TW200529306A - Etching system and de-ion water adding set - Google Patents

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Chang-Kuei Huang
Sheng-Chou Gau
Jung-Lung Huang
Ching-Feng Chen
Chih Hung Huang
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Description

200529306 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種I虫刻系統及用於該I虫刻系統之純水 添加裝置。 【先前技術】 在薄膜電晶體液晶顯示器（Thin-Film Transistor Liquid-Crystal Display，TFT-LCD)前段製程中，對於 氧化銦錫（Indium Tin Oxide， ITO)膜之I虫刻一般使用草 酸作為蝕刻液。蝕刻過程中為保證草酸濃度，需使用一純 水添加裝置定時定量添加純水。另外，一般亦需與反應腔 中通入潔彳爭乾氣體。 請參閱第一圖，為一先前技術之蝕刻系統1，其包括 一蝕刻反應腔1 1、一藥品承裝箱1 2、一藥ά輸送管道1 4、 一純水輸入管道1 3及一位於其上之定時控制器1 3 1。該藥 品承裝箱1 2内承裝液體化學藥品（圖未示），該化學藥品由 泵（圖未示）經藥品輸送管道14進入反應腔11後參與反應。 隨著化學反應進行，反應腔1 1中要排除酸氣，同時水會以 蒸氣形式隨之被帶離，從而使化學藥品濃度升高，該純水 輸入管道1 3即藉由定時控制器1 3 1控制定時補充反應腔1 1 内之水份。該#刻系統1之缺陷在於：該蝕刻系統1反應腔 11中之酸氣易流入下一反應腔，另，前一反應腔中基板表 面殘留之化學藥品亦可帶入下一反應腔，故需另一潔淨乾 氣體輸入管道阻絕酸氣及刮掉停留於基板上之化學藥品。 請參閱第二圖，為另一先前技術之蝕刻系統2，其包 括一蝕刻反應腔2 1、一藥品承裝箱2 2、一藥品輸送管道
第9頁 200529306 五、發明說明（2) 26純水輸入管道23及-位於其上之定時控制 /潔淨乾氣體輸入官道2 4與一位於其上之^ 士 ^ 1 及一主管道25。該蝕刻系統2中主管道25之^末日^控^制器241 流動較強烈，導致钱刻化學藥品之溶解率低 A &伤二氣 帶離’此處會造成蝕刻化學藥品結晶，谁而^當水分子被 作，為解決此問題，該蝕刻系統2由純水輪二響機構動 定時控制器231控制定時輸入水分溶解蛀Γ七&逼23藉由 '、、0 晶之J匕與^ 益 口 〇 違#刻系統2之缺陷在於：該純水輸入瞢 予7Κ 口口 室溫，而反應腔2 1内反應液溫度要高於室^⑻内^之純水為 Α ^ ^ ^ 0 n y,.. 至* /进’室溫純水進 :腔ο後會產生溫度波動，從而影響蝕刻效果。 你用1ί於此，提供可提供熱純水之純水添加裝置及-種 使用。亥純水添加裝置之蝕刻系統實為必兩， 【發明内容】 而。 本發明之目的在於提供一種可使蝕刻系 蝕刻效果較佳之純水添加裝置。 ’、、、、α冓間早 另一目的在於提供-種使用該純水添加裝置之餘 一纯水；力:裝置包括-潔淨乾氣體輸入管道及 道=匕ΐ位；π乾氣體輸入管道及-純水輸人管 t於入二刀位於其上之計時控制器控制；i中，該纯 水輸入官迢一部分經過一加熱器加埶。 =發明之餘刻系統，其包括一反應腔、 純水？加裝置，該反應腔與該承裝箱相連：：二 置包括一淳淨齡枭鱗於入；^>、苦n 〆、、、屯k /，J、、加衣 冰，尹乾轧祖輸入s遑及一純水輪入管道，兩者均
第10頁 200529306 五、發明說明（3) 與反應腔相連；該潔淨乾氣體輪入其 一、、， 之開合分別由位於其上之計時押t = 、、，广㊉入官适 了 ^工制态控制；宜中，兮妯尤 輸入管道一部分經過一加熱器加熱。 /、 〜、、、 與先技術相比，本發明名ψ 添加之純水為熱純水，1溫度鱼^統之純水添加裝置所 近，避免了反應腔内溫度：=反；腔内之反應液溫度相 而得到較佳之㈣效果1^南敍刻反應質量，進 調節反應液濃度及溶解結晶之：：二钱刻系統可用方便 簡化。 < 蝕刻化學樂品，結構上得到 【實施方声】 面-ϊί閱ϊΐ圖，為本發明钱刻系統第-實施方式之平 =思圖。本發明之韻刻系統3包括-反應，腔3卜—承/ 3及：純水添加裝置(未標示），肖反應腔31與承载箱;2 ^過-管細連接，承載箱32内之化學藥品㈣ ί:)，過管道38送入反應腔31。該純水添加裝置包if 乾氣體輸入管道35及一純水輪入管道36 :=37,該潔淨乾氣體輪入管祕及純水輸入㈡ 兩二。刀別由位於其上之什時控制器351、361控制，惟， 不會同時.開啟。該純水輪入管道36一部分經過—加献 :34加#。該加熱器34位於藥品承裝箱以内，亦； =承載箱32外部周圍’其係用於加熱姓刻用液體化學溢 。〇33，該化學藥品33 一般為草酸。 子市 請參閱第四圖，為本發明蝕刻系統第二實施方式之 兩示意圖。本發明之蝕刻系統4包括一反應腔41、—承裝 200529306 、發明說明（4) 箱4 2及一純水添加裝置（未標示）， 通過一管道48連接，承截|g42 Λ > μ反應腔41與承載箱42 疋伐，水载相4 2内之化學玆 未示）通過管道48送入反應腔41。該純水U 一泵（圖 潔淨乾氣體輸入管道45及一純水輪入管道^ °衣置包括一 入反應腔41，該潔淨乾氣體輸入管道“及:者:別連 之開合分別由位於其上之計時控制器451、、 7 :入官這4 6 於樂品承裝箱42内，亦可設置於藥品承載箱4 ;态4位 其係用於加熱㈣践體化學藥品43，該化㈠口周圍’ 為草酸。， 子木叩43 —般 該蝕刻系統3、4之純水添加裝置所添加之純 水’在其流入反應腔31、41之前經加熱器A、44加埶’、、由屯 於該加熱器34、44亦用於加熱化學藥品32、仏，即㈣： ，水=與進入反應腔31、41内之化學藥品33、43温度： 近，避免了反應腔31、4〗内溫度之波動’提高蝕刻反應所 量，進而得到較佳之蝕刻效果，另，本發明之純水添二 統3、4亦可用於調節反應液濃度及溶解蛀a /、 品33、43。 曰之敍刻化學藥 綜上所述.，本發明符合發明專利要件，爰依法提出 利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施方式，兴 凡熟悉本案技藝之人士，在援依本案發明精神所作之等^ 修飾或變化，皆應包含於以下之申請專利範圍内。、>
200529306 圖式簡單說明 第一圖為先前技術蝕刻系統之平面示意圖。 第二圖為另一先前技術蝕刻系統之平面示意圖。 第三圖為本發明蝕刻系統第一實施方式之平面示意圖 第四圖為本發明蝕刻系統第二實施方式之平面示意圖 【元件符號說明】 反應腔 3 1、4 1 化學藥品 3 3、4 3 潔淨乾氣體輸入管道35、45 主管道 蝕刻系統& 定時控制器 37 藥品承裝箱 加熱器 純水輸入管道 藥品輸送管 351 、 361 、 451 、 461
第13頁 32 34 36 38 42 44 46 48 ❿

