TW200413768A - Method for manufacturing a substrate for a display panel - Google Patents

Description

200413768 玫、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種例如液晶顯示面板的製造所使用的顯 不面板用基板製造方法，特別是有關一種適用於積層以不 同的大小形成有複數個開口之有機絕緣膜的光透過性基板 的顯示面板用基板製造方法。 土 【先前技術】 液晶顯示裝置係應用在如個人電腦、電視、文字處理機、 行動電話之機器。另外，對於這種機器有在小型化、省電 力化、低成本化等更高功能化之期望。為了滿足上述期望， 正研發-種使用周目光料光源之反射型;夜晶顯示裝置、 ，并用月光及周圍光作為光源之半透過型液晶顯示裝置。 例如半透過型液晶顯示裝置係與透過型一樣具有液晶 層挾持於陣列基板及對向基板間的構造之顯示面板。一 般，陣列基板係包含以矩陣狀配置的複數個像素電極及與 上述像素電極連接的複數個開關元件，對向基板係包含與 複數個像素電極相對向的單一之對向電極。在此，各像素 電極係例如具有被反射電極部及該反射電極部包圍的光透 過®所形成的透過電極部。反射電極部係使從對向基板側 介以液晶層入射之周圍光反射作為反射光，透過電極部係 使從陣列基板側入射之背光透過作為透過光。在這種方式 中’藉由將在透過電極部上使液晶層的厚度約成為反射電 極部上的厚度2倍之高低差設置在反射電極部及透過電極 部間’最適化與反射光及透過光相對的光學條件，同時可

〇 \9〇\9〇|95 DOC 200413768 降低反射率及透過率之損失。 、在陣列基板的製造中，以薄膜電晶體作為開關元件形成 於玻璃基板等透明絕緣美 基板上之後覆盍開關元件形成有 /巴、杨，更選擇性圖案化以獲得成為收容透過電極部之 弟1開口及開關元件之接觸孔的第2開口。第丄及第2開口係 使:如圖22所示之平面圖案的光罩曝光有機絕緣膜，並藉 由廷擇性除去該曝光部分之微影處理所形成。在該處理 後，^例如以覆蓋由IT0構成的透明導電膜、有機絕緣膜、第 藉 以 在 反 及第2開口之方式進行濺鍍，更圖案化像素電極形狀 此，使透明導電膜在第2開口内與開關元件接合。然後 覆重透月‘包膜之方式濺錢由金屬構成的反射導電膜 第1開口内圖案化成使透明導電膜露出之反射電極形狀〜 射電極部係在第1開口的周圍上藉由覆蓋透明導電膜之反 射導電膜而獲得，透過電極部藉由在第丨開口内所露出的透 明導電膜而獲得。因而，透過電極部與反射電極部之高低 差大致依存於有機絕緣膜的厚度而設定。 然而，成為接觸孔的第2開口比收容透過電極部的第i開 口小。因此’在使用圖22所示的光罩之有機絕緣膜的曝光 中，第2開口用的曝光部分之曝光量容易不足。為獲得確實 貫通有機絕緣膜的接觸孔而增大光源光的光量時，入射至 第1開口用的曝光部分之光的光量增大至所需量以上，可忽 視載置以有機絕緣膜覆蓋透明絕緣基板上之開關元件的段 階之陣列基板的曝光機載置台之表面狀態的影響。亦即， 曝光機載置台係設置有多數個用以抬起陣列基板的銷插入

〇 \90\90|95 DOC 200413768 孔或用以吸附陣列基板的真空孔等。在未存在有這種銷插 入孔或真空孔之情況下，如圖23所示，藉由透過陣列基板 在曝光機載置台表面反射的光雙重曝光有機絕緣膜。結 果’第1開口以圖24所示的尺寸L1形成。相對於此，在存在 有這種銷插入孔或真空孔之情況下，如圖25所示，由於透 過陣列基板的光未在曝光機載置台表面反射，故如圖26所 示，第1開口以小於尺寸L1之尺寸L2形成。這種第1開口的 大小之偏差分佈在反射光形成的顯示晝像反映為載置台痕 跡斑點，使顯示品質明顯降低。 該載置台痕跡斑點雖可藉由抑制透過光罩之透過光的光 量之增大而降低，惟難以以高的信賴性形成接觸孔，亦將 導致因接觸孔不良引起的顯示畫面内之點缺陷增加的問 題。饭设若預先設定接觸孔的大小，則雖不需要明顯增加 光源光的光量，但隨之而來由於減少反射電極部之有效面 積’因此無法維持高的反射率。 【發明内容】 本發明係用以改善這種不良狀況者，目的在於提供一種 不會增加點缺陷而可獲得沒有斑點的良好顯示品質之顯示 面板用基板製造方法。 根據本發明，係提供一種顯示面板用基板製造方法，其 係包含有以下步驟··在光透過性基板上形成有機絕緣膜之 成膜步驟及以第1開口及小於上述第丨開口之第2開口貫通 上述有機絕緣膜而形成之方式，圖案化有機絕緣膜之圖案 化步驟，圖案化步驟係包含微影處理，該微影處理係在第1

