TW200405120A - Optical recording materials having high storage density - Google Patents

Description

玖、發明說明 【發明戶斤屬之技術領域】 Γ ^tr Jl 本發明係有關特別於350至500毫微米波長有絕佳 記錄與回放性質之新穎光學記錄材料。記錄與回放較好 於相同波長進行，可達成的儲存密度相當高於已知材料 案例。此外，根據本發明之材料於記錄前以及後具有極 佳儲存性質，即使於特別苛刻條件下例如暴露於日光或 螢光管光、加熱及/或高濕度條件下也具有良好儲存性 質。可使用習知塗覆方法如旋塗法單純與良好再現性製 造。多種用於本發明材料之化合物不含重金屬，如此實 質上有助於例如白金、銀或鋁金屬反射層的回收。

代或經取代之吲哚畊染料用作為光學記錄材料，但此種 染料對氧化敏感因而光牢度性質不佳。其光學性質有疑 :::紫外光或接近紫外光範圍可寫入，但無法具有高 貪訊密度需要的對比度。此外且必須於紅外光範圍或接

200405120 玖、發明說明 690毫微米光學記錄材料如CD-R或DVD-R之式

染料之金屬及硼錯合物。該種情況 下，光學性質可疑，每單位面積的最大資訊密度遠低於 所需。 5 又，於該種系統特別需要於或接近紫外光範圍之

光譜性質來獲得最大儲存密度以及每單位面積資訊密 度之系統’無法滿足所需極南要求。

EP A-0 528 512描述包含兩種不同花青染料以及兩 種螢光淬熄劑於特定比例之光學記錄材料。記錄與回放 10 通常係於770至830毫微米進行。US 5 061 796揭示於600 至900毫微米具有高度反射率之非對稱氮雜低曱基染料 據稱具有光-與熱安定性。US 5 958 650揭示聚低曱基金 屬錯合物用於光學記錄材料。記錄較好係於600至800 毫微米如650毫微米進行。但於此三種系統多種性質特 15 別每單位面積之資訊密度無法滿足極高要求。 影像科學期刊1Z/2, 113-117 (1999)瞭解DVD-R系統 之光學記錄材料之未來，於480毫微米使用 JP-A-04/74690 及 JP-A-05/38879 已知式 8 200405120

10

^37^18 染料操作。但其莫耳消光係數非期 望地低。 它方面，JP-A-05/224347揭示照像材料，使用3〇〇 至500笔微米波長雷射曝光，包含鹵化銀及密化劑如式 類似苯并°塞°坐化合物由U S 3 8 5 0 6 5已头為以鹵化銀為主之照像材料之peptisating劑，但 此種材料由於須顯像而不適合用於習知電腦周邊如 CD-ROM，CD-R，CD-RW，DVD及 DVD-R。 jp A 03/284743揭示包含光發色螺。比喃及式 花青染料之光學記錄材料。該等材料 18^37 於使用前須淬熄，但由於對日光敏感故不適合用於電腦 周邊如 CD初Μ，CD七，CD_RW，dvi^dvd_r。此 外光學記錄的資訊非永久資訊，於回放時已經經過修 改。需要螢錢測器，因而造成讀取裝置構造複雜昂貴。 如JP-A-03/284743之相同花青染料也由us 5 316

15 200405120 玖、發明說明 899組合第二種同系花青染料用以形成浸浴發射遷移「j 聚集體」但該種系統同樣不適合製造具有高資訊密度之 光學記錄材料。此外塗覆技術困難，層厚度對具標準敏 感度裝置過低。 如此，先前光學記錄材料僅能滿足部分高度需求， 無法同Η守滿足全部要求。

申請案w〇-〇1/75873(非先前公告）揭示使用大量染 料於光學記錄媒體，其可使用3跑偏毫微米波長範圍 之雷射寫入。其中揭示式 10

R 244

R 245 zVe==CC^(r24、

An" (CCXV)

其中E為N，Z為〇，unr244 ,以及r2、r2 各自刀別為c,•至Cl6•燒基。未作任何陰離子如定義 卜第57胃之倒數第二化合物、具體實施例及有月 該層之«細節為優先申請案DEi〇〇i6 699所從缺。 15 【明内】 本發明之目的係提供—種具高資訊密度及高資乘 可信^光學記錄媒體。該記錄媒體須強勁、耐用且徒 用上間早此外須大規模生產廉價，需要的裝置儘可能 、寸】以及儘I少含有環保有害物質如揮發物 或有毋i屬’或至少容易棄置該等環保有害物質。 本表月係關於一種光學記錄媒體包含一基 10 20 405120 坎、發明說明 板’-記錄層及-反射層，其中該記錄層包含下式化合 物

10 15

其中Al及A2各自分別為c(cvc5烧基)2，C(C4-CA 5烷基），N(R】5)，0，S，Se或未經取代或經尺】6取代之 CH-CH； Q為N，P，n-c = N4N-N=N， I為帶有一個負電荷之無機、有機或較好有機金屬 陰離子或為帶有X個負電荷之無機、有機或有機金屬陰 離子之1/x，X為2至4之數目或為其混合物；

Rl ’ R2，R7，尺8及心5各自分別為C]-C24烧基，C3-C24 環烧基，C「C4垸基-[〇々C4伸焼基k，CVC4烧基 [nh-cvc4伸k基;]m，c2_C24烯基或CpC24環稀基其各自 未經取代或經以—或多個視需要為相同或相異之^基 團取代；芳基’ C4_C12雜芳基或C7_C4燒基其 各自為未經取代或經以—或多個視需要為相同或相異 之Rl9基團取代；或 /、

11 玖、發明說明 R]AR2共同成對為以24伸烷基，c3-c24伸環垸 基C2 C24伸稀基’ c3_C24伸環稀基或伸芳烧基其 各自未經取代或經以__V' ^ . 或多個視需要為相同或相異之 r18基團取代； 5 R3 ’ R4 ’ R5 ’ R6 ’ R9，RH)，R"，R12，R13，R14及 〜各自分別為氫，Rl9，C]_Ci2烷基，。3_。]2環烷基， c2-c24烯基或^24環烯基其各自為未經取代或經以一 或多個視需要為相同或相異之R]8基團取代；或C6_c】2 方基，C^-Ci2雜芳基或C7_Cu芳烷基其各自為未經取代 10或經以-或多個視需要為相同或相異之Ri9基團取代； 或 R3與R4及/或R5與R6，以及^與心()及/或心]與12於 各例中成對形成1，4-丁-1，3-二伸烯基其為未經取代或經 以或夕個視需要為相同或相異之R】9基團取代，結果 15連同共通苯基形成萘基； 二、三或三以上中式（I)、（II)、（111)或（IV)化合物可 藉直接鍵鍵結或於其個別取代基心及/或化，心及/或 R4，或 R9及/或 R1〇 間的-NH-，-NR15-，-〇-，_C0-，j， -S0-’-S02-，crC12伸烷基或c3-c12伸環烯基橋基鍵結； 汉17為虱’ C】-C】2烧氧基’ C3-C12環;)：完氧基，CrCu 烧硫基或〇3<12環烷硫基，硝基，氰基，曱醯基，CrCi2 文元基’ C3_C]2^烧基’ C^-Ci2細基或C^-Cu環稀基其各自 為未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之 12 200405120 玖、發明說明 氫、羧基、cvc!2：)：完氧基或cvc】2環焼氧基取代；或’ 芳基、CVC】2雜芳基或Cv-C!2芳：):完基其各自為未經取代 或經以一或多個視需要為相同或相異之r19基團取代；

