TW200539398A - Optical semiconductor device - Google Patents

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Description

200539^98 九、發明說明: 【發日月所屬之技術領域】 發明領域 本舍明般係有關於一具有窗蓋(window lid)之光學 5半導體裝置’且更特別地係有關於一種半導體-型式的投影 裝置。 L先前技系餘]| 發明背景 第1 A及1B圖係描述一習知半導體-型式的投影裝置10 10的圖。根據該半導體-型式的投影裝置1〇, 一 DMD (數位微 鏡裝置)主體12係被設置在一陶瓷基材丨丨之上部表面上的 凹處11a。一固盍13係被固定在該基材丨丨上,以接近該凹 處1 la而致使密閉地密封一内部空間14。一光透過的窗部件 15係被形成在該窗蓋13中。 15 金屬層nb係被形成在該基材11的上部表面上的凹 處11a之周圍。该窗蓋13包括一科伐框架構件⑽微框架 構件)16及-玻璃平板構件17。如第2F圖所描述,該框架構 件16包括-框架部件16a及―凸緣部件脱,該凸緣部件由 2〇該框架構件與形成在該框架部件此内部之開口窗16c向外 20延伸。該玻璃平板構件n係被安裝至該框架構件恤内部之 開口窗故。該玻璃平板構件17的周圍表面係藉由匹配焊接 破焊接至該框架部件16a的内部表面,以確保空氣緊密地封 於其中。再者’該凸緣部件16b係接縫焊接至該基材n的金 屬層llb,以確保氣密。該凸緣部件祕的厚度t]係如〇·25 5 200539^98 mm—樣的薄,以確保較佳的接縫焊接。因此,一匹配焊接 部件18係被形成在該玻璃平板構件17的周圍表面及該框架 部件16a的内部表面之間,且一接缝焊接部件19係被形成 在該凸緣部件16b及該基材11之金屬層lib之間。日本早期 5 么開專利申請案(Japanese Laid-Open Patent Application)第 2-65190號揭示了此一構形。 匹配焊接可藉由化學反應來發生,可能會在該玻璃平 板構件17中產生細微的氣泡或裂縫。該細微的氣泡或裂縫 出現在該窗部件15甚或其周圍。因此,光通過該窗部件15 10的周圍時,係被該等氣泡或裂縫而影響,致使反射擴散。 此不利於該半導體-型式的投影裝置10的特性。此不利的影 響很可能被產生,特別是該窗部件15無法被形成較大的尺 寸。再者,該等細微的氣泡或裂縫存於一部份,其可由該 半‘體-型式的投影裳置的上方看見。此會損害其外觀。 15由上述内容觀察量產半導體•型式的投影裝置10的實例 中,在该窗部件15中細微的氣泡的出現速率為8%,且在 忒固部件15中裂縫的出現速率為4%,此等比例相當的高。 由該匹配焊接部件18所獲得之一密封孔型 P咖)u的長度(第认圖)為該框架部件16a的厚度。然而,很 2〇難去製造大於-預定值的框架部件⑽之厚度。因此,該密 封孔型L1係被限制為大約3 mm,且不能變大。 第2A至2F圖係描製造該框架構㈣的方法之圖。如第 2A圖所描述,該框架構件關用—大約3腿的厚度的厚 平板材料2〇作為材料。如第2B圖所示,主要的窗開口係藉 6 200539^98 由在該厚平板材料20上藉由壓模操作,進行沖切(blanking) 被完成。隨後,如第2C圖所示,一最初的框架部件16al 之周圍的部件16a2係藉由沖壓被壓模,致使一最初的凸緣 部件16M被形成。再者,如第2D圖所示,第二窗開孔係藉 5 由壓模操作被完成致使該開口窗16c被形成。隨後,如第2E 圖所示,該最初的凸緣部件16M的周圍部份係被修整,且 最後,如第2F圖所示,該經修整之凸緣部件i6b2的上部及 下部表面被磨平,致使該經修整的凸緣部件16b2具有厚度 h。藉此,該框架構件16係被製造。 10 或平板材料20的厚度I ’該平板係為該框架構件μ的 材料,k係超過該凸緣部件16b之厚度^的10倍。因此, 該平板材料20在尺寸上必須被大規模的壓模,因而需要一 大尺寸的沖壓機器。再者,藉由沖壓很難獲得一預定的尺 寸,致使沖壓之後還要進行研磨。此會增加該框架構件16 15 的製造成本。 L ;务明内3 發明概要 因此,本發明之一般的目的係提供一種排除上述缺點 之光學半導體裝置。 