TW200409136A - Self-calibrating sense amplifier strobe - Google Patents
Self-calibrating sense amplifier strobe Download PDFInfo
- Publication number
- TW200409136A TW200409136A TW092117222A TW92117222A TW200409136A TW 200409136 A TW200409136 A TW 200409136A TW 092117222 A TW092117222 A TW 092117222A TW 92117222 A TW92117222 A TW 92117222A TW 200409136 A TW200409136 A TW 200409136A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- sense amplifier
- output
- timing
- amplifier
- sense
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 18
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims description 2
- RRLHMJHRFMHVNM-BQVXCWBNSA-N [(2s,3r,6r)-6-[5-[5-hydroxy-3-(4-hydroxyphenyl)-4-oxochromen-7-yl]oxypentoxy]-2-methyl-3,6-dihydro-2h-pyran-3-yl] acetate Chemical compound C1=C[C@@H](OC(C)=O)[C@H](C)O[C@H]1OCCCCCOC1=CC(O)=C2C(=O)C(C=3C=CC(O)=CC=3)=COC2=C1 RRLHMJHRFMHVNM-BQVXCWBNSA-N 0.000 claims 1
- 230000002496 gastric effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 230000003442 weekly effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/06—Sense amplifier related aspects
- G11C2207/065—Sense amplifier drivers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/22—Control and timing of internal memory operations
- G11C2207/2254—Calibration
Landscapes
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Dram (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
Description
Y3b 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 此文件係有關於記憶體技術,並且尤其是有關於一種 用以校準感測放大器之致能(或是選通)信號的系統及方法 〇 【先前技術】 “ t電腦記憶體系統中,最小化從_讀取資料所需的 ’疋重要的。當使周-種具有内建的讀取放大器選通時 2 RAM陣列時’目前的方法係利用從電路模擬所獲得之 保守的時序估計。既然它是保守的估計,目此該時序是比 里心上可以利用的時序要慢。另—種方法是量^ _效能 =且利用料來設定該時序—次。此種方式係解決製程的 變=,但是一旦該時序被設定後,該RM陣列便沒有能力 二U也改變其時序成為響應在電壓、溫度或是雜訊上的變 動^而者。因此’該選通時序必須被保守地設定以考量到 電壓、溫度以及雜訊上的變化。所需的是一種用以設定選 通日守序的系統及方法,其係在適應於製程、電壓、溫度以 及雜訊上的變化時,儘可能多地縮短記憶體週期。 【發明内容】 此文件係論述一種用於陣列的感測放大器之選通 日守序的自校準之系統及方法。在一個方法範例中,被用來 5買取RAM陣列的位元線之兩個感測放大器的時序係藉由一 個延遲鎖定迴路電路(DLL)加以控制。第一感測放大器的選 通之時序係被縮短直到該感測放大器失效為止。然而,第 200409136 二感測放大器係具有足夠的時序邊限,並且被用來實際地 讀取RAM的位^線。—旦以第—感測放大器㈣ram失效 後:該DLL係加長選通時序。一旦最小的臨界值被設定後 ,第二感測放大器將一直會讀取到正確的資料,這是因為 在第一與第二放大器之間内建的時序邊限之緣故。因此, 該系統在每個讀取週期不斷地最佳化RAM陣列的讀取時序 ’甚至是該最短的時間會變化也是如此。 在圖式中,相同的圖號係指各個圖之間相似的組件。 【實施方式】 在以下的詳細說明中係參考到所附的圖式,該圖式係 構成說日月的一部份,並且其中係藉由實例來展示本發明可 被實施之特定的實施例。將瞭解到的是其它的實施例也可 以被利用,並且可以在不脫離本發明的範疇下完成結構上 的改變。 第1圖係展示被用來從RAM位元線16〇讀取資料的兩 個感測放大器110及12〇。延遲電路13〇係在該第一感測 放大器110以及該第二感測放大器12〇之間產生一個固定 的時序邊限,使得該第一感測放大器11〇比第二感測放大 器120較早被選通。一個比較電路(或是比較器)36〇係比 較藉由感測放大器丨丨〇及丨2〇所讀取的資料值。一個延遲 鎖定迴路(DLL)電路150係依據放大器11〇及12〇的輸出來 相對於一個參考時脈信號17〇調早或是調晚第一感測放大 益的選通信號180的時序。在一個實施例中,若在早的 (early)放大器11〇之輸出處未被該比較電路36〇偵測出脈 200409136 衝雜訊(glitch)、或是兩個放大器no及120的輪出相符 時,該DLL 150係縮減在參考時脈信號170以及第_感測 放大器的選通信號18 0之間的時間間隔。在本範例中,卷 差動感測放大器11 0的選通太靠近位元線1 β 〇的轉變時將 會發生脈衝雜訊。此係阻礙感測放大器丨丨0解析差動位元 線信號,而造成其進入一種暫穩的(meta—stable)狀態。 若在早的放大器11 〇之輸出處被該比較電路36〇偵測 出脈衝雜訊、或是該兩個放大器i丨〇及丨20的輸出並不相 符時,該讀取係已經失效。於是,DLL丨50係增加在參考 時脈信號170以及第一感測放大器的選通信號丨8〇之間的 時間間隔。一旦該讀取失效,最小的選通延遲便已經找到 。即使該讀取失效,該晚的感測放大器丨2〇仍然讀取到正 確的資料,這是因為時序邊限130被加在感測放大器ιι〇 及120之間的緣故。在一個實施例中,延遲13〇係藉由串 聯連接兩個邏輯反相器所形成的。 第2圖是展示該些信號的關係之時序圖。第一感測放 大器11 0 大器110的選通之時序係早於第二放大器 120的選通一段
