TW200408896A - Semiconductor device, reflective liquid crystal display apparatus and reflective liquid crystal projection apparatus - Google Patents

Semiconductor device, reflective liquid crystal display apparatus and reflective liquid crystal projection apparatus Download PDF

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Description

200408896 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明為：一種半導體裝置，其用以播士 J以構成採用主動矩陣 顯示方式的反射型液晶顯示裝置的主動拓陆^二 勒矩陣驅動部；一種 反射型液晶顯示裝置，其採用主動矩陣液晶顯示方式；及 —種反射型液晶投影裝置’其採用主動矩陣顯示方^的反 射型液晶顯不裝置。 【先前技術】 有關主動矩陣顯示方式的反射型液晶顯示裝置，例如有 如圖7所示者。 整體而言，該反射型液晶顯示裝置9中，半導體裝置部5〇 (其構成了主動矩陣驅動部）與對向透明基板32(其上形成 有各像素均有的對向透明電極31)之間植人有液晶'，而形成 液晶層3 3。 半導體裝置部50方面，在第一導電型之例如為p型的矽 基板等之半導體基板（底層半導體區域）丨丨上’每個構成像 素px的單位區域，均形成有開關用電晶體13及信號儲存用 電容器55。 開關用電晶體13方面則為MIS(Metal Insulat〇r Semiconductor ;金屬·絕緣體_半導體）型或M〇s(Metal Ohde Seimconductor ;金屬_氧化物半導體）型的電晶體， 其係在半導體基板11上形成有第二導電型的源極區域i3S 及汲極區域13D(即，半導體基板丨丨為卩型時，形成N型的源 極區域13S及沒極區域13D)後，在該源極區域ns與汲極區
85024.DOC 200408896 域13D間的區域上，介以薄的絕緣層丨2a(二氧化矽等形成之 絕緣層12的一部份），以聚矽等形成有閘極電極ug而構成。 信號儲存用電容器55方面，則在半導體基板丨丨上，形成 與開關用電晶體13的源極區域13 S及汲極區域13D相同之 第二導電型（即，半導體基板11為1>型時，採用]^型）的半導 體區域55D及55S，並在半導體區域55D及55S間的區域上、， 介以構成絕緣層12之一部份的薄的絕緣層12b而形成電極 55G，而構成MIS型或MOS型的電晶體後，藉由在半導體區 域55D及55S間施加適當的電壓，在半導體區域55d及55s 間的電極55G的正下方部份上形成通路55〇而形成電性電 容。 私 尚且’在半導體基板11中，每個成為像素以的單位區域 上，形成有與半導體基板相同之第一導電型（即，如半導體 基板11為P型時為p型）且為高濃度的偏壓用半導體區域57 ，用以將接地電位等之偏壓電壓施加於半導體基板u。 並且’絕緣層12上的絕緣層14±，形成有：掃描線（掃描 電極）21，其係與開關用電晶體13的閘極電極13G連接；俨 號線（信號電極）23,其係與開關％電晶體13的源極區域⑽ 連接；配線25,錢開關用電晶體13的汲極區域13〇與信 號儲存用電容器55的電極55G相連接；及偏壓用電極”， 其係與信號儲存用電容器55的半導體區域55d、55s及偏壓 用半導體區域57連接。
