TW200535964A - Composition useful for removal of bottom anti-reflection coatings from patterned ion-implanted photoresist wafers - Google Patents

Composition useful for removal of bottom anti-reflection coatings from patterned ion-implanted photoresist wafers Download PDF

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Description

200535964 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在半導體製造中有用於自其上具有 及無機底部抗反射塗層（B A R C s )之基板將此等B A R C 之超臨界流體基組成物，及關於使用此種組成物於 體基板移除BARC層之方法。 【先前技術】 在微電子工業中，小型化製程需要縮小個別半導 之尺寸及將更多的裝置擠入一指定的單位面積中。 型化，會產生諸如在組件間之適當電絕緣的問題。 半導體基板上形成使導電性材料彼此電絕緣之結構 方法為微影術 ( p h 〇 t ο 1 i t h 〇 g r a p h y )。然而，使組件 絕的嘗試受限於目前之約0 . 2 5微米的微影術極限。 微影技術包括塗布、曝光及顯影之步驟。先將晶 正型或負型光阻物質，接著再在後續製程中覆蓋界 留或移除之圖案的光罩。於將光罩正確定位後，將 射，諸如紫外（UV)光或深UV(DUV)光（> 2 5 0奈米）之 引通過光罩，以使經曝光之光阻材料多少溶於選定 溶液中。然後將可溶解的光阻材料移除，或「顯影 而留下與光罩相同的圖案。 目前有四種使用於微影工業中之顯影輻射波長-米、365奈米、248奈米及193奈米-且近來的專注 1 5 7奈米的微影製程。理論上，隨各波長之減小，1 導體晶片上製作較小的特徵。然而，由於半導體基 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107661 有機 層移除 自半導 體裝置 隨著小 用於在 的一種 彼此隔 圓塗布 定待保 單色輻 光束導 的滌洗 」，因 4 3 6奈 重點在 丁於半 板之反 5
200535964 射性係與微影波長成反比，因而干擾及經不均勻 阻限制半導體裝置之臨界尺寸的一致性。 舉例來說，當暴露至DUV輻射時，熟知光阻之 合基板對DUV波長之高反射性導致DUV輻射往回 阻中，因而於光阻層中產生駐波。駐波觸發光阻 步的光化學反應，導致光阻包括在不希望暴露至 遮蓋部分中的不均勻曝光，而導致線寬、間隔及 尺寸的變化。 為解決透射性及反射性的問題，已使在塗布光 塗布至基板之無機及有機性質的底部抗反射塗層 顯影。當光阻暴露至DUV輻射時，BARC吸收實質 幸畐射，因而防止幸昌射反射及駐波。 舉例來說，有機BARCs，包括，但不限於聚砜 聚脲砜、聚丙烯酸酯及聚（乙烯基吡啶），典型上 6 0 0 - 1 2 0 0埃厚，且係使用旋塗塗布技術沈積。典 於所使用之聚合材料不易交聯，因而有機BARCs 補通道之平面化層。有機BARCs經由使BARC層之 光阻層之反射率相配合，同時並吸收輻射，因而 一步穿透至較深界面内，而防止光反射。 相對地，無機BARCs，包括氧氮化矽（Si 〇xNy) C V D沈積技術沈積，因此，藉由B A R C層之良好均 獲致基板的仿形覆蓋率。無機B A R C s藉由破壞性 透射性及反射性，其中自B A R C -光阻界面反射之 B A R C _基板界面反射之光抵消。 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107661 曝光之光 透射性結 反射至光 中之進一 輻射之經 其他臨界 阻之前經 (BARCs) 量的DUV 、聚脲、 係 型上，由 係均勻填 反射率與 防止其進 係使用 勻厚度而 干涉降低 與自 6 200535964 經證實B A R C材料之移除困難及/或成本昂貴。若未將 其移除，則BARC層會干擾後續的矽化或觸點形成。由於有 機B A R C s典型上係平面化層，因而需要將B A R C過度蝕刻， 以完全將有機B A R C層自晶圓表面移除。或者，發證給 I n s a 1 a c 〇等人之美國專利第6，6 6 9，9 9 5號說明一種經由使 塗層暴露至在2 0 0奈米- 3 2 0奈米範圍内之UV輻射劑量而 將至少一部分之有機BARC移除之方法。習知之移除無機 BARCs之方法包括乾式蚀刻，諸如使用諸如氬、氦、溴化 〇 氫或四說化碳之添加劑的氧電聚#刻。 超臨界流體（SCF)提供自半導體表面移除BARC層之另類 的方法。S C F s擴散快速、具低黏度、接近零之表面張力， 且可容易地滲透至深溝渠及通道内。此外，由於其之低黏 度，因而S C F s可快速地輸送溶解物質。然而，S C F s係極 具非極性，因此，許多物質無法適當地溶解於其中。 因此，提供一種克服先前技藝關於自半導體基板移除 BARC層之缺失的超臨界流體基組成物於技藝中將係一項
重大的進步。 【發明内容】 本發明係關於在半導體製造中有用於自其上具有底部 抗反射塗層（B A R C s )之基板移除此等B A R C層之超臨界流體 基組成物，及關於使用此種組成物於自半導體基板移除 BARC層之方法。 在一態樣中，本發明係關於一種移除底部抗反射塗層 (B A R C )之組成物，其包括至少一 S C F、至少一共溶劑、至 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107661
