TH90853A - สเลอรีขัดมันและวิธีสำหรับใช้สเลอรีชนิดเดียวกันนี้ - Google Patents
สเลอรีขัดมันและวิธีสำหรับใช้สเลอรีชนิดเดียวกันนี้Info
- Publication number
- TH90853A TH90853A TH601004839A TH0601004839A TH90853A TH 90853 A TH90853 A TH 90853A TH 601004839 A TH601004839 A TH 601004839A TH 0601004839 A TH0601004839 A TH 0601004839A TH 90853 A TH90853 A TH 90853A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- abrasive particles
- particles
- slurry
- soft
- hard
- Prior art date
Links
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract 6
- 238000005296 abrasive Methods 0.000 claims abstract 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract 23
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims abstract 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 สเลอรีขัดมันรวมถึงตัวกลางชนิดเหลวและสารขัดถูพาร์ทิคิวเลท สารขัดถูพาร์ทิคิวเลท รวมถึงอนุภาคขัดถูชนิดนิ่ม, อนุภาคขัดถูชนิดแข็ง, และอนุภาคคอลลอยดัล ซิลิคา, ซึ่งอนุภาคขัดถู ชนิดนิ่มมีความแข็ง Mohs ไม่มากกว่า 8 และอนุภาคขัดถูชนิดแข็งมีความแข็ง Mohs ไม่น้อยกว่า 8, และซึ่งมีอนุภาคขัดถูชนิดนิ่มและอนุภาคขัดถูชนิดแข็งที่อัตราส่วนน้ำหนักไม่น้อยกว่า 21 สเลอรีขัดมันรวมถึงตัวกลางชนิดเหลวและสารขัดถูพาร์ทิคิวเลท สารขัดถูพาร์ทิคิวเลท รวมถึงอนุภาคขัดถูชนิดนนิ่ม, อนุภาคขัดถูชนิดแข็ง, และอนุภาคคอลลอยดัล ซิลิคา, ซึ่งอนุภาคขัดถู ชนิดนิ่มมีความแข็ง Mohs ไม่มากกว่า 8 และอนุภาคขัดถูชนิดแข็งมีความแข็ง Mohs ไม่น้อยกว่า 8, และซึ่งมีอนุภาคขัดถูชนิดนิ่มและอนุภาคขัดถูชนิดแข็งที่อัตราส่วนน้ำหนักไม่น้อยกว่า 2:1:
Claims (2)
1. สเลอรี่ขัดมันที่ประกอบรวมด้วย: ตัวกลางชนิดเหลว; และ สารขัดถูกพาร์ทิคิวเลทที่ประกอบรวมด้วยอนุภาคขัดถูกชนิดนิ่ม, อนุภาคขัดถูกชนิดแข็ง, และ อนุภาคคอลลอยดัล ซิลิคา, ซึ่งอนุภาคขัดถูชนิดนิ่มมีความแข็ง Mohs ไม่มากกว่า 8 และอนุภาคขัดถู ชนิดแข็งมีความแข็ง Mohs ไม่น้อยกว่า 8, และ ซึ่งอนุภาคขัดถูกชนิดนิ่มและอนุภาคขัดถูชนิดแข็งที่ อัตราส่วนน้ำหนักไม่น้อยกว่า 2:1
2. สเลอรีขัดมันของข้อถือสิทธิข้อ 1, ซึ่งมีอนุภาคขัดถูชนิดนิ่มมีความแข็ง Mohs ไม่มากกว่า 7 3แท็ก :
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TH90853A true TH90853A (th) | 2008-08-04 |
TH90853B TH90853B (th) | 2008-08-04 |
Family
ID=
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200724633A (en) | Polishing slurries and methods for utilizing same | |
TW200631999A (en) | Polishing pad | |
DK1660606T3 (da) | Slibepartikler til kemisk-mekanisk polering | |
TW200714406A (en) | Use of cmp for aluminum mirror and solar cell fabrication | |
TW200734441A (en) | Compositions and methods for CMP of indium tin oxide surfaces | |
WO2008116043A3 (en) | Abrasive articles, rotationally reciprocating tools, and methods | |
TW200513520A (en) | Method for manufacturing substrate | |
BR0310025A (pt) | Abrasivos revestidos aperfeiçoados | |
WO2009046311A3 (en) | Composite slurries of nano silicon carbide and alumina | |
TW200602154A (en) | Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing method | |
HUP0500174A2 (hu) | Új szerkezetű abrazív tárgyak és csiszolási eljárások | |
TW200740972A (en) | Metal polishing slurry | |
EP1951837A4 (en) | POLISHING LIQUIDS AND CMP PROCESS | |
WO2007070715A3 (en) | Cleaning and polishing composition for metallic surfaces | |
DE60115710D1 (de) | Artikel mit flixiertem schleifmittel zum verändern einer halbleiterscheibe | |
HK1149630A1 (en) | Colloidal silica with modified surface and polishing composition for cmp containing the same | |
WO2004083328A3 (en) | Slurry compositions for use in a chemical-mechanical planarization process having non-spherical abrasive particles | |
IL187704A0 (en) | Polishing pad comprising magnetically sensitive particles and method for the use thereof | |
MX2009010119A (es) | Metodos para remover defectos en superficies. | |
AU2003248899A1 (en) | Cerium salt coated abrasive particles for glass polishing | |
TW200705376A (en) | Diamond conditioning of soft chemical mechanical planarization/polishing (CMP) polishing pads | |
ATE550144T1 (de) | Synthetischer schleifstein | |
TW200602157A (en) | Polishing pad having grooves configured to promote mixing wakes during polishing | |
WO2010062818A3 (en) | Two-line mixing of chemical and abrasive particles with endpoint control for chemical mechanical polishing | |
WO2008120578A1 (ja) | 金属膜研磨用パッドおよびそれを用いる金属膜の研磨方法 |