Ri8為鹵原子，羥基，O-R20，〇-C〇-R20，S-R20，胺 5 基，NH-R20，NR20R21，NR2(rCO-R22，NR20C〇〇R22， 氰基，曱醯基’ CO-R2〇 ’ COO-R2〇，魏基，胺基甲酿基， CONH-R20，C〇NR20R2i，脲基，NR20-CO-NHR22，石舞酸 基，PR20R22，POR20OR22，P(=〇)〇R20〇R22，QPR20R22， · OPR20OR22 ’ OP(~0)R2〇〇R22 ， 〇P(=0)OR2〇OR22 ， 10 OPO3R20，硫酸基或石黃基；或Crc12^氧基或CVC12環烧 氧基其各自經以鹵原子一-或多取代；

Ri9為鹵原子，硝基，氰基，羥基，0-R23，0-C0-R23， S-R23 ，甲醯基，CH=C(CN)2，CH=C(CN)C〇NH2， CH=C(CN)CONHR23 ’ CH=C(CN)CONR23R24 ， 15 CH=C(CN)C〇OR23，CH=C(COOR23)COOR24，胺基， · NHR23，NR23R24，CONH2，CONHR23，CONR23R24， so〗。！-。]〗：)：完基，S〇2NH2，S〇2NHR23，S〇2NR23R24， COOH，COR23，COOR23，NHCOR23，NR23COR25， NHCOOR23，NR23COOR25，脲基，NR23-CO-NHR25，磷 20 酸基 ’ PR23R25 ’ POR23OR25 ’ P(=〇)〇R23〇R25 ’ OPR23R25 ’ OPR23OR25 ， 0P(-0)R23 0 R25 ， 〇P(=〇)〇R23〇R25 ， OP03R23 ’石荒酸基或石黃基；或C1-C12烧基’ C3-C12壤少完基’ (^名12烷硫基，c3-c12環烷硫基，匕-(：12烷氧基或c3-c12 13 200405120 玖、發明說明 %少兀氧基其各自為未經取代或經以一或多個視需要為 相同或相異之Rls基團取代； R2〇 ’ R21及R22各自分別為Ci_Cy完基，環烷 基，C2-Cl2稀基，C3-c】2環烯基，c6-c12芳基，〔4{12雜 5芳基或C^C!2芳烧基；或 R2〇及R2〗連同共通氮形成„比咯啶，哌啶，哌畊或嗎 琳其各自為未練代或經以cvc炎基…至四取代； 10 15

R23 ’ Κ24及R25各自分別為Μ"烧基，C3_Cu環烧 基’ C2-C12烯基或c3_Ci2環稀基其各自為未經取代或經 以-或多個視需要為相同或相異之齒原子、羥基、 Cl_Cl2烧氧基或C3_k環烧氧基取代；或C6_C]2芳基、 C4-C—芳基或c7_c〗2芳烷基其各自為未經取代或經以 一或多個視需要為相同或相異之r26基團取代；或

R23及R24連同共通氮形成t各。定"底。定"底喷或嗎 琳其各自為未經取代或經以<^4烧基-_至_代；或 卡巴坐刀5井或吩二喷其各自為未經取代或經以一或 多個視需要為相同或相異之r26基團取代； R26為r18或為c】-c12院基，c3_c]2環院基，c】_c广 硫基’W完硫基，c】_Cl2燒氧基或C3_Ci2環貌氧= 其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或相 異之R】s基團取代；以及 m為1至1〇之數目。 圖式簡單說明 14 20 200405120 玖、發明說明 _ 第1圖係顯示根據實例46之記錄碟片的固體膜 · UV/VIS光譜；以及 第2圖係顯示當固體染料層的厚度為88.5 nm時， 其折射率η(上線，左刻度）與消光係數k(下線，右刻度） 5 的關係圖。 L實施方式]1 若非為式（I)，（II)，（III)或（IV)化合物之對偶離子 X…則須瞭解酸基如羧基、磺基、硫酸基以及磷酸基也 籲 可呈鹽形式例如驗金屬鹽、驗土金屬鹽、錢鹽或鱗鹽例 10 如 Li+、Na+、K+、Mg2+、Ca2+、Cu2+、Ni2+、Fe2+、Co2+、

