TR201809457T4 - Saptırıcı plakalar içeren bir yaş yıkayıcı ve bir proses gazının temizlenmesine yönelik bir yöntem. - Google Patents

Saptırıcı plakalar içeren bir yaş yıkayıcı ve bir proses gazının temizlenmesine yönelik bir yöntem. Download PDF

Info

Publication number
TR201809457T4
TR201809457T4 TR2018/09457T TR201809457T TR201809457T4 TR 201809457 T4 TR201809457 T4 TR 201809457T4 TR 2018/09457 T TR2018/09457 T TR 2018/09457T TR 201809457 T TR201809457 T TR 201809457T TR 201809457 T4 TR201809457 T4 TR 201809457T4
Authority
TR
Turkey
Prior art keywords
level system
spray level
gas
spray
nozzles
Prior art date
Application number
TR2018/09457T
Other languages
English (en)
Inventor
Håkansson Rikard
Original Assignee
General Electric Technology Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Technology Gmbh filed Critical General Electric Technology Gmbh
Publication of TR201809457T4 publication Critical patent/TR201809457T4/tr

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D47/00—Separating dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent
    • B01D47/06—Spray cleaning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D3/00—Distillation or related exchange processes in which liquids are contacted with gaseous media, e.g. stripping
    • B01D3/008—Liquid distribution
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/46—Removing components of defined structure
    • B01D53/48—Sulfur compounds
    • B01D53/50—Sulfur oxides
    • B01D53/501—Sulfur oxides by treating the gases with a solution or a suspension of an alkali or earth-alkali or ammonium compound
    • B01D53/504—Sulfur oxides by treating the gases with a solution or a suspension of an alkali or earth-alkali or ammonium compound characterised by a specific device
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
    • B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
    • B01D53/74—General processes for purification of waste gases; Apparatus or devices specially adapted therefor
    • B01D53/77—Liquid phase processes
    • B01D53/79—Injecting reactants
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23J—REMOVAL OR TREATMENT OF COMBUSTION PRODUCTS OR COMBUSTION RESIDUES; FLUES 
    • F23J15/00—Arrangements of devices for treating smoke or fumes
    • F23J15/003—Arrangements of devices for treating smoke or fumes for supplying chemicals to fumes, e.g. using injection devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2247/00—Details relating to the separation of dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent
    • B01D2247/04—Regenerating the washing fluid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2247/00—Details relating to the separation of dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent
    • B01D2247/08—Means for controlling the separation process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2247/00—Details relating to the separation of dispersed particles from gases, air or vapours by liquid as separating agent
    • B01D2247/10—Means for removing the washing fluid dispersed in the gas or vapours
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2251/00—Reactants
    • B01D2251/40—Alkaline earth metal or magnesium compounds
    • B01D2251/404—Alkaline earth metal or magnesium compounds of calcium
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01D—SEPARATION
    • B01D2258/00—Sources of waste gases
    • B01D2258/02—Other waste gases
    • B01D2258/0283—Flue gases
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23J—REMOVAL OR TREATMENT OF COMBUSTION PRODUCTS OR COMBUSTION RESIDUES; FLUES 
    • F23J2215/00—Preventing emissions
    • F23J2215/20—Sulfur; Compounds thereof
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23J—REMOVAL OR TREATMENT OF COMBUSTION PRODUCTS OR COMBUSTION RESIDUES; FLUES 
    • F23J2215/00—Preventing emissions
    • F23J2215/50—Carbon dioxide
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F23—COMBUSTION APPARATUS; COMBUSTION PROCESSES
    • F23J—REMOVAL OR TREATMENT OF COMBUSTION PRODUCTS OR COMBUSTION RESIDUES; FLUES 
    • F23J2219/00—Treatment devices
    • F23J2219/40—Sorption with wet devices, e.g. scrubbers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E20/00—Combustion technologies with mitigation potential
    • Y02E20/32—Direct CO2 mitigation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Treating Waste Gases (AREA)
  • Gas Separation By Absorption (AREA)

Abstract

Bir proses gazının temizlenmesine yönelik kullanışlı bir yaş yıkayıcıdır (1), bir yaş yıkayıcı kulesi (2) içindeki birinci sprey seviye sisteminin (20) dikey olarak üstünde düzenlenen en az birinci bir sprey seviye sistemi (20) ve ikinci bir sprey seviye sistemi (26) içerir. Birinci sprey seviye sistemi (20), ikinci sprey seviye sistemi (26) aracılığıyla atomize edilen ve yaş yıkayıcı kulesi (2) içerisinde aşağı yönde akan absorpsiyon sıvısının saptırılmasına yönelik çalışan en az bir gaz-sıvı temas plakası (38) içerir, bu şekilde saptırılan absorpsiyon sıvısı (AL), birinci sprey sistemi (20) tarafından atomize edilen absorpsiyon sıvısı tarafından temas edilen bir proses gazına (F) temas edebilir.