200535964 少一蝕刻劑及至少一表面活性劑。 在另一態樣中，本發明係關於一種移除底部抗 (BARC)之組成物，其包括超臨界二氧化碳（SCCCh 化三乙胺、氟表面活性劑及異丙醇。 在又另一態樣中，本發明係關於一種自其上具 反射塗層（BARC)之基板移除此等BARC層之方法， 括使其上具有BARC層之基板與包含至少一 SCF、 溶劑、至少一姓刻劑及至少一表面活性劑之S C F φ 成物在足夠的接觸條件下接觸足夠的時間，以自 部分移除BARC層。 在再一態樣中，本發明係關於一種自其上具有 光阻層及底部抗反射塗層（B A R C )之基板移除此等 法，該方法包括使其上具有光阻層及BARC層之基 至少一 SCF、至少一共溶劑、至少一蝕刻劑及至 活性劑之SCF基移除組成物在足夠的接觸條件下 的時間，以自基板至少部分移除光阻層及BARC >1 本發明之其他態樣、特徵及具體例將可由隨後 容及隨附之申請專利範圍而更加明白。 【實施方式】 本發明係基於發現一種對於自其上存在光阻及 反射塗層（BARCs)之圖案化半導體晶圓將此等層宅 有效之超臨界碳流體基組成物而完成。明確言之 係關於自圖案化離子佈植半導體晶圓移除光阻及 超臨界二氧化碳（S C C 0 2)由於其之易製造特性>5 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107661 反射塗層 )、三氫氟 有底部抗 該方法包 至少一共 基移除組 基板至少 離子佈植 層之方 板與包含 少一表面 接觸足夠 7 Ο 之揭示内 底部抗 ;除高度 ，本發明 B A R C 層。 .其之無 8 200535964 毒性及可忽略的環境影響，而係在廣泛實施本發明時之較 佳的S C F，儘管本發明可以任何適當的S C F種類實施，但 特定SCF之選擇係視相關的特定應用而定。有用於實施本 發明之其他較佳的SCF物種包括氧、氬、氪、氙及氨。以 下在本發明之概括說明中明確提及之S C C 0 2係要提供作為 本發明之一說明例，而非要以任何方式作成限制。
由於SCC〇2具有液體及氣體兩者之特性，因而SCC〇2通 常被認為係用於自半導體晶圓之表面移除不期望層之吸引 人的試劑。如同氣體，其快速地擴散、具低黏度、接近零 之表面張力，且易滲透至深溝渠及通道中。如同液體，其 具有作為「洗滌」介質之整體流動能力。 然而，儘管有此等表面優點，超臨界C〇2為非極性。因 此，其將不會溶解許多物種，包括必需在後續加工之前自 半導體基板移除之無機BARCs，例如Si〇xNy，或極性有機 BARC化合物，例如聚砜及聚脲。因此，SCC〇2之非極性特 性對此種試劑之使用於完全及有效率的BARC移除造成阻 礙。 然而，本發明係基於發現與S C C 0 2及其他S C F s之非極性 相關之缺點可藉由SCCCh基移除組成物與如更完整說明於 後文之添加劑之適當配方而克服，及附帶發現利用SCC〇2 基移除介質自基板移除光阻及BARC層係高度有效，且可達 成光阻及B A R C層自其上具有此等材料之基板（例如，圖案 化離子佈植半導體晶圓）之無損傷、無殘留物的移除而完 成0 9 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107661 200535964 在一態樣中，本發明係關於一種有用於自半導體基板移 除光阻及/或BARC層之SCC〇2基移除組成物。本發明之配 方包含以組成物之總重量計，以下列範圍存在之SCC〇2、 至少一共溶劑、至少一蝕刻劑及至少一表面活性劑： 成 分 重 量°/〇 SCC0 2 約 6 0 . 0 % 至 約 90 .0% 共 溶 劑 約 1 0 · 0 % 至 約 30 .0% 1虫 刻 劑 約 0· 0 1 % 至 約 5. 0% 表 面 活 性 劑 約 0· 01%至 約 5. 0% 在 本 發 明 之 廣 義實； 淹中 ，S C C 0 2基移 除 組 成物 可 包 含 SCC〇2、 至 少 一 共 溶劑 、至 少 一姓刻劑 及. 至 少一 表 面： 活性 劑 由 其 所 組 成 ，或基本 上由其所組成。 一 -淑：而言 ， 可適 當 地 改 變 SCC〇2 、 共溶 劑、 1虫 刻劑及表 面 活 性劑 相 對 於彼 此 之 特 定 的 比 例及量， ，以 提供SCC〇2基 .組 成 物對 於 光 阻及 / 或 BARC 層 物種 及/ 或力σ工 設備之期 望 的 移除 作 用 ，其係
如可於技藝技能内不需過多之努力而容易地決定。 SCC〇2包含共溶劑可提高組成物對於光阻及/或BARC組 成物種（例如，S i 0 x N y、聚砜及聚脲）之溶解度。使用於S C C 0 2 ® 基移除組成物中之共溶劑可為烷醇或胺、或其之組合。在 本發明之一具體例中，共溶劑包括直鏈或分支鏈C i - C 6烷 醇（即甲醇、乙醇、異丙醇等等），或此種醇之兩種或兩種 以上之混合物。在本發明之另一具體例中，共溶劑為胺， 包括，但不限於單乙醇胺、三乙醇胺、三伸乙二胺、曱基 二乙醇胺、五甲基二伸乙三胺、或二醇胺諸如二甘醇胺、 N -曱基吼咯啶酮（Ν Μ P )、N -辛基吡咯啶酮、N -苯基吼咯啶酮 及乙烯基吡咯啶酮。在一較佳具體例中，醇為異丙醇（I P A )。 10 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107661 200535964
