 43.084，1 3 9.740， 133.473， 133.007， 132.656， 132.213， 1 3 1 .602 ， 131.488 ， 130.847 ， 130.473 ， 128.465 ， 126.869 ， 1 26.83 1，1 26.663，1 23.900，1 1 6.243，1 08.647 ppm -50- 200540893 (47) 合成例8 2,3-二苯基- 5-(4-胺基苯基）胺基喹Hf啉之合成根據以下方法（1)及（2)製備 (1) 2,3-二苯基- 5-(4-硝基苯基）胺基喹鸣啉之合成

在攪動4.0克（13.4毫莫耳）2,3-二苯基-5-胺基喹口萼啉、2.1克（14.9毫莫耳）4-氟硝基苯及100毫升二甲基亞愦下，下溫和地添加5.0克（44.6毫莫耳）第三丁氧基鉀。添加完全後，反應容器以氮清洗，之後於室溫下攪動24 小時。反應完全後’於冷卻下添加1 0 0毫升水’有機相使用氯仿溶劑萃取’之後濃縮得到所需產物。產量：5.4克 (2) 2,3_二基-5-(4-胺基苯基）胺基喹鳄啉之合成 200540893 (48)

5.4克（2 ·9毫莫耳）2,3-二苯基-5-(4-硝基苯基）胺基喹 H 鸣啉溶解於1 〇〇毫升四氫呋喃中，反應容器以氮清洗。之後，添加 5.0克5% Pd/C(含水），之後再次以氮充分清洗。此系統以氫清洗，之後於室溫下反應1 〇小時。反應完全後，過濾該系統，形成之過濾殘留物以四氫呋喃洗滌，再次過濾。自形成之濾液移除溶劑，反應產物自四氫呋喃/庚烷之混合溶劑再結晶。產量：3.9克產物外觀：橘色固體 φ m/z : 3 8 8 (計算値：3 8 8..1 7) 13C-NMR : 1 5 3.5 9 7，1 49.65 8，1 42.978，1 42.8 8 7， 142.009 ， 139.306 ， 139.199 ， 132.290 ， 131.283 ’ 130.008 ， 129.825 ， 128.680 ， 128.588 ， 128.267 ， 1 28.1 3 0，1 24.794，116.198，116.114，1 06.648 ppm 合成例9 2,3 -二（4 -甲基苯基）-5-(4 -胺基本基）胺基嗤吗琳之合成根據以下方法（1)及（2)製備。 200540893 (49) (1) 2，3 -一（4 -甲基本基）-5-(4、硝基苯基）_胺基喹噚啉之合成

F-〇-N02 t-Bu〇K

在攪動3.0克（9·2晕旲耳）2,3_二（4_甲基苯基）-5 -胺基喹鸣啉、1.4(9.9毫莫耳）4_氟硝基苯及1〇〇毫升二甲基亞馈之情況下’溫和地添加3 · 4克（3 0 · 0毫莫耳）第三丁氧基鉀。添加完全後’反應谷器以氮清洗，之後於室溫下攪動 20小時。反應完全後，在冷卻下添加1〇〇毫升水，有機相使用氯仿溶劑萃取，之後濃縮得到所需產物。產量：5.9克 m/z : 446 (計算値：446.17) (2) 2，3-二（4-甲基苯基）-5-(4-胺基苯基）胺基喹鸣啉之合成 -53- 200540893 (50)

5.9克（13.2毫莫耳）2,3-二（4-甲基苯基）-5-(4-硝基苯 # 基）胺基喹噚啉溶解於7〇毫升四氫呋喃中，反應容器以氮清洗。之後，添加2.0克5% Pd/C(含水），之後再次以氮充分清洗。此系統以氫清洗，之後於室溫下反應1 3小時。反應完全後，過濾該系統，形成之過濾殘留物以四氫呋喃洗滿並再次過濾。自形成之濾液移除溶劑，反應產物以矽膠管柱萃取。產量：1.1克產物外觀：橘色固體 ® m/z ·· 416 (計算値：416.20) 13C-NMR : 1 5 3.605，149.711，142.719，141.917， 138.573 ， 136.543 ， 132.542 ， 130.977 ， 129.863 ， 129.703 ， 128.970 ， 128.870 ， 124.664 ， 116.198 ， 106.480，2 1.3 5 2 ppm 合成例1 〇 2,3-二（4-甲氧苯基）-5_(4-胺基苯基）-胺基喹Df啉之合成根據以下方法（1)及（2)製備。 -54- 200540893 (51) (1) 2,3-二（4 -甲氧苯基）-5-(4-胺基苯基）_胺基喹鸣啉之合成

在攪動5.0克（14.0毫莫耳）2,3_二（4_甲氧苯基•胺基喹鸣啉、2.4克（17.0毫莫耳）4_氟硝基苯及uo毫升二甲基亞愦下，溫和地添加5.7克（5 0 ·8毫莫耳）第三丁氧基鉀。添加完全後，反應容器以氮清洗，之後於室溫下攪動 8小時。反應完全後，在冷卻下添加1 〇〇毫升水，有機相 Φ 使用氯仿溶劑萃取，之後濃縮得到所需產物。產量：8.3克產物外觀：棕色固體 (2) 2,3-二（4-甲氧苯基）-5-(4-胺基苯基）胺基喹Df啉之合成 -55- 200540893 (52)

8.3克（17.3毫莫耳）2,3-二（4-甲氧苯基）-5-(4-硝基苯基）胺基喹腭啉溶解於1 〇〇毫升四氫呋喃中，反應容器以氮清洗。之後，添加5·0克5% Pd/C(含水），之後再次以氮充分清洗。此系統以氫清洗，之後於室溫下反應1 〇小時。反應完全後，過濾該系統，形成之過濾殘留物以四氫呋喃洗滌並再次過濾。自形成之濾液移除溶劑，反應產物於己烷中再結晶，得到所需產物。產量：4.5克產物外觀：橘色固體 m/z: 448 (計算値：448.119) 13 C -NMR ： 1 6 3 · 7 6 6，1 5 9 · 9 9 4，1 5 3 · 1 3 1，1 4 8.8 7 2， 142.940 ， 142.688 ， 141.803 ， 132.420 ， 131.947 ， 131.329 ， 131.206 ， 130.779 ， 124.725 ， 116.076 ， 1 1 3.75 5，1 1 3.625，106.411，98.95 3，55.324 ppm 合成例1 1 2，3_二（2-噻吩基）-5-(4-胺基苯基）_胺基喹哼啉之合成根據以下方法（1)及（2 )製備。 -56- 200540893 (53) (1) 2,3-二（2-噻吩基）-5-(4-胺基苯基）-胺基喹噚啉之合成

在攪動3.1克（9.9毫莫耳）2,3-二（2-噻吩基）-5-胺基喹噚啉、1.4克（9.9毫莫耳）4-氟硝基苯及15克二甲基亞愦下，溫和地添加3.3克（29.6毫莫耳）第三丁氧基鉀。添加完全後，反應容器以氮清洗’之後於室溫下攪動1 4小時。反應完全後，在冷卻下添加1 〇〇毫升水’濾出形成之化合物並乾燥，之後以矽膠管柱純化。產量：2.6克產物外觀：黃色固體 (2) 2,3-二（2-噻吩基）-5-(4-胺基苯基）胺基喹哼啉之合成

