JP2007241294A - 共通電極表示板の製造方法及び液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】反射部と透過部に異なる純度のカラーフィルタを備えながらも写真工程を減少させることのできる共通電極表示板の製造方法及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に顔料を含む第１感光膜を形成する段階と、前記第１感光膜上に前記第１感光膜より顔料量が多い第２感光膜を形成する段階と、前記第２及び第１感光膜を露光及び現像して、第１カラーフィルタと、前記第１カラーフィルタの所定領域を露出する第２カラーフィルタとを形成する段階とを有する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、液晶表示装置に関し、特に半透過型液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、現在、最も広く使用されている平板表示装置のうちの一つであって、画素電極と共通電極などの電界生成電極が形成されている二枚の表示板と、その間に挿入されている液晶層とからなり、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定して入射光の偏光を制御することによって画像を表示する。

液晶表示装置は、光源によって透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、及び半透過型液晶表示装置に区分される。透過型液晶表示装置は液晶セルの背面に位置した照明部を利用して画像を表示し、反射型液晶表示装置は自然外部光を利用して画像を表示する。また、半透過型液晶表示装置は透過型液晶表示装置と反射型液晶表示装置の構造を結合させたものである。半透過型液晶表示装置は、反射モードと透過モードの二つのモードで作動する。透過モードは室内や外部光源の存在しない暗い所で表示装置自体の内蔵光源を利用して画像を表示し、反射モードは室外の明るい環境では外部光を反射させて画像を表示する。

このような半透過型液晶装置においては、透過部と反射部の光経路の差による色再現性が異なる。したがって、これを補償するために、ライトホールまたは純度の異なるカラーフィルタを用いる方法が提示されている。

しかし、純度の異なるカラーフィルタを用いる方法は、透過部と反射部でそれぞれ異なる純度のカラーフィルタを備えなければならない。したがって、赤、緑、青のカラーフィルタを備える場合、総６回の写真工程を必要とする。

そこで、本発明は上記従来の半透過型液晶装置における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、反射部と透過部に異なる純度のカラーフィルタを備えながらも写真工程を減少させることのできる共通電極表示板の製造方法及び液晶表示装置を提供することにある。

上記目的を達成するためになされた本発明による共通電極表示板の製造方法は、絶縁基板上に顔料を含む第１感光膜を形成する段階と、前記第１感光膜上に前記第１感光膜より顔料量が多い第２感光膜を形成する段階と、前記第２及び第１感光膜を露光及び現像して、第１カラーフィルタと、前記第１カラーフィルタの所定領域を露出する第２カラーフィルタとを形成する段階とを有することを特徴とする。

前記第１カラーフィルタと第２カラーフィルタとを形成する段階の前記第２及び第１感光膜を露光する段階においては、光透過率が互いに異なる３部分を有する光マスクを用いて前記第２及び第１感光膜を同時に露光することが好ましい。
前記光マスクは、透光領域、遮光領域、及び半透明領域を含み、前記半透明領域は、スリットパターン、格子パターン、または透過率が中間であるか或いは厚さが中間である薄膜を含むことが好ましい。

上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板上に形成され、反射電極及び透明電極を含む画素電極と、前記第１基板と対向する第２基板と、前記第２基板上に形成される第１カラーフィルタと、前記第１カラーフィルタ上の所定の領域に部分的に形成される第２カラーフィルタと、前記第１及び第２カラーフィルタ上に形成され、前記画素電極と対向する共通電極と、前記共通電極及び画素電極の間に位置する液晶層とを有することを特徴とする。

前記第１カラーフィルタは前記反射電極及び透明電極と対応する位置に配置され、前記第２カラーフィルタは前記透明電極と対応する位置に配置されることが好ましい。
前記第２カラーフィルタは、前記第１カラーフィルタより顔料量が多いことが好ましい。
前記第１及び第２カラーフィルタと前記共通電極との間に形成される蓋膜をさらに含むことが好ましい。

