TW200300592A - Method of forming narrow trenches in semiconductor substrates - Google Patents

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200300592 kl __ B7 五、發明説明（1 ) 技術領域 本發明是關於在半導體基底中形成窄溝槽之方法。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 先前技藝 在製造各種半導體裝置期間，通常需要窄溝槽。因此 ，雖然配合溝槽MOSFET裝置而討論與窄溝槽的使用有關 之一特例如下，但是注意，窄溝槽可用於整個半導體領域 〇 溝槽MOSFET(金屬氧化物半導體場效電晶體）是一種電 晶體，其中通道係垂直形成，且閘極形成於一延伸在源極 與汲極之間的溝槽中。溝槽-其由一諸如氧化物層的薄絕 緣層襯塡，且由諸如聚矽（即，多晶矽）的導體充塡-允許限 制較少的電流，因而提供較低的特定啓動電阻値。溝槽 MOSFET電晶體的例子揭示於-例如-美國專利5,072,266 、5,54 1,425與5,8 66,93 1號，其揭示附於此供參考。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 舉一特例，圖1繪示美國專利5,072,266號揭示的六角 形溝槽MOSFET結構21之一半。結構包含一 n +基底23， 其上生長一預定深度depi之輕摻雜的η磊晶層25。在磊晶 層25中提供ρ本體區域27(ρ，ρ + )。在所示的設計中，ρ本 體區域27實質上是平面形（中央區域除外），且典型上在磊 晶層頂表面下方之距離dmi„處。另一在大部分ρ本體區域 27上方的層28(n + )充當此裝置的源極。一系列六角形溝槽 29設在磊晶層中，朝向頂部敞開且具有預定深度du。溝槽 29典型上由氧化物襯塡，且由導電性聚矽充塡，形成 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（2】0X 297公釐） -5- 200300592 ______B7_ 五、發明説明（2 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) MOSFET裝置的閘極。溝槽29界定單元區域3 1，其也是六 角形水平剖面。在單元區域3 1中，p本體區域27上升至磊 晶層的頂表面，且在單元區域31頂表面之一水平剖面中形 成一暴露的圖案33。在所示的特定設計中，p本體區域27 的P+中央部分延伸至磊晶層表面下方的深度dmax，其大於 電晶體單元的溝槽深度dtr，以致於崩潰電壓遠離溝槽表面 且進入半導體材料的主體。 經濟部智慈財產局資工消費合作社印製 典型的MOSFET裝置包含很多個別MOSFET單元，其 平行製造於單一晶片中（即，半導體晶圓之一區段）。因此， 圖1所示的晶片含有很多六角形單元（繪示這些單元中之五 部分）。通常使用非六角形構造的單元構造，包含正方形構 造。在圖1所示的設計中，基底區域23充當所有個別 .MOSFET單元31的共用汲極接觸。雖然未繪示，但是 MOSFET單元的全部源極典型上經由一配置於n +源極區域 2 8頂部上的金屬源極接觸而短路。一絕緣區域—諸如二氧 磷硼矽石玻璃（未顯示）-典型上安置於溝槽2 9的聚矽與金 屬源極接觸之間，以防止閘極區域與源極區域短路。結果 ，爲了執行閘極接觸，溝槽2 9中的聚矽典型上延伸進入一 越過MOSFET單元31的終止區域，在該處，一金屬閘極接 觸設在聚砂上。因爲聚矽閘極區域經由溝槽互聯，所以此 配置對於裝置的所有閘極區域提供單一閘極接觸。此方案 的結果，即使晶片含有個別電晶體早兀31的矩陣，這些單 元3 ]也充當單一大電晶體。 持續需要具有更低啓動電阻的溝槽MOSFET。減小啓 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2]0X 297公釐） ' " -6- 200300592 Α7 Β7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（3 ) 動電阻之一方式是增加單元密度。