0 \90\90I95 DOC -8 - 200413768 開口用的光透過區域上使用設定平均光 開口用的光透過區域之光罩，並選擇性曝光有機成絕低緣膜弟 以除去該曝光部分。 使第1開口的大小沒有明顯的偏差分佈。藉此 在該製造方法中，光透過性基板上的有機絕緣膜u為了 第1開口及比第i開口小的第2開口，而選擇性地曝光。 4是因為在第丨開口用的光透過區域上使用設定平均光透 過率低於第2開口用的光透過區域之光罩而進行，因此利用 平均光透過率之差，分別最適化第^用的曝光量鱼第2 開口用的曝光量。此時’第2開口以確實貫通有機絕緣膜而 形成的方式使光源的光量增大，使來自該光源的光在光透 過區域上比光透過區域弱’並照射於有機絕緣臈。因而， 即使該照射光透過光透過性基板到達載置其之曝光機載置 台，根據依存於曝光機載置台的表面狀態之反射的有無， 不會增加點 缺陷’可獲得良好的顯示品質。 【實施方式】 以下，參照添附圖面說明有關本發明之 奋A ^ 月 < 一貫施形態的半 透過型液晶顯示裝置。 圖1係該半透過型液晶顯示裝置的概略恭 私路構造，圖2係 圖1所示的顯示像素附近的平面構造圖， ^圖3係圖2所示的顯 示像素附近的剖面構造圖。該液晶顯示裝罢l 只下表置如圖1所示，具 有控制液晶顯示面板1及該液晶顯示面把> ’、 田扳1之液晶控制器 2。液晶顯示面板1係具有例如將液晶層l q保持在陣列基板 AR及對向基板CT間之構造，液晶控制器2係配置於與^晶

O:\90\90195 DOC 200413768 顯示面板1獨立的驅動電路基板上。 陣列基板ARi丁、包含以下構件：以矩陣狀配置的似〇個像 素電極ΡΕ ;&著上述像素電極ρΕ之列所形成的㈤條掃描線 Y(Y1至Ym)·’沿著上述像素電極pE之行所形成的n條信號線 Χ(Χ1至Χη),为別配置在信號線xlsXn及掃描線至丫㈤ 的交又位置附近之mxn個像素開關元件3;驅動掃描線幻至 Ym的掃描線驅動電路4;以及驅動信號線幻至义11的信號線 驅動電路5。各像素電極⑽例如設定為u〇"mx33〇 "的 大小0 對向基板CT係包含與mxn個像素電極PE相對向配置，且 口又疋為共同電位vc()m之單一的對向電極CE 〇 液曰曰控制器2係收取來自外部所供給的數位影像信號及 同步乜唬，且產生數位影像信號DATA、垂直掃描控制信號 yct、及水平掃描控制信號XC：T。垂直掃描控制信號Yc丁 係供給至掃描線驅動電路4，水平掃描控制信號XCT係同時 供給至數位影像信號DATA、及信號線驅動電路5。掃描線 驅動電路4係藉由垂直掃描控制信號YCT控制在每一垂直 知描（訊框）期間依序將掃描信號供給至掃描線Y1至Ym。信 號線驅動電路5係串並列變換各掃描線Y藉由掃描信號驅動 的一水平掃描期間（丨Η)所輸入的數位影像信號D AT a，再將 ^過數位類比變換之類比影像信號分別供給至信號線χ i至 Xn之方式’並藉由水平掃描控制信號xct進行控制。 在^ ’夜aa顯示裝置中，液晶層LQ係分別與mxn個像素電 極PE對應而區劃為mxn個顯示像素ρχ。圖1所示的顯示畫面