本発明に係る共通電極表示板の製造方法及び液晶表示装置によれば、低濃度顔料の感光膜と高濃度顔料の感光膜を二重に積層した後、露光及び現像を行う。これによって、一つのカラーフィルタ当り一回の露光及び現象工程にて遂行できるという効果がある。したがって、低濃度顔料の低色純度カラーフィルタと高濃度顔料の高色純度カラーフィルタをそれぞれ別途に備える時よりも工程を簡素化することができるという効果がある。

次に、本発明に係る共通電極表示板の製造方法及び液晶表示装置を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。

図面において、いろいろな層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分については同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“すぐ上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“すぐ上”にあるとする時には、中間に他の部分がないことを意味する。

本発明の一実施形態による液晶表示装置について、図１〜図３を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２及び図３は各々図１に示す液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ’線及びＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿った断面図である。

本実施形態による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００、これに対向している共通電極表示板２００、及びこれらの間に挿入され、二つの表示板（１００、２００）の表面に対して垂直または水平に配向されている液晶分子を含む液晶層３からなる。

まず、図１〜図３を参照して薄膜トランジスタ表示板１００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板１１０上に、複数のゲート線（ｇａｔｅ ｌｉｎｅ）１２１及び複数の維持電極線（ｓｔｏｒａｇｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｌｉｎｅ）１３１が形成されている。

ゲート線１２１はゲート信号を伝達し、主に横方向に延在している。各ゲート線１２１は、上に突出した複数のゲート電極（ｇａｔｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４と、他の層または外部駆動回路との接続のために面積の広い端部１２９とを含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は、絶縁基板１１０上に付着される可撓性印刷回路フィルム（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ ｆｉｌｍ）（図示せず）上に装着されたり、絶縁基板１１０上に直接装着されたり、絶縁基板１１０に直接集積できる。ゲート駆動回路が絶縁基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１が延長されてこれと直接連結され得る。

維持電極線１３１は所定電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほとんど平行に延在する。各維持電極線１３１は隣接した二つのゲート線１２１の間に位置し、二つのゲート線１２１のうちの下側に近い。維持電極線１３１は下上に拡張された維持電極（ｓｔｏｒａｇｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１３７を含む。しかし、維持電極線１３１の形状及び配置は多様に変更できる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）などで作ることができる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。

このうちの一つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗（ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）の低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで作られる。これとは異なって、他の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）との物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウムなどで作られる。このような組み合わせの良い例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、ゲート線１２１及び維持電極線１３１はその他にも多様な金属または導電体で作ることができる。

ゲート線１２１及び維持電極線１３１の側面は絶縁基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０゜〜約８０゜であることが好ましい。
ゲート線１２１及び維持電極線１３１上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などで作られたゲート絶縁膜（ｇａｔｅ ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）１４０が形成されている。

ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（ｈｙｄｒｏｇｅｎａｔｅｄ ａｍｏｒｐｈｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ）（非晶質シリコンは、略してａ−Ｓｉと記す）または多結晶シリコン（ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ）などで作られた複数の線状半導体１５１が形成されている。線状半導体１５１は主に縦方向に延在していて、ゲート電極１２４に向かってのび出た複数の突出部（ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ）１５４を含む。線状半導体１５１はゲート線１２１及び維持電極線１３１の付近で幅が広くなり、これらを幅広く覆っている。

線状半導体１５１上には、複数の線状及び島型オーミックコンタクト部材（ｏｈｍｉｃ ｃｏｎｔａｃｔ）１６１、１６５が形成されている。線状及び島型オーミックコンタクト部材１６１、１６５は、リンなどのｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質、またはシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）で作ることができる。線状オーミックコンタクト部材１６１は複数の突出部１６３を有していて、この突出部１６３と島型オーミックコンタクト部材１６５とは対をなして線状半導体１５１の突出部１５４上に配置されている。
線状半導体１５１と線状及び島型オーミックコンタクト部材１６１、１６５の側面も絶縁基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０゜〜８０゜程度である。