Zn2+、Sn2+、La3+、銨、曱基銨、乙基銨、異丙基銨、 十五烷基銨、二環己基銨、四曱基銨、四乙基銨、四丁 基銨、千基三曱基銨、千基三乙基錢、曱基三辛基錄、 三-十二烷基曱基銨、四丁基鱗、四苯基鱗、丁基三苯 15 基鐫或乙基三苯基鱗，或US-6 225 024所述陽離子B-1 ^ 至B-180之任一者，其中個別陽離子以引用方式併入此 處。 鹵素為氯、溴、氟或碘較好為氟或氯，特別於烷基 為氟α(例如三氟曱基’ 三氣乙基或全氟化烧基 20 如七氟丙基）以及於芳基、雜芳基或芳烷基之芳基部分 為氣。 烷基、環烷基、烯基或環烯基可為直鏈或分支，或 單環或多環。烷基例如為甲基、直鏈c2-c24烷基或較好 15 200405120 玖、發明說明 分支Cs-C24烷基。烯基例如為直鏈C2_C2G烯基或較好分 .- 支CVC24烯基。如此本發明特別係關於含分支C3_c“烷 基或分支CVC24烯基之式⑴，（II)，（111)或（IV)化合物以 ' 及包含此種化合物之光學記錄材料。如此Ci_c24烷基例 5如為曱基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁美、 異丁基、第三丁基、正戊基、2-戊基、夂戊基、2,2-二 甲基丙基、正己基、正辛基、u，3,弘四甲基丁基、L 乙基己基、壬基、癸基、十二烧基、十四垸基、十六烧 · 基、十八烷基、廿烷基、廿一烷基、廿二烷基或廿四烷 10基。環烷基例如為環丙基、環丁基、環戊基、環 己基、三甲基環己基、薄荷基、側柏基、冰片基、卜 金剛烷基或2-金剛烷基。 cvCm烯基及cvcm環烯基分別為C2_C2G烷基及 烷基，其各自為一 _或多未飽和，其中二或多個 15雙鍵可視需要為分開或共軛例如乙烯基、烯丙基、2_ 丙烯-2-基、2-丁烯-1-基、丁烯小基、丁二烯_2一 基、2-環丁烯-1-基、2-戊烯-丨_基、戊烯基、孓曱基 -1-丁烯·3-基、2-曱基-3-丁烯基、3_曱基丁烯_κ 基、1，4-戊二烯-3-基、2-環戊烯+基、2_環己烯小基、 20 環己烯基、2,4-環己二烯-1-基、l-對-薄荷烯-8-基、 4(10)-側柏-10-基、2-原冰片烯-L基、2,5-原冰片二烯 基、7,7-二曱基-2,4-原卡拉二烯基或下列基團之多種 異構物：己烯基，辛烯基，壬烯基，癸烯基，十二碳烯 16 200405120 玖、發明說明 ~ 基，十四碳烯基，十六碳烯基，十八碳烯基，廿碳烯基， . 廿一碳烯基，廿二碳烯基，廿四碳烯基，己二烯基，辛 二烯基，壬二烯基，癸二烯基，十二碳二烯基，十四碳 — 一烯，十六碳二烯基，十八碳二烯基或廿碳二烯基。 5 C7-Cl8芳烷基例如為苄基、2-苄基-2-丙基、召-苯基 _乙基、9-芴基、α，α •二曱基苄基、〇_苯基-丁基、 苯基-辛基、ω-苯基卄二基或3-甲基^…，，^广四甲 基-丁基）-苄基。CVC24芳烷基此外可為例如2,4芥三-第 _ 三丁基-苄基或1-(3,5-二苄基-苯基）_3_甲基_2·丙基。當 1〇 C7_C】8芳烷基經取代時，取代可於芳烷基之烷基或芳基 部分，以後者為佳。 G-Ch芳基例如為苯基、萘基、聯苯基、芴基、 菲基、蒽基或三苯基。 CVC!2雜芳基為含4n+2共軛；^電子之未飽和或芳香 15族基團例如2_噻吩基、2-呋喃基、2-咄啶基、2-噻唑基、 2今坐基、2-味哇基、異喧唾基、三嗤基或任何其它環 ^ 系，包括噻吩、呋喃、咄啶、噻唑、噚唑、咪唑、異噻 唑、三唑、咄啶及苯環其為未經取代或經以一丨至6個乙 基、曱基、伸乙基及/或亞甲基取代。 2〇 此外芳基及芳烷基也可為鍵結至金屬之芳香族 基，例如呈過渡金屬之金屬茂形式，金屬茂本身為已知 更特別為 17 200405120 玖、發明說明

X·為無機、有機或有機金屬陰離子例如為無機酸陰 離子，有機酸共軛鹼（如醇酸鹽、酚酸鹽、羧酸鹽、石备 酸鹽或膦酸鹽）或有機金屬錯合陰離子如氟、氯、溴、

5碘、過氣酸、過碘酸、硝酸、1/2碳酸、碳酸氫、1/2硫 酸、q-C4烷基硫酸、硫酸氫、1/3磷酸、1/2磷酸氫、磷 酸二氫川^^-匕烷膦酸〜^-匕烷-^七以完基膦酸、* -Q-C4烷基亞膦酸、四氟硼酸、六氟膦酸、六氟銻酸、 乙酸、三氟乙酸、七氟丁酸、1/2草酸、甲烧石黃酸、三 10氟甲糾酸、甲苯賴、苯㈣、對氯苯續酸、對硝基 苯續酸、齡酸、苯甲酸陰離子或帶負電荷之金屬錯合物。

熟諳技藝人士瞭解可使用其它已知陰離子。帶有X 個負電荷之無機、有機或有機金屬陰離子之1/x例如 1/2SCV-須瞭解為含有多於i價可中和具有價數為i之多 15個陽離子之陰離子，或視需要也可為有續之陽離子。

式（1)或（II)，但也具 @分酸鹽或羧酸鹽例如 r5 r〇H^(其中r3，r4及r5定義如 3 Ο 1、式（1)或⑼之r3,〜汉凡5無關定義，例如 化特別第三々⑽化陰離？、酉分類及苯甲酸類 18 200405120 玖、發明說明

l3及l4各自分別為下式配體 作為金屬錯合物之X·較好為式[(L])M】(L2))广(v)戈 [(L3)M2(L4))]-(VI)之金屬錯合物，其中吣及Μ2個別為過 渡金屬，Μ!較好為Cr3+^c〇3+^ 丄“ f 5¾

19 200405120 玖、發明說明

S '34 S'K:'

S

Rs 32 其中式R27，κ ^ 28 ’汉29 ’ R3G ’ R31及R32各自分別為氫’ 齒原子氰基、、no2、NR35R36、NHCO-R35、 5 10

丽⑶0R35、S〇2_R35、S02nh2、so2nhr35、so2NR35R36 S〇3 SS〇3H ’ 較好為氫、氯、so2nh24so2nhr35，其 中R35AR36各自分別為Crc12烧基、(VC12絲基-c2_Cl 烷基、C7-C〗2芳烷基或CfC〗2芳基，較好為Ci-C4烷基其 各自為未經取代或經以羥基、IS原子、硫酸根、CrC 烷氧基、（^-(：6烷硫基、c】_c6烷胺基或二_Ci-C6烷胺基 取代，以及R33及R34各自分別為CN，C〇NH2，⑶NHR35:

CONR35R36，c〇〇R35或 cor35。 舉例言之但非限制性，可參照US 5 219 707， JP-A-06/199045 及 JP-A-07/262604 揭示之個別化合物。 此外，可使用任一種已知例如含有酚系或苯羧酸偶 15 氮化合物作為配體1^或1^2之過渡金屬錯合物陰離子。 較好為式⑴、（II)、（III)或（IV)化合物其中Α^Α2 各自分別為N(Ri5)，0，S或未經取代或經r16取代之 CH=CH ; 20 200405120 玖、發明說明 个7 Q為N，N-C = N或， R3，R4，R5，R6，r9，RlQ，Rn，Ri2，Ri3，仏4及 R16各自分別為氫、Ri9或C6-CI2芳基或c7-CI2芳烷基其各 自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之 5 R19基團取代， R!7為氫、氰基、CVC〗2垸基其為未經取代或經以一 或多個鹵原子取代’或C6~c]2芳基其為未經取代或經以 一或多個視需要為相同或相異之ri9基團取代；

Rl8 為 il 原子、羥基、〇-R20、胺基、NH-R2〇、NR2〇R21、 10 NR2〇-C〇_R22、NR2〇COOR22、氮基、c〇〇-R20、緩基、 CONH-R20、CONR20R21、硫酸根或石黃基，或crCi2烷氧 基其為未經取代或經以1¾原子一-或多取代；

