TW200529695A - Organic electroluminescence display device and its fabrication method - Google Patents
Organic electroluminescence display device and its fabrication method Download PDFInfo
- Publication number
- TW200529695A TW200529695A TW093104900A TW93104900A TW200529695A TW 200529695 A TW200529695 A TW 200529695A TW 093104900 A TW093104900 A TW 093104900A TW 93104900 A TW93104900 A TW 93104900A TW 200529695 A TW200529695 A TW 200529695A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- organic electroluminescent
- electrode
- layer
- scope
- item
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000003491 array Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 5
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 4
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 claims description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[carboxymethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]ethyl-[[3-hydroxy-5-(hydroxymethyl)-2-methylpyridin-4-yl]methyl]amino]acetic acid Chemical compound CC1=NC=C(CO)C(CN(CCN(CC(O)=O)CC=2C(=C(C)N=CC=2CO)O)CC(O)=O)=C1O RICKKZXCGCSLIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 229910000882 Ca alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 210000004268 dentin Anatomy 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
200529695
發明所屬之技術領域 本發明係有關於一種有機電激發光（〇rganic eleCtr^luminescence，〇EL)顯示器面板的結構及其製造 方法’且特別有關於一種具有遮光層之有機電激發光顯示 器面板的結構及其製造方法。 先前技術 近年來各界對有機電激發光元件（〇rganic electroluminescence device)的研究，使其有足以取代 液晶顯示器，而成為次世代顯示器的潛力。由於其本身為 主動發光元件，因此有機電激發光顯示器不似液晶顯示器 般扁要者光模組’有利於顯示器的輕量化。此外，有機電 激發光顯示器提供高對比、快反應，以及比液晶顯示器更 寬廣的視角。 ° 有機電激發光顯示技術依其元件所使用的載子傳遞層 與發光層等有機薄膜材料之不同可概分成兩系統，一是以 &料或顏料為材料之小分子元件（molecule-based device)，另一則以共軛性高分子為材料之高分子元件 (polymer-based device)，前者一般以真空蒸鍍鍍膜方式 製作元件，而後者則一般採用溶液旋轉塗佈（sp i η coat ing)方式。小分子〇EL元件被稱為OLED，而高分子0EL 元件則被稱為PLED。由於有機薄膜層皆為具傳導載子之材 料’因此在非發光區域會有漏光之現象。 第1圖為一習知高分子有機電激發光顯示器（PLed ) 1
0773-A30167TWF(Nl);P92146;renee.ptd 第 5 頁 200529695
剖面圖。如圖i戶斤示，此高分子有機電激發光顯示 益1匕3 —透明基板〇、-透明氧化銦錫（ΐη(Η· un 0X1 e，ITO )層2作為陽極、一氧化矽層4用以定義 ^ 有機絕緣層5、一聚乙烯二氧？吩 —” 區 層6作為緩衝 金屬或合金作為 (polyethylenedioxy thiophene, PEDOT 層之用、一高分子發光材料層8，以及 陰極 10 (如Ca、A1、Mg/Ag 或Al/Li )。 藉由對％極2與陰極10施予一適當電位差，可使書素 區之高分子發光材料層8發出特定顏色的光3，並經由一陽'極 2與透明基板〇射出。
緩衝層6之作用乃在調郎ΙΤ0陽極2與高分子發光材料 層8間的能階，以提升電洞注入效率並降低操作電壓。一 般緩衝層6材質之電阻不高，如一般常用之PED〇T係為一種 導電高分子，因此當電流流經圖中箭頭方向，亦會導通該 區之高分子發光材料層8，而發出特定顏色的光3，。由於 氧化矽層4可透光，因此特定顏色的光3,便通過氧化石夕層4 與透明基板0而射出’形成漏光現象，使得最後發出光的 區域比原定畫素區大，因而造成顯示上的缺點。 發明内容 有鑑於此’本發明的目的在於提供一有機電激發光顯 示器及其製作方法，以改善非畫素區的漏光現象，進而提 升顯示器之性能。 本發明之另一目的在不增加製程困難度與光罩數的前
