TH85401A - อุปกรณ์และวิธีการสำหรับการเคลือบซับสเตรต - Google Patents

Abstract

DC60 (24/08/49) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับอุปกรณ์สำหรับการเคลือบซับสเตรตโดยใช้การเกาะจับไอทาง กายภาพ ซึ่งประกอบด้วยช่องสุญญากาศซึ่งขดลวดได้รับการใส่ไว้สำหรับการคงวัสดุนำไฟฟ้า ปริมาณหนึ่งไว้ในการลอยและสำหรับทำความร้อนและทำให้วัสดุนั้นกลายเป็นไอ โดยใช้กระแส ไฟ ฟ้าแปรผันในขดลวด และซึ่งวิถีทางได้รับการใส่ไว้ในขดลวดเพื่อกั้นแยกขดลวดจากวัสดุลอย ดัง กล่าว ตามการประดิษฐ์นี้ อุปกรณ์มีลักษณะเฉพาะซึ่งวิถีทางการกั้นแยกเป็นส่วนหนึ่งของ ภาชนะ บรรจุที่ทำมาจากวัสดุไม่นำไฟฟ้า ภาชนะบรรจุมีช่องเปิดหนึ่งหรือหลายช่องสำหรับการนำ วัสดุนำ ไฟฟ้าที่กลายเป็นไอแล้วไปยังซับสเตรตที่จะได้รับการเคลือบ การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้อง กับวิธีการ สำหรับการเคลือบซับสเตรตโดยใช้การเกาะจับไอทางกายภาพอีกด้วย การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับอุปกรณ์สำหรับการเคลือบซับสเตรตโดยใช้การเกาะจับไอทาง กายภาพ ซึ่งประกอบด้วยช่องสุญญากาศซึ่งขดลวดได้รับการใส่ไว้สำหรับการคงวัสดุนำไฟฟ้า ปริมาณหนึ่งไว้ในการลอยและสำหรับทำความร้อนและทำให้วัสดุนั้นกลายเป็นไอ โดยใช้กระแส ไฟฟ้าแปรผันในขดลวด และซึ่งวิถีทางได้รับการใส่ไว้ในขดลวดเพื่อกั้นแยกขดลวดจากวัสดุลอย ดังกล่าว ตามการประดิษฐ์นี้ อุปกรณ์มีลักษณะเฉพาะซึ่งวิถีทางการกั้นแยกเป็นส่วนหนึ่งของภาชนะ บรรจุที่ทำมาจากวัสดุไม่นำไฟฟ้า ภาชนะบรรจุมีช่องเปิดหนึ่งหรือหลายช่องสำหรับการนำวัสดุนำ ไฟฟ้าที่กลายเป็นไอแล้วไปยังซับสเตรตที่จะได้รับการเคลือบ การประดิษฐ์นี้ยังเกี่ยวข้องกับวิธีการ สำหรับการเคลือบซับสเตรตโดยใช้การเกาะจับไอทางกายภาพอีกด้วย

Claims (13)

1. อุปกรณ์สำหรับการเคลือบซับสเตรตโดยการใช้การเกาะจับไอทางกายภาพ ซึ่ง ประกอบด้วยห้องสุญญากาศที่ซึ่งขดลวด (1) ได้รับการใส่สำหรับการคงปริมาณวัสดุนำไฟฟ้าที่ ลอยอยู่และสำหรับทำความร้อนและทำให้วัสดุนั้นระเหยเป็นไอ โดยที่ใช้กระแสไฟฟ้าแปรผันใน ขดลวด (1) ที่ซึ่งวิถีทางได้รับการใส่ไว้ในขดลวดเพื่อกั้นแยกขดลวด (1) จากวัสดุลอย และที่ซึ่งวิถีทาง แยกโดดนั้นเป็นส่วนหนึ่งของภาชนะบรรจุ (2) ที่ทำจากวัสดุไม่นำไฟฟ้าภาชนะบรรจุ (2) นั้นมีช่อง เปิด (5) อย่างน้อยหนึ่งช่องสำหรับการนำทางวัสดุนำไฟฟ้าที่ระเหยเป็นไอไปยังซับสเตรตที่จะถูก เคลือบ โดยมีลักษณะเฉพาะคือ ภาชนะบรรจุ (2) ถูกจัดให้มีวิถีทางทำความร้อน (8) เพื่อให้ความร้อน แก่ภาชนะบรรจุ (2)

