TW200411953A

TW200411953A - Light emitting diode and method of making the same

Info

Publication number: TW200411953A
Application number: TW091138081A
Authority: TW
Inventors: Jin-Ywan Lin; Huan-Pin Huang; Chung-Cheng Tu
Original assignee: United Epitaxy Co Ltd
Priority date: 2002-12-31
Filing date: 2002-12-31
Publication date: 2004-07-01
Also published as: TW578318B; US20040124428A1; US6900068B2; US20050017254A1; US6838704B2

Description

200411953 五、發明說明（1) 發明所屬之技術領域·· 本發明係關於一種發光二極體（Light Eini tt i ng Diode ; LED)晶片結構及其製造方法，特別是一種有關P、 η兩電極同向之磷化鋁鎵銦（AlGalnP)之結構及其製造方法0 先前技術：

傳統的磷化鋁鎵銦發光二極體具有一雙異質結構 (Double Heterostructure ； DH)，其構造如第 5圖所示，是在一 η型砷化鎵（GaAs)基板（Substrate) 3上成長一鋁含量在 7 0 % - 1 〇〇 %的 η型（A 1 X G a bX) 〇. 5Ι η 〇. 5P之下包覆層 4、一（ A 1 xGai-JuIn。·/之活性層5、一鋁含量在70%-100%的p型（Alx G a h) Q. J η 〇. SP之上包覆層6，以及一 p型高能隙的電流分散層（Current Spreading Layer)7，這一層的材料可以是磷化鎵、磷砷化鎵、磷化銦鎵或砷化鋁鎵等。第5圖中並圖示N型歐姆接點電極2及p型歐姆接點電極8及釘線金屬層 9 °

接著利用改變活性層5的组成，便可以改變發光二極體發光波長，使其產生從6 5 0 nm紅色至5 5 5 nm純綠色的波長。但此一傳統的發光二極體有一缺點，就是活性層產生的光’往下入射至砷化鎵基板3時，由於砷化鎵基板3的能

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I 200411953 五、發明說明（2) 隙較小，因此入射至砷化鎵基板3的光將會被吸收掉，而無法產生高效率的發光二極體。為了避免基板3的吸光，傳統上有一些文獻揭露出LED 的技術，然而這些技術都有其缺點以及限制。例如

Sugawara等人發表於[Appl· Phys Lett. Vol. 61， 1 7 7 5 - 1 7 7 7 ( 1 9 9 2 )]便揭示了一種利用加入一層分散布拉格反射層（Distributed Bragg Reflector; DBR)於砷化鎵基板上，藉以反射入射向砷化鎵基板的光，並減少砷化鎵基板吸收。

Kish等人發表於[Appl. Phys Lett. Vol, 64， Νο·21，2 8 3 9，（ 1 9 94 )之文獻，名稱為「Very high-efficiency semiconductor wafer-bonded transparent-substrate (AUGaduIriuP/GaP」，揭示一種黏接晶圓（Wafer bonding)之透明式基板 (Transparent - Substrate; TS)(AlxGa 卜 JuInuP/GaP 發光二極體。這種TSAlGalnP LED係利用氣相磊晶法（VPE)而形成厚度相當厚（約50μ m)之P型磷化鎵（GaP)窗戶 (W i ndow)層，然後再以習知之化學蝕刻法，選擇性地移除 N型砷化鎵（GaAs)基板。接著將此曝露出之N型（A1 xGai_x) o.sInuP下包覆層，黏接至厚度約為8-10mi 1之n型磷化鎵基板上。

第7頁 200411953 五、發明說明（3) 由於此晶圓黏接（Wafer Bonding)是將二種I I I-V族化合物半導體直接黏接在一起，因此要在較高溫度下，加熱加壓一段時間才能完成。就發光亮度而言，以這種方式所製得之TS A 1 Gal nP LED，比傳統吸收式基板 (Absorbing-Substrate; AS)AlGaInP LED其亮度大兩倍以上。然而，這種TS AlGalnP LED的缺點就是製造過程太過繁雜，且通常會在接合界面具有一非歐姆接點的高電阻特性。另一種傳統技術，例如Η 〇 r n g等人發表於[A p p 1.

