TW200304566A - Electro-optic device, the manufacturing method thereof, and electronic machine - Google Patents

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Description

200304566 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於光電裝置及其製造方法、電子機器，特 別是關於用於基板間的間隔以及電性導通的控制的較佳的 基板構造。 【先前技術】 圖1 3是顯示習知的液晶顯示裝置的一例。液晶面板 1 0 0係複數條資料線以及掃描線1 〇 ；[形成格子狀，並且像素 電極、由驅動此像素電極的薄膜電晶體（Thin Film Transistor，以下略記爲TFT)構成的開關元件等配置成矩 陣狀的元件基板102 ( TFT陣列基板），與配置有對向電 極103的對向基板104是具有預定的間隔配置而成。元件基 板102與對向基板104是使互相的電極形成面面對而藉由密 封材1〇5貼合。在被此密封材1〇5劃分的基板間的區域內封 入有液晶1 0 6，並且配置有間隔物（s p a c e r ) 1 〇 7，元件基 板1〇2與基板1〇4的間隔被保持於預定的大小。在元件基板 102的電極形成面上的液晶封入區域外形成有共通電極ι〇8 ’在此共通電極1 08配設有由銀漿構成的導通部〗09，據 此’使在元件基板102與對向基板104間的電性導通被取得 。而且，在元件基板1 02、對向基板1 04的外面側分別貼附 有偏光板1 1 0。 此外省略圖示’在由元件基板1 〇 2上的對向基板I 〇 4突 出的端子部分安裝有對各資料線供給資料訊號的資料線驅 (2) (2)200304566 動用IC，並且安裝有對各掃描線丨〇丨供給掃描訊號的掃描 線驅動用1C。 再者’此例的情形在元件基板1 02的底面側隔著矽橡 膠等的緩衝材1 1 2配設有背光單元1 1 1。此背光單元1 1丨是 由照射光的線狀的螢光管1 1 3，與反射由此螢光管1 1 3產生 的光導到導光板1 1 4的反射板1 1 5，使被導到導光板1 1 4的 光一樣地擴散到液晶面板1 〇 〇的擴散板1 1 6，與反射由導光 板1 1 4射出到與液晶面板1 0 0相反方向的光到液晶面板1 〇 〇 側的反射板1 1 5構成。 對於製造這種液晶顯示裝置，首先在元件基板102以 及對向基板104上使用微影（photolithography)等的技術 ，在各基板上形成必要的電極層以及驅動電路層後，散佈 在例如元件基板1 02的電極形成面保持兩片基板間的間隔 於一定用的間隔物107，另一方面，在對向基板104的電極 形成面藉由網版印刷等形成密封液晶用的密封材1 0 5。 其次，貼合元件基板1 〇 2與對向基板1 〇4，由密封材 1 〇 5的開口部將液晶1 06注入兩片基板間的間隙，進一步藉 由密封材1 0 5密封此開口部，藉由在兩面貼附偏光板完成 液晶面板1 0 0。 最後若對此液晶面板1 00安裝背光單元、各種驅動用 基板等，收納於外殼的話則完成液晶顯不裝置。 〔發明所欲解決之課題〕 取得上下基板間的電性導通用的導通部10 9是使導電 -6 - (3) 200304566 漿硬化而成者。此導電漿爲例如將銀粉 金屬粉或導線性的塡料（filler )等混; 導通部1 09的形成，使用例如分配器（ 下裝置，在元件基板1 〇 2的電極形成面 預定量的導電漿後，以加熱或光照射等 硬化的方法等被利用。 這種導通部1 09可廉價地製造但相 電漿時的位置精度與量的精度具有界限 由分配器的漿打點例如佔有〇.5mm X 0. 積，有不是很適合近年來的液晶裝置中 。再者，根據導電漿的滴下狀態以及其 形成的導通部1 09的基板的壓接密度或, 有其電阻値不一定的問題。而且，因導 故如此也有其電阻値經時地變化其耐大 題。 解決這種問題的方法，在樹脂粒子 的導電粒子或金屬粒子等直接分散於密 部的構成被提出。但是，在這種構成有 粒子的凝聚以及其分散性不僅導通部的 有因密封材與基板間的壓接密度也會使 度變化，欠缺可靠度的問題。 本發明的目的爲解決上述課題所進 爲提供具有可穩定地保持光電裝置中的 的基板間導通部的光電裝置及其製造方 等的導電性良好的 練於樹脂中。對於 dispenser)等的滴 上的預定位置滴下 的適宜手段使樹脂 反地有對於滴下導 的問題。而且，藉 5mm四方左右的面 的窄額緣化的問題 硬化條件等，對所 壓接面積會變化， 電發暴露於外氣， 氣腐蝕性不佳的問 表面使被覆金屬膜 封材中’當作導通 因導電粒子或金屬 電阻値會變化，也 導通部的電性傳導 行的創作，其目的 基板間的電性導通 法以及使用此光電 -7- (4) (4)200304566 裝置及其製造方法的電子機器。 【發明內容】 〔用以解決課題之手段〕 。 爲了達成上述目的’本發明的光電裝置是在互相對向 ▲ 的一對基板間挾持有光電材料而成，其特徵爲：在構成前 述一對基板的各基板的內面配設有導電部，並且在前述一 對基板之中的一方配設有由被導電層被覆的凸部構成的基 · 板間導通部，前述各基板的導電部彼此是透過前述基板間 導通部而電性連接。此處所謂的〔配設於各基板內面的導 電部〕是包含電極或配線者。 如果依照本發明的這種構成，藉由在其亭電率中可靠 度優良的導電層可確實地保持各基板的導電部間的電性導 通。