TW200521497A - Color filter substrate and method of manufacturing the same - Google Patents

Description

200521497 九、發明說明： I：發明戶斤屬之技術領域j 本專利申請案係主張於2003年11月05日提申之韓國專 利申請案第2003-77837號，其内容於此併入作為參考。 5 發明背景 發明範圍 本發明係關於彩色濾光片基板及其製造方法，且更特 定地關於能改善顯示品質的彩色濾光片基板。 C先前冬好3 10 i目關技藝之描述 一般而言，一液晶顯示(LCD)裝置包括一陣列基板，其 具有薄膜電晶體(TFTs)排列於其上，一彩色濾光片基板及 一具有均專介電常數的液晶層。LCD裝置施加可控制強度 的電場至設置在陣列基板及彩色濾光片基板間的液晶層用 15 來獲得所欲的影像信號。 一傳統的LCD裝置包括一第一基板，一第二基板，一 液晶層及一分隔器。分隔器維持位於第一基板及第二基板 間的均勻晶胞間隙。需要一反應時間來反應位kLCD裝置 的黑與白間。對比率，觀看角度及亮度均勻度等根據液晶 層的厚度而變動。分隔器可形成為數種不同的型式及外 型，例如珠狀分隔器，柱狀分隔器，傳導分隔器等。一般 而言，珠狀分隔器具有球形外型且包括具有彈性的塑膠材 料。珠狀分隔器隨便地排列在第一基板及第二基板間。晶 胞間隙可藉由增加珠狀分隔器來均勻地維持。然而，珠狀 200521497 分隔器增加的數量擾亂液晶層的排列，且減少LCD裝置的 影像品質。 柱狀分隔杰與第一基板一體成形。當製造第一基板 時，調整柱狀分隔器的位置來避免擾亂液晶層的排列。然 5而，柱狀分隔器需要其他的影像處理(例如黃光微影法），此 會增加製造成本。此外，柱狀分隔器較珠狀分隔器沒有彈 性，且當液晶層的溫度改變時會因此產生氣泡，藉此導致 體積改變。 為了克服如上所述的問題，日本專利案（由Yamada 10 Satoshi發明，名稱為’’LCD裝置及其製造方法，，的第9-292619 號)描述珠狀分隔器與黑矩陣一體成型。除此之外，日本專 利案（由Sugiyama Nobuo發明，名稱為”LCD電-光裝置及其 製造方法”的第5-216048號)揭露光阻器及珠狀分隔器被包 覆且其可擇地藉由黃光微影法步驟來移除以設置珠狀分隔 15 器在一預定的位置上。 揭路的解決方法具有數個缺點。舉例而言，當光的_ 部分通過珠狀分隔器時，黑矩陣的光阻斷特性變壞。因此， 光會漏洩，藉此破壞顯示的對比率及影像品質。 此外，當主基板的尺寸因為第一主基板及第二主基板 20 間沒有成一直線而遞增時，會破壞影像品質。 【發明内容】 發明概f 因此，本發明直接關於彩色濾光片基板及其製造方 法，其實質上能解決由於相關技藝的限制及缺點所產生的 200521497 一個或多個問題。 本發明揭露一彩色濾光片基板，其具有高顯示品質。 本發明提供一彩色濾光片基板及具有此彩色濾光片基板的 液晶顯示裝置，此彩色濾光片基板包括一在光罩區域與黑 5 矩陣排列在一起的粒狀光罩分隔器，其能降低光的漏洩且 增進影像品質。 本發明揭露一與黑矩陣形成在一起的粒狀光罩分隔 器，其能簡化製造過程。本發明的另一態樣為由於分隔器 的彈性而將裝置的外部及内部撞擊減至最小。 10 本發明的其他態樣將定義在下面的描述，且部分將從 描述中即可顯而易見，或由實行本發明時而習得。這些可 由在所寫之描述及其申請專利範圍連同附加之圖式中特別 指出的結構而達成及了解。 應該要了解的是前面的一般描述及下面的詳細描述為 15 典型的及解釋的且意欲提供本發明的進一步解釋如申請專 利範圍。 