TH83149A - กระบวนการสำหรับการผลิต Si โดยการรีดักชัน SiCl4 ด้วยของเหลว Zn - Google Patents
กระบวนการสำหรับการผลิต Si โดยการรีดักชัน SiCl4 ด้วยของเหลว ZnInfo
- Publication number
- TH83149A TH83149A TH601001271A TH0601001271A TH83149A TH 83149 A TH83149 A TH 83149A TH 601001271 A TH601001271 A TH 601001271A TH 0601001271 A TH0601001271 A TH 0601001271A TH 83149 A TH83149 A TH 83149A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- sicl4
- metal
- alloy containing
- liquid
- high purity
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (19/06/49) การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับการผลิตซิลิคอนที่มีความบริสุทธิ์เป็นวัสดุพื้นฐานสำหรับการผลิต ตัวอย่างเช่น เซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนที่เป็นผลึก SiCl4 ถูกเปลี่ยนให้เป็นโลหะ Si โดยการสัมผัสกับแก๊ส SiCl4 กับของเหลว Zn, จากนั้น ได้ อัลลอยด์ที่มี Si และ Zn-คลอไรด์, ซึ่งถูกแยก จากนั้น อัลลอยด์ที่มี Si ถูกทำให้บริสุทธิ์ที่อุณหภูมิสูง กว่าจุดเดือดของ Zn กระบวนการนี้ไม่ต้องการเทคโนโลยีที่ซับซ้อนและให้ SiCl4 ที่มีความบริสุทธิ์สูงเมื่อถึง ผลิตภัณฑ์สุดท้าย, เนื่องจาก Zn เป็นสารทำปฏิกิริยาเคมีเพียงชนิดเดียว, ซึ่งสามารถได้ในคุณภาพที่ บริสุทธิ์สูงมาก ๆ และนำกลับไปทำกระบวนการใหม่อย่างต่อเนื่อง การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับการผลิตซิลิคอนที่มีความบริสุทธิ์เป็นวัสดุพื้นฐานสำหรับการผลิต ตัวอย่างเช่น เซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนที่เป็นผลึก SiCl4 ถูกเปลี่ยนให้เป็นโลหะ Si โดยการสัมผัสกับแก๊ส SiCl4 กับของเหลว Zn จากนั้น ได้ อัลลอยด์ที่มี Si และ Zn-คลอไรด์, ซึ่งถูกแยก จากนั้น อัลลอยด์ที่มี Si ถูกทำให้บริสุทธิ์ที่อุณหภูมิสูง กว่าจุดเดือดของ Zn กระบวนการนี้ไม่ต้องการเทคโนโลยีที่ซับซ้อนและให้ SiCl4 ที่มีความบริสุทธิ์สูงเมื่อถึง ผลิตภัณฑ์สุดท้าย, เนื่องจาก Zn เป็นสารทำปฏิกิริยาเคมีเพียงชนิดเดียว, ซึ่งสามารถได้ในคุณภาพที่ บริสุทธิ์สูงมาก ๆ และนำกลับไปทำกระบวนการใหม่อย่างต่อเนื่อง
Claims (1)
1. กระบวนการสำหรับการเปลี่ยน SiCl4 ให้เป็นโลหะ Si, ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอน ของ: - การสัมผัสแก๊ส SiCl4 กับวัฏภาคโลหะของเหลวที่มี Zn, ดังนั้น จึงได้วัฏภาคโลหะที่มี Si และ Zn-คลอไรด์; - การแยก Zn-คลอไรด์ที่ได้จากวัฏภาคโลหะที่มี Si; และ - การทำให้วัฏภาคโลหะที่มี Si บริสุทธิ์ที่อุณหภูมิสูงกว่าจุดเดือดของ Zn, ดังนั้นจึงได้ Zn ที่เป็นไอและได้โลหะ Si, ซึ่งมีลักษณะเฉพาะคือว่าทำขั้นตอนการสัมผัส และการแยกในเครื่องปฏิกิริยาเดี่แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH83149A true TH83149A (th) | 2007-02-22 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9034292B2 (en) | Method and apparatus for producing disilane through pyrolysis of monosilane | |
| EA200870558A1 (ru) | Способы получения стержней поликристаллического кремния высокой степени чистоты с использованием металлического средства-основы | |
| NO20093163L (no) | Prosess for gjenvinning av silisiummetall av hoy renhet | |
| RU2011133919A (ru) | Процесс получения поликристаллического кремния | |
| WO2010029894A1 (ja) | 高純度結晶シリコン、高純度四塩化珪素およびそれらの製造方法 | |
| JP6628895B2 (ja) | アンモニアを合成する方法、および、その装置 | |
| EA200702060A1 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ Si ПУТЕМ ВОССТАНОВЛЕНИЯ SiClЖИДКИМ Zn | |
| WO2006107020A1 (ja) | 高純度無水塩化アルミニウム及びその製造方法 | |
| JP5440556B2 (ja) | 高純度トリアルキルガリウム及びその製法 | |
| CN201400709Y (zh) | 稀有金属碘化提纯装置 | |
| TH83149A (th) | กระบวนการสำหรับการผลิต Si โดยการรีดักชัน SiCl4 ด้วยของเหลว Zn | |
| US3019087A (en) | Purification of silane | |
| KR101758113B1 (ko) | 테트라실란 및 펜타실란의 제조방법 | |
| CN102351195A (zh) | 一种闭路循环生产多晶硅的工艺 | |
| RU2155158C1 (ru) | Способ получения моноизотопного кремния si28 | |
| FR2983846B1 (fr) | Procede de synthese ameliore de nanotubes de carbone sur multi-supports | |
| UA93503C2 (ru) | СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ Si ПУТЕМ ВОССТАНОВЛЕНИЯ SiCl4 ЖИДКИМ Zn | |
| JP5348186B2 (ja) | 高純度トリアルキルガリウム及びその製法 | |
| CA2686640A1 (en) | Polycrystalline germanium-alloyed silicon and a method for the production thereof | |
| JP4904032B2 (ja) | 精製ボラジン化合物の製造方法 | |
| CN108250230B (zh) | 一种二异丙胺硅烷的精制方法 | |
| JP2008050268A (ja) | 高純度トリアルキルガリウム及びその製法 | |
| JP2008081387A (ja) | 高純度シリコンの製造方法 | |
| RU2519194C2 (ru) | Способ получения тетрафторбората лития | |
| RU2224711C2 (ru) | Способ получения селена |