-57- ④ 200540893 (54) 2.2克（5.1毫旲耳）2,3 - 一>(2 -嚷吩基）-5-(4 -硝基苯基）胺基喹噚啉溶解於5 0毫升四氫呋喃中，反應容器以氮清 - 洗。之後，添加〇·7克5% Pd/C(含水），之後再次以氮充 - 分清洗。此系統以氫清洗，之後於室溫下反應5小時。反應完全後，過濾該系統，形成之過濾殘留物以四氫呋喃洗滌並再次過濾。自形成之濾液移除溶劑，反應產物以矽膠 φ 管柱萃取。產量：1.9克產物外觀：橘色固體 m/z : 3 99 (計算値：400.08) 13C-NMR : 1 46.665，143.161，1 43.009，142.619， 142.009 ， 141.413 ， 132.084 ， 131.535 ， 130.443 ， 129.061 ， 128.840 ， 128.603 ， 128.473 ， 127.618 ， 127.512，124.8 78，1 1 6.068，115.931，1 06.93 0 ppm 合成例1 2 N-4-胺基苯基-10-胺基二苯并（A,C)-吩畊之合成 - 根據以下方法（1)及（2)製備。 (1) N-4-硝基苯基-10-胺基二苯并（A，C)-吩畊之合成 -58- 200540893 (55)

υ·〇克（34毫莫耳）1-胺基二苯并（A，C)吩哄、 4.8克（3 4毫莫耳）4_氟硝基苯及5〇〇毫升二甲基亞愦下，溫和地添加19.4克（173毫莫耳）第三丁氧基鉀。添加完全後’反應容器以氮清洗，之後於室溫下攪動24小時。反應完全後，在冷卻下添加5 0 0毫升水，之後過濾反應溶液，以得到過濾殘留物。所得之殘留物以甲醇洗滌，以得到所需產物。 (2) N-4-胺基苯基_10_胺基二苯并（A，c)-吩畊之合成

-59- 200540893 (56) 洗。之後，添加4.6克5% Pd/C (含水），之後再次以氮充分清洗。此系統以氫清洗，之後於室溫下反應1 0小時。反應完全後，過濾該系統，形成之過濾殘留物以四氫呋喃洗滌並以管柱純化，得到所需產物。產物外觀：紫色晶體 m/z: 386 (計算値：386.15) 13C-NMR : 1 46.77 1，1 45.1 83，144.191，1 43.244， 139.687 ， 133.526 ， 133.022 ， 132.671 ， 132.236 ， 131.434 ， 131.389 ， 130.892 ， 130.587 ， 128.518 ， 126.877 ， 126.320 ， 125.892 ， 123.907 ， 116.319 ， 115 ， 739， 105， 960 ppm 實施例1 聚{2,3-二苯基-5-(4-胺基苯基）_胺基喹鸣啉}之合成使用裝置有鉑網相對電極之三電極燒杯電池，根據以 # 下電位掃描法進行電解氧化而合成所需化合物。尤其，使用〇·19毫克（0.5毫莫耳）2,3-二苯基-5-(4-胺基苯基）胺基喹噚啉及1.05毫升（11毫莫耳）過氯酸溶解於6.5克N，N-二甲基甲醯胺中之溶液。電解聚合係依一種方式進行，使得所用之試驗電極基材係爲表面以砂紙磨粗之鈾薄板（每表面1.0厘米2)，參考電極係爲Ag/Ag+，使用電化學測量系統（由B AS Inc.製得）於400至700毫伏特之電位範圍、50 mVsce·1掃描速度及30電位掃描循環之條件下進行電位掃描。得到聚合於該電極上之所需化合 -60- 200540893 (57) 物。產物外觀：黑色固體 TOF-MS ： m/z 41 5 (單體），772 (二聚體），1 1 56 (三聚體）。實施例2 聚{2,3-二（4-甲基苯基）-5-(4-胺基苯基）-胺基喹tJf啉}之合 • 成使用裝置有舶網相對電極之三電極燒杯電池，根據以下電位掃描法進行電解氧化而合成所需產物。尤其，使用〇·21毫克（0.5毫莫耳）2,3-二（4-甲基苯基）-5-(4_胺基苯基）胺基喹鳄啉及ΐ·〇5毫升（11毫莫耳）過氯酸溶解於6.5克Ν，Ν_=甲基甲醯胺中之溶液。電解聚合係依一種方式進行，使得所用之試驗電極基材係爲表面以砂紙磨粗之鈾薄板（每表面1 ·〇厘米2)，參考電極係爲钃^ Ag/Ag+，使用電化學測量系統（由BAS Inc.製得）於1 300 至1600毫伏特之電位範圍、1〇〇 mVsce·1掃描速度及30 電位掃描循環之條件下進行電位掃描。得到聚合於該電極 ' 上之所需聚合化合物。產物外觀：黑色固體 TOF-MS ： m/z 429 (單體），826 (二聚體），1 240 (三聚體），1 667 (四聚體）。實施例3 -61 - 200540893 (58) 聚{2,3-二（2-噻吩基）-5-(4-胺基苯基）_胺基喹鸣啉}之合成使用裝置有鈾網相對電極之三電極燒杯電池，根據以下電位掃描法進行電解氧化而合成所需產物。 ^ 尤其，使用〇·20毫克（〇·5毫莫耳）2,3-二（4-噻吩基）- ， 5-(4-胺基苯基）胺基喹Df啉及1 .05毫升（1 1毫莫耳）過氯酸溶解於6.5克Ν,Ν-二甲基甲醯胺中之溶液。電解聚合係依一種方式進行，使得所用之試驗電極基材係爲表面以砂紙 φ 磨粗之鉑薄板（每表面 1.0厘米2)，參考電極係爲 Ag/Ag+ ’使用電化學測量系統（由BAS Inc.製得）於400至 700毫伏特之電位範圍、100 mV see」掃描速度及30電位掃描循環之條件下進行電位掃描。得到聚合於該電極上之所需聚合化合物。產物外觀：黑色固體 TOF-MS ： m/z 398 (單體），793 (二聚體），1192 (三聚體），1602 (四聚體），1987 (五聚體）。實施例4 ‘ 聚{N_4_胺基苯基-10-胺基二苯并（A，C)吩畊}之合成 - 使用裝置有鉑網相對電極之三電極燒杯電池，根據以下定電位法進行電解氧化而合成所需產物。尤其，使用0.19毫克（0.5毫莫耳）N-4-胺基苯基-10-二苯并（A，C)吩哄及1.05毫升（11毫莫耳）過氯酸溶解於 6.5克N，N-二甲基甲醯胺中之溶液。電解聚合係依一種方式進行，使得所用之試驗電極基材係爲表面以砂紙磨粗之 -62- 200540893 (59) 鉑薄板（每表面1.0厘米2)，參考電極係爲Ag/Ag+，使用電化學測量系統（由BAS Inc.製得）。根據定電位方法，在 2.0 C/cm2調整電量下於0.7伏特下進行聚合，於試驗電極表面上得到黑色聚合物膜。所得之膜表面以N，N -二甲 ^ 基甲醯胺洗滌。 TOF-MS ： m/z 781 (二聚體），1167 (三聚體），1552 (四聚體），1 940 (五聚體）。 B 循環伏安法測量之氧化及還原波峰（於0.1莫耳/公升過氯酸四乙基銨之乙羟溶液中測量）：氧化波峰700毫伏特，1000毫伏特，而還原波峰200毫伏特，300毫伏特。使用實施例4所製得之電極製造電池，根據以下方法進行充電及放電試驗，以得到靜電電容，顯示其係爲5 8 F/g。詳言之，在第一循環得到48.5 F/g之放電電容，第五循環之電容增進至65.8 F/g。第十循環時，電容保持於 58.5 F/g 。 (充電及放電試驗方法）使用三電極燒杯電池（其中表層形成有聚合物膜之鋁電極係作爲試驗電極，鉑薄板作爲相對電極’而Ag/Ag + 作爲參考電極），於下列條件下進行定流充電及放電試驗。前述電池置於〇.1莫耳/公升過氯酸四乙基錢之乙羟溶液中，在0.5 mA/cm2電流密度及1 .5伏特至- 〇·5伏特截止電位下進行測量，提供第十循環之値作爲測量値。 -63 - 200540893 (60) 對照例l 聚{10-胺基二苯并（A，C)吩畊}之合成 - 使用裝置有鉑網相對電極之三電極燒杯電池，根據以 • 下定電位法進行電解氧化而合成所需產物。尤其，使用0.15毫克（0.5毫莫耳）10-胺基二苯并 (A，C)吩啡及1.05毫升（11毫莫耳）過氯酸溶解於6.5克 φ N，N-二甲基甲醯胺中之溶液。電解聚合係依一種方式進行，使得所用之試驗電極基材係爲表面以砂紙磨粗之鉑薄板（每表面1.0厘米2)，參考電極係爲Ag/Ag+，使用電化學測量系統（由BAS Inc·製得）。根據定電位方法，在2.0 C/cm2調整電量下於0.9伏特下進行聚合，於試驗電極表面上得到黑色聚合物膜。所得之膜表面以N，N-二甲基甲醯胺洗滌。 TOF-MS ： m/z 596.9 (二聚體），893.9 (三聚體）， φ 1 192.3 (四聚體），1 4 8 8.5 (五聚體），1788·7 (六聚體）， 208 8.9 (七聚體）。循環伏安法測量之氧化及還原波峰（於0·1莫耳/公升、過氯酸四乙基銨之乙羟溶液中測量）：氧化波峰11 〇〇毫伏特，而還原波峰200毫伏特。使用前述對照例1所製得之電極製造電池，於如同實施例4之條件下進行充電及放電試驗。結果發現靜電電容係爲47 F/g。詳言之，在第一循環得到83.5 F/g之放電電容，在第五循環降低至62.0 F/g，在第十循環進一步降低 200540893 (61) 至 47.0 F/g