五、發明說明（3) 提下，提供-可改善非畫素區漏光現象之有機電激發光顯 示器及其製作方法 為達上述目的’本發明在有機電激發光顯示器之畫素 區夕圍设置-遮光層’以定義上述晝素區，並可同時遮蔽 非畫素區域内可能發出的光。 本發明提供一種有機電激發光顯示器的製作方法，其 步驟包括：、首先提供-基板，並於基板上製作—驅動陣 f ’ ♦形成一遮光層於基板上，且在驅動陣列間定義出複 數個旦素區。《後於畫素區上方形成一第一電極，接著於 第一電極上形成一有機電激發光層，以及形成一第二電極 於有機電激發光層上。 本發明尚提供一種有機電激發光顯示器，其至少包 含：一基板；一驅動陣列形成於該基板上，一一遮光層形 成於該基板上，且在驅動陣列間定義出複數個畫素區；一 =電極形成於畫素區上方；—有機電激發光層形成於第 一電極上，以及一第二電極形成於有機電激發光層上。 根據本發明，上述遮光層可由任何不透光之金屬、絕 緣體或有機材！所構成。根據本發明，上述有機電激發光 層可為OLED或高分子（polymer)有機發光二極體（pLE㈧， 其中更可包括-電子注入層、一電子傳輸層、—發光層、 -電洞傳輸層以及一電洞注入層。上述第一電極可為一氧 化麵錫層（ITG);上述第二電極之組成材質可為^、ai、
Mg、Mg/Ag合金、A1/Li合金或其組合。上 玻璃基板或塑膠基板。 土攸』马
0773-A30167TWF(Nl);P92146;renee.ptd 第7頁 200529695
^根據本發明，上述驅動陣列係包含一非晶矽（a-Si ) 薄膜電晶體或低溫多晶矽（LTps )薄膜電晶體。且電晶體 包3 —閘極、源極與汲極，而上述遮光層係在製作閘極之 同時，以與閘極相同之材質所製作而成；或在製作源極與 汲極之同時，以與源極與汲極相同之材質所製作而成。 “根據本發明，上述第一電極、有機電激發光層與第二 電極係構成一全彩有機電激發光顯示元件。且本發明之有 機電激發光顯示器的製作方法，較佳進一步包含設置一第 二基板於該第二電極上。 為了讓本發明之上述目的、特徵和優點更明顯易懂， 下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖示，作詳細說明如 下： 實施方式 實施例 以下參考第2A-2E圖，說明本實施例有機電激發光顯 示器及其製作方法。 本發明中之驅動陣列基板例如是包含非晶石夕薄膜電晶 體陣列（a-Si TFTs array)的基板（例如，玻璃基板），或 包含低溫多晶矽薄膜電晶體（LTPS-TFT)陣列之基板。本實 施例以低溫多晶矽薄膜電晶體陣列所構成之主動元件基^ 為例，並以頂閘極（top gate )的模式為例說明其製作流 程，然而本發明亦可應用於底閘極.（bott〇m gate )之主& 動陣列基板。
0773»A30167TWF(N1);P92146;renee.ptd 第 8 頁 — ^^丨 一 200529695 五、發明說明（5) 首先，請參考第2A圖，提供一透明基板2 0 0，在此透 明基板200上形成一緩衝層（buffer layer)202，並在緩衝 層2 0 2上形成複數個低溫多晶矽薄膜電晶體2 2 〇。其中低溫 多晶石夕薄膜電晶體2 2 0包括：一閘極2 5 0、一源極2 5 1、一 汲極221、一閘極絕緣層204、一通道255以及一源極/汲極 區（S/D) 256，且汲極221並經由一介電層206之接觸洞 2 5 7而與源極/汲極區25 6耦接。低溫多晶矽薄膜電晶體22〇 的製作過程如下：首先在緩衝層20 2上形成複數個由源極/ 汲極區（S/D ) 256、通道255所構成之多晶矽區。之後， 在此等多晶矽區上方覆蓋一閘極絕緣層2〇4。接著，於閘 極絕緣層204上方形成閘極250。其次，再形成一介電層 20 6於基板200上方，此介電層20 6於源極/汲極區（S/D) 256上方分別蝕刻有接觸洞。接著，再於基板2〇〇上方形成 一源極/ ✓及極金屬層（未圖示）’並經微影钱刻後形成源 極251、汲極221。 此外’在形成源極2 5 1、沒極2 2 1的同時，於介電層 206上方畫素區預定區之外圍，形成一金屬遮光層go?。 此金屬遮光層207的作用在定義晝素區（有機電激發 光層預定區222) ’並同時遮蔽非畫素區内可能透過透明 基板2 0 0而發出的光。在本較佳實施例中，遮光層2 〇 7係在 利用沈積姓刻方式形成源極2 5 1、沒極2 2 1的同時姓刻完 成，然而依據本發明精神，此遮光層2〇7亦可在沈積蝕刻 閘極250的同時蝕刻完成，如第2E圖所示。如此可再不需 增加製程步驟與成本的前提下，輕易實施本發明。此外，
0773-A30167TWF(Nl);P92146;renee.ptd
第9頁 200529695
根據本發明，遮光層207的材質並不限於金屬，任何且有 遮光性的材質皆可適用，如絕緣體、有機等材質。上述透 明基板2 0 0可為玻璃或透光之塑膠材質。若為塑膠基板， 其材質可為聚乙烯對笨二曱醋 (polyethyleneterephthalate)、聚醋（p〇lyester)、聚碳 酸酯（polycarbonates)、聚丙烯酸醋（1)〇17&^13^3)或 是聚苯乙烯（polystyrene);而多晶矽薄膜電晶體係作為 有機電激發光顯不器的控制單元，可為以低溫製造技術完 成者。 接著，清參照第2 B圖，在基板上形成一介電層2 〇 8， 其在對應沒極221上方具有一接觸洞258。接著在介電層 208上形成一第一電極212，其覆蓋上述金屬遮光層go?所 疋義之旦素區，且麵接於沒極221。其中第一電極212可為 銦錫氧化物（I T 0 )、銦辞氧化物（I z 〇)、鋅銘氧化物（a z 〇) 或是氧化辞（ZnO)。而此第一電極2 12可由濺鍍法、電子束 ?备鍍法、熱蒸鍍法、化學氣相鍍膜法及喷霧熱裂解法所形 成0 接著’分別形成一第一絕緣層（insulat〇r layer)2H 與第二絕緣層215於該第一電極212上，第一絕緣層214之 材質如為氧化矽；第二絕緣層215之材質如為聚亞醯胺 (poly imide )。之後以第一電極2 1 2作為蝕刻停止層，對 此絕緣層2 1 4、2 1 5進行蝕刻，以暴露出該第一電極2丨2上 之有機電激發光層預定區222。 之後’形成一有機電激發光層217於第一電極2 12上。