不幸，當單元密度增加 的時候，與溝槽MOSFET裝置有關的閘極電荷也增加。結 果，必須採取步驟以減小此閘極電荷。如日本專利 ；ίΡ〇53 3 5 5 82號所述，在一溝槽MOSFET裝置之溝槽側壁的 氧化物薄膜於P本體區域中形成通道。另一方面，溝槽底 部的氧化物薄膜未顯著貢獻於通道的形成，但是貢獻於閘 極電荷。日本專利；ΓΡ053 3 5 5 82建議將溝槽底部的氧化物薄 膜相對於側壁的氧化物薄膜實質上加厚，以減少閘極電荷 〇 減小溝槽底部對於閘極電荷的貢獻之一相關方式是提 供較窄的溝槽，如此技藝習知者。本發明提供一種在半導 體基底中形成窄溝槽之新穎過程。 發明槪要 依據本發明之一實施例，提供一種在半導體基底中形 成窄溝槽之方法。方法包括：（a)提供一半導體基底；（b)提 供一具有第一孔徑之圖案化的第一化學蒸氣沈積罩幕材料 層於半導體基底上方；（〇沈積第二化學蒸氣沈積罩幕材料 層於第一罩幕材料層上方；（d)蝕刻第二罩幕材料層，直到 比第一孔徑窄的第二孔徑產生於第一孔徑中的第二罩幕材 料；及（e)鈾刻半導體基底通過第二孔徑，俾使一溝槽形成 於半導體基底中。 第一及第二罩幕材料層較佳爲相同的材料組成（典型上 是矽氧化物層），且較佳爲在各向異性、乾燥氧化物触亥@ 本紙張尺度適用中國國家標準(CIN’S ) A4規格（210X 297公釐^ ~~~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200300592 A7 B7 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製 五、發明説明（4 ) 程中蝕刻。 基底較佳爲矽基底，且較佳爲在各向異性、反應離子 蝕刻過程中蝕刻。 第一溝槽罩幕孔徑之最小尺寸的範圍可以是自〇. 4至 〇，8微米，而第二溝槽罩幕孔徑之最小尺寸的範圍可以是自 0.2至0.6微米。 較佳地，圖案化的第一罩幕材料層藉由一方法而提供 在半導體基底上方，方法包括：（a)在半導體基底上方提供 第一罩幕材料層；（b)在第一罩幕材料層上方施加一圖案化 的光阻層（較佳爲正光阻層）；及（c)蝕刻第一罩幕材料層通 過一在圖案化的光阻層中的孔徑，俾使第一孔徑形成於第 一罩幕材料層中。 本發明的方法可以用於形成溝槽MOSFET裝置。依據 本發明之一實施例，溝槽MOSFET裝置是是藉由一方法形 成，方法包括：（a)提供第一導電型半導體晶圓；（b)在晶圓 上方沈積一第一導電型磊晶層，磊晶層具有比晶圓低的多 數載體濃度；（c)在嘉晶層的上部分中形成一第二導電型本 體區域；（d)在晶晶層上方提供一圖案化的第一罩幕材料層 ，圖案化的第一罩幕材料層包括一第一孔徑；（d)在第一罩 幕材料層上方沈積一第二罩幕材料層；（e)蝕刻第二罩幕材 料層，直到一比第一孔徑窄的第二孔徑產生於第一孔徑中 的第二罩幕材料層內；（f)藉由蝕刻半導體晶圓通過第二孔 徑，在磊晶層中形成一溝槽；（g)形成一襯塡於溝槽之至少 一部分的絕緣層；（h)在絕緣層附近的溝槽中形成一導電區 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 木紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -8- 200300592 A7 B7 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（5 ) 域；及（i)在本體區域的上部分中及溝槽部附近形成一第一 導電型源極區域。較佳地，半導體晶圓與磊晶層是由矽形 成，且第一與第二罩幕材料層較佳爲由二氧化矽形成。 本發明之一優點是寬度窄的溝槽可以形成於一半導體 基底中。 本發明之另一優點是一溝槽MOSFET裝置可以具備窄 溝槽，因此閘極電荷減少。 本發明之另一優點是可以形成具有孔徑的溝槽罩幕， 該孔徑小於可自光微影處理直接獲得者。 