Description

TARIFNAME SAPTIRICI PLAKALAR IÇEREN BIR YAS YIKAYICI VE BIR PROSES GAZININ TEMIZLENMESINE YÖNELIK BIR YÖNTEM Bulusun Sahasi Mevcut bulus, bir proses gazinin, bir yas yikayici kulesi, bir absorpsiyon sivisinin nozüller tarafindan atomizasyona yönelik tedarik edildigi nozüller ile birlikte yas yikayici kule içerisinde birinci bir sprey seviye sistemi ve ikinci sprey sistemi içinde yer alan nozüller tarafindan atomizasyona yönelik bir absorpsiyon sivisinin tedarik edildigi yas yikayici kulesi içindeki birinci sprey seviye sistemi üzerinde düzenlenen ikinci bir sprey seviye sistemi içeren bir yas yikayici araciligiyla bir proses gazinin temizlenmesine yönelik bir yöntem ile ilgilidir.
Mevcut bulus ayrica bir proses gazinin temizlenmesine yönelik kullanisli olan bir yas yikayici ile ilgilidir.
Bulusun Altyapisi Bir enerji santrali gibi bir yanma tesisinde, kömür, yag, turba, atik, vb. gibi bir yakitin yanmasi, digerlerinin yaninda, sülfür dioksit, 802, gibi sülfür oksitler, SOK, ve karbon dioksit, C02, içeren bir sicak proses gazi olusturur. Sülfür dioksit bir çevre kirleticidir.
Bu nedenle, proses gazinin atmosfere birakilmasi öncesinde bir proses gazinin içinde bulunun sülfür dioksitin en az bir kisminin uzaklastirilmasi gereklidir. Ayrica, karbon dioksit gazinin negatif çevresel etkileri üzerine daha fazla odaklanilmasiyla, proses gazlari içerisinden, atmosfere salinmadan önce, karbon dioksitin de uzaklastirilmasi önemli hale gelmistir. düzenlendigi bir yas yikayiciyi açiklar. Perforeli plakanin her bir perforasyonu, bir püskürtme nozülünden spreylenen bir absorpsiyon sivisi konisi ile hizalidir. proses gazi basinç düsüsü verebilir, bu, tam olarak sülfür dioksit uzaklastirma etkinliginin bir göstergesi degildir.
Bulusun kisa açiklamasi Bulus, burada referans edilmesi gerekli olan bagimsiz istemler tarafindan tanimlanir.
Opsiyonel düzenlemeler, bagimli istemler içinde saglanir.
Mevcut bulusun bir amaci, bir yas yikayicinin ve yas yikayicinin, bir proses gazini, eski teknigin yas yikayicisina göre ve yas yikayicinin eski teknige göre kullanim yöntemine göre daha etkin sekilde yikamak üzere kullanilmasina yönelik bir yöntemin saglanmasidir.
Bu amaç, bir yas yikayici kulesi, bir absorpsiyon sivisinin nozüller tarafindan atomizasyona yönelik tedarik edildigi nozüller ile birlikte yas yikayici kulesi içerisinde birinci bir sprey seviye sistemi ve ikinci sprey sistemi içinde yer alan nozüller tarafindan atomizasyona yönelik bir absorpsiyon sivisinin tedarik edildigi yas yikayici kulesi içindeki birinci sprey seviye sistemi üzerinde düzenlenen ikinci bir sprey seviye sistemi içeren bir yas yikayici araciligiyla bir proses gazinin temizlenmesine yönelik söz konusu yöntem araciligi ile gerçeklestirilir, yöntem, saptirilan absorpsiyon sivisinin, birinci sprey seviye sisteminin en az bir nozülü tarafindan atomize edilen absorpsiyon sivisi tarafindan temas edilmis olan proses gazi ile temas içine sokmak üzere, yas yikayici kulesi içinde asagi dogru akan ikinci sprey seviye sisteminin nozülleri araciligiyla atomize edilen absorpsiyon sivisinin, birinci sprey seviye sisteminin en az bir nozülünün dikey olarak yukarisinda yer alan bir gaz-sivi temas plakasi araciligiyla, birinci sprey sisteminin en az birinin yakinlarindan saptirilmasini içerir.
Söz konusu yöntemin bir avantaji, saptirilan absorpsiyon sivisi ve birinci sprey seviye sisteminin en az bir nozülü tarafindan atomize edilen absorpsiyon sivi ile temas eden proses gazi arasindaki baglantinin, absorpsiyon sivisi ve proses gazinin bir "bulutu" olarak refere edilebilecek olani olusturan yogun bir sivi/gaz karisimina neden olmasidir. Bu absorpsiyon sivisi ve proses gazi bulutu, yas yikayici kulesi içindeki absorpsiyon sivi tarafindan, sülfür dioksit ve karbon dioksit gibi kontaminantlarin oldukça etkili bir absorpsiyonunu verir.
Bir düzenlemeye göre, yas yikayici kulesi içinden yukari dogru akan proses gazi, birinci sprey seviye sistemi nozülleri tarafindan atomize edilen absorpsiyon sivisi ile temas eder.
Bulusun yöntemine göre, ayri bir gaz-sivi temas plakasi, tüm sprey seviye sistemi nozüllerinin en az yarisinin her birinin dikey olarak üstündeki yas yikayici kulesi içinde düzenlenir. Gaz-sivi temas plakalari, absorpsiyon sivisini. gaz-sivi temas plakalarinin yaninda yer alan tüm birinci sprey seviye sistemi nozüllerinin en az yarisinin her birinden saptirir. Bu düzenlemenin bir avantaji, proses gazindan kontaminantlarin uzaklastirilmasinin, aralarinda bos alanlar ile düzenlenen bitisik gaz-sivi toplama plakalarinin absorpsiyon sivisinin saptirilmasina ve proses gazi le karistirilmasina neden oldugu durumda, oldukça etkili hale gelir.
Bir yöntem düzenlemesine göre, yas temizleyici kulesi içerisinde ayni yatay düzlem içerisinde düzenlenen bitisik gaz-sivi temas plakalari arasindaki bos alan, proses gazinin açik alanlar içerisinden yukari yönde, 5-15 m/s degerinde dikey proses gazi hizinda akmasina olanak verir. 5 m/s'den daha az dikey proses gazi hizlari ile, absorpsiyon sivisi ve proses gaz karismasinin daha az etkili olma egilimi vardir. 15 m/siden daha yüksek dikey proses gazi hizlari ile, yas yikayici kulesi içerisindeki proses gazi basinç düsüsü, kabul edilemeyecek derecede yüksek seviyelere çikma egilimine sahiptir. Bu tür yüksek basinç düsüsü seviyeleri, proses gazinin yas yikayici kulesi içerisinden ve disina dogru geçirilmesine yönelik gerekli olan yüksek enerji miktari nedeniyle kabul edilemez. Ayrica, daha yüksek dikey proses gazi hizlarinda, saptirilan absorpsiyon gazinin büyük bir kismi, proses gazi içerisinde sürüklenir, bu, yas yikayici kulesi duman gidericisi üzerinde yüksek sivi yüklerine neden olur, potansiyel olarak yas yikayicidan yüksek derecede absorpsiyon sivisi kaybina yol açar.
Bir yöntem düzenlemesine göre, en az bir damper, en az bir gaz-sivi temas plakasina bitisik sekilde düzenlenir. Söz konusu yöntem ayrica, damperin ayarlanmasiyla, en az bir gaz-sivi temas plakasi tarafindan saptirilan absorpsiyon sivisina temas eden proses gazinin dikey hizinin kontrol edilmesini içerir. Bu düzenlemenin bir avantaji, saptirilmis absorpsiyon sivisini içeren proses gazinin dikey proses gazi hizi, damperin konumlandirilmasinin ayarlanmasiyla, 5-15 m/s gibi uygun bir hiza ayarlanabilir.
Mevcut bulusun diger bir amaci, eski teknigin yas yikayicisina göre, bir proses gazindan kontaminantlarin uzaklastirilmasinda daha etkili bir yas yikayicinin saglanmasidir.
Bu amaca, bir proses gazinin temizlenmesine yönelik bir yas yikayici araciligiyla ulasilir. Söz konusu yas yikayici, nozüller tarafindan atomizasyona yönelik bir absorpsiyon sivisinin tedarik edilebilecegi bir yas yikayici kulesi içinde nozüller ile birlikte en az birinci bir sprey seviye sistemi, ikinci sprey seviye sistemi içinde bulunan nozüller tarafindan atomizasyona yönelik bir absorpsiyon sivisinin tedarik edilebilecegi birinci sprey seviye sisteminin üstündeki yas yikayici kulesi içerisinde düzenlenen ikinci bir sprey seviye sistemi ve birinci ve ikinci sprey seviye sistemini muhafaza eden ve yas yikayici kulesinin alt kisminda düzenlenen bir proses gazi girisi ve yas yikayici kulesinin üst ki3minda düzenlenen bir proses gazi çikisi içeren bir yas yikayici kulesi içerir. Birinci sprey seviye sistemi, birinci sprey seviye sistemi nozüllerinin en az birinin üstünde yer alan en az bir gaz-sivi temas plakasi içerir. Bu en az bir gaz sivi temas plakasi, saptirilan absorpsiyon sivisinin en az bir sprey seviye sistemi nozülü tarafindan atomize edilen absorpsiyon sivisi tarafindan önceden temas edilmis olan proses gazi ile temas edebilecegi sekilde, yas yikayici içerisinde ikinci sprey seviye sistemi nozüllerinden asagi yönde, en az bir birinci sprey seviye sistemi nozülünden uzaga akan absorpsiyon sivisini saptirir.
Bu yas yikayici düzenlemesinin bir avantaji, asagi yönde akan ikinci sprey seviye sistemi kaynakli olan absorpsiyon sivisini, birinci sprey seviye sistemi püskürtme nozülleri kaynakli olan absorpsiyon sivisi ile az önce temas içinde olan proses gazi etkili sekilde ile temasa girmeye zorlamasidir. Dolayisiyla, ikinci sprey seviye sistemi nozülleri tarafindan atomize edilen absorpsiyon sivisi ilk olarak, ikinci sprey seviye sistemi nozüllerine bitisik olan proses gazi ile etkili sekilde temas eder ve akabinde, birinci sprey seviye sistemine bitisik olan proses gazina tekrar temas etmek üzere etkili sekilde yönlendirilir.
Bulusa ait yas yikayiciya göre, söz konusu birinci sprey seviye sistemi, tüm birinci sprey seviye sistemi nozüllerinin en az yarisinin her birinin üstündeki yas yikayici kulesi içerisinde düzenlenen birtakim ayri gaz-sivi temas plakasi içerir. Daha fazla nozülün ilgili bir gaz-sivi temas plakasi ile teçhizatlandirilmasiyla, saptirilan absorpsiyon sivisi ve proses gazinin karisimi daha fazla etkili olur.
Bir düzenlemeye göre, birinci sprey seviye sistemi içerisindeki tüm gaz-sivi temas plakalarinin kombine edilmis toplam yatay yüzey alani, en az bir gaz-sivi temas plakasinin ayni yatay düzleminde ölçülmüs olmasi durumunda, yas yikayicinin iç yatay kesitsel alaninin yaklasik olarak %30 ila 75line esit olur. Tüm gaz-sivi temas plakalarinin kombine edilmis toplam yatay yüzey alaninin, tüm gaz-sivi temas plakalarinin kombine edilmis toplam yatay yüzey alanindaki bir azalmanin yas yikayici kulesi içerisinde asagi yönde akan absorpsiyon sivisinin sapmasini azaltmasi nedeniyle, yas yikayici iç yatay kesitsel alaninin en az %30'unu kaplamasi tercih edilir.