0773-A30167TW(Nl);P92146;renee.ptd 第10頁 200529695 五、發明說明（7) 此有機電激發光層2 1 7為高分子有機發光二極體材料，其 可利用旋轉塗佈、喷墨或網版印刷等方式形成。在本實施 例中，此有機電激發光層2 1 7更包括：一電子注入層 70KEIL; electron injection layer)、一電子傳輸層 7 0 2 ( ETL ; electron transport layer)、一 發光層 70 3 (EL; emitting layer)、一電洞傳輸層 704(HTL; hole transport layer)以及一電洞注入層 705 (HIL; hole in ject ion layer)。其中有機電激發光層217亦可為小分 子有機發光二極體（0LED)材料，其可利用真空鑛膜方式形 成。
接著，如第2D圖所示，在有機電激發光層217上形成 一第二電極層240，其中第二電極層240係作為該有機發光 一極體之陰極。形成第二電極層240之方式可為真空熱蒸 鍍或濺鍍方式。為配合作為有機發光二極體之陰極電極之 需求，應選用適合將電子注入有機半導體材料者，如Ca、 Al Mg、Mg/Ag合金、Al/Li合金等低功函數材料，較佳者 為Mg或Mg-Ag合金，或為“或“-^合金與氧化銦錫（IT〇) 之疊層。 最後，設置一基板2〇〇,於陰極電極mo之上，至此完 成本實施例有機電激發光顯示器的製作。 一本實施例有機電激發光顯示器的結構，如第2D圖所 不，包含一第一基板2〇〇 ; 一由薄膜電晶體22〇所構成之驅 動陣列’且此驅動陣列包含一遮光層2〇7，藉由遮光層， 在驅動陣列間定義出複數個畫素區222卜第—電極212形
200529695 五、發明說明（8) 成於晝素區222上方；一有機電激發光層217形成於第一電 極21 2(陽極）上；一第二電極240形成於有機電激發光層 217上；以及一第二基板2 00，設置於第二電極240(陰極） 上。其中有機發光層可為OLED或PLED，上述第一電極 212、有機電激發光層217與第二電極240係構成一全彩有 機電激發光顯示元件。
如上述，本發明之有機電激發光顯示器及其製作方 法，藉由設置一遮光層2〇7，不僅定義出畫素區222位置， 使有機電激發光層217發出的光300在通過其下方之第一 1 極212及第一基板200後發射出來；在此同時，並遮蔽^ 素區内由於漏電流而產生的光3〇〇，，因此避 ^ 漏光現象，達到提升顯示性能的效果。 —素£白 此外，遮光層2〇7可在製作閘極25〇、 221之同時製作而*，因此不需增加 極 即可輕易達到本發明的目的。 /诹。成本， 带- ί ΐ i發明已以較佳實施例揭露如上，缺政甘# 和範圍内’當可作些許上^在不脫離本發明之精* 範圍當視後附之中过^ 雇飾，因此本發明之保^ 甲吻專利範圍所界定者為準。〈保^
200529695 圖式簡單說明 第1圖為一習知高分子有機電激發光顯示器的部八 面圖。 °分剖 第2 A-2E圖係用以說明本發明高分子有機電激發光顯 示器之製作流程。 符號說明 本發明 200 ' 20 0’ 基 板 20 2 ^ 2 0 6〜緩衝層 204 〜閘 極 絕 緣 層 20 6 ^ 20 8〜介電層 207 〜金 屬 遮 光 層 212〜 第一 電極； 214 〜第 一 絕 緣 層 215〜 第二 絕緣層； 217 〜有 機 電 激 發 光 層； 220 ^多 晶 矽 薄 膜 電 晶體； 221 〜汲 極 ， 222 〜有 機 電 激 發 光 層預定1 區， 240 〜第 二 電 極 250〜 閘極 ， 251 〜源 極 j 2 55〜 通道 ， 256 〜源 極/沒極區； 257 ^ 2 5 8〜接觸洞 300 、300, 光 ； 701〜 電子 注入層； 702 〜電 子 傳 輸 層 ’ 70 3〜 發光 層； 704 〜電 洞 傳 輸 層 ， 70 5〜 電洞 注入層。 習知技藝 〇〜透明基板；
200529695 圖式簡單說明
1〜 高分子有機電 激發光顯示器； 2〜 陽極； 3 、3，〜光 ， 4 氧化矽層； 5 〜有機絕 緣 層； 6〜 PED0T 層； 8 〜高分子 發 光材料層 10， 〜陰極。 0773-A30167TW(Nl);P92146;renee.ptd 第14頁
Claims (1)
- 200529695 六、申請專利範圍 1 · 一種有機電激發光顯示器的製作方法，包括： 提供一基板； 形成一驅動陣列於該基板之上； 形成一遮光層於基板之上，且在該驅動陣列間定義出 複數個畫素區； 於該晝素區上方形成一第一電極； 於該第一電極上形成一有機電激發光層；以及 形成一第二電極於該有機電激發光層之上。2·如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示器 的製作方法，其中該遮光層係由不透光之金屬、絕緣體或 有機材質所構成。 3·如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示器 的製作方法，其中該有機電激發光層包括0LED或PLED。 