200409136 測放大器加以讀取。 第3圖係展示根據本發明的記憶體元件3〇〇之一個實 施例。在記憶體元件300中,比較電路360係監視藉由早 的感測放大器110以及晚的感測放大器丨2〇從RAM陣列 33G所讀取的資料’並且減緩、保持或是加速在參考時脈 信號170以及第一感測放大器的選通信號丨8〇之間的時間 間隔。在此實施例中,輸出線的減緩、保持或是加速係被 用來增加、保持或是減少上/下移位暫存器35〇的計數。在 此例子中,該移位暫存器係由4個位元所構成。該上/下 移位暫存器3 5 0係使用多工器3 9 0來選擇四種時序設定中 的一種,用於該時脈參考至第一感測放大器的選通信號之 時序間隔。在一個實施例中,該些時序設定是用一條由單 位延遲電路所組成的延遲線34〇來做成的。藉由舉例(但非 限制性的),該些單位延遲電路可被實現為來自兩個邏輯 反相器之兩個單位閘延遲。此係容許時序間隔有至⑽ 微微秒(picosecond)的增加量之調整。 在此例子中,上/下移位暫存器350最初被設定來選擇 最長的時間間隔。該早的感測放大器11G的輸出是無脈衝 雜訊的,並且藉由感測放大器110及120所讀取的資料係 相符。該上/下移位暫存器35。在每個讀取週期逐漸二縮 減該時間間隔’直到該早的感測放大器、110的輪出產生脈 衝雜訊、或是該早的感測放大器i 1G的輸出並不相符於% 晚的感測放大器120的輸出並且該讀取失效為止。' j 〇 該晚的感測放大器120的輸出被用來決定資料為何於疋, 2UU4UyiJ0 若該行並未在RAM讀取週 感測放大器並未被M ’ 1被k擇時’該早的 固定。 破致",並且該移位暫存㈣輸出被保持 若讀取失效,則該上/下移位 隔給下-個讀取週期以及後h 子。° 330係增加時間間 測放大器1!〇的:::讀取週期,直到該早的感 器"。及12。所:衝雜訊的,並且藉由感測放大 及12°所項取的資料係相符為止。在此時點…丁 移位暫存q ς η $ riE BS U 上/下 中,计m 減少時間間隔。因此,在此例子 中3己隐體凡件300係自我調整以逼近一 遲。此種調整是持續且動態的。 、、、通延 在另一個實施例中,該比較電路360係運作以在預先 實\:隔處取樣感測放大器11…的輸出。在此一 =例中,該選通延遲只有在這些預先設定的間隔處才被 另一個例子中’一個2位元的計數器係被使用來取 代4位元的上/下移位暫存器35〇,以選擇四種時序設定甲 I:種Γ夺ί設定的數量可以藉由增大或是減小計數器或 疋立存态的大小而輕易地加以改變。藉由舉例(但非 限制I·生的)’ 一個8位元的上/下移位暫存器或是一個3位 凡的計數器可以被用來選擇八種時序設定中的—種。 第4圖係展示可以被使用在第3圖的記憶體元件· 中之比較電路360的一個實施例。在所展示的實施例中, 位元線Ι6(Μ系被叙接至該差動早的感測放以η〇。該早 的感測放大器110的輸出係被耦接至脈衝雜訊偵測電路 200409136 44。的輸入。當該早感測放大器的選通錢i8〇之時間靠 近位元錢160的轉變時間時,該早的感測放大器的輸出 都會開始轉變為高0 ’而不是表現出一個差動輸出。此係 在該感測放大器的輸出產生__個脈衝雜訊或是矮(咖)脈 衝。當脈衝雜訊發生時,該變慢(shiftd〇wn)信號41〇係變 為有㈣’此係加長該時脈參考信號m相對於該早的感 測放大器的選通18 0之時序間隔。 類似地虽兩個感測放大器的輸出相符並且沒有脈衝 雜訊被债測出時,該加速(shiftup)信號42G係變為有效的 ,此係縮短該時脈參考信號17G相對於該早的感測放大写 的選通180之時間間隔。最後,若該些位元線16〇未被選 擇時,該兩個感測放大器的輸出是閒置的,並且該保持 (stay)信號430係變為有效的,此係維持與先前的ram讀 取週期相同的時脈參考信號17〇相料該早的感測放大器 的選通180之時序間隔。 儘官特定的範例在此已經被說明與描述,在此領域中 具有一般知識者將會體認到任何被計劃來達成相同目的之 配置都可以用來取代所展示之特定的範例。本申請案係欲 涵蓋本發明之任何的修改或是變動。因此,本發明係欲僅 由申請專利範圍及其均等項所限制。 【圖式簡單說明】 (一)圖式部分 第1圖係展示自校準的感測放大器之選通電路的組件 之方塊圖。 12 200409136 第2圖係展示時序信號的關係。 第3圖係展示DLL的詳細描繪之系統層級的方塊圖。 第4圖係展示脈衝雜訊(glitch)偵測電路的—個實 叫。 (二)元件代表符號 11 〇第一感測放大器(早的感測放大器) 1 2 0第二感測放大器(晚的感測放大器) 130延遲電路
150延遲鎖定迴路(dll)電路 1 6 0位元線 1 7 0參考時脈信號 180第一感測放大器的選通信號 210固定的延遲 220間隔 300記憶體元件 3 3 0 R A Μ陣列
340延遲線 350上/下移位暫存器 3 6 0比較電路(比較器) 390多工器 440脈衝雜訊偵測電路 13
Claims (1)
- 200409136 拾、申請專利範圍: 1 · 一種感測放大器之選通系統,其係包括: 一個第一感測放大器以及一個第二感測放大器,其係 耦接至個記憶體元件的位元線,其中每個感測放大器係 包含一個選通輸入以及一個資料輸出; 一個比較電路,其係耦接至該第一以及第二感測放大 态的貝料輪出,其中該比較電路係比較在該第二感測放大裔的貝料輸出上之資料與在該第一感測放大器的資料輸出 上之資料;以及 個延遲鎖定迴路(DLL)電路,其係耦接至該比較電路 的輸出以及$第—感测放大器的選通輸人,其中若在該第 測:大器的資料輸出上之資料不同於在該第二感測放 大二的胃料輸$上d料時’該延遲鎖定迴路電路係相對 於士個多考犄脈化號來調整該第一感測放大器的選通信號 之時序。 u2·如申請專利範圍第i 是一個RAM陣列。 3·如申請專利範圍第工 包含: 項之系統,其中該記憶體元件 項之系統,其中該比較電路係 一個脈衝雜訊偵測電 感測放大器的輸出,其中 第一脈衝雜訊偵測輸出、 一個第三脈衝雜訊偵測輪 4 ·如申請專利範圍第 路,其係耦接至該第一以及第二 該脈衝雜訊偵測電路係包含一個 一個第二脈衝雜訊偵測輸出以及 出。 