於複閱詳細說明及其後的申請專利範圍時，一般專精 於此技藝的人可以立刻明白本發明的這些與其他實施例及 優點。 圖式簡單說明 圖1是先前技藝中之溝槽MOSFET裝置的示意剖視圖 〇 圖2 A至2 D是示意剖視圖，繪示依據本發明之一實施 例以用於形成窄溝槽的過程。 圖3 A與3 B是示意剖視圖，繪示依據本發明之一實施 例以用於增加側壁隔板寬度的方法。 圖4 A至4 C是示意剖視圖，繪示依據本發明之一實施 例以用於製造溝槽MOSFET裝置的方法。 主要元件對照表 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9- 200300592 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Μ Β7五、發明説明（6 ) 2 1 溝槽MOSFET結構 2 3 η +基底 2 5 嘉晶層27 ρ本體區域 28 η+源極區域 29 溝槽3 1 單元區域 33 圖案 200 ΐ夕晶圓201 矽半導體基底202 矽磊晶層 202ρ 部分203 圖案化的第一罩幕材料層2 0 3 5 額外的罩幕氧化物層 2 0 3 ρ 側壁隔板 2 03 s 側壁隔板部分 204 P型區域 2 0 5 f 最後孔徑 2 0 5 i 初始孔徑 20 7 溝槽2 10 氧化物層211 聚砂閘極區域 2 12 η +源極區域216 BP SG(二氧磷硼矽石玻璃）區域 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2】0Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 -10- 200300592 ΑΊ B7 五、發明説明（7 ) 21B 源極接觸 實施方式 現在，將更經常參考附圖而說明本發明，附圖顯示本 發明的較佳實施例。然而，本發明能夠以不同的形式實施 ，且不應5亥視篇限於此處提出的貫施例。 依據本發明之一實施例，半導體基底是較佳的基底。 半導體基底可以是此技藝中習知的任何基底，包含元素型 半導體基底（諸如矽或鍺）或化合物型半導體基底（諸如 GaAs，AlAs，GaP，InP，GaAlAs等。半導體基底可以是單晶 、多晶及/或無定形，且它可以摻雜或不摻雜。半導體之一 特例配合而圖2 A至2 D而展示。參考圖2 A，其顯示一矽半 導體基底201，砂半導體基底201由一 N +摻雜的砍晶圓 200組成，矽晶圓200上配置有摻雜的矽磊晶層202。 一旦選擇基底，則使用此技藝中習知的任何適當技術 ，將適用於形成溝槽罩幕的罩幕材料提供於基底上且圖案 化。例如，第一罩幕材料層可以提供在基底上，然後，一 適當圖案化的光阻層可以提供在第一罩幕材料層上方，接 著在蝕刻罩幕材料但是不實質上蝕刻光阻材料（且較佳爲 不實質上蝕刻罩幕材料下方的基底）的條件下蝕刻。在此 蝕刻步驟以後，第一罩幕材料層含有一或更多第一罩幕孔 徑。用於罩幕材料的較佳材料包含化學蒸氣沈積材料，諸 如氮化物（例如，氮化矽）與氧化物（例如，二氧化矽）。 再參考用於闡釋之圖2A - 2D的特例，一具有初始孔徑 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） γ . 批衣-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智¾財產局員工消費合作社印製 -11 - 200300592 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（8 ) 205i之砍氧化物（典型上是二氧化砂）之圖案化的第一罩 幕材料層203形成於磊晶層202上，如圖2A所見。用於提 供諸如圖案化的第一罩幕氧化物層203之較佳技術係如下 ••首先，使用此技藝中眾人皆知的技術，藉由沈積一不摻 雜的矽石玻璃（NSG)，提供二氧化矽層。此層的沈積以後 典型上是一高溫退火步驟，在此步驟期間，二氧化矽層密 實化。然後，在所得的第一罩幕氧化物層（即，密實化的 NSG層）上方提供一圖案化的光阻材料層，諸如正光阻材 料。