線状及び島型オーミックコンタクト部材１６１、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数のデータ線（ｄａｔａ ｌｉｎｅ）１７１と複数のドレイン電極（ｄｒａｉｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５が形成されている。

データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に縦方向に延在してゲート線１２１及び維持電極線１３１と交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延在した複数のソース電極（ｓｏｕｒｃｅ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３と、他の層または外部駆動回路との接続のために面積の広い端部１７９とを含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、絶縁基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、絶縁基板１１０上に直接装着されたり、絶縁基板１１０に直接集積できる。データ駆動回路が絶縁基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が延長されてこれと直接連結され得る。

ドレイン電極１７５はデータ線１７１と分離されていて、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する。各ドレイン電極１７５は、広い一端部と棒状の他端部とを含む。広い端部は維持電極１３７と重畳し、棒状の端部は曲がったソース電極１７３によって一部取り囲まれている。
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１７３、及び一つのドレイン電極１７５は、線状半導体１５１の突出部１５４と共に一つの薄膜トランジスタ（ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、ＴＦＴ）をなし、薄膜トランジスタのチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）は、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間の突出部１５４に形成される。

データ線１７１及びドレイン電極１７５は、モリブデン、クロム、タンタル及びチタニウムなど耐火性金属（ｒｅｆｒａｃｔｏｒｙ ｍｅｔａｌ）、またはこれらの合金で作られることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）とを含む多重膜構造を有することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、データ線１７１及びドレイン電極１７５はその他にも多様な金属または導電体で作ることができる。
データ線１７１及びドレイン電極１７５も、その側面が絶縁基板１１０面に対して３０゜〜８０゜程度の傾斜角で傾斜していることが好ましい。

線状及び島型オーミックコンタクト部材１６１、１６５は、その下の線状半導体１５１と、その上のデータ線１７１及びドレイン電極１７５との間にだけ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。大部分の所では線状半導体１５１がデータ線１７１より狭いが、上述したようにゲート線１２１と合う部分で幅が広くなって表面のプロファイルをスムースにすることによって、データ線１７１が断線することを防止する。線状半導体１５１には、ソース電極１７３とドレイン電極１７５との間をはじめとして、データ線１７１及びドレイン電極１７５によって覆われずに露出した部分がある。

データ線１７１、ドレイン電極１７５、及び露出した線状半導体１５１の部分上には、保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎｌａｙｅｒ）１８０が形成されている。保護膜１８０は、窒化ケイ素や酸化ケイ素などの無機絶縁物からなる下部保護膜１８０ｐと、有機絶縁物からなる上部保護膜１８０ｑとを含む。上部保護膜１８０ｑは、４．０以下の誘電率を有することが好ましく、感光性（ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有することができ、その表面には凹凸が形成されている。しかし、保護膜１８０は無機絶縁物または有機絶縁物などで作られた単一膜構造を有することもできる。

また、段差を減少させるために、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９の上部保護膜１８０ｑは除去されている。
保護膜１８０には、データ線１７１の端部１７９とドレイン電極１７５を各々露出する複数のコンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）１８２、１８５が形成されている。そして、保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０にはゲート線１２１の端部１２９を露出する複数のコンタクトホール１８１が形成されている。

保護膜１８０上には、複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１及び複数のコンタクト補助部材（ｃｏｎｔａｃｔ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）８１、８２が形成されている。
各画素電極１９１は、上部保護膜１８０ｑの凹凸に沿って屈曲しており、透明電極１９２及びその上の反射電極１９４を含む。
透明電極１９２はＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質で作られ、反射電極１９４は、アルミニウム、銀、クロムまたはその合金などの反射性金属で作られる。しかし、反射電極１９４は上部膜（図示せず）と下部膜（図示せず）の二重膜構造を有することができる。上部膜はアルミニウム、銀またはその合金など低抵抗反射性金属で形成されることができ、下部膜はＩＴＯまたはＩＺＯと接触特性の良いモリブデン系金属、クロム、タンタル及びチタニウムなどからなることができる。

