TW585890B - Optical recording materials having high storage density - Google Patents

Description

585890 五 、發明説明（ 錄㈣特㈣35G至卿毫微米波長有絕佳記 ::口、: 生貝之新穎光學記錄材料。記錄與回放較好於相 s;長進仃，可達成的儲存密度相當高於已知材料案例。 :外，根據本發明之材料於記錄前以及後具有極佳健存性 貝，即使於特別苛刻條件下例如暴露於日光或勞光管光、 加熱及/或高濕度條件下也具有良好儲存性質。可使用習知 塗覆方法如旋塗法單純與良好再祕製造。多㈣於本發 明材料之化合物不含重金屬，如此實質上有助於例如白 金、銀或鋁金屬反射層的回收。 JP-A-07/126543揭示式

未經取代 或經取代之吲哚畊染料用作為光學記錄材料，但此種染料 對氧化敏感因而光牢度性質不佳。其光學性質有疑問。於 紫外光或接近紫外光範圍可寫入，但無法具有高資訊密度 需要的對比度。此外且必須於紅外光範圍或接近紅外光範 圍讀取。此外，記錄結果無法完全滿足高品質需求，每一 單位面積之最大可讀取資訊密度過低。 JP-A-1 1/34500及 JP-A-1 1/92479揭示可用於 520 至 690 毫微米光學記錄材料如CD-R或DVD-R之式

染料之金屬及硼錯合物。該種情況下 本紙張尺度適用中國國家標準（™S) A4規格（210X297公釐） 585890

微 訊 之 光學性質可疑，益 貝J疑，母早位面積的最大資訊密度遠低於所需。 又’於该種系統特別需要於或接近紫外光範圍之光譜 性質來獲得最大儲存密度以及每單位面積資訊密度之系 統，热法滿足所需極高要求。 EP AW 528 512描述包含兩種不同花青染料以及兩種 螢光淬熄劑於特定比例之光學記錄材料。記錄與回放通常 係於770至830毫微米進行。US 5 061 796揭示於600至900 笔U米具有高度反射率之非對稱氮雜低甲基染料據稱具有 光-與熱安定性。US 5 958 650揭示聚低甲基金屬錯合物用 於光予记錄材料。記錄較好係於600至800毫微米如65〇毫 米進行。但於此三種系統多種性質特別每單位面積之資 密度無法滿足極高要求。 影像科學期刊虹/2, 1 13-1 17 (1999)瞭解dvd_r系統， 光學記錄材料之未來，於480毫微米使用JP-A_〇4/7469〇及

染料操作。但 其莫耳消光係數非期望地低。 它方面，JP-A-05/224347揭示照像材料，使用3〇〇至5〇〇 宅微米波長雷射曝光，包含_化銀及密化劑如式 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

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H37C18 C18H37 585890 A7 _____B7 _ 五、發明説明（3 ) 。巧 。類似苯并噻唑化合物由US 3 850 645已知為以鹵化銀為主之照像材料之peptisating劑，但此 種材料由於須顯像而不適合用於習知電腦周邊如 CD-ROM，CD-R，CD-RW，DVD及 DVD-R。 JP-A-03/284743揭示包含光發色螺咄喃及式 . 花青染料之光學記錄材料。該等材料於 使用别須泮總’但由於對日光敏感故不適合用於電腦周邊 如 CD_R〇M，CD-R，CD-RW，DVD及 DVD-R。此外光學記 錄的資訊非永久資訊，於回放時已經經過修改。需要螢光 偵測器，因而造成讀取裝置構造複雜昂貴。 如JP-A-03/284743之相同花青染料也由US 5 316 899 組合第二種同系花青染料用以形成浸浴發射遷移「J聚集 體」但該種系統同樣不適合製造具有高資訊密度之光學記 錄材料。此外塗覆技術困難，層厚度對具標準敏感度裝置 過低。 如此，先前光學記錄材料僅能滿足部分高度需求，無 法同時滿足全部要求。 申請案WO-01/75873(非先前公告）揭示使用大量染料 於光學記錄媒體，其可使用360至460毫微米波長範圍之雷 3y本紙張尺度適用中國國家標準（) A4規格（21〇χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

•、可I 五、發明説明（4 ) 射寫入。其中揭示式 R244 R245

ArT (CCXV) 其中E為N，Z為Ο，8或贝11244，以及r244&r245各自八別為 (^-至^6-烷基。未作任何陰離子An•定義。此外，第”頁 之倒數第二化合物、具體實施例及有關該層之精確細節為 優先申请案DE 100 16 699所從缺。 本發明之目的係提供一種具高資訊密度及高資料可 信度之光學記錄媒體。該記錄媒體須強勁、耐用且使用上 簡单。此外須大規模生產廉冑，需要的裝置儘可能尺寸小 且價廉，以及儘量少含有環保有害物質如揮發物或有毒金 屬，或至少容易棄置該等環保有害物質。 如此本發明係關於一種光學記錄媒體包含一基板，一 記錄層及一反射層，其中該記錄層包含下式化合物 2gy本紙張尺度適用中國國家標準（⑽）M規格⑵〇χ297公楚)

其中八】及八2各自分別為(^(CVCs烷基）2，C(C4-C5伸烷 基）’ N(R15) , 〇，s，Se或未經取代或經r16取代之CH=CH ; Q為N，P， N〜c = N 或 N-N=N， 、為▼有個負電荷之無機、有機或較好有機金屬陰 離子或為帶有X個負電荷之無機、有機或有機金屬陰離子之 1/x，X為2至4之數目或為其混合物；

Ri R2 ’ H7 ’ RdRi5各自分別為 烧基，C3_Cm 環烧基，Cl-C4燒基_[0_Ci_C4伸烧基]m，c心院基 [NH C! C4伸燒基]m ’ C2_C24烯基或C”C24環婦基其各自未 經取代或經以—或多個視需要為相同或相異之〜基團取 代：或C6-Cl2芳基’ c4_Ci2雜芳基或c7_Ci2芳烷基其各自為 未經取代或經以—或多個視需要為相同或相異之r19基團 取代；或 RAR2共同成對為Ci_c24伸烧基，〜伸環院基， 2 〇24伸烯基’ C3_C24伸環稀基或C7_C12伸芳烧基其各自未 經取代或經以-或多個視需要為相同或相異之^基團取 R3’R4’R5’R6’R9，Rl〇，R"’Ri2，Ri3，uRi6 各自刀別為氫’ R|9，Cl_Cl2烷基，€3-。12環烷基，C2_C24 婦基或C3.C24it縣其各自為未經取代或經以—或多個視 需要為相同或相異之〜基團取代；或CA芳基， 雜芳基或cvcl2芳院基其各自為未經取代或經以—或多個 視需要為相同或相異之R19基團取代；或 I與R4及/或r5#r6，m與Rd/或Rii與Ri2於各 例中成對形成i，4 _ 丁 _ i，3 •二伸稀基其為未經取代或經以一 本紙張尺度適财_家標準（CNS) A4規格⑵0X297公釐） 585890 A7 B7 五、發明説明（

或多個視需要為相同或相異之Ri9基團取代，結果連同共通 苯基形成萘基； N (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 一、二或三以上中式⑴、（ΙΙ)、（ΙΠ)或（IV)化合物可藉 直接鍵鍵結或於其個別取代基心及/或反2，心及/或化，或 R9及/或1110 間的-NH-，-NR15-，-〇-，-CO …S-，_so …s〇2-， Ci-Cu伸烧基或Cs-Cl2伸環烯基橋基鍵結；

Rn為氫，CVC^烧氧基，c3-c12環烧氧基，Ci-Ci2烧硫 基或環烷硫基，硝基，氰基，甲醯基，Ci_Ci2烷基， CVCn環烷基，Cr_Cl2烯基或c^c〗2環烯基其各自為未經取 代或經以一或多個視需要為相同或相異之氫、羥基、Ci_Cu 烷氧基或cvc^2環烷氧基取代；或C6_Ci2芳基、c4_Ci2雜芳 基或q-C!2芳烷基其各自為未經取代或經以一或多個視需 要為相同或相異之9基團取代； R18為函原子，羥基，〇-R2G，0-C0_R2G，S-r2G，胺基， 丽-R20，NR20R21，NR20-CO-R22，nr20coor22，氛基，甲 醯基’ CO-R20，COO-R20，羧基，胺基甲醯基，c〇NH-R20， CONR2〇R2丨，腺基，NR2〇-CO-NHR22，鱗酸基，PR20R22， POR20OR22 J P(=0)OR2〇OR22 ^ OPR20R22 vOPR2〇OR22 > OP(=O)R20〇R22 ’ 〇P(=〇)〇R20〇R22，〇P〇3R20，硫酸基或石黃 基；Sc^-c!2烷氧基或crc12環烷氧基其各自經以鹵原子— -或多取代；

Ri9為函原子，硝基，氰基，羥基，〇-R23，〇-CO-R23， S-R23，甲醯基，CH=C(CN)2，CH=C(CN)CONH2， CH=C(CN)CONHR23 ’ CH 二 c(cn)conr23r24 ， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 585890 A7 ____ B7 _ 五、發明説明（7 ) CH二C(CN)COOR23，CH-C(COOR23)COOR24，胺基， NHR23，NR23R24, CONH2, CONHR23, CONR23R24, S02CVCU 烷基，S02NH2，S02NHR23，s〇2NR23R24，COOH，COR23， COOR23 ，NHCOR23 ，NR23COR25 ，NHCOOR23 ， NR23COOR25，脲基，NR23_CO-NHR25，磷酸基，PR23R25， POR23OR25，P(=0)0R230R25，〇PR23R25，〇PR23〇R25， 0P(=0)R230R25，OP(=〇)〇R23〇R25，〇P〇3R23，硫酸基或磺 基；SCVCu烧基，C3-Ci2環烧基，硫基，c3-c12 環烷硫基，CrCu烷氧基或C3-C12環烷氧基其各自為未經取 代或經以一或多個視需要為相同或相異之r18基團取代； R20, R2AR22各自分別為CVC12烷基，0：3-0：12環烷基， c2-c12烯基，c3-c12環晞基，c6-c12芳基，〇4{12雜芳基或 C7-C12芳烧基；或 R2〇及Rn連同共通氮形成吡咯啶，哌啶，哌啡或嗎琳 其各自為未經取代或經以C】-C4烷基一-至四取代； R23 ’ R24及R25各自分別為Cl-Cl2烷基，C3-Ci2環烷基， C^C!2烯基或C^C!2環烯基其各自為未經取代或經以一或 多個視需要為相同或相異之鹵原子、羥基、C1-CU烷氧基 或q-c〗2環烷氧基取代；芳基、雜芳基或 Cy-C〗2芳烧基其各自為未經取代或經以一或多個視需要為 相同或相異之R26基團取代；或 R23及R24連同共通氮形成咄咯啶，哌啶，哌_或嗎琳 其各自為未經取代或經以Cl-C4烷基一-至四取代；或卡巴 唑，吩噚啩或吩三啡其各自為未經取代或經以一或多個視 2#3本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格⑵〇χ297公董) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

11 585890 五、發明説明（8 ) 需要為相同或相異之r26基團取代； 心為或為Cl-Cl2烧基，c3_Ci2環燒基，Ci_Ci2院硫 基，C3_cu環烷硫基，Ci-Ci2烷氧基或“义】2環烷氧基其各 自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之Ri8 基團取代；以及 m為1至1〇之數目。 若非為式（I)，（II)，（111)或（1¥)化合物之對偶離子χ_， 則須瞭解酸基如羧基、磺基、硫酸基以及磷酸基也可呈鹽 形式例如鹼金屬鹽、鹼土金屬鹽、銨鹽或鱗鹽例如Li+、 Na+、K+、Mg2+、Ca2' Cu2+、Ni2+、Fe2+、c〇2+、Zn2+、 S11 La 、叙、甲基銨、乙基銨、異丙基銨、十五烧基 銨、二環己基銨、四甲基銨、四乙基銨、四丁基銨、苄基 三甲基銨、苄基三乙基銨、甲基三辛基銨、三-十二烷基甲 基銨、四丁基鱗、四苯基鐫、丁基三苯基鱗或乙基三苯基 鱗’或US-6 225 024所述陽離子B-1至B-180之任一者，其 中個別陽離子以引用方式併入此處。 鹵素為氣、溴、氟或碘較好為氟或氣，特別於烷基為 氟（例如二氟甲基，α，α，α _三氟乙基或全氟化烧基如七氟 丙基）以及於芳基、雜芳基或芳烷基之芳基部分為氯。 烷基、環烷基、烯基或環烯基可為直鏈或分支，或單 環或多環。烷基例如為甲基、直鏈c2-c24烷基或較好分支 cvc：24烧基。烯基例如為直鏈C2-C2G稀基或較好分支C3-C24 烯基。如此本發明特別係關於含分支c3-C24烷基或分支 CVC24烯基之式（I)，（Π)，（111)或（以）化合物以及包含此種 專本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 585890 A7 _____B7 _ 五、發明説明（9 ) 化a物之光學記錄材料。如此c i- Cm烧基例如為甲基、乙 基、正丙基、異丙基、正丁基、第二丁基、異丁基、第三 丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、正己基、 正辛基、1，1，3,3·四甲基丁基、2-乙基己基、壬基、癸基、 十二烧基、十四烷基、十六烷基、十八烷基、廿烷基、廿 一烧基、廿二烷基或廿四烷基。C3_C24環烷基例如為環丙 基、環丁基、環戊基、環己基、三甲基環己基、薄荷基、 側柏基、冰片基、1-金剛烷基或2-金剛烷基。 G-Cm烯基及c3-C2G環烯基分別為c2_C2G烷基及C3-C2Q 環烧基，其各自為一-或多未飽和，其中二或多個雙鍵可視 需要為分開或共軏例如乙烯基、烯丙基、2-丙烯-2-基、2-丁烯-1-基、3-丁烯-1-基、i，3-丁二烯-2-基、247.+ 基、2·戊烯-1-基、3-戊烯-2-基、2·甲基-1-丁烯-3-基、2-甲基-3-丁婦-2-基、3 -甲基-2-丁嫦-1-基、ι，4-戊二嫦-3-基、 2-環戊烯-1-基、2-環己烯-1-基、3-環己烯_1_基、2,4-環己 二烯-1-基、1-對-薄荷烯_8_基、4(1〇)_側柏-1〇_基、2-原冰 片烯-1-基、2,5-原冰片二烯-1-基、7,7-二甲基-2,4-原卡拉 二烯-3-基或下列基團之多種異構物··己烯基，辛烯基，壬 婦基’癸烯基，十二碳烯基，十四碳烯基，十六碳烯基， 十八碳烯基，廿碳烯基，廿一碳烯基，廿二碳烯基，廿四 碳婦基，己二稀基，辛二烯基，壬二稀基，癸二稀基，十 二破二烯基，十四碳二烯，十六碳二烯基，十八礙二烯基 或廿碳二稀基。