Claims

200540893 (1) 十、申請專利範圍 1. 一種供能量儲存裝置用之電極，其包括作爲電極活性材料之下式（1 a)之聚胺基喹Df啉化合物

(la) 其中R1及R2個別表示氫原子、羥基、Cl_Cl()院基、 C^-Cm烷氧基、可經Y取代之苯基、可經γ取代之吡啶基、可經Y取代之聯苯基、可經γ取代之萘基、可經Y 取代之噻吩基、可經γ取代之吡咯基、可經γ取代之呋喃基或可經γ取代之稠合雜芳基，其限制條件爲當r1及 R個別係爲前文定義之苯基、吡啶基、聯苯基、萘基、嚷吩基、啦略基、呋喃基或稠合雜芳基時，此等基團可經由單鍵連接； R3及R4個別表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、c丨-c丨〇烷基、c】-C〗〇烷氧基、可經γ取代之苯基、可經γ取代之吡啶基、可經γ取代之聯苯基、可經Y取代之萘基、可經Y取代之噻吩基、可經γ取代之吡咯基、可經Y取代之呋喃基或可經γ取代之稠合雜芳基，其限制條件爲當R3及R4個別係爲前文定義之苯基、吡啶基、 -66- 200540893 (2) 聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或_合雜芳基時，此等基團可經由單鍵連接； X1 係表示 _NH-R5-NH-或-NH-R6-，宜由 p5p ^ • 一 -、屮R及R6個別 • 表示Ci-Cig伸烷基、-c(o)ch2-、-ch2c(0)…可終γ取；代之二價苯環、可經Υ取代之二價吡啶環、可經γ取代之二價聯苯基、可經γ取代之二價萘環、可經γ取代之二價噻吩環、可經γ取代之二價吡咯環、可經Υ取代之 • 呋喃環或可經γ取代之稠合雜環，其中γ係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、C1_C1G烷基、鹵烷基、Cl-Cl〇烷氧基、Ci-CiG氰基烷基、可經Z 取代之苯基、可經Z取代之吡啶基、可經Z取代之聯苯基、可經z取代之萘基、可經z取代之噻吩基、可經z 取代之啦咯基、可經z取代之呋喃基或可經Z取代之掘合雜芳基，其限制條件爲若Y係二或多個，則γ可相同或相異，其中Z係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧 _基、乙烯基、CrCu烷基、Cl-C1()鹵烷基、Cl-C1G院氧基、氰基烷基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、赃略基、呋喃基或稠合雜芳基，其限制條件爲若Z係爲二或多個，則Z可相同或相異；且 η係爲2或更大之整數。 2.如申請專利範圍第}項之電極，其中Ri及R2個別表示下式（2)之基團

-67- 200540893 (3)

• 其中R7至R11個別表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-CiQ烷基、Ci-Cw鹵烷基、Ci-CiO烷氧基、Ci-C4氰基烷基、可經Z取代之苯 II 基、可經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中Z 係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙嫌基、 Ci-Cio 烷_、Cl_ClG 鹵院基、Ci-Cio 烷氧基、Ci-Cio 氰基院基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳_ ° 3 .如申請專利範圍第1項之電極，其中R1及R2個別表示下式（3)之基團

其中R12至Ris個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、C^-Cio烷基、Ci-C^o烷氧基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經z取代之噻吩基，其中Z係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、C^-Cm烷 -68- 200540893 (4) 基、Ci-Cio鹵丨兀基、Ci-Cio院氧基、Ci-Cio氨基院基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基。 4 ·如申請專利範圍第1項之電極，其中R1及R2個別表示下式（4)之基團