Phys· Lett. Vol.75，Νο·20，3 0 54 ( 1 9 9 9 )文獻，名稱為 r AlGalnP 1ight-emitting diodes with mirror substrates fabricated by wafer bonding」]o Horng等人揭示一種利用晶片融合技術以形成鏡面基板 (Mirror-Substrate; MS)磷化鋁鎵銦/金屬/二氧化矽/石夕 LED。其使用AuBe/Au作為黏著材料藉以接合矽基板與LED 蟲晶層。發明内容：本發明提供一種發光二極體結構，其結構包括一具有一發光層的多層磊晶結構，藉由一金屬黏接層與矽基板相結合。此二極體之發光層可為同質結構 (Homostructure)、單異質結構（Single heterostructure，SH)、雙異質結構（Double

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I 200411953 五、發明說明（4) heterostructure，DH)或多重量子井結構（Mul ti quantum wells， MQWs)。

發光二極體結構亦包括第一歐姆接點金屬電極層和第二歐姆接點金屬電極層。第一歐姆接點金屬電極層藉由通道與第一金屬釘線電極層連接，第一金屬釘線電極層在第一導電型磊晶層上，或第一金屬釘線電極層在金屬連接層上，第二金屬釘線電極層在第二歐姆接點金屬電極層上，使得第一金屬釘線電極層與第二金屬釘線電極層在相對於基板是位於同一側。

此外，本發明更提供一種發光二極體之製造方法。首先，在發光二極體磊晶層上形成第一歐姆接點金屬電極層，並在其上沉積鏡面保護層，如導電蜇的氧化銦錫 (Indium tin oxide)，或非導體型的鏡面保護層。當然若採用非導體型的鏡面保護層形時，若欲利用金屬粘接層或高導電導熱基板做電極時，就得對非導體型的鏡面保護層進行蝕刻，以形成與第一歐姆接點金屬電極層連接的通道。接著，藉由一金屬黏接層，如In，Au，Al，A g等金屬，將此發光二極體磊晶層與高導熱基板相結合，並把發光二極體基板移除至導電型蝕刻終止層。 ^ 其次，分兩部分蝕刻，以便能與第一歐姆接點金屬電極層相通。第一部份，大面積蝕刻寬約3〜6m i 1，钱刻至第

第9頁 200411953 五、發明說明（5) 一導電型磊晶層。第二部分，蝕刻一通道，並钱刻至第一歐姆接點金屬電極層。接下來，在第一導電型磊晶層形成第一金屬釘線電極層，讓第一金屬釘線電極層和第一歐姆接點金屬電極層相通。最後再形成第二歐姆接點金屬電極層和第二金屬釘線電極層。因此，第一金屬釘線電極層與第一金屬釘線電極層在相對於碎基板’是位於同一側。本發明也可以對非金屬型之高導電導熱基板上另形成一低歐姆阻值之金屬層，以提供封裝時除了 N、p電極同側外的第二種N、P電極不同側的選擇。勒处ί發明之一項優點，為本發明提供一簡單的LED晶片幸7，構，可在較低的溫度下進行晶片黏結，減少v族元素在黏結過程中揮發的問題。〜本發明優點，性’在相同定電流電流分佈。在相同為藉由通道連接可以下’有較小而穩定的電壓下，可以得到較得到較佳的光電特電壓，以及較佳的佳發光強度。 ^

金屬之；光為；：明之發光二極體是採用- 光二極體磊晶片表面不平整，：與矽基板，因此’即便發地接合在一起。也可以利用黏接層將其緊密本發明之再一項優點個釘線電極在同一側，和