85024.DOC 200408896 再者，絕緣層14上的絕緣層16上，形 的反射電極19，其係連接於配& ^ ，“象素電極 八係運接万；配線25，即連接於開關 ㈣的沒極區域13D及信號儲存用電容器如電極加。叩 :::液晶顯示裝置9方面，在顯示畫面的垂直方向上配 有夕條知描線21，在顯示畫面的水平方向上配置有多仏 ==，且上述兩線的各交叉部份會如上述般地形成^ 此外’在偏壓用電極59接地’信號儲存用電容器^的半 寸體區域55D、55S、及偏壓用半導體區域57上施加有接地 電位’且各像素共通的對向透明電極31上施加有指定電位 的狀態下：藉由掃描線驅動電路依序對掃描線2ι進行二 ’而在與該選取之掃描線21連接的該像素具有之開關用電 晶體13的閘極電極13G上施加指定電位，使該像素的開關 用電晶體13成為開狀態後，藉由信號線驅動電路將信號電 壓介以信號線2 3施加於該像素的開關用電晶體i 3的源極區 域us’使信號電荷通過該像素的開關用電晶體13的波極 區域13D而儲存於該像素的信號儲存用電容器55的電性電 容。 藉以在該儲存之信號電荷施加於該像素的反射電極^， 使各像素共通的對向透明電極31與該像素的反射電極洲 施加有以信號用壓為據的電場，據此藉由液晶層Μ來對該 像素部份所發光的旋光進行控制。然後，由對向透明基板 32的外側射入反射錢晶顯示裝置9,並穿透液晶層η的該 像素部份而受反射電極19的反射後，再度穿透液晶層训 85024.DOC -10- 200408896 邊像素邵份而射㈣光線會受到調變，允許指定偏光方向 的光線穿透，藉此使反射型液晶顯示裝置9顯示影像。 "::’如圖7所示之上述以往的反射型液晶顯示裝置9的 半寸衣置# 50中，構成信號儲存用電容器55的半導體基 品或〇及558乃具有與半導體基板（底層半導體區域）Η 相兴的導電型，即採用與開關用電晶體13的源極區域13s ，汲極區域13D相同的導電^，因此為了與開關用電晶體 區或” L號儲存用電容器區域分_，必須將開關用電晶體 區域與信號儲存用電容器區域間的距離(即，開關用電晶‘ 13的汲極區域13D與信號儲存用電容器乃的半導體區域 55D間的距_d)加大至某—程度，致使像素的面積增加 ，在指定大小内所能夠形成的像素數會隨之減少。 此外，由於構成了信號儲存用電容器55的半導體區域 55D及55S具有與_導體基板（底面半導體區域）相異的導電 型二因此在半導體11上，必須形成對半導體11施加接地電 位等之偏壓電位用且與半導體基板u具有㈣導電型的偏 壓用半導體區域57,相對地像素ρχ的面積會變大，在指定 大小内所能夠形成的像素數會隨之減少。 、為求將冑素Ρχ的大面積化抑制至最小而縮小半導體區 或勺面知日寺將I法對半等體基板u穩定地施加偏壓電 位’使得耐干涉性惡化。 為 纟&月月匕夠在不使耐干擾性惡化的情況下實現像 素的小面積化。 【發明内容】
85024.DOC -11- 200408896 第一發明之半導體裝置中， 在第一導電型的底層半導體區域上，每個形成像素的單 位區域均形成有開關用電晶體及信號儲存用電容器； 上述開關用電晶體係在上述底層半導體區域上：成 一導電型源極區域及決叙p4 士、、 域，並在㈣極區域與沒極區 s曰、區域上介以絕緣層形成有閘極 =儲存用電容器係在上述底層;=域形成2 :'型半導體區域，並在該2個半導體區域間的區域 上，丨以絕緣層形成有電極來構成； — 狀::成線並連接於上述開關用電晶體的上述間極的 iT= ϋ線並連接於上述_用電《的上述# =:形成有做為像素電極的反射電極並連接於開 關用電晶體的上述汲極區域及上 述電極。 虎储存用電容器的上 第二發明之半導體裝置中， 第一導電型底層半導體區域上 在第導電型的底層半導體區域上，每個π成符 昨 位區域均形成有開關用電晶體及信號儲存用電容哭'、的單 二ΐ=:晶體係在上述底層半導體區域上形成有第 區域間二區i =域及沒極區域，並在該源極區域與沒極 卜二或上介以絕緣層形成有間極電極來構成； 開關用ο 在述展層半導體區域的上述 的上述沒極區域相連接的區域 層形成有電極；