圖式簡單說明 本發明的上述及其他優點將參照下面詳細的描述連同 伴隨的圖式而變得顯而易見，其中： 20 第1圖為顯示根據本發明第一典型具體實施例之液晶 顯示裝置的平面圖； 第2圖為顯示第1圖之液晶顯示裝置之共用電極的平面 圖； 第3圖為顯示沿著第1圖之線A-A’的橫截面； 200521497 弟 4A，4β， L ’ 4D，4Ε，4F，4G及4Η圖為顯示根據 第—典型具體實施例的橫截面圖； 第5圖為q _ 一 Θ -、頒示根據本發明第二典型具體實施例之液晶 顯示裝置的橫截面圖； 一第6圖為顯示根據本發明第三典型具體實施例之液晶 顯示裝置的平面圖； 第7圖為顯不沿著第6圖之線Β_Β，的橫截面圖； 第8Α ’ 8Β ’ 8C，8D及8Ε圖為顯示根據本發明第三典 型具體實施例的橫戴面圖； 一第9圖為顯不根據本發明第四典型具體實施例之液晶 顯示裝置的橫截面圖； 一第10圖為顯示根據本發明第五典型具體實施例之液晶 顯示裝置的橫截面圖。 【實施方式】 15 主量j月的詳細說明 引證將詳細地作為本發明的具體實施例，其例子將例 示在伴隨的圖式中。 第1圖為顯示根據本發明第一典型具體實施例之液晶 ”、員不裝置的平面圖。第2圖為顯示第1圖之液晶顯示裝置之 共用電極的平面圖。第3圖為顯示沿著第1圖之線A_A，的橫 裁面。 苓照第1，第2及第3圖，一液晶顯示(LCD)裝置包括一 第—基板170，一第二基板18〇，一液晶層丨〇8及一粒狀光-阻斷分隔器110。第一基板17〇包括一上部基板1〇〇，一黑矩 200521497 陣102a，一彩色濾光片l〇4a，一覆佈層105及一共用電極 106a。弟—基板180包括一下部基板120，一薄膜電晶體 (TFT)119, 一源線 118a’，一閘線 118b’，一閘極絕緣層 126， 一鈍化層116，一有機層114，及一像素電極112。第一基板 5 170包括一像素區域140及一光阻斷區域145。 像素區域140為一藉由調整液晶材料之排列而顯示影 像的區域。彩色濾光片l〇4a及共用電極106a設置在像素區 域140。光阻斷區域145為一光被阻斷的區域，因此對應於 光阻斷區域145之液晶的排列沒有被調整。黑矩陣i〇2a排列 10 在光阻斷區域145。 上部基板100及下部基板120包括透明玻璃，為的是光 能被傳輸穿過上部基板100及下部基板120。玻璃一般沒有 鹼金屬離子。如果玻璃包括驗金屬離子，玻璃的驗金屬離 子可溶解在液晶晶胞内。由於液晶的低電阻性。鹼金屬離 15 子會破壞LCD裝置的顯示特性。 黑矩陣102a排列在光阻斷區域145以實際地阻斷光。粒 狀光·阻斷分隔器110可藉由使用黑矩陣1 〇 2 a作為一黏著劑 而黏著至上部基板170。 在此典型具體實施例中，黑矩陣l〇2a包括一具有黑色 20 顏料等的光阻材料。此外，黑矩陣l〇2a可另包括聚碳酸酯 等。 粒狀光-阻斷分隔器110設置在形成於上部基板1〇〇上 的黑矩陣102a上。粒狀光-阻斷分隔器110均勻地維持位於 第一基板170及第二基板180間的晶胞間隙。 200521497 粒狀光、阻斷分隔器11〇可形成為數種不同的幾何構 开y例如球形、立方體形及似多面體等。此外，粒狀光_ 阻斷分隔HUG可包括_具有球形的珠狀分隔器。 粒狀光、阻斷分隔器110可包括一具有黑色顏料的人造 5樹脂。此外，粒狀光-阻斷分隔器11〇可另包括一黑色粒子。 人造樹脂包括一具有彈性熱塑性或熱固性樹脂，以便於吸 收在裝置内的外部和/或内部撞擊。 粒狀光-阻斷分隔器110的橫截面區域可定在低於黑矩 陣102a的橫截面區域約百分之2〇。在此例中，粒狀光_阻斷 10分隔器110的横截面區域可大於黑矩陣l〇2a的橫截面區域 約百分之20，粒狀光-阻斷分隔器u〇可變成彼此重疊導致 晶胞間隙的不均勻。除此之外，粒狀光-阻斷分隔器11〇的 橫截面區域可在黑矩陣102a的橫截面區域下方約百分之 10 ° 15 粒狀光-阻斷分隔器110及黑矩陣的寬度比率大約在1:3 至1:6的範圍内。然而，當寬度比率大於1:3且液晶靠近粒狀 光-阻斷分隔器110的傾斜很淺時，黑矩陣l〇2a不會阻斷通 過淺地傾斜之液晶的光，且因此降低裝置的影像品質。