0 \90\90I9S DOC -10 - 200413768 DS係藉由上述mxn個顯示像素ρχ所構成。各畫像開關元件3 取樣來自制信號線X的类員比影像们虎並施加在對應像素 電極ΡΕ，依據該像素電極！^之電位與對向電極〇£的電位之 電位差，控制對應顯示像素ΡΧ的光透過率。 在陣列基板AR中，例如圖2所示以配置有各像素開關元 件3之Ν通迢薄膜電晶體構成，如圖3所示，形成於玻璃基板 等透明絕緣基板6上之多晶矽半導體層3ρ;在該半導體層3ρ 的上方介以閘極絕緣膜7而形成的閘極3G ;在閘極3g的兩 側具有與半導體層3 P連接的源極及汲極3 s、3 D。閘極3 G係 在閘極絕緣膜7上與掃描線γ 一體形成。閘極3G及掃描線丫 與閘極絕緣膜7係藉由層間絕緣膜9覆蓋。源極3S及汲極3D 係形成於該層間絕緣膜9上，介以貫通層間絕緣膜9及閘極 絕緣膜7之接觸孔與半導體層3p接觸。汲極3D係在層間絕緣 膜9上與對應信號線X一體形成。源極3S、汲極3D及信號線 X係與層間絕緣膜9 一起藉由保護用無機絕緣膜丨〇覆蓋，該 保護用無機絕緣膜1 〇係藉由以正型感光性樹脂膜等構成的 有機絕緣膜11覆蓋。 像素電極PE係具有以反射電極部RF及該反射電極部rf 包圍的光透過窗所形成的透過電極部TR。反射電極部rF係 反射來自對向基板CT側介以液晶層LQ入射的周圍光作為 反射光’透過電極部rF係透過來自陣列基板AR側入射的背 光作為透過光。詳言之，有機絕緣膜丨丨係具有收容透過電 極部RF之50 // mxi3〇 // m的第1開口 HT及成為像素開關元 件3的源極3S與反射電極部rf之間的接觸孔之11 μ mxll // m

O:\90\90195 DOC -11- 200413768 的第2開口 HC。第！開口 HT及第2開口 HC係使用例如圖4所 示的平面圖案之光罩MK曝光有機絕緣膜丨丨，並經過選擇性 除去違曝光部分之微影處理以貫通有機絕緣膜1 1之方式开) 成。在第1開口 HT内露出的無機絕緣膜丨〇、在第2開口 HC内 露出的開關元件3的源極3 S及有機絕緣膜丨丨例如係由IT〇構 成的透明導電膜EF1所覆蓋。透明導電膜EF1係除了第1開 口 HT内之外藉由金屬構成的反射導電膜EF2覆蓋。反射電 極部RF藉由在第1開口 ht的周圍覆蓋透明導電膜Εη之反 射導電膜EF2所獲得，透過電極部tr藉由在第i開口 内露 出的透明導電膜EF 1而獲得。 又，成為反射電極部RF下方的有機絕緣膜丨丨的表面係隨 機配置有複數個半球凸部，反射電極部RF藉由與上述半球 狀凸部對應而形成的起伏，使反射光散射至各個方角。像 素電極PE係藉由定向膜12覆蓋。 在對向基板CT中，紅、綠及藍的條帶狀彩色濾光器㈣ 各個對應行的像素電極PE相對向而在列方向依序並列的方 式形成於玻璃基板等的透明絕緣基板2〇上，由Ιτ〇等透明導 電膜構成的對向電極CE形成於彩色濾光器CF上，更覆蓋對 向電極CE形成有定向膜21。 定向膜12及21的定向軸係藉由摩擦處理例如以7〇度彼此 偏移之方式設定。陣列基板AR及對向基板CT係將定向膜a 及21設於㈣Ui藉由外緣板構件進行黏合。液晶層lq係於 陣列基板AR及對向基板口黏合後從外緣板構件的開口部 及液晶注人口注人向列液晶材料，在該注人後藉由密封構