20 本發明更特別的目的係提供一種光學半導體裝置,其 不受氣泡及裂縫的不利影響,且可比習知技術具有更低的 製造成本。 本發明之上述目的係可藉由一光學半導體裝置來達 成,其中該光學半導體裝置包括:一設置在一基材上之光 7 200539398 无》件··及 一 中的窗蓋,裝以密封該光學構件於該基材上的空間 框架構件藉由二包:’構件及一玻璃平板構件’該 田在金屬平板上進行拉伸(dmwing)而 苴 5 10 15 20 中极木構件包括一具有一開口窗之上部平板部件,一連 ^ °卩平板部件的周圍邊緣的周圍側平板部件,以 :件SIT板部件上之一空間,以及一凸緣部件,該凸緣 部件的-二=上部平板部件之一側上之該周圍側平板 ,—圍邊緣向外延伸,該凸緣部件被固定在該基材 且。亥麵平板構件被含包含於由該框架構件 周圍側平板部件所形成的空間中’該破璃平板 接被焊接至該頂部平板部件的表面,該頂 畅雜材的—側上,以及 部件的^關十扳 根據本發明’一匹配焊接部件係被設置於—開口窗的 和且鶴藏在-_構件的前平板 此’即使當氣泡及裂縫被產生於該匹配焊接的部件中^ =包及裂縫也會被防止出現於關口窗。因此 Π:—光:半導體裳置之光學特性並不會有不利的影 可以被瞭解的。^ 3 = 2該氣泡及裂缝影響是 損害。 料學半諸裝置的外觀也不會被 再者,雜架鱗料由在―金屬顿 :成,,板具有相當於該頂 = 此,-窗盍係之製造成本係較習知 8 200539598 光學半導體裝置的製造成本比習知所需的成本還低。 圖式簡單說明 本發明之其他目的、特徵及優點,當閱讀本案說明書 及參酌附圖,並藉由下述的詳細敘述將會更加的明顯,其 5 中: 第1A及1B圖係分別為習知半導體-型式的投影裝置的 橫截面圖及平面圖; 第2A至2F圖係描述用於製造該習知半導體-型式的投 影裝置之框架構件的方法; 10 第3圖根據本發明之一具體實施例之一半導體-型式的 投影裝置之部分斷面透視圖; 第4A及4B圖係分別為根據本發明之該具體實施例之 半導體-型式的投影裝置之橫截面圖; 第5圖係描述根據本發明之該具體實施例之半導體-型 15 式的投影裝置之圖;以及 第6A至6F圖係用於描述根據本發明之該具體實施例, 製造半導體-型式的投影裝置之框架構件的圖。 [實施方式】 較佳實施例之詳細說明 20 本發明之一具體實施例之描述係參照附圖如下。 第3、4A及4B圖描述根據本發明之該具體實施例的半 導體-型式的投影裝置之圖。該半導體-型式的投影裝置1〇〇 之該窗蓋被安裝為與第1A及1B圖所描述之半導體-型式的 投影裝置10在窗蓋上不同。該半導體-型式的投影裝置100 9 200539398 包括一陶瓷基材101、一DMD主體102(其為一光學元件), 及一窗蓋103。該DMD主體102係被設置在該基材1〇1的上部 表面上的一凹處l〇la。該窗蓋103係藉由接縫焊接被固定在 該基材101上,以接近該凹處101 a,致使一内部空間被緊密 5的密封。一窗部件1〇5被形成在該窗蓋1〇3中,其中光係透 過该窗部件而通過。該DMD主體102係以數百或數千的極小 的鏡子鋪設,致使各鏡子被驅動為傾斜的。一金屬層1〇lb 係被形成在圍繞該凹處l〇la之該基材1〇1的上部表面。一接 縫焊接部件119係被形成在該窗蓋103之全部周圍的一下述 10 之凸緣部件11〇及該金屬層l〇lb之間。 如第5圖所述,該窗蓋103包括一形狀類似帽子的科伐 框架構件1〇6及一玻璃平板構件12〇。 邊框架構件106係藉由加工一如第6八圖之作為一材料 之具有0.3 mm的厚度t10之金屬平板13〇而形成。該框架構件 15 106包括一具有一開口窗1〇7在其中心之頂部平板部件 08周圍側邊平板部件1()9,及該凸緣部件11〇。該周圍 側邊平板部件109係被連接至該頂部平板部件⑽的全部邊 、表礼,以在該頂部平板部件108下方圍繞-空間111。該 彖(M牛110由η亥周圍側邊平板部件刚的全部下部周圍邊 彖向外延伸。δ亥框架構件106包括由該頂部平板部件⑽下 方之周圍側邊平板部件109所圍繞之空間ln。該凸緣部件 110具有如f知—般相同的〇·25 mm之厚度t】。 、該玻璃平板構件120具有3 mm的厚度t2◦,且其被尺寸 化以恰巧符合該空間111。該玻璃平板構件120在其之上部 200539398 表面上包括-平坦的凸狀臺階部件121。