Ct-C!8芳烷基例如為苄基、2_苄基丙基、Θ -苯基- ).;^；本紙張尺度適用中國國家標準（〇^5)八4规格（210\297公楚） … -13 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

585890 A7 B7 五、發明説明（ 乙基、9-芴基、α，α_二甲基苄基、苯基-丁基、①-苯 基-辛基、苯基-十二基或3-甲基四甲基· 丁基）-苄基。q-C24芳烷基此外可為例如2,4,6-三-第三丁美 -苄基或1-(3,5-二苄基-苯基）-3_甲基_2-丙基。當c^Ci8芳烷 基經取代時，取代可於芳烷基之烷基或芳基部分，以後者 為佳。 C6-Cu芳基例如為苯基、萘基、聯苯基、2_芴基、菲 基、蒽基或三苯基。 C^C!2雜芳基為含4n+2共軛π電子之未飽和或芳香族 基團例如2-喧吩基、2-吱喃基、2-吼咬基、2-喧唾基、2_ 嘌唑基、2-咪唑基、異噻唑基、三唑基或任何其它環系， 包括噻吩、呋喃、咄啶、噻唑、噚唑、咪唑、異噻唑、三 唑、咄σ定及苯環其為未經取代或經以一 1至ό個乙基、甲基、 伸乙基及/或亞甲基取代。 此外芳基及芳烷基也可為鍵結至金屬之芳香族基，例 如壬過渡金屬之金屬茂形式，金屬茂本身為已知更特別為 或，2-^夺 (請先閲讀背面之注意事^再填寫本頁〕 -1^^-

X_為無機、有機或有機金屬陰離子例如為無機酸陰 子’有機酸共軛鹼（如醇酸鹽、酚酸鹽、羧酸鹽、磺酸鹽 膦酸鹽）或有機金屬錯合陰離子如氟、氯、溴、碘、過氯酸 過碘酸、硝酸、1/2碳酸、碳酸氫、1/2硫酸、Ci-C4烷基石) 酸、硫酸氫、1/3磷酸、1/2磷酸氫、磷酸二氫、；i/2C 離 或

C 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) M規格（21〇χ297公釐） 1 14 燒膦酸、Cl-C亦Cl_CW基膦酸、€_Ci_C4絲亞麟酸、 四氟餐'六氟膦酸、六氟銻酸、乙酸、三氟乙酸、七氟 丁酸、1/2草酸、f院續酸、三氟W續酸、f苯石f酸、苯 石黃酸、對氯苯《、對硝基苯4酸、龄酸、^酸陰離子 或帶負電荷之金屬錯合物。 熟諳技藝人士瞭解可使用其它已知陰離子。帶有X個 負電荷之無機、有機或有機金屬陰離子之1/x例如1/2S0广 須瞭解為含有多於1價可中和具有價數為!之多個陽離子之 陰離子，或視需要也可為有X價之陽離子一 〇一或

R

紛酸鹽或羧酸鹽例如為式 中R3 R4及R5定義如式（I)或⑼，但也具有與式⑴或⑴)之 R3，R4及R5無關定義，例如C丨-C丨2烷化，特別第三_c4_c8 烧化陰離子、酚類及苯甲酸類如

作為金屬錯合物之χ-較好為式或 [(L3)M2(L4))](VI)之金屬錯合物，其中個別為過渡 金屬，W較好為Cr3+或c〇3iM2較好為Ni2+，c〇2+或Cu2+， m為1至6之數目，川及。各自分別為下式配體

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

其中式R27 ’ R28 ’ R29，R30，R31及R32各自分別為氫、 函廣子、氰基、R35、N02、NR35R36、NHCO-R35、NHC00R35、 s〇rR35、so2nh2、so2nhr35、S02NR35R36、8〇3-或 s〇3H， 糝好為氫、氣、S02NHdS02NHR35，其中r35及r36各自分 别為even烧基、Cl-Cl2烷氧基-C2-Ci2烷基、q·%芳燒美 或CVC丨2芳基，較好為^-匸4烷基其各自A去 土 馬未絰取代或經以 28芯本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 16 585890 A7 _____B7 _ 五、發明説明（13 ) 羥基、鹵原子、硫酸根、烷氧基、Ci-C^烷硫基、crc6 烧胺基或二-Ci-G烷胺基取代，以及R33及R34各自分別為 CN，CONH2，CONHR35，CONR35R36，COOR35 或 COR35。 舉例言之但非限制性，可參照US 5 219 707， JP-A-06/199045 及 JP-A-07/262604 揭示之個別化合物。 此外，可使用任一種已知例如含有酚系或苯羧酸偶氮 化合物作為配體1^或1^2之過渡金屬錯合物陰離子。 較好為式（I)、（II)、（III)或（IV)化合物其中a^a2各自 分別為N(R15)，〇，s或未經取代或經R16取代之CH=CH ; Q為N，N-C = N 或N-N=N， R3，R4，R5，尺6，R9 ’ RlO，Rii，R12，Ri3，R14 及 各自分別為氫、Rw或C^-Ci2芳基或C^-C^2芳烧基其各自為 未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之Ri9基團 取代；

Rl7為氫、氰基、Ci-C12烧基其為未經取代或經以一咬 多個鹵原子取代，或CfC!2芳基其為未經取代或經以一咬 多個視需要為相同或相異之R19基團取代； 尺18為 _ 原子、羥基、O-R20、胺基、NH-R2()、NR2Q：R21、 NR2〇-CO-R22、NR20COOR22、氰基、COO-R2〇、竣基、 CONH-R2〇、CONR20R2i、硫酸根或石黃基，或烧氧美 其為未經取代或經以函原子一-或多取代； R19為鹵原子、罐基、氰基、〇_r23、甲酿美、 CH二C(CN)2、CH二C(CN)CONH2、CH=C(CN)CONHR23、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格(210X297公釐)' ' — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}

17 585890 A7 ______B7 _ 五、發明説明（14 ) CH=C(CN)CONR23R24 、 CH-C(CN)COOR23 、 CH-C(CO〇R23)COOR24 λ CONH2 ^ CONHR23 ^ CONR23R24 ' SOA-Cu烧基、S02NH2、S02NHR23、S02NR23R24、COOH、 COOR23、NHCOR23、NR23COR25、NHCOOR23、 nr23coor25、脲基、P(=:〇)〇R23〇R25或石黃基；或烧 基、Ci-cu烷硫基*Cl_Ci2烷氧基其各自為未經取代或經以 一或多個視需要為相同或相異之基團取代； R20 ’ r21ar22各自分別為Ci_Ci2烧基，c2_Ci2稀基， c6-c12芳基或(：7-(：12芳烷基；或 R2〇及R2!連同共通氮形成嗎啉、或經以Ci_C4烷基1^取 代之旅σ定； R23 ’ R24及R25各自分別為Ci-Ci2烷基其為未經取代或 纹以或多個視需要為相同或相異之函原子、羥基或

Cl_Cl2烧氧基取代，或為未經取代之c6-Cl2芳基或c7_Clj 烧基；或 化3及R24連同共通氮形成嗎啉或經以G-C4烷基N取代 之哌啶；以及 m為1至4之數目。 特佳為式⑴、(Π)、（111)或（IV)化合物其中八,及八2各自 為S以及Q為]或n — c = N，

Rl ’ R2 ’ R?，RAR15各自分別為CrC24燒基、C1_C4 ㈣似1 一-C4伸垸基L或烧基-[NH-CW伸垸基]其 各自為未焱取代或經以一或多個視需要為相同或相異之 張尺度適用中國國(21^^— ----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂— 18 五、發明説明（15 ) 585890 A7 B7 r18基團取代’或c6_Cl2芳基其為未經取代或經以—或多個 視需要為相同或相異之Ri9基團取代；或 成對共同形成Ci_C24伸烧基其為未經取代或經 以-或多個《要為相同或相異之‘基團取代；

Rn為風、氰基、Cl'Cl2烷基其為未經取代或經以一或 夕個鹵原子取代’或笨基其為未經取代或經以—或多個視 需要為相同或相異之R!9基團取代； R18為i原子’經基’ 〇_R2〇 ’氛基，〇c〇R2。，缓基， 硫酸根或磺基；以及 R19為鹵原子，硝基，盔盆 月 I 虱基，O-R23，CH=C(CN)2， CH c(cn)conh2 ’ CO〇R23，脲基，p(=〇)〇R23〇Rh 或綠 基。 以式（I)或（III)化合物為佳，以式⑴化合物為特佳。 記錄層較好包含式⑴、（π)、（111)或（IV)化合物或此等 化合物之混合物作為主要組成分例如至少30%重量比，特 別至少60%重量比，更特別至少8〇%重量比。其它常見組 成分亦屬可能例如其它發色基團（如揭示於 WO-01/75873，或任何其它具有吸收尖峰於3〇〇至1〇〇〇毫微 米之發色基團）、安定劑、^2·、三峰_或發光淬熄劑、熔點 下降劑、分解加速劑或任何其它已述於光學記錄媒體之添 加劑。較好視需要添加安定劑或螢光淬熄劑。 當記錄層額外含有發色基團時，發色基團含量較好相 當低’讓固體層吸收特性之最長波長轉折點之波長吸收整 體而言為全體固體層之式（I)、（II)、（III)4(IV)純化合物之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

19 585890 A7 B7 五、發明説明（16 ) 吸收之份數（於相同波長），較佳不超過1/3，特別不超過 1/5，更特別不超過1/10。吸收尖峰較好高於425毫微米， 特別高於500毫微米。 安定劑、by、三峰-或發光淬熄劑例如為含N或S之烯 醇酸鹽、酚酸鹽、雙酚酸鹽、硫醇酸鹽、雙硫醇酸鹽之金 屬錯合物，或偶氮、偶氮低甲基或吹贊染料之金屬錯合物， 例如貳（4-二曱基胺基-二硫聯苯甲醯）鎳[CAS N ° 38465-55-3]，伊加朗玻多（Irgalan Bordeaux) EL，西巴法斯 特（Cibafast) N或類似化合物、封阻酚類及其衍生物（視需要 也呈對偶離子X)例如西巴法斯特AO、鄰羥苯基-三唑、-三 啩或其它紫外光吸收劑如西巴法斯特W或西巴法斯特P或 封阻胺類（TEMPO或HALS也呈氮氧化物如NOR-HALS，視 需要也呈對偶離子X)，進一步呈陽離子二亞銨、帕拉奎特 (Paraquat)或歐梭奎特（Orthoquat)鹽如卡亞索伯（Kayasorb) IRG 022，卡亞索伯IRG 040視需要也呈自由基離子如 N，N，N’，N’-肆（4-二丁基胺基苯基）-對伸苯基胺-六氟磷酸 銨、六氟銻酸鹽或過氯酸鹽。後者係得自歐根尼卡 (Organica)(Wolfen/DE)，卡亞索伯品牌係得自日本卡亞庫 (Kayaku)公司及伊加朗品牌及西巴法斯特品牌係得自汽巴 特用化學品公司。 多種此等結構式為已知，但部分與光學記錄媒體有關 例如得自 US 5 219 707，JP-A-06/199045，JP-A-07/76169， JP-A-07/262604或JP-A-2000/27224卜例如為先前揭示之金 屬錯合物陰離子與任何所需陽離子如前文揭示之陽離子形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 請 丨 先 ： 閲 I 讀 背 ； ^ -' 之，： 注 意 事 項 ：

訂

20 585890 A7 B7 五、發明説明（Π ) 成之鹽。 此外，須考慮中性金屬錯合物例如式 (L3)M2(L5)(VII)，（L6)M2(L7)(VIII)或M2(L8)(IX)錯合物，其 中 L5 為 Ci_Ci2 烧基-OH、C3-C12 環烧基-OH、C6-C!2 芳基 -OH、C7-C12 芳烧基-OH、C1-C12 烧基-SH、C3-C12 環烧基 -SH、C6-C12芳基-SH、C7-C12芳烧基-SH、CVCn烧基-NH2、 CrC〗2環烷基-NH2、CVCu芳基-NH2、c7-c12芳烷基-NH2、 二- Ci-C12 烧基-NH、CVCu 烧基-(C3-C12 環烧基）-NH、二 -C3-C12 環烧基-NH、二-C6-C12 芳基-NH、二-C7-C12 芳院基 -NH、三-CVCu烷基-N、三-C3-C12環烷基n、二-((^-(：12烧 基）(C3-C12it：^ 基）-N、（CrC12 烧基）-二-(c3-Ci2 環院基）-N、 三- C6-C12芳基-N或三-C7-C12芳烷基-N， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可|