200411953 五、發明說明（6) I I I-V氮族（如GaN, InGaN)相同，易於RGBS個顏色同時封裝，同時，可串聯使用。實施方式：本發明揭露一種發光二極體結構及其製造方法。為了使本發明之敘述更加詳盡與完備，可參照下列描述並配合第1圖至第4圖之圖示。首先請先參照第1 A圖’本發明發光二極體之蠢晶結構包括依序堆疊之N型砷化鎵（G a A s )基板2 6、蝕刻終止層 (Etching Stop Layer)24、N型磷化鋁鎵銦（AlxGahX)〇.5In 〇』之下包覆（(：13(1(^1^)層2 2與磷化鋁鎵銦（人1/31_丄.5111 〇.5P之活性層（Active Layer)20，P型磷化鋁鎵銦（AlxGai_x) o.sInojP之上包覆層18以及P型歐姆接點磊晶層（〇hmic Contact Epitaxial Layer)16。接著，在p型歐姆接點磊晶層1 6上形成P型歐姆接點金屬電極層2 8。隨後，在其上沉積鏡面保護層3 0 ’上述之鏡面保護層3 0材料係選自氧化銦錫（Indium tin oxide)、氧化銦（Indium oxide)、氧化錫（Tin oxide)、氧化辞（Zinc oxide)、氧化鎂 (Magnesium oxide)、氧化鋁（a12〇3)、二氧化矽（Si〇2)或氮化石夕（S i N x )之中的一種。

第11頁 200411953 五、發明說明（7) 請注意，由於氧化銦（Indium 〇xid )、氧 0^、氧化鋅（Zinc oxide)、氧化鎮（Μ^=1(Τΐη 氧化銘（Αΐ2〇3)、二氧化石夕（Si〇2)或氮化矽（SUX) 。而本發明中除了可應用第一歐姆接點) 做為電極外，亦可以以後續的金屬反射層做為電極，因28 情況下’就需要以微影及姓刻技術對鏡面保護居 /成連接通道30 A ’連接通道30Α，可提供金屬黏接芦9 /主入而與第一歐姆接點電極層28形成。參考第1Β圖。 ⑨一果請 Ρ型歐姆接點蟲晶層1 6之材料可以是砷化鋁鎵、鋁鎵銦或磷砷化鎵，祇要其能隙大於活性層2〇，不备 :,層產生的★’但又必須具有高的載子濃度，心，成歐姆接點，便可以選擇為Ρ型歐姆接點磊晶層16。、彬而 20 極上述之活性層20，其鋁含量的範圍是在χ = 〇〜〇. 45 上、下包覆層其鋁含量約控制在χ = 0·5〜1(),當活性層量X，，活性層的組成是心如。』，而發光：體的/皮長λ約是在635nm。上述化合物之比例，例僅疋舉出一較佳例子’並非適用於其他的比例。此外在之結構可以是採用傳統的同如活性層（AlxGa^uIna 5p，用以限制本發明，本發明同樣本發明中，A 1 G a I η P活性層2 〇質結構（Homostructure)，單

第12頁 200411953 五、發明說明（8) 異質結構（Single Heterostructure)，雙異質結構 (Double Heterostructure; DH)或是多重量子井 (Multiple Quantum Well; MQW)。所謂的雙異質結構（DH) 即包括第1 A圖及第1B圖所示之N型磷化鋁鎵銦（A1 xGai_J 〇>5

In〇.5P下包覆層22與一磷化鋁鎵銦（A1 /an) 〇.5InQ.5P活性層 20、一 P型磷化鋁鎵銦（A1 xGa卜χ)0·5Ιη()·5Ρ上包覆層18，其中這三層之較佳厚度分別約為〇.5〜3.0、0.5〜2.0、0.5〜3.0 fi m 〇在本發明中餘刻終止層2 4之材質可以是任何I I I _ v族元素之化合物半導體，祇要其晶格常數可以和砷化鎵基板 2 6相匹配以免產生差排，且蝕刻速率係遠低於由坤化鎵物質所組成之基板2 6，便可以當作蝕刻終止層2 4。在本發明中钱刻終止層2 4之較佳材質可為磷化銦鎵 (InGaP)或砷化鋁鎵（A1GaAs)。在本實施例N型磷化鋁鎵銦下包覆層2 2的蝕刻速率也遠低於坤化鎵基板2 6。因此，祇較厚’也可以不需要另一層組成不同的磊晶層來當作姓刻終止層。垃® ^著，提供如第2圖所示之結構，此結構包括金屬黏 J層U，所使用的材質可為In，Au，A1，Ag等金屬。而基，10=以採用高導熱基板如矽（Si)晶片，碳化矽（sic)晶、·化鎵（GaP)晶片或Au，Al，Cu金屬等。