而且，因可一定地保持導電層與基板的連接條件，故 可消除連接條件的變化造成的電阻値等的電性特性的誤差 ，可在基板間確實地保持穩定的電性導通。 φ 而且，本發明的光電裝置，是在互相對向的一對基板 ‘ 間挾持有光電材料而成，其特徵爲：在構成前述一對基板 * 的各基板的內面配設有導電部，並且在前述一對基板之中 的一方的基板配設有將前述一對基板間保持在預定間隔的 凸部’前述各基板的導電部彼此是透過在前述凸部被覆導 電層而成的基板間導通部而電性連接。 如果依照本發明的這種構成，不僅可確實且穩定地保 持各基板的導電部間的電性導通，也能藉由前述凸部的高 -8- (5) (5)200304566 度與導電層的膜厚的和保持基板間的間隔於預定的値。 即若將對凸部的高度加入導電層的膜厚的値預先調整 成成爲基板間距離的預定的値的話，因必然地成爲兩片基 板間的間隙（gap )，故可容易進行間隙的控制。即藉由 本發明中的基板間導通部兼任習知的間隔物的角色，也能 合理地進行兩片基板的間隙控制。 前述基板間導通部的凸部是由構成前述一方的基板的 一層或複數層的膜材料構成較佳。 如果依照此構成，在基板形成凸部時無須特別準備與 基板不同的構件，不會使製造成本增大。而且，因可由構 成兀件基板或對向基板的膜材料形成凸部，故可以通常的 製程條件的若干變更使形成爲可能。 則述凸部由例如像丙；(：希基膜、聚驢亞胺（P 〇 1 y i m i d e )膜的樹脂材料構成較佳。若以這些具有感光性的熱硬化 型樹脂構成凸部的話，利用微影技術等在基板上可容易地 以所希望膜厚形成所希望形狀的凸部。 前述基板間導通部的導電層是由金屬膜構成較佳。如 果藉由金屬膜，可得到更穩定的導電性可使基板間的電性 特性穩定。而且，金屬膜可藉由種種的製膜技術以簡單且 廉價地以預定的膜厚在凸部表面被覆，據此，可謀求光電 裝置的低成本化。 而且’基板間導通部的導電層是由透明導電膜構成較 佳。再者，藉由凸部也一起作爲透明構件，即使此構成的 基板間導通部形成於光電裝置的任何區域也不會使光電裝 -9 - (6) (6)200304566 置的光透過率降低。而且，如果依照這種構成，在基板形 成透明電極時也能合倂形成基板間導通部的導電層，可謀 求製程的簡略化。 前述光電材料可使用液晶。 · 藉由此構成可實現各基板間的電性導通被穩定地保持 β ，且胞間隙確實地被控制的液晶顯示裝置。 令基板間導通部僅配設於各基板中的畫像顯示區域外 的周邊部也可以。 Φ 如果依照此構成，因畫像顯示區域內即畫像區域的構 成與習知完全無不同，故如習知可確保像素圖案設計的自 由度，而且可保持基板間的確實的電性導通。 而且，也能配設前述基板間導通部於密封液晶的密封 部的內部。 藉由以此構成，可更強固地使基板間導通部密著於基 板，不僅可保持更穩定的電性導通，其機械的強度也能提 高。而且，基板間導通部成爲被密封部保護的構造，不會 ® 與外氣接觸，可降低導電層的氧化等造成電阻値的變化等 ’可作爲耐大氣腐蝕性良好的光電裝置。再者，如果依照 ％ 此構成’無須在光電裝置的晝像顯示區域外設定導通部形 成空間，也能謀求光電裝置的窄額緣化。 如果依照此構成，因前述基板間導通部扮演密封材內 部的間隔物的角色，故可無須習知混入密封材內部或光電 材料內的間隔物，據此，製程的簡略化也可能。 本發明的光電裝置的製造方法，其特徵爲在互相對向 -10- (7) (7)200304566 的一對基板間挾持有光電材料而成，其特徵包含：在前述 一對基板之中的一方的基板配設凸部的製程；以及在此凸 部形成導電層以形成基板間導通部的製程。 如果依照此方法，在預定位置形成凸部後，因可在此 · 凸部的表面確實地形成電性傳導率不因形成條件而變化的 _ 導電層，故可以正確的電性特性形成在所希望的位置經常 具有一定的電性傳導率的基板間導通部。 而且，如果依照此方法，可消除使導電漿滴下以及硬 0 化的製程，可僅藉由製膜技術進行所有的製程，也能謀求 由於製程與製造機械的簡略化造成的製造成本的降低。 本發明的光電裝置的製造方法，其特徵爲在前述基板 的成形時一體成形前述基板間導通部的凸部。 如果依照此方法，無須重新設置形成前述基板間導通 部的凸部的製程。 本發明的光電裝置的製造方法，其特徵爲藉由微影形 成前述基板間導通部的凸部。 Φ 如果依照此方法，凸部不僅可容易地在基板上以所希 望膜厚形成所希望形狀的凸部，例如藉由在基板形成其他 的元件等時的若干的製程變更，可容易地形成前述基板間 導通部。 本發明的電子機器，其特徵爲具備上述本發明的光電 裝置。 如果依照本發明，藉由具備上述本發明的光電裝置， 可實現具備顯示品味高的顯示部的電子機器。 -11 - (8) (8)200304566 【實施方式】 〔第—實施形態的液晶裝置的構成〕 以下參照圖1至圖7說明本發明的第一實施形態。 圖1是構成本實施形態的液晶裝置的畫像顯示區域的 複數個像素中的各種元件、配線等的等價電路。圖2是形 成有資料線、掃描線、像素電極等的T F T陣列基板中的接 鄰的複數個像素群的俯視圖。圖3爲形成有彩色濾光片（ color filter )的對向基板的俯視圖。圖4是沿著圖2以及圖 3的A-A’線的剖面圖。圖5是說明TFT陣列基板的製程用的 製程剖面圖。圖6是顯示液晶裝置的全體構成的俯視圖。 此外，在以上的圖面中，因令各層或各構件爲在圖面 上可認識的程度的大小，故每一各層或各構件適宜地使平 面尺寸或膜厚等的縮尺不同。 