/或 其中式M2及R27至尺32定義如

R 29

R :s、 27 ，以及 m 至於式(IX)添加劑之特例，值得—提者為銅錯合物例 如下式化合物 本紙張尺度適用中國國家標準⑽）A4規格（210X2^^ 21 585890 A7 B7 五、發明説明（18

至於式（VII)添加劑之特例，值得一提為雙酚酸鎳例如 下式化合物H2N-c4H9

熟諳技藝人士由其它光學記錄媒體已知或方便瞭解 其〉辰度特別適合其用途之添加劑。適合之添加劑濃度例如 占式（I)、（II)、（III)或（IV)記錄組成物之0.001至1〇〇〇〇/0重量 比及較佳1至50%重量比。 本發明之光學記錄材料於固體非晶形記錄層具有絕 佳光譜性質。由於此種化合物於固體材料中聚集之傾向出 乎意外地低’吸收帶窄而強，長波端具有特高陡峭度 乎思外地且極佳不形成二元體或僅形成至可忽略程度 層於讀寫波長區之反射率於未經寫入態為高。 由於該等絕佳層性質，故可獲得具有高度敏感度 度再現性及幾何極為精確的凹坑邊界之快速光學記錄 出 各 折 射率及反射率實質經修改結果獲得高度對比度。凹坑長度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

22 585890 五、發明説明（19 ) 及間隙距離（「抖動」）的容忍度極小。如此，由於記錄通 道較細且執間隔（「間距」）相當小因而允許高儲存密度。 此外記錄後的資料可以出乎意外地低錯誤率回放，結果錯 誤校正僅占有小量儲存空間。 由於漆解度絕佳即於質子惰性溶劑之溶解度絕佳結 果，可使用高濃度溶液而例如於儲存期間無沉澱之虞，故 旋塗期間之問題大為消失。 5己錄與回放可於相等波長進行。較佳使用帶有單一雷 射源例如350至500毫微米，較佳370至450毫微米之單純透 鏡。波長特佳係於紫外光範圍，370至39〇毫微米，特別約 380亳微米或尤其390至43〇特別約4〇5± 5毫微米之可見光 範圍邊緣。於帶有高數值孔徑透鏡之短小藍或紫雷射二極 體（如尼齊亞（Nichia) GaN 405毫微米），凹坑夠小，軌跡夠 窄’故可於120毫米碟片達成每記錄層約2〇至25 Gb。於38〇 毫微米’可使用銦攙雜UV_VCSELs (垂直腔穴表面發射雷 射），此種雷射源已存在成為原型[jungHan等人，參考]^118 網際網路氮化物半導體研究期刊5S1，W6.2 (2000)]。 如此本發明亦係關於一種記錄或回放資料之方法，包 含於本發明之光學記錄媒體於350至500毫微米波長記錄或 回放資料。 記錄媒體係基於已知記錄媒體結構，例如類似前述結 構°例如可由透明基板；包含式（I)、（II)、（III)或（IV)化合 物之至少一者之記錄層；反射層；及覆蓋層組成，讀寫係 經由基板進行。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇><297公釐）

(請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 585890 A7 五、發明説明（2〇 ) 適當基板例如包括玻璃、礦物、陶瓷及熱固塑膠或熱 2 2膠較佳支持體為玻璃以及均聚合或共聚合塑膠。適 當塑膠何如包括熱塑性聚碳酸酯類、聚醯胺類、聚酯類、 聚丙烯酸酯類及聚曱基丙烯酸酯類、聚胺基曱酸酯類、聚 烯烴類、聚乙烯基氣、聚亞乙烯基氟、聚醯亞胺類、熱固 性聚酯類及環氧樹脂類。特佳為聚碳酸酯基板其例如可利 用射出模製製造。基板可呈純質形式或也包含習知添加劑 例如JP-A-04/167239提議之紫外光吸收劑或染料作為記錄 層安定劑。後述例中，染料添加至支持基板，該染料於寫 入波長（雷射發射波長）不具吸收或至多具有小量吸收，較 好至多吸收約聚焦於記錄層之雷射光之20%。 較佳基板於350至500毫微米範圍至少部分為透明，因 此可透射例如至少80%入射基板上之讀或寫波長。基板厚 度較佳為10微米至1毫米，特別20至600微米，更特別2〇至 600微米，較好由螺旋形導槽（執）於塗覆面上，槽深度至 200毫微米，較佳8〇至15〇亳微米，槽寬度1〇〇至4〇〇毫微米， 較好150至250毫微米以及兩轉間之間距為2〇〇至6〇〇毫微 米，較佳350至450毫微米。已知多種截面形狀之溝槽例如 矩形、梯形或v字形。類似已知之CD_R&DVD-R媒體，此 外導槽可進行小量週期性或仿週期性橫向偏轉（「晃動」）， 讓轉速同步及讀取頭絕狀位（「拾取」）。藉地鄰槽間的 記號（「前置凹坑」），替代或除偏轉外也可發揮相同功能。 記錄組成物例如係藉旋塗溶液施用，意圖提供儘可能 為非晶形之層，其於表面（「陸塊」）厚度較好為〇至3〇亳微 …本紙張尺度翻til賴fl(CNS) Μ驗⑵0X297公釐) ~-- -24 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

五 、發明説明（ 21 \特別1至2〇宅微米，更特別2至10毫微米，及其於溝槽 b又依據4槽幾何決定較好為⑼至⑼亳微米，特別 至⑽亳微米，更特別6G至⑽毫微米。反射層之適當反射 輿二特別為谷易反射用於記錄與回放之雷射輻射，例如化 兀素週期表第二、第四及第五主族及副族金屬。以下列 特別適合：A1，In，sn，pb，sb，B1，cu，Ag，AU，zn，W Hg Sc，Y ’ La ’ Ti，Zr，Hf，v，Nb，Ta，Cr，論， C〇 Nl ’ Ru ’ Rh ’ Pd，〇s，Ir，Pt及鑭系金屬 Ce， ，则，Pm，Sm , Eu，Gd，几，巧，H〇，&，h^ 及Lii及其合金。由於高度反射且製造容易，特別偏好銘、 銀至或其合金（如白金合金）之反射層；因經濟及生態理 由故更特別偏好採用链。反射層厚度較好為 5至200毫 米’特好1〇至100毫微米，更特別4〇至6〇毫微米，但較厚 反射層亦屬可能例如1亳微米厚度或以上。 覆蓋層之適當材料主要為塑膠，其係以薄層直接或借 助於黏著促進劑施用於薄層。較好選用具有良好表面性 仍可進行修改例如寫入之機械性及熱安定性塑膠。塑膠J 為熱固性或熱塑性。作為直接施用之覆蓋層，偏好為輻射 硬Li如使”外光輕射）塗層，其製造上特別簡單 濟。已知相當大量可輕射硬化材料。可幸畐射硬化單體及句、 *物fc例包括_醇、三醇及四醇之丙稀酸醋類及^基丙烯 酸酯類，芳香族四羧酸以及於胺基之至少兩個鄰位位置 有c「c4烧基之芳香族二胺之聚酿亞胺類，具有二统基順 烯二醯亞胺基如二T基順丁烯二醯亞胺基之寡聚物。用 微 質 可 經 寡 具 於 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS) A4規格（210父297公复） 五、發明説明（22) =黏著促_施用之覆蓋層’較好使用基板層特別聚碳 ㈣材料。使用之黏著促進劑同樣較佳為可輕射硬 化早體及寡聚物。替代利用黏著促進劑施用覆蓋層，可使 用包含記錄層及反射層之第二基板，結果記錄媒體可於兩 T播放。缺為對稱結構，其中二部分於反射層側利用黏 者促進劑彼此接合或利用中間層彼此接合。 於遺種構造，覆蓋層本身或覆蓋材料之光學性質除了 於適當時期硬化可利用例如紫外光輻射進行之外並未扮演 任何光學角色。覆蓋層的主要功能係確保記錄媒體整體的 機械強度’若有所需薄反射層之機械強度。若記錄媒體充 ^承定例如當存在有厚反射層時，甚至可完全免除覆蓋 y覆盍層厚度依據記錄媒體整體厚度決^,較好至多約2 亳米。覆蓋層之較佳厚度為1〇微米至丨毫米。 本發明之記錄媒體也可有額外層例如干擾層或阻擋 層。記錄媒體可由多層（例如2至1〇層）記錄層組成。此種材 枓結構及用途為業界人士已知。於適當時偏好干擾層排列 於記錄層與反射層間及/或記錄層與基板間，干擾層係由電 介質材料如Ti〇2、Si3N4、ZnS或聚石夕氧樹脂組成，例如述 於ΕΡ-Α-0 353 393。 本發明之記錄媒體可根據已知方法製備，依據使用的 材料及操作模式可使用多種塗覆方法。 適當塗覆方法例如包括浸潰、傾倒、刷塗、刀塗及旋 轉傾倒以及氣相沉積法係於高度真空進行。例如當使用傾 倒方法.通常使用於有機㈣之溶液。#使用溶劑時可 585890 五、發明説明（ 確保使用的支持體對該等溶劑無敏感。適當塗覆方法及溶 劑例如述於EP A-0 401 791。 圮錄層較好藉旋塗染料溶液施用，證實特別適當之溶 W丨為醇類如2-甲氧乙醇、異丙醇或正丁醇，羥酮類例如二 丙酮醇或3-經-3-甲基-2_丁8同，羥酯類如乳酸甲酯或異丁酸 甲酯或較佳氟化醇類如2,2,2-三氟乙醇或2,2,3,3_四氟-；1-丙 醇及其混合物。其它適當溶劑例如述於Ep A-〇 483 3 87。 包含一或多個未飽和非芳香族鍵之式（〗）、（π)、（ΙΠ) 或（IV)化合物也可單獨或與其它可聚合單體共同聚合，單 體例如丙烯酸系及乙烯系單體。聚合較好係於可聚合化合 物或混合物塗覆後完成。 如此本發明亦係關於一種包含一基板、一記錄層及一 反射層之光學記錄媒體，其中該記錄層包含一種聚合物， «亥聚合物係由包含未飽和非芳香族碳-碳鍵之式（〗）、（Η)、 (ΠΙ)或（IV)化合物均聚合或共聚合獲得。 金屬反射層較佳藉霧化（濺鍍）或真空氣相沉積施用。 該等技術為已知且述於特殊手冊（例如；丄· v〇ssen及w. Kern ’「薄膜方法」，學術出版社，1978年卜該程序較佳為 連續進行而達成金屬反射層之良好反射率及高度黏著。 ό己錄係利用於記錄層表面藉恆定速度或變速導引的 、差凋麦至聚焦雷射束寫入固定或可變長度凹坑（記號）之已 知方法進行。資訊係根據已知方法讀取，使用雷射輻射登 錄反射時之變化，例如述於rCD_播放器以及R_DAT記錄 器」（Claus Biaesch-Wiepke，Vogel Buchverlag，Wurzurg 本紙張尺度適用t®國家標準（cnS) μ規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂— 27 585890 A7 ~ -----— B7 五、發明説明（24 ) " -— 1992)其要求為熟諳技藝人士已知。 本發明之含資訊媒體特別為WORM型光學記錄材 料。其類似電腦的CD_R(可錄式光碟）或Dvd_r(可錄式數位 視訊碟）’也可作為身分識別卡及保全卡之儲存材料或用於 衣&繞射光學凡件，例如全像圖。但比較CD-R或DVD-R， 其製造程序顯然更難處理。為了製造有高儲存密度及對應 小凹坑之記錄媒體，今日證實為了準確聚焦需要覆蓋層厚 度約50至400微米（典型用於數字孔徑〇85為1〇〇微米）。 如此以顛倒層構造為更佳，其中各層順序為基板、反 射層、5己錄層及覆蓋層。如此記錄層係位在反射層與覆蓋 層間。記錄與回放係非通過基板反而係通過覆蓋層進行。 比較前述構造，轉換覆蓋層與基板的角色，特別幾何及光 學性質。多種相對構想述於議事錄PIE-Int. s〇c. 〇pt. Eng. 3864有關藍GaN，射二極體之數位視訊記錄。 今曰發現顛倒層狀構造對記錄物質有更高要求，該等 要求出乎意外地可由本發明使用之化合物滿足。如此可施 用薄層覆蓋層，而未對固體記錄層產生可察覺的變化，於 °亥薄復盍層下方兄錄物質可充分保護不受摩擦、光氧化、 指紋、濕度以及其它環境效應之害。 於顛倒層構造，原則上記錄層及反射層具有前文規定 之相同功能。如此有相同維度。 特佳對固體記錄層施用額外金屬、交聯有機金屬或電 彡丨貝無機材料之薄分開層，例如層厚度為〇 〇〇 1至1 〇微米， 特別0.005至1微米，更特別o.oiso」微米。有鑑於其反射 22δ'本紙張尺度適用中國國家標準（) A4規格（21〇χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 、可| 五、發明説明（25 ) 率高，金屬分開層較佳具有最大厚度〇〇3微米。 交聯有機金屬層或電介質無機層為本身已知，例如由 氧化物、氫化氧化物或!|化物（特別氟化物）、具有負電性i 至2之金屬例如銘、鋅、鍅、鈦、鉻、鐵、姑、鐵及特別石夕 呈 II至 V之高氧化態如 CaF2，Fe2〇3，c〇〇，c〇Ti〇3，， 2 i〇5或Si〇2組成。可根據已知方法或類似已知方法施 用，例如藉陰極粉化、氣相沉積、化學氣相沉積施用或某 些層藉用於該項目的已知之濕化學方法施用例如述於w〇 93/08237及其中引述之其它參考文獻。一般氣相沉積、陰 極粉化或化學氣相沉積方法為熟諳技藝人士眾所周知。該 等方法較佳係於真空，於塗覆程序期間於1(rls1〇_8帕之壓 力下進行。金屬氧化物除矽氧化物外較好係於1.3xl〇-2至 1·3χ103帕之壓力下氣相沉積。 系暸解也可使用熟諳技藝人士已知之其它塗覆方 法。例如可藉溶膠/凝膠技術製備塗層，述於Ερ 5〇4 926， JP-A-07/207186，jP-A-08/175823，Jp-A 〇9/2393n 及 JP-A-10/204269 ;或也可藉熱分解而由8出4製備氧化矽塗 層。 矽氧化物較佳係於氧存在下氣相沉積金屬矽施用。用 於氣相沉積，不必為純質矽，係於減壓下於欲塗覆之基板 附近於氣態（分子）氧（也無需為純質）存在下利用感應加熱 或使用電子搶加熱至高溫例如500°C至2000t。形成矽次_ 氧化物其或多或少為黃至暗褐色，或較好依據氧之相對莫 耳濃度而定，較好為無色二氧化矽。 585890 五、發明説明（ 26 特別用於基於金屬合金之可改寫式光學記錄媒體 (CD-RW)之分離層之各層，例如施用Si〇2及ZnS混合物組成 之層。結果可加速顯影，而可免除塗覆程序的重新投資。 姐灵較佳於進一步塗覆前，使用黏著促進劑，處理記 錄層，黏著促進劑例如為N-(3_(三甲氧矽烷基）_丙基）咄咯 由美國化學會期刊m 2〇31-4⑽2)以及材料化學於399-402 (1997)^ ^ ^^ Ti(〇iPr)4^ Zr(acac)4^ /或酸或驗如氨或第-、第二或第三胺類。較佳為同時使用