ΟΛ90\90Ι95 DOC 200413768 件密封而獲得。向列液晶材料係例如具有正的介電率異向 性，螺固定向在陣列基板AR及對向基板CT間。透過電極部 TR及反射電極部rf間的高低差係以依存於有機絕緣膜η 的厚度且在透過電極部TR上將液晶層LQ的厚度設為反射 電極部RF上的厚度約2倍之方式決定。偏光板PL1與定向膜 1 2在相反側貼附於陣列基板Ar，偏光板PL2與定向膜2丨在 相反側貼附於對向基板CT上。 ’ 在此，更詳細說明上述之液晶顯示面板1的陣列基板製造 方法。 # 圖5至圖13係表示以液晶顯示面板1所使用的陣列基板之 製造步驟。在圖5所示的製造步驟中，於透明絕緣基板6上 形成多晶矽半導體膜3P、閘極絕緣膜7、閘極3G。然後，在 源極區域3SP及汲極區域3DP摻雜雜質，形成薄膜電晶體作 為開關元件3。 然後’在圖6所示的製造步驟中形成層間絕緣膜9，藉由 蝕刻形成接觸孔8 A、8B。然後，以濺鍍等成膜金屬膜並進 行蝕刻，形成介以接觸孔8A與汲極區域3Dp接觸之汲極 3D，介以接觸孔8B與源極區域3Sp接觸之源極”及與該源 一 極3 S —體的信號線X。 繼而，在圖7所示的製造步驟中，形成透明的保護用無機 絕緣膜10,以部分露出像素開關元件3之源極3S的方式形成 開口 Η之後，在保護用無機絕緣膜1〇的全面藉由旋塗法等塗 敷1 // m至4/z m左右，例如3.6// m之正型感光性樹脂作為有 機絕緣膜11。

O:\90\90195 DOC -13 - 200413768 然後’將包含透明絕緣基板6、閘極絕緣膜7、層間絕緣 膜8、保護用無機絕緣膜丨〇之光透過性基板與積層於此之有 機絕緣膜11 一起預先烘烤，之後在圖8至圖11所示的步驟中 圖案化有機絕緣膜11。在該圖案化中，進行圖4及圖8所示 的光罩MK之微影處理，結果如圖3所示，形成貫通有機絕 緣膜11之第1開口 HT及第2開口 HC。 在圖8所示的製造步驟中，選擇性曝光有機絕緣膜丨丨的曝 光處理係使用光罩MK進行。該光罩MK係將由鉻（Cr)等構成 的遮光膜LM轉印在透明的支持板fm上，更將開口 HT用的 光透過區域LT1及開口 HC用的光透過區域LT2設定在遮光 膜LM。平均光透過濾係設定為光透過區域LT1比光透過濾 LT2低。具體而言，光透過區域LT1係藉由貫通遮光膜之 第1光透過孔所收容的著色樹脂等之減光膜ND而獲得，透 過區域LT2係藉由貫通遮光膜LM之第2光透過孔而獲得。第 2光透過孔係使來自透明支持板fm側入射的光以未滿1 〇〇〇/0 的比例一樣透過。在該曝光處理中，為獲得確實貫通有機 絕緣膜11之開口 HT及開口 HC，光源光以1〇〇%的光透過率 透過光罩MK時的曝光量設定為300至500mJ/cm2。 然後，在圖9所示的製造步驟中，選擇性半曝光有機絕緣 膜11的曝光處理係使用光罩MK2進行。該光革MK2係以鉻 (Cr)等所構成的遮光膜LM作為複數個圓形點並印刷在透明 的支持板FM上，在上述圊形點的周圍設置成為1〇〇%的光透 過率之光透過區域。在該曝光處理中，為了僅使有機絕緣 膜11的表面附近曝光，使光源光以1 〇〇%的光透過率透過時 O:\90\90195 DOC -14- 200413768 的曝光量透過光罩MK2曝光量設定為1〇至2〇〇rnJ/cm2。 然後’在圖1 〇所示的製造步驟中，藉由進行曝光部的顯 影’貫通有機絕緣膜丨丨之開口 HT及開口 HC以及形成成為有 機絕緣膜11的表面之起伏的凸部丨6及凹部丨7。凸部丨6係與 圓形點即遮光膜LM對應而形成，凹部17係與圓形點的周圍 之光透過區域對應而形成。在使用光罩MU之曝光處理 中，由於曝光量設定為1〇至2〇〇111"(：1112左右，因此凹部I?的 底 >又有貫通有機絕緣膜丨丨到達保護用無機絕緣膜丨〇的表 面。 然後，在圖1 1所示的製造步驟中，當光透過性基板與有 機絕緣膜11 一起加熱處理時，去掉凸部16及凹部17的角， 將圓滑的半球狀凸部18及使包圍半球狀凸部18的凹部19變 化。如此，當結束微影處理時，於塗敷時，使3 6wm之有 機絕緣膜11的厚度降低至2.〇 # m左右。 然後，在圖12所示的製造步驟中，覆蓋有機絕緣膜^之 l〇〇nm左右的厚度，例如以漸鍍法沉積ιτ〇,再以光蝕刻法 將其圖案化成像素電極形狀’形成在開口 ητ内露出的保護 用無機絕緣膜Η)、開口 H c内露出的源極3 s、及在有機絕、: 膜U上形成透明導電膜EF1。該透明導電膜肥係在開口町 及開口 H⑶周圍具有與有機絕緣m!的表面之起伏對應 的起伏。 然後’在圖13所示的势造舟ξ取士 扪表仏步私中，以漸鍍法沉積A卜Ni、