Rl9為鹵原子、硝基、氰基、0-R23、甲酸基、 CH=C(CN)2、CH=C(CN)CONH2、CH=C(CN)CONHR23、 15 CH=C(CN)CONR23R24 、 CH=C(CN)COOR23 、 CH=C(COOR23)COOR24 、 conh2 、 conhr23 、 CONR23R24、so2crc12烷基、S02NH2、S02NHR23、 S02NR23R24、COOH、COOR23、NHCOR23、NR23COR25、 NHC〇〇R23、NR23COOR25、脲基、P(二〇）OR23〇R25或石黃 20 基，或Cl-Cl 2烧基、Cl-Ci2烧硫基或Cl-C 1 2烧氧基其各自 為未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之R! 8 基團取代； 21 玖、發明說明 R20’ R2]及R22各自分別為CrCi2烧基，c2_c]2稀基， C6-C12芳基或c7_Ci2芳烷基；或 反20及尺21連同共通氮形成嗎啉、或經以CrC4烷基N 取代之哌啶； R23 ’汉24及R25各自分別為心/^烷基其為未經取代 或、、、工以或多個視需要為相同或相異之鹵原子、經基或 ci-cu烷氧基取代，或為未經取代之c6_Ci2芳基或C7_Ci2 芳烧基；或 尺23及R24連同共通氮形成嗎啉或經以^义烧基Ν* 10 代之17底啶；以及 m為1至4之數目。 特佳為式（I)、（II)、（ΙΠ)或（IV)化合物其中弋及、 、 > 各自為s以及Q為N或N-C = N， 心’ R2 ’ R?，r8&r15各自分別為CrC24烷基、Ci_C4 15烷基-[〇-Cl_C4伸烷基L或（να烷基烷基] 其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或相 異之R】8基團取代，或c^c】2芳基其為未經取代或經以一 或多個視需要為相同或相異之9基團取代，·咬 RAR2成對制形成Cl_C24伸料其為未經取代或 20經以一或多個視需要為相同或相異之心8基團取代；

Rw為氫、氰基、C】-Cl2烷基其為未經取代或經以一 或多個齒原子取代，或苯基其為未經取代或麵一/夕 、、、工以或多 22 200405120 玖、發明說明 個視需要為相同或相異之R19基圑取代；

Ri8為i原子，羥基，O-R20，氰基，〇-C〇-R20，羧 基，硫酸根或磺基；以及 R19為鹵原子，硝基，氰基，0^23，ch=c(cn)2， 5 CH=C(CN)CONH2，CO〇R23，脲基，P(二〇）OR23〇R25或 續基。 以式⑴或（III)化合物為佳，以式（I)化合物為特佳。 記錄層較好包含式（I)、（II)、（III)或（IV)化合物或此 等化合物之混合物作為主要組成分例如至少30%重量 10 比，特別至少60%重量比，更特別至少80%重量比。其 它常見組成分亦屬可能例如其它發色基團（如揭示於 WO-01/75873，或任何其它具有吸收尖峰於300至1000 毫微米之發色基團）、安定劑、、三峰-或發光淬熄 劑、熔點下降劑、分解加速劑或任何其它已述於光學記 15 錄媒體之添加劑。較好視需要添加安定劑或螢光淬熄 劑。 當記錄層額外含有發色基團時，發色基團含量較好 相當低，讓固體層吸收特性之最長波長轉折點之波長吸 收整體而言為全體固體層之式（I)、（II)、（III)或（IV)純化 20 合物之吸收之份數（於相同波長），較佳不超過1/3，特別 不超過1/5，更特別不超過1/10。吸收尖峰較好高於425 毫微米，特別高於500毫微米。

安定劑、hr、三峰-或發光淬熄劑例如為含N或S 23 200405120 玖、發明說明 之烯醇酸鹽、酚酸鹽、雙酚酸鹽、硫醇酸鹽、雙硫醇酸 鹽之金屬錯合物，或偶氮、偶氮低曱基或呋贊染料之金 屬錯合物，例如貳（4-二曱基胺基_二硫聯苯甲醯）鎳[Cas N 38465-55-3] ’ 伊加朗玻多（irgalan Bordeaux) EL，西 5 巴法斯特（Cibafast) N或類似化合物、封阻酚類及其衍生 物（視需要也呈對偶離子X)例如西巴法斯特AO、鄰羥苯 基-三唑、-三畊或其它紫外光吸收劑如西巴法斯特W或 西巴法斯特P或封阻胺類（TEMPO或HALS也呈氮氧化 物如NOR-HALS，視需要也呈對偶離子X)，進一步呈陽 10 離子二亞銨、帕拉奎特（Paraquat)或歐梭奎特（Orthoquat) 鹽如卡亞索伯（Kayasorb) IRG 022，卡亞索伯IRG 040視 需要也呈自由基離子如N，N，N’，N’-肆（4-二丁基胺基苯 基）-對伸苯基胺-六氟磷酸銨、六氟銻酸鹽或過氯酸鹽。 後者係得自歐根尼卡（〇rganica)(Wolfen/DE)，卡亞索伯 15 品牌係得自日本卡亞庫（Kayaku)公司及伊加朗品牌及 西巴法斯特品牌係得自汽巴特用化學品公司。 多種此等結構式為已知，但部分與光學記錄媒體有 關例如得自 US 5 219 707，JP-A-06/199045， JP-A-07/76169，JP-A-07/262604或 JP-A-2000/272241。 20 例如為先前揭示之金屬錯合物陰離子與任何所需陽離 子如前文揭示之陽離子形成之鹽。 此外，須考慮中性金屬錯合物例如式 (l3)m2(l5)(vii)，（l6)m2(l7)(viii)或M2(LS)(IX)錯合物， 24 200405120 玖、發明說明 其中烷基-〇H、C3-C]2環烷基-OH、（：6-(：12芳 基-〇H、C7-C〗2 芳烧基-OH、Ci_Ci2 烧基-SH、C3-Ci2^ 烧 基-SH、C6-C〗2芳基-SH、C7-C12芳烷基-SH、CVC12烷基 -NH2、C3-Ci2^ 烧基-NH2、C6-C]2 方基-NH2、C7-C12 芳 5 烷基-NH2、二-CKC12烷基-NH、C「C12烷基-(C3-C12環烷 基）-NH、二-C3-C12環烷基-NH、二-C6-C12芳基-NH、二 -C7-Ci2芳烧基-NH、三完基-N、三-C3-Ci2環烧基

N、二-(CVCij完基）(〇3-(1!12環：):完基）-N、完基）-二 -(C3-C12環烧基）-N、三-C6-C12芳基-N或三-C7-C12芳烧基 10 -N， 15 L6

α «27 €

、29

及 L7 為 ^27 R, I9 Α、 /《或 29

R 27

*v， 、27 广 其中式M2及R27至R32定義如 至 :s、 27

添加劑之特例，值得—提者為鋼錯合物 例如下式化合物

25 200405120 玖、發明說明 棱為雙酚酸鎳例 至於式（VII)添加劑之特例，值得_ 如下式化合物

H2N-c4h9 I

熟諳技藝人士由其它光學記錄媒體已知或方便瞭 5解其濃度特別適合其用途之添加劑。適合之添加劑濃卢 例如占式⑴、m、（m)或（IV)記錄組成物之〇〇〇1至 1000%重量比及較佳1至5〇()/。重量比。