當藉由離子佈植使光阻或BARC層硬化時，最好使用蝕 刻劑，包括過氧化氫、酸、敗離子源化合物、或其之組合’ 將經離子佈植之光阻自基板移除。蝕刻劑係以有效濃度添 加至溶液，其如可經由簡單方便地使經離子佈植硬化之光 阻與不同蝕刻劑濃度之組成物接觸，及測定光阻之相對的 各別移除量，而於技藝技能内容易地決定。較佳的酸包括 石肖酸、醋酸及硫酸。較佳的II離子源包括氫氟酸（H F )、敦 化銨（NH4F)及三氫氟化三乙胺（（C2H5)3N· 3HF)。在一較佳 具體例中，Ιι離子源為三氫氟化三乙胺。 於本發明之SCC〇2基移除組成物中所考慮之表面活性劑 可包括非離子表面活性劑，諸如H烧基表面活性劑、乙氧 基化氟表面活性劑、聚乙二醇類、聚丙二醇類、聚乙烯或 聚丙二醇醚類、羧酸鹽、十二基苯磺酸或其鹽、聚丙烯酸 酯聚合物、二壬苯基聚氧伸乙基、聚矽氧或經改質聚矽氧 聚合物、乙炔二醇或經改質乙炔二醇、及烷基銨或經改質 烧基敍鹽，以及包含前述表面活性劑之至少一者之組合。 在一較佳具體例中，表面活性劑為乙氧基化氟表面活性劑 諸如 ZONYL® FSO-100 Ιι 表面活性劑（DuPont Canada Inc·， Mississauga, Ontario, Canada) o 或者，表面活性劑可包括陰離子表面活性劑、或陰離子 及非離子表面活性劑之混合物。於本發明之SCF基組成物 中所考慮之陰離子表面活性劑包括，但不限於氟表面活性 劑諸如 ZONYL® UR 及 ZONYL® FS-62(DuPont Canada Inc.，
Mississauga, Ontario, Canada)、烧基硫酸納、坑基硫酸 11 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107661 200535964 銨、烷基（C !。- C ! 8 )羧酸銨鹽、磺酸琥珀酸鈉及其酯（例如， 磺酸琥珀酸二辛基鈉）及烷基（C】。-C ! 8 )磺酸鈉鹽。 一般而言，可適當地改變S C C 0 2、共溶劑、钱刻劑及表 面活性劑相對於彼此之特定的比例及量，以提供S C C 0 2 / 共溶劑/蝕刻劑/表面活性劑溶液對於待自基板清除之特 定光阻及/或B A R C層之期望的溶解（溶劑合）作用。此種特 定的比例及量可經由簡單的實驗於技藝技能内不需過多之 努力而容易地決定。
S C C 0 2 /共溶劑/蝕刻劑/表面活性劑組成物之移除效 率可經由在待移除之光阻及/或BARC層與SCCCh基移除組 成物之接觸中使用高溫條件而增進。 本發明之SCC〇2基移除組成物可選擇性地與額外的成分 調配，以進一步增進組成物之移除能力，或以其他方式改 良組成物之特性。因此，可將組成物與安定劑、钳合劑、 氧化抑制劑、錯合劑等等調配在一起。 在一具體例中，本發明之s C F基移除組成物包括S C C 0 2、 I P A、三氫說化三乙胺及氟表面活性劑。 在另一態樣中，本發明係關於使用文中所說明之SCCCh 基移除組成物自半導體晶圓表面移除光阻及/或BARC 層，例如S i 0 X N y、聚砜、聚脲、聚脲砜、聚丙烯酸酯及聚（乙 炼基°比咬）之方法。 本發明之SCC〇2基移除組成物經由使所需之化學試劑之 體積減至最小，因而降低廢棄物量，同時並提供具有可再 循環成分（例如，S C F s )之組成物及方法，而克服先前技藝 12 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107661 200535964 BA RC移除技術之缺點。 可使用適當的SCC〇2基移除組成物於與其上具有光阻及 /或B A R C層之晶圓表面在自約1 5 0 0至約4 5 0 0 p s 1範圍内 之壓力下接觸足夠的時間，以達成層之期望的移除，例如， 接觸時間在約1分鐘至約2 0分鐘之範圍内及溫度自約3 0 °C至約1 0 (TC ，雖然若需要，在本發明之廣義實施中亦可 有利地使用更大或更小的接觸期間及溫度。在一較佳具體 例中，接觸溫度係在自約5 0 °C至約9 0 °C之範圍内，以約 Φ 7 0 °C較佳。 特定溫度增加及溫度範圍對特定光阻及/或BARC層之 移除性質及程度之影響可經由改變溫度及測量在該溫度下 藉由SCC〇2基移除組成物自基板移除之BARC材料量，而以 實驗方式容易地決定。以此方式，可對本發明之特定的 S C C 0 2基移除組成物^對特定的待移除材料決定最佳的溫 度值。
可以類似的方式選擇除溫度外之製程條件，及在技藝技 能内決定最佳或其他的有利條件，其包括超臨界流體組成 物與待自基板移除之光阻及/或BARC材料接觸之超過大 氣壓的壓力、SCC〇2基移除組成物接觸之流動及/或靜態 特性及接觸期間。 包含光阻及/或BARC層之晶圓表面可經由使SCC〇2基移 除組成物於包含光阻及/或B A R C層之晶圓表面上動態流 動或靜態浸泡而進行處理。 「動態」接觸模式包括使組成物於晶圓表面上連續流 13 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107661 200535964 動，因此而使質傳梯度最大化，及達成BARC層自表面之完 全移除。「靜態浸泡」接觸模式包括使晶圓表面與靜態體 積之組成物接觸，並維持與其之接觸一段連續的（浸泡）期 間。
在一特佳具體例中之移除程序包括下列之連續處理步 驟：使SCC〇2基移除組成物於包含光阻及/或BARC層之晶 圓表面上動態流動，隨後將晶圓靜態浸泡於SCC〇2基移除 組成物中，其中各別的動態流動及靜態浸泡步驟係於交替 步驟之循環中交替及重複地進行。 舉例來說，動態流動/靜態浸泡步驟可於前述之說明具 體例中以包括下列之順序進行四個連續的循環：2 · 5分鐘 - 1 0分鐘之動態流動、2 . 5分鐘-5分鐘之高壓靜態浸泡， 例如，約3 0 0 ◦ p s i至約4 5 0 0 p s i、2 . 5分鐘-1 0分鐘之動 態流動及2 . 5分鐘-1 0分鐘之低壓靜態浸泡，例如，約1 5 0 0 p s i至約2 9 0 0 p s i。在一較佳具體例中，此順序係由2 . 5 分鐘之動態流動、2 . 5分鐘之在4 5 0 0 p s i下之靜態浸泡、 2 . 5分鐘之動態流動及2 . 5分鐘之在1 5 0 0 p s i下之靜態浸 泡所組成。 於使SCC〇2基移除組成物與晶圓表面接觸後，其後於第 一洗條步驟中以大量的S C F /曱醇/去離子水溶液洗游晶 圓，以將任何殘留的沈澱化學添加劑自已進行顆粒移除之 晶圓表面的區域移除，及最後在第二洗滌步驟中以大量的 純SCF洗滌，以將任何殘留的曱醇及/或沈澱化學添加劑 自晶圓表面移除較佳。使用於洗條之S C F為S C C 0 2較佳。 14 312XP/發明說明_ 補件)/94-07/94 】07661 200535964 本發明之S C C 0 2基移除組成物之共溶劑/蝕刻劑/表面 活性劑成分係經由簡單地混合成分（例如，於混合容器中在 溫和攪拌下）而容易地調配得。 一旦經調配得，則將此種SCCCh基移除組成物施加至晶 圓表面，以與其上之光阻及/或BARC層在適當的高壓下 (例如，在S C C 0 2基移除組成物經以適當體積速率及量供 應，以達成自晶圓表面移除有機BARC層之期望接觸操作的 加壓接觸室中）接觸。