Cr*、Ag等的金屬約100nm厚度 又 M復盍透明導電膜EF 1，藉 由以光I虫刻法於開口 Ητ内將：a：闻也 1円將其圖案化成使透明導電膜EF1

O:\90\90I95.DOC 200413768 露出之反射電極形狀，形成除了開口 HT内覆蓋透明導電膜 EF1之反射導電膜EF2。如此，反射電極部RF在開口 ΗΤ的周 圍上藉由覆蓋透明導電膜EF1之反射導電膜EF2而獲得，透 過電極部TR藉由開口 ΗΤ内所露出的透明導電膜EF1而獲 得。反射導電膜EF2係在開口 ΗΤ及開口 HC的周圍具有與有 機絕緣膜11及透過導電膜EF 1之表面的起伏對應的起伏。定 向膜12係覆蓋由此等反射電極部RF及透過電極部TR所構 成的像素電極ΡΕ而形成。陣列基板AR係以上述方式形成。 在本實施形態中，包含透明絕緣基板6、閘極絕緣膜7、 層間絕緣膜8、保護用無機絕緣膜1 〇之光透過性基板上的有 機絕緣膜11為了形成開口 ΗΤ及比開口 ΗΤ小的開口 HC，而 選擇性地曝光。這是因為在開口 ΗΤ用的光透過區域LT1上 使用設定平均光透過率低於開口 HC用的光透過區域LT2之 光罩ΜΚ而進行，因此利用平均光透過率之差，分別最適化 開口 ΗΤ用的曝光量與開口 HC用的曝光量。此時，開口 HC 以確實貫通有機絕緣膜11而形成的方式使光源的光量增 大’使來自該光源的光在光透過區域LT1上由於比光透過區 域LT2弱，並照射在有機絕緣膜丨丨。因而，該即使照射光透 過光透過性基板到達載置其之曝光機載置台，根據依存於 曝光機載置台的表面狀態之反射的有無，使開口 ΗΤ的大小 沒有明顯的偏差分佈。藉此，不會增加點缺陷，可獲得良 好的顯示品質。 圖14係表示圖4所示的光罩ΜΚ之第1變形例。在該變形例 中’複數個光透過孔均等地配置於開口 ΗΤ用的光透過區域 O:\90\90195 DOC -16- 200413768 LT 1 ’藉此將光透過區域LT1設定為部分不同的光透過率。 具體而言’上述光透過孔係如圖14所示形成於遮光膜lm上 作為互相平行的複數條直線縫隙SL。上述直線縫隙SL各具 有3 // m的寬度，在像素電極pe的長邊方向上以m的間隔 並列。 根據第1變形例之光罩MK，由於不需要圖4所示的減光膜 ND，因此可以與習知相同的製程形成圖14所示的光罩 MK。因而，與利用圖4所示的光罩MK之情況相比，更可抑 制制造成本。 圖1 5係圖4所示的光罩MK之第2變形例。在該變形例中， 與第1變形例相同，複數個光透過孔係均等地配置於開口 HT用的光透過區域LT1，藉此，將光透過區域LT丨設定為部 分不同的光透過率。然而，上述光透過孔如圖15所示，係 形成於遮光膜LM作為互相平行複數條直線縫隙SL丨及包圍 上述直線縫隙SL 1之單一矩形縫隙SL2。上述直線縫隙sl 1 各具有3/z m的寬度，在像素電極PE的長邊方向以m的間 隔並列。矩形縫隙SL2具有3 # m的寬度，距離上述直線縫 隙 S L 1 僅 6 // m。 亦即，在第1變形例中，開口 H丁在上述縫隙儿的兩端附 近突出至外側，在由上述縫隙間的遮光膜LM所構成的遮光 部之兩端附近引入至内側的狀態下容易形成，因此有導致 液晶定向混亂^之虞。 根據第2變形例之光罩Μκ，單一的矩形縫隙SL2包圍上述 直線縫隙SL1形成於遮光膜LM,故將開σΗΤ的外緣設為直