本發明之光學記錄材料於固體非晶形記錄層具有 絕佳光譜性質。由於此種化合物於固體材料中聚集之傾 10向出乎意外地低，吸收帶窄而強，長波端具有特高陡山肖 度。出乎意外地且極佳不形成二元體或僅形成至可忽略 程度。各層於讀寫波長區之反射率於未經寫人態為高。 一由於該等絕佳層性質，故可獲得具有高度敏感度、 高度再現性及幾何極為精確的凹坑邊界之快速光學記 15錄，折射率及反射率實質經修改結果獲得高度對比度。 凹坑長度及間隙距離（「抖動」）的容忍度極小。如此， 由於記錄通道較細且軌間隔（「間距」）相當小因而允許 回儲存密度。此外記錄後的資料可以出乎意外地低錯誤 26 200405120 玖、發明說明 率回放，結果錯誤校正僅占有小量儲存空間。 由於溶解度絕佳即於質子惰性溶劑之溶解度絕佳 結果，可使用高濃度溶液而例如於儲存期間無沉殿之 虞，故旋塗期間之問題大為消失。 5 記錄與回放可於相等波長進行。較佳使用帶有單一 雷射源例如350至500毫微米，較佳370至450毫微米之單 純透鏡。波長特佳係於紫外光範圍，370至390毫微米， 特別約380毫微米或尤其390至430特別約405± 5毫微米 之可見光範圍邊緣。於帶有高數值孔徑透鏡之短小藍或 10 紫雷射二極體（如尼齊亞（Nichia) GaN 405毫微米），凹坑 夠小，執跡夠窄，故可於120毫米碟片達成每記錄層約 20至25 Gb。於380毫微米，可使用銦攙雜UV-VCSELs (垂直腔穴表面發射雷射），此種雷射源已存在成為原型 [Jung Han等人，參考MRS網際網路氮北物半導體研究 15 期刊 5S1，W6.2 (2000)]。 如此本發明亦係關於一種記錄或回放資料之方 法，包含於本發明之光學記錄媒體於350至500毫微米波 長記錄或回放資料。 記錄媒體係基於已知記錄媒體結構，例如類似前述 20 結構。例如可由透明基板；包含式（I)、（II)、（III)或（IV) 化合物之至少一者之記錄層；反射層；及覆蓋層組成， 讀寫係經由基板進行。 適當基板例如包括玻璃、礦物、陶瓷及熱固塑膠或 27 200405120 ίο 玖、發明說明 熱塑塑膠。較佳支持體為玻璃以及均聚合或共聚合塑 膠。適當塑膠例如包括熱塑性聚碳酸醋類、聚醯胺類、 聚酯類、聚丙烯酸酯類及聚甲基丙烯酸酯類、聚胺基甲 酸醋類、聚烯烴類、聚乙烯基氯、聚亞乙縣氟^酿 亞胺類、熱固性聚酯類及環氧樹脂類。特佳為聚碳酸酯 基板其例如可利用射出模製製造。基板可呈純質形式或也包含習知添加劑例如JP_A_04/167239提議之紫外光吸 收劑或染料作為記錄層安定劑。後述例中，染料添加至 支持基板，該染料於寫人波長（雷射發射波長）不具吸收 或至多具有小量吸收，較好至多吸收約聚焦於記錄層之 雷射光之20%。 9

15 20 敉隹基板於350至500毫微米範圍至少部分為； 明，因此可透射例如至少8〇%入射基板上之讀或寫、 長。基板厚度較佳為10微米至丨毫米，特別2〇至6〇㈣ 米，更特別20至600微米，較好由螺旋形導槽（軌）於^ 覆面上，槽深度1〇至200毫微米’較佳8〇至15〇毫微米2 槽寬度刚至400毫微米，較好15〇至25()毫微米以及兩奉 間之間距為200至_毫微米’較佳35()至物毫微米。已 知多種截面形狀之溝槽例如矩形、梯形或乂字形。類似 已知之CD-R及DVD_R媒體，此外導槽可進行：量週: 性或仿週純橫向偏轉（「晃動」），讓轉相步及讀取 頭絕對定位（「拾取」）。藉视鄰槽間的記號（「前置凹 )，替代或除偏轉外也可發揮相同功能。 坑

62S 28 200405120 5 10 15 玖、發明說明 記錄組成物例如係藉旋塗溶液施用， 能為非晶形之層，1於声而彳「肽& u …丄 表面（陸塊」)厚度較好為〇至 ::米，特別1至20毫微米’更特別2至Π)毫微米，及 二、於溝槽之厚度依據溝槽幾何決定較料2〇至150毫微 未，特別50至120毫微米，更特別60至刚毫微米。反射 層之適當反射材料特別為容易反射用於記錄愈回放之 雷射輕射，例如化學元素週期表第三、第四及第五主族 及副族金屬。以下闕職合：A1 , in，％，朴，％， B】，cu，Ag’Au，Zn，Cd，Hg，ScYLam, Hf’ V’Nb’Ta’Cr，M〇’ w，Fe，c〇 Ni Ru Rh， Pd，〇S，Ir ’ Pt及鑭系金屬 Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu， 況’ Tb ’ Dy ’ Ho ’ Er，Tm，竹及㈣其合金。由於 同度反射且製造容易，特別偏好銘、銀、金或其合金(如 :金合金)之反射層；因經濟及生態理由故更特別偏好 ㈣紹。反射層厚度較好為5至細毫微米，特好1 〇至1 〇 〇 也U米’更特別4〇至6()毫微米，但較厚之反射層亦屬可 能例如1毫微米厚度或以上。

復盍層之適當材料主要為塑膠，其係以薄層直接或 心助方、黏著促進劑施用於薄層。較好選用具有良好表面 20性貝仍可進行修改例如寫入之機械性及熱安定性塑 膠。塑膠可為熱固性或熱塑性。作為直接施用之覆蓋 層’偏好為輻射硬化（例如使用紫外光輻射）塗層，其製 特別簡單經濟。已知相當大量可輻射硬化材料。可 29 200405120 5 10 15 玖、發明說明 輻射硬化單體及寡聚物範例包括二醇、三醇及四醇之丙 稀酸醋類及甲基丙蝉酸醋類，芳香族四緩酸以及樣 之至少兩個鄰位位置具有C,_C4燒基之芳香族二崎 醯亞胺類，具有二烧基順丁稀二醯亞胺基如二甲基順; ，二酿亞胺基之寡聚物。用於利_著促進劑施用之覆 盍層’較好使用基板層特別聚碳酸g旨之相同材料。使用 之黏著促進劑《較佳為可輻射硬化單體及寡聚物。替 代利用黏著促進劑施用覆蓋層’可使用包含記錄層及反 射層之弟二基板’結果記錄媒體可於兩側播放。偏好為 對稱結構，其中二部分於反射層側利用黏著促進劑彼此 接合或利用中間層彼此接合。 於遠種構造，覆蓋層本身或覆蓋材料之光學性質除 了於適當時期硬化可利用例如紫外光輕射進行之外並 未扮演任何光學角色。霜菩爲 予月巴復盍層的主要功能係確保記錄媒 體整體的機械強度，若有所需薄反射層之機械強度。若 讀媒體充分穩定例如當存在有厚反射層時，甚至可完 —，、復1層使盍層厚度依據記錄媒體整體厚度決 疋較好至多約2毫米。覆蓋層之較佳厚度為10微米至1 毫米。

