TH99236B - Porous oxide bonded housings, manufacturing methods for those housings, transparent conductive films, and solar cells can be done using the same manufacturing process. - Google Patents

Porous oxide bonded housings, manufacturing methods for those housings, transparent conductive films, and solar cells can be done using the same manufacturing process.

Info

Publication number
TH99236B
TH99236B TH801000132A TH0801000132A TH99236B TH 99236 B TH99236 B TH 99236B TH 801000132 A TH801000132 A TH 801000132A TH 0801000132 A TH0801000132 A TH 0801000132A TH 99236 B TH99236 B TH 99236B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
oxide
aluminum
housings
phase
gallium
Prior art date
Application number
TH801000132A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH99236A (en
Inventor
นาย โยชิยูกิอาเบะ นาย โทกุยูกินากายาม่า
Original Assignee
ซูมิโตโม เมทัล ไมนิ่ง โค แอลทีดี ซูมิโตโม เมทัล ไมนิ่ง โค แอลทีดี
Filing date
Publication date
Application filed by ซูมิโตโม เมทัล ไมนิ่ง โค แอลทีดี ซูมิโตโม เมทัล ไมนิ่ง โค แอลทีดี filed Critical ซูมิโตโม เมทัล ไมนิ่ง โค แอลทีดี ซูมิโตโม เมทัล ไมนิ่ง โค แอลทีดี
Publication of TH99236A publication Critical patent/TH99236A/en
Publication of TH99236B publication Critical patent/TH99236B/en

Links

Abstract

การประดิษฐ์นี้จัดทำให้ได้โครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์ที่มีซิ้งค์ ออกไซด์, เป็น ส่วนประกอบหลัก, และยิ่งกว่านั้นก็ยังคงมีอลูมิเนียมและแกลเลียมประกอบอยู่, กรรมวิธีของการผลิต โครงเรือนเหล่านั้น, เป้าหมายที่ไม่ทำให้เกิดการปล่อยประจุไฟฟ้าออกแบบผิดปกติทั้งหมดโดยวิธีการ ฉาบด้วยโลหะหรือวิธีการอย่างอื่นๆ และสามารถทำให้เป็นแผ่นฟิล์มได้อย่างต่อเนื่องตลอด ช่วงเวลาที่ยาวนาน แผ่นฟิล์มสื่อนำใสที่ทำได้โดยการใช้วิธีการอย่างเดียวกัน, ที่มีความต้านทาน ต่ำ, การส่งผ่านแสงสูงและคุณภาพสูง และเซลล์สุริยะโดยวิธีการเดียวกันที่มีประสิทธิภาพการ เปลี่ยนสูง การประดิษฐ์นี้ก็จัดทำให้ได้ด้วยโครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์ซึ่งมีซิ้งค์ ออกไซด์, อลูมิเนียมและแกลเลียมประกอบอยู่ และประกอบโดยส่วนใหญ่ด้วยเฟสผลึกของเฟสซิ้งค์ ออกไซด์แบบ-เวอร์ทไซท์และเฟสออกไซด์แบบ-สไปเนล ซึ่งบ่งคุณลักษณะเฉพาะที่ว่า (1) ปริมาณเนื้อของอลูมิเนียมและแกลเลียมในโครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์เป็นตั้งแต่ 0.3 ถึง 6.5%โดย อะตอมเป็นอัตราส่วนอะตอมที่ใช้แทนได้ด้วย (Al+Ga) / (Zn+Al+Ga) และปริมาณเนื้ออลูมิเนียม เป็นตั้งแต่ 30 ถึง 70%โดยอะตอมเป็นอัตราส่วนอะตอมที่ใช้แทนได้ด้วย Al / (Al+Ga), (2) ปริมาณเนื้อ อลูมิเนียมในเฟสออกไซด์แบบ-สไปเนลเป็นตั้งแต่ 10 ถึง 90%โดยอะตอมเป็นอัตราส่วนอะตอมที่ใช้ แทนได้ด้วย Al / (Al+Ga) และขนาดเม็ดผลึกเฉลี่ยเท่ากับหรือเล็กกว่า 10 ไมโครเมตร หรือ อย่างอื่นๆอีก The invention has resulted in a zinc oxide porous bonding housing, as the main ingredient, and in addition to still having aluminum and gallium, the process of manufacture. Those housings, the target that do not cause all abnormal electrical discharge by means of Plastered with metal or any other method And can be made into a continuous film throughout Long time The transparent conductive film is achieved using the same method, with low resistance, high light transmission and high quality. And a solar cell by the same method with high conversion efficiency, the invention was made possible with a porous oxide cladding frame containing zinc oxide, aluminum and gallium. And mainly composed of the crystalline phase of the zinc phase Oxide-verde and phase-spinal oxide The characteristic characteristic is that (1) the content of aluminum and gallium in the porous oxide substrate is from 0.3 to 6.5%, with atoms being substituted atomic ratios (Al + Ga) / (Zn +. Al + Ga) and the aluminum content is from 30 to 70%, with atoms being atomic ratios that can be replaced with Al / (Al + Ga), (2) the aluminum content in the -S phase oxide. The pincer is from 10 to 90%, with atoms being the atomic ratios that can be represented by Al / (Al + Ga) and the average grain size is or less than 10 μm or otherwise.