當明瞭本發明之SCCCh基移除組成物的特定接觸條件可 基於文中之揭示内容於技藝技能内而容易地決定，且本發 明之SCC〇2基移除組成物中之成分的明確比例及成分濃度 可寬廣地改變，同時仍達成光阻及/或BARC層自晶圓表面 之期望移除。 本發明之特徵及優點由論述於下之說明實施例更完整 地展示。 於此研究中檢驗之樣品晶圓為其上具有有機B A R C層及 光阻層之S i / S i 0 2圖案化晶圓。將如文中所說明之各種化 學添加劑添加至S C C 0 2基移除組成物，並評估光阻及/或 有機BARC層移除效率。在整個移除實驗中，SCC〇2基移除 組成物之溫度係維持於7 0 °C下。於層移除後，將晶圓以大 量的SCC〇2/曱醇/去離子水及純SCC〇2徹底滌洗，以移除 任何殘留的溶劑及/或沈澱的化學添加劑。結果示於如下 文所說明之圖1 - 4。 圖1係控制晶圓之截面的掃描電子顯微鏡（S E Μ )影像， 15 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94107661 200535964 其顯示其上具有8奈米之Si〇2層、70奈米之有機BARC 及7 0 0奈米之深紫外光（D U V )光阻層的S i晶圓表面。 圖2係圖1之晶圓的平面圖光學影像。 圖3係於使用SCC〇2/氟化物源/氟化表面活性劑組 物處理後之圖2之晶圓的光學影像，其顯示雖然已將光 自晶圓移除，但有機B A R C層仍殘留於S i / S i 0 2晶圓表 圖4係於使用SCC〇2/氟化物源/氟化表面活性劑/ φ 溶劑組成物處理後之圖2之晶圓的光學影像，其顯示光 及有機BARC層兩者皆已自Si/Si〇2晶圓表面移除。 因此，前述之照片證實根據本發明之SCCCh基移除組 物對於自晶圓表面移除光阻及/或BARC層之效力。 以下的配方導致有機BARC層自圖案化Si/Si〇2表面
實質移除。將「實質移除」定義為如利用光學顯微術測哀 大於約9 8 %之B A R C層自半導體裝置的移除。在此特定具 例中，在7 0 °C下於1 8分鐘内在所有面積中觀察到B A R C 層 成 阻 面 共 阻 成 之 體 層
之1 0 0 %的移除。 成分 重量百分比 三氫氟化三乙胺 0.91 Z0NYL®FS0-1 00 1表面活性劑 0.08 異丙醇 6.0 SCC〇2 73.01 因此，雖然本發明已參照本發明之特定態樣、特徵及 明具體例說明於文中，但當明瞭本發明之效用並不因此 限，而係應延伸至涵蓋許多其他的態樣、特徵及具體例 因此，記述於後之申請專利範圍係應相應地廣義解釋為 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107661 說 受 〇 包 16 200535964 括在其精神及範圍内之所有此等態樣、特徵及具體例。 【圖式簡單說明】 圖1係控制晶圓之截面在5 0 k放大倍率下之掃描電子顯 微鏡（S E Μ )影像，其顯示夾於矽基板與光阻層之間之7 0奈 米白勺B A R C層。 圖2係圖1中之樣品之平面圖的光學影像。 圖3係經使用SCC〇2/氟化物/氟化表面活性劑組成物 處理之圖2之晶圓的光學影像，其顯示光阻層之移除。
圖4係經使用SCC〇2/氟化物/氟化表面活性劑/曱醇 組成物處理之圖2之晶圓的光學影像，其顯示光阻層及 BARC層之移除。
17 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94] 0766]

Claims (1)

  1. 200535964 十、申請專利範圍： 1 . 一種移除底部抗反射塗層（B A R C )之組成物，其包括至 少一 S C F、至少一共溶劑、至少一姓刻劑及至少一表面活 性劑。 2 .如申請專利範圍第1項之移除底部抗反射塗層之組成 物，其中該SCF包括選自由二氧化碳、氧、氬、氪、氙及 氨所組成之群之流體。
    3 .如申請專利範圍第1項之移除底部抗反射塗層之組成 物，其中該S C F包括二氧化碳。 4 .如申請專利範圍第1項之移除底部抗反射塗層之組成 物，其中該共溶劑包括至少一 C 1 - C 6烧醇。 5 .如申請專利範圍第1項之移除底部抗反射塗層之組成 物，其中該共溶劑包括異丙醇。 6 .如申請專利範圍第1項之移除底部抗反射塗層之組成 物，其中該共溶劑包括選自由單乙醇胺、三乙醇胺、三伸 乙二胺、曱基二乙醇胺、五甲基二伸乙三胺、二甘醇胺、 N -曱基吡咯啶酮（Ν Μ P )、N -辛基吡咯啶酮、N -苯基吡咯啶酮 及乙烯基吡咯啶酮所組成之群之胺。 7 .如申請專利範圍第1項之移除底部抗反射塗層之組成 物，其中該蝕刻劑包括HF、氟化銨、三氫氟化三乙胺、過 氧化氫、醋酸、确酸及硫酸之至少一者。 8 .如申請專利範圍第1項之移除底部抗反射塗層之組成 物，其中該蝕刻劑包括三氫氟化三乙胺。 9 .