Azaltilmis sapma, saptirilan absorpsiyon sivisi ve proses gazinin karismasinda azaltilmis etkinlige esit olur. Tercihen, tüm gaz-sivi temas plakalarinin kombine edilmis toplam yatay yüzey alani, gaz-sivi temas plakasi ile ayni düzlemde ölçülmüs olmasi durumunda, yas yikayicinin iç yatay kesitsel alaninin yaklasik olarak %75'inden daha fazlasini kaplamaz. Daha yüksek gaz-sivi temas plakasi kaplamasi, basinç düsüsünde bir yükselmeye esit olur, dolayisiyla, proses gazinin yas yikayici kulesi içerisinden ve disina dogru geçisine yönelik yüksek miktarda enerji gerekir. %75'ten daha yüksek kaplama ayrica, yukari yönde akan proses gazi içerisinde sürüklenen absorpsiyon sivisi miktarini büyük ölçüde artirir, dolayisiyla, yas yikayici kulesinden absorpsiyon sivisi kaybedilmesi riskini artirir.
Bir düzenlemeye göre, en az bir gaz-sivi temas plakasinin alt yüzeyi üzerindeki bir noktadan, bunun altindaki bir nozülün bir sprey açikligina olan en kisa mesafe yaklasik olarak 0.1 ila 0.9 m'dir. Tercihen, en az bir gaz-sivi temas plakasinin alt yüzeyi üzerindeki bir noktadan, bunun altindaki bir nozülün bir sprey açikligina olan en kisa mesafe, daha kisa mesafelerin proses gazini spreyienen absorpsiyon sivisindan disari dogru erken zorlayabilmesi nedeniyle, en az 0.1 m'dir. Tercihen, en az bir gaz-sivi temas plakasinin alt yüzeyi üzerindeki bir noktadan, bunun altindaki bir nozülün bir sprey açikligina olan en kisa mesafe, yaklasik olarak 0.9 m'den daha fazla degildir.
Daha yüksek mesafeler, yas yikayici kulesinin gerekli yüksekligini, dolayisiyla, bununla iliskili yatirim ve bakim masraflarini gereksiz sekilde artirma egilimindedir. Diger bir düzenlemeye göre, en az bir gaz-sivi temas plakasinin alt yüzeyi üzerindeki bir noktadan, bunun altindaki bir nozülün bir sprey açikligina olan en kisa mesafe, yaklasik olarak 0.1 ila 0.6 midir.
Bir düzenlemeye göre, birinci sprey seviye sistemi, saptirilan absorpsiyon sivisi tarafindan temas edilen proses gazinin dikey hizinin kontrol edilmesine yönelik, en az bir gaz-sivi temas plakasina bitisik sekilde yerlestirilen en az bir ayarlanabilir damper içerir. Damperin bir avantaji, kontaminant uzaklastirma etkinliginin, dikey proses gazi hizinin kontrol edilmesi ve uygun bir aralikta tutulmasina yönelik damperin konumlandirilmasinin ayarlanmasiyla, çesitli proses gazi akislarinda gerçeklestirilebilmesidir. Diger bir düzenlemeye göre, birinci sprey seviye sistemi, en az iki bitisik gaz-sivi temas plakasi arasinda düzenlenen ve bu en az iki bitisik gaz-sivi temas plakasi ile büyük ölçüde ayni yatay düzlemde olan en az bir damper içerir. Söz konusu damper, iki bitisik gaz-sivi temas plakasi tarafindan saptirilan absorpsiyon sivisi tarafindan temas edilen proses gazinin dikey hizinin kontrol edilmesine yönelik en az iki bitisik gaz-sivi temas plakasi arasindaki açik alanin boyutunun ayarlanmasina yönelik kullanilabilir. Bu düzenlemenin bir avantaji, damperin, iki bitisik gaz-sivi temas plakasi arasindaki açik alandaki dikey proses gazi hizinin etkili sekilde kontrol edilmesine olanak vermesidir. Ayrica, söz konusu damper, oldukça düsük proses gazi akisinin oldugu durumlarda, en az bazi açik alanlarin kapatilmasina yönelik de kullanilabilir.
Bir düzenlemeye göre, bir sprey seviye sisteminin tüm gaz-sivi temas plakalarinin kombine edilmis toplam üst yüzey alani, ayni yas yikayici kulesi içerisindeki ilk bahsedilen sprey seviye sisteminin üstünde düzenlenen diger bir sprey seviye sisteminin kombine edilmis toplam üst yüzey alanindan daha düsüktür. Bu düzenleme, yas yikayici kulesi içerisinden asagi yönde akan absorpsiyon sivisi hacimlerinin, yas yikayici kulesinin üst kismina göre yas yikayici kulesinin alt kisminda daha yüksek olmasi durumunu dikkate alir. Bu nedenle, bu düzenlemenin bir avantaji, gaz-sivi temas plakalarinin, yas yikayici kulesinin absorpsiyon sivisi hacminin daha az oldugu üst kisminda düzenlenmesi durumunda, daha genis bir kombine edilmis toplam üst yüzey alanina sahip olabilmesidir.
Bir düzenlemeye göre, en az birinci sprey seviye sistemi nozülleri, buraya tedarik edilen absorpsiyon sivisinin en az yarisini asagi yönde spreyler. Absorpsiyon sivisinin en az yarisinin asagi bir yönde spreernmesi, proses gazi kontaminant uzaklastirma islemini, birinci sprey sisteminden iki belirgin ve farkli bölgeye ayirir. Birinci bir kontaminant uzaklastirma bölgesi, proses gazinin, birinci sprey seviye sistemi nozülleri tarafindan spreylenen absorpsiyon sivisina temas etmesi durumunda meydana gelir.
Ikinci bir kontaminant uzaklastirma bölgesi, birinci bölgeden sonra, birinci sprey seviye sistemi üstündeki yas yikayici kulesi içerisinde düzenlenen sprey seviye sistemleri tarafindan saptirilan absorpsiyon sivisinin, birinci bölgeden akan proses gazi ile temas etmesi durumunda meydana gelir.
Mevcut bulusun diger amaçlari ve özellikleri, asagidaki detayli açiklama ve istemler ile açik hale gelecektir.
Sekillerin kisa açiklamasi Bulusun konusu, ekli sekillere referans ile asagida daha detayli sekilde açiklanir: Sekil 1, birinci bir düzenlemeye göre bir yas yikayicinin sematik bir yan görüntüsüdür.
Sekil 2, Sekil 1'deki yas yikayicinin bir sprey seviye sisteminin hat Il - II”ye göre alinmis sematik bir tepe görüntüsüdür.
Sekil 3, bir sprey seviye sisteminin detayli özelliklerini gösteren, Sekil 1'deki alan IlI'ün genisletilmis bir sematik yan görüntüsüdür.
Sekil 4, operasyon halindeki iki sprey seviye sisteminin genisletilmis bir sematik perspektif görüntüsüdür.
Sekil 58, alternatif bir düzenlemeye göre bir sprey seviye sisteminin sematik bir tepe görüntüsüdür.
Sekil 5b, Sekil Sa'daki sprey seviye sisteminin hat Vb-Vb'ye göre alinmis bir yan görüntüsüdür.
Sekil 6, diger bir düzenlemeye göre bir sprey seviye sisteminin bir yan görüntüsüdür.
Tercih @ilen %enlemelerin Açiklamasi Sekil 1, bir yas yikayiciyi (1) gösterir. Yas yikayici (1), bir proses gazinin sülfür dioksit içeriginin en az bir kisminin, bir kömür, yag, turba, atik ve benzeri gibi bir yakitin yakilmasina yönelik çalisan bir boyler (gösterilmemistir) içinde olusturulan bir baca gazi, F, seklinde uzaklastirilmasina yönelik çalisir.
Yas yikayici (1), iç kisma (2a) sahip dikey bir açik yas yikayici kulesi (2), baca gazinin, F, akiskan olarak bagli oldugu iç kismin (2a) içerisine dogru temizlenmek üzere akmasina yönelik yas yikayici kulesinin (2) bir alt kisminda (2b) düzenlenen bir proses gazi girisi (4) ve sülfür dioksit içeriginin en az bir kisminin akiskan olarak bagli olan iç kisimdan (2a) disari dogru uzaklastirildigi temizlenmis baca gazinin, CF, akisina yönelik yas yikayici kulesinin (2) bir üst kisminda (20) düzenlenen bir proses gazi çikisi (6) içerir. Sekil 1'de dikey olarak yukari yönlü oka göre gösterildigi üzere, baca gazi (F), yas yikayici kulesinin (2) iç kismi (2a) içerisinde büyük ölçüde dikey olarak yukari yönde hareket eder.
Bir absorpsiyon sivisi tanki (8), yas yikayici kulesinin (2) alt kisminin (2b) tabaninda (2d) düzenlenir. Absorpsiyon sivisi tanki (8), akiskan olarak bagli bir oksidasyon düzenlemesi (10) ile teçhizatlandirilir. Taze kireçtasi, CaCOa, gibi bir absorban, bir kireçtasi depolama alani (14) ve bir kireçtasi tedarik borusu (14a) içeren akiskan olarak bagli bir absorban tedarik cihazindan (12) bir absorpsiyon sivi tankina (8) tedarik edilir.
Absorpsiyon sivisi tankinin (8), bir alternatif olarak, yas yikayicinin (2) disinda yer alabilecegi ve kireçtasi tedariginin, bir alternatif olarak, bir kuru toz, bir sulu karisim veya her ikisi seklinde farkli lokasyonlardan yas yikayici (1) içerisine girebilmesi tercih Yas yikayici (1) ayrica, akiskan olarak bagli olan bir absorpsiyon sivisi dolasim borusu (18) içinde dolasan birinci bir dolasim pompasi (16), bazi durumlarda bir kireçtasi sulu karisimi olarak refere edilen bir kireçtasi absorpsiyon sivisi içerir. Absorpsiyon sivisi, birinci dolasim pompasi (16) araciligiyla, akiskan olarak bagli dolasim borusu (18) içerisinden absorpsiyon sivi tankindan (8), alt kisma (2b) bitisik yas yikayici kulesinin (2) orta kisminin (2e) iç kismi (2a) boyunca yatay olarak düzenlenen akiskan olarak bagli birinci bir sprey seviye sistemine (20) pompalanir. Yas yikayici (1) ayrica, akiskan olarak bagli bir absorpsiyon sivisi dolasim borusu (24) içerisinde, akiskan olarak bagli absorpsiyon sivisi tankindan (8) bir kireç tasi absorpsiyon sivisini dolastiran ikinci bir dolasim pompasi (22) içerir. Bir absorpsiyon sivisi, ikinci dolasim pompasi (22) tarafindan, akiskan olarak bagli dolasim borusu (24) içerisinden, birinci sprey seviye sisteminin (20) üstünde yas yikayici kulesinin (2) orta kisminda (2e) iç kisim (2a) boyunca yatay olarak düzenlenen akiskan olarak bagli ikinci bir sprey seviye sistemine (26) pompalanir. Yas yikayici (1) ayrica, akiskan olarak bagli bir absorpsiyon sivisi dolasim borusu (30) içinde, akiskan olarak bagli absorpsiyon sivisi tankindan (8) bir kireçtasi absorpsiyon sivisini dolastiran üçüncü bir dolasim pompasi (28) içerir.
Absorpsiyon sivisi, üçüncü dolasim pompasi (28) tarafindan, akiskan olarak bagli dolasim pompasi (30) içerisinden, ikinci sprey sisteminin (26) üstünde yas yikayici kulesinin (2) orta kisminda (2e) iç kisim (2a) boyunca yatay olarak düzenlenen akiskan olarak bagli üçüncü bir sprey seviye sistemine (32) pompalanir. Sekil 1'de gösterilen Mesafe (CC), bir sprey seviye sisteminin orta noktasindan, örnegin, birinci sprey seviye sisteminden (20), bitisik bir sprey seviye sisteminin orta noktasina, örnegin, ikinci sprey seviye sistemine (26) ölçülerek belirlenir. Mesafe (CC) tercihen yaklasik olarak 1.25 m ila 3 m'dir. 1.25lten daha düsük bir mesafe (CC), daha düsük sülfür dioksit uzaklastirma etkinligi ile sonuçlanan, bitisik sprey seviye sistemleri arasinda istenmeyen absorpsiyon sivisi sprey etkilesimi nedeniyle, daha az tercih edilir. 3 m'den daha yüksek bir mesafe (CC), daha yüksek mesafelerin (CC) yas yikayici kulesinin (2) toplam yüksekliginde artis gerektirmesi, dolayisiyla yatirim ve isletme masrafini artirmasi nedeniyle daha az tercih edilir. Bir yas yikayicinin (1), üç sprey seviyesinden daha fazla veya daha azini, örnegin, bir yas yikayici kulesinin (2) iç kisminda (Za) düzenlenen 2 ila 10 sprey seviye sistemi içerebilmesi tercih edilir.