〔液晶裝置主要部位的構成〕 如圖1所示在本實施形態的液晶裝置中，構成畫像顯 示區域的形成矩陣狀的複數個像素係像素電極〗與控制該 像素電極1用的TFT2形成矩陣狀複數個，供給晝像訊號的 資料線3電性連接於該TFT2的源極區域。寫入資料線3的 晝像訊號S 1、S2…S η依照此順序線依次地供給也無妨，且 用以對相接鄰的複數條資料線3彼此每一群供給也可以。 而且，掃描線4電性連接於TFT2的閘電極（gate electrode )，以預定的時序（timing )對掃描線4脈衝地依照此順 -12- (9) (9)200304566 序線依次地施加掃描訊號G1、G2…Gm而構成。像素電極1 電性連接於TFT2的汲極區域，藉由僅一定期間接通（〇n )開關元件的TFT2，以預定的時序寫入由資料線3供給的 畫像訊號SI、S2...Sn。 經由像素電極1寫入到液晶的預定位準的畫像訊號S 1 、S2…Sn在形成於對向基板（後述）的對向電極（後述） 之間被保持一定期間。此處，爲了防止所保持的畫像訊號 的遺漏，與形成於像素電極1與對向電極之間的液晶電容 並聯地附加儲存電容部5。符號6爲構成儲存電容部5的上 部電極的電容線。 如圖2所示，在構成液晶裝置的一方的基板的TFT陣 列基板7上複數個像素電極〗（以虛線表示輪廓）係配置成 矩陣狀’沿著延伸於像素電極1的紙面縱方向的邊配設有 胃料·線3 (以兩點鏈線表示輪廓），沿著延伸於紙面橫方 @的邊配設有掃描線4以及電容線6 (都以實線表示輪廓） °前述液晶裝置爲透過型液晶裝置的情形，前述像素電極 1是由銦錫氧化物（lndiurn Tin Oxide，以下略記爲ITO) 等的透明導電膜形成。而且，前述液晶裝置爲反射型液晶 裝置的情形，前述像素電極1是由鋁（A1 )等的金屬薄膜 形成。而且’前述液晶裝置爲半透過反射型液晶裝置的情 ^ ’前述像素電極1是由例如透明導電膜與金屬薄膜的疊 層膜形成。在本實施形態中，由多晶矽（Poly silicon )膜 構成的半導體層8 (以一點鏈線表示輪廓）在資料線3與掃 描線4的交叉點附近形成U字形，該u字形部8a的一端係長 -13- (10) (10)200304566 長地延伸於接鄰的資料線3的方向（紙面右方向）以及沿 著該資料線3的方向（紙面上方向）。在半導體層8κυ字 形部8a的兩端形成有接觸孔9、1〇，一方的接觸孔9成爲電 性連接資料線3與半導體層8的源極區域的源極接觸孔，他 方的接觸孔1 0成爲電性連接汲電極11 (以兩點鏈線表示輪 廓）與半導體層8的汲極區域的汲極接觸孔。在與配設有 汲電極1 1上的汲極接觸孔1 0側相反側的端部形成有電性連 接汲電極1 1與像素電極1用的像素接觸孔1 2。 本實施形態中的TFT2因半導體層8的U字形部8a與掃 描線4交叉，半導體層8與掃描線4交叉兩次，故構成在一 個半導體層上具有兩個閘極的TFT，即所謂的雙閘極型 T F T。而且，電容線6沿著掃描線4以貫穿在紙面橫方向排 列的像素而延伸，並且分歧的一部分6 a沿著資料線3延伸 於紙面縱方向。因此，都藉由沿著資料線3長長地延伸的 半導體層8與電容線6形成有儲存電容部5。 另一方面，如圖3所示在對向基板1 5上，分別對應構 成彩色濾光片的R (紅）、G (綠）、B (藍）的三原色的 色材層22係對應TFT陣列基板7的各像素區域而配設，配 設有遮住這些色材層2 2的邊界部分成格子狀的第一遮光膜 2 1 (黑矩陣（black matrix ))。 本實施形態的液晶裝置如圖4所示具有一對透明基板 1 3、1 4，具備構成其一方的基板的T F T陣列基板7，與和 此TFT陣列基板7對向配置的構成他方的基板的對向基板 1 5，在這些基板7、1 5間挾持有液晶1 6 °透明基板1 3、1 4 -14- (11) (11)200304566 例如由玻璃基板或石英基板構成。 如圖4所示在TFT陣列基板7上配設有底層絕緣膜17， 在底層絕緣膜I7上配設有由例如膜厚30〜10 〇nm左右的多 晶矽膜構成的半導體層8，以覆蓋此半導體層8的方式全面 地形成有構成膜厚30〜1 5 〇nm左右的閘絕緣膜的絕緣薄膜 1 8。在底層絕緣膜1 7上配設有開關控制各像素電極i的 TFT2，TFT2具備由鉬或A1等的金屬構成的掃描線4，與藉 由來自該掃描線4的電場形成有通道（channel)的半導體 層8的通道區域8 c，與構成絕緣掃描線4與半導體層8的閘 絕緣膜的絕緣薄膜1 8，與由鋁等的金屬構成的資料線3 ( 在圖4未圖示），與半導體層8的源極區域8b以及汲極區域 8d ° 而且，形成有在掃描線4上、包含絕緣薄膜1 8上的 TFT陣列基板7上分別形成有通過源極區域8b的源極接觸 孔9、通過汲極區域8 d的汲極接觸孔1 0 (在圖4都未圖示） 的第一層間絕緣膜（interlayer dielectric film) 19。即資 料線3經由貫通第一層間絕緣膜1 9的源極接觸孔9電性連接 於半導體層8的源極區域8b。 再者，在第一層間絕緣膜1 9上形成有由與資料線3同 一層的金屬構成的汲電極1 1，形成有形成通過汲電極1 1的 像素接觸孔1 2 (在圖4未圖示）的第二層間絕緣膜2 0。即 像素電極1經由汲電極1 1與半導體層8的汲極區域8 d電性連 接。 在圖4中的TFT2的側方形成有儲存電容部5。在此部 •15- (12) (12)200304566 分於透明基板1 3上配設有底層絕緣膜1 7，在底層絕緣膜J 7 上配設有摻雜（doped)有與TFT2的半導體層8—體的雜 質的半導體層8，以覆蓋此半導體層8的方式全面地形成有 絕緣薄膜1 8。