本發明之記錄媒體也可有額外層例如干擾層或阻 擋層。記錄媒體可由多層(例如2至10層)記錄層組成。 此種材料結構及用途為業界人士已知。於適當時偏好干 擾層排列於記錄層與反射層間及/或記錄層與基板間， 30 62/ 玖、發明說明 111係Γ電介f材料如Ti〇2、si3N4、zns或聚石夕氧樹 月曰、、且成，例如述於ΕΡ·Α们53 393。 的材Γ1:之記錄媒體可根據已知方法製備，依據使用 細作模式可使用多種塗覆方法。 5 適當塗覆方法例如包括浸潰、傾倒、刷塗、刀 旋轉傾倒以及氣相沉積法係於高度真空進行。例如二吏 用傾倒方法時，通常使料有機溶狀溶液。當使用、，容

劑時可料使㈣支持體對該等溶懸敏感。適當塗覆 方法及溶劑例如述於ΕΡ Α-0401 791。 10 把錄層較好藉旋塗染料溶液施用，證實特別適當之 溶劑為醇類如2-甲氧乙醇、異丙醇或正丁醇，_列 如二丙明醇或3_經·3_甲基·2-丁酮，㈣類如乳酸甲酉旨 或異丁酸甲S旨或較佳氣化醇類如2,2,2_三氟乙醇或 15 2,2,3,3-四I小丙醇及其混合物。其它適當溶劑例如述 於EP A-0 483 387。

包含一或多個未飽和非芳香族鍵之式⑴、（11)、⑽ 或（IV)化合物也可單獨或與其它可聚合單體共同聚 合’單體例如丙烯酸系及乙稀系單體。聚合較好係於可 聚合化合物或混合物塗覆後完成。 如此本發明亦係關於-種包含—基板、一記錄層及 -反射層之光學記錄媒體，其中該記錄層包含—種聚合 物’該聚合物係Φ包含未餘和非芳香族石炭-碳鍵之式 (I)、（II)、（III)或（IV)化合物均聚合或共聚合獲得。二 31 20 200405120 玖、發明說明 至屬反射層較佳藉霧化（濺鐘）或真空氣相沉積施 用°亥等技術為已知且述於特殊手冊（例如j丄· vossen 及^ Kern ’「薄膜方法」，學術出版社，1978年）。該程 序車乂 {土為連‘進行而達成金屬反射層之良好反射率及 5 高度黏著。 。己錄係利用於記錄層表面藉恆定速度或變速導引 的經調變至聚焦雷射束寫入固定或可變長度凹坑（記號) 已头方法進行。資訊係根據已知方法讀取，使用雷射 輻射登錄反射時之變化，例如述於「⑶-播放器以及 Π) R-DAT記錄器」（α_此㈣㈣咖， hverlag，WUrzurg 1992)。其要求為熟諳技藝人士已 知。 本發明之含資訊媒體特別為wqrm型光學記錄材 料。其類似電腦的CD_R(可錄式光碟）或dvd_r(可錄式 數mfi碟）’也可作為身分識別卡及保全卡之儲存材 料或用於製造繞射光學元件，例如全像圖。但比較cd_r 或则-R’其製造程序顯然更難處理。為了製造有高儲 存山度及對應小凹坑之記錄媒體，今日證實為了準碟聚 '、、、而要復I層厚度約5〇至微米（典型用於數字孔徑 20 0.85為 1〇〇微米）。 如此以顛倒層構造為更佳，其中各層順序為基板、 反料、記錄層及覆蓋層。如此記錄層係位在反射層與 後孤層間⑽與回放係非通過基板反㈣通過覆蓋層 32 玫、發明說明

進行。比較前㈣造，㈣覆蓋層與基板的角色，特別 幾何及光學性質。多種相對構想述於議事錄PIE p g·迦^，3864有關監GaN雷射二極體之數位視訊 記錄。 Μ 7日發現顛倒層狀構造對記錄物f有更高要求，該 等要求出乎意外地可由本發明使用之化合物滿足。如此 可施用薄層覆蓋層，而未對固體記錄層產生可察覺的變 化’於㈣覆蓋層下方記錄物質可充分保護不受摩擦、 光氧化、指紋 '濕度以及其它環境效應之害。 A於顛倒層構造’原則上記錄層及反射層具有前文規 定之相同功能。如此有相同維度。 特佳對固體記錄層施用額外金屬、交聯有機金屬或 /電介質無機材料之薄分開層，例如層厚度為〇篇至ι〇 从米，特別0.005至1微米，更特別〇〇1至〇1微米。有鑑 於其反射率⑥，金屬分開層較佳具有最大厚度㈣3微 米。 交聯有機金屬層或電介質無機層為本身已知，例如 由氧化物、氫化氧化物或鹵化物(特別氟化物)、具有負 電性1至2之金屬例如鋁、鋅、鍅、鈦、鉻、鐵、鈷、鎳 及特別矽呈π至v之高氧化態如CaF2，Fe2〇3，c〇〇， C〇Tl03 ’ Cr2〇3 ’ Fe2Ti〇ASi〇2組成。可根據已知方法 或類似已知方法施用，例如藉陰極粉化、氣相沉積、化 學氣相沉積施用或某些層藉用於該項目的已知之濕化 200405120 玖、發明說明 學方法施用例如述於W0 93/08237及其中引述之其它參 考文獻。一般氣相沉積、陰極粉化或化學氣相沉積方法 為熟諳技藝人士眾所周知。該等方法較佳係於真空，於 塗覆程序期間於K^10-8帕之塵力下進行。金屬氧化 5物除矽氧化物外較好係於1·3χ10-2至1·3χ10·3帕之壓力 下氣相沉積。

需瞭解也可使用熟諳技藝人士已知之其它塗覆方 法。例如可藉溶膠/凝膠技術製備塗層，述於卯5〇4 926，JP-A-07/207186 > JP-A-08/175823，JP-A-09/2393 11 10 及 JP-A-10/204269 ;或★ \ & /也了稭熱为解而由SiH4製備氧化 梦塗層。 虱存在下氣相沉積金屬矽方 吵乳化物較佳係 15