反射電極１９４は透明電極１９２の一部上にだけ存在し、透明電極１９２の他の部分を露出させる。透明電極１９２の露出した部分は反射電極１９４内に存在する開口部１９５に位置する。

画素電極１９１は、コンタクトホール１８５を通じてドレイン電極１７５と物理的・電気的に接続されており、ドレイン電極１７５からデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された画素電極１９１は、共通電圧（ｃｏｍｍｏｎ ｖｏｌｔａｇｅ）の印加を受ける共通電極表示板２００の共通電極（ｃｏｍｍｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）２７０と共に電場を生成することによって、二つの電極（１９１、２７０）の間の液晶層３の液晶分子の方向を決定する。このように決定された液晶分子の方向によって液晶層３を通過する光の偏光が変わる。画素電極１９１と共通電極２７０はキャパシタ［以下、“液晶キャパシタ（ｌｉｑｕｉｄ ｃｒｙｓｔａｌ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）”と言う］をなし、薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。

一方、半透過型液晶表示装置は、透明電極１９２及び反射電極１９４によって各々定義される透過領域（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｖｅ ａｒｅａ）ＴＡ及び反射領域（ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ａｒｅａ）ＲＡに区画できる。
具体的には、薄膜トランジスタ表示板１００、共通電極表示板２００、及び液晶層３などにおいて、透明電極１９２の露出した部分の上下に位置する部分は透過領域ＴＡとなり、反射電極１９４の上下に位置する部分は反射領域ＲＡとなる。透過領域ＴＡにおいては、液晶表示装置の下面、つまり、薄膜トランジスタ表示板１００側から入射した光が液晶層３を通過して上面、つまり、共通電極表示板２００側に出ることによって表示を行う。反射領域ＲＡにおいては、上面から入射した光が液晶層３に入ってから反射電極１９４によって反射される。以降、液晶層３を再び通過して上面に出ることによって表示を行う。この時、反射電極１９４の屈曲は、光が反射されて分散されるようにする。

画素電極１９１及びこれと連結されたドレイン電極１７５の拡張部１７７は、維持電極１３７をはじめとする維持電極線１３１と重畳する。画素電極１９１及びこれと電気的に接続されたドレイン電極１７５が維持電極線１３１と重畳してキャパシタをなす。このキャパシタをストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）と言い、ストレージキャパシタは液晶キャパシタの電圧維持能力を強化する。

コンタクト補助部材８１、８２は、各々コンタクトホール１８１、１８２を通じてゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と連結される。コンタクト補助部材８１、８２は、ゲート線１２１の端部１２９及びデータ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完し、これらを保護する。

次に、共通電極表示板２００について説明する。
透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた絶縁基板２１０上に遮光部材（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｍｅｍｂｅｒ）２２０が形成されている。遮光部材２２０はブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ ｍａｔｒｉｘ）とも言い、画素電極１９１と対向する複数の開口領域を定義する一方、画素電極１９１の間の光漏れを防止する。

絶縁基板２１０上には、また、複数のカラーフィルタ（ｃｏｌｏｒ ｆｉｌｔｅｒ）２３０が形成されており、遮光部材２２０によって取り囲まれた開口領域内にほとんど入るように配置されている。カラーフィルタ２３０は画素電極１９１に沿って縦方向に長くのび、帯（ｓｔｒｉｐｅ）をなすことができる。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示することができる。

カラーフィルタ２３０は、第１カラーフィルタ２３１と、第１カラーフィルタ２３１の所定領域上に形成されている第２カラーフィルタ２３３とを含む。第２カラーフィルタ２３３が形成される第１カラーフィルタ２３１の所定領域は、透過領域ＴＡと対応する領域である。
この時、第１カラーフィルタ２３１は第２カラーフィルタ２３３に比べ、相対的に色を実現する顔料の濃度が低い。したがって、第２カラーフィルタ２３３を通過した光の色純度が第１カラーフィルタ２３１を通過した光の色純度より高い。