如申請專利範圍第1項之移除底部抗反射塗層之組成 18 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94107661 200535964 物，其中該表面活性劑包括至少一非離子表面活性劑或至 少一陰離子表面活性劑。 1 0 .如申請專利範圍第9項之移除底部抗反射塗層之組 成物，其中該非離子表面活性劑包括選自由氟烷基表面活 性劑、乙氧基化氟表面活性劑、聚乙二醇類、聚丙二醇類、 聚乙烯醚、聚丙二醇醚類、羧酸鹽、十二基苯磺酸、十二 基苯磺酸鹽、聚丙烯酸酯聚合物、二壬苯基聚氧伸乙基、 聚矽氧聚合物、經改質之聚矽氧聚合物、乙炔二醇、經改 φ 質之乙炔二醇、烷基銨鹽、經改質之烷基銨鹽所組成之群 之至少一物種。 1 1 .如申請專利範圍第9項之移除底部抗反射塗層之組 成物，其中該表面活性劑包括乙氧基化氟表面活性劑。 1 2 .如申請專利範圍第9項之移除底部抗反射塗層之組 成物，其中該陰離子表面活性劑包括選自由氟表面活性 劑、烷基硫酸鈉、烷基硫酸銨、C !。- C ! 8烷基羧酸銨鹽、磺 酸琥珀酸鈉及其酯、及C ! 0 - C ! 8烷基磺酸鈉鹽所組成之群之
    至少一物種。 1 3 .如申請專利範圍第1項之移除底部抗反射塗層之組 成物，其中該SCF基移除組成物包含以組成物之總重量計 約6 0 . 0重量％至約9 0 . 0重量％之S C F，約1 0 . 0重量％至約 3 0 . 0重量％之共溶劑，約0 . 0 1重量％至約5 . 0重量％之蝕刻 劑，及約0 . 0 1重量％至約5. 0重量％之表面活性劑。 14. 一種移除底部抗反射塗層（BARC)之組成物，其包括 超臨界二氧化碳（S C C 0 2 )、三氫氟化三乙胺、氟表面活性劑 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107661 19 200535964 及異丙醇。 15. —種自其上具有底部抗反射塗層（BARC)之基板移除 該BARC層之方法，該方法包括使其上具有BARC層之基板 與包含至少一 S C F、至少一共溶劑、至少一#刻劑及至少 一表面活性劑之SCF基移除組成物在足夠的接觸條件下接 觸足夠的時間，以自基板至少部分移除BARC層。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該SCF包括選 自由二氧化碳、氧、氬、氪、氙及氨所組成之群之流體。
    1 7 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該S C F包括二 氧化碳。 1 8 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該接觸條件包 括在自約1500 psi至約4500 psi範圍内之壓力。 1 9 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該接觸時間係 在自約1分鐘至約2 0分鐘之範圍内。 2 0 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該共溶劑包括 至少一 Cl-C6烧醇。 2 1 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該共溶劑包括 異丙醇（I P A )。 2 2 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該共溶劑包括 選自由單乙醇胺、三乙醇胺、三伸乙二胺、甲基二乙醇胺、 五曱基二伸乙三胺、二甘醇胺、N -曱基吡咯啶酮（Ν Μ P)、N -辛基吡咯啶酮、Ν -苯基吡咯啶酮及乙烯基吡咯啶酮所組成 之群之胺。 2 3 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該蝕刻劑包括 20 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94107661 200535964 HF、氟化銨、三氫氟化三乙胺、過氧化氫、醋酸 '硝酸及 硫酸之至少一者。 2 4 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該蝕刻劑包括 三氫氟化三乙胺。 2 5 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該表面活性劑 包括至少一非離子表面活性劑或至少一陰離子表面活性， 劑0
    2 6 .如申請專利範圍第2 5項之方法，其中該表面活性劑 包括選自由氟烷基表面活性劑、乙氧基化氟表面活性劑、 聚乙二醇類、聚丙二醇類、聚乙烯醚、聚丙二醇醚類、羧 酸鹽、十二基苯磺酸、十二基苯磺酸鹽、聚丙烯酸酯聚合 物、二壬苯基聚氧伸乙基、聚矽氧聚合物、經改質之聚矽 氧聚合物、乙炔二醇、經改質之乙炔二醇、烷基銨鹽、經 改質之烷基銨鹽、及包含前述成分之至少一者之組合所組 成之群之至少一物種。 2 7.如申請專利範圍第2 5項之方法，其中該陰離子表面 活性劑包括選自由氟表面活性劑、烧基硫酸納、烧基硫酸 銨、C !。- C ! 8烷基羧酸銨鹽、磺酸琥珀酸鈉及其酯、及C !。- C i 8 烧基確酸納鹽所組成之群之至少一物種。 2 8 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該SCF基移除 組成物包含以組成物之總重量計約6 0 . 0重量％至約9 0. 0 重量％之SCF、約1 0 . 0重量％至約3 0 . 0重量％之共溶劑、約 0 . 0 1重量％至約5 . 0重量％之蝕刻劑及約0 . 0 1重量％至約 5 . 0重量％之表面活性劑。 21 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107661 200535964 2 9 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該B A R C層包 括有機BARC層。 3 0 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該B A R C層包 括無機BARC層。 3 1 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該接觸步驟包 括下列之循環：（i )使SCF基移除組成物與其上具有BARC 層之基板動態流動接觸，及（i i )使SCF基移除組成物與其 上具有BARC層之基板靜態浸泡接觸。