在絕緣薄膜1 8上形成有由與掃描線4同一層 的金屬構成的電容線6，以覆蓋電容線6的方式全面地形成 有第一層間絕緣膜1 9。 而且，第二層間絕緣膜2 0是作爲平坦化膜使用，例如 平坦性高的樹脂膜的一種的丙烯基膜厚厚地形成膜厚2 // m左右。在此第二層間絕緣膜20的表面形成有像素電極1 ，再者在與TFT陣列基板7的最上層的液晶1 6接觸的面配 設有由聚醯亞胺等構成的配向膜25。 另一方面，對向基板1 5側在透明基板1 4上形成有例如 鉻等的金屬膜、由樹脂黑光阻（black resist )等構成的第 一遮光膜21，在第一遮光膜21上形成有色材層22。而且， 在基板全面依次形成有由與像素電極1同樣的IT0等的透明 導電膜構成的對向電極24、配向膜26。 〔液晶裝置的製程〕 其次，使用圖5說明上述構成的液晶裝置的製程。 圖5是顯示TFT陣列基板7的製程的製程剖面圖。 首先如圖5的製程（1 )所示，在玻璃基板等的透明基 板1 3上形成底層絕緣膜1 7，在其上疊層非晶矽（ amorphous )的矽層。然後，對非晶矽矽層藉由實施例如 雷射回火（1 a s e r a η n e a 1 )處理等的加熱處理，使非晶矽 •16- (13) (13)200304566 矽層再結晶，形成例如膜厚3 0〜1 OOnm左右的結晶性的多 晶矽層2 3。 其次，如圖5的製程（2 )所示，形成所形成的多晶矽 層23的圖案以成爲上述半導體層8的圖案，於其上形成例 如膜厚30〜1 5 Onm左右的成爲閘絕緣膜的絕緣薄膜1 8。 然後，以聚醯亞胺等的光阻遮住顯示區域之中TFT2 與儲存電容部5的連接部以及應成爲儲存電容部5的下部電 極的區域以外的區域後，隔著絕緣薄膜對多晶矽層摻雜（ doping )例如當作施體（donor)的PH3/H2離子。此時的 離子植入條件例如31P的離子劑量爲3xl014〜5xl014ionS/cm2 左右’加速能量需要80keV左右。 其次，在剝離上述光阻後如圖5的製程（3 )所示，在 絕緣薄膜1 8上形成掃描線4以及電容線6。此掃描線4等的 形成是藉由在濺鍍（sputter)或真空蒸鍍鉅或A1等的金屬 後，形成該掃描線4等的光阻圖案（resist pattern )，進 行以光阻圖案爲罩幕（mask )的蝕刻，剝離光阻圖案而進 行。而且，在該掃描線4以及電容線6的形成後，形成覆蓋 儲存電容部5的光阻圖案後，植入PH3/H2離子。此時的離 子植入條件例如31 P的離子劑量爲5 X 1 0 1 4〜7 X 1 0 1 4 i ο n s / c m2左 右，加速能量爲80keV左右。藉由以上的製程（3 )以形成 有TFT2的源極區域8b以及汲極區域8d。 其次，在剝離光阻圖案後如圖5的製程（4 )所示，疊 層第一層間絕緣膜1 9，然後使成爲源極接觸孔9以及汲極 接觸孔1 〇 (在圖5都未圖示）的位置開口，然後濺鍍或蒸 -17- (14) (14)200304566 鍍鋁等的金屬，形成構成資料線3以及汲電極1 1的形狀的 光阻圖案，藉由以此光阻圖案爲罩幕進行蝕刻，形成資料 線3 (未圖示）以及汲電極1 1。然後，疊層第二層間絕緣 膜2 0，使成爲像素接觸孔1 2的位置開口。 然後如圖5的製程（5 )所示，在其上形成膜厚約 50〜200nm左右的ITO等的透明導電性薄膜後，形成此透明 導電性薄膜的圖案以形成像素電極1，最後全面地形成配 向膜25。藉由以上的製程完成本實施形態的TFT陣列基板 7。以上的說明雖然依照透過型液晶裝置的情形的製程來 說明，但反射型液晶裝置的情形前述像素電極1是藉由鋁 (A1 )等的金屬薄膜形成，半透過反射型液晶裝置的情形 前述像素電極1是藉由透明導電膜與金屬薄膜的疊層膜而 形成。 另一方面，針對圖4所示的對向基板1 5省略製程圖的 舉例說明，惟玻璃基板等的透明基板1 4先準備，在濺鍍例 如金屬鉻後經由微影製程、蝕刻製程形成第一遮光膜2 1以 及後述的作爲額緣的第二遮光膜29 (參照圖6 )。此外， 這些遮光膜21、29除了 Cr (鉻）、Ni (鎳）、A1 (鋁）等 的金屬材料外，由將碳或Ti分散於光阻的樹脂黑（resin black )等的材料形成也可以。 其次，在使用染色法、顏料分散法、印刷法等周知的 方法形成成爲彩色濾光片的色材層22後，在對向基板1 5的 全面藉由濺鍍等沉積ITO等的透明導電性薄膜約50〜2 OOnm 的厚度形成對向電極24。 -18- (15) (15)200304566 再者，使用旋塗機（spin coater)等厚厚地塗佈膜厚 3 μιη左右的丙烯基樹脂、聚醯亞胺樹脂等的有機樹脂材米斗 後，藉由形成此樹脂材料的圖案以形成凸部50。接著，# 凸部50表面被覆導電層51 (參照後述的圖6以及圖7)當j乍 基板間導通部3 4後，在對向電極2 4的全面形成配向膜2 6。 這種凸部5 0因藉由對對向基板1 5上的丙烯基樹脂等的有機 材料的塗佈而形成，故僅藉由若干變更通常的製程就能$