4·如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示器 的製作方法’其中該高分子有機電激發光層更包括一電子 注入層、一電子傳輸層、一發光層、一電洞傳輸層以及一 電洞注入層。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示器 的製作方法，其中該第一電極係為氧化銦錫層（丨τ〇)。6 ·如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示器 的製作方法，其中該第二電極之組成材質係Ca、Ai、Mg、 Mg/Ag合金、A1/Li合金或其組合。 7 ·如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示器 的製作方法’其中該驅動陣列係包含一非晶矽（a_s丨）薄0773-A30167TW(Nl);P92146;renee.ptd 第15頁 200529695 六、申請專利範圍 膜電晶體或低溫多晶矽（LTps)薄膜電晶體。 u 8 ·如申請專利範圍第7項所述之有機電激發光顯示器 的製作方法其中该電晶體包含一閘極，而該遮光層係在 製作该問極之同時，以與該閘極相同之材質所製作而成。 4 9 ·如申請專利範圍第7項所述之有機電激發光顯示器 的製作方法，其中該電晶體包含一源極與汲極，而該遮光 層係在製作該源極與汲極之同時，以與該源極與汲極相同 之材質所製作而成。 I 0 ·如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示器 的製作方法’其中該透明基板係為玻璃基板或塑膠基板。 II ·如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示器 的製作方法’其中該第一電極、該高分子有機電激發光層 與邊第二電極係構成一全彩有機電激發光顯示元件。 1 2·如申請專利範圍第1項所述之有機電激發光顯示器 的製作方法，更包含設置一第二基板於該第二電極上。 1 3 · —種有機電激發光顯示器，包括： 一基板； 一驅動陣列形成於該基板上； 一遮光層形成於該基板上，且在該驅動陣列間定義出 複數個畫素區； 一第一電極形成於該晝素區上方； 一有機電激發光層形成於該第一電極上；以及 一第二電極形成於該有機電激發光層上。 1 4 ·如申請專利範圍第1 3項所述之有機電激發光顯示 1^· 0773-A30167TW(Nl);P92146;renee.ptd 第16頁 200529695 六、申請專利範圍 器’其中該遮光層係由不透光之金屬、絕緣體或有機材質 所構成。 ' 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項所述之有機電激發光顯示 器’其中該有機發光層包括〇LED或PLED。 1 6 ·如申請專利範圍第1 3項所述之有機電激發光顯示 器’其中該3有機電激發光層更包栝一電子注入層、一電 子傳輸層、一發光層、一電洞傳輸層以及一電洞注入層。 1 7 ·如申請專利範圍第1 3項所述之有機電激發光顯示 器’其中5亥第一電極係為氧化姻錫層（ΙΤ0)。 1 8 ·如申請專利範圍第1 3項所述之有機電激發光顯示 器，其中該第二電極之組成材質係Ca、Al、Mg、Mg/Ag合 攀 金、Al/Li合金或其組合。 - 1 9 ·如申請專利範圍第1 3項所述之有機電激發光顯示 _ 器，其中該驅動陣列係包含一祚晶矽（a-S i )薄膜電晶體 或低溫多晶矽（LTPS )薄膜電晶體。 2 0 ·如申睛專利範圍第1 g項所述之有機電激發光顯示 器’其中該電晶體包含一閘極，而該遮光層係在製作該閘 極之同時，以與該閘極相同之材質所製作而成。 2 1 ·如申請專利範圍第丨9項所述之有機電激發光顯示 器，其中該電晶體包含一源極與汲極，而該遮光層係在製 · 作該源極與沒極之同時，以與該源極與沒極相同之材質所 製作而成。 22·如申請專利範圍第丨3項所述之有機電激發光顯示 器，其中該基板係為玻璃基板或塑膠基板。0773-A30167TWF(Nl);P92146;renee.ptd 第17頁 200529695 ^—— · 六、申請#繼® ' ' '〜 2 3 ·如申请專利範圍第1 3項所述之有機電激發光顯示 器’其中ό亥第一電極、該高分子有機電激發光層與該第二 電極係構成一全彩有機電激發光顯示元件。 2 4 ·如申請專利範圍第1 3項所述之有機電激發光顯示 器，更包含一第二基板設置於該第二電極上。0773-A30167TW(Nl) ;P92146; renee. ptd 第18頁
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW093104900A TWI231153B (en) | 2004-02-26 | 2004-02-26 | Organic electroluminescence display device and its fabrication method |
| US10/971,446 US20050189535A1 (en) | 2004-02-26 | 2004-10-21 | Organic light-emitting device and method of fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW093104900A TWI231153B (en) | 2004-02-26 | 2004-02-26 | Organic electroluminescence display device and its fabrication method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI231153B TWI231153B (en) | 2005-04-11 |