(4) 其中R19至R21個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-Cw烷基、烷氧基、可經z取代之苯基、可經z取代之萘基或可經z取代之噻吩基，其中z係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、CrCM烷 Φ 基、d-Cw鹵烷基、CrCw烷氧基、Ci-CM氰基烷基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基；且 A1係表示NH、Ο或s。 5.如申請專利範圍第1項之電極，其中R1及R2個別表示下式（5)之基團 -69 - 200540893 (5)

其中R22係表示鹵原子或氰基，且R23至R20個別表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-CM烷基、Ci-C^o烷氧基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經z取代之噻吩基，其中Z係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-Cio烷基、CmCw鹵烷基、Ci-C丨〇烷氧基、Ci-Cw氰基烷基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基。 6 ·如申請專利範圍第1至5項中任一項之電極，其中 R5係表示下式（6)之基團

其中R27至r3G個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、烷基、C^-Cm烷氧基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中z係表示 ④ 鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、CpCm烷 -70- 200540893 (6) 基、Ci-Cu鹵烷基、Ci-C1G烷氧基、Ci-C1()氰基烷基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基。 7 ·如申請專利範圍第1至5項中任一項之電極，其中 R5係表示下式（7)之基團

⑺ 其中R31至R32個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-C^烷基、C^-Cm烷氧基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中Z係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、烷基、Ci-CiG鹵院基、Ci-CiQ院氧基、Cl-Cl〇氰基院基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基；且 W1係表示NH、0或s。 8 ·如申請專利範圍第1至5項中任一項之電極’其中 R5係表示下式（8)之基團 200540893 (7)

其中R33至R34個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、C , - C ! 〇烷基、C ! - C ! 〇烷氧基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中Z係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、C^-Cm烷基、Ci-Cw鹵烷基、Ci-Cw烷氧基、CrCw氰基烷基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基；且 Q1係表示NH、◦或S。 9.如申請專利範圍第1至5項中任一項之電極，其中 R5係表示下式（9)之基團

其中R35至R40個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、烷基、烷氧基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經z取代之噻吩基，其中z係表示 -72- 200540893 (8) 鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、C ! - C i ο烷基、Ci-Cio鹵垸基、Ci-Ci〇院氧基、Ci-Cio氨基院基、本基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基。 10·如申請專利範圍第1至5項中任一項之電極，其中R6係表示下式（10)之基團

(10) 其中R41至R44個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、c ! - C】〇院基、c】-C】〇垸氧基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經z取代之噻吩基，其中z係表示鹵原子、氣基、硝基、胺基、環氧基、乙嫌基、Ci-CiG院基、Ci-Cio鹵烷基、Ci-C1G烷氧基、Ci-C1()氰基烷基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基。 1 1 ·如申請專利範圍第1至5項中任一項之電極，其中R6係表示下式（11)之基團 -73- (11) 200540893

其中R45至R46個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、c丨-C丨〇院基、C 1 - C丨〇院氧基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中z係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、烷基、Ci-C1()鹵院基、Ci-Cio院氧基、Ci-Cio氰基院基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基；且 W2係表示NH、Ο或s。 1 2 ·如申請專利範圍第1至5項中任一項之電極，其中R6係表示下式（12)之基團

④ 其中R47至R48個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、烷基、CpCw烷氧基、可經z取代之苯基、可經z取代之萘基或可經z取代之噻吩基，其中z係表示 -74- 200540893 (10) 鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci_Ciq烷基、G-Cu鹵烷基、Cl_Cl。烷氧基、Ci_CM氰基烷基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基；且 Q2係表示ΝΗ、Ο或S。 13 ·如申請專利範圍第1至5項中任一項之電極，其中R6係表示下式（13)之基團

其中R49至R54個別表示各取代於該式之環的任意位置的氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、C ! - C ! 〇烷基、C ! - C】〇烷氧基、可經z取代之苯基、可 ® 經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中z係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、烷基、Ci-Cw鹵烷基、（：！-(：!〇烷氧基、Ci-Ci。氰基烷基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳 -75- 200540893 (11)

其中A2各爲c或N，R5 5至R62個別表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、CpCm院基、C i -C i 〇烷氧基、可經z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中z係表示鹵原子、氣基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-Cio烷基、Cl_cu 鹵烷基、Κ1()烷氧基、Ci-CM氰基烷基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基，其限制條件爲當A2表示N時，R5 8及R59兩者皆不存在。 15·—種供能量儲存裝置用之電極，其包含下式（lb)之聚胺基喹噚啉化合物作爲電極活性材料

(lb) 其中R1’及R2’係接合以形成- CH2CH2CH2-， -CH2CH2O- ’ -OCH2CH2-，-CH2OCH2-，-OCH2O- ’ •CH2CH2S-，-SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R，）-， -76- 200540893 (12) _N(R，）CH2CH2-，-ch2n(r，）ch2-，-ch2ch2ch2ch2-， -CH2CH2CH20-，-OCH2CH2CH2-，-CH2CH2OCH2-， -CH2OCH2CH2-，-CH20CH20-，-0CH2CH20-， • -SCH2CH2S-，-OCH2CH2S-，.SCH2CH2O-，-ch2ch = ch- * ，-CH = CHCH2-，-OCH = CH-，-CH = CHO-，-SCH = CH-， -CH = CHS-，-N(R，）CH = CH-，-CH = CHN(R，）-，-〇CH = N-， -N = CHO-，-SCH = N-，-N = CHS-，_N(R丨）CH = N-， _-N = CHN(R，）-，-N(R，）N = CH-，-CH = N(R，）N- ，-CH = CHCH = CH-，-OCH2CH = CH-，-CH = CHCH20-， -N=CHCH=CH-， -CH=CHCH=N-， -N=CHCH=N-， -N = CHN = CH-，或-CH = NCH = N-其中鍵結於此等基團之碳原子的氫原子可經Y所取代，且R’係表示氫原子、C!-C 1 〇院基、C 1 - C 1 0鹵院基、C 1 - C i 〇氰基垸基、可經z取代之苯基、可經Z取代之卩比π定基、可經z取代之聯苯基、可經Ζ取代之萘基、可經Ζ取代之噻吩基、可經ζ取代 4^ 之耻略基、可經Ζ取代之咲喃基或可經ζ取代之稠合雜芳基； R3及R4個別表不氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺 ‘基、C i - C ! 〇烷基、C 1 - C〗〇烷氧基、可經γ取代之苯基、可經Y取代之吡啶基、可經Y取代之聯苯基、可經Y取代之萘基、可經Y取代之噻吩基、可經γ取代之批咯基、可經γ取代之呋喃基或可經Y取代之稠合雜芳基，其限制條件爲當R3及R4個別係爲前文定義之苯基、卩比n定基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基 -77 - 200540893 (13) 時’此等基團可經由單鍵連接；且 χ1係表示-NH-R5-NH-或-NH-R6-，其中：^及R6個別表示ci-c1G伸烷基、_C(0)CH2_、_CH2C(〇)…可經γ取代之二價苯環、可經γ取代之二價吡陡環、可經Y取代之一價聯苯基、可經γ取代之二價萘環、可經γ取代之一價噻吩環、可經γ取代之二價吡咯環、可經γ取代之咲喃環或可經Υ取代之稠合雜環； Υ係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci_cio 烷基、（：！(：!〇鹵烷基、Ci-Cw 烷氧基、d-Cio 氯基院基、可經Z取代之苯基、可經z取代之吡啶基、可經Z取代之聯苯基、可經z取代之萘基、可經z取代之嚷吩基、可經Z取代之吡咯基、可經Z取代之呋喃基或可經Z取代之稠合雜芳基，其限制條件爲若γ係二或多個’則Y可相同或相異； Z係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Cl_ci〇烷基、Ci-C10鹵烷基、CrCio烷氧基、C^-Cw 氯基院基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基，其限制條件爲若Z係爲二或多個，則Z 可相同或相異；且 n係爲2或更大之整數。 1 6 · 一種供能量儲存裝置用之電極，其包括下式（1C)之 _ S喹噚啉化合物作爲電極活性材料 200540893 (14) (lc)