Birinci sprey seviye sistemi (20), buraya pompa (16) tarafindan tedarik edilen kireçtasi absorpsiyon sivisinin düzgünce dagitilmasina yönelik, birtakim akiskan olarak bagli püskürtme nozülü (36) ile teçhizatlandirilmis bir tübüler kisim (34) içerir. Absorpsiyon sivisi, yas yikayici kulesinin (2) iç kismi (2a) içerisinden yukari yönde akan absorpsiyon sivisi ve atik gaz arasindaki etkili temasin gerçeklestirilmesine yönelik, nozüller (36) tarafindan düzgünce dagitilir. Nozüllerin (36) tümü veya bazilari, örnegin, Spraying Systems Co, Wheaton, IIIinois, ABD'den tedarik edilebilen Model 22298-20F- SILCNBYS-120 tipi ile ayni olabilir. Bu tipteki püskürtme nozülü, 17000 litre/saat veya 280 litre/dakikaya karsilik gelen yaklasik 17 m3/saat degerindeki bir sivi akisi ile, su kullanilarak ölçülen yaklasik 0.5 bar degerindeki spreyleme basincinda çalisir.
Birinci sprey seviye sistemi (20) ayrica, birtakim gaz-sivi temas plakasi (38) içerir. Her bir gaz-sivi temas plakasi (38), asagida daha detayli açiklanmis olmak üzere, bir nozülün (36) dikey olarak üstünde yer alir.
Ikinci sprey seviye sistemi (26), birinci sprey seviye sistemine (20) benzer olmamasi durumunda benzerdir ve birtakim akiskan olarak bagli püskürtme nozülü (36) ve birtakim gaz-sivi temas plakasi (39) ile teçhizatlandirilmis bir tübüler kisim (40) içerir.
Ikinci sprey seviye sisteminin (26) gaz-sivi temas plakalari (39), birinci sprey seviye sisteminin (20) gaz-sivi temas plakalari (38) ile ayni sekle ve boyuta sahip olabilir veya farkli bir sekle ve/veya boyuta sahip olabilir. Bir alternatife göre, en azindan bazi gaz- sivi temas plakalarinin (39) tepe kismi (39a), gaz-sivi temas plakalarinin (38) en az bazilarinin tepe kismina (38a) göre daha genis bir yüzey alanina sahip olabilir. Üçüncü sprey seviye sistemi (32), birtakim püskürtme nozülü (36) ile teçhizatlandirilmis bir tübüler kisim (42) içerir. Üçüncü ve en tepedeki sprey seviye sistemi (32), herhangi bir gaz-sivi temas plakasi olmadan düzenlenebilir.
Bir duman giderici (44), üçüncü Sprey seviye sistemi (32) üzerinde yer alir. Proses gazi çikisina (6) bitisik tepe kisminda (20) iç kisim (2a) boyunca yatay olarak düzenlenen duman gidericisi (44), temizlenmis atik gaz, CF, tarafindan sürüklenen absorpsiyon sivisi damlaciklarinin en az bir kismini uzaklastirir. Bu nedenle, absorpsiyon sivi damlaciklari, temizlenmis atik gazin, proses gazi çikisi (6) içerisinden yas yikayiciyi (1) terk etmesi öncesinde, yas yikayicinin (2) iç kismi (2a) içerisinden yukari yönde akmasiyla, temizlenmis atik gazdan (CF) uzaklastirilir.
Yas yikayici (1) içerisinde, atik gaz içerisindeki sülfür dioksit, 802, sonrasinda alçitasi, CaSO4, olusturmak üzere oksitlenecek olan kalsiyum sülfür, CaSOs, olusturmak üzere, absorpsiyon sivisi seklindeki kireçtasi, CaCOs, ile reaksiyona girer. Kalsiyum sülfürün oksidasyonu tercihen, oksidasyon düzenlemesi (10) kullanilarak absorpsiyon sivisi içerisinden hava veya oksijen gazinin kabarciklandirilmasiyla gerçeklestirilir. Bu nedenle, absorpsiyon sivisi, kireçtasina ek olarak ayrica küçük miktarlarda kalsiyum sülfür ve majör bilesen olarak alçitasi içerir. Bu proses araciligiyla olusturulan alçitasi, yas yikayicidan (1), akiskan olarak bagli bir bosaltma borusu (46) araciligiyla, sematik olarak bant filtre (48) olarak gösterilen akiskan olarak bagli bir alçitasi susuzlastirma birimine uzaklastirilir. Susuzlastirilan alçitasi, örnegin duvar levhasi üretiminde ticari olarak kullanilabilir.
Sülfür dioksite, 802, ek olarak, yas yikayici (1), atik gazdan baska kontaminantlari da, en azindan kismen, uzaklastirir. Bu tür diger kontaminant örneklerine, sülfür trioksit, 803, hidroklorik asit, HCI, hidroflorik asit, HF, ve diger asidik proses kontaminatlari dahildir. Ayrica, yas yikayici (1) ayrica, en azindan kismi olarak, atik gazdan, örnegin toz partikülleri ve civa gibi diger kontaminant tiplerini de uzaklastirabilir.
Sekil 2, Sekil 1`deki hat ll-ll boyunca alinan, birinci sprey seviye sisteminin (20) genisletilmis bir üst görüntüsünü gösterir. Ikinci sprey seviye sistemi (26) (gösterilmemistir), birinci sprey seviye sistemi (20) olarak gösterilen ayni temel dizayna sahiptir. Sekil 2ide gösterildigi üzere, tübüler kisim (34), tübüler kisim (34) ile birlikte ve bundan uzanan bir "izgara" olusturan birtakim akiskan olarak bagli dik tübüler uzantilar (50) ile teçhizatlandirilir. Püskürtme nozülleri (36), birinci sprey seviyesinin (20) nozüllerinin (36), yas yikayicinin (2) tüm yatay kesiti üzerinde esit sekilde dagitilmasina yönelik, tübüler kisma (34) ve tübüler uzantilara (50) akiskan olarak baglidir.
Sekil 2'de gösterilen düzenlemede, her bir nozül (36), tek bir ilgili gaz-sivi temas plakasi (38) ile kaplanir. Sekil 2'de gösterilen düzenlemede, birinci sprey seviye sistemindeki (20) nozüllerin (36) toplam sayisi 13'tür. Uygun herhangi bir sayidaki nozülün (36) kullanilabilir olmasi tercih edilir. Ayrica, bir nozül (36), durumun Sekil 2'de gösterildigi gibi olabilmesi nedeniyle, direkt olarak tübüler kisma (34) veya tübüler uzantiya (50) bagli olabilir veya kendiliginden bilinen bir yolla akiskan olarak bagli bir baglanti borusu araciligiyla bir kisma (34) veya bir uzantiya (50) bagli olabilir. Tipik olarak, her bir sprey seviye sistemindeki (20) nozül (36) sayisi, yaklasik 4 ila yaklasik 500 arasinda degiskenlik gösterir. Ayrica, her bir nozül (36) üstünde tek bir ilgili gaz- sivi temas plakasinin (38) düzenlenmesi gerekli degildir. Örnegin, nozüllerin (36) bazilari üstünde, örnegin, Sekil 2'de gösterilen 13 nozülün (36) 5 ila 10'Ü üstünde, gaz- sivi temas plakasi (38) düzenlenmesi yeterlidir. Bir sprey seviye sisteminin (20) nozüllerinin (36) en az yarisinin her birinin üstünde, tek bir ilgili gaz-sivi temas plakasinin (38) düzenlenmesi tercih edilebilir. Daha tercihen, bir sprey seviye sisteminin (20) tüm nozüllerinin (36) en az %75'i, bunun üzerinde tek bir ilgili gaz-sivi temas plakasi (38) ile teçhizatlandirilabilir.
Bir yas yikayicinin (2) iç kisminin (2a), sprey seviye sisteminin (20) gaz-sivi temas plakalarinin (38) seviyesinde ölçülen iç çapi, di, Sekil 2'de açiklanan örnekte 5 m'dir.
Dolayisiyla, yas yikayicinin (2) iç kisminin (2a), sprey seviye sisteminin (20) gaz-sivi temas plakalarinin (38) seviyesinde ölçülen yatay kesitsel alani yaklasik 20 mz'dir plakasi (38), tepeden bakista, serbest dört kenar (38b) ile bagli bir düzlemsel üst yüzey (3881) ile birlikte, büyük ölçüde karedir. Dört serbest kenarin (38b) her biri, yaklasik olarak 0.85 m uzunluga (L) sahiptir. Bu nedenle, üst yüzeyin (38a) alani 0.72 mz'dir (L2 plakalari (38), yas yikayici (2) iç kisminin (2a), sprey seviye sisteminin (20) gaz-sivi temas plakalarinin (38) seviyesinde ölçülen yatay kesitsel alaninin toplamda 9.36 m2 / m2 = %47'sini kaplar. Sprey seviye sisteminin (20) gaz-sivi temas plakalarinin (38) kombinasyon içinde, yas yikayici (2) iç kisminin (2a). sprey seviye sisteminin (20) gaz- sivi temas plakalarinin (38) seviyesinde ölçülen yatay kesitsel alaninin %30`u ila 75'ini olusturdugu bulunmustur.
Bir düzenlemeye göre, belirli bir sprey seviye sisteminin kombine edilmis tüm üst yüzeylerinin (38a) toplami, yas yikayici kulesi (2) içerisinde atik gaz akisi ile sprey seviye sisteminden sprey seviye sistemi hareket edilmesiyle artar. Bu nedenle, örnegin, ikinci sprey seviye sisteminin (26) gaz sivi temas plakalarinin (39) üst yüzeyleri (39a), kombine edilmis toplam 11 rn2 alana sahip olabilir. Dolayisiyla, gaz-sivi temas plakalari (39), yas yikayici (2) iç kisminin (2a), ikinci sprey seviye sisteminin (26) gaz sivi temas kaplar. Bu, birinci sprey seviye sisteminin (20) gaz-sivi temas plakalari (38) tarafindan kaplanan %47 ile karsilastirilir. Bu tür bir dizaynin nedeni, bir sprey seviye sistemi alt kisma (2b) ne kadar yakin düzenlenirse, 0 kadar absorban sivi mevcut olur, bu, daha fazla açik alana gereksinim ortaya çikarir.
Sekil 3, sprey seviye sistemini (20) daha ayrintili sekilde gösteren Sekil 1'deki alan lll'ün genisletilmis bir yan görüntüsüdür. Her bir gaz-sivi temas plakasi (38), tübüler uzantiya (50) akiskan olarak bagli ilgili bir nozül (36) üzerinde merkezlenir. Dikey mesafe, HP, bir nozül (36) sprey açikligindan (52), ilgili gaz-sivi temas plakasinin (38) üst yüzeyindeki (38d) en yakin noktaya kadar dikey mesafedir. Mesafe (HP) tipik olarak yaklasik olarak 0.1 ila 0.9 m'dir, çogunlukla yaklasik olarak 0.1 ila 0.6 m'dir. Nozüller (36), buraya tedarik edilen absorpsiyon sivisinin en az bir kisminin, yas yikayici kulesinin (2) iç kismi (2a) içerisinde asagi dogru bir yönde spreylenmesine yönelik düzenlenir. Bir düzenlemeye göre, nozüllere (36) tedarik edilen absorpsiyon sivisinin en az yarisi, asagi dogru bir yönde spreylenir.
Bir düzenlemeye göre, nozüllere (36) tedarik edilen absorpsiyon sivisinin büyük ölçüde tümü, asagi dogru bir yönde spreylenir.