| TW200529695A true TW200529695A (en) | 2005-09-01 |
Family
ID=34882465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW093104900A TWI231153B (en) | 2004-02-26 | 2004-02-26 | Organic electroluminescence display device and its fabrication method |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050189535A1 (zh) |
| TW (1) | TWI231153B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI877657B (zh) * | 2022-08-12 | 2025-03-21 | 大陸商台州觀宇科技有限公司 | 發光元件 |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070126728A1 (en) * | 2005-12-05 | 2007-06-07 | Toppoly Optoelectronics Corp. | Power circuit for display and fabrication method thereof |
| US8026513B2 (en) * | 2006-01-05 | 2011-09-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Bottom emission type organic electroluminescent panel |
| KR100881200B1 (ko) * | 2007-07-30 | 2009-02-05 | 삼성전자주식회사 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
| WO2009079327A1 (en) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Backplane structures for electronic devices |
| CN101587839B (zh) | 2008-05-23 | 2011-12-21 | 清华大学 | 薄膜晶体管的制备方法 |
| CN101582444A (zh) | 2008-05-14 | 2009-11-18 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
| CN101599495B (zh) * | 2008-06-04 | 2013-01-09 | 清华大学 | 薄膜晶体管面板 |
| CN101582382B (zh) * | 2008-05-14 | 2011-03-23 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 薄膜晶体管的制备方法 |
| CN101582451A (zh) * | 2008-05-16 | 2009-11-18 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
| CN101582446B (zh) | 2008-05-14 | 2011-02-02 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 薄膜晶体管 |
| CN101582449B (zh) * | 2008-05-14 | 2011-12-14 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
| CN101582445B (zh) * | 2008-05-14 | 2012-05-16 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
| CN101582448B (zh) * | 2008-05-14 | 2012-09-19 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
| CN101582447B (zh) | 2008-05-14 | 2010-09-29 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
| CN101582450B (zh) * | 2008-05-16 | 2012-03-28 | 清华大学 | 薄膜晶体管 |
| CN101593699B (zh) * | 2008-05-30 | 2010-11-10 | 清华大学 | 薄膜晶体管的制备方法 |
| US20110058770A1 (en) * | 2009-09-10 | 2011-03-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Sub-surface engraving of oled substrates for improved optical outcoupling |
| JP5476878B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2014-04-23 | カシオ計算機株式会社 | 発光パネルの製造方法 |