このように透過領域ＴＡと反射領域ＲＡにおいて、カラーフィルタに含まれた顔料の濃度を異なるようにすれば、透過領域ＴＡと反射領域ＲＡで表示される色感をほとんど同一にすることができる。つまり、透過領域ＴＡと反射領域ＲＡにおいてカラーフィルタを同一に形成する場合には、反射領域ＲＡにおける光経路が透過領域ＴＡの光経路に比べて２倍となる。したがって、透過領域ＴＡと反射領域ＲＡの色感が異なるようになる。

しかし、本発明のようにカラーフィルタを二重に形成すれば、光が反射領域ＲＡでは低色純度カラーフィルタを２回通過し、透過領域ＴＡでは高色純度カラーフィルタと低色純度カラーフィルタを１回ずつ通過するため、ほとんど同一の色感を表示することができる。
この時、高色純度カラーフィルタと低色純度カラーフィルタの厚さと顔料の濃度を調節することで、反射領域ＲＡと透過領域ＴＡにおける色感をほとんど同一にすることができる。

カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には蓋膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成されている。蓋膜２５０は（有機）絶縁物で作ることができる。蓋膜２５０は、カラーフィルタ２３０を保護し、カラーフィルタ２３０が露出することを防止し、平坦面を提供する。
蓋膜２５０上には共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０はＩＴＯやＩＺＯなど透明な導電導電体で作ることが好ましい。
表示板（１００、２００）の内側面上には、液晶層３を配向するための配向膜（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ ｌａｙｅｒ）１１、２１が塗布されている。

次に、図１及び図２に示す本発明の実施形態による液晶表示装置の共通電極表示板を製造する方法を図４〜図７を参照して詳細に説明する。

図４〜図７は本発明の一実施形態による共通電極表示板の製造方法を説明するための工程断面図である。
まず、図４に示すように、絶縁基板２１０上に黒色顔料を含む感光性樹脂などを塗布した後、パターニングして遮光部材２２０を形成する。

次に、図５に示すように、赤色顔料を約７％程度含む低濃度顔料の感光性物質で第１感光膜ＰＲ１を形成する。
そして、第１感光膜ＰＲ１上に第２感光膜ＰＲ２を形成する。第２感光膜ＰＲ２は第１感光膜ＰＲ１より赤色顔料を多く含む。この時、第２感光膜ＰＲ２には赤色顔料が約５０％程度含まれている。
次に、光透過量が互いに異なる３部分Ａ、Ｂ、Ｃを有する光マスクＭＰを用いて感光膜（ＰＲ１、ＰＲ２）を露光する。

光マスクＭＰを光透過量が互いに異なる３部分を有するように形成する方法としては、光マスクに透光領域（ｌｉｇｈｔ ｔｒａｎｓｍｉｔｔｉｎｇ ａｒｅａ）Ａ及び遮光領域（ｌｉｇｈｔ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ａｒｅａ）Ｃの他に、半透明領域（ｔｒａｎｓｌｕｃｅｎｔ ａｒｅａ）Ｂを設ける方法がある。半透明領域Ｂにはスリット（ｓｌｉｔ）パターン、格子パターン（ｌａｔｔｉｃｅ ｐａｔｔｅｒｎ）、または遮光領域Ｃの遮光膜に比べて透過率が中間であるか厚さが中間である薄膜が備えられる。スリットパターンを用いる時には、スリット幅やスリット間の間隔が写真工程に使用する露光器の分解能（ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ）より小さいことが好ましい。
本発明の実施形態においては、反射領域ＲＡに半透明領域Ｂを位置させる。

次に、図６に示すように、露光された感光膜を現像して、第１（赤色）カラーフィルタ２３１及び第２（赤色）カラーフィルタ２３３を含む赤色カラーフィルタ２３０Ｒを完成する。