R ‘38 式37 之胺，其中R37為氫或仏〇，R38及R39各自分別為 ho，以及為[-ij-CVC3伸烷基矸-]n_H其中τ為〇4NH及 ?«42 η為1至3之數目；以及式R4i〇 ?卜式R410-jl“ 〇R43 ^ 有機金屬化 =物其中r41至院基。該種情況下以胺對有機 金屬化合物之莫耳比為，至麵:i，溫度為·⑽至⑼ °c ’特別20。(：至8吖以及處理時間為1/4小時至⑽小時為 佳，特佳為胺對有機金屬化合物之莫耳為5〇:1至25〇:卜溫 度為5〇t至80°C及處理時間為1至1〇小時。 若有所需，塗層例如可以相等厚度施用於支持材料與 金屬反射層間、或施用於金屬反射層與光學記錄層間。某 些情況下例如當減射層組合含❹加劑於崎層時可獲 得若干優勢。 & 替代或除了無機或交聯有機金屬層外，也可使用聚合

OR ‘42 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21〇><297公釐）

訂— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 30 585890 A7 B7 五、發明説' 物層，聚合物層例如係藉聚合特別光聚合或另外藉積層施 用。 特仏可藉聚合或積層而於無機或交聯有機金屬層上 施用具有别文揭示厚度及光學性質之覆蓋層。 如此本發明亦係關於一種光學記錄媒體以下述排列 包含 a) 種支持材料其係由反射金屬或較好具反射金屬層 之聚合物組成； b) —光學記錄層； c) 一分開層，其係由金屬、交聯有機金屬或電介質無 機物質組成；以及 d) —覆蓋層。 大部分本發明使用之化合物為已知或可根據已知方 法類似已知化合物製備，例如揭示於或參照Liebigs Ann Chem 6475 11 (1961), Liebigs Ann. Chem 663, 96 (1963)， Chimia迎，318-323 (1966)，印度化學會期刊红/12, 1121-1128 (1970)，US-3 850 645, Liebigs Ann. Chem 1975, 373-386 (1975)，日本化學會公報红/2，535_539 (1978)或 Helv. Chem. Acta 67/3, 770-773 (1984) 〇 但根據或類似已知方法，也可製備可於本發明用於光 學記錄媒體之新穎化合物。 如此本發明亦係關於式（I)、（II)、（III)或（IV)化合物， 但已知化合物除外例如 式（I)化合物其中Q為N，Ai&A2皆為S，1^及112為未 2.23本紙張尺度適用中國國家標準（°^) A4規格（210X297公楚） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

585890 A7 B7 五、發明説明（ 28 絰取代之線性C〗-C ! 8烧基或帶有經羥基或磺基取代之線性 C i-C3烷基，以及Rs及Rs皆為H、鹵原子或OR”或其鹽； 式（I)化合物其中Q為N或P，八〗及八2皆為N(R15)，Ri 及R2各自為c〗-c12烷基或共同為Cl-C3伸烷基，r3、r4、& 及R6皆為氧及烷基；以及 式（III)化合物其中Q為N，八〗及A2皆為S，R^R2皆 為甲基’ RqoAR】2皆為未經取代之苯基，以及R9&R11皆為氫。 特別適合用於本發明之目的之新穎化合物為： 式（I)化合物其中八】及八2皆為s以及1^及化2各自分別 為cvc24環烧基、Cl_c4烷基-[Cl-C^烷基]m、Cl_c4烷基 -[NH-Ci-Q伸烧基]m、c2_c24婦基、c3-C24環烯基、C7_C 方基或分支C3-C24烧基； 式（I)化合物其中八〗及八2皆為S及R3、R4、：^及/或尺 為C 1 -C 1 2烧基； 式（I)化合物其中八！及八2皆為S且包含R18基團其 ii原子、o，r20、氰基、c〇-r2〇4coo-r20或r19基團其為 S-R23或 烧基； 式（I)化合物其中八丨及八2皆為N(R丨5)以及R3、R4、 或以6為化19基團選自1¾原子、〇-R23、〇-CO-R23、S-R23、 基、NHR23及NR23R24組成的組群，其中於該化合物Ri、 及/或1^5較好為（：丨-(：24烷基特別^-^烷基； 式（III)化合物其中八丨及八2皆為S以及Ri、及2或尺 R2為c2-c24烷基、c3-C24環烷基、C「C4烷基-[0-CVC4伸燒 12 為 R5 胺 r2 ]及

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、可| 585890 A7 B7 五、發明説明（29 基]m、CVC24烯基或C3_C24環烯基；或心及化共同成對為 C2-C24伸烷基； 。 式（III)化合物其中八〗及八2皆為S以及R9、R1〇、R"及 /或Ru為氫、R^'CVC〗2烷基或(VCl2芳基其為未經取代或 經以一或多個視需要為相同或相異之尺丨9基團取代，以及 R19為鹵原子、硝基、氰基、〇_R23*s〇2CVCi2烷基； 該等化合物中Q於各例較佳為N。 也極為適合為新穎包含過渡金屬金屬茂部分之式 (I)、（II)、（III)或（IV)化合物，較好 ^^或 A ^±>° 下列貫例舉例說明本發明但非囿限其範圍（除非另行 指示否則「％」經常為％重量比）： 例 1 ·(參考 Zeitschrift fur Naturforschung A24(l 1)，1829 表 1 e)[1969])。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) %, 再填寫丄

、可I

•03S 物溶解於99.0克2,2,3,3-四氟-1-丙醇及通過02微米鐵氟龍 •Ο- 化合 過濾器過濾。澄清溶液以250轉/分鐘施用至厚0.6毫米之有 溝槽聚碳酸酯碟片（直徑120亳米，溝槽間隔〇·74微米，溝 槽深度0.17微米，溝槽寬度0.34微米）及於1〇〇〇轉/分鐘旋 塗，結果形成均勻固體層。乾燥後固體層具有於365毫微米 之吸收比0.75。然後施用厚65毫微米之反射層。隨後藉旋 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公董） 33 585890 30 A7 B7 五、發明説明 塗施用厚5微米之紫外光可交聯光聚合物（650-020，DSM) 及使用紫外光交聯。固體層之最大吸收（；Lmax)係於366毫微 米。於405亳微米，記錄層具有反射率42〇/〇。使用脈衝染色 雷射（脈衝長度15毫微秒），將凹坑於405亳微米波長使用 0.8千焦耳/平方米能量密度寫入記錄層，結果獲得寫入位 置之反射由42%改變成20%。 宜mi:下列化合物係以類似實例1之方式使用· 22S本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

34 585890 A7

7本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Μ規格（210X297公釐） 35 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 585890

:.2 3本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 36 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

585890 A7 B7 五、發明説明（33 )

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

•3本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 37 585890 A7 B7 五、發明説明（34 )

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Μ規格（210X297公釐） 585890 A7 B7 五、發明説明（35 )

(CH2)6 (CI〇4l2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實例 35-40 :得自 Marcel H. Luchsinger 論文 “Synthese， Spektroskopie und Hydrolyse von 3,3 ?-n-Methylen-bis-(benzthiazol)-azamonomethincyanin-perchoraten’’[「3,3’-正 亞甲基-貳（苯并噻唑）-氮雜一低甲基花青滲濾產物之合 成、光譜及水解」](貝索大學1971年）之同系物或開鏈化合 物7a、7b、27d、27e、7z及32係以類似實例34之方式使用。 實例41-52 ：下列化合物係以類似實例1之方式使用： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 39 585890

wv本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4规格（210X297公釐） 585890 A7 B7 五、發明説明（37 ) 45 46 -〇-I^>-ch2 n-C4H9 n-C4H9 (第 1 圖顯示根據本實例之記錄碟片之固體膜UV/VIS光譜）， 47 -〇|^-ch3, n-C6H13 n-C6H13 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 48 ,〇、 ,0、 Ό-S δ H^-ch3 49 -〇-S^ I \ 〇 x~’ i-C8H17 i-C8H17 _CH“異構物混合物） 50 n-C12H25 n-C12H25 51 (XwtO -〇-I^-ch3 ^ n u u ^ n*^18^37 n'^18^37 (本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） 585890 A7 B7 五、發明説明 38 52 j(Y%NHs^n

CM Ί17 （異構物 混合物）。 i盤53 ·替代貫例44非對稱化合物，使用根據實例41及4: 兩種對稱化合物之1:1混合物。 實例54 ： a) 3_0份2-胺基-苯并噻唑及7·7份（3，，3、二甲基_丁遵 -Γ)-4_甲基-苯磺酸加熱至13(rc歷1〇〇分鐘。加入丙酮及匡 體產物經過濾出及脫水。 b) 添加60份5%碳酸氫鈉溶液後，所得懸浮液加熱至 80°C歷2小時。冷卻至室溫後加入30份乙醚。醚相經分離 脫水及蒸發。 c) 0.52份對甲苯磺酸及36份鄰二氣苯混合物加熱至消 騰歷1小時而蒸餾去除水及冷卻至75 。加入得自b)之產勒 後，溫度升高至178°C歷90分鐘。冷卻至室溫後添加醚，死 成之固體藉過濾收集。由丙酮再結晶後無色晶體於牝^朋 水。獲得式 α；

ch3化合物 熔點：225-226°C ; UV/VIS(乙醇）：；lmax=379亳微米 =48418升•莫耳-1 ·厘米-1。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

42 585890 五、發明説明（39 ) 實例55 : 1.0%重量比實例54化合物溶解於2,2,3,3-四氟-1_ 丙醇及經0.2微米鐵氟龍過濾膜過濾。然後染料溶液以1〇〇〇 轉/分鐘施用於厚〇·6毫米平坦聚碳酸酯碟片（直徑12〇毫 米），隨後於1500轉/分鐘進行旋塗。獲得均一固體層，脫 水後獲得於；I max 366毫微米之吸收比為ο·%。層厚度及折 射率係使用光學測量系統（ETA-RT，史迪格哈馬特克（8化叫 Hamatech))評估。固體染料層厚36毫微米，於4〇5亳微米具 有折射率N 1.96及消光係數k 〇 〇83。經由變更溶劑、濃度 及旋塗條件，可製作不同厚度層如88 5毫微米厚度層，折 射率η(上線左刻度）及消光係數k(下線右刻度）顯示於第2 圖。 只例56 . 〇.187伤貫例54 c)化合物溶解於15份乙醇。然後加 入0.216份結構式

姑錯合物於丨2份乙醇溶液。過濾、後，合併減蒸發至乾。 殘餘物溶解於14份二氯曱院，所得溶液以5份水洗4次。铁 後m相經過滤’蒸發至乾及進—步於室溫真空脫 水。獲得0.304份如下結構式離子對： 585890 A7 B7 五、發明説明（40 )

00=“:幻 ％。 I 丨 κι w

l. 5%重量比此種化合物溶解於2,2,3,3-四氟_卜丙醇以及〇 2 微米氟遠過濾、膜過濾、。然後染料溶液以6〇〇轉/分鐘施用於 厚1.2毫米平坦聚碳酸酯碟片（直徑丨2〇毫米），隨後於15〇〇 轉/分鐘進行旋塗。獲得均一固體層，乾燥後獲得於又⑽^ 372亳微米之吸光比0.49。層厚度及折射率係使用光學測量 系統（ETA-RT，史迪格哈馬特克）評估。固體染料層厚度ιι〇 毫微米’於405毫微米具有折射率n 1 ·86及消光係數k 0.102。 本材料於使用氙燈加速照射90小時光安定性絕佳。 m. 76 :下列化合物係以類似實例54-56之方式使用·