0 \90\90I95 DOC -17 - 200413768 線狀’可降低液晶的定向不良。 圖16係圖4所示的光罩MK之第3變形例。在該變形例中， 與第1變形例相同，複數個光透過孔均等地配置在開口 HT 用的光透過區域LT1，藉此，將光透過區域：丁丨設定為部分 不同的光透過率。又，上述光透過孔係形成於遮光膜作 為互相平行的複數條直線縫隙S；L，亦與第丨變形例相同。上 _ 述直線缝隙SL雖各具有3//111的寬度，惟在像素電極托的短 · 邊方向上以6 // m的間隔並列。 根據第3變形例的光罩]^^^，除了與第丨變形例相同的效果 · 之外，開口 HT的外緣可縮小若干不成為直線狀的範圍。 圖17係圖4所示的光罩MK之第4變形例。在該變形例中， 與第1變形例相同，複數個光透過孔均等地配置在開口 Ητ 用的光透過區域LT1，藉此，將光透過區域LT1設定為部分 不同的光透過率。上述光透過孔並非如第1變形例之直線縫 隙SL，係形成於遮光膜LM作為矩形孔SH。上述矩形孔SH 的大小各為3 # mx3 # m，彼此以6 // m的間隔配置成矩陣狀。 # 根據第4變形例的光罩MK，由於與第1變形例相同不須要 圖4所示的減光膜ND，因此可以與習知相同的製程形成圖 “ 1 7所示的光罩MK。因而與利用圖4所示的光罩MK之情況相 比，可降低製造成本。 圖1 8係圖4所示的光罩MK之第5變形例。在該變形例中， 與第4變形例相同，複數個光透過孔均等地配置在開口 ητ 用的光透過區域LT1，藉此，將光透過區域lt 1設定為部分 不同的光透過率。上述光透過孔並非如第4變形例之矩形孔 〇 \00\90I95 DOC -18- 200413768 SH，係形成於遮光膜LM成為正圓或橢圓的圓形孔^^，且 配置成矩陣狀。 根據第5變形例的光罩MK，可獲得與第4變形例相同的功 效0 圖19係圖4所示的光罩MK之第6變形例。在該變形例中， 與第4變形例相同，複數個光透過孔均等地配置在開口 ht 用的光透過區域LT1，藉此，將光透過區域LT1設定為部分 不同的光透過率。然而，上述光透過孔如圖19所示係形成 於遮光膜LM，成為複數個圓形孔RH及包圍上述圓形孔RH 之複數個最外圍圓形孔RH’，且配置成矩陣狀。上述最外圍 圓形孔RH’形成比位於上述内側的圓形孔rh大。 在第4及第5變形例中，開口 HT在最外圍的光透過孔附近 突出至外側，在由上述最外圍的光透過孔間的遮光膜LM構 成的遮光部附近引入内側之狀態下容易形成，因此將有導 致液晶定向混亂之慮。

根據第6變形例之光罩MK，位於最外圍的位置之光透過 孔，在此，由於最外圍圓形孔RH’比位於内側之圓形孔rh 大’故開口 HT的外緣接近直線狀，可降低液晶的定向不 良。此係即使光透過孔為矩形亦相同。 此外，本發明並不限定於上述實施形態，在不脫離其要 旨的範圍内可進行各種變形。 例如，圖14至圖19之變形例雖如圖2所示，以皆將單一的 透過電極部TR設置於像素電極PE之情況例進行說明，惟此 亦適用於如圖20所示之將複數個透過電極部TR設置在像素 〇 \90\90195 DOC -19- 200413768 電極PE之情況。此時，例如圖2 1所示，光罩MK係用於形成 收容上述透過電極部TR的複數個開口 ΗΤ。該光罩ΜΚ係包 含複數個光透過孔’該複數個光透過孔係使均等配置於各 開口 ΗΤ用的光透過區域LT1之該光透過區域[丁丨設定為部 分不同的光透過率。上述光透過孔在圖21中雖由形成於遮 光膜LM之彼此平行的複數條直線SL所構成，但亦可以是如 上述變形例所說明之其他形狀。χ，亦彳將圖8所示的減光 膜ND配置於各光透過區域。 【圖式簡單說明】 ’係本發明-實施形態的半透過型液晶顯示裝置的概 略電路構造圖。 圖2係圖W示的顯示像素附近的平面構造圖。 圖3係圖2所示的顯示像素附近的剖面構造圖。 圖4係形成貫通圖3所示之有 〜里/ ★田 艾有機絕緣膜的第1及第2開口的 U衫處理所使用的光罩之平面圖案。