次に、図７に示すように、赤色カラーフィルタ２３０Ｒと同様の方法によって青色カラーフィルタ２３０Ｂ及び緑色カラーフィルタ（図示せず）を形成する。これらの形成順序は変更して遂行可能である。
次に、図１及び図２に示すように、絶縁基板２１０上に有機物質などを塗布して蓋膜２５０を形成し、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によってＩＴＯまたはＩＺＯなどを蒸着して共通電極２７０を形成する。

次に、共通電極２７０上に柱型間隔材（図示せず）及び配向膜（図示せず）形成工程を実施する。

尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。

本発明の一実施形態による液晶表示装置の配置図である。 図１に示す液晶表示装置のＩＩ−ＩＩ’線に沿った断面図である。 図１に示す液晶表示装置のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態による共通電極表示板の製造方法を説明するための工程断面図である。 本発明の一実施形態による共通電極表示板の製造方法を説明するための工程断面図である。 本発明の一実施形態による共通電極表示板の製造方法を説明するための工程断面図である。 本発明の一実施形態による共通電極表示板の製造方法を説明するための工程断面図である。

符号の説明

３ 液晶層
１００ 薄膜トランジスタ表示板
１１０、２１０ （下部及び上部）絶縁基板
１２１ ゲート線
１２４ ゲート電極
１３１ 維持電極線
１４０ ゲート絶縁膜
１５１ 線状半導体
１６１、１６５ （線状及び島型）オーミックコンタクト部材
１７１ データ線
１７３ ソース電極
１７５ ドレイン電極
１８０ 保護膜
１８０ｐ 下部保護膜
１８０ｑ 上部保護膜
１９１ 画素電極
１９２ 透明電極
１９４ 反射電極
１９５ 開口部
２００ 共通電極表示板
２２０ 遮光部材
２３０ カラーフィルタ
２３１ 第１カラーフィルタ
２３３ 第２カラーフィルタ
２５０ 蓋膜
２７０ 共通電極
ＰＲ１ 第１感光膜
ＰＲ２ 第２感光膜

Claims (7)

1. 絶縁基板上に顔料を含む第１感光膜を形成する段階と、
   前記第１感光膜上に前記第１感光膜より顔料量が多い第２感光膜を形成する段階と、
   前記第２及び第１感光膜を露光及び現像して、第１カラーフィルタと、前記第１カラーフィルタの所定領域を露出する第２カラーフィルタとを形成する段階とを有することを特徴とする共通電極表示板の製造方法。
2. 前記第１カラーフィルタと第２カラーフィルタとを形成する段階の前記第２及び第１感光膜を露光する段階においては、光透過率が互いに異なる３部分を有する光マスクを用いて前記第２及び第１感光膜を同時に露光することを特徴とする請求項１に記載の共通電極表示板の製造方法。
3. 前記光マスクは、透光領域、遮光領域、及び半透明領域を含み、
   前記半透明領域は、スリットパターン、格子パターン、または前記遮光領域と比べ透過率が中間であるか或いは厚さが中間である薄膜を含むことを特徴とする請求項２に記載の共通電極表示板の製造方法。
4. 第１基板と、
   前記第１基板上に形成され、反射電極及び透明電極を含む画素電極と、
   前記第１基板と対向する第２基板と、
   前記第２基板上に形成される第１カラーフィルタと、
   前記第１カラーフィルタ上の所定の領域に部分的に形成される第２カラーフィルタと、
   前記第１及び第２カラーフィルタ上に形成され、前記画素電極と対向する共通電極と、
   前記共通電極及び画素電極の間に位置する液晶層とを有することを特徴とする液晶表示装置。
5. 前記第１カラーフィルタは前記反射電極及び透明電極と対応する位置に配置され、前記第２カラーフィルタは前記透明電極と対応する位置に配置されることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 前記第２カラーフィルタは、前記第１カラーフィルタより顔料量が多いことを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記第１及び第２カラーフィルタと前記共通電極との間に形成される蓋膜をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
   

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