85024.DOC -12- 200408896 士述展層半導體區域上，介以偏壓用電極，在形成盥上 述信號儲存用電容器的上述電極相連接的第一導電型偏 用半導體區域、與上述開關用電晶體的上述閉極電杯相連 接的掃描線、與上述開關用電晶體的上述汲極區域連接的 信號線：及與上述開關用電晶體的上述沒極區域連接= 況下，形成有做為像素電極的反射電極。 上述構造的第—發明半導體裝置中，由於構成信號儲存 开用電容器的半導體區域係採與底層半導體區域相同的導電 =二知用與開關用電晶體的源極區域及沒極 ： 導：型，因此使為了使開關用電晶體區域與信號儲存用; 客Γ區域間分離而設的開關用電晶體區域與信號鍺存用電 距離’即開關用電晶體的汲極區域與信號儲 充二 開關用電晶體側的半導體區域的距離， Μ地、，#小’使像素小㈣化 成的像素數增加。 使心疋大小内可形 在此^況中’除了信號鍺存用電容器包含的半導⑲ 在f層半導體區域上形成第一導電型偏壓用^導體 區域也可貫現上述般的像素的小面積化，· 二2 儲存用電容器包含的半道#曲 ;’…、’由於信號 相同的導電型，因:;:=用=半導體區域 體區域兼做為底層半道俨巴域;二^用包合益包含的半導 此構成的情況中，可使像素更為小面積:=旨= 小内可形成的像素數目更多。 、而使扣疋大
85024.DOC -13- 200408896 上逑構造的第二發明半導體裝置中，信號儲存用電容器 係在辰層半導體區域的開關用電晶體的沒極區域相鄰區域 二/、彖層而形成了電極，而在底層半導體區域上的 晶體之沒極區域之外，並未形成用以構 存用電容器的丰道舻p ^ 1牛寸域，因此即使在底層半導體區 形成偏壓用丰道晋曲F A , … +寸⑽域，仍可使像素小面積化，進而能夠 曰加在指定大小内所形成的像素數。 此外’本發明之反射型液晶顯示裝置中，上述半道俨壯 =:透明基板(形成有各像素共通的對向電極二 再者’本發明之反射型液晶投影裝置方面，且有上述反 射型液晶顯示裝置，&约 、瓦
Km 夠猎由孩反射型液晶顯示裝置而依 〜像㈣來對由光源產生的光線 將輸出的影像_料射。 心W透鏡 【實施方式】 [半導體裝置及反射型液晶 至圖5] 衣直的爲她万式··圖1 (第一例··圖1) 圖1所示的為本發明之反射型 係以本發明之半道# 裝置<罘一例，其 牛寸心 < 罘一例為半導體裝置部。 本例之反射型液晶顯示裝置〗中，整 導體劈蘄甘/ 豆 係藉由在半 寸’发置10(其係用以構成主 板叫其上形成有夂像…：陣驅動邵)與對向透明基 /飒W各像素共通的對向透 晶而形成有液晶層33。 月包極川間汪入液
85024.DOC -14- 200408896 —半導把衣置邵10万面，在第一導電型（例如？型）的矽基板 等，半導體基板（底層半導體區域）^，每個做為像素Μ 的早位區域均形成有開關用電晶體13及信號儲存用電容哭 15。 口口 開關用電晶體13方面，半導體基板心，形成有第二導 電型（即，半導體基板丄14 p型時為_ )的源極區域⑶及沒 極區域13D ’孩源極區域ns與汲極區域13〇間的區域上， J以一虱化矽等形成之絕緣層12中一部份的薄絕緣層丨 7成有永矽等开^成的閘極電極13G，構成型或 型的電晶體。 