Cl (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .、可| k 44 57 585890 A7 B7 五、發明説明（41 04¾ 58 k

ch3ch2o OCHXH,

Cl

.3?本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、tr— 585890 A7 B7五、發明説明（42 )

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

38本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Μ規格（210X297公釐） 46 585890 A7 B7 五、發明説明（43 )

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

2 35本紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4规格（210X297公釐） 585890 A7 B7 五、發明説明（44 )

實例77-88:根據若干前述實例之固體層之光譜資料與對應 化合物於純乙醇溶液之光譜資料比較： MS本紙張尺度適用中國國家標準（®S) Μ規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

585890 A7B7 五、發明説明（4? 第91105352號專利申請案發明說明書修正頁92年8月28曰 於固體層 於溶液（乙醇)之UV/VIS 實例 根據 態 λ max[nm] λ max[nm] ε[1 ·莫耳-1 ·厘米弋 77 41 結晶 361 376 78 42 非晶 365 377 79 43 367 377 80 45 367 379 81 46 366 378 82 47 367 378 47887 83 48 366 380 47255 84 49 368 379 48283 85 50 365 378 47672 86 51 379 48618 87 53 結晶 366 376 88 54/55 非晶 379 48418 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖式簡單說明 第1圖係顯示根據實例46之記錄碟片的固體膜UV/VIS 光譜；以及 第2圖係顯示當固體染料層的厚度為88.5 nm時，其折 射率η(上線，左刻度）與消光係數k(下線，右刻度）的關係圖。 24笨紙張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 585890 AS B8 C8 D8 申請專利範圍 第91105352號專利申請案申請專利範圍修正本92年12月1〇曰 1· 一種光學記錄媒體，包含一基板，一記錄層及一反射 層’其中該記錄層包含下式化合物

   請 先 閱 讀 背 面 之 注 意It I斧 頁、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中Al及八2各自分別為C(CVC5烷基）2，C(C4-C^ 烷基）’ N(Rl5) , 〇，S，Se或未經取代或經Rl6取代之 CH=CH ； » ^17 Q為 N，P，N —C = N 或 Ν·Ν=Ν， X·為帶有一個負電荷之無機、有機或有機金屬陰離 子或為帶有X個負電荷之無機、有機或有機金屬陰離子 之1/χ ’ X為2至4之數目或為其混合物； Ri ’ R2，R?，R8及R15各自分別為 Ci_C24烧基，c3_C24 環烷基，cvc：4烷基-[0_Cl_C4伸烷基k，Ci_C4烷基 [NH-CVC4伸烷基]m，CyC24烯基或C3-C24環烯基其各 自未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之Rl8 基團取代；或CVCu芳基，C4_Ci2雜芳基芳烷 基其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或 相異之R〗9基團取代；或 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇.x 297 ) 50 訂 585890 88899 ABCD 六 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 、申請專利範圍 Ri及I共同成對為cKc24伸烷基，c3-c24伸環烷 基’ c2-c2a烯基，C3-C24伸環烯基*C7-Ci2伸芳烷基 ------5-----裝·>-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其各自未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異 之Rl8基團取代； R3 ’ R4 ’ R5 ’ R6 ’ R9 ’ R10，Ru，R12 , ri3，r" 及r16各自分別為氫，Ri9，Ci_Ci2烷基，c3_Ci2環烷基， q-C24烯基或Cs-C24環烯基其各自為未經取代或經以一 或多個視需要為相同或相異之r18基團取代；或C6_c12 芳基’ OrCu雜芳基或C7_Cl2芳烷基其各自為未經取代 或經以一或多個視需要為相同或相異之R19基團取代； 或 Rs與R4及/或r5與r6，以及r9與R1G及/或Ru與Ri2於 各例中成對形成1，4-丁-1，3-二伸烯基其為未經取代或 經以一或多個視需要為相同或相異之ri9基團取代，結 果連同共通苯基形成萘基； 二、三或三以上中式⑴、（11)、（m)或（IV)化合物 可藉直接鍵鍵結或於其個別取代基心及/或心，心及/或 R4，或 R9及/或 R10 間的-NH-，-NR15-，〇，-C0- , _S_ , -so-’-so2-，Cl-Clj_烷基或C3-Ci2伸環烯基橋基鍵結； Rn為氫，<^·ο:12烧氧基，c3-c12環烷氧基，Cl-Cl2 烷硫基或Cs-C】2環烷硫基，硝基，氰基，甲醯基，Ci_Ci2 烷基，CVCu環烧基，CVCu埽基或c3-c12環烯基其各 自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之 氫、羥基、Ci-Cu烷氧基或環烷氧基取代；或 51 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公发） 585890 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六 A8 B8 C8 D8、申請專利範圍 c6-c12芳基、（：4-(：12雜芳基或c7-c12芳烷基其各自為未 經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之Rl9基團 取代； Rl8為鹵原子’經基 ’ O-R20 ’ O-CO-R20 ’ S-R20 ’ 胺基 ’ NH-R^o ’ NR20R21 ’ NR20-CO-R22 ’ NR20COOR22 ’ 氰基，曱醯基，CO-R20，COO-R20，羧基，胺基甲醯基， CONH-R20，CONR20R21，脲基，NR20-CO-NHR22，磷酸 基，PR20R22 ’ POR20OR22 ’ P( = 〇)〇R20〇R22 ’ OPR20R22 ’ OPR20OR22 5 OP(=O)R20〇R22 ’ OP( = O)OR20〇R22 9 OPO3R20，硫酸基或磺基；或c!_c12烷氧基或cvc^ 烷氧基其各自經以函原子一-或多取代； Rl 9為鹵原子’蜗基，乳基’經基’ 〇-尺23 ’ 0-CO-R23 ’ S_R23，曱醯基，CH=C(CN)2，CH=C(CN)CONH2， CH=C(CN)CONHR23 ， ch=c(cn)conr23r24 ， CH=C(CN)COOR23，CH=C(COOR23)COOR24，胺基， NHR23，NR23R24，CONH2，CONHR23，CONR23R24， SOA-Cu烷基，S02NH2，S02NHR23，S02NR23R24， COOH，COR23，COOR23，NHCOR23，NR23COR25， NHCOOR23，NR23COOR25，脲基，nr23-co-nhr25，磷 酸基，PR23R25，P〇R23〇R25，P(=0)0R230R25，〇PR23R25， OPR23OR25 ’ 〇P( = 0)R23〇R25，〇P( = 0)OR23〇R25， 0P03R23，硫酸基或磺基；或。-〜烷基，c3-c12環烷 基，硫基，C3-C12環烷硫基，（^-(^烷氧基或 c3-c12環烷氧基其各自為未經取代或經以一或多個視 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 · m 本，紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公发） 52 585890 C8 -----------08 六、申請專利範圍 需要為相同或相異之R1S基團取代； R20 ’ R21AR22各自分別為Ci_Ci2烧基，C3-Ci2環烷 基，c2-c12烯基，c3-c12環烯基，C6-Ci2芳基，C4_Ci2 雜芳基或C7-C12芳烧基；或 尺2〇及Rn連同共通氮形成呲咯啶，哌啶，哌汫或嗎 啉其各自為未經取代或經以Ci_c4烷基一-至四取代； R23 ’ R24及R25各自分別為基，C3-C12環烷 基，C2_CU烯基或CrCu環烯基其各自為未經取代或經 以一或多個視需要為相同或相異之鹵原子、羥基、 C1-CU烷氧基或CVCu環烷氧基取代；或C6-Ci2芳基、 雜芳基或C^-Cu芳烷基其各自為未經取代或經以 一或多個視需要為相同或相異之R26基團取代；或 R23及R24連同共通氮形成ϋ比略淀，旅咬，旅σ井或嗎 林其各自為未經取代或經以C1-C4烧基一-至四取代：或 卡巴嗤，吩哼畊或吩三啩其各自為未經取代或經以一或 多個視需要為相同或相異之R26基團取代； 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 R26為Rl8或為CrC12烷基，C3-C12環烷基，CrCu 烷硫基，CVCu環烷硫基，Ci-Cu烷氧基或c3-c12環烷 氧基其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同 或相異之R18基團取代；以及 m為1至10之數目。 2·如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中心及八2各 ’17 自為S以及Q為N或N-C = N， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公发） 585890 A8 B8 C8 no

   申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Ri ’ R2，R7，R8及R15各自分別為 Ci_c24烷基、Ci_c4 烷基-[0-CVC4伸烷基]m4Cl_c4烷基-[nh_Ci_C4伸烷基] 其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或相 異之基團取代，或C0-C12芳基其為未經取代或經以 一或多個視需要為相同或相異之r19基團取代；或 Ri及R2成對共同形成Ci-Cn伸烷基其為未經取代 或經以一或多個視需要為相同或相異之R18基團取代； Rn為氫、氰基、烷基其為未經取代或經以 一或多個齒原子取代，或苯基其為未經取代或經以一或 多個視需要為相同或相異之Rl9基團取代； R18為鹵原子，羥基，〇-r20，氰基，〇_C〇-R2〇，羧 基，硫酸根或磺基；以及Ri9為鹵原子，硝基，氰基，〇_R23 , ch=c(cn)2， ch=c(cn)conh2，COOR23，脲基，P(=0)OR23〇R25或磺基。 3·如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該記錄層 包含式（I)化合物。 4·如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，其中該記錄層 包含式（III)之化合物。5·如申請專利範圍第2項之光學記錄媒體，其中該記錄層 包含式（I)之化合物。 6.如申請專利範圍第2項之光學記錄媒體，其中該記錄層 包含式（III)之化合物。 7·如申請專利範圍第1至6項中任一項之光學記錄媒體，其 (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 · 規格⑵。 X 297公发）

   中5亥式⑴、（Π)、（ΙΠ)或（ΐν)化合物含有分支C3_C24烷基 或分支C3-C24稀基。 如申％專利範圍第1至6項中任一項之光學記錄媒體，其 中X—為有機陰離子。 9·如申請專利範圍第1至6項中任一項之光學記錄媒體，其 中X為有機金屬陰離子。 10_如申請專利範圍第7項之光學記錄媒體，其中χ_為有機 陰離子。 11·如申請專利範圍第7項之光學記錄媒體，其中χ·為有機 金屬陰離子。 12.如申凊專利範圍第丨至6項中任一項之光學記錄媒體，其 中該基板厚度為10微米至i毫米，具有導槽深度1〇至2〇〇 毫微米及寬度100至400亳微米於塗覆側。 女申明專利範圍第12項之光學記錄媒體，其中該導槽為 螺旋形，兩轉間之間距為200至600毫微米。 4.如申印專利範圍第12項之光學記錄媒體，其中該導槽具 有矩形、梯形或V字形截面側繪。 15·如申請專利範圍第1至6項中任一項之光學記錄媒體，其 中該記錄層實質為非晶形。 16.如申請專利範圍第15項之光學記錄媒體，其中該記錄層 具有厚度於導槽為20至150亳微米以及於表面其餘部分 厚度為0至30亳微米。 17·如申請專利範圍第12項之光學記錄媒體，其中該反射層 具有厚度為5至200亳微米且係由紹、銀、金或其合金组 本紙張豆巧中_家標準（CNS)L規格（2】Qx 297公发了 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 JST· 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 A8 B8 C8 —----- D8 - - 申請專利範圍 成。 18.如申請專利範圍第12項之光學記錄媒體，其額外包含一 覆蓋層’其中該基板、反射層、記錄層及覆蓋層係以該 種順序排列。 19· 一種光學記錄媒體，包含一基板、一記錄層及一反射 層，其中該記錄層包含一種聚合物，該聚合物係由一種 選自式（I)、（II)、（111)或（IV)化合物組成的組群且具有 一個未飽和非芳香族碳-碳鍵之化合物的均聚合或共聚 合獲得，