用。用於氣相沉積，不必為純質石夕，係於減麼下於心 覆之基板附近於氣態（分子）氧(也無需為純質）存在下# 用感應加熱或使用電子搶加熱至高溫例如鐵至鳥 °c。形切次·氧化物其或多或少為黃至暗褐色，或輕 好依據氧之相對莫耳濃度而定，較好為無色二氧化石厂 特別用於基於金屬合金 、，之可改寫式光學記錄媒體 (CD-RW)之分離層之各芦 、 例如轭用Si02&ZnS混合物 組成之層。結果可加速顯旦彡 迷，.''員衫，而可免除塗覆程序的重新 投資。 吓 證實較佳於進一步塗霜舒 二 土设則，使用黏著促進劑，處理 纪錄層，黏著促進劑例如為 (3-(二甲乳矽烷基）-丙基) 34 20 200405120 玖、發明說明 吨略由美國化學會期刊1^，2031-4 (1982)以及材料化 學£/2，399-4〇2 (1997)為已知、鈦或鍅鹽如Ti(〇iPr)4或 Zr(acac)4及/或酸或鹼如氨或第一、第二或第三胺類。較 佳為同時使用式RyN'R%之胺，其中r37為氫或反扣， 及R39各自分別為R4〇，以及R4〇為[HCrCs伸烷基 -T-]n-H其中T為0或NH及η為1至3之數目；以及式 D 9R42 〇R42 R410-Si- R41〇-Tl·- 〇％或 d)%有機金屬化合物，其中R41至r43 1〇 為匸广匚4烷基。該種情況下以胺對有機金屬化合物之莫 耳比為10··1至1000:1，溫度為-加艺至丨…它，特別2〇艺 至80°C以及處理時間為1/4小時至1〇〇小時為佳，特佳為 胺對有機金屬化合物之莫耳為50:1至250:1，溫度為5〇 °C至80。(：及處理時間為1至1〇小時。 15

右有所需，塗層例如可以相等厚度施用於支持材料 與金屬反射層間、或施用於金屬反射層與光學記錄層 間。某些情況下例如當銀反射層組合含硫添加劑於記錄 層時可獲得若干優勢。 替代或除了無機或交聯有機金屬層外，也可使用聚 合物層，聚合物層例如係藉聚合特別光聚合或另外藉積 層施用。 ' 特佳可藉聚合或積層而於無機或交聯有機金屬層 上施用具有前文揭示厚度及光學性質之覆蓋層。 35 200405120 玖、發明說明 如此本發明亦係關於一種光學記錄媒體以下述排 列包含 a)—種支持材料其係由反射金屬或較好具反射金 屬層之聚合物組成； 5 b) —光學記錄層； c) 一分開層，其係由金屬、交聯有機金屬或電介質 無機物質組成；以及 d) —覆蓋層。 大部分本發明使用之化合物為已知或可根據已知 10 方法類似已知化合物製備，例如揭示於或參照Liebigs Ann. Chem 641, 11 (1961)，Liebigs Ann. Chem 663, 96 (1963)，Chimia M，318-323 (1966)，印度化學會期刊 41/12，112H128 (1970)，US-3 850 645，Liebigs Ann· Chem 1975，373-386 (1975)，日本化學會公報 15 535-539 (1978)或 Helv. Chem. Acta 位/3，770-773 (1984)。 但根據或類似已知方法，也可製備可於本發明用於 光學記錄媒體之新穎化合物。 如此本發明亦係關於式（I)、（II)、（III)或（IV)化合 20 物，但已知化合物除外例如 式（I)化合物其中Q為N，A!&A2皆為S，R!&R2 為未經取代之線性CKC18烷基或帶有經羥基或磺基取 代之線性CKC3烷基，以及R3及R5皆為H、鹵原子或OR23 36 200405120 玖、發明說明 或其鹽； _ _ _式⑴化合物其巾Q為N或p，八]及人2皆為Ν(υ， R】&R2各自為CrC〗2烷基或共同為C】-C3伸烷基，^、 R4、R5及R6皆為氫及貌基；以及 5 式（ΠΙ)化合物其中Q為N，AiA2皆為S，m2 皆為甲基，R】。及R]2皆為未經取代之苯基，以及化及^ 皆為氫。 特別適合用於本發明之目的之新穎化合物為： _ 式⑴化合物其中八】及八2皆為s以及m2各自分 10 別為c3-c24環烧基、Cl_c4烧基_[Ci_C4烧基]m、C1_C4 烧基-[NH-Cl-C4伸院基]m、c2_c24稀基、c3_c24環烯基' C7-C12芳基或分支C3-C24；)：完基； •式⑴化合物其中、及八2皆為8及1、R4、心及/ 或R6為Cl-Cl 2烧基； 15 _式⑴化合物其+ aaa2皆為S且包含R18基團其 為函原子Ο R20氣基、c〇-Rm或⑶〇_R2〇或Ri9基團 其為 S-R23*S02CVC12垸基； 式（1)化合物其中八]及八2皆為N(R15)以及R3、R4、 R5或尺6為11]9基團選自！I原子、〇_R23、〇_c〇_RU、s_RU、 20胺基、NHR23及顺23R24組成的組群，其中於該化合物 Rl、R2及/或心5較好為G-C24烷基特別c rC2烷基； _式（111)化合物其中AjA2皆為s以及R!、RdR】 及r2為c2-c24烧基、（^^環烧基、Ci-C说基_[〇一 37 玖、發明說明 伸烷基]m、CVC24烯基或C3_C24環烯基；或心及仏共同 成對為c2-c24伸烷基； 式（111)化合物其中、及八2皆為S以及R9、Ri〇、R]] 及/或R]2為氫、R〗9、CVC]2烷基或cvci2芳基其為未經 取代或經以一或多個視需要為相同或相異之心9基團取 代，以及R]9為鹵原子、硝基、氰基、〇七23或 烷基；

該等化合物中Q於各例較佳為N。 也極為適合為新穎包含過渡金屬金屬茂部分之式 10 (I)、（II)、（III)或（IV)化合物 較好 或

一 CH

下列實例舉例說明本發明但非囿限其範圍（除非另 行指示否則「％」經常為％重量比）： (參考 Zeitschrift fur Naturforschung A24(ll) 15 U29表 1 e)[l969])。

-〇3S~〇~ci 化合 物〉谷解於99.0克2,2,3，3-四氟-1-丙醇及通過0.2微米鐵氟 龍過濾器過濾。澄清溶液以250轉/分鐘施用至厚0·6毫米 之有溝槽聚碳酸酯碟片（直徑120毫米，溝槽間隔〇·74微 38 200405120 玖、發明說明 米，溝槽深度0.Π微米，溝槽寬度0 34微米）及於画 轉/分鐘旋塗，結果形成均勻固體層。乾 有於365毫微米之吸收比0.751後施用厚65毫微米之 反射層。隨後藉旋塗施用厚5微米之紫外光可交聯光聚 5合物（650-020，DSM)及使用紫外光交聯。固體層之最大 吸收（λ max)係於366毫微米。於4〇5毫微米，記錄層具有 反射率4 2 %。使用脈衝染色雷射（脈衝長度i 5毫微曰秒）， 將凹坑於40 5毫微米波長使用〇 · 8千焦耳/平方米能量穷 度寫入記錄層，結果獲得寫人位置之反射由42%改變: 10 20%。 艾盤1ιΜ·下列化合物係以類似實例1之方式使用：