Sekil 4, çalisma esnasinda, sprey seviye sistemlerinin (20, 26) perspektif görüntüsünü gösterir. Birinci seviye sisteminin (20) nozülleri (36), buraya tedarik edilen absorpsiyon sivisini atomize eder ve bir absorpsiyon sivisi sprey dumani (SC) olusturur. Tipik olarak, nozüller (36), yaklasik olarak 60° ila 180°, ve daha tipik olarak yaklasik olarak 90° ila 130° degerindeki bir absorpsiyon sivisi sprey açisi (oi) saglar. Sekil 4'te gösterildigi üzere, birinci sprey seviye sisteminin (20) nozüllerinden (36) püskürtülen absorpsiyon sivisinin momentumu altinda, atik gaz (F), nozüllerden (36) uzaga, bitisik nozüller (36) arasindaki açik alanlara dogru zorlanir. Bu nedenle, atik gaz (F), nozüllerden (36) mümkün oldugunca uzaga akar. Ikinci ve üçüncü sprey seviye sistemlerinin (26 ve 32) nozülleri (36) tarafindan püskürtülen, Sekil 4'te gölgeli oklar (AL) ile gösterilen absorpsiyon sivisi, gaz-sivi temas plakalarinin (38) üst yüzeyine (38a) en azindan kismi olarak temas eden yas yikayici kulesi (2) içerisinde asagi yönde akar. Akabinde absorpsiyon sivi (AL), gaz-sivi tema plakalarinin (38) arasindaki Açik alanlar (OS), birinci sprey seviye sisteminin (20) nozüllerinden (36) püskürtülen absorpsiyon sivisinin momentumu nedeniyle, atik gazin (F) akis yörüngesi ile karsilasir. Açik alanlarda (OS), atik gaz (F) ve absorpsiyon sivisinin (AL) yogun bir karisimi gerçeklesir. Bu tür bir yogun karisim, açik alanlara (OS) bitisik olan "bulutlar" C olarak kabul edilebilecek olanin olusumuna yol açar. Açik alanlarda (OS), atik gaz (F), yas yikayici kulesinin (2) iç kisminin (2a) büyük bir kisminin gaz-sivi temas plakalari (38) tarafindan kaplanmasi nedeniyle, nispeten yüksek bir dikey atik gaz hizina sahip olur. Tipik olarak, dikey atik gaz hizi, açik alanlarda (OS), yaklasik olarak ila 15 m/s, çogunlukla 6 ila 10 m/s olabilir. Açik alanlardaki (OS) dikey atik gaz hizi, örnegin, örnegin sprey seviye sisteminin (20) hemen altindaki noktada (P) ölçülen veya genel tesis kontrol sisteminin sensörlerinden elde edilen, kule (2) içinde ölçülen gaz akisindan hesaplanabilir ve bu sekilde m3/s biriminde ölçülen gaz akisinin, yas yikayici (2) toplam açik iç kisminin (2a), gaz-sivi temas plakalari (38) seviyesinde ölçülen yatay kesitsel alanina bölünmesi ile hesaplanabilir. Dikey atik gaz hizi, sprey seviye sisteminin (20) hemen altinda noktada (P) geçerli olan gerçek gaz sicakligi, gerçek gaz basinci ve gerçek gaz bilesiminde ölçülen gerçek gaz hizidir. Nokta (P) uygun sekilde, yas yikayici kulesinin (2) iç kisim (2a) kesitsel alaninin hiçbir kisminin, tübüler uzantilar (50), nozüller (36), plakalar (38) veya benzeri tarafindan kaplanmadigi bir dikey seviyede yer alir. Bu nedenle, nokta (P), iç kismin (Za) bir "bos zemini" olarak refere edilebilecek olanda yer alir, bu, noktada (P) ölçülen atik gaz hizinin, hiçbir iç yapinin mevcut olmadigi durumda, yas yikayici kulesi (2) içinde geçerli olacak olan atik gaz hizini ifade ettigi anlamina gelir. Yukarida saglanan örnek kullanilarak, plakalar (38) seviyesindeki yas yikayici kulesi (2) toplam açik iç kisim (2a) yatay kesitsel alan, iç yas yikayici yatay kesitsel alani eksi gaz-sivi temas plakalarinin (38) üst yüzeyinin (38a) toplam yatay yüzey alani seklinde hesaplanir. Mevcut örnekte, iç yas yikayici toplam P'de ölçülmüs olmak üzere 80 m3/s degerindeki bir kule (2) içinden toplan gaz akisi ile m/sydir.
Açik alanlarda (08) bu kadar yüksek dikey atik gaz hizi ile birlikte, ikinci ve üçüncü sprey seviye sistemlerinden (26, 32) açik alanlara (OS) giren absorpsiyon sivisi (AL), ati gazdan (F) yavasça dagilir, temizlenir veya süzülür. Yavas absorpsiyon sivisi (AL) dagilimi, açik alanlara (OS) bitisik ve bunlarin üzerinde “bulutlarin" (C) olusumu ile sonuçlanir. Bulutlar (C), kolay sekilde dagilamayan veya süzülemeyen absorpsiyon sivisi (AL) ile karistirilmis atik gaz (F) içerir. Bu nedenle, bulutlar (C), neredeyse yas yikayici kulesi (2) içerisindeki türbülans kabarciklandirma yataklarina benzer. Bulutlar (C) içinde absorpsiyon sivisi (AL) ve atik gazin (F) yogun karisimi, yüksek sülfür dioksit absorpsiyon seviyelerine ve bu sekilde, atik gazdan (F) sülfür dioksitin etkin sekilde uzaklastirilmasina yol açar. Absorpsiyon sivisi (AL), Sekil 4'te gösterilen buluttan (C) akis (D) olarak olasi olarak süzülür. Ancak, absorpsiyon sivisi (AL), buradan süzülmeden önce bulutlar (C) içerisinde nispeten uzun bir ortalama kalma süresine sahiptir.
Yas yikayici kulesi (2) içerisinde, nozüller (36), buraya tedarik edilen absorpsiyon sivisinin en az yarisinin asagi dogru bir yönde spreylenecegi sekilde düzenlenir.
Aslinda, Sekil 4'te gösterildigi üzere, absorpsiyon sivisinin tümü genel olarak asagi dogru bir yönde spreylenebilir. Absorpsiyon sivisinin sprey bulutu (SC) içerisinde, birinci sprey seviye sistemi (20) nozüllerinden (36) genel olarak asagi dogru bir yönde spreylenmesi, sülfür dioksitin atik gazdan ayrilmasini, birinci sprey seviye sisteminin (20) sülfür dioksit absorpsiyonunun iki belirgin ve ayri bölgesine ayirir. Birinci bir bölge, birinci sprey seviye sisteminin (20) nozüllerinden (36) spreylenen absorpsiyon sivisina temas eden atik gaz (F) üzerinde olusan sprey bulutudur (SC). Ikinci bir bölge, birinci bölgeden akan atik gaza (F), yani, birinci sprey seviye sisteminin (20) nozüllerinden (36) gelen sprey bulutundaki (SC) absorpsiyon sivisi ile hemen önce temas eden atik gaza (F), temas eden sprey seviye sistemlerinden (26, 32) saptirilan absorpsiyon sivisindan (AL) olusan buluttur (C).
Sekiller 5a ve 5b, bir alternatif düzenlemeye göre bir sprey seviye sistemini (120) açiklar. Sekiller 5a ve 5b'nin, yukarida Sekiller 1-4'e referansla açiklanan sprey seviye sisteminin (20) özellikleri ile benzer olan özelliklerine ayni referans numaralari verilmistir. Sekil 5a, bir sprey seviye sisteminin (120) tepeden görüntüsünü gösterir. Bir tübüler kisim (34), tübüler kisimdan (34) uzanan bir "izgara" olusturan birtakim akiskan olarak bagli tübüler uzantilar (50, 151) ile saglanir. Birtakim püskürtme nozülü (36), nozüllerin (36) yas yikayici kulesinin (2) tüm yatay kesiti üzerinde daha esit sekilde dagitilacagi sekilde, tübüler kisma (34) ve tübüler uzantilara (50, 151) akiskan olarak baglidir. Her bir nozül (36), bir gaz-sivi temas plakasinin (38) yaninda, yukarida Sekil 2'ye referans ile açiklanana benzer sekilde düzenlenir.
Sprey seviye sistemi (120), birinci bir damper düzenlemesi (152) ve ikinci bir damper düzenlemesi (154) ile saglanir. Her bir damper düzenlemesi (152, 154), yas yikayici kulesi (2) boyunca yatay olarak uzanir. Birinci ve ikinci damper düzenlemeleri (152, 154), bir merkezi tübüler uzantinin (151) her iki tarafinda uzanir. Birinci ve ikinci damper düzenlemesinin (152, 154) her biri, yas yikayici kulesinin (2) içerisinde, bir damper biçagi (156) ve bir yatay damper safti (158) seklindeki bir damper içerir.
Ayrica, birinci ve ikinci damper düzenlemesinin (152, 154) her biri, damper biçagini (156) istenen sekilde yerlestirmek üzere yatay damper saftinin (158) döndürülmesine yönelik, yas yikayici kulesinin (2) disarisinda düzenlenen bir damper motoru (160) Sprey seviye sisteminin (120) Sekil 5a'daki oklar (Vb-Vb) yönünde alinan bir yan görüntüsünü gösteren Sekil 5b, merkezi tübüler uzantinin (151) her iki tarafinda düzenlenen birinci ve ikinci damper düzenlemelerini (152, 154) açiklar. Düzenlemelerin temas plakalari (38) ile büyük ölçüde ayni yatay düzlemde düzenlenir. Sekil 5a'daki motorlar (160) kullanilarak damper saftlarinin (158) döndürülmesi ile, damper biçaklarinin (156) yatay düzlemine göre açisi ([3) ayarlanabilir. Damper biçaklarinin (156) açisi (ß), gaz-sivi temas plakalari (38) arasindaki açik alanlarin (OS) genisligini etkiler. Bu nedenle, açinin (ß) yaklasik 90° olmasi durumunda, damper biçaklarinin (156), açik alanlar (OS) içerisinden atik gaz (F) akisi üzerinde çok az etkiye sahip olur.
Yaklasik 90° bir açi (ß) tipik olarak, bir yas yikayici kulesinin (2) tam atik gaz (F) akis yükümde çalistirilmasi durumunda kullanilir. Açinin (ß), örnegin Sekil 5b'de açiklandigi üzere yaklasik 40°'ye azaltilmasi durumunda, açik alanlar (08) büyük ölçüde azaltilir, bunun sonucunda, damper biçaklarinin (156) bitisiginde yer alan açik alanlar (OS) içerisinden daha yüksek atik gaz (F) akisina yol açilir. Bu nedenle, 90°'den daha düsük bir açi ((3), yas yikayici kulesinin (2) daha düsük bir akis yükü ile, örnegin, %75 atik gaz (F) akis yükü ile çalismasi durumunda kullanilabilir. Açinin (ß) ayarlanmasiyla, açik alanlar (OS) içerisinden dikey gaz akis hizi, yaklasik 5 m/s ile yaklasik 15 m/s arasindaki istenen bir aralikta ayarlanabilir. Ayrica, yas yikayici kulesinin (2) daha düsük yükte çalistirilmasi durumunda, açi ([3), uygun sekilde ayarlanabilir. Hatta açi (ß), 0°`ye düsürülebilir. Bunun gibi bir durumda, damper biçaklarinin (156) bitisigindeki açik alanlar (OS), damper biçaklari (156) tarafindan tamamen veya nerdeyse bloke edilir. Ancak, Sekil 5a'da gösterildigi üzere, O°`Iik açiya (ß) ayarlanmis olmasina ragmen iki damper düzenlemesi (152, 154), gaz-sivi temas plakalarini (38) çevreleyen tüm açik alanlarin (OS) bloke edilmesine yaramaz. Atik gazin (F) akabilecegi açik alanlar (OS) hala mevcuttur. Aita kalan açik alanlardaki (OS) dikey atik gaz hizi, istenen 5 m/s ila 15 m/s araliginda olabilir. Arta kalan açik araliklardaki (OS) dikey atik gaz hizinin Istenen 5 m/s ila 15 m/s araliginda olmamasi durumunda, damper düzenlemeleri (152, 154), aynisinin gerçeklestirilmesine yönelik ayarlanabilir. Bu nedenle, damper düzenlemeleri (152, 154) ile birlikte, yukarida Sekil 4'te açiklanan istenen "bulutlarin" (C) olusturulmasi mümkün hale gelir. Ayrica, atik gaz yükünün, tam çalisma gaz akisindan daha düsük olmasi durumunda, damper düzenlemeleri (152, 154), istenen bulutlarin (C) korunmasina yönelik ayarlanabilir. Damper düzenlemelerinin (152, 154), atik gaz akisinin tam çalisma gaz akisinda olmasi durumunda dahi, açik araliklarin (OS) bloke edilmesi veya kismi olarak bloke edilmesine yönelik kullanilabilmesi tercih edilir. Tam çalisma gaz akisi kosullarinda açik araliklarin (OS) bloke edilmesi veya kismi olarak bloke edilmesi, uzaklastirilmasi gereken sülfür dioksit miktarinin geçici olarak artmasi durumunda yararli olabilir. Açik alanlar (OS) içerisinden daha yüksek bir dikey atik gaz hizi, bu tür kosullar altinda sülfür dioksit uzaklastirma etkinligini artirir.