Claims (1)

  1. 200529306_ 六、申請專利範圍 1 . 一純水添加裝置，其包括： 一潔淨乾氣體輸入管道及一純水輸入管道，該潔淨乾 氣體輸入管道及一純水輸入管道之開合分別由位於其 上之計時控制器控制；其中，該純水輸入管道一部分 經過一加熱器加熱。 2. 如申請專利範圍第1項所述之純水添加裝置，其中該 潔淨乾氣體輸入管道與該純水輸入管道匯合於一主管 道。 3. —钱刻系統，其包括一反應腔、一承裝箱及一純水添 加裝鼻，該反應腔與該承裝箱相連，該純水添加裝置 φ 包括： 二潔淨乾氣體輸入管道及一純水輸入管道，該潔淨 乾氣體輸入管道與該純水輸入管道均與反應腔相 連；該潔淨乾氣體輸入管道及一純水輸入管道之開 合分別由位於其上之計時控制器控制；其中，該純 水輸入管道一部分經過一加熱器加熱。 4. 如申請專利範圍第3項所述之蝕刻系統，其中該潔淨 乾氣體輸入管道與該純水輸入管道匯合於一主管道。 5. 如申請專，利範圍第3項所述之蝕刻系統，其中該加熱 器置於該承裝箱内。 _ 6. 如申請專利範圍第3項所述之钱刻系統，其中該加熱 器置於該承裝箱外部周圍。 7. 如申請專利範圍第3項所述之蝕刻系統，其中該承裝 箱内承裝蝕刻用之液態化學藥品。
    第14頁 200529306
    第15頁
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI427698B (zh) * 2011-01-11 2014-02-21 Gallant Prec Machining Co 連續式之半導體蝕刻設備及蝕刻方法
KR20140089894A (ko) * 2013-01-08 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 기판의 식각 장치 및 이를 이용한 식각 방법
CN111799168A (zh) * 2020-07-16 2020-10-20 上海华力微电子有限公司 湿法刻蚀方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4397708A (en) 1980-09-25 1983-08-09 Koltron Corporation Etching and etchant removal apparatus
TW338713B (en) * 1995-09-06 1998-08-21 Sharp Kk A dishwasher
US20020157686A1 (en) * 1997-05-09 2002-10-31 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
JP3897404B2 (ja) * 1997-07-22 2007-03-22 オメガセミコン電子株式会社 ベーパ乾燥装置及び乾燥方法
US6120614A (en) * 1997-11-14 2000-09-19 Ez Environmental Solutions Corporation Method and apparatus for pressure washing
US6199564B1 (en) * 1998-11-03 2001-03-13 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and apparatus
JP4018958B2 (ja) * 2001-10-30 2007-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4275488B2 (ja) * 2002-10-28 2009-06-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP3971364B2 (ja) * 2002-11-01 2007-09-05 三星電子株式会社 食器洗い機
JP4291034B2 (ja) * 2003-04-25 2009-07-08 大日本スクリーン製造株式会社 洗浄装置および基板処理装置

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