TH99236B - Porous oxide bonded housings, manufacturing methods for those housings, transparent conductive films, and solar cells can be done using the same manufacturing process. - Google Patents
Porous oxide bonded housings, manufacturing methods for those housings, transparent conductive films, and solar cells can be done using the same manufacturing process.Info
- Publication number
- TH99236B TH99236B TH801000132A TH0801000132A TH99236B TH 99236 B TH99236 B TH 99236B TH 801000132 A TH801000132 A TH 801000132A TH 0801000132 A TH0801000132 A TH 0801000132A TH 99236 B TH99236 B TH 99236B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- oxide
- aluminum
- housings
- phase
- gallium
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 5
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims abstract 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims abstract 3
- 229910000611 Zinc aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 1
- 210000000080 chela (arthropods) Anatomy 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 abstract 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 abstract 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
Abstract
การประดิษฐ์นี้จัดทำให้ได้โครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์ที่มีซิ้งค์ ออกไซด์, เป็น ส่วนประกอบหลัก, และยิ่งกว่านั้นก็ยังคงมีอลูมิเนียมและแกลเลียมประกอบอยู่, กรรมวิธีของการผลิต โครงเรือนเหล่านั้น, เป้าหมายที่ไม่ทำให้เกิดการปล่อยประจุไฟฟ้าออกแบบผิดปกติทั้งหมดโดยวิธีการ ฉาบด้วยโลหะหรือวิธีการอย่างอื่นๆ และสามารถทำให้เป็นแผ่นฟิล์มได้อย่างต่อเนื่องตลอด ช่วงเวลาที่ยาวนาน แผ่นฟิล์มสื่อนำใสที่ทำได้โดยการใช้วิธีการอย่างเดียวกัน, ที่มีความต้านทาน ต่ำ, การส่งผ่านแสงสูงและคุณภาพสูง และเซลล์สุริยะโดยวิธีการเดียวกันที่มีประสิทธิภาพการ เปลี่ยนสูง การประดิษฐ์นี้ก็จัดทำให้ได้ด้วยโครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์ซึ่งมีซิ้งค์ ออกไซด์, อลูมิเนียมและแกลเลียมประกอบอยู่ และประกอบโดยส่วนใหญ่ด้วยเฟสผลึกของเฟสซิ้งค์ ออกไซด์แบบ-เวอร์ทไซท์และเฟสออกไซด์แบบ-สไปเนล ซึ่งบ่งคุณลักษณะเฉพาะที่ว่า (1) ปริมาณเนื้อของอลูมิเนียมและแกลเลียมในโครงเรือนเกาะตัวพรุนออกไซด์เป็นตั้งแต่ 0.3 ถึง 6.5%โดย อะตอมเป็นอัตราส่วนอะตอมที่ใช้แทนได้ด้วย (Al+Ga) / (Zn+Al+Ga) และปริมาณเนื้ออลูมิเนียม เป็นตั้งแต่ 30 ถึง 70%โดยอะตอมเป็นอัตราส่วนอะตอมที่ใช้แทนได้ด้วย Al / (Al+Ga), (2) ปริมาณเนื้อ อลูมิเนียมในเฟสออกไซด์แบบ-สไปเนลเป็นตั้งแต่ 10 ถึง 90%โดยอะตอมเป็นอัตราส่วนอะตอมที่ใช้ แทนได้ด้วย Al / (Al+Ga) และขนาดเม็ดผลึกเฉลี่ยเท่ากับหรือเล็กกว่า 10 ไมโครเมตร หรือ อย่างอื่นๆอีก The invention has resulted in a zinc oxide porous bonding housing, as the main ingredient, and in addition to still having aluminum and gallium, the process of manufacture. Those housings, the target that do not cause all abnormal electrical discharge by means of Plastered with metal or any other method And can be made into a continuous film throughout Long time The transparent conductive film is achieved using the same method, with low resistance, high light transmission and high quality. And a solar cell by the same method with high conversion efficiency, the invention was made possible with a porous oxide cladding frame containing zinc oxide, aluminum and gallium. And mainly composed of the crystalline phase of the zinc phase Oxide-verde and phase-spinal oxide The characteristic characteristic is that (1) the content of aluminum and gallium in the porous oxide substrate is from 0.3 to 6.5%, with atoms being substituted atomic ratios (Al + Ga) / (Zn +. Al + Ga) and the aluminum content is from 30 to 70%, with atoms being atomic ratios that can be replaced with Al / (Al + Ga), (2) the aluminum content in the -S phase oxide. The pincer is from 10 to 90%, with atoms being the atomic ratios that can be represented by Al / (Al + Ga) and the average grain size is or less than 10 μm or otherwise.
Claims (1)
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH99236A TH99236A (en) | 2009-12-04 |
TH99236B true TH99236B (en) | 2009-12-04 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200833632A (en) | Oxide sintering body, method for producing the same, transparency conductive film and solar battery obtained by using it | |
Suryawanshi et al. | Improved photoelectrochemical performance of Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin films prepared using modified successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) sequence | |
US9087954B2 (en) | Method for producing the pentanary compound semiconductor CZTSSe, and thin-film solar cell | |
JP2012099646A (en) | Photoelectric conversion element | |
CN104603957B (en) | Compound solar cell and its manufacture method | |
EP2808904A1 (en) | Method for manufacturing compound solar cell | |
TW201236168A (en) | Transparent conductive film laminate and method for manufacturing the same, and thin film solar cell and method for manufacturing the same | |
TH99236B (en) | Porous oxide bonded housings, manufacturing methods for those housings, transparent conductive films, and solar cells can be done using the same manufacturing process. | |
TH99236A (en) | Porous oxide-bonded housings, manufacturing methods for those housings, transparent conductive films, and solar cells can be performed using the same manufacturing process. | |
JP6035122B2 (en) | Photoelectric conversion element and method for producing buffer layer of photoelectric conversion element | |
CN102270568B (en) | Saline solution corrosion method for flocked ZnO-base thin film | |
WO2009119962A1 (en) | Boron-doped zinc oxide based transparent conducting film and manufacturing method of thereof | |
JP2013229572A (en) | Photoelectric element | |
JP2014231640A (en) | Zinc oxide based sputtering target and photocell having protective layer vapor-deposited therefrom | |
CN102496645B (en) | Preparation method of copper indium gallium selenide (CIGS) thin-film solar cell | |
KR101304643B1 (en) | Solar cell electrode comprising a thin layer of indium-doped zinc oxide nanorods and mehtod for preparing the same | |
CN103003475A (en) | Method for preparing an absorber thin film for photovoltaic cells | |
JP2004158556A (en) | Solar cell | |
WO2014080639A1 (en) | Solar cell | |
JP2014096472A (en) | Substrate for cigs type solar cell and cigs type solar cell | |
JP5472702B2 (en) | Zinc oxide-based sintered sputtering target | |
CN105154985A (en) | Double-structure textured Cu2O thin film and preparation method thereof | |
RU2531021C2 (en) | Method of forming zinc oxide-based layers | |
CN103887366B (en) | A kind of energy preparation method with adjustable copper indium aluminum selenium membrane | |
KR101410671B1 (en) | Fabrication method of CIS thin films and its application to CIS thin film solar cells |