仏唬儲存用電晶體丨5方面，半導體基板丨丨上，形成有與 半導體基板U相同之第—導電型（即，半導體基板型 時為P型）的高濃度半導體區域15D及15S ; _導體區域⑽ 及5S間的區域上’介以構成絕緣層12之—部份的薄絕緣 層12b而形成有電極15G，構成ΜΙ§型或m〇s型的電晶體； 藉由在半導體區域15D及15S上施加適當的電位，位於半導 體區域15D及15S間的電極15G的正下方部份，將會形成： 路1 5 c而形成電性電容。 时再者，在本例中，半導體基板11上，每個做為像素以的 單位區域上，為了對半導體基板Π施加接地電位等之偏壓 私位形成有具有與半導體基板π相同之第一導電型（即，
半導體基板11為p型時為p型）且為高濃度的偏壓用半導體 區域1 7。 A
85024.DOC -15- 200408896 再且，絕緣層12上的絕緣層i 4上，有掃描線（掃描電極）2 1 形成而連接於開關用電晶體13的閘極電極ug，有信號線 (信號電極）23形成而連接於開關用電晶體13的源極區域 13S’有配線25形成而使開關用電晶體_沒極區域邮盘 信號儲存用電容器15的電極15G相互連接，有偏壓用電極 27形成而連接於信號儲存用電容器15的半導體區域加、 15S、及偏壓用半導體區域17。 再且’絕緣層14上的絕緣層16上，藉由有做為像素電柄 的反射電極形成而與配線25連接，即與開關用電晶體 的汲極區域UD及信號儲存用電容器15的電極15(}相連接。 反射型液晶顯示裝们方面，係如圖4所示，有多條掃描 線21配置於顯示畫面的垂直方向，多條信號線加置於顯 不畫面的水平方向，而上述兩線的各交又位置的部份係做 為像素Ρχ而如上述般地構成。 、驅:電路方面，如圖5所示，在使偏壓用電極27接地、使 接地電位施加於信號儲存用電容H 15的半導體區域15D、 ⑸、及偏壓用半導體區域17上，且使指定電位施加於各 像素共通的對向透明電極31的狀態下，藉由掃描線驅動電 =依序對掃描線21進行選擇，藉由對與該選擇之掃描線 I1 ί接的該像素之開關用電晶體13的閘極電極13 G施加指 “位’使得該像素的開關用電晶體13成為開後，藉由信 ,7 ^力％路，經由信號線23，而將信號電壓施加於該像 素勺開關用书晶體13的源極區域13S，使得信號電荷經由
85024.DOC -16 - 200408896 S像素的開關用電晶體丨3的汲極區域丨3D而儲存於該像素 的信號儲存用電容器15的電性電容。 藉由使咸儲存的信號電荷施加於該像素的反射電極19、 使對應則5號電壓的電場施加於各像素共通的對向透明電 極3曰1與該像素的反射電極丨9間、及依此對具有液晶層33之 液日曰包各Cx的讀像素邵份的液晶的旋光狀態進行控制，然 後’由對向透明基板32的外側射入反射型液晶顯示裝置^ :朵透液卵層3 3的该像素邵份而受反射電極丨9的反射後 ，再度罕透液晶層33的該像素部份而射出至透明基板似卜 側的光線會文到調變，允許指定偏光方向的光線穿透，藉 此使反射型液晶顯示裝置1顯示影像。 a上述圖1所示例子的反射型液晶顯示裝置1或半導體裝置 ㈣中’由^構成信號儲存用電容器15的半導體區域15〇 及15S採用與半導體基板（底層半導體區域川相同的導電 型(田即，與開關用電晶體13的源極區域m及沒極區域i3D :的導私型)，因此使為了使開關用電晶體區域與信號儲 J用電容器區域間分離而設的開關用電晶體區域與信號儲 予用電容器區域間的距離，即開關用電晶體13的沒極區域 =與信號错存用電容器15的半導體區域加間的距離d充 使像素Px小面積化，進而使得指定大小内可形 成的像素數增加。 不僅偏壓用半導體區域17，構成信號儲存用電容 =半導體區域15D及15S也做為對半導體基板u施加 偏“位的區域’因此能夠穩定地將偏壓電位施加於半導