Yatay plakalarin gerektigi durumda açik alanlar (08) üzerinden kaydirildigi damperler dahil diger tipteki damperlerin de kullanisli olabilmesi tercih edilir.
Sekil 6, diger bir alternatif düzenlemeye göre bir sprey seviye sistemini (220) açiklar.
Sekil 61nin, yukarida Sekiller 1-4”e referansla açiklanan sprey seviye sistemlerine (20) benzer özellikleri, ayni referans numaralari ile verilmistir. Sekil 6, sprey seviye sisteminin (220) bir yan görüntüsünü gösterir. Sekil 2”de gösterilen tübüler kisim (34) ile benzer bir tübüler kisim (34), birtakim akiskan olarak bagli tübüler uzantilar (50) ile saglanir. Birtakim püskürtme nozülü (236), akiskan olarak tübüler uzantilara (50) baglidir. Her bir nozül (236), yukarida Sekil 2`ye referansla açiklanana benzer bir yolla, bir gaz-sivi temas plakasinin (238) yaninda düzenlenir.
Nozüller (236), örnegin, Spraying Systems Co, Wheaton, Illinois, ABD'den tedarik edilebilen Dual Orifice Whirl Jet Nozzles gibi, ikili orifis nozülleri olarak adlandirilanlardir. Nozüller (236), absorpsiyon sivisini iki yönde ejekte eder. Nozüle (236) tedarik edilen Sivi miktarinin birinci bir kismi, birinci alt nozül (236) sprey açikligindan (252) püskürtülür ve ejekte edilir ve bir absorpsiyon sivisi sprey bulutu (SC1) olusturur. Sprey bulutu (SCi) genel olarak asagi yönde yönlendirilir. Nozüle (236) tedarik edilen sivi miktarinin ikinci bir kismi, ikinci üst nozül (236) sprey açikligindan (253) püskürtülür ve ejekte edilir ve bir absorpsiyon sivisi sprey bulutu (SC2) olusturur. Sprey bulutu (SC2) genel olarak yukari yönde yönlendirilir. Tipik olarak, nozüller (236), her bir yönde yaklasik olarak 60° ila 180° degerinde bir absorpsiyon sivisi sprey açisi (d) saglar. Nozüle (236) saglanan absorpsiyon sivisinin çogunlukla en az %50'si, birinci alt sprey açikligindan (252) ejekte edilir.
Gaz-sivi temas plakalari (238), sprey seviye sisteminin (220) dikey olarak üstünde yer alan bir sprey seviye sisteminden gelen absorpsiyon sivisinin, yukarida Sekil 4'e referans ile açiklanana benzer prensiplere göre gaz-sivi temas plakalarinin (238) arasindaki açik alanlara (OS) saptirilmasina yarar. Sirasiyla dikey mesafe (HP1, HP2), üst yüzeyi (238d) üzerindeki en yakin noktaya olan dikey uzakliktir. Mesafe (HP1, HP2), tipik olarak yaklasik olarak 0.1 ila 0.9 m'dir. Sekil 6'da gösterilen sekilde düzenlenmis ikili orifis nozülleri (236) ile birlikte, HP1, HP2'den daha genis olacaktir.
Sekil 6'da gösterilen düzenlemede, alt sprey açikligindan (252)i üst yüzey (238d) üzerindeki en yakin noktaya olan dikey mesafe (HP1), 02 ila 0.9 m arasinda olabilir. Üst sprey açikligindan (253), üst yüzey (238d) üzerindeki en yakin noktaya olan dikey mesafe (HP2), 0.1 ila 0.8 m arasinda olabilir.
Yukarida açiklanan düzenlemelerin çesitli varyantlarinin, ekli istemlerin kapsami içerisinde mümkün olmasi tercih edilir.
Yukarida, her bir sprey seviye sisteminin, bir üst görüntüden görüldügü üzere kare sekline sahip olan gaz-sivi temas plakalari ile teçhizatlandirilmis oldugu açiklanmistir.
Gaz-sivi temas plakalarinin ayrica, yuvarlak, üçgen, oval, dikdörtgen, diger poligon sekiller, düzensiz sekiller ve bunlarin kombinasyonu dahil karelerden farkli bir sekle sahip olabilecegi tercih edilir. Bir sprey seviye düzenlemesi kendi içinde farkli sekillerdeki gaz-sivi temas plakalari içerebilir. Örnegin, bir sprey seviye sisteminin bazi gaz-sivi temas plakalari, yas yikayici kulesi (2) olusturan bir iç dairesel duvara karsilik gelecek özel bir sekle sahip olabilir. Benzer sekilde, gaz-sivi temas plakalarinin, ilgili bir nozül üzerinde merkezlenmis olmasi gerekmez ancak bu tür bir merkezlendirilmis düzenleme tercih edilebilir. Ayrica, Sekil 2`de açiklandigi üzere tepeden görüntü durumunda, her bir gaz-sivi temas plakasi (38), burasi ile iliskili nozülün (36) tümünü tamamen kaplamasi gerektigi tercih edilir. Gaz-sivi temas plakalari (38, 39), paslanmaz çelik gibi metal dahil, lif takviyeli plastik vb. dahil çesitli plastik materyalleri dahil uygun herhangi bir materyalden imal edilebilir. Her bir gaz-sivi temas plakasinin (38, 39) plaka kalinligi, seçilen materyalin mekanik dayanimina baglidir. Çogunlukla 2-15 mm degerindeki bir plaka kalinligi uygun olacaktir.
Sekiller 1-4'e referansla gösterilen düzenlemede, yas yikayici kulesi (2) içerisinde 39) ile saglanir. Yas yikayici kulesinin (2), Istiflenmis dikey dizilimde iki ila yirmi arasindaki herhangi bir sayidaki sprey seviye sistemini içerebilmesi tercih edilir. Bu sprey seviye sistemlerinin herhangi bir sayisi, gaz-sivi temas plakalari ile saglanabilir.
Bu nedenle, örnegin, bes sprey seviye sistemi içeren bir yas yikayici kulesi (2) içerisinde, yalnizca biri, gaz-sivi temas plakalari ile saglanabilir ve bu tek sprey seviye sisteminin, yas yikayici kulesine (2) en yakin sprey seviye sistemi olmasi gerekmez.
Daha çok, örnegin, gaz-sivi temas plaklari ile saglanan tek sprey seviye sistemi, merkezi sprey seviye sistemi, yani, yas yikayici kulesinin (2) altindan üçüncü sprey seviye sistemi olabilir. Ayrica, bes sprey seviye sistemi içeren yas yikayici kulesi (2) ile birlikte, bes sprey seviye sisteminin tümünün gaz-sivi temas plakalari ile saglanmasi da mümkündür. Ancak, en üstteki sprey seviye sistemi ile birlikte gaz-sivi temas plakalarinin kullanilmasinin etkisi, daha çok sinirlidir. Bu nedenle, gaz-sivi temas plakalari, yas yikayici kulesinin (2) gerekli sülfür dioksit uzaklastirma etkinligine bagli olarak, bir yas yikayici kulesinin (2) bir veya tüm sprey seviye sistemine yönelik ve her bir sprey seviye sisteminin bir veya tüm nozüllerine yönelik yerlestirilebilir. Bu nedenle, uzaklastirma etkinliginde sinirli bir artisin yeterli olmasi durumunda, gaz-sivi temas plakalari, yalnizca bir sprey seviye sisteminde ve belki, bu sprey seviye sisteminin yalnizca bazi nozüllerine yönelik yerlestirilebilir, daha büyük bir sülfür dioksit uzaklastirma artisinin gerektigi diger durumlarda, gaz-sivi temas plakalarinin, sprey seviye sistemlerinin tümü veya neredeyse tümüne yönelik ve bu sprey seviye sistemlerinin nozüllerinin çogu veya hatta tümüne yönelik yerlestirilmesi tercih edilebilir.
Gaz-sivi temas plakalarinin, hem yeni bir yas yikayici kurulumunun yapilmasi durumunda hem de var olan bir yas yikayici kurulumunun iyilestirilmesi durumunda kullanilabilmesi tercih edilir.
Yukarida, bir proses gazindan sülfür dioksitin uzaklastirilmasina yönelik bir yöntem ve bir yas yikayici açiklanmistir. Yöntem ve yas yikayicinin ayrica, bir proses gazindan diger kontaminantlarin uzaklastirilmasina yönelik kullanilabilmesi tercih edilir. Örnegin, yöntem ve yas yikayici, bir proses gazinda karbon dioksitin kullanilmasina yönelik kullanilabilir. Bir proses gazindan karbon dioksitin uzaklastirilmasi, bu tür bir durumda çogunlukla, sülfür dioksitin uzaklastirilmasina yönelik çalisan yas yikayici ile benzer ayni tipte, ancak, sülfür dioksitin uzaklastirildigi yas yikayicinin proses gazini ilettigi yöne göre asagi yönde yer alan bir yas yikayici içinde gerçeklestirilebilir. Ayrica, alçitasi, sülfür dioksit uzaklastiran bir yas yikayici içindeki absorpsiyon sivisinin bir parçasi olabilirken, karbon dioksit uzaklastiran bir yas yikayici, baska tipteki bir absorpsiyon sivisi, örnegin, amonyumlu bir solüsyon veya bir amin solüsyonu içeren bir absorpsiyon sivisi kullanabilir. Özet olarak, proses gazi temizleyen bir yas yikayici kulesi (2), birinci bir sprey seviye sistemi (20) ve bir yas yikayici kulesi (2) içindeki birinci sprey seviye sisteminin (20) dikey olarak üstünde ayarlanan ikinci bir sprey seviye sistemi (26) içerir, her bir sprey seviye sistemi (20, 26), absorpsiyon sivisini atomize etmek üzere nozüller (36) içerir.
Birinci sprey seviye sistemi (20), birinci sprey seviye sisteminin (20) nozüllerinin (36) en az birinin dikey olarak üzerinde yer alan en az bir gaz-sivi temas plakasi (38) içerir.
Gaz-sivi temas plakasi (38), ikinci sprey sistemi (26) araciligiyla atomize edilen absorpsiyon sivisini, birinci sprey seviye sisteminin (20) en az bir nozülünün (36) yakinindan saptirir. Saptirilan absorpsiyon sivisi, birinci sprey seviye sistemi (20) tarafindan atomize edilen absorpsiyon sivisi ile önceden temasa geçirilmis proses gazi (F) ile temas içine sokulabilir.
Bulus, birtakim tercih edilen düzenlemelere referans ile açiklanmisken, teknikte uzman kisiler tarafindan, mevcut bulusun kapsami disina çikilmaksizin, çesitli degisikliklerin yapilabilecegi ve bunun elemanlarina yönelik esdegerlerin degistirilebilecegi anlasilacaktir. Ek olarak, bulusun esas kapsami disina çikilmaksizin, bulusun ögretilerine belirli bir durumun veya materyalin adapte edilmesine yönelik çesitli modifikasyonlar yapilabilir. Bu nedenle, bulusun, bulusun gerçeklestirilmesine yönelik tasarlanan en iyi mod olarak açiklanan belirli düzenlemeler ile sinirli olmamasi, ancak bulusun, ekli istemlerin kapsami içinde yer alan tüm düzenlemeleri içermesi amaçlanir.
Ayrica, birinci, ikinci, vb. terimlerinin kullanimi, herhangi bir önem sirasini belirtmez ancak, birinci, ikinci, vb. terimleri daha çok, bir elemanin digerinden ayirt edilmesine yönelik kullanilir.