= 以圖1所不的液晶顯示面板所使用 造步驟的剖面圖。 J 土扳之H 圖6係圖5所示的製造步驟之一 、/ 造步驟的剖面圖。 進行的陣列基板之製 圖7係圖6所示的製造步驟之 、 造步驟的剖面圖。 個進行的卩車列基板之製 圖8係圖7所示的製造步驟之 … 造步驟的剖面圖。 一個進行的陣列基板之製 圖9係圖8所示的製造步驟之 —個進行的陣列基板之製

〇 \9〇\9〇1°5 D〇C -20, 200413768 造步驟的剖面圖。 圖10係圖9所示的製造步驟 、下一個、隹、 製造步驟的剖面圖。 行的陣列基板之 圖11係圖10所示的製造步驟 吵孓下_個 _ 製造步驟的剖面圖。 仃的陣列基板之 圖12係圖11所示的製造步驟 〜卜一個谁；;- 製造步驟的剖面圖。 订的陣列基板之 圖1 3係圖12所示的製造步驟 卜—-4同 製造步驟的剖面圖。 订的陣列基板之 圖14係圖4所示的光罩之第1變形例的H 圖15係圖4所示的光罩之第2變形例的n 圖16係圖4所示的光罩之第3變形例的圖=。 圖17係圖4所示的光罩之第4變形例的圖式。 圖18係圖4所示的光罩之第5變形例的圖式。 圖19係圖4所示的光罩之第6變形例的圖式。 之變形例的 圖20係圖2所示的顯示像素附近的平面構造 圖式。 圖21係適合圖20的變形例之光罩的平面圖案之圖式。 圖22係在有機絕緣膜形成大小不同的複數個開口之曝光 處理所使用的光罩之平面圖案的圖式。 圖23係以使用圖22所示的光罩之曝光處理所照射的光在 不存在銷插入孔或真空孔之處的曝光機載置台表面反射的 樣子之圖式。 圖24係圖23所示的曝光機載置台表面之光反射結果所獲

O:\90\90195.DOC -21 - 200413768 得的開口大小之圖式。 圖25係以使用圖22所示的光罩之曝光處理所照射的光不 在存在銷插入孔或真空孔之處的曝光機載置台表面反射而 透過的樣子之圖式。 圖26係圖25所示的曝光機載置台表面之光透過結果所獲 得的開口大小之圖式。 【圖式代表符號說明】 1 液晶顯示面板 2 液晶控制器 3 像素開關元件 3P 半導體層 3G 閘極 3S、 3D汲極 3DP 及極區域 3SP 源極區域 4 掃描線驅動電路 5 信號線驅動電路 6 透明絕緣基板 7 絕緣膜 8A、 8B接觸孔 9 層間絕緣膜 10 保護用無機絕緣膜 11 有機絕緣膜 12 定向膜

O:\90\90I95 DOC -22- 200413768 16 凸部 17 凹部 18 半球狀凸部 19 凹部 20 透明絕緣基板 21 定向膜 LQ 液晶層 AR 陣列基板 CT 對向基板T PE 像素電極 CE 對向電極 Y 掃描線 X 信號線 XCT 水平掃描控制信號 YCT 垂直掃描控制信號 DATA 數位影像信號 PX 顯示像素 DS 顯示畫面 RF 反射電極部 TR 透過電極部 HT 第1開口 HC 第2開口 MK 光罩 EF1 透明導電膜 Q \90\Q0I95 DOC -23 - 200413768 EF2 反射導電膜 CF 彩色濾光器 PL1 、 PL2 偏光板 H 開口 LT1 第1開口用的光透過區域 LM 遮光膜 ND 減光膜 LT2 第2開口用的光透過區域 FM 透明支持板 MK、MK2 光罩 SL、SL1 直線縫隙 SL2 矩形縫隙 SH 矩形孔 RH 圓形孔 RH’ 最外圍圓形孔 V c 〇 m 共同電位 O:\90\90I95 DOC - 24 -