   其中Al及A2各自分別為c(cvc5烷基）2，C(C4-C5伸 烷基）’ N(R1S)，0，s , &或未經取代或經R16取代之 CH=CH； , ^17 Q為N，P，n-C = N或N-N=N， χ·為帶有—個負電荷之無機、有機或有機金屬陰離 子或為帶有X個負電荷之無機、有機或有機金屬陰離子 之l/x，x為2至4之數目或為其混合物； Rl ’ R2’ R” RARl5各自分別為。丨-(：24烷基，C3-C24 本紙張尺度iS用巾S S家標半規格d 297 —-----:」6 - » I I Λ» I I i— I I I ;I 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 585890 ^^_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 '申請專利範圍 環烧基’ cvc4烧基-[0_Cl_Cj烧基]m，Ci-C4烷基 -[NH-CVC4伸烷基]m，c2-c24烯基或C3_C24環烯基其各 自未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之R18 基團取代；或CVC!2芳基，c4_c12雜芳基或€7<12芳烷 基其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或 相異之Rl9基團取代；或 Ri及R2共同成對為CVC24伸烷基，c3-c24伸環烷 基’ C2_C24伸烯基，C3-C24伸環烯基或(：7-(：12伸芳烷基 其各自未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異 之R1 8基團取代； r3，r4，r5，r6，R9，Rl〇，Ru，Ri2，Ri3，Ri4 及Ri6各自分別為氫，R19，CVCu烷基，（：3-(：12環烷基， C：rC24烯基或CvC24環烯基其各自為未經取代或經以一 或多個視需要為相同或相異之r18基團取代；或C6-Ci2 芳基，C^-Cu雜芳基或C：rC12芳烷基其各自為未經取代 或經以一或多個視需要為相同或相異之ri9基團取代； 或 R3與FU及/或R5與，以及r9與r1g及/或Rll與Rl2於 各例中成對形成1，4-丁-1，3-二伸烯基其為未經取代或 經以一或多個視需要為相同或相異之ri9基團取代，結 果連同共通苯基形成萘基； 二、三或三以上中式⑴、（11)、（ΠΙ)或（IV)化合物 可藉直接鍵鍵結或於其個別取代基心及/或r2,心及/或 R4 ’ 或 R9及 /或 Rio 間的-NH-，-]SfR15-，-〇-，-CO-，-S-， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公;望） 57 ττ---r----裝：丨 l· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 585890 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 -S0-，-S02-’Ci_Ci2伸烧基或C3-C12伸環稀基橋基鍵結； —i—V----Μ.:— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Rl7為氫’ Ci_Ci2烧氧基’ C3_C12環烧氧基，Ci-Ci2 烧硫基或C3-C12環烧硫基，硝基，氰基，甲醯基，C1-C12 烷基，（：3-(：12環烷基，c2-c12烯基或c3-c12環烯基其各 自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之 氫、羥基、（^-(：12烷氧基或(：3-(：12環烷氧基取代；或 C6-C12芳基、C4-C12雜芳基或C7-C12芳烧基其各自為未 經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之R19基團 取代； Ri8為函原子，羥基，O-R20，〇-CO-R20，S-R2()， 胺基 ’ NH-R20 ’ NR20R21 ’ NR20-CO-R22，NR20COOR22， 亂基’甲酿基’ CO-R20 ’ COO-R20 ’叛基，胺基甲酿基， CONH-R20，CONR20R21，脲基，NR20-CO_NHR22，磷酸 基 ’ PR20R22，POR20OR22 ’ P( = 〇)〇R20〇R22，OPR20R22， OP R20OR22 ’ OP(=0)R2〇OR22 ’ OP(=0)OR2〇OR22， OPO3R20 ,硫酸基或磺基；或CrC。烷氧基或匸广〜環 烷氧基其各自經以齒原子一-或多取代； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 尺19為_原子，硝基，氰基，羥基，o-r23，o-co-r23， S_R23，曱醯基，ch=c(cn)2，CH=C(CN)CONH2， CH=C(CN)CONHR23 ， ch=c(cn)conr23r24 ， CH=C(CN)COOR23，CH=C(COOR23)COOR24，胺基， NHR23，NR23R24，conh2，CONHR23，CONR23R24， SC^CrCu烷基，so2nh2，S02NHR23，S02NR23R24， COOH，COR23，COOR23，NHCOR23，NR23COR25， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公发） 58 585890 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 NHCOOR23，NR23COOR25，腺基，NR23-C〇_NHR25 ,碟 酸基，PR23R25，P〇R23〇R25 , Pd〇R23〇R25，OPUh 〇PR23〇R25 5 〇P(=〇)R23〇R25 ^ 0P(=0)0R23 0 R25 , 〇P〇3R23，硫酸基或磺基；或Cl_Cl2烷基，c3_Ci2環烷 基，CVCu烧硫基，C^C!2環燒硫基，Cl_Cl2^氧基或 C3_Ci2環烷氧基其各自為未經取代或經以一或多個視 需要為相同或相異之r18基團取代；R2〇，R21及R22各自分別為Cl_Ci2烧基，C3-Ci2環烷 基，c2-c12稀基，c3-c12環烯基，C6-Cl2芳基，C4-Ci2 雜方基或C7_Ci2芳烧基；或 R2〇及R21連同共通氮形成TI比嘻。定，旅唆，派σ井或嗎 啉其各自為未經取代或經以烷基一-至四取代； R23 ’ R24及R25各自分別為Cl_Cl2烧基，C3_Ci2環烷 基，C^C!2烯基或環烯基其各自為未經取代或經 以一或多個視需要為相同或相異之鹵原子、羥基、 CVC!2烷氧基或CVC!2環烷氧基取代；或c6_Ci2芳基、 C4-Cu雜芳基或C^rCu芳烷基其各自為未經取代或經以 一或多個視需要為相同或相異之r26基團取代；或 R23及R24連同共通氮形成咄咯啶，哌啶，哌σ井或嗎 啉其各自為未經取代或經以CrC：4烷基一-至四取代； 卡巴唑，吩噚畊或吩三畊其各自為未經取代或經以一 多個視需要為相同或相異之R26基團取代；R26為Ris或為CVCu烷基，c3-c12環烷基，CVC 烷硫基，CVCi2環烧硫基，cVCl2烧氧基或c3_ci2環烷 或 或 12 ---4----------裝：-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公发） 59 585890 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六 A8 B8 C8 D8、申請專利範圍 氧基其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同 或相異之R18基團取代；以及 m為1至10之數目。 2〇· —種記錄或回放資料之方法，包含於如申請專利範圍第 1，2，3，4，5，6或19項之光學記錄媒體於350至500 亳微米波長記錄或回放資料。 21·—種包含下式（I)、（II)、（in)或（IV)之化合物，

   其中 A^A2各自分別為c^CVCs烷基）2，c(C4-C5伸烷 基），N(R15)，0，s，Se或未經取代或經Rl6取代之 CH=CH；、 t1? Q為 N，P , N-C = N 或 N-N=N , X為帶有一個負電荷之無機、有機或有機金屬陰離 子或為帶有X個負電荷之無機、有機或有機金屬陰離子 之1/x，X為2至4之數目或為其混合物； Ri ’ R2’ R7, r8&r15各自分別為Ci-C24烷基，C3_C24 %烷基，cvc4烷基-[〇-cvc4伸烷基]m , Cl_C4烷基 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS)A4規格（2Ι0.χ 297公发） 60 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 585890 §

   六、申請專利範圍 -[ΝΗ-CVC4伸烷基]m，C2_C24烯基或qT24環烯基其各 自未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之 基團取代；或cvc^2芳基，C4_Cl2雜芳基或C7_Ci2芳烷 基其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或 相異之R1Q基團取代；或 心及心共同成對為Cl_C24伸烷基，c3_c24伸環烷 基，CVC24伸烯基，CVC24伸環烯基或c7_Ci2伸芳烷基 其各自未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異 之Rl8基團取代； R3，R4，R5，R6，R9，Ri0，Rii，Ri2，Ri3，Ri4 及R16各自分別為氫，r19，Cl-Cl2烷基，C3_Ci2環烷基， C^C24烯基或CyC24環烯基其各自為未經取代或經以一 或多個視需要為相同或相異之Rl8基團取代；或C6_C12 芳基，C^-C!2雜芳基或C7_C12芳烷基其各自為未經取代 或經以一或多個視需要為相同或相異之R19基團取代； 或 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 R3與R4及/或Rs與R6，以及R#Rl()及/或Rii與Ri2於 各例中成對形成1，4-丁-1，3-二伸烯基其為未經取代或 經以一或多個視需要為相同或相異之ri9基團取代，結 果連同共通苯基形成萘基； 二、三或三以上中式⑴、（π)、（111)或〇V)化合物 可藉直接鍵鍵結或於其個別取代基心及/或!^，：^及/或 R4，或 R9及/或 R10間的-NH-，-NR15-，-〇-，-CO-，-S-， -SO-’ -S〇2-’（^(：12伸烷基或c3-c12伸環烯基橋基鍵結； 61 --J---V----1^-裝/--- C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210、297公发） 585890 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 R!7為氫，<^-(：12烷氧基，c3-c12環烷氧基，cvc12 烷硫基或(：3-(：12環烷硫基，硝基，氰基，甲醯基， 烷基，（：3-(：12環烷基，c2-c12烯基或c3-c12環烯基其各 自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之 氫、羥基、（^-(：12烷氧基或(：3-(：12環烷氧基取代；或 c6-c12芳基、（：4-(：12雜芳基或c7-c12芳烷基其各自為未 經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之R19基團 取代； Rl8為齒原子’經基 ’ O-R20 ’ O-CO-R20 ’ S-R20 ’ 胺基，NH-R20，NR20R21，NR20-CO-R22，NR20COOR22， 乳基’甲酿基’ CO-R20 ’ COO-R20 ’叛基，胺基甲酿基， CONH_R20，CONR20R21，脲基，nr20-co-nhr22，磷酸 基，PR20R22，POR20OR22，P( = 〇)〇R20〇R22，OPR20R22， OPR20OR22，〇P(=O)R20OR22，OP(=O)OR20OR22， 〇p〇3r20，硫酸基或續基；或^-^之烧氧基或cvc12m 烷氧基其各自經以鹵原子一-或多取代； Rl 9為_原子，硝基’亂基’經基’ O-R23 ’ 0-C0-R23 ’ s-r23，甲醯基，ch=c(cn)2，CH=C(CN)CONH2， CH=C(CN)CONHR23 ， ch=c(cn)conr23r24 ， CH=C(CN)COOR23，CH=C(COOR23)COOR24，胺基， NHR23，nr23r24，conh2，CONHR23，CONR23R24， SC^Ci-Cu烷基，so2nh2，S02NHR23，S02NR23R24， COOH，COR23，COOR23，NHCOR23，NR23COR25， NHCOOR23，NR23COOR25，脲基，NR23-CO_NHR25，磷 —---— - _-62 -_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） ---1--------I ^ ---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) . 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 585890 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 酸基，PR23R25，P0R23 0R25，P卜〇)〇R23〇R25，0PR2也5， OPR23OR25 j 〇P(=〇)R23〇R25 ^ 0P(=0)0R23 0 R25 , 〇p〇3r23，硫酸基或磺基；或^^以烷基，c3_Ci2環烷 基，CVCu烧硫基，CrCu環烧硫基，氧基或 C3-Cu環烧氧基其各自為未經取代或經以一或多個視 需要為相同或相異之Rls基團取代； R20，R2AR22各自分別為Cl_Cl2烧基，c3_Ci2環烧 基，C2_c12烯基，c3-c12環烯基，C6-Cl2芳基，c4_Cu 雜方基或C7-C12芳烧基；或 R2〇及Rn連同共通氮形成吡咯啶，哌啶，哌哜或嗎 啉其各自為未經取代或經以CrC：4烷基一-至四取代； R23 ’ R24及R25各自分別為Cl-Cl2烧基’ c3_Ci2環烧 基，C^-C!2烯基或環烯基其各自為未經取代或經 以一或多個視需要為相同或相異之鹵原子、羥基、 CVC】2烷氧基或CVC!2環烷氧基取代；或c0_Ci2芳基、 雜芳基或芳烷基其各自為未經取代或經以 一或多個視需要為相同或相異之R26基團取代；或 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 R23及R24連同共通氮形成吡咯啶，哌啶，哌哜或嗎 啉其各自為未經取代或經以Ci-C4烷基一-至四取代；或 卡巴唑，吩哼啡或吩三啩其各自為未經取代或經以一或 多個視需要為相同或相異之R26基團取代； 12 R26 為 RlS 或為 CVC12 烷基，（：3-(：12環烷基，Ci_c 烷硫基，CVCu環烷硫基，Cl_Cl2烷氧基或環烷 氧基其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同 —63 •--d---l·--— —I ·Ί I <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ‘紙尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2ΐ〇·χ 297公发 585890

   或相異之r18基團取代；以及 tn為1至1〇之數目，該化合物含有分支C3_C24烷基或 分支c3-c24烯基。 22· 一種包含下式（I)、（II)、（III)或（IV)之化合物，