分地形成。 H 此外，凸部5 0在透明基板1 4的成形時一體成形也可以 ’據此，可謀求製程的簡略化。而且，對於由氧化矽膜或 氮化矽膜等的無機材料構成凸部50的情形，藉由利用在半 導體製程一般使用的製膜技術等，可容易且正確地以所希 望形狀製造所希望膜厚。再者，依照需要此凸部5 0疊層複 數個膜材料而構成也可以。 基板間導通部3 4是保持TFT陣列基板7與對向基板1 5 之間的電性導通，藉由使其接觸於配設於TFT陣列基板7 · 的共通電極60 (參照圖6以及圖7 )，電性連接對向電極24 與共通電極6〇。令共通電極60依照輸入訊號對對向電極24 ^ 不延遲且在對向基板1 5的任何部分中都爲均勻而能施加電 壓’在TFT陣列基板7上至少配設一個位置以上，各共通 電@ 60間是藉由共通配線61連接。基板間導通部34的導通 @ 5 1的構成材料若爲具有導電性者的話並無特別限定，除 了銀、銅、鎳、鋁等的金屬外，由 IT0等的透明導電性 膜構成也可以。這種導電層5 ；[可藉由真空蒸鍍法等的各種 -19 - (16) (16)200304566 製膜技術在凸部5 0表面容易地形成。此外，此時在形成導 電層5 1的凸部5 0以外的基板表面部分塗佈感光性樹脂材料 等’進行遮蔽（masking )，在導電層51的形成後除去罩 幕材的話佳。 藉由相等地設定凸部50的高度a與導電層51的膜厚b與 共通電極60的厚度c的合計a + b + c，換言之距基板間導通部 3 4的基板的高度與共通電極60的厚度的合計値爲液晶裝置 的基板間距離，使此基板間導通部34具有保持胞間隙（ cell gap )於一定的功能，可當作間隔物而利用。例如對 於胞間隙爲3.2 μπι，共通電極的厚度爲0.2 μιη，凸部的高 度爲3 μπι的情形，若令導電層的膜厚爲0.2 μιη的話佳。 而且，基板間導通部3 4的配設個數並非特別限定，若 考慮更均勻迅速的響應的話，在晝像顯示部的各個角落部 分分別配設一個以上較佳。 最後，使如上述形成有各層的TFT陣列基板7與對向 基板1 5面對配置，藉由密封材貼合製作空面板。其次，若 將液晶1 6封入空面板內的話，本實施形態的液晶裝置被製 作出。 〔液晶裝置的全體構成〕 其次，針對液晶裝置40的全體構成使用圖6來說明。 在圖6中於TF T陣列基板7之上密封材2 8沿著其緣配設 ，並行於其內側配設有作爲額緣的第二遮光膜29 °在密封 材2 8的外側區域，資料線驅動電路3 0以及外部電路連接端 -20· (17) (17)200304566 子3 1係沿著TFT陣列基板7的一邊配設，掃描線驅動電路 3 2係沿著接鄰與此一邊的兩邊而配設。若供給掃描線4的 掃描訊號延遲不成爲問題的話，當然掃描線驅動電路3 2僅 爲早側也可以。而且’沿者畫像顯不區域的邊排列資料線 驅動電路3 0於兩側也可以。例如令奇數列的資料線3由沿 著晝像顯示區域的一方的邊配設的資料線驅動電路供給畫 像訊號，偶數列的資料線3由沿著前述畫像顯示區域的相 反側的邊配設的資料線驅動電路供給晝像訊號也可以。如 此，驅動資料線3成梳子狀的話，因可擴張資料線驅動電 路的佔有面積，故可構成複雜的電路。再者，在T F T陣列 基板7的剩餘的一邊配設有用以連接配設於畫像顯示區域 兩側的掃描線驅動電路3 2間的複數條配線3 3。而且，具有 與密封材28大致相同輪廓的對向基板15藉由該密封材28固 著於TFT陣列基板7。 而且，在TFT陣列基板7的角落部的至少一個位置配 設有用以對對向基板1 5的對向電極24的電壓施加爲可能的 共通電極60。隔著液晶16在與形成有此共通電極60的位置 相對的對向基板1 5上形成有取在各基板間的電性導通用的 基板間導通部34，與各共通電極60連接。各共通電極60間 在圖6中藉由以虛線以及實線表示的共通配線6 1互相連接 ’並且連接於共通端子62，依照來自共通端子62的輸入使 對對向電極24的無延遲的均勻的電壓施加爲可能。此外， 在只要對對向電極24的延遲以及均勻的電壓施加爲可能中 ’當然也能增減共通電極60的配設個數。 -21 - (18) (18)200304566 以圖6所示的液晶裝置的一點鏈線B-B 5切開時的剖面 的槪略顯示於圖7，針對基板間導通部3 4更詳細地說明。 圖7是槪略地顯示TFT陣列基板7與對向基板15的連接狀態 ，針對與前述圖1至圖6中詳細地說明的TF T等的開關元件 · 以及配向膜等的基板間的連接無直接關係的構成係略記。 _ 在圖7中TF T陣列基板7與對向基板1 5是被密封液晶1 6的密 封材28固著，在基板間導通部34保持電性導通。基板間導 通部34是用以與配設於TFT陣列基板7上的共通電極60接 春 觸而配設於對向基板1 5上，凸部5 0的高度a與導電層5 1的 膜厚b與共通電極60的膜厚c的合計値成爲液晶裝置的胞間 隙。即基板間導通部3 4成爲具有當作間隔物的功能。 如果依照這種構成的基板間導通部3 4，與由習知的導 電漿構成的導通部比較，可使其形成區域的空間更小，使 窄額緣化爲可能。而且，因導電層5 1爲由均勻的膜材料構 成，在哪一部分中其導電率也不變化，故可以預定的電阻 値保持基板間的電性導通。而且，藉由配設複數個導電率 ® 一定的基板間導通部，使對對向基板1 5的無延遲的均勻的 電壓施加爲可能，使更鮮明的晝像顯示爲可能。 · 〔第二實施形態的液晶裝置的構成〕 以下，參照圖8以及圖9說明本發明的第二實施形態。 圖9爲以圖8所示的液晶裝置的一點鏈線C-C 5切開時的剖面 圖。 本實施形態的液晶裝置與第一實施形態的不同點爲收 -22 - (19) (19)200304566 納基板間導通部34於密封液晶16於基板間的密封材28的內 部之處。 藉由這種構成，可提高基板間導通部34與共通電極60 的壓接度，不僅增加其機械的強度也能降低因壓接狀態的 變化造成基板間導通部3 4的電阻値的變化。據此，在基板 間可保持可靠度更高的電性導通。 而且如果依照此構成，無導電層5 1直接暴露於外氣， 可防止因氧化等造成的導電層5 1的電阻値的上升等，可作 爲耐大氣腐蝕性良好的液晶裝置。 