該平坦的凸狀臺階 部件121係被尺寸化以符合該開口窗1〇 至 囪 且以一尺寸相當 105 於該頂部平板部件⑽的厚度之〜由玻璃平板構件12〇的 上部表面突出。此平坦的凸狀臺階部件121形成該窗部件 該窗蓋103係藉由匹配焊接以焊接該框架構件觸内部 的玻璃平板構件120,且隨後研磨該玻璃平板構件12〇的上 部表面12〇a及一下部表面12%而被形成。因此,一匹配焊 10 15 20 接部件118係被形成於該玻財板構件12()及該框架構件 106之間,如第4A及5圖所述。 如第5圖所述,該玻璃平板構件12〇係由該框架構件 的下方被絲至較間m,致使該凸狀臺階部件⑵被安 裝至該開口窗107。該頂部板部件1〇8的下部表面(一内部表 面)l〇8a、該周圍側邊平板部件1〇9之一内部表面聰,^ 言謂口窗107之周圍邊緣的内部表面職,係藉由匹配焊接 被焊接至該玻璃平板構件120之相對應的部件122 ’如第5 圖中的虛線圖案所示,以確保氣密。該匹配焊接部件ιΐ8面 積很寬廣’致使該朗平板構件版X高強度被結合至該框 架構件106。再者,—密封孔型L2 (第5圖)係沿著該周圍側 邊平板部件109的内部表面撕、該頂部平板部件⑽之下 二表面l〇8a,及相〇窗浙之周圍邊緣的内部表面咖而 芎曲,大約為6咖。即,該密封孔型L2係大約為窗罢13 的3 _之密封孔型L1(第1圖)之二倍。因此,該框架構件 106及該玻鮮板構件1默_匹配焊接料118之氣密 11 200539398 可信度係比第1A及1B圖中所述之窗蓋13的匹配焊接部件 18的氣密可信度高。 、、、-叶授主琢暴材101上,該匹 配 5
10 焊接部件118係位於該框架構件1〇6的頂部平板部件1〇8 的下方。因此,細微的氣泡及裂縫將由該頂部平板部件ι〇8 所隱藏,致使其等幾乎不出現在該窗部件1〇5。由上述内容 觀察經量產的半導體-型式投影裝置1〇〇的實例中,在該窗 部件105中,該等細微的氣泡的出現率為〇1%,且在該窗部 件105中,該等細微裂縫的出現率為〇·2%,其二者的出現率 都非常的低。因此,在大部份的經量產的半導體—型式投影 裝置100中,不僅光通過該窗部件1〇5的中心,而且光通過 該窗件部1G5的周18部件,光通過該窗部件1()5,而不會被 該等細微的氣泡及裂縫所影響。 第6A至6F圖係用於描述製造該框架構件觸的方法的 15圖。如第6A圖所述,該框架構件106使用—具有〇 3咖的厚 _ “之薄平板㈣130作為其之㈣,該厚度仙等於頂部 平板部件1〇8的厚度h。該薄的平板材料13〇係被拉伸,致 使第6B圖所描述的一第一步驟的框架構件被形成。再 者,主要的窗開口係藉由沖切被完成,致使一第一步驟的 20框架構件斯-1被形成在該第-步驟的框架構件.】之了頁 部平板部件的中心,如第6C圖所示。再者,沖壓係在—第 -步驟的凸緣部件1I0A上進行,以㈣該第—步驟的凸緣 部件U0A,致使-如第6D圖所描述的第二步驟的凸緣部件 咖被形成。由於該第-步制凸緣部件·的厚度為t】。 12 200539398 (大約0.3 mm) ’該第一步驟的凸緣部件HQA係僅輕微的在 尺寸上藉由沖壓被壓模。因此,該沖壓機器可為小尺寸的。 再者,該目標厚度q (0.25 mm)可僅藉由沖壓而達成,且在 沖壓之後不需要研磨。 5 再者,如第6]£圖所描述,用於尺寸化之第二窗開口係 藉由壓製操作被執行,致使該開口窗1〇7被形成。最後,如 第6F圖所示,該第二步驟的凸緣部件i1〇b的周圍部件係被 修整,致使該凸緣部件110被形成。因此,該框架構件1〇6 係被製造。 10 與第2A圖所述的習知厚平板材料20比較,該薄平板材 料130係減少了材料的成本。再者,由於該第一步驟的凸緣 部件110A的厚度q◦係接近該目標厚度t〗,該第一步驟的凸 緣部件110A係僅輕微的在尺寸上藉由沖壓被壓模。因此, 該沖壓機器可為小尺寸的。再者,該目標厚度可僅藉由沖 15壓而達成,且在沖壓之後不需要習知所需的研磨。因此, 該框架構件106在製造成本上係小於習知的製造成本。 根據本發明,該DMD主體102、一諸如LCOS(在石夕上液 晶(Liquid Crystal On Silicon) ··反射式液晶)之光學元件、一 CCD,或一CMOS可被安裝在該基材1〇1的凹處l〇la,以該 20窗蓋1〇3被接縫焊接至該基材101上。 