其中R1及R2個別表示氫原子、羥基、Cl-c1()院基、 c 1 1G烷氧基、可經y取代之苯基、可經γ取代之吡啶基、可經Y取代之聯苯基、可經Y取代之萘基、可經γ 取代之噻吩基、可經γ取代之吡咯基、可經γ取代之呋喃基或可經Y取代之稠合雜芳基，其限制條件爲當Rl及 R個別係爲則文定義之苯基、D比B定基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基時，此等基圑可經由單鍵連接；

R3’及 R4’係接合以形成-CH2CH2CH2-，-CH2CH20-, -OCH2CH2- ， -CH2OCH2- ， -0CH20- ， -CH2CH2S- ^ - sch2ch2-，-ch2sch2-，-ch2ch2n(r，）-，-n(r，）ch2ch2- ，-CH2N(Rf)CH2- » -CH2CH2CH2CH2- ^ -CH2CH2CH20- ^ - OCH2CH2CH2- ， -CH2CH20CH2- ， -CH20CH2CH2-，- CH2OCH2O-，-OCH2CH2O-，-SCH2CH2S-，-OCH2CH2S- ，-SCH2CH20-，-CH2CH = CH-，-CH = CHCH2-，-OCH = CH- ，-CH = CHO-，-SCH = CH-，-CH = CHS-，-N(R，）CH = CH-，- CH = CHN(R，）-，-〇CH = N-，-N = CHO-，-SCH = N-，-N = CHS- ，-N(Rf)CH = N- ， -N = CHN(R')- ， -N(R?)N = CH-，- CH = N(R，）N- ， -CH = CHCH = CH- ， -OCH2CH = CH-，- -79- 200540893 (15) CH = CHCH2〇- ， -N = CHCH = CH- ， -CH = CHCH = N-，-N=CHCH=N_， -N=CHN=CH-，或·CHsNCHtN-其中鍵結於此等基團之碳原子的氫原子可經Y所取代，且R，係表示氫原子、Ci-Cio烷基、Ci-Cw鹵烷基、d-Cw氰基烷基、 • 可經z取代之苯基、可經Z取代之吡啶基、可經z取代之聯苯基、可經Z取代之萘基、可經Z取代之噻吩基、可經Z取代之吡咯基、可經Z取代之呋喃基或可經z取 • 代之稠合雜芳基； X1係表示-NH-R5-NH-或-NH-R6-，其中R5及R6個別表不 C^-Cio 伸垸基、-C(0)CH2-、-CH2C(0)-、可經 Y 取代之一價苯環、可經Y取代之二價吡啶環、可經Y取代之一價聯苯基、可經Y取代之二價萘環、可經Y取代之一價噻吩環、可經γ取代之二價吡咯環、可經γ取代之呋喃環或可經γ取代之稠合雜環； Υ係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯 Φ 基、CpCw烷基、Cl-Cl。鹵烷基、Ci-Cig烷氧基、Ci-Ci〇氛基院基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之吡啶基、可經Z取代之聯苯基、可經z取代之萘基、可經z取代之1*吩基、可經Z取代之吡咯基、可經Z取代之呋喃基 ^ Z取代之稠合雜芳基，其限制條件爲若γ係二或多個’則Y可相同或相異； z係袠示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Cl-Ci〇烷基、Ci-C1()鹵烷基、C^-Cw烷氧基、CrCM 氨基院基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃 -80- 200540893 (16) 基或稠合雜芳基，其限制條件爲若Z係爲二或多個，則Z 可相同或相異；且 η係爲2或更大之整數。 17.—種供能量儲存裝置用之電極，其包括下式（ld)之聚胺基喹噚啉化合物作爲電極活性材料

(Id) 其中R1’及R2’係接合以形成- CH2CH2CH2-，

-CH2CH20-，-OCH2CH2-，-CH2OCH2-，-0CH20-， -CH2CH2S-，-SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R’）-， -N(R，）CH2CH2-，-CH2N(R，）CH2-，-CH2CH2CH2CH2-， -CH2CH2CH20-，-OCH2CH2CH2-，-CH2CH2OCH2-， -CH2OCH2CH2-，-CH20CH20-，-0CH2CH20-， -SCH2CH2S· ， -OCH2CH2S- ， -sch2ch2o-， -ch2ch = ch-，-CH = CHCH2-，-0CH = CH-，-CH = CHO-，-SCH = CH-， -CH = CHS-，-N(R，）CH = CH·，·<：Η = (：ΗΝ(ΙΙ，）-，-OCH = N-， -N = CHO-，-SCH = N-，-N = CHS-，-N(R，）CH = N-， -N = CHN(R，）-，-N(R，）N = CH-，-CH = N(R’）N-， CH = CHCH = CH-，-OCH2CH = CH CH = CHCH20-， -N=CHCH=CH-， -CH=CHCH=N-， -N=CHCH=N-， -81 - 200540893 (17) -N = CHN = CH-，或-CH = NCH = N_其中鍵結於此等基團之碳原子的氫原子可經Y所取代，且R’係表示氫原子、Cl-c 1 〇院基、C i - C 1 〇鹵院基、C i - c i 〇氰基院基、可經z取代之苯基、可經Z取代之卩比B疋基、可經z取代之聯苯基、可經Z取代之蔡基、可經Z取代之嚷吩基、可經z取代之卩比略基、可經z取代之呋喃基或可經Z取代之稠合雜芳基；