   其中 III §Ί I I J· I I I I I ^^ ··— 丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A!及A2各自分別為C^Ci-Cs烧基）2，c(C4-C5伸燒 基），N(R15)，Ο，S，Se或未經取代或經r16取代之 CH=CH ；I17 Q為 N，P，N —C = N 或 N-N=N， X為帶有一個負電荷之有機或有機金屬陰離子或 為帶有X個負電荷之無機、有機或有機金屬陰離子之 1/x，X為2至4之數目或為其混合物； Ri，R2，R7，R8及R15各自分別為烷基，C3-C24 環烧基，C1-C4烧基-[O-CVC4伸院基]m，Ci-C*烧基 -[NH-C1-C4伸燒基]m ’ C2-C24婦基或C3-C24環稀基其各 自未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之Ri8 基團取代；或CVCu芳基，CV.Cu雜芳基或匸7-(：12芳燒 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 > 297公发） 64 · 585890 88859 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 基其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或 相異之r19基團取代；或 Ri及R2共同成對為CVC24伸烷基，C3_C24伸環烷 基，CVC24伸烯基，CVC：24伸環烯基或c7-c12#芳烷基 其各自未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異 之Ri8基團取代； R3，R4，R5，R6，r9，Rl〇，Rn，Rl2，Ri3，R" 及Rl6各自分別為氫，R19，烧基，（：3-(：12環烷基， C2_C24烯基或CyC24環烯基其各自為未經取代或經以一 或多個視需要為相同或相異之Rl8基團取代；或C6_C^ 芳基，C^C!2雜芳基或芳烷基其各自為未經取代 或經以一或多個視需要為相同或相異之R19基團取代； 或 R3與R4及/或R5與R6，以及R9與Rl〇及/或Rii與Ri2於 各例中成對形成1，4-丁 -1，3-二伸烯基其為未經取代或 經以一或多個視需要為相同或相異之r19基團取代，結 果連同共通苯基形成萘基； 二、三或三以上中式（I)、（II)、（111)或（IV)化合物 可藉直接鍵鍵結或於其個別取代基心及/或!^ ,心及/或 R4 ’ 或 R9及/或 Ri〇間的-NH- ’ -NR15-，-0-，-CO- , ， -so-’-s〇2· ’ eve”伸烷基或CVCu伸環烯基橋基鍵結； Ri7為氫 ’ 氧基，C3-C12環烧氧基， 烷硫基或環烷硫基，硝基，氰基，甲醢基，Ci_Ci2 烷基，CVC!2環烷基，CVC!2烯基或CVC12環烯基其各 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公发） 65 ----Ί---V----·裝·--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} ή^τ* -n t— n 585890 88855 ABCD 六、申請專利範圍 自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之 氫、羥基、<^-(：12烷氧基或<:3-<:12環烷氧基取代；或 c6-c12芳基、（：4-(：12雜芳基或c7-c12芳烷基其各自為未 經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之R19基團 取代； Rl8為齒原子’經基 ’ O-R20，O-CO-R20 ’ S-R20 ’ 胺基，NH-R20，NR20R21，NR20-CO-R22，NR20COOR22， 氰基，甲醯基，CO-R20, COO-R20,羧基，胺基甲醯基， CONH-R20，CONR20R21，脲基，NR20-CO-NHR22，磷酸 基 ’ PR20R22 ’ POR20OR22 ’ P( = 〇)〇R20〇R22 ’ 〇PR2〇R22， OPR20OR22，〇P(=O)R20〇R22，〇P(=〇)OR20〇R22， OPO3R20，硫酸基或磺基；或匕/^烷氧基或(^-(:12環 烷氧基其各自經以原子一-或多取代； Rl9為函原子，石肖基，氰基，經基，O-R23，0-CO-R23， s，r23，甲醯基，ch=c(cn)2，CH=C(CN)CONH2， CH=C(CN)CONHR23 ， ch=c(cn)conr23r24 ， CH=C(CN)COOR23，CH=C(COOR23)COOR24，胺基， NHR23，NR23R24，CONH2，CONHR23，CONR23R24， SO2Q-CU烷基，S02NH2，S02NHR23，S02NR23R24， COOH，COR23，COOR23，NHCOR23，NR23COR25， NHCOOR23，NR23COOR25，脲基，NR23_CO-NHR25，磷 酸基，pr23r25，por23or25，p(=〇)〇r23〇r25，〇pr23r25， OPR23OR25，0P(=0)R230R25，OP(=0)OR23〇R25， opo3r23，硫酸基或磺基；烷基，c3-c12環烷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公发） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·-· 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 585890 A8 B8 C8 _____D8 ' 1 1 11 1 .1 , 六、申請專利範圍 基，<^-(：12烷硫基，cvcl2環烷硫基，Ci-Cl2烷氧基或 Cs-Cu環烷氧基其各自為未經取代或經以一或多個視 需要為相同或相異之r18基團取代； R2〇，R21及R22各自分別為Cl_Cl2烷基，CVC12環燒 基，c2-c12婦基，C3-C12環烯基，c6-c12芳基，c4_Ci2 雜芳基或C7_C12芳烷基；或 R2〇及1121連同共通氮形成吡咯啶，哌啶，哌啡或嗎 琳其各自為未經取代或經以Cl-C4烷基一 •至四取代； R23，R24及R25各自分別為Cl-Cl2烷基，c3_Ci2環烷 基，C^C^2稀基或c^-Ci2環稀基其各自為未經取代或經 以一或多個視需要為相同或相異之鹵原子、羥基、 Ci-Cu烧氧基或Cs-Cu環烷氧基取代；或CVC12芳基、 C4-Cu雜芳基或c^-Cu芳烧基其各自為未經取代或經以 一或多個視需要為相同或相異之R26基團取代；或 R23及R24連同共通氮形成咄咯啶，哌啶，哌啡或嗎 啉其各自為未經取代或經以Cl_C4烷基一_至四取代；或 卡巴唑，吩uf啡或吩三啡其各自為未經取代或經以一或 多個視需要為相同或相異之R26基團取代； 尺26為Rl8或為Ci-Ci2烧基，C3-C12環烧基，CrCn 烷硫基，cvc!2環烷硫基，Cl_Cl2烷氧基或C3_Ci2環烷 氧基其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同 或相異之R18基團取代；以及 m為1至1〇之數目。 23.如申請專利範圍第21或22項之化合物，其中χ•為有機陰 Μ- r I ^ ..-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) JST· 經濟部智慧財產局員工消贄合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4 規格（210 x 297公发） 585890 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 離子 〇 24·如申請專利範圍第21或22項之化合物，其中χ-為有機金 屬陰離子。 25· 一種包含下式⑴、（11)、（m)或（IV)之化合物，

   A!&A2各自分別為c(Cl_c5烷基）2，c(C4-C5伸烷 基）’ N(R15) ’ 0 ’ s，以或未經取代或經Rm取代之 CH=CH ； ---4--------I ^ -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消貲合作社印製 Q為 N，P，N —C = N*N_N=N， χ-為帶有一個負電荷之無機、有機或有機金屬陰離 子或為帶有X個負電荷之無機、有機或有機金屬陰離子 之1/χ，χ為2至4之數目或為其混合物； Ri ’ R2’ R7, r8&r15各自分別為Ci-C24烧基，c3_C24 環烷基，CVC4烷基_[〇_Ci-c4伸烷基]m，Ci_c4烷基 -[NH-CVC4伸燒基]m，C2_c24婦基或C3_C24環婦基其各 自未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之R 基團取代；或（VC12芳基，c4_Ci2雜芳基或c7_Ci2芳烷 18 68 - 585890 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 基其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或 相異之Rlg基團取代；或 Ri及R2共同成對為Ci-C24伸烧基，c3-c24伸環烷 基，CVC24伸烯基，c3-c24伸環烯基或(：7-(：12伸芳烷基 其各自未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異 之Ri8基團取代； R3，R4，R5，R6，R9，Rl〇，Ru，Rl2，R 13 Ri 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 及Rl6各自分別為氫，R19，Ci-Cl2烷基，C3_Cl2環烷基， C^C：24烯基或C3_C24環烯基其各自為未經取代或經以一 或多個視需要為相同或相異之ri8基團取代；*C6-C12 芳基’ C^Ci2雜芳基或c7-c12芳烷基其各自為未經取代 或經以一或多個視需要為相同或相異之R19基團取代； 或 R3與R4及/或R#r6，以及心與^及/或Rn與Ri2於 各例中成對形成1，4- 丁 -i，3-二伸烯基其為未經取代或 經以一或多個視需要為相同或相異之Ri9基團取代，結 果連同共通苯基形成萘基； 二、三或三以上中式⑴、（II)、（m)或（IV)化合物 可藉直接鍵鍵結或於其個別取代基心及/或心，心及/或 R4，或R9及/或R1〇間的屮H_，_NRi5- , ，_c〇_，_s·， -so-’-scv’cvcyt烷基或C3-Cl2伸環烯基橋基鍵結； Ri7為氫，CVCu院氧基，c3-C12環烷氧基，Cl-Cl2 烷硫基或Cs-C!2環烷硫基，硝基，氰基，甲醯基，Ci_c^ 烷基，CVCu環烷基，C^-Ci2烯基或C3_Ci2環烯基其各 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公发）

   585890 A8 B8 C8 -----^___ 、申晴專利範圍 自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之 氫、羥基、匚广匚^烷氧基或(：3-(：12環烷氧基取代；或 C6_C12芳基、（：4-0：12雜芳基或c7-c12芳烷基其各自為未 經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之R19基團 取代； Ru為齒原子，羥基，〇-r20，0-C0-R2〇，S-R2〇， 胺基，NH-R20，NR20R21，NR20-CO-R22，NR20COOR22， 氰基，甲醯基，CO-R20，COO-R20，羧基，胺基甲醯基， CONH-R20，CONR20R21，脲基，NR20-CO_NHR22，磷酸 基，PR20R22，POR20OR22，P( = 〇)〇R20〇R22，OPR20R22， OPR20OR22 ’ OP( = O)R20〇R22 ’ OP( = 0)OR2〇〇R22 ’ 〇P〇3R20，硫酸基或磺基；或。广(：12烷氧基或。广。12環 烷氧基其各自經以鹵原子一-或多取代； Ri9為鹵原子，硝基，氰基，羥基，〇-R23,〇-CO-R23, s_r23，甲醯基，ch=c(cn)2，ch=c(cn)conh2， CH=C(CN)CONHR23 ， ch=c(cn)conr23r24 ， CH=C(CN)COOR23，CH=C(COOR23)COOR24，胺基， NHR23，NR23R24，CONH2，CONHR23，CONR23R24， S〇2Ci-Ci2^» 基 ’ SO2NH2 ’ SO2NHR23 ’ SO2NR23R24 ’ COOH，COR23，COOR23，NHCOR23，NR23COR25， NHCOOR23，NR23COOR25，脲基，NR23-CO-NHR25，磷 酸基，PR23R25，POR23OR25，P( = 〇)〇R23〇R25，OPR23R25， OPR23OR25 ’ 〇P( = 0)R23〇R25，OP( = 0)OR23〇R25 ’ 0P03R23，硫酸基或磺基；或(^-(：12烷基，c3-c12環烷 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 70 585890 A8 B8 C8

   六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 基’ CVCu烧硫基，C3-C12環烧硫基，氧基或 環烧氧基其各自為未經取代或經以一或多個視 需要為相同或相異之r18基團取代； r2〇 ’尺21及化22各自分別為Cl_Cl2烷基，c3_Cl2環烷 基，c2-c12烯基，CVC12環婦基，c6-c12芳基，c4-c12 雜芳基或(:7-(:12芳烷基；或 R2〇及Rn連同共通氮形成咄咯啶，哌啶，哌啩或嗎 啉其各自為未經取代或經以Ci-c^烷基一-至四取代； R23，R24及R25各自分別為CVCu烷基，C3-C12環烷 基，C^-Cu烯基或環烯基其各自為未經取代或經 以一或多個視需要為相同或相異之鹵原子、羥基、 Ci-Cu烷氧基或CVC!2環烷氧基取代；或〇6-(：12芳基、 CU-Ci2雜芳基或C^-Ci2芳烧基其各自為未經取代或經以 一或多個視需要為相同或相異之R26基團取代；或 R23及R24連同共通氮形成吼略。定，旅淀，π辰呀或嗎 啉其各自為未經取代或經以C^C：4烷基一-至四取代；或 卡巴唑，吩噚啩或吩三畊其各自為未經取代或經以一或 多個視需要為相同或相異之R26基團取代；R26為Ris或為Ci-Cu烷基，（：3-(：12環烷基，c, Γ 1 112 烧硫基’ C；3-Ci2環烧硫基’ Ci_C〗2烧氧基或C3_Ci2環燒 氧基其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同 或相異之R18基團取代；以及 m為1至10之數目，該化合物包含一種過渡金屬金 屬茂部分。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0·χ 297公发） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) d. J. 裝 · 21