Claims (1)

1. โครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์ที่มีซิ้งค์ ออกไซด์, อลูมิเนียมและแกลเลียมประกอบ อยู่ และประกอบโดยส่วนใหญ่ด้วยเฟสผลึกของเฟสซิ้งค์ ออกไซด์แบบ-เวอร์ทไซท์และเฟส ออกไซด์แบบ-สไปเนล โดยที่ (1) ปริมาณเนื้อของอลูมิเนียมและแกลเลียมในโครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์เป็นตั้งแต่ 0.3 ถึง 6.5%โดยอะตอมเป็นอัตราส่วนอะตอมที่ใช้แทนได้ด้วย (Al+Ga) / (Zn+Al+Ga) และ ปริมาณเนื้ออลูมิเนียมเป็นตั้งแต่ 30 ถึง 70%โดยอะตอมเป็นอัตราส่วนอะตอมที่ใช้แทนได้ด้วย1. A porous oxide bonded housing frame containing zinc oxide, aluminum and gallium, and mainly composed of the crystalline phase of the zinc phase. Oxide type - vertise and phase Spinal oxides, where (1) the content of aluminum and gallium in the porous oxide substrate ranges from 0.3 to 6.5%, with atoms being substituted atomic ratios (Al + Ga) / (Zn + Al + Ga) and the aluminum content is from 30 to 70%, with the atom being a substitute atomic ratio.
TH801000132A 2008-01-10 Porous oxide bonded housings, manufacturing methods for those housings, transparent conductive films, and solar cells can be done using the same manufacturing process. TH99236B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH99236A TH99236A (en) 2009-12-04
TH99236B true TH99236B (en) 2009-12-04

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200833632A (en) Oxide sintering body, method for producing the same, transparency conductive film and solar battery obtained by using it
Suryawanshi et al. Improved photoelectrochemical performance of Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films prepared using modified successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) sequence
US9087954B2 (en) Method for producing the pentanary compound semiconductor CZTSSe, and thin-film solar cell
JP2012099646A (en) Photoelectric conversion element
CN104603957B (en) Compound solar cell and its manufacture method
EP2808904A1 (en) Method for manufacturing compound solar cell
TW201236168A (en) Transparent conductive film laminate and method for manufacturing the same, and thin film solar cell and method for manufacturing the same
TH99236B (en) Porous oxide bonded housings, manufacturing methods for those housings, transparent conductive films, and solar cells can be done using the same manufacturing process.
TH99236A (en) Porous oxide-bonded housings, manufacturing methods for those housings, transparent conductive films, and solar cells can be performed using the same manufacturing process.
JP6035122B2 (en) Photoelectric conversion element and method for producing buffer layer of photoelectric conversion element
CN102270568B (en) Saline solution corrosion method for flocked ZnO-base thin film
WO2009119962A1 (en) Boron-doped zinc oxide based transparent conducting film and manufacturing method of thereof
JP2013229572A (en) Photoelectric element
JP2014231640A (en) Zinc oxide based sputtering target and photocell having protective layer vapor-deposited therefrom
CN102496645B (en) Preparation method of copper indium gallium selenide (CIGS) thin-film solar cell
KR101304643B1 (en) Solar cell electrode comprising a thin layer of indium-doped zinc oxide nanorods and mehtod for preparing the same
CN103003475A (en) Method for preparing an absorber thin film for photovoltaic cells
JP2004158556A (en) Solar cell
WO2014080639A1 (en) Solar cell
JP2014096472A (en) Substrate for cigs type solar cell and cigs type solar cell
JP5472702B2 (en) Zinc oxide-based sintered sputtering target
CN105154985A (en) Double-structure textured Cu2O thin film and preparation method thereof
RU2531021C2 (en) Method of forming zinc oxide-based layers
CN103887366B (en) A kind of energy preparation method with adjustable copper indium aluminum selenium membrane
KR101410671B1 (en) Fabrication method of CIS thin films and its application to CIS thin film solar cells