接著，使用此技藝中習知的乾燥氧化物蝕刻，將氧化 物層各向異性蝕刻通過圖案化的光阻材料層中之孔徑，產 生具有初始孔徑205i之圖案化的第一罩幕氧化物層203。 使用-例如-建立好的〇. 5微米半導體技術，此步驟典型上 .導致約0.4微米之最小可再生的初始孔徑205i。 次一步驟是在圖案化的第一罩幕材料層上方提供一額 外的罩幕材料層。然後，典型上在類似於用以蝕刻第一罩 幕材料層中之孔徑的狀況下鈾刻此額外層，直到半導體基 底部分暴露於初始罩幕孔徑中爲止。同時，額外的罩幕材 料層之未蝕刻部分保持在材料層側壁附近的初始溝槽罩幕 孔徑中。這些剩餘的部分在此稱爲「側壁隔板」。 回頭參考當作特例的圖2A - 2D，又一 NSG層沈積於 圖2 A之圖案化的第一罩幕氧化物層203上方，接著密實化 ，以形成一額外的罩幕氧化物層2 0 3 ’。然後，藉由-例 如-使用乾燥氧化物蝕刻而各向異性蝕刻此罩幕氧化物層 203’，直到暴露磊晶層202的部分202p及圖案化的第一罩 本紙張尺度適用中國國家標準（〇^)八料見格（210\ 297公釐） 一 -12- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 200300592 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) 幕氧化物層203之上部分爲止，如圖2C所示。此蝕刻過程 留下由額外的罩幕氧化物層2 0 3 5形成之側壁隔板部分203 s ，其鄰近於初始孔徑205i的側壁。以此方式，形成一由圖 案化的第一罩幕氧化物層203與側壁隔板203 p二者組成的 「二成分」罩幕層。此二成分罩幕層含有實質上比初始孔 徑2 05i窄的最後孔徑205f。在初始孔徑205i由可用的光微 影技術之極限提供的狀況，本方法發明提供一種產生超越 此極限的最後罩幕孔徑205 f。以0.5微米技術爲例，可以 產生約0.2微米的最後罩幕孔徑20 5f。 現在，將討論本發明之一實施例，其中側壁隔板2 0 3 s 的寬度（及最後孔徑2 0 5 f的尺寸）可以改變。在此實施例 中，側壁隔板203的寬度藉由增加圖案化的第一罩幕氧化 物層2 0 3之厚度而增加。此效應繪示於圖3 A與3 B，其中 相同寬度的二初始溝槽罩幕孔徑205 i產生於圖案化的罩幕 氧化物層2〇3中。接著，提供及蝕刻一額外的罩幕材料層 ，如上述，產生側壁隔板2〇3 s。圖3 A中之圖案化的罩幕氧 化物層203實質上比圖3B中之圖案化的罩幕氧化物層203 薄。在這些狀況下，且因爲側壁隔板203 s的輪廓是相當類 似的形狀（自幾何的觀點），所以圖3 A中之側壁隔板的寬 度w實質上小於（因此，孔徑205 f實質上大於）圖3b者 〇 一旦二成分溝槽罩幕依據本發明而形成，則使用一倉虫 刻過程，藉由彼，相對於溝槽罩幕而選擇性蝕刻半導體材 料，以蝕刻半導體基底通過罩幕中的最後孔徑。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2ICX 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -13- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200300592 A7 B7 五、發明説明（10) 再次參考圖2 A - 2D的特例，藉由-例如—反應離子蝕 刻而各向異性鈾刻矽磊晶層202，通過二成分氧化物罩幕（ 其包含圖案化的第一罩幕氧化物層203與側壁隔板203 s二 者）中的最後孔徑2〇5f，導致圖2D ·所示的溝槽207。溝槽 2 07的寬度反映最後孔徑205f而非初始孔徑205i。 如上述，窄溝槽寬度可用於溝槽MOSFET裝置，其中 在所有效應中特別是與此裝置有關的閘極-汲極電荷減少。 在此配合圖4 A - 4 C，簡略討論倂設有本發明之二成分溝槽 罩幕的典型溝槽MOSFET裝置之形成方法。 現在轉到圖4 A，一 N摻雜的磊晶層2 〇2起初生長於一 N +摻雜的基底200上。然後，一 P型區域2〇4藉由植入與 擴散而形成於磊晶層2 02的上部分中。