85024.DOC -17- 200408896 體基板11 ’提南耐干擾性。 此外’也可在信號儲存用電容器15的半導體區域15D、 15S、及偏壓用半導體區域17上施加與接地電位相異的偏 壓電位。 此外，也可與圖1所示的例子相反，使半導體基板（底層 半導體區域）11、信號儲存用電容器15的半導體區域n 15S、及偏壓用半導體區域17採用㈣，並將開關用電晶體 13的源極區域13S及汲極區域13D設定為p型。 再者，也可將半導體基板直接做為底層半導體區域，不 在其上形成開關用電晶體的源極區域及汲極區域、構成信 號儲存用電晶體的半導體區域、及偏壓用半導體區域，而 改在例如在N型半導體基板上形成開關用電晶體的n型源 極區域及汲極區域、構成信號儲存用電晶體的p型半導體 區域、及P型偏壓用半導體區域。 (第二例：圖2) 圖2為本明之反射型液晶顯示裝置的第二例，其以本發 明 < 半導體裝置之第二例做為半導體裝置部。 在本例中，如圖i例所示一般在半導體基板（底層半導體 區或）11上开/成開關用電晶體13及信號儲存用電容器1 $時 :除構成信號儲存用電容器15之具有與半導體基板u相同 導電型的高濃度半導體區域15D及15S之外，不在半導體基 板上开y成偏壓用半導體區域，而以該用以構成信號儲存 用電晶體15的半導體區域15D及15S兼為用以對半導體基 板11施加偏壓電位的偏壓用半導體區域。
85024.DOC -18- 200408896 再且，在連接於該半導體區域15D及15s的情況下，於絕 緣層14上形成偏壓用電極27，該偏壓用電㈣係連接於接 地電位點等之偏壓電位點，而使接地電位等的偏壓電位施 加於半導體區域15D及15S。其他部份則與圖丨所示的例子 相同。 因此，圖2所示的例子中，如同圖J所示的例子，為了使 開關用電晶體區域與信號儲存用電容器區域間分離，不僅 能夠能使開關用t晶體區域與信號儲存用t容器區域間的 距離（即，開關用電晶體13的源極區域13D與信號儲存用電 谷奋15的半導體區域15D間的距離旬充份縮小，且能夠由 像素區域切參J出圖i所示例+中用以形成偏壓用半導體區 域17的#伤，因此相較於圖j所示的例子，能夠使像素h 更進-步小面積化，進而能夠增加在指定大小内形成的像 素數。 尚且，即使未縮小兼為偏壓用半導體區域之信號儲存用 電容器15的半導體區域15D及出的面積，也能夠充份地對 像素Px施以小面積化，因此偏壓電位能夠穩定地施加於半 導體基板11，進而提升耐干擾性。 此外’也可與圖2所示的例子相反，使半導體基板（底層 半導體區域）11、及信號儲存用電容器15的半導體區域加 、15S知用N型，並將開關用電晶體13的源極區域及汲 極區域1 3 D設定為p型。 再者，也可將半導體基板直接做為底層半導體區域，不 在其上形成開關用電晶體的源極區域及汲極區域、及構成
85024.DOC -19- 200408896 信號儲存用電晶體的半導體區域，而改以例如在n型半導 :基板上形成P型的底層半導體區域，並在該p型底層半； 體區域上形成開關用電晶體的N型源極區域及沒極區域、 及構成信號儲存用電晶體的p型半導體區域。 (第三例··圖3) 圖3為本發明之反射型液晶顯示裝置的第三例，其以本發 明 < 半導體裝置之第三例做為半導體裝置部。 在本例中，開關用電晶體13係具有與圖1及圖2所示例子 相同的構造，惟信號儲存用電容器15中，相異於圖i及圖2 所示的例子，半導體基板（底層半導體區域）11上，與開關 用電晶體13的汲極區域13D相鄰的區域上，介以構成了絕 、彖層12之砵份的薄絕緣層12B而形成有電極15G，並藉由 =通當的電位施加於電極15G，使得與汲極區域13〇相鄰之 私極15(5的正下方部份，形成通路15c而形成電性電容。 