3項之系統,其中該脈衝雜訊偵 14 200409136 測係經由該上/下移位暫存器的輸出以及該多工器的輸出 來調整該些感測放大器的選通之時序。 =5.如申請專利範圍第"員之系統,其中該DU係包含 以及Γ:上/下移位暫存器,其係包括一個移位暫存器輸出 ^接至該脈衝雜訊偵測電路的輸出之-個第-移位暫 存為輸入、第二移位暫存器輸入以及第三移位暫存器輸入 y 、士 _包括串接的延遲之延遲時序鏈,其係包含一個延 遲日:序鏈輸人m目延料⑽輸出,以該時序鍵輸 入係藉由一個參考時脈信號所提供時脈;以及 器其係搞接至該移位暫存器輸出以及兮证 遲時序鏈輸出。 、 * 6·如申請專利範圍帛1項之系統,其更包含一個具有 第「脈衝雜訊偵測輪出的脈衝雜訊偵測電路,丨中該第一 脈衝雜δΤΙ偵測輪出係被配置以在該第-感測放大器輸出是 一個脈衝雜却、+ θ : 或疋該第二感測放大器感測到不同於該第 忍、J欠大杰的賁料時,調整該些感測放大器的選通時序 慢於該參考時脈信號。 7·如申晴專利範圍第1項之系統,其更包含一個具有 弟 '一脈衝雜訊彳自 1貝剛輸出的脈衝雜訊偵測電路,其中該第二 脈衝雜訊偵測於山 輸出係被配置以在該第一感測放大器輸出並 未產生脈衝雜却 11L Λ或是該第二感測放大器感測到與該第一 感測放大器相π 1的資料時,調整該些感測放大器的選通時 15 200409136 序早於該參考時脈信號。 ^ 8·如申請專利範圍第1項之系統,其更包含一個具有 第-脈衝雜汛偵測輸出的脈衝雜訊偵測電路,其中該第三 脈衝雜訊偵測輸出係被配置以在該RAM陣列的位元線於— 個RAM 5買取週期之期間未被選取時,保持該些感測放大器 的選通相對於該參考時脈信號之時序。 9.種用於動態地調整感測放大器的選通信號之方法 二其係在一個具有第一感測放大器以及第二感測放大器的 記憶體元件中,其中每個感測放大器係包含一個輸出,該 方法係包括: 以m則放大器的選通來驅動該第—感測放大 為, 延遲該第一感測放大器的選通; 以該延遲後的第一感測放大器的選通來驅動該第二感 測放大器; 〜 比較每個感測放大器的輪出;並且 若該等輸出並不相符時,相關於一個參考時脈來調整 該第一感測放大器的選通之時序。 拾壹、圖式: 如次頁 16
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/180,478 US6714464B2 (en) | 2002-06-26 | 2002-06-26 | System and method for a self-calibrating sense-amplifier strobe |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200409136A true TW200409136A (en) | 2004-06-01 |
Family
ID=29778936
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092117222A TW200409136A (en) | 2002-06-26 | 2003-06-25 | Self-calibrating sense amplifier strobe |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6714464B2 (zh) |
EP (1) | EP1516341B1 (zh) |
JP (1) | JP2005531099A (zh) |
KR (1) | KR100968632B1 (zh) |
DE (1) | DE60309470T2 (zh) |
TW (1) | TW200409136A (zh) |
WO (1) | WO2004003920A1 (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7999576B2 (en) | 2007-10-11 | 2011-08-16 | Hynix Semiconductor Inc. | Sense amplifier control circuit |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6819599B2 (en) * | 2002-08-01 | 2004-11-16 | Micron Technology, Inc. | Programmable DQS preamble |
US7390616B2 (en) * | 2005-01-12 | 2008-06-24 | International Business Machines Corporation | Method for post lithographic critical dimension shrinking using post overcoat planarization |
US7239537B2 (en) * | 2005-01-12 | 2007-07-03 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for current sense amplifier calibration in MRAM devices |
US7268600B2 (en) * | 2005-11-30 | 2007-09-11 | International Business Machines Corporation | Phase- or frequency-locked loop circuit having a glitch detector for detecting triggering-edge-type glitches in a noisy signal |
KR100776736B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 클럭 동기 장치 |
US7715251B2 (en) * | 2006-10-25 | 2010-05-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Memory access strobe configuration system and process |
