TH94340B - Equipment and methods for the manufacture of semiconductor grade silicon - Google Patents
Equipment and methods for the manufacture of semiconductor grade siliconInfo
- Publication number
- TH94340B TH94340B TH701003078A TH0701003078A TH94340B TH 94340 B TH94340 B TH 94340B TH 701003078 A TH701003078 A TH 701003078A TH 0701003078 A TH0701003078 A TH 0701003078A TH 94340 B TH94340 B TH 94340B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- silicon
- grade silicon
- melting
- hot
- materials
- Prior art date
Links
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims abstract 3
- 230000005712 crystallization Effects 0.000 claims abstract 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N Silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 6
- 230000000779 depleting Effects 0.000 abstract 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
Abstract
การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับอุปกรณ์และวิธีการสำหรับการผลิตอินกอตของซิลิกอนชั้น คุณภาพสารกึ่งตัวนำซึ่งรวมถึงซิลิกอนชั้นคุณภาพโซลาร์ ซึ่งสภาพการมีออกซิเจนในบริเวณร้อน ได้รับการลดลงอย่างเป็นสำคัญหรือได้รับการกำจัดโดยการใช้วัสดุที่พร่องออกไซด์ในบริเวณร้อน ของการหลอมเหลวและกระบวนการตกผลึก วิธีการนี้อาจได้รับการใช้สำหรับกระบวนการที่รู้จัก ใดๆ ซึ่งรวมถึงการตกผลึกอินกอตซิลิกอนชั้นคุณภาพสารกึ่งตัวนำ ซึ่งรวมถึงอินกอตซิลิกอนชั้น คุณภาพโซลาร์ ดังเช่น กระบวนการ Bridgman, กระบวนการเทหล่อบล็อก และกระบวนการ CZ สำหรับการเติบโตของผลึกซิลิกอนผลึกเดี่ยว การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้องกับอุปกรณ์สำหรับการ ดำเนินกระบวนการหลอมเหลวและตกผลึซึ่งวัสดุของบริเวณร้อนนี้พร่องออกไซด์ The invention relates to a device and a method for the production of layered silicon ingots. Semiconductor qualities including silicon, solar quality Which condition of having oxygen in hot areas Has been significantly reduced or removed by the use of hot-area oxide depletion materials. Of melting and crystallization processes This method may be used for any known processes including crystallizing semiconductor grade silicon ingots. This includes solar quality grade silicon ingots such as the Bridgman process, the block pouring process and the CZ process for the growth of single crystal silicon This invention also involves devices for The melting and depleting process is performed in which the materials of this hot region deplete oxide
Claims (1)
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH94340A TH94340A (en) | 2009-03-13 |
| TH94340B true TH94340B (en) | 2009-03-13 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101565185B (en) | Method of manufacturing polycrystalline silicon rod | |
| SG182899A1 (en) | Method for producing a silicon ingot | |
| CN101696514A (en) | Method for producing polycrystal ingot | |
| TW201131031A (en) | Apparatus and method for continuous casting of monocrystalline silicon ribbon | |
| CN103789835A (en) | Improved gradient freeze GaAs single crystal growing method | |
| KR101857612B1 (en) | Method for producing gaas single crystal and gaas single crystal wafer | |
| TW201226640A (en) | Method for producing silicon single crystal ingot | |
| TW201130156A (en) | Sapphire single crystal for producing sapphire single crystal substrate for LED, sapphire single crystal substrate for LED, light-eliciting element, and method for preparing the same | |
| JP4726138B2 (en) | Quartz glass crucible | |
| JP6387797B2 (en) | Manufacturing method of silicon crystal for silicon parts | |
| JP5741163B2 (en) | Quartz glass crucible, method for producing the same, and method for producing silicon single crystal | |
| CN108431306A (en) | Silicon single crystal manufacturing method and silicon wafer production equipment | |
| TH94340B (en) | Equipment and methods for the manufacture of semiconductor grade silicon | |
| JP5201446B2 (en) | Target material and manufacturing method thereof | |
| TH94340A (en) | Equipment and methods for the manufacture of semiconductor grade silicon | |
| JP2014015366A (en) | SUBSTRATE WITH β-Ga2O3 SINGLE CRYSTAL FILM AND ITS MANUFACTURING METHOD | |
| JP5938092B2 (en) | Method for producing high-purity silicon, high-purity silicon obtained by this method, and silicon raw material for producing high-purity silicon | |
| JP5685894B2 (en) | Quartz glass crucible, method for producing the same, and method for producing silicon single crystal | |
| JP6102687B2 (en) | Method for producing complex oxide single crystal | |
| JP2009242150A (en) | Method for producing oxide single crystal | |
| JP7078933B2 (en) | Seed crystal for growing single crystal of iron gallium alloy | |
| JP2018504359A (en) | Method for producing polycrystalline silicon | |
| JP2007045640A (en) | Forming method of semiconductor bulk crystal | |
| JP2004269335A (en) | Production method for single crystal | |
| TWI793167B (en) | Gallium Arsenide Compound Semiconductor Crystal and Wafer Group |