    3 2 .如申請專利範圍第3 1項之方法，其中該循環包括交 替及重複地進行其上具有B A R C層之基板的動態流動接觸 (i )及靜態浸泡接觸（i i )。 3 3 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其進一步包括在第 一洗滌步驟中以S C F /曱醇/去離子水洗滌溶液在B A R C層 經移除之區域洗滌基板，及在第二洗滌步驟中以SCF洗 滌，以於該第一洗滌步驟中移除殘留的沈澱化學添加劑， 及於該第二洗滌步驟中移除殘留的沈澱化學添加劑及/或 殘留的醇。 3 4.如申請專利範圍第3 3項之方法，其中該S C F包括 SCC〇2 〇 3 5 .如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該接觸條件包 括在自約5 0 °C至約9 0 °C範圍内之溫度。 36. —種自其上具有離子佈植光阻層及底部抗反射塗層 (B A R C )之基板移除此等層之方法，該方法包括使其上具有 光阻層及BARC層之基板與包含至少一 SCF、至少一共溶 22 312XP/發明說明書(補件)/94-07/9410766 ] 200535964 劑、至少一 I虫刻劑及至少一表面活性劑之S C F基移除組成 物在足夠的接觸條件下接觸足夠的時間，以自基板至少部 分移除光阻層及BARC層。
    23 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94107661
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI425324B (zh) * 2005-12-23 2014-02-01 Anji Microelectronics Co Ltd 可去除光阻層之組合物

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060019850A1 (en) * 2002-10-31 2006-01-26 Korzenski Michael B Removal of particle contamination on a patterned silicon/silicon dioxide using dense fluid/chemical formulations
JP2008537343A (ja) * 2005-04-15 2008-09-11 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド マイクロエレクトロニクスデバイスからイオン注入フォトレジスト層をクリーニングするための配合物
WO2007120259A2 (en) * 2005-11-08 2007-10-25 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations for removing copper-containing post-etch residue from microelectronic devices
KR100721207B1 (ko) * 2006-05-18 2007-05-23 주식회사 하이닉스반도체 이온주입된 포토레지스트 제거방법
JP5007089B2 (ja) * 2006-09-08 2012-08-22 富士フイルム株式会社 レジストの剥離方法
US9196270B1 (en) 2006-12-07 2015-11-24 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing a magnetoresistive element having small critical dimensions
DE102006062035B4 (de) * 2006-12-29 2013-02-07 Advanced Micro Devices, Inc. Verfahren zum Entfernen von Lackmaterial nach einer Implantation mit hoher Dosis in einem Halbleiterbauelement
US20090029274A1 (en) * 2007-07-25 2009-01-29 3M Innovative Properties Company Method for removing contamination with fluorinated compositions
US8316527B2 (en) * 2008-04-01 2012-11-27 Western Digital (Fremont), Llc Method for providing at least one magnetoresistive device
KR100873370B1 (ko) * 2008-04-02 2008-12-10 주식회사 이생테크 알루미늄 거푸집용 세척제