除 此之外，當寬度比率在約1:6上時，阻斷光的區域變的太寬 20 且降低開口率。舉例而言，當粒狀光-阻斷分隔器11〇的寬 度為ΙΟμιη且寬度比率為1:3時，黑矩陣l〇2a的寬度為 30μπι。然而，當粒狀光-阻斷分隔器110的寬度為1〇μιη且寬 度比率為1:6時，黑矩陣102a的寬度為60μηι。因此，當寬度 比率增加時，黑矩陣的寬度也增加，藉此降低開口率。在 10 200521497 此具體實施例中，開口率定在1:5。 除此之外，粒狀光-阻斷分隔器110的寬度可形成在約6 至ΙΟμιη的範圍内，且黑矩陣102a的寬度可形成在27至30μηι 的範圍内。 5 彩色濾光片l〇4a可擇地傳輸一預定波長的光且形成在 具有黑矩陣102a及粒狀光-阻斷分隔器110形成於上的上部 基板100上。 覆佈層105排列在上部基板100上以降低由黑矩陣 102a、彩色濾光片i〇4a及部分地從粒狀光-阻段分隔件11〇 10 凸出所造成的階級差。覆佈層1〇5可包括一透明材料的有機 層0 共用電極106a排列在覆佈層1〇5上。共用電極1〇6a包括 一透明傳導材料。透明傳導材料可以是銦錫氧化物(ITO)， 銦鋅氧化物(IZO)，鋅氧化物(z〇)等。 共用電極106a不連續地在光阻斷區域145為的是避免 在共用電極106a及像素電極112間的短路，其係由於上部基 板Π0及下部基板180間沒有排成一線所造成。舉例而言， 共用電極106&可部分地開啟向上以暴錄狀光_阻斷分 器 110 〇 茶照第2圖 共用電極106a包括一 外 匕符一偶，具連接數個 ^的像素像錢域電極128及鄰近於像素區域 ^外’在另—典型具體實施例中共用電極⑽ 成為貫質上與排列在 ^ 非夕j在弟一基板180之有機層114上的像素電 11 200521497 極112平行。 形成在下部基板120上的TFT119包括一源極118a，一問 極118b，一汲極118c及一半導體層圖案in。驅動電路(未顯 示）經由一源線118a’輸出一數據電壓至源極U8a，且經由閘 5 線118b’輸出一可擇信號至閘極118b。 半導體層圖案117排列在閘極絕緣層126上。當可擇信 、 號施加至閘極118b時，一電流經由半導體層圖案H7流動在 ‘ 源極118a及汲極118c間。

一儲存電容器（未顯示）形成在下部基板12〇上且維持位 H 10 於共用電極l〇6a及像素電極112間的電位差。儲存電容哭 (未顯示）可從一端部閘極方法和絕緣線方法來形成。 閘極絕緣層126排列在包括閘極丨丨扑及閘線n8b，的下 部基板120上。因此，閘極118b及間線丨丨扑，與源極丨丨％及汲 極118说緣。閘極絕緣層126可包括數個不同的絕緣材料， 15 例如氮化矽（SiNx)等。 純化層m排列在包括TFT119的下部基板12〇上。純化 層116包括-部分地暴露汲極⑽的開口（例如經由一孔 · 洞）。純化層n6可包括-絕緣材料，例如^㈣(siNx)等。 有機層H4排列在鈍化層116上，其包括一孔洞以部分 ； 20地暴露沒極U8c。鈍化層116及有機層114與Tmi9及像素 電極m絕緣。液晶層⑽的厚度藉由調整有機層ιΐ4的賴 來調整。此外’有機層m實質上將下部基板12〇的表面平 坦化。亦即，其實質上將TFT119，源線ma，，問線靡， 等的不同高度平坦化。在此典型具體實施例中，可形成有 12 200521497 機層i Η以具有數個不同的晶胞間隙。舉例而言，有機層丄i4 的上表面可具有數個凹洞及數個凸出部，藉此產生數曰個不 同的晶胞間隙。 形成在像素區域14〇的像素電極lu經由有機層⑴及 5純化層116的開Π(例如，經由孔洞）電氣地連接至沒極 118c。光傳輸可藉由變動施加在像素電極112及共用電極 106a間的電壓來調整，藉此控制在液晶層1〇8的液晶。像素 · 電極H2包含透明傳導材料。