再者如果依照此構成，基板間導通部3 4變成收納於密 封材2 8的配設空間內，也能謀求更進一步的窄額緣化。特 別是對於以基板間導通部3 4作爲保持胞間隙用的間隔物的 功能的情形，此效果變的顯著。 〔電子機器〕 以下，針對具備本發明的液晶裝置的電子機器的具體 例來說明。 圖1 〇是顯示行動電話的一例的斜視圖。 在圖10中符號1 000是顯示行動電話本體，符號1〇〇1是 顯示使用上述液晶裝置的液晶顯示部。 圖1 1是顯示手錶型電子機器的一例的斜視圖。 在圖11中符號1100是顯示手錶本體，符號11〇1是顯示 使用上述液晶裝置的液晶顯示部。 圖1 2是顯示文字處理機、個人電腦等的攜帶型資訊處 -23- (20) (20)200304566 理裝置的一例的斜視圖。 在圖12中符號1 200是資訊處理裝置，符號1 202是鍵盤 等的輸入部，符號12〇4是資訊處理裝置本體，符號1 206是 顯示使用上述液晶裝置的液晶顯示部。 由圖1 0到圖1 2所顯示的電子機器因具備使用上述液晶 裝置的液晶顯示部，故可實現顯示品味高的電子機器。 此外，本發明的技術範圍並非限定於上述實施形態， 在不脫離本發明的旨趣的範圍中可追加種種的變更。例如 在上述第一以及第二實施形態雖然僅以膜厚厚的一層膜構 成凸部5 0，惟以兩層以上的疊層膜構成也可以。而且，在 上述實施形態雖然顯示以丙烯基膜、聚醯亞胺膜等的有機 材料膜形成凸部5 0的例子，惟取代這些材料使用氧化矽膜 、氮化矽膜等的無機材料膜也可以。再者，關於凸部5 〇的 形狀或形成位置除了在上述實施形態所舉例說明者外，也 能適宜地進行設計變更。 在上述實施形態雖然舉例說明令T F T爲開關元件的主 動矩陣方式的液晶裝置，惟其他也能適用令薄膜二極體（ TFD )爲開關元件的主動矩陣方式的液晶裝置或被動矩陣 方式的液晶裝置。再者，也能使用本發明於電激發光（ electroluminescence)、電漿顯示器等其他的光電裝置。 〔發明效果〕 如以上所詳細說明的如果依照本發明，因以導電層被 覆配設於一方的基板的凸部作爲基板間導通部，故不僅在 -24 - (21) (21)200304566 基板間可保持穩定的電性導通，也能減小基板間導通部在 光電裝置內所佔的空間，使窄額緣化爲可能。 而且，若預先設定凸部的高度與導電層的膜厚於預定 的大小，也能同時進行胞間隙的控制，可當作間隔物的功 能，使更進一步的窄額緣化爲可能。 再者，若將本發明的基板間導通部收納於密封液晶的 密封材內部，除了更進一步的窄額緣化爲可能外，不僅基 板間導通部的機械的強度提高，導電層也不暴露於外氣， 可在基板間保持更穩定的電性導通，可作爲耐大氣腐蝕性 良好的光電裝置。 【圖式簡單說明】 圖1是構成本發明的第一實施形態的液晶裝置的晝像 顯示區域的複數個像素中的各種元件、配線等的等價電路 〇 圖2是同液晶裝置的TFT陣列基板中的接鄰的複數個 像素群的俯視圖。 圖3是同液晶裝置的對向基板的俯視圖。 圖4是沿著圖2以及圖3的A- A ’線的剖面圖。 圖5是說明同液晶裝置的TFT陣列基板的製程用的製 程剖面圖。 圖6是顯示同液晶裝置的全體構成的俯視圖。 圖7是沿著圖6的B-B’線的剖面圖。 圖8是顯示本發明的第二實施形態的液晶裝置的全體 -25- (22) (22)200304566 構成的俯視圖。 圖9是沿著圖8的C-C5線的剖面圖。 圖1 〇是顯示使用本發明的液晶裝置的電子機器的一例 的斜視圖。 · 圖11是顯示使用本發明的液晶裝置的電子機器的其他 . 例的斜視圖。 圖1 2是顯示使用本發明的液晶裝置的電子機器的再其 他例的斜視圖。 · 圖1 3是顯示習知的液晶顯示裝置的一例的剖面圖。 【圖號說明】
1 :像素電極 2: TFT 3 :資料線 4 :掃描線 5 :儲存電容部 ® 6:電容線 7: TFT陣列基板 | 8 :半導體層 8a: U字形部 8 b :源極區域 8 c :通道區域 8 d :汲極區域 9、1 0 :接觸扎 -26- (23) (23)200304566 1 1 :汲電極 1 2 :像素接觸孔 1 3 :透明基板 1 4 :透明基板 1 5 :對向基板 1 6 :液晶 1 7 :底層絕緣膜 1 8 :絕緣薄膜 1 9 :第一層間絕緣膜 20:第二層間絕緣膜 2 1 :第一遮光膜 2 2 :色材層 2 3 :多晶矽層 2 4 :對向電極 2 5- 26:配向膜 2 8 :密封材 2 9 :第二遮光膜 3 0 :資料線驅動電路 3 1 :外部電路連接端子 3 2 :掃描線驅動電路 3 3 :配線 3 4 :基板間導通部 4 0 :液晶裝置 5 0 :凸部 -27- (24) (24)200304566 51:導電層 6 0 : 共通電極 6 1 :共通配線 62:共通端子 1 〇 〇 :液晶面板 1 〇 1 :掃描線 102:元件基板 1 〇 3 :對向電極 104:對向基板 1 0 5 : 密封材 1 〇 6 :液晶 1 0 7 :間隔物 1 〇 8 : 共通電極 109:導通部 1 1 1 :背光單元 1 1 2 :緩衝材 1 13:螢光管 1 1 4 :導光板 1 1 5 :反射板 1 1 6 :擴散板 1 000:行動電話本體 1 0 0 1、1 1 0 1、1 2 0 6 :液晶顯示部。 1 1 0 0 :手錶本體 1 200:資訊處理裝置 -28- (25) (25)200304566 1 202:輸入部 1 204:資訊處理裝置本體 S 1、S2 ... Sn:畫像訊號 Gl、G2 ... Gm:掃描訊號 -29·

Claims (1)