R3’及 R4’係接合以形成-CH2CH2CH2-，-CH2CH20-， -OCH2CH2-，-CH2OCH2·，-OCH20-，-CH2CH2S-， -SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R，）-，-N(R，）CH2CH2- ，-ch2n(r’）ch2-，-ch2ch2ch2ch2-，-ch2ch2ch2o-， -OCH2CH2CH2-，-CH2CH2OCH2-，-CH2OCH2CH2-， -CH20CH20- ， -0CH2CH20-， -SCH2CH2S-， -OCH2CH2S-，-SCH2CH20-，-CH2CH = CH-，-CH = CHCH2-，-OCH = CH-，-CH = CHO-，-SCH = CH-，-CH = CHS-，-N(R’）CH = CH-， -CH = CHN(R，）-，-OCH = N-，-N = CHO-，-SCH = N-， -N = CHS-，-N(R，）CH = N·，-N = CHN(R，）-，-N(R，）N = CH-， -CH = N(R，）N-，-CH = CHCH = CH-，-OCH2CH = CH-， -CH = CHCH20-，-N = CHCH = CH-，-CH = CHCH = N-， -N=CHCH=N-， -N=CHN=CH-，或-CH=NCH=N-其中鍵結於此等基團之碳原子的氫原子可經Y所取代，且R’係表示氫原子、CpCw烷基、CrCw鹵烷基、Ci-CM氰基烷基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之吡啶基、可經Z取代之聯苯基、可經Z取代之萘基、可經Z取代之噻吩基、 -82 - 200540893 (18) 可經Z取代之吡咯基、可經z取代之呋喃基或可經z取代之稠合雜芳基； X1係表示-NH-R5-NH-或-NH-R6-，其中R5及r6個別表示Ci-Cio伸烷基、_C(0)CH2…·ciqo)…可經γ取 • 代之二價苯環、可經Y取代之二價吡啶環、可經γ取代之二價聯苯基、可經Y取代之二價萘環、可經Y取代之一價噻吩環、可經γ取代之二價吡咯環、可經γ取代之 • 呋喃環或可經Y取代之稠合雜環； Y係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci_ci〇烷基、CpCio鹵烷基、Ci-Cio烷氧基、Ci-Cw 氛基院基、可經Z取代之苯基、可經z取代之吡啶基、可經z取代之聯苯基、可經Z取代之萘基、可經z取代之嚷吩基、可經Z取代之吡咯基、可經z取代之呋喃基或可經Z取代之稠合雜芳基，其限制條件爲若γ係二或多個’則γ可相同或相異； ® Z係袠示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Cl_ci〇烷基、Ci-Cio鹵烷基、Ci-Cio烷氧基、Κ10 氛基院基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃 s或稠合雜芳基，其限制條件爲若ζ係爲二或多個，則Ζ 可相同或相異；且 Μ系爲2或更大之整數。 1 8 ·如申請專利範圍第1 5或1 7項之電極，其中藉接 α R及R2所形成之基團係具有通式（1 5 ) -83- (15) 200540893 (19)

• 其中A3係表示0或S，且R63至R66係個別表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Cl-C】〇烷基、CVCm烷氧基、可經z取代之苯基、可經z取 • 代之奈基或可經z取代之噻吩基，其中z係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、C1-C1G烷基、 CrCiG鹵烷基、C^-Cio烷氧基、Ci-Cio氰基烷基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基。 1 9 ·如申請專利範圍第1 6或1 7項之電極，其中藉接合R3’及R4’所形成之基團係具有通式（16)

A4 V R67^|~^R7〇 (16) r68r69 其中A4係表示ο或s，且R67至R7G係個別表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-C ! 〇烷基、C i -C i 〇烷氧基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經Z取代之噻吩基，其中Z係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、C^-Cw烷基、 Ci-Ci〇鹵院基、Cl-Cl〇院氧基、Ci-Ci〇氰基院基、苯基、 -84- 200540893 (20) 聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基。 20·如申請專利範圍第16或17項之電極，其中藉接合R3’及R4’所形成之基團係具有通式（17)

(17) 其中R71及R72係個別表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、S女基、環氧基、乙嫌基、Ci-Cio院基、Ci-Cio院氧基 '可經Z取代之苯基、可經Z取代之萘基或可經z取代之噻吩基，其中Z係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環興基、乙嫌基、C 1 - C 1 〇院基、C 1 - C 1 〇齒院基、C 1 c10烷氧基、Ci-Cio氰基烷基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基。 2 1 · —種能量儲存裝置，其包含如申請專利範圍第1 至20項中任一項之供能量儲存裝置用之電極。 22·—種製造如申請專利範圍第1項之供能量儲存裝置用之電極之方法’該方法係包含在集流器電極上施加並構建由前式（1 a)所示之聚胺基喹噚啉化合物所製得之電極活性材料。 2 3 . —種製造如申請專利範圍第1 5項之供能量儲存裝置用之電極之方法，該方法係包含在集流器電極上施加並構建由前式（1 b)所示之聚胺基喹啤啉化合物所製得之電極活性材料。 -85- 200540893 (21) 24.—種製造如申請專利範圍第16項之供能量儲存裝置用之電極之方法’該方法係包含在集流器電極上施加並構建由前式（1 c)所示之聚胺基喹鸣啉化合物所製得之電極一活性材料。 * 2 5 · 一種製造如申請專利範圍第1 7項之供能量儲存裝置用之電極之方法’該方法係包含在集流器電極上施加並構建由前式（1 d )所示之聚胺基喹噚啉化合物所製得之電極 φ 活性材料。 26.—種製造如申請專利範圍第1項之供能量儲存裝置用之電極之方法’該方法係包含藉著於集流器電極上進行電解聚合而形成式（1 8 a)所示之胺基喹哼啉化合物

(18a) 其中R1及R2個別表示氫原子、羥基、Cl-ClG烷基、

C! -C! 〇院氧基、可經γ取代之苯基、可經γ取代之吡啶基、可經Y取代之聯苯基、可經Y取代之萘基、可經Y 取代之噻吩基、可經γ取代之吡咯基、可經γ取代之呋喃基或可經Υ取代之稠合雜芳基，其限制條件爲當Rl及 R2個別係爲前文定義之苯基、吡啶基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基時，此等基團可經 -86- 200540893 (22) 由單鍵連接； R3及R4個別表示氫原子、_原子、氰基、硝基、胺基、C i _ C ! 〇院基、c i - C ! 0院氧基、可經γ取代之苯基、可經Y取代之吡啶基、可經γ取代之聯苯基、可經γ取代 • 之萘基、可經Υ取代之噻吩基、可經γ取代之吡咯基、可經Υ取代之呋喃基或可經γ取代之稠合雜芳基，其限制條件爲當R3及R4個別係爲前文定義之苯基、吡啶基、 ® 聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基時’此等基團可經由單鍵連接； X2係表示-NH-R73-NH2或-NH-R74，其中r73係表示 Ci-C1G 伸院基、_c(〇)CH2-、-CH2C(〇)-、可經 Y 取代之二價苯環、可經Y取代之二價吡啶環、可經γ取代之二價聯苯基、可經Y取代之二價萘環、可經γ取代之二價噻吩環、可經Y取代之二價吡咯環、可經γ取代之呋喃環或可經γ取代之稠合雜環，且R74係爲Cl_Cl()烷基、乙 •醯基、可經Y取代之苯基、可經γ取代之吡啶基、可經 Y取代之聯苯基、可經Y取代之萘基、可經γ取代之噻吩基、可經Υ取代之吡咯基、可經Υ取代之呋喃基或可 ‘ 經γ取代之稠合雜芳基； γ係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基 Cl-C1Q院基、Ci-Cio鹵院基、CpCio院氧基、Ci-C10 氯基院基、可經z取代之苯基、可經z取代之吡啶基、可經z取代之聯苯基、可經Z取代之萘基、可經z取代之嚷吩基、可經z取代之吡咯基、可經z取代之呋喃基