再者，在本例中，半導體基板丨丨上，每個形成像素h的 2位區域上，為了對半導體基板11施加接地電位等之偏壓 :位，形成有具有與半導體基板u相同之第一導電型（即， 半寸to基板11為p型時為P型）且為高濃度的偏壓用半導體 區域1 7。 “ 再且，繞緣層12上的絕緣層14上，有掃描線21形成而連 妾^開關用兒日曰體13的閘極電極13G，有信號線23形成而 I接灰開關用電晶體丨3的源極區域丨3 s，有偏壓用電極U 形成而連接於信號儲存用電容器15的電極15G及偏壓用半 導體區域17，且在絕緣層14上之絕緣層16上，有做為像素
85024.DOC -20- 200408896 電極的反射電極19形 域 13D 〇 成而連接於開關用電晶體13的汲極區 力電：方面’如圖5所示，在使偏壓用電極27接地，使 她加於信號儲存用電容器15的電極况及偏壓用 、采才:區域17上’且使指定電位施加於各像素共通的對向 =月包油的狀怨下’藉由掃描線驅動電路來依序對掃描 =進㈣擇下，藉由對與該選擇之掃描線21連接的該像 Ά開關用電晶體13的閘極電極13G施加指定電位，使得 孩像素的開關用電晶體13成為開後，#由信號線驅動電路 ’經由信號線23,而將信號電壓施加於該像素的開關用電 印把13的源極區域13s，使得信號電荷經由該像素的開關 用電晶體13的沒極區域130而儲存於該像素的信號儲存用 電容器1 5的電性電容。 巧又到儲存的信f虎電荷施加於該像素的反射電極Η後， 如同圖1及圖2所示的例子一般，使得反射型〉夜晶顯示裝置工 顯示影像。 在上I之圖3例子的反射型液晶顯示裝置1或半導體裝置 部丨0中，由於在半導體基板u上除了開關用電晶體13的沒 極區域13D以外並不形成用以構成信號儲存用電容器15的 半導體區域，因此即使將偏壓用半導體區域17形成於半導 體基板11上，仍能夠使像素PM、面積化，而使指定大小： 可形成的像素數增加。 再者，在信號儲存用電容器15的電極15G及偏壓用半導 體區域17上，也可施加異於接地電位的偏壓電位。此外， 85024.DOC -21 - 200408896 在構造上’電極15G與偏壓用半導體區域17上也可施加互 兴的偏壓電位。 一此外，也可與圖3所示的例子相反，使半導體基板（底層 半導體區域）11及偏壓用半導體區域17採用N型，並將開關 用電晶體13的源極區域13s及汲極區域13D設定為p型。 再者，也可將半導體基板直接做為底層半導體區域，不 在其上形成開關用電晶體的源極區域及汲極區域、及偏壓 用半導體區域，而改以例如在^^型半導體基板上形成p型的 底層半導體區域，並在該p型底層半導體區域上形成開關 用私日曰體的N型源極區域及汲極區域、及p型偏壓用半導體 區域。 [反射型液晶投影裝置的實施方式：圖6] 如上述各例，本發明之反射型液晶顯示裝置，舉例來說 ，可做為反射型液晶投影裝置（投射型顯示裝置）之用。 圖6為本發明之反射型液晶投影裝置之一例，其採用了本 發明之反射型液晶顯示裝置。 本例的反射型液晶投影裝置2中，由内部設有白色光源的 照明構件3會射出無偏光的白色光；該白色光為平行光，在 與光束中心呈垂直的平面上的一定區域内，具有均一的強 度分布。 泫射出的光束在射入偏光分光鏡（]3eam Splitter)^^，八 成受偏光分光鏡4反射的S偏光光束及穿透偏光分光鏡4的 P偏光光束；受偏光分光鏡4反射的s偏光光束在射入紅色 光反射鏡5後，S偏光光束中的紅色光會受紅色光反射鏡$ 85024.DOC -22- 200408896 反射，而s偏光光束中的綠色光及藍色光會穿透紅色光反 射鏡5 ;再且，穿透紅色光反射鏡5的綠色光及藍色光在射 入藍色光反射鏡6後，藍色光會受到藍色光反射鏡6的反射 ，綠色光則會穿透藍色光反射鏡6。 