Claims (1)

1. 200413768 拾、申請專利範圍： i•一種顯示面板用基板製造方法，其特徵在於具備：在光 透過性基板上形成有機絕緣膜之成膜步驟；以及以第^開 口及比上述第1開口小之第2開σ貫通上述有機絕緣膜所 形成之方式，將上述有機絕緣膜圖案化之圖案化步驟； 上述圖案化步驟包含微影處理，芦微影處理係使用平均 光透過率在上述第1開口用的光透過區域比上述第2開口 用的光透過區域低設定之光罩，使上述有機絕緣膜選擇 性曝光以除去該曝光部分。 2·如申請專利範圍第丨項之顯示面板用基板製造方法，其中 上述第1開口用的光透過區域在於一樣的光透過率。 3 ·如申明專利範圍第1項之顯示面板用基板製造方法，其中 上述第1開口用的光透過區域在於部分不同的光透過率。 4·如申請專利範圍第3項之顯示面板用基板製造方法，其中 上述光罩係包含有遮光膜，該遮光膜係將複數個光透過 孔均等配置於上述第1開口用的光透過區域，且在上述第 2開口用的光透過區域配置單一的光透過孔。 5 ·如申請專利範圍第4項之顯示面板用基板製造方法，其中 上述複數個光透過孔係包含彼此平行的複數條直線縫 隙。 6·如申請專利範圍第5項之顯示面板用基板製造方法，其中 上述複數個光透過孔係包含包圍上述複數條直線縫隙的 單一之矩形縫隙。 7 ·如申請專利範圍第4項之顯示面板用基板製造方法，其中 〇Α%\9〇|95 DOC 上述複數個光透過孔係圓形及矩形中任一種之形狀。 8.如申請專利範圍第7項之顯示面板用基板製造方法，其中 上述複數個光透過孔係在最外圍比内側大地形成。 9·如申請專利範圍第丨至8項中任一項之顯示面板用基板製 造方法，其中更包含有以下步驟：將在上述第2開口内露 出的開關元件形成於上述光透過性基板之元件形成步驟 及在上述第1開口内露出的上述光透過性基板及上述有 栈％緣膜上形成像素電極之電極形成步驟。 1()·如申請專利範圍第9項之顯示面板用基板製造方法，其中 上述电極形成步驟係包含以下步驟：於上述第1開口内露 出的上述光透過性基板、上述第2開口内露出的上述開關 一件及在上述有機絕緣膜上形成透明導電膜；以及除了 述第1開口内之外，形成覆蓋上述透明導電膜之反射導 電膜。 "·如申請專利範圍第10項之顯示面板用基板製造方法，其 中上述圖案化步驟係包含在上述有機絕緣膜的表面形成 I伏之處理’藉由與該起伏對應而獲得的上述反射導電 膜之起伏使反射光散射。

   13. 其中 内露 膜； 形成 ，其 申％專利|ε圍第9項之顯示面板用基板製造方法 上述電極形成步驟係包含以下步驟：於上述第2開 W M M 7L #及於上述有機絕緣膜上形成反射導 U及覆ϋ述第丨開σ内露出的上述光透過性基板 與上述反射導電臈重疊的透明導電膜。 如申請專利範圍第12項之顯示面板用基板製造方 O:\90\90195 DOC 200413768 中上述圖案化步驟係包含在上述有機絕緣膜的表面形成 起伏之處理，藉由與該起伏對應所獲得的上述反射導電 膜之起伏使反射光散射。 14·如申請專利範圍第9項之顯示面板用基板製造方法，其中 上述元件形成步驟係包含以下步驟：除了與上述第2開口 對應的部分之外，覆蓋上述開關元件，形成成為上述有 機絕緣膜的底層之無機絕緣膜作為上述光透過性基板的 一部份。 15·如申請專利範圍第1項之顯示面板用基板製造方法，其中 上述有機絕緣膜為正型感光性樹脂膜。 16.如申請專利範圍第15項之顯示面板用基板製造方法，其 中上述有機絕緣膜具有〇·5 μ m以上的厚度。 0 \90\90I95 DOC