第13 200411953 五、發明說明（9) 接著將1 A圖及第1 B圖已形成p型歐姆接點金屬電極層 28及鏡面保護層30的發光二極體晶片及第2圖的高導熱基板1 0藉由金属黏接層1 4黏在一起，黏著的過程是在2〇〇°c 〜6 0 〇°C左右的南溫加壓加熱一段時間完成。讓金屬黏接層 1 4與發光二極體磊晶片及高導熱基板1 〇緊密的黏結在一起。黏著好的磊晶片，接著以腐蝕液（如5H3P〇4: 3H2〇2: 3H20 或是1ΝΗ4〇Η:35Η2〇 2)腐姓’將不透光的n型坤化鎵基板2 6除去。钱刻終止層2 4如果採用I n G a P或A 1 G a A s仍然會吸收活性層2 0產生的光。因此，也必須以腐蝕液完全除去。然後分兩階段蝕刻，以濕式或乾式蝕刻法如r I E進行蝕刻。如第3A圖及第3B圖所示，首先，利用將N型磷化鋁鎵銦下包覆層2 2、磷化鋁鎵銦活化層2 〇、p型磷化鋁鎵銦上包覆層1 8、及部分P型歐姆接點磊晶層丨6依序由上而下蝕刻’以暴露出歐姆接點磊晶層1 6之一通道。通道寬約大面積钱刻寬約3〜6m i卜接著，再以微影及蝕刻技術，蝕刻歐姆接點蠢晶層1 6以暴露出p型歐姆接點金屬電極層2 8的小通道，寬約1〜3mi卜接著’形成光阻圖案（未圖示）以定義N型歐姆接點金 =電極層3 2於N型磷化鋁鎵銦下包覆層2 2上。請注意光阻案僅於N型碟化銘鎵銦下包覆層22上有開口以定義n型歐

200411953 五、發明說明（10) 姆接點金屬電極層3 2位置。其餘部分都被光阻圖案所覆蓋。隨後再形成N型歐姆接點金屬電極層32。最後，再去除光阻及形成於光阻上的金屬層以定義一 N型歐姆接觸電極3 2 〇隨後，再如同形成N型歐姆接觸電極3 2的方法，以光阻圖案定義兩個金屬釘線電極層3 4的位置（包含裸露n型歐姆接觸電極3 2的開口及裸硌小通道3 1之開口。為降低光阻圖案開口疊對誤差以致小通道3 1未能完全裸露，以及釘線更谷易’在P型歐姆接點磊晶層1 6的光阻圖案開口可稍大於小通道3 1。隨後再以選自鋁或金之釘線金屬層形成於光阻上，並填滿光阻圖案之開口以連接p型歐姆接點金屬電極層28及形成於N型歐姆接觸電極32上，最後再去除光阻上之釘線金屬層及光阻圖案。因此如圖示，形成了兩個金屬釘線電極層34在相對於高導熱基板1 〇，都在同一側的發光了極體結構。請注意，本發明之發光二極體結構也可選擇提供P、N兩個電極在不同側的封裝，例如若高導熱基板口係k自A u， A 1， C u金屬等，則上述高導熱基板1 〇本身即 J做為電極，不過如果高導熱基板1〇係選自矽（Si)晶片， ^化矽（SiC)晶片、磷化鎵（GaP)晶片則需要再形成一低歐接觸金屬層3 6以做為電極。結果如第3八圖（鏡面保護層 0係導電型）或第33圖（鏡面保護層3〇係非導電型）所示。由於，上述之本發明的結構係藉由金屬黏接層丨4將高

第15頁 200411953 五、發明說明（π) 導熱基板10與包含鏡面保護層30的發光二極一起。因此，本發明也可以如下變化，請糸土 μ』〆 - 月參考第4Α圖所不，如第一實施例所述通道形成方法，由下包覆層2 2依序餘刻’停止於金屬黏接層14。接著，再如同^ 一實施例所述方法形成釘線金屬層3 4及低歐姆接觸金屬層3 6，最後、辞果如第4Α圖（鏡面保護層30係導電型）或第4Β^ (鏡面^護° 層30係非導電型），形成了兩個金屬釘線電極層34在相對於導熱基板1 0，都在同一側的發光二極體結構。同第一實施例所述，低歐姆接觸金屬層3 6係選擇性的。