根據本發明,一匹配焊接部件被設置於一開α窗的外 部,且被隱藏在一框架構件之頂部平板部件的下方。因此, 即使當氣泡或裂缝被產生在該匹配焊接部件中,該等氣泡 或裂縫也可以被防止出現在該開口窗中。因此,該等氣泡 13 200539398 t裂缝不會具㈣—光科導料置之光學雜不利的影 音。因此,一光學半導體裝置不受氣泡或裂縫的影響是可 被瞭解的。再者,該光料導體裝置的外觀不會受損。 再者,該藉由進行接伸而在-金屬平板上形成一框架構 5件,其中該金屬平板具有一相當於該頂部平板部件的厚 度。因此,該窗蓋的製造成本係低於習知技藝,致使為最 、.’;產物之光學半導體裝置的製造成本係小於習知技術的製 造成本。 本發明並不侷限於該等特定地所揭示的具體實施例, 10 I本發明之修改及變化也不會遠離本發明所主張的範圍。 本發明係主張2004年4月22日所提申的日本優先權專 利申请案第2004-126746號的權利,該申請案之所有揭示内 容在此皆合併為參考文獻。 【圖式簡單說明】 15 第1A及1B圖係分別為習知半導體-型式的投影裝置的 橫截面圖及平面圖; 第2A至2F圖係描述用於製造該習知半導體-型式的投 影裝置之框架構件的方法; 第3圖根據本發明之一具體實施例之一半導體_型式的 20投影裝置之部分斷面透視圖; 第4A及4B圖係分別為根據本發明之該具體實施例之 率導體-型式的投影裝置之橫截面圖; 第5圖係描述根據本發明之該具體實施例之半導體-型 式的投影裝置之圖;以及 200539^98 第6A至6F圖係用於描述根據本發明之該具體實施 例,製造半導體-型式的投影裝置之框架構件的圖。 【主要元件符號說明】 10 半導體-型式的投影裝置 11 基材 11a 凹處 lib 金屬層 12 DMD主體 13 窗蓋 14 内部空間 15 窗部件 16 框架構件 16a 框架部件 16al 框架部件 16a2 周圍的部件 16b 凸緣部件 16bl 凸緣部件 16b2 凸緣部件 16c 開口窗 17 玻璃平板構件 18 匹配焊接部件 19 接縫焊接部件 20 厚平板材料 100 半導體-型式的投射裝置 101 基材 101a 凹處 101b 金屬層 102 DMD主體 103 窗蓋 104 内部空間 105 窗部件 106 框架構件 107 開口窗 107a 内部表面 108 頂部平板部件 108a 下部表面 109 周圍側平板部件 109a 内部表面 110 凸緣部件 110A 凸緣部件 110B 凸緣部件 111 空間 118 匹配焊接部件 120 玻璃平板構件 120a 上部表面 15 200539398 120b 下部表面 121 凸狀臺階部件 122 部件 130 薄平板材料
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Claims (1)

  1. 200539398 十、申請專利範圍: 1.—種光學半導體裝置,包括: -光學it件’其設置在—紐上;以及 2蓋’其裝配以密封該光學元件於該基材上之空 二=蓋包括一框架構件及一玻璃平板構件,該框架 構件错由進行在—金屬平板上拉伸而形成, 其中: 10 15 20 該«構件包括_具有H之頂部平板部件、 :連接至_部平板部件的邊緣的周圍側邊平板部 的月St在—相對於該頂部平板部件上之周_平板部件 =圍邊緣㈣延伸之⑽部件,該凸緣部件被固定至該 基材;以及 該«平板構件係被包含於藉由該框架構件之頂部 2件及周關平板部件所形成的空間中,該玻璃平板 :件错由匹配焊接被焊接至一朝向該基材—側邊上之頂部 板部件的表面及該周_邊平板部件的内部表面。 中:2·.如申請專利範圍第1項之光學半導體裝置,其 該《構件之凸緣部件的厚錢小於該頂部平板部 的厚度’且在拉伸之後藉由沖壓而被形成。 中.彡申°月專利範圍第1項之光學半導體裝置,其 該玻璃平板構件係被成形,以包括-平坦的凸狀臺 階部件’該平坦的凸狀臺階部件在遠離該基材的側邊上之 17 200539398 玻璃平板構件的表面上,該平坦的凸狀臺階部件與該開口 窗符合;以及 該平坦的凸狀臺階部件係被安裝至該開口窗,以被 配置在該開口窗之内部。
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