  1. (1) (1)200304566 拾、申請專利範圍 1 '〜種光電裝置，是在互相對向的一對基板間挾持 有光電材料而成，其特徵爲： &彳冓成該一對基板的各基板的內面配設有導電部，並 且在該一對基板之中的一方配設有由被導電層被覆的凸部 構成的基板間導通部，該各基板的導電部彼此是透過該基 板間導通部而電性連接。 2、 一種光電裝置，是在互相對向的一對基板間挾持 有光電材料而成，其特徵爲： 在構成該~對基板的各基板的內面配設有導電部，並 且在該一對基板之中的一方的基板配設有將該一對基板間 保持在預定間隔的凸部，該各基板的導電部彼此是透過在 該凸部被覆導電層而成的基板間導通部而電性連接。 3、 如申請專利範圍第〗項或第2項所述之光電裝置， 其中g亥基板間導通部的凸部是由構成該一方的基板的一層 或複數層的膜材料構成。 4、 如申請專利範圍第〗項或第2項所述之光電裝置， 其中該基板間導通部的凸部是由樹脂材料構成。 5、 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電裝置， 其中該基板間導通部的導電層是由金屬膜構成。 6、 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電裝置， 其中該基板間導通部的導電層是由透明導電性膜構成。 7、 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電裝置， 其中該光電材料爲液晶。 -30- (2) (2)200304566 8、 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電裝置， 其中該基板間導通部是配設於各基板中的晝像顯示區域外 的周邊部。 9、 如申請專利範圍第1項或第2項所述之光電裝置， 其中該基板間導通部是配設於密封該光電材料的密封部的 內部。 10、 一種光電裝置的製造方法，是在互相對向的一對 基板間挾持有光電材料而成，其特徵包含： 在該一對基板之中的一方的基板配設凸部的製程；以 及 在此凸部形成導電層以形成基板間導通部的製程。 1 1、如申請專利範圍第1 0項所述之光電裝置的製造方 法’其中在該基板的成形時一體成形該基板間導通部的凸 部。 1 2 '如申請專利範圍第1 〇項所述之光電裝置的製造方 ί去中藉由微影形成該基板間導通部的凸部。 1 3 ' —種電子機器，其特徵爲具備申請專利範圍第Ϊ 項至第9項中任一項所述之光電裝置。 -31 -
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10423040B2 (en) 2018-01-05 2019-09-24 Au Optronics Corporation Liquid crystal display apparatus
TWI754173B (zh) * 2018-01-05 2022-02-01 友達光電股份有限公司 液晶顯示裝置

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100620138B1 (ko) * 2003-04-08 2006-09-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 브이브이에이 모드 액정표시장치
KR101001963B1 (ko) * 2003-05-15 2010-12-17 삼성전자주식회사 액정표시장치
JP4807677B2 (ja) * 2003-09-30 2011-11-02 カシオ計算機株式会社 表示装置
KR100636483B1 (ko) 2004-06-25 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 트랜지스터와 그의 제조방법 및 발광 표시장치
JP4626203B2 (ja) * 2004-07-16 2011-02-02 セイコーエプソン株式会社 液晶表示パネル
US7916263B2 (en) 2004-12-02 2011-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP5244293B2 (ja) * 2004-12-02 2013-07-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR101146536B1 (ko) * 2005-06-27 2012-05-25 삼성전자주식회사 표시패널, 이의 제조방법 및 이를 갖는 표시장치
JP5062663B2 (ja) * 2006-03-27 2012-10-31 シチズンホールディングス株式会社 液晶光変調装置およびその製造方法
CN102253519A (zh) * 2011-06-10 2011-11-23 友达光电（苏州）有限公司 液晶面板及其制作方法
US9648753B2 (en) * 2012-12-31 2017-05-09 Amogreentech Co., Ltd. Flexible printed circuit board and method for manufacturing same
US20150022759A1 (en) * 2013-07-18 2015-01-22 Apple Inc. Display with Radioluminescent Backlight Unit