接著，一包含圖案 化的罩幕氧化物層2〇3與氧化物側壁隔板部分2〇3 s二者之 二成分溝槽罩幕以配合圖2A - 2 C討論如上的方式形成。所 得的結構顯示於圖4 A。 然後，以配合圖2D討論如上的方式蝕刻溝槽。離散的 P型區域204是由於此溝槽形成步驟而建立。然後，典型上 藉由在升高的溫度之乾燥氧化，移除二成分溝槽罩幕，且 氧化物層2 1 0生長於裝置的表面上。氧化物層2 I 0的部分 最後形成用於完成的裝置之閘極氧化物區域。然後，典型 上使用化學蒸氣沈積，遮蓋結構的表面，且以一聚矽層充 塡溝槽。聚矽是典型摻雜的N型，以減少它的電阻率。然 後，蝕刻聚矽層，形成聚矽閘極區域2 1 1。所得的結構顯示 於圖4B。 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公澄) '—"— ---- -14- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁〕 -裝· 、=口 200300592 A7 B7 五、發明説明（11 ) 接著，經由植入與擴散過程，使n +源極區域212形成 於磊晶層的上部分中。然後，典型上藉由沈積、掩蔽與鈾 刻過程，遮蓋聚矽區域2 1 1及一部分氧化物區域2 1 0，形成 BPS G (二氧磷硼矽石玻璃）區域216。最後，沈積一金屬接 觸層（例如，鋁），形成源極接觸2 1 8。所得的結構顯示於 圖4C。一分離的金屬閘極接觸也典型上連接至聚矽的閘極 流道部分，其位於溝槽MOSFET (未顯示）的單元區域外部 。此外，一金屬汲極接觸也典型上連同半導體基底（未顯 示）而提供。 雖然在此特別繪示及說明各種實施例，但是可以了解 ，本發明的修改與變化由上述教導涵蓋，且是在附屬申請 專利範圍的權限內，不會偏離本發明的精神與所欲的範晴 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺歧用巾關家料（CNS ) ( 210 X 297^t ) ~ -15-

Claims (1)

1. 200300592 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍1 1. 一種在半導體基底中形成窄溝槽之方法，包含： 提供一半導體基底； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 提供一圖案化的第一化學蒸氣沈積罩幕材料層於該半 導體基底上方，S亥圖案化的第一罩幕材料層具有第一孔徑 沈積一第二化學蒸氣沈積罩幕材料層於該第一罩幕材 料層上方； 蝕刻該第二罩幕材料層，直到第二孔徑產生於該第一 孔徑的第二罩幕材料中，該第二孔徑比該第一孔徑窄；及 蝕刻該半導體基底通過該第二孔徑，俾使一溝槽形成 於該半導體基底中。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該圖案化的第一 罩幕材料層藉由一方法而提供在該半導體基底上方，該方 法包括· 在該半導體基底上方提供一第一罩幕材料層； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在該第一罩幕材料層上方施加一圖案化的光阻層；及 蝕刻該第一罩幕材料層通過一在該圖案化的光阻層中 的孔徑，俾使該第一孔徑形成於該第一罩幕材料層中。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一及第二罩 幕材料層是相同的材料組成。 4 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該半導體基底是 矽基底。 5 .如申請專利範圍第4項之方法，其中該第一與第二罩 幕材料層是砂氧化物層。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16- 200300592 8 8 8 8 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍2 6 .