舉例而言，像素電極iu可由 銦錫氧化物(ITO)，銦鋅氧化物(IZO)，鋅氧化物(z〇)等形 · 10成。在此典型具體實施例中，一反射電極（未顯示）反射外部 光且部分地排列在有機層114和/或像素電極112上。可擇 地，像素電極112可排列在有機層ι14及鈍化層116間。 驅動電路（未顯示）經由TFT119提供一數據電壓至像素 電極112，藉此形成一電場在共用電極106a及像素電極112 15 間。 液晶層105可排列在第一基板170及第二基板180間且 藉由一密封劑（未顯示）來密封。在液晶層108的液晶可以垂 · 直對準(VA)模組，扭轉向列（TN)模組，或同質模組排列。 用來對準液晶的對準層（未顯示）設置在第一基板170及 ： 20 苐一基板180的表面上。一摩擦方法可被用在對準層的表面 上，例如在相同的方向作為對準程序的一部分。 第4A，4B，4C，4D，4E，4F，4G及4H圖為顯示根據 本發明第一典型具體實施例的橫截面圖。更特定地，第4A， 4B，4C，4D，4E，4F，4G及4H圖表示用來形成根據第一 13 200521497 典型具體實施例之彩色濾光片基板的中間處理步驟。 參照第4A圖，上部基板1〇〇被分隔為像素區域14〇及光 阻斷區域145。此外，像素區域14〇為影像將被顯示的地方， 且光阻斷區域145為光被阻斷的地方。 5 參照第48圖，一包括粒狀光-阻斷分隔件110的黑色光 阻物形成在上部基板100上。舉例而言，黑色光阻物經由狹 縫覆怖過程，旋覆過程等來形成。在此典型具體實施例中， 黑色光阻物經由狹縫覆怖過程而被覆佈。更特定地，粒狀 光·阻斷分隔器110及黑色光阻物的混合物以一實質上均勻 10的厚度穿過一狹縫被射出在上部基板100上。接著，粒狀光 阻斷刀為110排列在具有黑色光阻物的上部基板1 上。在此典型具體實施例中，黑色光阻物可以是正光阻物 或負光阻物。亦即，在顯影過程後，正光阻物被移除在光 阻物被暴露的地方，或在顯影過程後，負光阻物仍存在於 15 光阻物暴露的地方。 “參照第4C圖，被覆佈的粒狀光_阻斷分隔器11〇及黑色 光阻物使用一光罩（未顯示）暴露於紫外線光。由於粒狀光· 阻斷分隔器Π0可阻斷光，紫外線光被反射在相對於光阻物 Μ被覆佈之-側的側面上。光罩（未顯示）包括一不能傳輸紫外 2〇線光的不透明部及一傳輸紫外線光的透明部。光罩的不透 明部排列為對應於光阻斷區域145且透明部排列為對應於 像素區域140。 當使用一正黑色光阻物時，分子連結物破裂在紫外線 光照射的部分，藉此降低黑色光阻物之分子在此部分的數 200521497 量。亦即，黑色光阻物的分子連結物在像素區域140破裂。 黑色光阻物在光阻斷區域145(亦即在紫外線光沒有傳輸的 區域)維持其分子連結物為一聚合物。 被暴露的粒狀光-阻斷分隔器110及黑色光阻物被顯 5影。具有降低分子之黑色光阻物的部分及粒狀光-阻斷分隔 區域110被移除在像素區域14〇。因此，粒狀光_阻斷分隔器 110仍在光阻斷區域145及黑矩陣102a區域。 麥照第40圖，在形成黑矩陣102a及粒狀光-阻斷分隔器 110後，一彩色濾光片104a形成於其中。彩色濾光片l〇4a可 1〇擇地傳輸一預定波長的光。接下來，彩色濾光片l〇4a覆佈 —包括顏料的光阻物，且光阻物被暴露，顯影及被用來將 ^色滤光片l〇4a形成為一所欲的圖案。可擇地，黑矩陣i〇2a 及粒狀光-阻斷分隔器110可形成在彩色濾光片104a之後。 參照第4E圖’一透明有機材料形成在上部基板100上， 15藉此形成覆佈層1〇5。覆佈層105降低由彩色濾光片104a及 黑矩陣102a所造成的階級差。除此之外，覆佈層105被形成 為讓粒狀光-阻斷分隔器110的部分從覆佈層105凸出。 參照第4F圖，一透明傳導材料形成在覆佈層105上。對 應於光阻斷區域的透明傳導材料經由黃光微影法被移除以 2〇將一共用電極l〇6a形成為一預定的圖案。