| KR101056250B1 (ko) | 2009-10-21 | 2011-08-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR101049003B1 (ko) * | 2009-12-01 | 2011-07-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR101101087B1 (ko) * | 2009-12-09 | 2011-12-30 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| KR101874048B1 (ko) * | 2011-01-14 | 2018-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 |
| KR101955621B1 (ko) | 2012-09-21 | 2019-05-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시패널 및 그 제조방법 |
| KR20140115191A (ko) * | 2013-03-20 | 2014-09-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| US20150147839A1 (en) * | 2013-11-26 | 2015-05-28 | Infineon Technologies Dresden Gmbh | Method for manufacturing a semiconductor device |
| CN104035615B (zh) * | 2014-05-20 | 2016-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种触摸显示面板和显示装置 |
| KR101679252B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2016-12-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판과 그 제조방법 및 그를 이용한 디스플레이 장치 |
| WO2018063369A1 (en) * | 2016-09-30 | 2018-04-05 | Intel Corporation | Inorganic light emitting diode display |
| CN108242453B (zh) * | 2016-12-23 | 2020-07-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及显示装置 |
| CN107706209B (zh) * | 2017-08-09 | 2019-06-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机电致发光显示面板及其制作方法 |
| CN109309099B (zh) * | 2018-09-21 | 2020-05-12 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示装置及其制备方法 |
| CN119730629A (zh) * | 2019-08-09 | 2025-03-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| KR102512014B1 (ko) * | 2020-05-21 | 2023-03-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0926603A (ja) * | 1995-05-08 | 1997-01-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JPH11251067A (ja) * | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Junji Kido | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JP3964324B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2007-08-22 | 三菱電機株式会社 | 半透過型表示装置の製造方法および半透過型表示装置 |
| JP4401657B2 (ja) * | 2003-01-10 | 2010-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の製造方法 |
-
2004
- 2004-02-26 TW TW093104900A patent/TWI231153B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-10-21 US US10/971,446 patent/US20050189535A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI877657B (zh) * | 2022-08-12 | 2025-03-21 | 大陸商台州觀宇科技有限公司 | 發光元件 |
| US12490586B2 (en) | 2022-08-12 | 2025-12-02 | Taizhou Guanyu Technology Co., Ltd. | Light-emitting assembly |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI231153B (en) | 2005-04-11 |