US7864625B2 (en) * | 2008-10-02 | 2011-01-04 | International Business Machines Corporation | Optimizing SRAM performance over extended voltage or process range using self-timed calibration of local clock generator |
JP5359804B2 (ja) * | 2009-11-16 | 2013-12-04 | ソニー株式会社 | 不揮発性半導体メモリデバイス |
US8477549B1 (en) | 2010-12-22 | 2013-07-02 | Lattice Semiconductor Corporation | Triggered sense amplifier |
US8351287B1 (en) | 2010-12-22 | 2013-01-08 | Lattice Semiconductor Corporation | Bitline floating circuit for memory power reduction |
TWI560714B (en) * | 2014-12-24 | 2016-12-01 | Winbond Electronics Corp | Resistance random access memory |
US10170162B2 (en) * | 2017-05-23 | 2019-01-01 | Sandisk Technologies Llc | Sense amplifier calibration |
EP4009062A1 (en) * | 2020-12-01 | 2022-06-08 | Thales DIS France SA | System on chip with voltage glitch detection based on clock synchronization monitoring |
DE102021205318A1 (de) * | 2021-05-26 | 2022-12-01 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Speichervorrichtung und Verfahren zur Durchführung aufeinanderfolgender Speicherzugriffe |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61110394A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JP2865469B2 (ja) * | 1992-01-24 | 1999-03-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体メモリ装置 |
IL118853A0 (en) * | 1996-07-15 | 1996-10-31 | Atlas Dan | Heart rate monitor with age-dependent target-zone feedback particularly useful to the blind |
US5936905A (en) * | 1996-09-03 | 1999-08-10 | Townsend And Townsend And Crew Llp | Self adjusting delay circuit and method for compensating sense amplifier clock timing |
JP3001454B2 (ja) * | 1997-04-23 | 2000-01-24 | 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 | 半導体装置 |
US6185712B1 (en) | 1998-07-02 | 2001-02-06 | International Business Machines Corporation | Chip performance optimization with self programmed built in self test |
JP2001022650A (ja) * | 1999-07-08 | 2001-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体不揮発性記憶装置 |
KR100335275B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2002-05-03 | 박종섭 | 센스앰프 구동 제어장치 |
JP3484388B2 (ja) * | 2000-02-08 | 2004-01-06 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
KR100343143B1 (ko) * | 2000-08-01 | 2002-07-05 | 윤종용 | 비트 라인 불량 검출을 위한 센스 앰프 제어 회로를구비하는 반도체 메모리 장치 및 그의 제어 방법 |
US6870770B2 (en) * | 2001-12-12 | 2005-03-22 | Micron Technology, Inc. | Method and architecture to calibrate read operations in synchronous flash memory |
-
2002
- 2002-06-26 US US10/180,478 patent/US6714464B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-06-25 TW TW092117222A patent/TW200409136A/zh unknown
- 2003-06-26 WO PCT/US2003/020311 patent/WO2004003920A1/en active IP Right Grant