舉例而言，將共 用電極106a形成為包括一橋129(未顯示在第4F圖），其連接 數個在像素區域丨4〇的像素區域電極且調整像素區域電 極。因此，第一基板包括上部基板1〇〇，黑矩陣1〇2，粒狀 光-阻斷分隔器110，彩色濾光片104a，覆佈層1〇5及共用電 15 200521497 極106a 〇 參照第4G圖’ 一傳導材料沉積在下部基板i2〇上。傳導 材料被部分地移除（例如蝕刻）以形成閘極118b及閘線 118b’。此外，閘極絕緣層126設置在包括閘極118|3及閘線 5 U8b’的下部基板120上。閘極絕緣層126包括一透明絕緣材 料。舉例而言，閘極絕緣層126包括氮化矽等。

一非晶形矽層及一塗膠非晶形矽層，例如N+非晶形矽 層形成在下部基板120上且被圖案化(例如蝕刻）以形成半導 體層117在對應於閘極118b的閘極絕緣層126上。傳導材料 〇 ’儿積在閘極絕緣層126上，其中半導體層117形成於上。傳 導材料被圖案化及蝕刻以形成源極n8a，源線118a，及汲極 〇因此，TFT119包括源極118a，閘極118b，汲極118C 及半導體層117。 15 一透明絕緣材料沉積在下部基板120上且形成為鈍化

:、透月絕緣材料包括，例如氮化石夕等。接著，鈍化層被 卩刀地移除以形成—開σ，藉此暴露沒極118c的-部分。 開°可形成在有機層1M的形成之後。 、 有機層藉由形成一有機材料在鈍化層116上方而形 2〇形有機材料可包括一光阻材料。有機層被暴露及顯影以 形成有機層114，其中汲極118(：經由此層被部分地暴露。 5 (未頒示）及凸出部（未顯示）可形成在有機層η#的上表 面上。 透明傳導材料沉積在有機層114及鈍化層116上。透 明傳導材料可七 竹』包括至少一銦錫氧化物（IT0)，銦鋅氧化物 16 200521497 (IZO)，氧化鋅等。透明傳導材料部分地被姓刻以形成像素 電極112在像素區域140。可擇地，一反射電極(未顯示）可形 成在有機層114及像素電極112上。 因此，第二基板180包括下部基板120，TFT119，源線 5 ，閘線U8b’，有機層114及像素電極112。 參照第4H圖，第一基板170及第二基板180彼此結合。 液晶層10 8藉由注入液晶在第一基板17 0及第二基板18 〇間 且以密封劑（未顯示）來密封。可擇地，液晶層108可藉由將 液晶滴在第一基板170或第二基板180上而形成，其中密封 10劑（未顯示）形成於基板上且結合第一基板170及第二基板 180 ° 包括一不透明材料的粒狀光-阻斷分隔器110與在光阻 斷區域145的黑矩陣i〇2a設置在一起，藉此降低光的漏洩且 增進顯示品質。當粒狀光·阻斷分隔器110及黑矩陣102a可 15經由一過程形成時，其簡化LCD裝置的製造過程。此外， 粒狀光-阻斷分隔器110可由於其的彈性而吸收LCD裝置的 内部或外部撞擊。 第5圖為顯示根據本發明第二典型具體實施例之液晶 顯不裝置的橫戴面圖。在第5圖，相同的參照數字表示相同 20於第1圖的元件，且這些元件的詳細描述將不再重覆。 參照第5圖，第一基板no包括一上部基板1〇〇，一黑矩 陣102a’ 一覆佈層105及一共用電極l〇6a。第二基板180包 括一下部基板120, 一TFT119, 一源線118a，，一閘線118b，(未 顯不一閘極絕緣層126，一鈍化層116，一彩色濾光片 17 200521497 104b，一有機層114及一像素電極112。TFT119包括一源極 118a，一閘極118b，一汲極118c及一半導體圖案化層ip。 在此具體實施例中，彩色濾光片104b排列在鈍化層ι16 及有機層114間。彩色濾光片i〇4b可設置在有機層114及純 5 化層116間。可擇地，彩色濾光片l〇4b可排列在像素電極112 及有機層114間。另外，若有機層114沒有形成，則彩色濾 光片104a排列在像素電極112及鈍化層116間。 