| US20050189535A1 (en) | 2005-09-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI231153B (en) | Organic electroluminescence display device and its fabrication method | |
| US11245102B2 (en) | Organic light-emitting diode display including a storage capacitive plate and a driving voltage line formed on the same layer and manufacturing method thereof | |
| US8587499B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
| CN1658726B (zh) | 有机电致发光显示装置及其制造方法 | |
| US6924503B2 (en) | Organic integrated device for thin film transistor and light emitting diode and process for fabricating the same | |
| KR102059167B1 (ko) | 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조 방법 | |
| US8981362B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
| US20100007271A1 (en) | Organic light emitting diode display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US9349996B2 (en) | Method of manufacturing capacitor, method of manufacturing organic light emitting display device including the capacitor, and organic light emitting display device manufactured by using the method | |
| US10290688B2 (en) | AMOLED device and manufacturing method thereof | |
| US7049636B2 (en) | Device including OLED controlled by n-type transistor | |
| TW200533234A (en) | Organic electro luminescence device and fabrication method thereof | |
| CN108269835A (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| US11177332B2 (en) | TFT array substrate requiring fewer masks and method for manufacturing the same and OLED display panel | |
| US8841832B2 (en) | Organic light emitting diode display having improved strength by preventing the exfoliation of a sealant | |
| CN103022051B (zh) | 一种阵列基板、有机发光显示面板及显示装置 | |
| US7129636B2 (en) | Active matrix organic electroluminescent device and fabrication method thereof | |
| US8610123B2 (en) | Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof | |
| KR20130008754A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR102037487B1 (ko) | 유기전계 발광소자의 제조 방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기전계 발광소자 | |
| KR101908512B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법 | |
| KR20070075920A (ko) | 전계발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR20080014328A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR100728196B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| JP2005327523A (ja) | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |