TW200529488A - Electrochemical energy source, electronic device and method of manufacturing said energy source - Google Patents

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200529488 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種電化學能源，其包括如下至少一組組 件·第一電極、一第二電極以及一分離該第一電極與該 第二電極之中間固態電解質。本發明亦係關於一種具有如 此之-電化學能源之電子裝置。此外，本發明係關於一種 製造如此之一電化學能源之方法。 【先前技術】 基於固態電解質的電化學能源在此項技術中已為吾人所 熟知。此等（平面）能源或者”固態電池”以如前文中所陳述的 那樣來建構。固態電池可以有效、清潔地將化學能直接轉 化為電能，並且通常用作便檇式電子裝置的電源。在一較 小尺寸範圍，此等電池可被用來提供電能給例如微電子模 組，更特定言之，給積體電路（IC)。關於此點，在國際專利 申睛案WO 00/25378中揭示了一個實例，其中將一固態薄膜 微電池直接加工至一特定基板上。在此加工製程期間，該 第一電極、該中_態電解質以及該第三電極陸續沈積至 忒基板上。雖然該已知微電池與其他固態電池相比通常展 不較優良之性能，但是該已知微電池具有幾個缺點。國際 專利申請案WO 00/25378中的該已知微電池的一個主要缺 點在於，其製造製程相對複雜並因此相對昂貴。 【發明内容】 本發明之一目的係提供一種經改良之電化學能源，其可 以一相對簡單之方式而被建構與製造，同時保持該等已知 95669.doc 200529488 電化學能源之優點。 本發明之該目的藉由-根據前文之電化學能源來實現， 其特徵在於該第一電極至少部分地由一導電基板形成，在 該基板上沈積有該固態電解質與該第二電極。這樣，該電 子傳導基板亦起到了作爲該第—電極的至少—部分的作 用。與该技術中已知之建構相比，該基板與該第一電極的 至少一部分之整合通常導致該（微）電池一較爲簡單之建 構。此外，由於可以去除至少一個製程步驟，因此製造一 根據本發明之能源之方法亦較爲簡單。而且，根據本發明 之該固態能源之該相對簡單的製造方法可以導致相當大的 成本節省。較佳地，該固態電解質與該第二電極作爲薄臈 層沈積於該基板上，其厚度大約為05至5微米之間。薄膜 層導致較高之電流密度與效率，因爲該能源中離子透過薄 膜層之傳送比透過厚膜層要更容易且更快。這樣，該内部 能量損失可達到最小。由於該能源之内部電阻相對低，因 此當應用一可再充電能源時可提高充電速度。 在一較佳實施例中，一面對該電解質與該第二電極的該 基板之接觸表面至少部分地被圖案化了。這樣在兩個電極 與忒固悲電解質之間可獲得一增加的單位體積接觸表面。 通常’位於根據本發明的該能源之該等組件之間的該（等） 接觸表面的此種增加導致該能源的額定容量增加，並因此 導致一更佳的電池容量（由於對該能源的該等層的該體積 的隶佳利用）。這樣，該能源中的功率密度可達到最大並因 此實現最佳化。該圖案的屬性、形狀以及尺寸可以是任意 95669.doc 200529488 的。 如：二:可用多種方式對該接觸表面進行圖案化，例 :由向该接觸表面提供突出部而使其從該接觸表面上 之4。:佳地’該接觸表面具有複數個任意形狀與尺寸 表面的工至丨，㈣解質與㈣：電極提供給該等空腔之一内 簡單之方ί:Γ。此種方法具有—優點，即可用-相對 节等… 圖案化的接觸表面。在-實施例中， 板上二#起來以使多個突出的支據柱能夠形成於該基 」攸而增加該電化學能源中的該接觸表面。在 ，貝施例中，至少一部分該等空腔形成狹縫或槽溝，在該 寺狹縫或槽溝中沈積有該固態電解質與㈣二電極。: \可知用钮刻之方法來形成該導電基板之該接觸表面上 之该圖案（更特定言之，該等空腔）。 口亥第電極與該第二電極中的至少一個電極較佳地連接 至一集電器。在一矽基板之情況下，該第一電極可能不需 要集電器。然而，對於例如將一LicG02電極作爲第二電極 來使用的—鐘離子電池而言，較佳地可應用-!呂集電哭 (層）。或者，或此外，在根據本發明之固態能源中通常可應 用一較佳地由摻雜半導體材料如si、GaAs、Inp或由一金屬 如銅或鎳製造的集電器作爲一電集器來使用。 孟 该基板可具有一主表面，在該主表面上或内形成該等空 腔’並且該主表面定義了一平面。一在此平面上之該集電 為之垂直突出物可與此平面上之一空腔之一垂直突出物， 亚杈佳地與此平面上之所有空腔之一垂直突出物至少部分 95669.doc 200529488 地-發生重疊。如此一來， 木。亥集電斋相對靠近該空 以增加最大電流。在一與 、^工月工 出 > 在^例中，該集電器延伸至-空腔 佳地延伸至所有空腔内。這導致該額定容量之進_ 步料。此點對於相對深（亦即深度為2G微米或更深）的㉔ 而吕係特別有利的。

在一實施例中，該基板適合於（臨時）儲存如下原子中的 至少-種原子之離子：H、Li、Be、Mg、NaMH 根據本發明之該電化學能源可基於不同之插人機制並因此 適合於形成不同種類之電池’例如輯子電池、犯顧電、、也 等-0 ' 在另一實施例中，該基板由如下材料中的至少一種製 成：C、Si、Sn、Ti、&及抑。此等材料之一組合亦可用來 形成該基板。較佳地，可使用〜型或p_型摻雜的矽作爲基 板’或者一摻雜的矽相關之化合物比如SiGe或者SiGeC。其 他合適之材料亦可用作基板，但是該基板之該材料應適^ 於插入及儲存例如前述段落中所提及之該等原子之離子。 此外’此等材料較佳地適合於承受一颠刻製程，以在該美 板之該接觸表面上施加一圖案（孔、槽溝、支撐柱等）。 .應用在根據本發明之該能源中之該固態電解質可基於離 子傳導機制或者非電子傳導機制，例如Η、Li、Be及Mg離 子導體。將一鋰導體作爲固態電解質的一個實例就是氮氧 化磷鋰（LiPON)。其他已知的固態電解質像例如氮氧化石夕鐘 (USiON)’、鈮酸鋰（LiNb03)、钽酸鋰（LiTa03)、正嫣酸鐘 (Li2W04)以及氮氧化鋰鍺（LiGeON)亦可用作一鋰傳導之固 95669.doc 200529488 態電解質。例如一質子傳導之電解質可由TiO(OH)形成。在 國際專利申請案WO 02/4283 1中揭示了關於質子傳導電解 質的詳細資訊。例如，一鋰離子為基之能源之該第一（正的） 電極可以是正電極，並且可由金屬氧化物為基之材料例如 LiCo〇2、LiNi〇2、LiMn〇2或者此等材料之組合例如 Li(NiCoMn)〇2製造。在一質子基能源之情況下，第一（正的） 電極之實例有Ni(OH)2與NiM(OH)2，其中Μ係由一或多個由 例如Cd、Co或Bi組成之群中選出之元素而形成。

而在另一實施例中，該固態電解質與該第二電極沈積於 該基板之多個側面上。這樣，該基板可以更集中地用來儲 存離子，因而增加了根據本發明之該電化學能源之電容。

較佳地，該電化學能源包括電連接在一起的多個組件。 該等組件可以一串聯及/或一並聯之方式連接，該連接方式 取決於該電化學能源之應用需求。當需要一相對高之電流 時，幾個組件之該等第一電極與該等第二電極以並聯之方 式連接。當需要一相對高之電壓時，一第一組件之該第一 電極可電連接至一第二組件之該第二電極。該第二组件之 ^-電極可電連接至—第三組件之―第二電極等等。 '亥基板可包括一構成該第_ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 與該第-邻八油^ mu。卩分m-避免 於刀1之第一部分。該第二部分可包括一整合 厂:二:中之電子裝置。較佳地’該基板包括一阻障 第^較佳地大體上防止離子從該第一部分擴 圓來分。例如’當該基板適合於藉由應用一石夕晶 離子時，如此—阻障層便可由叫ν4.〇2形成 95669.doc -10- 200529488 以防止該等鋰離子脫離該第一電極（晶圓）。 較佳地，該基板可由一支撐結構來支撐以翬固該電化學 能源。在特定情況下，可能需要應用如此一支揮結構。例 如，如果-鈦或一包含鈦之基板用於一具有根據本發明之 結構之電池中之氫儲存時，則可採用一支撐結構來加強該 能源之建構。請注意一鈦基板可藉由一（臨時）介電層來製 造，其中該基板沈積於該介電層上。在此沈積製程:後可< 去除該介電層。對於該鈦基板之進一步支撐，可採用該電 非傳導支撐結構。藉由減少基板厚度以部分去除該基板從 而提高該能源之能量密度可能是有益的。例如，該能源可 從一厚度為大約500微米之基板轉換至一厚度為大約 10-200微米的基板。爲了執行該基板之此改裝，可應用（已 知的）”基板轉換技術，’。 在一較佳實施例中，該第一電極包括一電子傳導阻障 層，其可被調整以至少大體上阻止插入離子擴散至該基板 中，該阻障層施加到了該基板上。此較佳實施例通常是有 盈的，因爲參與根據本發明之該電化學能源之充電（再充電） 循％的插入離子經常會擴散至該基板内，因此此等離子就 不此再_人參與该等充電（再充電）循環，從而導致該電化學能 I儲存Α里之減j。一般而言’採用一單晶石夕導電基板來 承載電子組件如積體電路、晶片、顯示器等等。此結晶矽 基板就遭受了此缺點，即該等插入離子可相對容易地擴散 至該?板内，從而導致該能源容量之減少。爲此原因，將 阻P早層施加至該基板上以阻止進入該基板之不利的擴散 95669.doc 200529488 大有益處。該阻障層至少大體上可阻止該等插入離子之遷 移，最終將導致透過該基板之此等離子之遷移不再發生， 而透過該基板之電子遷移仍然可以。根據此實施例，再也 不需要將該基板調整以（用於）儲存該等插入離子了。因此， 應用除矽基板以外之電子傳導基板如由金屬、導電聚合物 等等製成之基板亦是可能的。該阻障層至少大體上由如下 化合物中至少一種製成：組、氮化鈕以及氮化欽。然而該 阻障層之材料並不限於此等化合物。此等化合物具有一相 對密集結構之公共特性，該密集結構對於該等插入離子包 括鐘離子而言不可渗透。在一特定的較佳實施例中，該第 一=極進一步包括一插入層，其沈積至與該基板相對之該 阻障層之一側面上。因而該插入層可被調整以儲存（並釋放\ 該等插入離子（臨時地）。根據此實施例，從而該第一電極可 由該基板、該阻障層以及該插入層之一疊片形成。—般而 言，可藉由將該阻障層與該插入層堆疊（沈積）至該基板上而 形成該疊片。然而’在一特定實施例中，該疊片亦可藉由 植入技術而形成，其中例如一結晶石夕基板可採用例如_ 子與氮離子來轟擊’之後該植入基板之溫度升到足夠高以 形成填埋於該原始基板中之物理阻障層。使用離子對該矽 土板進仃„亥轟擊所產生之結果就是’通常將破壞該原始基 板之結晶頂層之晶格，導致一形成該插入層之非晶頂層。 在:較佳實施例中’該插入層至少大體上由石夕、較佳地由 非晶矽製成。一非晶矽層具有突出之特性以儲存(並 母早位體積上相對大量之插入離子，導致一根據本發明之 95669.doc •12- 200529488 “子月匕/原之錯存谷置之提高κ圭地，將該阻障層沈 積口亥基板上。藉由低麼化學氣相沈積（lpcvd)法可將該 阻I1早層與該插入層較佳地沈積至該基板上。

本發：進_步係關於—種具有至少—如此之電化學能源 厂、Γ :核組。该電子模組可由-積體電路(IC)、微晶片、顯 T器等等形成。該電子模組與該電化學能源之組合可用一 早片：非單片方式來建構。在該組合之-單片建構情況 7 -料阻障層較佳地施加於該電子模組與該能源之 間°^ —實_巾，該電子模組與該f化學能源形成-系 :封f(SiP)。該封裝較佳地係非導電的並且形成—前述組 合^容器。這樣，可提供一自律的即用（ready_t〇_use)sip， 在遠SiP中除該電子模組外還提供有_根據本發明之能源。

、本舍明進一步係關於一種具有至少-如此之電化學能源 ，者較佳土也一如此之電子模組之電子裳置。士口此之一電子 破置之貫例為一電動刮鬍刀，其中該電化學能源可作爲例 如備用（或主要）電源而起作用。一電子裝置之另一實例 八并入了 根據本發明之能源）為一包含一微處理器晶 片之所謂”智慧卡”。目前的智慧卡要求一單獨的、容量大 的卡閱讀器來顯示儲存在該卡之晶片上的資訊。但是，有 了一較佳爲撓性之微電池，該智慧卡可包括例如一相對微 小的位於該卡自身上的顯示器螢幕，以使得使用者可容易 地存取儲存於該智慧卡上的資料。 此外本發明係關於一種製造如此之一電化學能源之方 法，該方法包括如下步驟：A)將該固態電解質沈積至該基 95669.doc -13- 200529488 板上’以及B)接著將該第二電極沈積至該基板上。在步驟 A)與步驟B)之應用過程中’較佳地採用如下沈積技術中的 7種：物理氣相沈積（PVD)、化學氣相沈積（CVD)以及原子 氣相沈積（avd)〇pVD之實例錢鑛與雷射燒银，其通常要 求數量級⑽微米之槽溝寬度。CVD之實例有LP_CVD以及 原子層沈積（ALD)。AVD較佳地在相對低壓（大約15〇毫巴 (m b a r)或更低）之情況下進行。此等技術對於熟習此項技術 者而言爲人所熟知，並允許該基板上的一孔徑之數量級 為.> 0 · 5微米。 在-較佳實施例中，該方法具有步驟〇,其包含對該基 板之至少-接觸表面進行圖案化，步驟C)在步驟A)之前執 订如上所述，該基板之一表面之該圖案化增加了該能源 不同組件之每單位體積之接觸表面，從而增加了額 定谷里在只靶例中，可採用一蝕刻技術例如濕化學蝕 刻與乾式姓刻用於圖案化。此等技術之爲人所熟知的實例 有RIE與聚焦離子束（FIB)。 ，該方法之一實施例中，該方法包括一步驟D)，其包㉟ _ 接著將-電子傳導的阻障層與—插人層沈積至該基板上。 步驟D)可在步驟A)之前應用。 【實施方式】 圖1顯示一根據本發明之一電化學能源丨，更特定言之， -根據本發明之一鋰離子叫—微電池之透視圖。該能源 1包括—作爲該能源i之-負電極之石夕基板2。該石夕基板2例 如可由一經常用作1(:之矽晶圓來形成。該基板2可具有一厚 95669.doc -14- 200529488 度為大於20微米，大於100微米乃至大於500微米。在該矽 基板2之一上表面3中，藉由既有蝕刻技術蝕刻了幾個狹縫 此專狹縫4之尺寸可以是任意的。較佳地，一狹縫4之寬 又大、力在2至1 〇彳政米之間，並且該狹縫4之深度大約在1 〇至 Μ米之間。在圖案化的該上表面4上沈積有一固態電解 貝5 4電解質層5具有一厚度大約為㈣米，並較佳地由氮 乳化鐘鱗（LiP〇N)製成。在該LiPON層5上沈積有一正電極 層6，其厚度大約為！微米。該正電極6較佳地由以〜〇2製 成，有可能混合有碳纖維。藉由傳統的沈積技術例如化學 或物理氣相沈積以及原子層沈積，可將該電解質5與該正電 極6沈積至該基板2之該上表面4上。藉由蝕刻該基板2，可 (顯著地）增加位於電極2、6與該電解質5之間的每體積單位 =接觸表面’從而導致該能源增加的（最大化的廊定 谷1與功率密度°視需要可將一銘集電器（圖中未顯示）連接 至該正電極6。如圖所示，該能源1之建構係一相對有效且 簡單之建構，而且製造起來相對簡單。此外，藉由最小化 該電解質之層厚以及最大化該能源i之該等組件2、5、6之 間的相互接觸表面，可使得如圖所示之該能源丨之效能達到 最佳。 圖2顯示一根據本發明之另一電化學能源7之橫截面圖。 該能源7包括-基板8,其作爲該能源7之負電極。該基板8 之-上表面9與一下表面10均被圖案化了。該等圖案係由蝕 刻於該基板8上之空腔丨丨、12所形成。在該上表面與該下 表面1〇上分別沈積有一電解質層13、14。接著在每個電解 95669.doc -15- 200529488 貝層1 3、14之頂部分別沈積有一正電極〗5、】6。每個正電 極15、16各自由一集電器17、18(至少）部分地覆蓋。集電器 17 1 8兩者互相連接（圖中未顯示）。該基板8亦具有一單獨 的集電裔19。在此能源7中所應用之插入機制以及所採用之 該等材料可能發生變化。例如，如圖所示之該能源7可形成 一鋰離子（微）電池或一 NiMH電池。如上所述，對該基板8 之。亥等表面9、1〇進行圖案化以提高該能源7之能量密度。 由於同時還可被用作例如一晶片载體之該基板8被用來儲

存離子，，因而可獲得一能源7之相對有效之建構。 圖3顯示一根據本發明之一單片系統封g(sip)2〇之示意 圖。該Sip包括—電子模組或裝置21以及—連接至其上的根 據本1明之電化學能源22。藉由一阻障層23可將該電子模 組或裝置21與該能源22分開。該電子模組或裝置21與該能 源22均安裝及/或基於相同之單片基板上（圖中未顯示該 能^源22之建構可以是任意的，但是該基板被用作離子的一

(/m Η守）儲存媒體，並因此作爲一電極來使用。該電子模組或 扁置2 1可由例如一顯示器、一晶片、一控制單元等等來形 成。這樣，大量的自律（即用）裝置可以一相對簡單之方式來 形成。 圖4顯示一根據本發明之一替代微電池24特別是一鋰離 子電池之透視圖。該微電池24包括一第一電極乃、一第二 ^極26以及一位於電極25、％之間的固態電解質η。在此 實例中’該第一電極25係一由一堆疊疊片所形成之負電極 25，其中該堆疊疊片由一電子傳導基板28、一 95669.doc -16- 200529488 障層與一插入層30形成。藉由傳統之姓刻技術對該基板 ' 28進仃圖案化，其目的係爲了增加該微電池μ之該等層 25、26、27之間（及之内）的該接觸表面，從而導致一增加之 電池容量。藉由傳統之沈積技術將該阻障層29與該插入層 3〇沈積至該基板28上，其通常採用低壓化學氣相沈積 (LPCVD)法。該基板28可由任何電子傳導材料例如一金屬 或-導電聚合物製成’但是通常由單晶石夕製成。由於該基 板28可應用材料之此種多樣性，該基板可由或者一剛性材 料例如石夕或者一撓性材料例如某些電子傳導聚合物像聚〔φ 炔與聚對苯乙稀（PPV)製成。根據該微電池24之應用可為該 基板28選擇-合適材料。為避免插入之鐘離子過度擴散至 ，石夕基板28之内，因爲此將導致電池效率與電池壽命之顯 著降低，所以施加了該阻障層29。此阻障層29較佳地由包 含组與/或鈦之化合物例如组、氮化组、氮化欽等等形成。 此等化合物均具有—相對低之特定電阻。此等電子傳導層 29具有-相對密集之結構，降低了該等插入鐘離子之渗透 性’因此此等離子就幾乎不能擴散至該基板28内。因此該鑛 第一電極之該插入機制大體上由該插入層3〇來決定，其特 別適合於該等插人㈣子之臨時儲存與釋放。該阻障層Μ 較佳地具有—層厚為2G至⑽奈米之間，更佳為50至10曰〇夺 米之間。該插入層3〇通常切、較佳地由非晶石夕製成。2 插入層30之該層厚較佳為3〇至1〇〇奈米之間，並且更佳為大 約50奈米。肖固態電解㈣較佳地由⑽⑽、^咖3、 〇3、U2W〇4等等形成。該第二正電極26由一 LiC〇〇2化 95669.doc -17- 200529488 合物形成。該第—負電極25連接至一連接器3丨，該連接哭 位於該微電池24之一上表面。視需要，可在該微電池“所 顯示之該疊片之頂部施加一附加層（圖中未顯示）而為該微 電池24提供-保護。在此特定實施例中，該頂部層較佳地 由一等效於該第—電極25之該阻障層29之附加阻障層形 成’其目的係爲了鎖住該微電池24之内的該等插入鐘離 子，其中該等插入離子之遷移自由度受到限制，從而保持 了該微電池24之容量。此不但導致電池效率之提高而且導 致電池壽命之增加。必須清楚本發明決不受限於前述之該 等實施例。在附加請求項之框架之内，多種其他實施例是 可能的，此對於熟習此項技術者而言顯而易見。 【圖式簡單說明】 藉由如下非限制性實例對本發明進行闊述，其中： 圖1顯示—根據本發明之—電化學能源之透視圖。 圖2顯示-根據本發明之另一電化學能源之橫截面圖。 圖3顯示-根據本發明之_單片系統封裝之示意圖。 圖4良、頁不一根據本發明之—替代微電池之透視圖。 【主要元件符號說明】 1 電化學能源 2 矽基板 3 矽基板之上表面 4 狹縫 5 固態電解質 95669.doc 200529488 6 正電極 7 電化學能源 8 基板 9 基板之上表面 10 基板之下表面 11 空腔 12 空腔 13 電解質層 14 電解質層 15 正電極 16 正電極 17 集電器 18 集電器 19 集電器 20 系統封裝（SiP) 21 電子模組或裝置 22 電化學能源 23 阻障層 24 微電池 25 第一電極 26 第二電極

95669.doc •19- 200529488 27 28 29 30 31 固態電解質 電子傳導基板 電子傳導阻障層 插入層 連接器

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Claims (1)

1. 200529488 十、申請專利範圍： [-種電化學能源(1，7, 22)，其包括如下至少一組組件 一第一電極（2, 8)， 第二電極（6, 15, 16)，以及 刀離该第一電極（2，8)與該第二電極（6，15，16)之中 間固態電解質（5, 13, 14)， 其特徵在於該第一電極（2, 8)至少部分地由一導電基板 (2，8)形成，在該基板上沈積有該固態電解質（5，1句 與該第二電極（6, 15, 16)。 2. 3. :據請求項1之電化學能源（1，7, 22)，其特徵在於該電解 、（，3’丨4)與忒第二電極（6，15，16)被施加到至少部分 被圖案化的該基板（2, 8)的一接觸表面（3, 9, 10)。 