TH99236B - โครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์, กรรมวิธีการผลิตโครงเรือนเหล่านั้น, แผ่นฟิล์มสื่อนำใส, และเซลล์สุริยะที่ทำได้โดยใช้กรรมวิธีการผลิตอย่างเดียวกัน - Google Patents
โครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์, กรรมวิธีการผลิตโครงเรือนเหล่านั้น, แผ่นฟิล์มสื่อนำใส, และเซลล์สุริยะที่ทำได้โดยใช้กรรมวิธีการผลิตอย่างเดียวกันInfo
- Publication number
- TH99236B TH99236B TH801000132A TH0801000132A TH99236B TH 99236 B TH99236 B TH 99236B TH 801000132 A TH801000132 A TH 801000132A TH 0801000132 A TH0801000132 A TH 0801000132A TH 99236 B TH99236 B TH 99236B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- oxide
- aluminum
- housings
- phase
- gallium
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims abstract 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 210000000080 chela (arthropods) Anatomy 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
Abstract
การประดิษฐ์นี้จัดทำให้ได้โครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์ที่มีซิ้งค์ ออกไซด์, เป็น ส่วนประกอบหลัก, และยิ่งกว่านั้นก็ยังคงมีอลูมิเนียมและแกลเลียมประกอบอยู่, กรรมวิธีของการผลิต โครงเรือนเหล่านั้น, เป้าหมายที่ไม่ทำให้เกิดการปล่อยประจุไฟฟ้าออกแบบผิดปกติทั้งหมดโดยวิธีการ ฉาบด้วยโลหะหรือวิธีการอย่างอื่นๆ และสามารถทำให้เป็นแผ่นฟิล์มได้อย่างต่อเนื่องตลอด ช่วงเวลาที่ยาวนาน แผ่นฟิล์มสื่อนำใสที่ทำได้โดยการใช้วิธีการอย่างเดียวกัน, ที่มีความต้านทาน ต่ำ, การส่งผ่านแสงสูงและคุณภาพสูง และเซลล์สุริยะโดยวิธีการเดียวกันที่มีประสิทธิภาพการ เปลี่ยนสูง การประดิษฐ์นี้ก็จัดทำให้ได้ด้วยโครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์ซึ่งมีซิ้งค์ ออกไซด์, อลูมิเนียมและแกลเลียมประกอบอยู่ และประกอบโดยส่วนใหญ่ด้วยเฟสผลึกของเฟสซิ้งค์ ออกไซด์แบบ-เวอร์ทไซท์และเฟสออกไซด์แบบ-สไปเนล ซึ่งบ่งคุณลักษณะเฉพาะที่ว่า (1) ปริมาณเนื้อของอลูมิเนียมและแกลเลียมในโครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์เป็นตั้งแต่ 0.3 ถึง 6.5%โดย อะตอมเป็นอัตราส่วนอะตอมที่ใช้แทนได้ด้วย (Al+Ga) / (Zn+Al+Ga) และปริมาณเนื้ออลูมิเนียม เป็นตั้งแต่ 30 ถึง 70%โดยอะตอมเป็นอัตราส่วนอะตอมที่ใช้แทนได้ด้วย Al / (Al+Ga), (2) ปริมาณเนื้อ อลูมิเนียมในเฟสออกไซด์แบบ-สไปเนลเป็นตั้งแต่ 10 ถึง 90%โดยอะตอมเป็นอัตราส่วนอะตอมที่ใช้ แทนได้ด้วย Al / (Al+Ga) และขนาดเม็ดผลึกเฉลี่ยเท่ากับหรือเล็กกว่า 10 ไมโครเมตร หรือ อย่างอื่นๆอีก
Claims (1)
1. โครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์ที่มีซิ้งค์ ออกไซด์, อลูมิเนียมและแกลเลียมประกอบ อยู่ และประกอบโดยส่วนใหญ่ด้วยเฟสผลึกของเฟสซิ้งค์ ออกไซด์แบบ-เวอร์ทไซท์และเฟส ออกไซด์แบบ-สไปเนล โดยที่ (1) ปริมาณเนื้อของอลูมิเนียมและแกลเลียมในโครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์เป็นตั้งแต่ 0.3 ถึง 6.5%โดยอะตอมเป็นอัตราส่วนอะตอมที่ใช้แทนได้ด้วย (Al+Ga) / (Zn+Al+Ga) และ ปริมาณเนื้ออลูมิเนียมเป็นตั้งแต่ 30 ถึง 70%โดยอะตอมเป็นอัตราส่วนอะตอมที่ใช้แทนได้ด้วย
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH99236A TH99236A (th) | 2009-12-04 |
| TH99236B true TH99236B (th) | 2009-12-04 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200833632A (en) | Oxide sintering body, method for producing the same, transparency conductive film and solar battery obtained by using it | |
| Suryawanshi et al. | Improved photoelectrochemical performance of Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films prepared using modified successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) sequence | |
| US9087954B2 (en) | Method for producing the pentanary compound semiconductor CZTSSe, and thin-film solar cell | |
| Chen et al. | Effect of substrate temperature and post-annealing on the properties of CIGS thin films deposited using e-beam evaporation | |
| JP2012099646A (ja) | 光電変換素子 | |
| CN104603957B (zh) | 化合物太阳能电池及其制造方法 | |
| EP2808904A1 (en) | Method for manufacturing compound solar cell | |
| TW201236168A (en) | Transparent conductive film laminate and method for manufacturing the same, and thin film solar cell and method for manufacturing the same | |
| WO2014125903A1 (ja) | Ｃｉｇｓ系化合物太陽電池 | |
| TH99236B (th) | โครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์, กรรมวิธีการผลิตโครงเรือนเหล่านั้น, แผ่นฟิล์มสื่อนำใส, และเซลล์สุริยะที่ทำได้โดยใช้กรรมวิธีการผลิตอย่างเดียวกัน | |
| TH99236A (th) | โครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์, กรรมวิธีการผลิตโครงเรือนเหล่านั้น, แผ่นฟิล์มสื่อนำใส, และเซลล์สุริยะที่ทำได้โดยใช้กรรมวิธีการผลิตอย่างเดียวกัน | |
| JP6035122B2 (ja) | 光電変換素子および光電変換素子のバッファ層の製造方法 | |
| CN102270568B (zh) | 一种绒面ZnO基薄膜的盐溶液腐蚀方法 | |
| WO2009119962A1 (en) | Boron-doped zinc oxide based transparent conducting film and manufacturing method of thereof | |
| JP2013229572A (ja) | 光電素子 | |
| JP2014231640A (ja) | 酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びこれにより蒸着された保護層を有する光電池 | |
| CN102496645B (zh) | 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池的制备方法 | |
| KR101304643B1 (ko) | 인듐 도핑된 산화아연 나노로드 박막층을 포함하는 태양전지용 전극 및 이의 제조 방법 | |
| CN103003475A (zh) | 制备适用于光伏电池的吸收薄膜的方法 | |
| JP2004158556A (ja) | 太陽電池 | |
| WO2014080639A1 (ja) | 太陽電池 | |
| JP2014096472A (ja) | Ｃｉｇｓ型太陽電池用基板及びｃｉｇｓ型太陽電池 | |
| JP5472702B2 (ja) | 酸化亜鉛系焼結体スパッタリングターゲット | |
| CN105154985A (zh) | 一种双结构绒面Cu2O薄膜及其制备方法 | |
| RU2531021C2 (ru) | Способ формирования слоев на основе оксида цинка |