39 200405120 玖、發明說明

40 200405120

41 200405120 玖、發明說明

42 200405120 玖、發明說明

cf3cf2cf2coo

43 200405120 玖、發明說明

實例 35-40 ：得自 Marcel H. Luchsinger論文 “Synthese， Spektroskopie und Hydrolyse von 3,3’-n_Methylen-bis-5 (benzthiazol)-azamonomethincyanin-perchoraten’’[「3,3’-正亞曱基-貳（苯并噻唑）-氮雜一低曱基花青滲濾產物之 合成、光譜及水解」](貝索大學1971年）之同系物或開鏈 化合物7a、7b、27d、27e、7z及32係以類似實例34之方 式使用。 10 實例41-52 :下列化合物係以類似實例1之方式使用：

44 200405120 玫、發明說明 CH,

CH 3 42 c2h5 c2h5 43 (Χ>=Ν^0 c2h5 c2h5 44 c2h5 ch2

45 200405120 玫、發明說明 45 〇 •Η>η3ο χ—f 46 n-C4H9 n-C4Hg 'i-〇CH2 (第1圖 顯示根據本實例之記錄碟片之固體膜UV/VIS光譜）， 47 -〇-I^-ch3, I I r\ \........./ η-〇6Η13 n-C6H13 48 49 CH3(異構物混合物） -C8H17 i-C8H17

52 CH3〇N A^〇CH3 i*CeH17 i-C8H17 0 _ch3 (異構物 混合物）

46 200405120 玖、發明說明 童例53 :替代實例44非對稱化合物，使用根據實例41 及42兩種對稱化合物之1:1混合物。 實例54 ： a) 3.0份2-胺基-苯并嗟。坐及7.7份（3’，3’-二甲基-丁 5 基-1 甲基-苯磺酸加熱至130°C歷100分鐘。加入丙酉同 及固體產物經過滤出及脫水。

b) 添加60份5%碳酸氫鈉溶液後，所得懸浮液加熱 至80°C歷2小時。冷卻至室溫後加入30份乙醚。醚相經 分離、脫水及蒸發。 10 c) 0.52份對曱苯磺酸及36份鄰二氯苯混合物加熱 至沸騰歷1小時而蒸餾去除水及冷卻至75°C。加入得自 b)之產物後，溫度升高至178°C歷90分鐘。冷卻至室溫 後添加醚，形成之固體藉過濾收集。由丙酮再結晶後無 色晶體於40°C脫水。獲得式 15

熔點：225-226。(： ； UWVIS(乙醇）：又_=379毫微米， ε =48418升•莫耳·】·厘米-1。

： 1.0%重量比實例54化合物溶解於2,2,3,3-四氣 -1-丙醇及經0.2微米鐵氟龍過濾膜過濾。然後染料溶液 2〇 以⑼轉/分鐘施用於厚0.6毫米平坦聚碳酸|旨碟片（直

47 200405120 玖、發明說明 徑120毫米），隨後於1500轉/分鐘進行旋塗。獲得均一固 體層，脫水後獲得於；I max 366毫微米之吸收比為0.33。 層厚度及折射率係使用光學測量系統（ETA-RT，史迪格 哈馬特克（SteagHamatech))評估。固體染料層厚36毫微 5 米，於405毫微米具有折射率N 1.96及消光係數k 0.083。經由變更溶劑、濃度及旋塗條件，可製作不同 厚度層如8 8.5毫微米厚度層，折射率η (上線左刻度）及消 光係數k(下線右刻度）顯示於第2圖。 實例56 : 0.187份實例54 c)化合物溶解於15份乙醇。然 10 後加入0.216份結構式

鈷錯合物於12份乙醇溶液。過濾後，合併溶液蒸發至 乾。殘餘物溶解於14份二氯曱烷，所得溶液以5份水洗4 次。然後二氯甲烷相經過濾，蒸發至乾及進一步於室溫 15 真空脫水。獲得0.304份如下結構式離子對： 48 200405120 玖、發明說明

1.5%重量比此種化合物溶解於2,2,3,3_四氟—^丙醇以及 0.2微米氟龍過濾膜過濾。然後染料溶液以6〇〇轉/分鐘施 用於厚1.2毫米平坦聚碳酸酯碟片（直徑12〇毫米），隨後 5於1500轉/分鐘進行旋塗。獲得均一固體層，乾燥後獲 得於λ max 372毫微米之吸光比〇·49。層厚度及折射率係 使用光學測量系統（ETA-RT，史迪格哈馬特克）評估。固 月豆h料層厚度11 〇宅微米，於405毫微米具有折射率n 1 ·86及消光係數k 〇. 1 〇2。 3 本材料於使用氙燈加速照射90小時光安定性絕佳。 复··下列化合物係以類似實例54~56之方式使 用：

S〇2NH2 200405120

50 200405120

51 200405120

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實例77-88 ：根據若干前述實例之固體層之光譜資料與 對應化合物於純乙醇溶液之光譜資料比較： 53 200405120 玖、發明說明 於固體層 於溶液（乙醇)之UV/VIS 實例 根據 態 λ max「nilll λ max[nm] ^卜莫耳-匕厘米勹 77 41 結晶 361 376 78 42 非晶 365 377 79 43 367 377 80 45 367 379 81 46 366 378 82 47 367 378 47887 83 48 366 380 47255 84 49 368 379 48283 85 50 365 378 47672 86 51 379 48618 87 53 結晶 366 376 88 54/55 非晶 379 48418 L圖式簡單說明3 第1圖係顯示根據實例46之記錄碟片的固體膜 UV/VIS光譜；以及 5 第2圖係顯示當固體染料層的厚度為88.5 nm時， 其折射率η(上線，左刻度）與消光係數k(下線，右刻度) 的關係圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 54

Claims (1)

1. 拾、申請專利範圍 L —種光學記錄媒體，以下述排列包含 a) —種支持材料其係由反射金屬組成； b) —光學記錄層； c) 一分開層，其係由金屬、交聯有機金屬或電介 質無機物質組成；以及 d) 一覆蓋層。 2·—種光學記錄媒體，以下述排列包含 a) 一種支持材料其係由具有反射金屬層之聚合 物組成； b) —光學記錄層； C) 一分開層，其係由金屬、交聯有機金屬或電介 質無機物質組成；以及 d)—覆蓋層。 3·—種記錄或回放資料之方法，包含於35〇至5〇〇毫 U米波長記錄或回放資料於如申請專利範圍第1或2 項之光學記錄媒體。