藉由設置彩色滅光片104b在純化層116及有機層114 間，會造成第一基板170及第二基板180間沒有排成一直 10 線。然而，彩色濾光片l〇4b及像素電極112的排列仍維持一 直線。這是因為彩色濾光片104b與像素電極112—起形成在 第二基板180上，且因此，彩色濾光片l〇4b及像素電極112 的位置獨立於第一基板170的位置。 第6圖為顯示根據本發明第三典型具體實施例之液晶 15 顯示裝置的平面圖。第7圖為顯示沿著第6圖之線B-B，的橫 截面圖。在第6及第7圖，相同的參照數字表示相同於第1圖 的元件，且這些元件的詳細描述將不再重覆。 參照第6及第7圖，第一基板170包括一上部基板1〇〇， 一覆佈層105及一共用電極106b。第二基板180包括一下部 20 基板 120，一TFT119，一源線 118a，，一閘線 118b，，一閘極 絕緣層126，一純化層116，一黑矩陣l〇2b，一有機層114及 一像素電極112。 彩色濾光片104a形成在上部基板1〇〇上以可擇地傳輸 一預定波長的光。覆佈層105設置在上部基板1〇〇上，其中 200521497 彩色濾光片l〇4a設置於其上，藉此降低位於彩色濾光片 104a及上部基板100間的階級差。共用電極1〇6b設置在覆佈 層105上方。 黑矩陣102b設置在對應於光阻斷區域145的鈍化層116 5上以便於阻斷光。粒狀光-阻斷分隔器110經由黑矩陣l〇2b 鳞 及有機層114而附加至下部基板12〇上。 、 有機層114設置在鈍化層116上方且包括一孔洞，其中 · 沒極經由此孔洞被部分地暴露。純化層116及有機層114將 TFT119與像素電極112絕緣。此外，液晶層108的厚度藉由 _ 10 有機層114及粒狀剛-阻斷分隔器11〇調整。 第8A，8B，8C，8D及8E圖為顯示根據本發明第三典 型具體實施例的橫截面圖。更特定地，第8A，8B，8C，8D 及8E圖表示用來形成根據第三典型具體實施例之彩色濾光 片基板的中間過程。 15 參照第8A圖，像素電極140為影像顯示的地方且阻斷區 域145阻斷光。彩色濾光片l〇4a藉由將已形成之彩色濾光層 的一部分圖案化而形成在像素區域14〇。一透明有機材料形 · 成在彩色濾光片104a上以形成一覆佈層1 〇5。一透明傳導材 料形成在覆佈層105上方，藉此形成一共用電極1〇61)。因 ： 20此，第一基板丨7〇包括上部基板1〇〇，彩色濾光片i〇4a，覆 ： 佈層105及共用電極l〇6b。 參照第8B圖，TFT119形成在下部基板12〇上。一鈍化 層116藉由形成一透明絕緣材料而形成在下部基板上。除此 之外，鈍化層116的一部分部分地被移除，為的是部分地暴 19 200521497 露汲極118c。因此，TFT119包括一源極118a，一閘極118b， 一汲極118c及一半導體圖案化層ln。 參照第8C圖，包括粒狀光-阻斷分隔器11〇的黑色光阻 物形成在鈍化層116上方。粒狀光_阻斷分隔器11〇及黑色光 5阻物可經由一狹縫覆佈過程，一旋轉塗佈過程等而被覆 佈。粒狀光-阻斷分隔器110經由黑色光阻物附加至鈍化層 116 上。 被覆佈的粒狀光-阻斷分隔器110及黑色光阻物被暴露 至紫外線光下且被顯影及圖案化，以致於粒狀光_阻斷分隔 10态11 〇及黑矩陣1 〇2b排列在純化層116對應於光阻斷區域 145的區域上。 參照第8D圖，具有一開口的有機層114形成在鈍化層 116上，沒極118c經由此開口而被部分地暴露。除此之外， 粒狀光-阻斷分隔器110及黑矩陣102b形成在鈍化層116上。 15 透明傳導材料形成在有機層114及鈍化層116上。透明 傳導材料經由一黃光微影法被部分地蝕刻，藉此形成一像 素電極112在像素區域140。 因此，第二基板180包括下部基板120，TFT119，源線 118a’，閘線118b’（未顯示），有機層114，黑矩陣l〇2b及像素 20 電極112。 