CN104122696A (zh) * 2013-08-21 2014-10-29 深超光电（深圳）有限公司 触控式液晶显示装置
CN104360545B (zh) * 2014-12-03 2018-02-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置
TWI577000B (zh) 2015-01-21 2017-04-01 群創光電股份有限公司 顯示裝置
CN105739188A (zh) * 2016-04-14 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制作方法、显示面板、封框胶涂覆方法及装置
US11067857B2 (en) * 2016-09-05 2021-07-20 Sakai Display Products Corporation Display panel, display device, and method for manufacturing display panel
CN106125419A (zh) * 2016-09-14 2016-11-16 豪威半导体（上海）有限责任公司 Lcos显示器及其制造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58182685A (ja) * 1982-04-20 1983-10-25 セイコーエプソン株式会社 表示体パネル
US4640583A (en) * 1983-07-22 1987-02-03 Kabushiki Kaisha Seiko Epson Display panel having an inner and an outer seal and process for the production thereof
US5081520A (en) * 1989-05-16 1992-01-14 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Chip mounting substrate having an integral molded projection and conductive pattern
US6101846A (en) * 1997-02-06 2000-08-15 Micron Technology, Inc. Differential pressure process for fabricating a flat-panel display face plate with integral spacer support structures
US5946057A (en) * 1997-05-28 1999-08-31 Nec Corporation Liquid crystal display having electrostatic discharge damage prevention
TW561292B (en) * 1998-04-01 2003-11-11 Seiko Epson Corp Liquid crystal device, method for manufacturing the liquid crystal device, and electronic apparatus
US6636192B1 (en) * 1999-01-28 2003-10-21 Seiko Epson Corporation Electrooptic panel, projection display, and method for manufacturing electrooptic panel
JP2001100217A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Nec Corp カラー液晶表示装置およびその製造方法
CN1165065C (zh) * 2000-03-23 2004-09-01 株式会社东芝 平面显示装置及其衬垫组件和它们的制法与制造用模具
JP2001305561A (ja) * 2000-04-21 2001-10-31 Hitachi Ltd 液晶表示装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10423040B2 (en) 2018-01-05 2019-09-24 Au Optronics Corporation Liquid crystal display apparatus
TWI676066B (zh) * 2018-01-05 2019-11-01 友達光電股份有限公司 液晶顯示裝置
TWI754173B (zh) * 2018-01-05 2022-02-01 友達光電股份有限公司 液晶顯示裝置

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Publication number Publication date
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CN1201183C (zh) 2005-05-11

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