本發明並不限於祇適用於高亮度磷化銘錄姻發光二極體，本發明也可以適用於其他發光二極體材料，^石申化銘鎵紅色及紅外線發光二極體。〜本發明之發光二極體是採用一軟質的金屬黏接層14來接合發光二極體與一高導熱基板10，因此，即便發光二極體磊晶片表面不平整，也可以利用黏接層1 4將其緊密地接合在一起。

以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍，凡其它未脫離本發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍内。

第16頁 200411953 圖式簡單說明本發明的較佳實施例將於往後之說明文字中輔以下列圖形做更詳細的闡述：第1至第4圖係繪示依據本發明一較佳實施例之發光二極體之製造流程示意圖；第5圖係繪示傳統之發光二極體結構示意圖圖號對照說明： 2 :基板歐姆接點電極層基板下包覆層活性層上包覆層 7 ：高能隙電流分散層 8 ：蠢晶歐姆接點金屬電極層 9：金屬釘線電極層 10 向導熱基板 14 金屬黏接層 16 P型歐姆接點晶層 18 P型磷化鋁鎵姻上包覆層 20 填化銘鎵銦活性層 22 N型磷化鋁鎵姻下包覆層 24 #刻終止層 26 N型砷化鎵基板 28 P型歐姆接點金屬電極層

第17頁 200411953 圖式簡單說明 3 0 :鏡面保護層 3 0 A :絕緣型鏡面保護層之電性連接通道 3 1 :小通道 3 2 : N型歐姆接點金屬電極層 3 4 :金屬釘線電極層 36:低歐姆接觸金屬層

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Claims

200411953 六、申請專利範圍 1·一種發光二極體，包含：一多層磷化鋁鎵銦（AlGalnP)蠢晶層結構，該磊晶層結構包含一上包覆層，一活性層，以及一下包覆層；一歐姆接點磊晶層形成於該上包覆層上；一第一歐姆接點金屬電極層形成於該歐姆接點蠢晶層上；一鏡面保護層形成於該歐姆接點磊晶層上，並包覆該第一歐姆接點金屬電極層；一金屬黏接層；一南導熱基板以該金屬黏接層黏合於該鏡面保護層上；一第二歐姆接點金屬電極層形成於該下包覆層上；該多層磷化鋁鎵銦（AlGalnP)磊晶層結構及該歐姆接點磊晶層包含一電極通道，用以電性連接該第一歐姆接點金屬電極層；及一金屬釘線電極層形成於該裸露之第一歐姆接點金屬電極層上及該第二歐姆接點金屬電極層上。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該多層磷化鋁鎵銦（A 1 Ga I nP )磊晶層結構係為磷化鋁鎵銦 (AlGalnP)之同質結構、單異質結構、雙異質結構或量子井結構當中一種。 3 ·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該歐姆

第19頁 200411953 六、申請專利範圍接點蠢晶層為P型半導體層。 4 ·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該第一歐姆接點金屬電極層係為P型半導體層，該第二歐姆接點金屬電極層係為N型半導體層。 5·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該鏡面保護層係選自導體型的氧化銦錫（Indium tin oxide)或非導體型的氧化銦（lndium oxide)、氧化錫（Tin oxide)、氧化辞（Zinc oxide)、氧化錢（Magnesium oxide)、氧化崔呂（A 1 20 3)、二氧化石夕（s i 〇 2)或氮化石夕（SiNx)之中的一種。 6 ·如申請專利範圍第5項所述之發光二極體，其中當該鏡面保護層係選自非導體型的鏡面保護層時，更包含至少一連接通道，用以提供該金屬黏接層經由該連接通道連接該第一歐姆接點電極層。 7 ·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該高導熱基板係選自Au、Al、Cu、矽（Si)、碟化鎵（GaP)、或碳化石夕（S i C)等其中一種及其組合。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之發光二極體，更包含一低歐姆接觸金屬層形成在石夕（Si)、稱化嫁（GaP)、或碳化石夕 (SiC)裸露的一面，以提供該發光二極體N電極與P電極不