然後，經紅色光反射鏡5反射的紅色光會將射入紅色用的 反射型液晶顯示裝置1R ;穿透藍色光反射鏡6的綠色光會 將射入綠色用的反射型液晶顯示裝置1G ;經藍色光反射鏡 6反射的藍色光會將射入藍色用的反射型液晶顯示裝置1B。 反射型液晶顯示裝置1R、1G、及1B分別為具有如圖1、 圖2、或圖3所示例子構造的本發明之反射型液晶顯示裝置 ，分別依紅、綠、藍的影像信號（色信號）而有影像資料寫 入0 射入反射型液晶顯示裝置1 R的紅色光、射入反射型液晶 顯示裝置1G的綠色光、及射入反射型液晶顯示裝置丨B的藍 色光分別依影像信號而在反射型液晶顯示裝置1 r ' 1G、及 1B内進行調變及反射後，藉由紅色光反射鏡5及藍色光反 射鏡6而再度合成紅、綠、藍的調變光；而該合成的紅、綠 i的凋艾光中，偏光分光鏡4形成之p偏光成份光將做為 影像光而穿透後，該穿透的影像光將藉由投射透鏡7而放大 投影於銀幕8上。 在本例的反射鏡液晶投影裝置2中，由於能夠如上述般地 對反射型液晶顯示裝置1R、1G、及1B的像素施以小面積化 ’以使指定大小内可形成的像素數增力”因此，如欲形成 指定大小的反射型液晶顯示裝ilR、1G、及1B0f，能夠增
85024.DOC -23- 200408896 加反射型液晶顯示裝置1R、1G、及1B的像素數，以在銀幕 8上投影出高解析度的影像；如欲形成具有指定像素數的反 射型液晶顯示裝置1R、1G、及1B時，能夠縮小反射型液晶 顯示裝置1R、1G、及1B的大小，以使反射型液晶投影裝置 2小型化。 此外，本發明之反射型液晶投影裝置並不侷限於圖示的 例子，可適用於具有以下者：照明光學系統，其能由白色 光源射出在光束，且該光束在其光束中心的垂直平面上的 一定區域内具有均一的強度分布；分解光學系統，其用以 將琢射出的光束，分離成紅、綠、及藍等之複數色的色光 ;各色用的本發明之反射型液晶顯示裝置，其有該分離出 來之各色色光射入；合成光學系統，其用以將該各色用的 反射型液晶顯示裝置射出的各色影像光加以合成；及投射 光學系統’其用以將該合成後的影像光投影至銀幕上。此 外’也可不包含上述的分解光學系統及合成光學系統，而 藉由單板的反射型液晶顯示裝置來構成反射型液晶投影裝 置。再且’也可非如圖6例子所示之前面投射型，而構成背 面投射型。 上这依本發明可藉由在不使耐干擾性惡化的情況下 ’實現像素的小面積化。 【圖式簡單說明】 圖1為本發明之反射型液晶顯示裝置之第一例為内容之 剖面圖。 圖2為本發明之反射型液晶顯示裝置之第二例為内容之
85024.DOC -24- 200408896 剖面圖。 圖3為本發明之反射型液晶顯示裝置之第三例為内容之 剖面圖。 圖4為本發明之反射型液晶顯示裝置之概略構造為内容 之立體圖。 圖5為本發明之反射型液晶顯示裝置之電路構造為内容 之連線圖。 圖6為本發明之反射型液晶投影裝置之一例為内容之圖。 圖7為以往之反射型液晶顯示裝置之剖面圖。 【圖式代表符號說明】 1 ··反射型液晶顯示裝置 1B··藍色用反射型液晶顯示裝置 1(3··綠色用反射型液晶顯示裝置 1R··紅色用反射型液晶顯示裝置 2.. 反射型液晶投影裝置 3·.照明構件 4.·偏光分光鏡 5··紅色光反射鏡 6··藍色光反射鏡 7··投射透鏡 8··銀幕 10.. 半導體裝置部 11··半導體基板（底層半導體區域） 12, 12a，12b·.