參照第8E圖，第一基板170及第二基板180彼此結合且 一液晶層108被放入在第一基板170及第二基板180間。當黑 矩陣102b設置在鈍化層116上方時，可省略部分地移除對應 於光阻斷區域145之共用電極106b的過程。這可避免共用電 200521497 極106b與像素電極112短路，即使當第一基板170及第二基 板180沒有排成一線時。 第9圖為顯示根據本發明第四典塑具體實施例之液晶 顯示裝置的橫截面圖。在第9圖，相同的參照數字表示相同 5 於第6及第7圖的元件，且這些元件的詳細描述將不再重覆。 參照第9圖，第一基板170包括一上部基板1〇〇，覆佈層 105及共用電極l〇6b。第二基板180包括下部基板120， TFT119，源線118a’，閘線118b’(未顯示），閘極絕緣層126， 鈍化層116，彩色濾光片l〇4b，黑矩陣l〇2b，有機層114及 1〇 像素電極112。 在此具體實施例中，彩色濾光片l〇4b排列在有機層114 及像素電極112間。可擇地，彩色濾光片104b可排列在鈍化 層116及有機層114間。除此之外，有機層114可完全地從此 裝置中省略。 15 參照第9圖，彩色濾光片104b排列在鈍化層116及有機 層114間，且黑矩陣l〇2b排列在鈍化層116上。因此，可省 略用來部分地移除對應於光阻斷區域145之共用電極1 〇6b 的過程。雖然第一基板170及第二基板18〇彼此沒有排成一 線，彩色濾光片l〇4b及像素電極112仍維持成一直線，避免 20 共用電極l〇6b及像素電極112短路。 第10圖為顯示根據本發明第五典型具體實施例之液晶 顯示裝置的橫截面圖。在第10圖中，相同的參照數字表示 相同於第6及第7圖的元件，且這些元件的詳細描述將不再 重覆。 21 200521497 參照第10圖，第一基板170包括上部基板loo及共用電 極106b。第二基板180包括下部基板120，TFT119，源線 118a’，閘線118b’(未顯示），閘極絕緣層126，鈍化層116， 彩色濾光片l〇4b，黑矩陣102b，有機層114及像素電極112。 5 彩色濾光片l〇4b排列在鈍化層116及有機層114間，且 黑矩陣102b設置在鈍化層116上，藉此降低位於上部基板 100上的階級差。 ’ 共用電極106b排列在上部基板1〇〇上。通常形成在其它 典型具體實施例的覆佈層1〇5(未顯示）沒有形成在共用電極 · 10 106b及上部基板1〇〇間。覆佈層的省略可降低LCD裝置的製 造成本。 根據本發明的一態樣，粒狀光-阻斷分隔器與黑矩陣一 起排列在光阻斷區域，藉此降低光的漏洩且增進顯示的影 像品質。除此之外，粒狀光_阻斷分隔器11〇及黑矩陣1〇仏 15可經由一凹洞形成在一起，藉此簡化製造過程。除此之外， 粒狀光-阻斷分隔器的彈性及粒狀光_阻斷分隔器可吸收裝 置的外部及/或内部撞擊。此外，當彩色滤光片排列在献 · 層及有機層間時，可維持將彩色滤光片及像素電極排成— 直線’即使在第-基板及第二基板間可能發生沒有排成一 ： 20 直線。 _ 此外，黑矩陣設置在鈍化層上以排除用來部分地移除 對應於光阻斷區域之共用電極的過程。雖然第一基板及第 -基板彼此沒有排成_直線，其也避免位於共用電極及像 素電極間的短路且可省略覆佈層。 22 200521497 存多可擇地修正及變動在前述的光中對於熟知此技藝 者而言為顯而易見的。即大凡依本發明申請專利範圍 及發明說明書内容所作之簡單的等效變化與修飾， 皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍内。 5 【圖式簡單說明】 第1圖為顯示根據本發明第一典型具體實施例之液晶 顯示裝置的平面圖； 第2圖為顯示第！圖之液晶顯示裝置之共用電極的平面 10 圖； 第3圖為顯示沿著第！