2. อุปกรณ์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งภาชนะบรรจุมีรูปแบบเป็นท่อนำ ซึ่งผนึกปลาย ทั้งสองด้าน ช่องเปิดหนึ่งหรือหลายช่องมีอยู่ในผนึก

3. อุปกรณ์ตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งภาชนะบรรจุมีรูปแบบเป็นท่อนำพร้อมผนึกที่ด้าน หนึ่งและส่วนนูนรูปกล่องที่ปลายอีกด้าน ส่วนนูนดังกล่าวมีช่องเปิดจำนวนหนึ่ง

4. อุปกรณ์ตามข้อถือสิทธิข้อ 3 ซึ่งส่วนนูนอย่างน้อยที่สุดกว้างเท่ากับซับสเตรตที่จะ ได้รับการเคลือบ

5. อุปกรณ์ตามข้อถือสิทธิข้อก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งช่องเปิดมีรูปแบบของรูหรือ รอยผ่า

6. อุปกรณ์ตามข้อถือสิทธิข้อก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งภาชนะบรรจุได้รับการจัด เตรียมไว้พร้อมด้วยวิถีทางทำความร้อนเพื่อทำความร้อนภาชนะบรรจุดังกล่าว

7. อุปกรณ์ตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ซึ่งภาชนะบรรจุได้รับการจัดเตรียมไว้พร้อมด้วย ส่วนประกอบทำความร้อนที่ทำมาจากวัสดุนำไฟฟ้า เช่น ลวดต้านทานที่เป็นมอลิบดีนั่มหรือ ทังสเตน

8. อุปกรณ์ตามข้อถือสิทธิข้อก่อนหน้านี้ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งภาชนะบรรจุได้รับการผลิต จากวัสดุเซรามิค เช่น โบรอนไนไตรด์หรือซิลิคอนไนไตรด์

9. วิธีการสำหรับการเคลือบซับสเตรตโดยใช้เกาะจับด้วยไอทางกายภาพ โดยใช้ สุญญากาศสำหรับการคงวัสดุนำไฟฟ้าปริมาณหนึ่งไว้ให้ลอย และสำหรับทำความร้อนและทำให้ วัสดุดังกล่าวกลายเป็นไอ ซึ่งมีกระแสไฟฟ้าแปรผันอยู่ในขดลวด และซึ่งวิถีทางกั้นแยกได้รับการ ใส่ไว้ระหว่างขดลวดและวัสดุลอยดังกล่าว วิถีทางกั้นแยกเป็นส่วนของภาชนะบรรจุที่ทำมาจาก วัสดุไม่นำไฟฟ้าที่ได้รับการทำความร้อน ภาชนะบรรจุมีช่องเปิดหนึ่งหรือหลายช่องสำหรับการนำ วัสดุนำไฟฟ้าที่กลายเป็นไอไปยังซับสเตรตที่จะได้รับการเคลือบ ซึ่งวัสดุที่กลายเป็นไอก่อรูป เป็นพลาสม่าภายในภาชนะบรรจุ ซึ่งพลาสม่าได้รับการปล่อยออกผ่านช่องเปิดในภาชนะบรรจุเพื่อ เคลือบซับสเตรตดังกล่าว

10. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 9 ซึ่งภาชนะบรรจุได้รับการทำความร้อนถึงอุณหภูมิเท่า กับหรือมากกว่าอุณหภูมิของวัสดุลอย

11. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 9 หรือ 10 ซึ่งพลาสม่าในภาชนะบรรจุมีความดัน ระหว่าง 10-1 และ 10-5 mbar อย่างที่ควรเลือกใช้แล้วระหว่าง 10-2 และ 10-4 mbar

12. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 9-11 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งซับสเตรตที่ได้รับการเคลือบ เป็นแถบหนึ่งที่ได้รับการขนส่งแบบต่อเนื่องเทียบกับภาชนะบรรจุ

13. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 9-12 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งเกรเดียนท์ศักย์ได้รับการคงไว้ ระหว่างซับสเตรตและภาชนะบรรจุ ในลักษณะที่ว่าไอออนได้รับการเร่งไปทางซับสเตรต