TH94340B - อุปกรณ์และวิธีการสำหรับการผลิตของซิลิกอนระดับชั้นคุณภาพสารกึ่งตัวนำ - Google Patents
อุปกรณ์และวิธีการสำหรับการผลิตของซิลิกอนระดับชั้นคุณภาพสารกึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH94340B TH94340B TH701003078A TH0701003078A TH94340B TH 94340 B TH94340 B TH 94340B TH 701003078 A TH701003078 A TH 701003078A TH 0701003078 A TH0701003078 A TH 0701003078A TH 94340 B TH94340 B TH 94340B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- silicon
- grade silicon
- melting
- hot
- materials
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract 3
- 230000005712 crystallization Effects 0.000 claims abstract 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 6
- 230000000779 depleting Effects 0.000 abstract 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
Abstract
การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับอุปกรณ์และวิธีการสำหรับการผลิตอินกอตของซิลิกอนชั้น คุณภาพสารกึ่งตัวนำซึ่งรวมถึงซิลิกอนชั้นคุณภาพโซลาร์ ซึ่งสภาพการมีออกซิเจนในบริเวณร้อน ได้รับการลดลงอย่างเป็นสำคัญหรือได้รับการกำจัดโดยการใช้วัสดุที่พร่องออกไซด์ในบริเวณร้อน ของการหลอมเหลวและกระบวนการตกผลึก วิธีการนี้อาจได้รับการใช้สำหรับกระบวนการที่รู้จัก ใดๆ ซึ่งรวมถึงการตกผลึกอินกอตซิลิกอนชั้นคุณภาพสารกึ่งตัวนำ ซึ่งรวมถึงอินกอตซิลิกอนชั้น คุณภาพโซลาร์ ดังเช่น กระบวนการ Bridgman, กระบวนการเทหล่อบล็อก และกระบวนการ CZ สำหรับการเติบโตของผลึกซิลิกอนผลึกเดี่ยว การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้องกับอุปกรณ์สำหรับการ ดำเนินกระบวนการหลอมเหลวและตกผลึซึ่งวัสดุของบริเวณร้อนนี้พร่องออกไซด์
Claims (1)
1. วิธีการสำหรับการผลิตอินกอตซิลิกอนชั้นคุณภาพสารกึ่งตัวนำซึ่งสภาพการมีออกซิเจนใน บริเวณร้อนจะได้รับการกำจัดหรือลดลงอย่างเป็นสำคัญโดย - การตกผลึกอินกอตซิลิกอนชั้นคุณภาพสารกึ่งตัวนำ ซึ่งอย่างเป็นทางเลือกนั้นรวมถึง การหลอมเหลววัสดุป้อนชนิดซิลิกอน ในเบ้าหลอมที่ทำขึ้นจากซิลิกอนไนไทรด์, ซิลิกอนคาร์ไบด์ หรือวัสดุประกอบของชนิดดังกล่าว - การบรรจุเบ้าหลอมในบริเวณร้อนที่มีการปิดผนึกด้วยบรรยากาศเฉื่อยในระหว่าง การตกผลึกของอินกอต ซึ่งอย่างเป็นทางเลือกยังรวมถึงการหลอมเหลวของวัสด
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH94340A TH94340A (th) | 2009-03-13 |
| TH94340B true TH94340B (th) | 2009-03-13 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101565185B (zh) | 多晶硅棒的制造方法 | |
| SG182899A1 (en) | Method for producing a silicon ingot | |
| CN101696514A (zh) | 一种多晶锭的生产方法 | |
| TW201131031A (en) | Apparatus and method for continuous casting of monocrystalline silicon ribbon | |
| CN103789835A (zh) | 一种改进型梯度凝固GaAs单晶生长方法 | |
| KR101857612B1 (ko) | GaAs 단결정의 제조 방법 및 GaAs 단결정 웨이퍼 | |
| TW201226640A (en) | Method for producing silicon single crystal ingot | |
| TW201130156A (en) | Sapphire single crystal for producing sapphire single crystal substrate for LED, sapphire single crystal substrate for LED, light-eliciting element, and method for preparing the same | |
| JP4726138B2 (ja) | 石英ガラスルツボ | |
| JP6387797B2 (ja) | シリコン部品用シリコン結晶の製造方法 | |
| JP5794955B2 (ja) | β−Ｇａ２Ｏ３単結晶膜付基板の製造方法 | |
| JP5741163B2 (ja) | 石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶の製造方法 | |
| TH94340B (th) | อุปกรณ์และวิธีการสำหรับการผลิตของซิลิกอนระดับชั้นคุณภาพสารกึ่งตัวนำ | |
| JP5201446B2 (ja) | ターゲット材およびその製造方法 | |
| TH94340A (th) | อุปกรณ์และวิธีการสำหรับการผลิตของซิลิกอนระดับชั้นคุณภาพสารกึ่งตัวนำ | |
| JP5938092B2 (ja) | 高純度シリコンの製造方法、及びこの方法で得られた高純度シリコン、並びに高純度シリコン製造用シリコン原料 | |
| JP5685894B2 (ja) | 石英ガラスルツボ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶の製造方法 | |
| JP2009242150A (ja) | 酸化物単結晶の製造方法 | |
| JP7078933B2 (ja) | 鉄ガリウム合金単結晶育成用種結晶 | |
| JP2018504359A (ja) | 多結晶シリコンの製造方法 | |
| JP2015093800A (ja) | イリジウム製坩堝を用いた複合酸化物単結晶の製造方法と白金坩堝を用いた複合酸化物原料の製造方法 | |
| JP2017061396A (ja) | 酸化ガリウム単結晶育成用ルツボおよび酸化ガリウム単結晶の製造方法 | |
| JP2007045640A (ja) | 半導体バルク結晶の作製方法 | |
| JP2004269335A (ja) | 単結晶の製造方法 | |
| TWI793167B (zh) | 砷化鎵系化合物半導體結晶及晶圓群 |