圖之線A_A，的橫截面； 第4A ’ 4B ’ 4C，4D，4E，4F，4G及4H圖為顯示根據 本發明第一典型具體實施例的橫截面圖； 第5圖為顯不根據本發明第二典型具體實施例之液晶 15顯示裝置的橫截面圖； 第6圖為顯不根據本發明第三典型具體實施例之液晶 顯示裝置的平面圖； 第7圖為顯示沿著第6圖之線B_B，的橫截面圖； 第8A ’ 8B ’ 8C，8D及8E圖為顯示根據本發明第三典 20型具體實施例的橫戴面圖； 第9圖為顯不根據本發明第四典型具體實施例之液晶 顯示裝置的橫截面圖； 第10圖為顯不根據本發明第五典型具體實施例之液晶 顯示裝置的橫截面圖。 200521497 【主要元件符號說明】 100 上部基板 102a 黑矩陣 102b 黑矩陣 104a 彩色濾光片 104b 彩色濾光片 105 覆佈層 5 106a 共用電極 106b 共用電極 108 液晶層 110 粒狀光阻斷分隔器 112 像素電極 114 有機層 116 鈍化層 117 半導體圖案層 118a 源極 10 118a， 源線 118b 閘極 118b， 閘線 118c >及極 119 薄膜電晶體 120 下部基板 126 閘極絕緣層 128 像素區域電極 129 橋 140 像素區域 15 145 光阻斷區域 170 第一基板 180 苐二基板

Claims (1)

1. 200521497 十、申請專利範圍： 1. 一種液晶顯示器，其包含： 一第一基板，其被分隔為一顯示區域及一光阻斷區 域； 5 一第二基板，其相對於該第一基板配置； 一彩色濾光片，其被形成在實質上位於該第一基板 上的顯示區域中；及 一黑矩陣，其被形成在實質上位於該第一基板上的 光阻斷區域中，其中該黑矩陣被接合至一粒狀光-阻斷分隔 10 器，該粒狀光-阻斷分隔器包含一彈性材料，以吸收該液晶 顯示裝置的撞擊。 2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，其中該黑矩陣 藉由旋覆法而形成。 3. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，另包含： 15 一覆佈層，其被形成在該彩色濾光片及該黑矩陣 上；及 一共用電極，其形成在該覆佈層上。 4. 如申請專利範圍第3項之液晶顯示器，其中該覆佈層 被形成在該粒狀光-阻斷分隔器之一部分的周圍。 20 5.如申請專利範圍第3項之液晶顯示器，其中該粒狀光 -阻斷分隔器的一部分被形成在該彩色濾光片間。 6.如申請專利範圍第3項之液晶顯示器，另包含： 一薄膜電晶體，其被形成在該第二基板上； 一閘線，其被形成在被連接至該薄膜電晶體的下部 200521497 基板上； 一源線，其被形成在該下部基板上，以覆蓋被連接 至該薄膜電晶體之閘線的一部分；及 一汲線，其被形成在被連接至該薄膜電晶體的下部 5 基板上。 7. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示器，另包含一被連 接至該汲線的像素電極。 8. —種彩色濾光片，其包含： 一彩色濾光層，其被形成在一第一基板上； 10 一黑矩陣，其形成在實質上位於該第一基板上的光 阻斷區域中； 一光-阻斷分隔器，其包含一彈性，其中該黑矩陣 被接合至該光阻斷分隔器。 9. 如申請專利範圍第8項之彩色濾光片，其中該光-阻 15 斷分隔器從該彩色濾光層凸出。 10. 如申請專利範圍第8項之彩色濾光片，其中該黑矩 陣被形成在一閘線的一部分上。 11. 如申請專利範圍第8項之彩色濾光片，其中該彩色 濾光層被形成在一覆佈層間，且直接地位於該第一基板上。 20 12.如申請專利範圍第8項之彩色濾光片，其中該光- 阻斷分隔器直接地與一共用電極接觸。 13.如申請專利範圍第8項之彩色濾光片，其中該光-阻斷分隔器具有一幾何構形，該幾何構形係選自於由粒 狀、球形、立方體形及似多面體形所構成的群組中。