絕緣層 85024.DOC -25- 200408896 13.. 開關用電晶體 13D..汲極區域 13G..閘極區域 135.. 源極區域 14.. 絕緣層 15.. 信號儲存用電容器 1 5 c..通路 15D..半導體區域 15G..電極 15S.·半導體區域 16·.絕緣層 17.. 偏壓用半導體區域 19.. 反射電極 2 1 ··掃描線（掃描電極） 23·.信號線（信號電極） 25.. 配線 27.. 偏壓用電極 31，32.·對向透明電極 3 3..液晶層 50.. 半導體裝置部 55.. 信號儲存用電容器 5 5 c..通路 55D.·半導體區域 55G..電極 -26-
85024.DOC 200408896 55S.·半導體區域 57.. 偏壓用半導體區域 59.. 偏壓用電極 27
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Claims (1)

  1. 200408896 拾、申請專利範園·· 1· 一種半導體裝置， — 寸私型展層半導體區域上， 母個做為像素的單位區域 次Q形成有開關用電晶體及信 唬儲存用電容器，其特徵在於·· 上=關用電晶體係包含··源極區域，其係與在上 u底層切體區域上形成，且雙方均為第二導電型的 源極區域及汲極區域 x卬宥運接，及閘極電極，並俾盥 掃描線連接，並介缔 ’、/、 L + a以、、、巴緣層而形成於上述源極區域與 上述汲極區域間之區域上； 二述信號儲存用電容器係包含：第一導電型之2個半 導體區域，其係形成於上述底層半導體區域上；及電 桎其係介以絕緣層而形成於該2個半導體 域上； A 有做為像素電極的反射電極形成，其係與上述開關 用電晶體的上述汲極區域及上述信號儲存用電容器的 上述電極相連接。 2·如申請專利範圍第丨項之半導體裝置，其中 除構成上述信號儲存用電容器的半導體區域以外， 在上述底層半導體區域上形成有 半導體區域。 有昂”型的偏壓用 3.如申請專利範圍第丨項之半導體裝置，其中 構成上述信號儲存用電容器的半導體區域係連接於 偏壓用電極，而兼做為上述底層半導體區域 的半導體區域。 85024.DOC 200408896 4· 導體區域 用電晶體 係與形成 電型的源 其係與掃 域與上述 -種半導时置，其㈣第—導電型底層半 上，每個做為像素的單位區域均形成有開關 及信號儲存用電容器，其特在於·· 上逑開關用電晶體係包含··源極區域，其 於上述底層半導體區域上且雙方均為第二導 極區域及汲極區域兩者連接；及閘極電極， 描線連接並介以絕緣層而形成於上述源極區 汲極區域間之區域上； 上述信號儲存用電容器係包含：電極，其係細邑 =而形成料上述底層半導體區域之上述開關用電 曰曰肖豆的上述汲極區域相鄰的區域上； 有介以偏壓用電極而與上述信號儲存用電容哭的上 述電極相連接並形成於上述底層並半導體區域上之第 導電型偏壓用半導體區域’及與上述開關用電晶體 的上述汲極區域兩者相連接作為像素電極之反射電極 5. 一種反射型液晶顯示裝置，其特徵為在中請專利範圍 弟1至4項中任一項之半導體裝置之具有上述反射電柄 的-面、及與該半導體裝置相對配置之對向透明基板 的形成有方尤各像素共通的對向電極之一自間形成有液 曰田層 〇 6.二種反射型液晶投影裝置，其特徵為具有如中請專利 範圍第5項之反射型液晶顯示裝置，藉由該反射型液晶 j不裝置對由錢射出之光線，依影像信號進行調變以 輻出影像光，並藉由投影透鏡進行該影像光的投射。 85024.DOC
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