   申％專利範圍 26.如申請專利範圍第25項之化合物，其中該過渡金屬金屬 茂部分為

   27· 一種包含下式（I)之化合物， R. R

   (I) 其中 ------^---丨 ^^7 ·.! (請先閱讀背面之注意事項再壤寫本頁) Α^Α2各自分別為c(Ci-c5烷基）2，C(C4_C5伸烷 基）’ N(R15)，0，s ,以或未經取代或經Ri6取代之 CH=CH； 、 个7 Q為 N，p，n —C = N 或 Ν·Ν=Ν， X_為帶有一個負電荷之無機、有機或有機金屬陰離 子或為帶有X個負電荷之無機、有機或有機金屬陰離子 之l/x，x為2至4之數目或為其混合物； Ri ’ R2’ R7, R8&Rl5各自分別為Ci_C24烷基，C3_CM 環烧基，（VQ院基.〇1{4伸烧基]m，Ci_C4烧基 -[NH-CA伸烧基]m，C2-C24烯基或環烯基其各 自未經取代或經以—或多個視需要為相同或相異之R18 基團取代；或c6-c12芳基，C4-Ci2雜芳基或c7-Ci2芳烷 72 *J^T· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 '申請專利範圍 基其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或 相異之R19基團取代；或 1及心共同成對為Cl_C24伸烷基，c3_C24伸環烷 基，Q-C24伸烯基，c^C：24伸環烯基或〇：7-(：12伸芳烷基 其各自未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異 之Rl8基團取代； R3 ’ R4 ’ R5 ’ R6 ’ R9，R1〇，Ru，Ri2，，R" 及心6各自分別為氫，R19，CrCl2烷基，C3_Ci2環烷基， C2-C24烯基或c^c：24環烯基其各自為未經取代或經以一 或多個視需要為相同或相異之尺1§基團取代；或C6-Ci2 芳基，CVCi2雜芳基或芳烧基其各自為未經取代 或經以一或多個視需要為相同或相異之Ri9基團取代； 或 R3與R4及/或Rs與R0，以及R9與^及/或Rii與Ri2於 各例中成對形成1，4-丁 -1，3-二伸烯基其為未經取代或 經以一或多個視需要為相同或相異之Ri9基團取代，結 果連同共通苯基形成萘基； 二、三或三以上中式⑴、（11)、（ΠΙ)或（IV)化合物 可藉直接鍵鍵結或於其個別取代基心及/或心，化及/或 R4 ’ 或 R9及/或1110 間的-NH-，-NR15-，-〇-，-CO-，, -so-’-scv，cvc!2伸烧基或cvc12伸環烯基橋基鍵結； Ri7為氫，氧基，c3-c12環烷氧基，Ci-Cu 烷硫基或Cs-Cu環烷硫基，硝基，氰基，甲醯基， 烷基，cvcu環烷基，cvc!2烯基或c3_Cl2環烯基其各 585890 8888 ABCD 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之 氫、羥基、<^-(：12烷氧基或(：3-(：12環烷氧基取代；或 c6-c12芳基、c4_c12雜芳基或c7-c12芳烷基其各自為未 經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之R19基團 取代； Rl8為鹵原子’經基 ’ O-R20 ’ O-CO-R20 ’ S-R20 ’ 胺基，NH-R2〇，NR2〇R21，NR2〇-CO-R22，NR2〇COOR22， 氰基，曱醯基，CO-R20，COO-R20，羧基，胺基甲醯基， CONH-R20，CONR20R21，脲基，NR20-CO-NHR22，磷酸 基，PR20R22，por20or22，p(=〇)〇r20〇r22，〇pr20r22， OPR20OR22，〇P(=O)R20〇R22，op(=o)or20or22， OPO3R20，硫酸基或磺基；或(^-(：12烷氧基或<^-(：12環 烧氧基其各自經以鹵原子一-或多取代； Ri9為鹵原子，硝基，氰基，羥基，0-R23，〇-CO-R23， S-R23，曱醯基，CH=C(CN)2，CH=C(CN)CONH2， ch=c(cn)conhr23 ， ch=c(cn)conr23r24 ， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 CH=C(CN)COOR23，CH=C(COOR23)COOR24，胺基， NHR23，NR23R24，CONH2，CONHR23，CONR23R24， SC^CrCu烷基，S02NH2，S02NHR23，S02NR23R24， COOH，COR23，COOR23，NHCOR23，NR23COR25， NHCOOR23，NR23COOR25，脲基，NR23-CO-NHR25，磷 酸基 ’ PR23R25 ’ POR23OR25，P( = 〇)〇R23〇R25，OPR23R25， OPR23OR25，op(=o)r23or25，op(=o)or23or25， 0P03R23，硫酸基或續基；或CVC12烷基，c3-c12環烷 ___ - 74 -_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS)A4規格（210、297公釐） 585890 C8 —_____D8 ___ 、申請專利範圍 基，Ci-Cu烧硫基，even環燒硫基，Cl_Ci2：)^氧基或 C3 烧氧基其各自為未經取代或經以一或多個視 需要為相同或相異之R18基團取代； R20 ’ ur22各自分別為烧基，c3-c12環烷 基 ’ C2-C12稀基，C3-C12環烯基，C6-Cl2芳基，C4-Ci2 雜芳基或C7-C12*烷基；或 R2〇及R：n連同共通氮形成咄咯啶，哌啶，哌啡或嗎 啉其各自為未經取代或經以CrC4烷基一-至四取代； R23 ’ r24及r25各自分別為cvc12烧基，c3-c12環烧 基，烯基或C^-C!2環稀基其各自為未經取代或經 以一或多個視需要為相同或相異之鹵原子、經基、 Ci-Cu烷氧基或cVCu環烷氧基取代；或c6_ci2芳基、 C^C!2雜芳基或Ct-Cu芳烷基其各自為未經取代或經以 一或多個視需要為相同或相異之R26基團取代；或 R23及R24連同共通氮形成α比略唆，派唆，旅併或嗎 林其各自為未經取代或經以C1-C4烧基一 ·至四取代；或 卡巴唑，吩哼啡或吩三啩其各自為未經取代或經以一或 多個視需要為相同或相異之R26基團取代； R26 為 Rl8 或為 Ci-C!2 烧》基 ’ C3-C12 環基，C 1 -C 烧硫基，Cs-Cu環烷硫基，（^-(^烷氧基或C3-Ci2環烧 氧基其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同 或相異之Ri8基團取代；以及 m為1至10之數目，但選自下列組群之化合物則否： 式（I)化合物其中Q為N，八〗及八2皆為S，心及&2為未 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 > 297公沒) ^二”75 ----- — --------------裝·--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ·- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制取 585890 A8 B8 C8 ___ D8申請專利範圍 經取代之線性(^-(：18烷基或帶有經羥基或磺基取代 之線性Ci-Cs烷基，以及R3及R5皆為H、鹵原子或OR23 或其鹽；以及 式（I)化合物其中Q為N或P，A2皆為N(R15)，Rj 及R2各自為C1-C12烧基或共同為C1-C3伸烧基，R3， R4，R5及116皆為氫及烷基。 種包含下式（III)之化合物， R9x^A, A 以 R1 28. Rx>=“x;⑽ 1〇 k X— J R12 R, N / r2 , i JIII I ^ .- I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中 Ai&A2各自分別為C(Cl_C5烷基）2，c(C4_c5伸烷 基），N(R15) , 〇 , S，Se或未經取代或經Rl6取代之 CH=CH； · 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Q為N，P，n-C = N或N-N=N， X為帶有一個負電荷之無機、有機或有機金屬陰離 子或為帶有\個負電荷之無機、有機或有機金屬陰離子 之1/x，X為2至4之數目或為其混合物； Ri ’ R2’ R7, r8&r15各自分別為Ci_C24烷基，C3_CM 環院基，Cl-C4烧基-[0_Cl_C4伸院基]m，Ci_c4院基 -[nh-Ci-ca烧基]m，c2_c24稀基或C3_C24環烯基其各 自未經取代或經以-或多個視需要為相同或相異之Ru 基團取代；或C6-Cl2芳基，c4-c-芳基或C7_Ci2芳烧 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公发 M5890 B8 C8 -----___ 六、申請專利範圍 基其各自為未經取代或經以一《多個才見需要為相同或 相異之9基團取代；或 -----裝-— 丨- (請先Mtt背面之注意事項再填寫本頁) Ri及R2共同成對為Ci_C24伸烷基，C3-C24伸環烷 基’ CrC24伸烯基，Cs_C24伸環烯基或c7_Ci2伸芳烷基 其各自未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異 之Ri8基團取代； R3 ’ R4 ’ R5，r6，R9，Rl〇，Rii , Ri2，Ri3 , Ri4 及R16各自分別為氫，R19，Ci_Ci2烷基，c3_ci2環烷基， C^C：24烯基或C^C：24環烯基其各自為未經取代或經以一 或多個視需要為相同或相異之Ri8基團取代；或C6_Ci2 芳基，雜芳基或C7_Cl2芳烷基其各自為未經取代 或經以一或多個視需要為相同或相異之R19基團取代； 或 R3與R4及/或R5與R0，以及R^Rl()及/或Ru與Ri2於 各例中成對形成1，4-丁-1,3-二伸烯基其為未經取代或 經以一或多個視需要為相同或相異之Ri9基團取代，結 果連同共通苯基形成萘基； «Γ , 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 二、三或三以上中式（I)、（II)、（ΙΠ)或（IV)化合物 可藉直接鍵鍵結或於其個別取代基心及/或R2，化及/或 R4，或 R9及/或 Ri〇間的-NH-，-NR15-，-〇-，-CO-，-S-， -SO-’ -S〇2_’ Ci-Cu伸烧基或C3_C12伸環烯基橋基鍵結； Ri7為氫，氧基，C3-C12環烧氧基，cvc12 烷硫基或0：3-(：12環烷硫基，硝基，氰基，甲醯基，crc12 烧基’ CVC!2環烧基，C2-C1:2稀基或c3-C12環稀基其各 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 > 297公s ) 77 585890 88895 ABCD 申请專利範圍 經 濟 部 智 慧 財 產 局 貝 工 消 t 合 作 社 印 製 自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之 氫、羥基、CkCu烷氧基或(：3-012環烷氧基取代；或 C6_C12芳基、（：4-(：12雜芳基或c7-c12芳烷基其各自為未 經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之R19基團 取代； Rl8為齒原子’經基 ’ O-R20 ’ O-CO-R20 ’ S-R20 ’ 胺基 ’ NH-R20 ’ NR20R21 ’ NR2〇-C〇-R22 ’ NR20COOR22 ’ 氰基，甲醯基，CO-R20, COO-R20,羧基，胺基甲醯基， CONH-R20，CONR20R21，脲基，NR2(rCO-NHR22，磷酸 基，PR20R22，POR20OR22，P(=〇)〇R20〇R22，OPR20R22， OPR20OR22 ’ OP( = O)R20〇R22，OP( = 0)OR2〇〇R22 ’ 〇P〇3R20，硫酸基或磺基；或(^_(：12烷氧基或(^-(：12環 烷氧基其各自經以鹵原子一 ·或多取代； Ri9為鹵原子，硝基，氰基，羥基，〇-R23，〇-CO-R23， s-r23，甲醯基，ch=c(cn)2，CH=C(CN)CONH2， CH=C(CN)CONHR23 ， ch=c(cn)conr23r24 ， CH=C(CN)COOR23，CH=C(COOR23)COOR24，胺基， NHR23，NR23R24，CONH2，CONHR23，CONR23R24， so2cvc12烷基，S02NH2，S02NHR23，S02NR23R24， COOH，COR23，COOR23，NHCOR23，NR23COR25， NHCOOR23，NR23COOR25，脲基，NR23-CO-NHR25，磷 酸基，PR23R25，POR23OR25，P( = 〇)〇R23〇R25，OPR23R25， OPR23OR25，op(=o)r23or25，op(=o)or23or25， 0P03R23，硫酸基或磺基；SCVCu烷基，c3-c12環烷 夜通用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公发 78 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂· 585890

   經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、申晴專利範圍 基’ <^-(：12烷硫基，C3-C12環烷硫基，（^-(：12烷氧基或 環烷氧基其各自為未經取代或經以一或多個視 需要為相同或相異之Rls基團取代； R20，R21及R22各自分別為Cl_Cl2烧基，c3_c12環烷 基 ’ c2-c12稀基，（：3-(：12環烯基，c6-C12芳基，c4-c12 雜芳基或C7-C12#烷基；或 R2〇及Rn連同共通氮形成咄咯啶，哌啶，哌啩或嗎 啉其各自為未經取代或經以烷基一-至四取代； R23，R24及R25各自分別為Cl_Cl2烧基，C3_Cl2環烷 基’ C2-Cu烯基或Cs-Cu環烯基其各自為未經取代或經 以一或多個視需要為相同或相異之鹵原子、羥基、 烷氧基或CVC^2環烷氧基取代；或c6_c12芳基、 雜芳基或c：7_Cl2芳烷基其各自為未經取代或經以 一或多個視需要為相同或相異之r26基團取代；或 R23及R24連同共通氮形成τι比咯啶，哌啶，哌讲或嗎 啉其各自為未經取代或經以Cl_C4烷基一_至四取代；或 卡巴唑，吩哼啩或吩三哜其各自為未經取代或經以一或 多個視需要為相同或相異之R26基團取代； R26為Rl8或為烧基，C3-C12環燒基， 烧硫基，CVCi2環院硫基，Cl_Cl2烧氧基或C3_Ci2環燒 氧基其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同 或相異之Rl8基團取代；以及 m為1至10之數目，但該化合物非為如下者，其中， Q為N，八〗及八2皆為S, Ri&r2皆為甲基，Ri〇及Ri2皆為 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇χ 297公;g ) -------------•-裝 ί 丨 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 585890 A8 B8 C8

   六、申請專利範圍 未經取代之苯基，以及R9及Rn皆為氫。 29·如申請專利範圍第27或28項之化合物，其係選自下列組 成的組群 式（I)化合物其中Ai&A2皆為S以及1^及112各自分別 為c3-c24環烧基、Cl_C4烷基-[(：1-(：4伸烷基]m、Cl_c4 烧基-[NH-CVC4伸烷基]m、c2-c24烯基、c3-c24環烯 基、c7-c12芳基或分支c3_c24烷基； 式⑴化合物其中AjA2皆為S及R3、R4、尺5及/或1^6 為C1-C12燒基； 式（I)化合物其中Al&A2皆為S且包含R18基團其為鹵 原子、O-R20、氰基、C〇-R20 或 COO-R2(^R19基團其 為S_R23或SOA-Cu烷基； 式⑴化合物其中人〗及人2皆為n(r15)以及r3、r4、r5 或R6為R19基團選自鹵原子、0-r23、〇_c〇-r23、 S-R23、胺基、NHR23及NR23R24組成的組群； 式（III)化合物其中八丨及八2皆為S以及Ri、心或心及!^ 為 c2-c24 烷基、c3-C24 環烷基、CVC4 烷基 _[〇-CVC4 伸烧基]m、C2_C24稀基或C3-C24環稀基；或1及&2共 同成對為C2-C24伸烧基；以及 式（III)化合物其中八丨及入2皆為S以及R9、R10、Ru及/ 或R12為氫、R19、CVCu烷基或c6-c12芳基其為未經 取代或經以一或多個視需要為相同或相異之R19基團 取代，以及R〗9為鹵原子、硝基、氰基、〇—r23或 S02C1-C12 烧基。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公发） --J--JF----·裝· 1 I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Μ 585890 AS B8 C8

   六、申請專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 30·如申請專利範圍第29項之化合物，其中Q為N。 31 ·如申睛專利範圍第21，22，25或26項之化合物，其具有 式(I)。 32.如申請專利範圍第31項之化合物，其中心及八2皆為 N(Ri5)以及R3、R4、尺5或尺6為尺19基團選自鹵原子、 〇-尺23、0-C0-R23、s_r23、胺基、NHR23及NR23R24組成 的組群，其中於該化合物Rl、R2及/或r15為Ci_C24烷基。 33·如申請專利範圍第31項之化合物，其中尺丨、R2及/或R15 為C1-C2烧基。 34. 如申請專利範圍第25、26、27或28項之化合物，其中 1為有機陰離子。 35. 如申請專利範圍第29項之化合物，其中χ-為有機陰離 子。 36·如申請專利範圍第30項之化合物，其中X·為有機陰離 子。 37·如申請專利範圍第25、26、27或28項之化合物，其中 t為有機金屬陰離子。 38·如申請專利範圍第29項之化合物，其中X-為有機金屬陰 離子。 39·如申請專利範圍第30項之化合物，其中Χ·為有機金屬陰 離子。 本紙張尺度適用中g國家標準（CNS)A4規格（21Q X 297公髮） 81 ---I · 11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •Hr _ ·