Claims (1)

  1. ISTEMLER Bir yas yikayici (1) araciligiyla bir proses gazinin temizlenmesine yönelik bir yöntem olup, yas yikayici, bir yas yikayici kulesi (2), birinci sprey seviye sistemi (20) içinde yer alan nozüller (36) tarafindan atomizasyona yönelik bir absorpsiyon sivisinin tedarik edildigi nozüller (36) içeren en az birinci bir sprey seviye sistemi (20) ve yas yikayici kulesi (2) içerisinde birinci sprey seviye sisteminin (20) dikey olarak üzerinde yer düzenlenen ve ikinci sprey seviye sistemi (26) içinde yer alan nozüller (36) tarafindan atomizasyona yönelik bir absorpsiyon sivisinin tedarik edildigi nozüller (36) içeren ikinci bir sprey seviye sistemi (26) içerir, özelligi, yöntemin: saptirilan absorpsiyon sivisini birinci sprey seviye sisteminin (20) en az bir nozülü (36) tarafindan atomize edilen absorpsiyon sivisi ile temas etmis olan proses gazi (F) ile temasa geçirmek üzere, yas yikayici kulesi (2) içinde asagi yönde akan ikinci sprey seviye sisteminin (26) nozülleri (36) araciligiyla atomize edilen absorpsiyon sivisinin, birinci sprey seviye sisteminin (20) en az bir nozülünün (36) dikey olarak üstünde yer alan br gaz-sivi temas plakasi (38) araciligiyla, birinci sprey seviye sisteminin (20) en az bir nozülünün (36) yakinindan saptirilmasini içermesidir ve burada, ayri bir gaz-sivi temas plakasi (38), absorpsiyon sivisinin buradan saptirilmasina yönelik, birinci sprey seviye sisteminin (20) tüm nozüllerinin (36) en az yarisinin her birinin dikey olarak üzerinde düzenlenir. istem 1'e göre bir yöntem olup, özelligi, burada, yatay olarak bitisik gaz-sivi temas plakalari (38) arasindaki açik alanlarin (08), 5-15 m/s degerindeki bir dikey proses gazi hizinda dikey atik gaz akisina olanak vermesidir. Önceki istemlerden herhangi birine göre bir yöntem olup, özelligi, burada, en az bir damperin (152), en az bir gaz-sivi temas plakasina (38) bitisik düzenlenmesidir, yöntem ayrica, damperin (152) ayarlarinin ayarlanmasiyla dikey gaz hizinin kontrol edilmesini içerir. 4. Önceki istemlerden herhangi birine göre bir yöntem olup. özelligii burada, üçüncü sprey seviye sisteminde (32) yer alan nozüller (36) tarafindan atomizasyona yönelik bir absorpsiyon sivisinin tedarik edildigi üçüncü bir sprey seviye sisteminin (32), yas yikayici kulesinin (2) içindeki ikinci sprey seviye sisteminin (26) dikey olarak üstünde düzenlenmesidir, yöntem ayrica, yas yikayici kulesi (2) içinde asagi yönde akan üçüncü sprey seviye sisteminin (32) nozülleri (36) araciligiyla atomize edilen absorpsiyon sivisinin, ikinci sprey seviye sisteminin (26) en az bir nozülünün (36) dikey olarak üstünde yer alan bir gaz-sivi temas plakasi (39) araciligiyla, ikinci sprey seviye sisteminin (26) en az bir nozülünün (36) yakinindan saptirilmasini içerir. . Bir proses gazinin temizlenmesine yönelik kullanisli bir yas yikayici olup, yas yikayici, birinci sprey seviye sistemi (20) içinde yer alan nozüller (36) tarafindan atomizasyona yönelik bir absorpsiyon sivisinin tedarik edilebilecegi birinci bir sprey seviye sistemi (20) ve ikinci sprey seviye sistemi (26) içinde yer alan nozüller (36) tarafindan atomizasyona yönelik bir absorpsiyon sivisinin tedarik edilebilecegi birinci sprey seviye sisteminin (20) dikey olarak üstünde düzenlenen ikinci bir sprey seviye sistemi (26) ve birinci ve ikinci sprey seviye sistemlerini (20, 26) muhafaza eden bir yas yikayici kulesi (2) içerir ve kulenin (2) alt kisminda (2b) yer alan bir proses gazi girisi (4) ve kulenin (2) alt kisminda (2G) yer alan bir proses gazi çikisi (6) içerir, özelligi, birinci sprey seviye sisteminin (20), birinci sprey seviye sisteminin (20) nozüllerinin (36) en az birinin dikey olarak üstünde yer alan bir gaz-sivi temas plakasi (38) içermesi ile karakterize edilmesidir, bu en az bir gaz-sivi temas plakasi (38), yas yikayici kulesi (2) içinde asagi yönde akan ikinci sprey seviye sisteminin (26) nozülleri (36) araciligiyla atomize edilmis olan absorpsiyon sivisinin saptirilmasina yönelik çalisir, bu sekilde saptirilan absorpsiyon sivisi (AL), birinci sprey seviye sisteminin (20) en az bir nozülü (36) tarafindan atomize edilen absorpsiyon sivisi tarafindan temas edilen proses gazina (F) temas edebilir, burada, birinci sprey seviye sistemi (20), birinci sprey seviye sisteminin (20) tüm nozülleriinin (36) en az yarisinin her birinin dikey olarak üstünde düzenlenen ayri gaz-sivi temas plakalari (38) içerir. . Istem 5'e göre bir yas yikayici olup, özelligi, burada, birinci sprey seviye sistemi ve ikinci sprey seviye sisteminin her birinin bir tübüler kisim içermesidir ve burada nozüller (36), tübüler kisma akiskan olarak baglidir. Istemler 5-6'ya göre bir yas yikayici olup, özelligi, burada, birinci sprey seviye sisteminin (20) tüm gaz-sivi temas plakalarinin (38) toplam yatay yüzey alaninin, toplamda, birinci sprey seviye sisteminin (20) en az bir gaz-sivi temas plakasinin (38) hizasinda ölçülmüs olmak üzere, yas yikayici kulesinin (2) iç yas yikayici yatay kesitsel alaninin %30-75'ini kaplamasidir. Istemler 5-7'den herhangi birine göre bir yas yikayici olup, özelligi, burada, bir nozül (36) sprey açikligindan (52), ilgili gaz-sivi temas plakasinin (38) üst yüzeyi (38d) üzerindeki en yakin noktaya olan dikey mesafenin (HP) 0.1 ila 0.9 m olmasidir. Istemler 5-8'den herhangi birine göre bir yas yikayici olup, özelligi, burada, birinci sprey seviye sisteminin (120), saptirilan absorpsiyon sivisi (AL) tarafindan temas edilen proses gazinin (F) dikey hizinin kontrol edilmesine yönelik, en az bir gaz-sivi temas plakasina (38) bitisik olarak yerlestirilen en az bir ayarlanabilir damper (152) içermesidir. istem 9'a göre bir yas yikayici olup, özelligi, burada, birinci sprey seviye sisteminin (120), en az iki bitisik gaz-sivi temas plakasi (38, 38) arasinda düzenlenen ve en az iki gaz-sivi temas plakasi (38,38) ile büyük ölçüde ayni yatay düzlemdeki en az bir damper (152) içermesidir. Istemler 5-10'dan herhangi birine göre bir yas yikayici olup, özelligi, burada, üçüncü sprey seviye sistemi (32) içinde yer alan nozüller (36) tarafindan atomizasyona yönelik bir absorpsiyon sivisinin tedarik edildigi üçüncü bir sprey seviye sisteminin (32), ikinci sprey seviye sisteminin (26) dikey olarak üstünde düzenlenmesidir, ikinci sprey seviye sistemi (26), ikinci sprey seviye sisteminin (26) nozüllerinin (36) en az birinin dikey olarak üstünde yer alan en az bir gaz- sivi temas plakasi (39) içerir, bu en az bir gaz-sivi temas plakasi (39), üçüncü sprey seviye sisteminin (32) nozülleri (36) araciligiyla atomize edilen ve yas yikayici kulesi (2) içerisinde asagi yönde akan absorpsiyon sivisinin saptirilmasina yönelik çalisir, bu sekilde saptirilan absorpsiyon sivisi (AL), ikinci sprey seviye sisteminin (26) en az bir nozülü (36) tarafindan atomize edilen absorpsiyon sivisi tarafindan temas edilen proses gazina (F) temas edebilir. istem 11'e göre bir yas yikayici olup, özelligi, burada, bir sprey seviye sisteminin (20) tüm gaz-sivi temas plakalarinin (38) kombine edilmis toplam üst yüzeyinin (38a), ayni yas yikayici kulesi (2) içerisindeki ilk bahsedilen sprey seviye sisteminin (20) üstünde düzenlenen diger bir sprey seviye sisteminin (26) tüm gaz-sivi temas plakalarinin (39) kombine edilmis toplam üst yüzey (39a) alanindan daha küçük olmasidir. Istemler 5-12'den herhangi birine göre bir yas yikayici olup, özelligi, burada, en az birinci sprey seviye sisteminin (20) nozüllerinin (36), buraya asagi dogru bir yönde tedarik edilen absorpsiyon sivisinin en az yarisini spreylemesidir. Istemler 5-13'ten herhangi birine göre bir yas yikayici olup, özelligi, burada, en tepedeki sprey seviye sistemi (32) hariç, her bir sprey seviye sisteminin (20, 26) tüm nozüllerinin (36) en az %75'inin, buranin üstünde, tek bir ilgili gaz-sivi temas plakasi (38, 39) ile teçhizatlandirilmasidir.
TR2018/09457T 2010-12-10 2010-12-10 Saptırıcı plakalar içeren bir yaş yıkayıcı ve bir proses gazının temizlenmesine yönelik bir yöntem. TR201809457T4 (tr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP10194445.2A EP2463014B1 (en) 2010-12-10 2010-12-10 A wet scrubber comprising deflector plates, and a method of cleaning a process gas