US8349195B1 (en) 2008-06-27 2013-01-08 Western Digital (Fremont), Llc Method and system for providing a magnetoresistive structure using undercut free mask
SG173833A1 (en) 2009-02-25 2011-09-29 Avantor Performance Mat Inc Stripping compositions for cleaning ion implanted photoresist from semiconductor device wafers
US8277672B2 (en) * 2009-04-17 2012-10-02 Tiza Lab, LLC Enhanced focused ion beam etching of dielectrics and silicon
US9416338B2 (en) 2010-10-13 2016-08-16 Advanced Technology Materials, Inc. Composition for and method of suppressing titanium nitride corrosion
CN102080023B (zh) * 2010-11-22 2015-03-25 青岛大学 一种蜡印织物用高效退蜡清洗液
CN102157357B (zh) * 2011-03-17 2016-04-06 上海集成电路研发中心有限公司 半导体硅片的清洗方法
CN103668210A (zh) * 2012-09-11 2014-03-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 选择性晶体硅刻蚀液、晶圆硅片的刻蚀方法及其应用
KR102118964B1 (ko) 2012-12-05 2020-06-08 엔테그리스, 아이엔씨. Iii-v 반도체 물질을 세척하기 위한 조성물 및 이를 사용하는 방법
TWI655273B (zh) 2013-03-04 2019-04-01 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 選擇性蝕刻氮化鈦之組成物及方法
JP6723152B2 (ja) 2013-06-06 2020-07-15 インテグリス・インコーポレーテッド 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物及び方法
TWI683889B (zh) 2013-07-31 2020-02-01 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 用於移除金屬硬遮罩及蝕刻後殘餘物之具有Ｃｕ／Ｗ相容性的水性配方
WO2015031620A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
TWI654340B (zh) 2013-12-16 2019-03-21 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 Ｎｉ：ＮｉＧｅ：Ｇｅ選擇性蝕刻配方及其使用方法
SG11201605003WA (en) 2013-12-20 2016-07-28 Entegris Inc Use of non-oxidizing strong acids for the removal of ion-implanted resist
WO2015103146A1 (en) 2013-12-31 2015-07-09 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations to selectively etch silicon and germanium
EP3099839A4 (en) 2014-01-29 2017-10-11 Entegris, Inc. Post chemical mechanical polishing formulations and method of use
WO2015119925A1 (en) 2014-02-05 2015-08-13 Advanced Technology Materials, Inc. Non-amine post-cmp compositions and method of use
JP6378146B2 (ja) 2014-10-16 2018-08-22 信越化学工業株式会社 多層膜形成方法及びパターン形成方法
JP6763325B2 (ja) * 2017-03-10 2020-09-30 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法、基板処理装置及び真空処理装置
JP6809315B2 (ja) * 2017-03-15 2021-01-06 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法及び真空処理装置
JP6977474B2 (ja) * 2017-10-23 2021-12-08 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
CN112764329A (zh) * 2019-10-21 2021-05-07 昆山晶科微电子材料有限公司 一种超临界co2光刻胶去除液及光刻胶的去除方法
CN112680288A (zh) * 2020-12-24 2021-04-20 昆山晶科微电子材料有限公司 一种用于清洁半导体芯片洗涤剂及其制备方法