如申請專利範圍第1項之方法，其中蝕刻該第二罩幕 材料層的過程是各向異性、乾燥氧化物鈾刻過程。 7 .如申請專利範圍第1項之方法，其中蝕刻該半導體基 底的過程是各向異性反應離子蝕刻過程。 8 .如申請專利範圍第2項之方法，其中蝕刻該第一與第 二罩幕材料層的過程是各向異性、乾燥氧化物蝕刻過程。 9 .如申請專利範圍第2項之方法，其中該光阻層是正抗 蝕劑層。 10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第一溝槽罩 幕孔徑之最小尺寸的範圍是自〇.4至0.8微米，而該第二溝 槽罩幕孔徑之最小尺寸的範圍是自0.2至0.6微米。 11. 一種形成溝槽MOSFET之方法，包括如申請專利範 圍第1項之方法。 12. —種形成溝槽MOSFET之方法，包含： 提供一第一導電型半導體晶圓； 在該晶圓上方沈積一該第一導電型的磊晶層，該晶晶 層具有比該晶圓低的多數載體濃度； 在該磊晶層的上部分中形成一第二導電型的本體區域 ? 在該磊晶層上方提供一圖案化的第一罩幕材料層，該 圖案化的第一罩幕材料層包括一第一孔徑； 在該第一罩幕材料層上方沈積一第二罩幕材料層； 餓刻該第二罩幕材料層，直到一第二孔徑產生於該第 一孔徑的第二罩幕材料層內，該第二孔徑比該第一孔徑窄 • - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -口

   -17- 200300592 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉由蝕刻該半導體晶圓通過該第二孔徑，在該磊晶層 中形成一溝槽； 形成一襯塡於該溝槽之至少一部分的絕緣層； 在該絕緣層附近的溝槽中形成一導電區域；及 在該本體區域的上部分中及該溝槽附近形成一該第一 導電型的源極區域。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之方法，其中該圖案化的第 一罩幕材料層藉由一方法而提供在該半導體晶圓上方，該 方法包括： 在該磊晶層上方提供一第一罩幕材料層； 在該第一罩幕材料層上方施加一圖案化的光阻層；及 触刻該第一罩幕材料層通過一在該圖案化的光阻層中 的孔徑，俾使該第一孔徑形成於該第一罩幕材料層中/ 1 4 .如申請專利範圍第]2項之方法，其中該半導體晶圓 是砂晶圓，且該磊晶層是矽磊晶層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 15 ·如申請專利範圍第I 2項之方法，其中該第一與第二 罩幕材料層是相同的材料組成。 I6.如申請專利範圍第14項之方法，其中該第一與第二 罩幕材料層是二氧化矽層。 · 如申請專利範圍第12項之方法，其中蝕刻該第二罩 胃材料的過程是各向異性、乾燥氧化物鈾刻過程。 1 8 ·如申請專利範圍第1 2項之方法，其中蝕刻該半導體 的過程是各向異性、反應離子鈾刻過程。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4胁（210X297公釐 -18- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200300592 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍4 1 9.如申請專利範圍第1 3項之方法，其中該光阻層是正 抗鈾劑層。 20.如申請專利範圍第1 3項之方法，其中触刻該第一與 第二罩幕材料層的過程是各向異性、乾燥氧化物蝕刻過程 〇 2 1 .如申請專利範圍第.1 2項之方法，其中該第一溝槽罩 幕孔徑之最小尺寸的範圍是自0.4至0.8微米，而該第二溝 槽罩幕孔徑之最小尺寸的範圍是自0.2至0.6微米。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

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