200540893 (23) 或可經Z取代之稠合雜芳基，其限制條件爲若γ係二或多個，則Υ可相同或相異；且 Ζ係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基Cl Cio蛻基、Cl_Ci。鹵烷基、Ci_c w烷氧基、c厂Ci〇氰基k基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基，其限制條件爲若Z係爲二或多個，則z 可相同或相異。 2 7 · —種製造如申請專利範圍第1 5項之供能量儲存裝置用之電極之方法，該方法係包含使式（18b)所示之胺基嗤鸣啉化合物於集流器電極上進行電解聚合，

其中R1’及R2’係接合以形成- CH2CH2CH2_， -CH2CH20-，-〇CH2CH2-，-ch2och2-，-0CH20-， -CH2CH2S-，-SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R，）-， -N(R，）CH2CH2-，-CH2N(R’）CH2_，-CH2CH2CH2CH2-， -ch2ch2ch2o- » -OCH2CH2CH2- ? -CH2CH20CH2- J -CH20CH2CH2- J -CH20CH20- 5 -OCH2CH20- J -SCH2CH2S-，-OCH2CH2S-，-sch2ch2o-，-ch2ch = ch-，-CH = CHCH2-，-〇CH = CH-…CH = CHO-，-SCH = CH-， -88- ④ 200540893 (24) -CH = CHS-，-N(R’）CH = CH·，-CH = CHN(R，）-，-〇CH = N-， -N = CHO-，-SCH = N-，-N = CHS-，-N(R，）CH = N_， -N = CHN(R’）-，-N(R，）N = CH-，-CH = N(R，）N-， • -CH = CHCH = CH-，-〇CH2CH = CH-，-CH = CHCH20·， - -N = CHCH = CH-，-CH = CHCH = N-，-N = CHCH = N_， -N = CHN = CH-，或-CH = NCH = N-其中鍵結於此等基圑之碳原子的氫原子可經Y所取代，且R ’係表示氫原子、C i -藝 Cio院基、Ci-Cio鹵院基、Ci-Cio氰基院基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之吡啶基、可經Z取代之聯苯基、可經Z取代之萘基、可經Z取代之噻吩基、可經Z取代之吡咯基、可經Z取代之呋喃基或可經Z取代之稠合雜芳基； R3及R4個別表示氫原子、鹵原子、氰基、硝基、胺基、Ci-Cio院基、Ci-Cio院氧基、可經γ取代之苯基、可經Y取代之吡啶基、可經Y取代之聯苯基、可經γ取代 ® 之萘基、可經γ取代之噻吩基、可經γ取代之吡咯基、可經Y取代之呋喃基或可經Y取代之稠合雜芳基，其限 ~ 制條件爲當R3及R4個別係爲前文定義之苯基、吡啶基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基時，此等基團可經由單鍵連接； X2係表示-NH-R73-NH2或-NH-R74，其中R73係表示 Ci-C1()伸院基、-C(0)CH2-、-CH2C(〇)-、可經 γ 取代之二價苯環、可經γ取代之二價吡n定環、可經Y取代之二價聯苯基、可經Y取代之二價萘環、可經γ取代之二價噻 -89- 200540893 (25) 吩環、可，經Y取代之二價_環、可經丫取代之呋喃環或可經γ取代之稠合雜環，且R74係爲Ci_Cie院基 '乙醯基、可，經γ取代之苯基、可經γ取代之耻淀基、可經 Y取代之聯苯基、可經Y取代之萘基、可經γ取代之噻吩基、可經Y取代之吡咯基、可經Y取代之呋喃基或可經Y取代之稠合雜芳基；

y係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基Ci-c10烷基、Cl_ClG鹵烷基、Κιο烷氧基、氰基院基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之_定基、 H z取代之聯苯基、可經z取代之萘基、可經z取代之噻吩基、可經z取代之吡咯基、可經Z取代之呋喃基戈ΊΜ z取代之稠合雜芳基，其限制條件爲若γ係二或多個’則γ可相同或相異；且 z係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-c1G 烷基、Cl_ClG 鹵烷基、Ci_CiQ 烷氧基、氰基烷基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基，其限制條件爲若Z係爲二或多個，則z 可相同或相異。 2 8 · 一種製造如申請專利範圍第丨6項之供能量儲存裝置用之電極之方法，該方法係包含使式（18c)所示之胺基嗤嘴啉化合物於集流器電極上進行電解聚合， -90- 200540893 (26)

(18c)

其中R1及R2個別表示氫原子、羥基、Cl-Cl()烷基、 c 1 -c 1G院氧基、可經γ取代之苯基、可經γ取代之吡啶基、可經Y取代之聯苯基、可經γ取代之萘基、可經γ 取代之噻吩基、可經Y取代之吡咯基、可經Y取代之呋喃基或可經Y取代之稠合雜芳基，其限制條件爲當R1及 R2個別係爲前文定義之苯基、吡啶基、聯苯基、萘基、噻吩基 '卩比略基、呋喃基或稠合雜芳基時，此等基團可經由單鍵連接；