CN113549462A (zh) * 2021-06-16 2021-10-26 江阴润玛电子材料股份有限公司 一种微电子用超纯氟化铵蚀刻液及其制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6669995B1 (en) * 1994-10-12 2003-12-30 Linda Insalaco Method of treating an anti-reflective coating on a substrate
US6306564B1 (en) * 1997-05-27 2001-10-23 Tokyo Electron Limited Removal of resist or residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide
US6627588B1 (en) * 1999-03-11 2003-09-30 Georgia Tech Research Corporation Method of stripping photoresist using alcohols
US6306754B1 (en) * 1999-06-29 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Method for forming wiring with extremely low parasitic capacitance
US6599370B2 (en) * 2000-10-16 2003-07-29 Mallinckrodt Inc. Stabilized alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
JP4532039B2 (ja) * 2001-09-28 2010-08-25 シャープ株式会社 レジスト剥離方法及び薄膜回路素子の形成方法
US7326673B2 (en) * 2001-12-31 2008-02-05 Advanced Technology Materials, Inc. Treatment of semiconductor substrates using long-chain organothiols or long-chain acetates
US6669785B2 (en) * 2002-05-15 2003-12-30 Micell Technologies, Inc. Methods and compositions for etch cleaning microelectronic substrates in carbon dioxide
US20030217764A1 (en) * 2002-05-23 2003-11-27 Kaoru Masuda Process and composition for removing residues from the microstructure of an object
US20040050406A1 (en) * 2002-07-17 2004-03-18 Akshey Sehgal Compositions and method for removing photoresist and/or resist residue at pressures ranging from ambient to supercritical
US20040011386A1 (en) * 2002-07-17 2004-01-22 Scp Global Technologies Inc. Composition and method for removing photoresist and/or resist residue using supercritical fluids
US6962714B2 (en) * 2002-08-06 2005-11-08 Ecolab, Inc. Critical fluid antimicrobial compositions and their use and generation
US7119052B2 (en) * 2003-06-24 2006-10-10 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for high-efficiency cleaning/polishing of semiconductor wafers
JP2007513522A (ja) * 2003-12-01 2007-05-24 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 超臨界流体／化学調合物を用いたｍｅｍｓ犠牲層の除去
US7553803B2 (en) * 2004-03-01 2009-06-30 Advanced Technology Materials, Inc. Enhancement of silicon-containing particulate material removal using supercritical fluid-based compositions

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI425324B (zh) * 2005-12-23 2014-02-01 Anji Microelectronics Co Ltd 可去除光阻層之組合物

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005104214A3 (en) 2006-08-10
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