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TR201809457T4 true TR201809457T4 (tr) 2018-07-23

Family

ID=43828201

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TR2018/09457T TR201809457T4 (tr) 2010-12-10 2010-12-10 Saptırıcı plakalar içeren bir yaş yıkayıcı ve bir proses gazının temizlenmesine yönelik bir yöntem.

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9079131B2 (tr)
EP (1) EP2463014B1 (tr)
JP (1) JP5744223B2 (tr)
CN (1) CN103338841B (tr)
PL (1) PL2463014T3 (tr)
TR (1) TR201809457T4 (tr)
WO (1) WO2012076947A1 (tr)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT512543B1 (de) * 2012-07-17 2013-09-15 Andritz Energy & Environment Gmbh Anlage und Verfahren zur Absorption von Einzelkomponenten in Gasen
US9700837B2 (en) 2013-07-18 2017-07-11 General Electric Technology Gmbh Wet scrubber nozzle system and method of use for cleaning a process gas
US10226778B2 (en) 2014-06-30 2019-03-12 Carbonxt, Inc. Systems, lances, nozzles, and methods for powder injection resulting in reduced agglomeration
JP6423297B2 (ja) * 2015-03-20 2018-11-14 千代田化工建設株式会社 Ｂｏｇ処理装置
GB2540582A (en) * 2015-07-22 2017-01-25 Edwards Ltd Apparatus for evacuating a corrosive effluent gas stream from a processing chamber
JP6730024B2 (ja) * 2015-12-07 2020-07-29 千代田化工建設株式会社 液幕除塵装置および排煙脱硫装置
KR101675148B1 (ko) * 2016-03-22 2016-11-11 반경옥 습식 사이클론 탈취장치
CN106090975B (zh) * 2016-07-15 2024-04-05 大唐环境产业集团股份有限公司 一种喷淋吸收式烟气余热回收系统
KR101860066B1 (ko) * 2016-10-06 2018-05-24 주식회사 미로 공기청정기
CN106984160A (zh) * 2017-05-16 2017-07-28 张子和 一种环保型工厂设备废气排放深度净化装置
EP3437717A1 (en) 2017-08-01 2019-02-06 Alfa Laval Corporate AB A scrubber for cleaning of a gas
EP3437718A1 (en) * 2017-08-01 2019-02-06 Alfa Laval Corporate AB A scrubber for cleaning of a gas
WO2019034243A1 (en) 2017-08-16 2019-02-21 Doosan Lentjes Gmbh PURIFIER PLATE AND WET PURIFIER PLATFORM COMPRISING SUCH A PURIFIER PLATE
CN108722163B (zh) * 2017-09-07 2019-06-07 江苏新世纪江南环保股份有限公司 一种氨法脱硫控制吸收过程气溶胶产生的方法
CN109569241B (zh) * 2018-12-18 2021-07-27 太原理工大学 一种捕集co2的喷雾装置及工艺
CN109351168B (zh) * 2018-12-26 2024-05-14 南京泰斯普化工工程技术有限公司 一种烟气脱硫装置
CN110368797B (zh) * 2019-08-28 2023-12-12 苏州仕净科技股份有限公司 一种基于排放浓度监测的双层式废气处理系统
CN110975575A (zh) * 2019-12-12 2020-04-10 宾采尔环境技术(江苏)有限公司 一种工业废气处理用喷淋塔及其喷淋方法
CN111536542A (zh) * 2020-05-08 2020-08-14 上海烟草集团有限责任公司 烟丝生产中排气处理系统及炉气处理方法
CN111729436A (zh) * 2020-07-02 2020-10-02 梁宏辉 一种玻璃加工用环保高效型废气处理系统
CN112480979A (zh) * 2020-11-04 2021-03-12 山东义丰环保机械股份有限公司 一种焦炉煤气脱硫设备
CN112364576B (zh) * 2020-11-09 2024-02-27 中冶赛迪技术研究中心有限公司 一种喷淋塔气液接触效果评价及优化设计方法
WO2023082120A1 (zh) * 2021-11-11 2023-05-19 无锡星亿智能环保装备股份有限公司 卧式废气净化塔
CN114931847A (zh) * 2022-06-10 2022-08-23 重庆环迈环保科技有限公司 一种带有自检装置的废气净化系统
GB202215396D0 (en) * 2022-10-18 2022-11-30 Hadfield Clive Improved Gas to Liquid Contact Apparatus
CN115646145B (zh) * 2022-11-10 2025-10-17 江苏国利环保科技有限公司 一种处理煤化工变换冷凝液汽提废水的装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1620826A (en) 1925-07-06 1927-03-15 Walter C Mitchell Smoke consumer
US2039540A (en) * 1934-06-15 1936-05-05 Brassert & Co Gas washer
US3036417A (en) * 1959-03-06 1962-05-29 Airfilpat Holdings Proprietary Gas scrubbing and like operations
JPS5351878Y2 (tr) * 1971-10-22 1978-12-12
US4263021A (en) * 1972-12-05 1981-04-21 The Babcock & Wilcox Company Gas-liquid contact system
JPS5271380A (en) * 1975-12-11 1977-06-14 Sanko Air Plant Wet purification apparatus for polluted gases
JPS5425271A (en) * 1977-07-29 1979-02-26 Fuji Kasui Kogyo Kk Wet type exhaust gas desulfurization method
US4315872A (en) * 1977-07-29 1982-02-16 Fuji Kasui Engineering Co., Ltd. Plate column
US4305909A (en) * 1979-10-17 1981-12-15 Peabody Process Systems, Inc. Integrated flue gas processing system
JPS61103524A (ja) * 1984-10-27 1986-05-22 Mazda Motor Corp 脱臭制御装置
JPS6220626A (ja) 1985-07-20 1987-01-29 Mazda Motor Corp デイ−ゼルエンジンの吸気装置
JPS6220626U (tr) * 1985-07-23 1987-02-07
JPS62202320A (ja) 1986-02-28 1987-09-07 Toshiba Corp 磁気記録媒体
JPS62202320U (tr) * 1986-06-11 1987-12-23
US5173093A (en) * 1991-07-26 1992-12-22 The Babcock & Wilcox Company Single spray level for flue gas desulfurization system
JPH06198121A (ja) * 1993-01-06 1994-07-19 Babcock Hitachi Kk 吸収塔を備えた湿式排煙脱硫装置
US6102377A (en) * 1997-02-26 2000-08-15 Abb Environmental Services, Division Of Abb Flakt, Inc. Wet scrubbing spray apparatus for removing sulfur oxides from combustion effluents
CN1193813C (zh) * 2001-11-21 2005-03-23 上海电力学院 多级液幕喷雾洗涤式烟气脱硫装置
US20050046052A1 (en) * 2003-07-11 2005-03-03 Kenichi Okada Exhaust gas treating tower
JP2005199184A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 排煙脱硫装置
US8128071B2 (en) 2006-10-03 2012-03-06 Alstom Technology Ltd Method and apparatus for improved gas/fluid contact
JP2008296152A (ja) * 2007-05-31 2008-12-11 Okawara Mfg Co Ltd スクラバ装置
JP5590370B2 (ja) * 2009-08-04 2014-09-17 バブコック日立株式会社 湿式排煙脱硫装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014502558A (ja) 2014-02-03
PL2463014T3 (pl) 2018-10-31
US9079131B2 (en) 2015-07-14
US20140026753A1 (en) 2014-01-30
US20150336049A1 (en) 2015-11-26
JP5744223B2 (ja) 2015-07-08
WO2012076947A1 (en) 2012-06-14
CN103338841B (zh) 2015-09-23
EP2463014A1 (en) 2012-06-13
US9895643B2 (en) 2018-02-20
EP2463014B1 (en) 2018-05-09
CN103338841A (zh) 2013-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TR201809457T4 (tr) Saptırıcı plakalar içeren bir yaş yıkayıcı ve bir proses gazının temizlenmesine yönelik bir yöntem.
JP4294484B2 (ja) 混合羽根を用いて気体を洗浄する方法および装置
KR100745810B1 (ko) 세정집진장치
EP2859935B1 (en) Method and apparatus for wet desulfurization spray towers
CN104289089B (zh) 湿式洗涤器喷嘴系统及用于清洁过程气体的使用方法
US9545645B2 (en) Paint spray booth
RU2494792C2 (ru) Диспергирующее устройство распылительного сушильного абсорбера
US8968450B1 (en) Wet scrubber design
WO2007116714A1 (ja) 湿式排煙脱硫装置
KR20160049782A (ko) 선박용 스크러버
WO2007080676A1 (ja) 湿式排煙脱硫装置
JPWO2008087769A1 (ja) 湿式排煙脱硫装置
CN204816213U (zh) 高效湿法脱硫除尘一体化装置
CN105983308A (zh) 一种通除气中污物的方法与机器
JP2006122862A (ja) 排ガス処理装置
EP3320265A1 (en) A method and a device for cleaning a gas
CN105854495A (zh) 一种用于脱硫技术除尘除雾装置
KR100542953B1 (ko) 배가스 유입구 부분을 개선한 기-액 흡수탑
CN102228780B (zh) 气动分流喷淋脱硫设备
CN201357049Y (zh) 一种燃煤锅炉烟气海水脱硫装置
CN1237310C (zh) 浸浴净化排气罩
CA2464269C (en) Method and apparatus for scrubbing gases, using mixing vanes
UA22510U (en) Deduster
CN102500218A (zh) 一种除尘脱硫装置