R3’及 R4’係接合以形成 _CH2CH2CH2-，-CH2CH20-， -OCH2CH2-，-CH2OCH2-，-och2o-，-ch2ch2s-， -SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R，）-，-N(R，）CH2CH2-，-ch2n(r，）ch2-，-ch2ch2ch2ch2-，-ch2ch2ch2o-， -OCH2CH2CH2-，-CH2CH2OCH2-，-CH2OCH2CH2-， -CH20CH20·，-0CH2CH20-，-SCH2CH2S-，-OCH2CH2S-，-SCH2CH2〇-，-CH2CH = CH-，-CH = CHCH2-，-OCH = CH- ，-CH = CHO-，-SCH = CH-，-CH = CHS-，-N(R，）CH = CH-， •CH = CHN(R丨）-，-〇CH = N-，-N = CHO-，-SCH = N-， -N = CHS-，-Ν(ΙΓ)ί：Η = Ν-，-N = CHN(R，）-，-N(R，）N = CH-， -CH = N(R，）N-，-CH = CHCH = CH-，-OCH2CH = CH-， Π-1 200540893 (27) _ C Η = C H C Η 2 〇 _，_ N = C H C Η = C Η _，_ η = c H C Η = N _， -N = CHCH-N-’ -.CHN^CH-’ ^_CH = NCH = N_其中鍵結於此等基團之碳原子的氫原子可經γ所取代，且r，係表示氫原子、Ci-Cw烷基、Κ1()鹵烷基、Cl-c1()氰基烷基、可經Z取代之苯基、可經z取代之吡啶基、可經z取代之聯本基、可經Z取代之萘基、可經2；取代之噻吩基、可經Z取代之吡咯基、可經z取代之呋喃基或可經z取代之稠合雜芳基； X2係表示-NH-R73-NH2或-NH-R74，其中R73係表示 Cl-C1G 伸院基、_c(〇)CH2_、·ς;Η2(：;(〇)_、可經 γ 取代之二價苯環、可經Υ取代之二價吡啶環、可經γ取代之二價聯苯基、可經Υ取代之二價萘環、可經γ取代之二價噻吩環、可經Υ取代之二價吡咯環、可經γ取代之呋喃環或可經γ取代之稠合雜環，且R74係爲Cl_ClG烷基、乙釀基、可經Y取代之苯基、可經γ取代之吡啶基、可經取代之聯苯基、可經Y取代之萘基、可經γ取代之噻运、可經Y取代之吡咯基、可經γ取代之呋喃基或可糸至Y取代之稠合雜芳基； Υ係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯 CleC1()院基、CpCio 鹵院基、Ci-Ci。院氧基、Ci-Ci〇氛基院基、可經Z取代之苯基、可經z取代之吡啶基、 1 Ί Z取代之聯苯基、可經z取代之萘基、可經Z取代之_阶# %基、可經Z取代之吡咯基、可經Z取代之呋喃基或可細 ry 奸 I z取代之稠合雜芳基，其限制條件爲若γ係二或 -92- ⑧ 200540893 (28) 多個，則Y可相同或相異；且 Ζ係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯基、Ci-Ci。烷基、Ci-Cio 鹵烷基、Ci-Cio 烷氧基、Ci-Cio 氰基烷基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃 V 基或稠合雜芳基，其限制條件爲若Z係爲二或多個，則Z 可相同或相異。 29·—種製造如申請專利範圍第17項之供能量儲存裝 # 置用之電極之方法，該方法係包含使式（18d)所示之胺基喹噚啉化合物於集流器電極上進行電解聚合，

(18d) 其中R1’及R2’係接合以形成- CH2CH2CH2-， -CH2CH20-，-OCH2CH2-，-CH2OCH2-，-0CH20-， -CH2CH2 S·，-SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R’）-， -N(R，）CH2CH2·，-CH2N(R，）CH2-，-CH2CH2CH2CH2-， -CH2CH2CH20-，-OCH2CH2CH2-，-CH2CH2OCH2-， -CH2OCH2CH2-，-CH20CH20-，-0CH2CH20-， -SCH2CH2S-，-OCH2CH2S-，-sch2ch2o-，-ch2ch = ch- ，-CH = CHCH2-，-OCH = CH-，-CH = CHO-，-SCH = CH-， -CH = CHS-，-N(R，）CH = CH-，-CH = CHN(R，）-，-OCH = N-， -93- 200540893 (29) -N = CHO-，-SCH = N-，-N = CHS-，-N(R，）CH = N-， N = CHN(R，）_，-N(R丨）N = CH-，-CH = N(R，）N-， -CH = CHCH = CH-，-OCH2CH = CH-，-CH = CHCH20-， -N=CHCH=CH-， -CH=CHCH=N-， -N=CHCH=N-， -N = CHN = CH-，或- CH = NCH-N其中鍵結於此等基團之碳原子的氫原子可經Y所取代，且R’係表示氫原子、

烷基、CpCm鹵烷基、Ci-Cio氰基烷基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之吡啶基、可經Z取代之聯苯基、可經z 取代之萘基、可經Z取代之噻吩基、可經Z取代之吡咯基、可經Z取代之呋喃基或可經Z取代之稠合雜芳基； R3’及 R4’係接合以形成- CH2CH2CH2-，-CH2CH20-， -OCH2CH2-，-CH2OCH2-，-0CH20-，-CH2CH2S-， -SCH2CH2-，-CH2SCH2-，-CH2CH2N(R，）-，-N(R，）CH2CH2- ，-ch2n(r，）ch2-，-ch2ch2ch2ch2-，-ch2ch2ch2o-， -OCH2CH2CH2-，-CH2CH2OCH2-，-CH2OCH2CH2-， -CH20CH20-，-0CH2CH20-，-SCH2CH2S-，-OCH2CH2S-，-SCH2CH20-，-CH2CH-CH-，-CH = CHCH2- ^ -OCH = CH-，-CH = CHO-，-SCH = CH-，-CH = CHS-，-N(R’）CH = CH-， -CH = CHN(R’）-，-OCH = N-，-N = CHO-，-SCH = N-， -N = CHS-，-N(R，）CH = N-，-N = CHN(R，）-，-N(R丨）N = CH-， -CH=N(R，）N-，-CH = CHCH = CH-，-OCH2CH = CH-， -CH = CHCH20-，-N = CHCH = CH-，-CH = CHCH = N-， -N-CHCH = N-，-N = CHN = CH-，或-CH = NCH-N-其中鍵結於此等基團之碳原子的氫原子可經Y所取代，且R’係表示

•94- 200540893 (30) 氫原子、Ci-Cw烷基、鹵烷基、Ci_CiG氰基烷基、可經Z取代之苯基、可經Z取代之吡啶基、可經z取代之聯本基、可經Z取代之萘基、可經z取代之噻吩基、可經Z取代之吡咯基、可經z取代之呋喃基或可經z取、代之稠合雜芳基； X2係表示-NH-R73-NH2或-NH_R74，其中r73係表示 Ci-C1G 伸院基、-C(0)CH2-、·ί：Η2(^(0)-、可經 Y 取代之一 • 價苯環、可經γ取代之二價吡啶環、可經Υ取代之二價聯苯基、可經Υ取代之二價萘環、可經γ取代之二價噻吩環、可經Υ取代之二價吡咯環、可經γ取代之呋喃環或可經Υ取代之稠合雜環，且R74係爲Cl-c1G烷基、乙釀基、可經Y取代之苯基、可經γ取代之吡啶基、可經 Y取代之聯苯基、可經Y取代之萘基、可經γ取代之噻吩基、可經Υ取代之吡咯基、可經Υ取代之呋喃基或可經Υ取代之稠合雜芳基； ® γ係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯 • 基、Ci-c1G 烷基、Cl_Cl〇鹵烷基、Ci-Ci()烷氧基、氯基院基、可經z取代之苯基、可經z取代之吡陡基、 "7 $〇! Z取代之聯苯基、可經Z取代之萘基、可經z取代之嚷盼基、可經Z取代之吡咯基、可經Z取代之呋喃基 ^ I絲Z取代之稠合雜芳基，其限制條件爲若γ係二或多個’則Y可相同或相異；且 z係表示鹵原子、氰基、硝基、胺基、環氧基、乙烯 1 Cl〇院基、Ci-Cio鹵院基、Ci-Ci〇院氧基、Ci-Cio氰 -95- 200540893 (31) 基烷基、苯基、聯苯基、萘基、噻吩基、吡咯基、呋喃基或稠合雜芳基，其限制條件爲若Z係爲二或多個，則Z可相同或相異。

-96- 200540893 七明說單簡 itub # 為符圖件表元代之定圖指表 :案代圖本本表、、代定一二匕日第圖八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

(la) ⑧ -4