根據請求項2之電化學能源（1，7, 22)，其特徵在於該接 觸表面（3,9, 10)具有複數個任意形狀之空腔（4, u，12)， A電解質（5, 13, 14)與該第二電極（6, 15, 16)被施加到至 少一部分該等空腔（4, 11，12)之一内表面。 4·㈣請求項3之電化學能源（1，7, 22)，其特徵在於至少一 部分該等空腔（4, 11，12)形成狹縫（4)。 5·根據别述請求項中任意一項之電化學能源（1，7, 22)，其特 欲在於4第_電極（2, 8)與該第二電極（6，Μ，Μ)中的至 少一個電極連接至一集電器（17, 18)。 6·根據請求項！或2之電化學能源（1，7,22)，其特徵在於該基 95669.doc 200529488 板（2’ 8)適合於儲存如下原子中的至少一種原子之離子： Η、Li、Be、Mg、Na及 K。 7·根據明求項丨或2之電化學能源（丨，' 22)，其特徵在於該基 板（2, 8)由如下材料中的至少一種材料製成·· C、Sn、Ge、 Pb及較佳地為摻雜Si。 8.根據明求項之電化學能源& 其特徵在於該固 怨電解質（5, 13, 14)與該第二電極（6, 15, 16)沈積於該基 板（2, 8)之多個側面（9, 1〇)上。 9·根據請求項13戈2之電化學能源〇,7,22)，其特徵在於該基 板（2, 8)至少部分地被一離子阻障層（23)所覆蓋。 1〇·根據請求項15戈2之電化學能源（1，7, 22)，其特徵在於該基 板（2, 8)由一支撐結構所支撐。 η.根據請求項…之電化學能源（1，7,22)，其特徵在於該第 一電極（2, 8)包括一電子傳導阻障層，其可被調整以至少 大體上阻止插入之離子擴散至該基板（2, 8)中，該阻障層 被施加至該基板（2, 8)上。 12. 根據請求項U之電化學能源（1，7,22)，其特徵在於該第一 電極進一步包括一插入層，該插入層沈積至一面對該基 板之該阻障層之側面上。 13. 根據請求項12之電化學能源（1,7,22)，其特徵在於該插入 層至少大體上由石夕’較佳地由非晶石夕製成。 95669.doc 200529488 14·根據請求項11之電化學能源（丨7 22) 1 τ、，/，具特徵在於該阻障 層沈積至該基板上。 15.根據請求項12之電化學能源（1，7,22)，其特徵在於該阻障 層至少大體上由如下化合物中之至少一種製成：鈕、氮 化鈕、鈦以及氮化鈦。 16· —種電子裝置（21)，其具有至少一根據請求項丨_15中任意 一項之電化學能源（1，7, 22)。 17.根據請求項16之電子裝置（21)，其特徵在於該電子裝置由 一積體電路（1C)形成。 18·根據請求項16或17之電子裝置（21)，其特徵在於該電子裝 置與該電化學能源（1，7, 22)形成一系統封裝（Sip)(2〇)。 19 · 一種製造一根據睛求項1 _ 15中任意一項之電化學能源（工， 7, 22)之方法，其包括如下步驟： A) 該固態電解質（5, 13, 14)沈積至該基板（2, 8)上，以及 B) 著將該第二電極（6, 15, 16)沈積至該基板（2, 8)上。 2〇_根據請求項19之方法，其特徵在於該方法具有步驟c)， 其包含對該基板（2，8)之至少一接觸表面（3, 9，1〇)進行圖 案化，其中步驟C)在步驟A)之前應用。 2 1 ·根據晴求項19或2 0之方法，其特徵在於該方法具有步驟 D)，其包括接著將一電子傳導阻障層與一插入層沈積至 該基板（2, 8)上，其中步驟D)在步驟A)之前應用。 95669.doc