第20頁 200411953 六、申請專利範圍同側之封裝選擇。 9 ·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該金属黏接層之材質係選自ln，Au，Ag等其中之一種。 I 0 ·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體，其中該金屬釘線電極層最外層係為A 1或A u。 II · 一種發光二極體，至少包含：一多層磷化鋁鎵銦（AlGalnP)磊晶層結構，該蠢晶層結構包含一上包覆層，一活性層，以及一下包覆層；一歐姆接點蠢晶層形成於該上包覆層上；一第一歐姆接點金屬電極層形成於該歐姆、接點磊晶層上；一鏡面保護層形成於該歐姆接點磊晶層上，並包覆該第一歐姆接點金屬電極層；一金屬黏接層；一高導熱基板以該金屬黏接層黏合於該鏡面保護層上；一第二歐姆接點金屬電極層形成於該下包覆層上；該多層磷化銘鎵銦（A 1 G a I η P )蠢晶層結構、該歐姆接點磊晶層、該鏡面保護層包含一通道，裸露該金屬黏接層，以提供一第二金屬電極連接；及一金屬釘線電極層形成於該裸露之第二歐姆接點金屬

第21頁 200411953 ____— --- 六、申請專利範圍電極層上及該金屬黏接層上。 1 2 ·如申請專利範圍第11項所述之發光二極體，其中該多層磷化鋁鎵銦（AlGalnP)磊晶廣結構係為磷化紹鎵銦 (AlGalnP)之同質結構、單異質結構、雙異質結構或量子井結構當中一種。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項所述之發光二極體，其中該歐姆接點磊晶層為P型半導體層。 1 4.如申請專利範圍第11項所述之發光二極體，其中該鏡面保護層係選自導體型的氧化銦錫（Indium tin oxide)。 1 5 ·如申請專利範圍第11項所述之發光二極體，其中該鏡面保護層係選自非導體型的氧化銦（Indium oxide)、氧化錫（Tin oxide)、氧化鋅（Zinc oxide)、氧化鎂 (Magnesium oxide)、氧化鋁（A1 20 3)、二氧化矽（Si 0 2)或氮化矽（S i Nx )之中的一種，此時，該鏡面保護層更包含至少一連接通道，用以提供該金屬黏接層經由該連接通道連接該第一歐姆接點電極層。 1 6 ·如申請專利範圍第丨丨項所述之發光二極體，其中該高導熱基板係選自Au、A卜Cu、矽（Si)、磷化鎵（GaP)、或碳化矽（S i C )等其中一種及其組合。

第22頁 200411953 六、申請專利範圍 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項所述之發光二極體，更包含一低歐姆接觸金屬層形成在矽（Si )、磷化鎵（GaP)、或碳化石夕（S i C )裸露的一面，以提供該發光一極體N電極與p電極不同側之封裝選擇。 1 8 .如申請專利範圍第11項所述之發光二極體，其中該金屬黏接層之材質係選自In, Au，Ag等其中之一種。

1 9 ·如申請專利範圍第11項所述之發光二極體，其中該金屬釘線電極層最外層係為A 1或Au。 20.—種發光二極體之製造方法，至少包含：提供一暫時基板；依序形成一姓刻終止層、一多層填化銘鎵銦 (A 1 G a I η P )蠢晶層結構在該暫時基板上，該蠢晶層結構包含一下包覆層，一活性層，一上包覆層；；形成一歐姆接點磊晶層於該上包覆層上；形成一第一歐姆接點金屬電極層於該歐姆接點磊晶層

上；形成一鏡面保護層於該歐姆接點磊晶層並包覆該第一歐姆接點金屬電極層；提供一高導熱基板；提供一金屬黏接層於該高導熱基板上，用以黏合該高

第23頁 200411953 六、申請專利範圍熱基板與該鏡面保護層去除該暫時基板與該蝕刻終止層；層層以微影及蝕刻技術蝕刻該黏合後的結構體，起始於該包覆層終止於該歐姆接點磊晶層以形成一第一通道；、以以微影及蝕刻技術蝕刻該通道下方之該歐姆接點磊晶 ’以形成一第二通道，裸露該第一歐姆接點金屬電極曰曰 y