- 2003-06-26 EP EP03742265A patent/EP1516341B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-26 DE DE60309470T patent/DE60309470T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-26 KR KR1020047021170A patent/KR100968632B1/ko active IP Right Grant
- 2003-06-26 JP JP2004517957A patent/JP2005531099A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7999576B2 (en) | 2007-10-11 | 2011-08-16 | Hynix Semiconductor Inc. | Sense amplifier control circuit |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040001364A1 (en) | 2004-01-01 |
DE60309470T2 (de) | 2007-09-06 |
JP2005531099A (ja) | 2005-10-13 |
WO2004003920A1 (en) | 2004-01-08 |
US6714464B2 (en) | 2004-03-30 |
KR100968632B1 (ko) | 2010-07-06 |
DE60309470D1 (de) | 2006-12-14 |
EP1516341A1 (en) | 2005-03-23 |
EP1516341B1 (en) | 2006-11-02 |
KR20050072057A (ko) | 2005-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200409136A (en) | Self-calibrating sense amplifier strobe | |
US6975149B2 (en) | Method and circuit for adjusting the timing of output data based on an operational mode of output drivers | |
US8324946B2 (en) | Clock generator and methods using closed loop duty cycle correction | |
US10658019B2 (en) | Circuit, system and method for controlling read latency | |
US6759911B2 (en) | Delay-locked loop circuit and method using a ring oscillator and counter-based delay | |
US6724228B2 (en) | Clock generating circuit capable of generating internal clock accurately synchronized with external clock | |
US20020008558A1 (en) | Clock generation circuit, control method of clock generation circuit and semiconductor memory device | |
US6836166B2 (en) | Method and system for delay control in synchronization circuits | |
US6980479B2 (en) | Semiconductor device for domain crossing | |
US7791388B2 (en) | Duty cycle error calculation circuit for a clock generator having a delay locked loop and duty cycle correction circuit | |
US7199625B1 (en) | Delay locked loop structure providing first and second locked clock signals | |
US20050264331A1 (en) | Methods and apparatus for delay circuit | |
US20030081473A1 (en) | System and method for skew compensating a clock signal and for capturing a digital signal using the skew compensated clock signal | |
US20030067015A1 (en) | Dual-phase delay-locked loop circuit and method | |
US20060044931A1 (en) | Delay-locked loop having a pre-shift phase detector | |
US7379383B2 (en) | Methods of DDR receiver read re-synchronization | |
JP2000311028A (ja) | 位相制御回路、半導体装置及び半導体メモリ | |
US9154141B2 (en) | Continuous high-frequency event filter | |
US7408394B2 (en) | Measure control delay and method having latching circuit integral with delay circuit | |
US7221202B1 (en) | Delay-locked loop with reduced susceptibility to false lock | |
US20070280033A1 (en) | Methods and devices for regulating the timing of control signals in integrated circuit memory devices |