形成一第二歐姆接點金屬電極層於該下包覆層上；形成一金屬釘線電極層於該第二歐姆接點金屬電極層及該第一通道内以連接該第一歐姆接點金屬電極層，以形成兩個金屬釘線電極層，以分別連接該發光二極體之二電 21.如申請專利範圍第2〇項所述之發光二極體，其中該鏡面保護層係選自導體型的氧化銦錫（Indiujn t in 〇xide)或非導體型的氧化銦（Indiuin oxide)、氧化錫（Tin oxide)、氧化辞（Zinc oxide)、氧化鎂（Magnesium oxide)、氧化鋁（Al2〇3)、二氧化矽（。〇2)或氮化矽（siNx) 之中的一種。 22·如申請專利範圍第21項所述之發光二極體，其中當該鏡面保護層係選自非導體型的鏡面保護層時，更包含至少形成一連接通道，用以提供該金屬黏接層經由該連接通道連接該第一歐姆接點電極層。

第24頁 200411953 -- — ---〆^ 六、申請專利範圍 23·如申請專利範圍第2〇項所述之發光二極體之製造方法，其中該高導熱基板係選自Au、A卜Cu、石夕（Si)、磷化鎵（GaP)、或碳化石夕（SiC)之中一種，該金屬黏接層之材質則選自包括In， Au, A g等其中之一種。 24·如申請專利範圍第2〇項所述之發光二極體之製造方法，其中該金屬黏接層接合該高導熱基板與該發光二極體蠢晶層表面的步驟，在2 〇〇°c〜6 0 0°C範圍内加壓及加熱而成0 25·—種發光二極體之製造方法，至少包含：提供一暫時基板；依序形.成一蝕刻終止層、一多層磷化鋁鎵銦 U1 Gal nP)蟲晶層結構在該暫時基板上，該遙晶層結構包含一下包覆層，一活性層，一上包覆層；；形成一歐姆接點磊晶層於該上包覆層上； I成一第一歐姆接點金屬電極層於該歐姆接點磊晶層上；

形成一鏡面保護層於該歐姆接點磊晶層並包覆該第一歐姆接點金屬電極層；提供一高導熱基板；形成一金屬黏接層於該高導熱基板上，用以黏合該高導熱基板與該鏡面保護層；

第25頁 200411953 六、申請專利範圍去除該暫時基板與該蝕刻終止層；以微影及蝕刻技術蝕刻該黏合後的結構體，起始於該下包覆層終止於該金屬黏接層以形成一第一通道；形成一第二歐姆接點金屬電極層於該下包覆層上；形成一金屬釘線電極層於該歐姆接點金屬電極層及該金屬黏接層，以形成兩個金屬釘線電極層分別連接該發光二極體之二電極。 2 6 ·如申請專利範圍第2 5項所述之發光二極體，其中該鏡面保護層係選自導體型的氧化銦錫（Indium tin oxide)。 27·如申請專利範圍第2 5項所述之發光二極體，其中該鏡面保護層係選自非導體型的氧化銦（Indium oxide)、氧化錫（Tin oxide)、氧化鋅（Zinc oxide)、氧化鎂 (Magnesium oxide)、氧化鋁（Al2〇3)、二氧化石夕（Si02)或氮化矽（S i N x )之中的一種，此時，更包含至少形成一連接通道於該鏡面保護層之中，用以提供該金屬黏接層經由該連接通道連接該第一歐姆接點電極層。參 2 8.如申請專利範圍第2 5項所述之發光二極體之製造方法，其中該高導熱基板係選自Au、Al、 Cu、矽（Si)、鱗化鎵（G a P )、或碳化石夕（S i C )之中一種，該金屬黏接層之材質則選自包括In, Au， Ag等其中之一種。

第26頁 200411953 六、申請專利範圍 2 9 ·如申請專利範圍第2 8項所述之發光二極體成一低歐姆接觸金屬層形成在矽（Si)、磷化4 碳化石夕（S i C )裸露的一面，以提供該發光二極電極不同側之封裝選擇。 3 0 ·如申請專利範圍第2 5項所述之發光二極體法，其中該金屬黏接層接合該高導熱基板與1 磊晶層表面的步驟，在2 0 0°C ~ 6 0 0°c範圍内加成。 3 1 ·如申請專利範圍第2 5項所述之發光二極體法，其中該金屬釘線電極層最外層為A丨或Au ，更包含形 ί (GaP)、或體N電極與P 之製造方《發光二極體壓及加熱而之製造方