TH74879A - สารผสมนอนแอคเควียสแบบไม่กัดกร่อนที่มีตัวยับยั้งการกัดกร่อนชนิดพอลิเมอร์เพื่อทำการความสะอาดวัสดุไมโครอิเล็กทรอนิกส์ - Google Patents

Abstract

DC60 ได้มีการจัดเตรียมสารลอกโฟโตรีซิสต์ และสารทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้โดย สารผสมทำความสะอาดนอนแอคเควียส ที่ โดยสาระสำคัญแล้ว ไม่กัดกร่อนทองแดงรวม ทั้ง อะลูมินัม และที่ประกอบรวมด้วยตัวทำ ละลายอินทรีย์มีขั้วอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, อะมีนอินทรีย์ ที่เติมไฮดรอกซิลอย่างน้อยที่สุด หนึ่งชนิด และพอลิเมอร์ยับยั้งการกัดกร่อน อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด ที่มีหมู่เชิงหน้าที่ ไฮดรอกซิล หรืออะมิโนหลายหมู่ห้อยจาก แกนหลักพอลิเมอร์ ได้มีการจัดเตรียมสารลอกโฟโตรีซิสต์ และสารทำความสะอาดของการประดิษฐ์นี้โดย สารผสมทำความสะอาดนอนแอคเควียส ที่ โดยสาระสำคัญแล้ว ไม่กัดกร่อนทางแดงรวม ทั้ง อะลูมินัม และที่ประกอบรวมด้วยตัวทำ ละลายอินทรีย์มีขั้วอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, อะมีนอินทรีย์ ที่เติมไฮดรอกซิลอย่างน้อยที่สุด หนึ่งชนิด และพอลิเมอร์ยับยั้งการกัดกร่อน อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด ที่มีหมู่เชิงหน้าที่ ไฮดรอกซิล หรืออะมิโนหลายหมู่ห้อยจาก แกนหลักพอลิเมอร์

Claims (41)

1. สารผสมนอนแอคเควียสทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ และ ส่วนตกแตกค้างจากซับสเทรทไมโครอิเล็ก ทรอนิกส์ ซึ่งสารผสมทำความสะอาดดังกล่าว ประกอบรวมด้วย ตัวทำละลายอินทรีย์มีขั้วหนึ่งชนิด หรือมากกว่านั้น อะมีนอินทรีย์ที่เติมไฮดรอกซิลหนึ่งชนิด หรือมากกว่านั้น และพอลิเมอร์ยับยั้งการกัดกร่อนหนึ่งชนิด หรือมากกว่านั้น ที่มีหมู่เชิงหน้าที่ หลายหมู่ ห้อยจากแกนหลักพอลิเมอร์ ในปริมาณเพื่อ การยับยั้งการกัดกร่อน และที่ซึ่ง คัดเลือก หมู่ห้อยเชิงหน้าที่จากหมู่อะมิโน และไฮดรอกซิล

2. สารผสมทำความสะอาดในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งส่วนประกอบตัวทำละลายอินทรีย์ประกอบ รวมด้วยตั้งแต่ประมาณ 80% โดยน้ำหนักของ สารผสม หรือมากกว่านั้น, ส่วนประกอบ อะมีน อินทรีย์ที่เติมไฮดรอกซิลประกอบรวมด้วย ตั้งแต่ประมาณ 1% ถึงประมาณ 15% โดย น้ำ หนักของสารผสม และมีส่วนประกอบพอลิเมอร์ ยับยั้งการกัดกร่อนในสารผสมใน ปริมาณตั้งแต่ ประมาณ 0.1% ถึงประมาณ 10% โดยน้ำหนักของ สารผสม

3. สารผสมทำความสะอาดในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งคัดเลือกตัวทำละลายอินทรีย์มีขั้วจากกลุ่ม ที่ ประกอบด้วยซัลโฟเลน, 3-เมธิลซัลโฟเลน, n-โพรพิลซัลโฟน, ไดเมธิลซัลฟอกไซด์, เมธิล ซัลโฟน, n-บิวทิลซัลโฟน, ซัลโฟลีน, 3-เมธิล ซัลโฟเลน, 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)- 2-ไพร์โรลิโดน (HEP), ไดเมธิลพิเพอริโดน, N-เมธิล-2-ไพร์ โรลิโดน, ไดเมธิลอะซีทามีด และไดเมธิล ฟอร์มามีด

4. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ที่ซึ่งคัดเลือกอะมีนที่เติมไฮดรอกซิล จากกลุ่มที่ ประกอบด้วยไฮดรอกซิลแอมีน และแอลคานอลแอมีน

5. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิ ข้อ 4 ที่ซึ่งคัดเลือกอะมีนที่เติมไฮดรอกซิล จากกลุ่มที่ ประกอบด้วยไฮดรอกซิลแอมีน, โมโนเอธานอลแอมีน, ไดเอธานอลแอมีน, ไตรเอธานอล- แอมีน, 2-อะมิโนเอธานอล, 1-อะมิ โน-2-โพรพานอล, 1-อะมิโน-3-โพรพานอล, 2-(2-อะมิโนเอธอกซี) เอธานอล, 2-(2-อะมิโน เอธิลอะมิโน) เอธานอล และ 2-(2-อะมิโน- เอธิลอะมิโน) เอธิลแอมีน และของผสมของ สารเหล่านี้

6. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่ซึ่งคัดเลือกอะมีนที่เติมไฮดรอกซิลจากกลุ่ม ที่ ประกอบด้วยไดเอธานอลแอมีน และ 1-อะมิโน- 2-โพรพานอล

7. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งคัดเลือกตัวทำละลายอินทรีย์จากกลุ่มที่ ประกอบด้วย N-เมธิลไพร์โรลิโดน, ซัลโฟเลน, ไดเมธิลซัลฟอกไซด์ และของผสมของ สาร เหล่านี้, คัดเลือกอะมีนที่เติมไฮดรอกซิลจาก กลุ่มที่ประกอบด้วยไดเอธานอลแอมีน และ 1-อะมิโน-2-โพรพานอล

8. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งคัดเลือกตัวยับยั้งการกัดกร่อนชนิด พอลิ เมอร์จากกลุ่มที่ประกอบด้วยพอลิเอธิลีนอิมีน และพอลิท (ไวนิลแอลกอฮอล์-โค-เอธิลีน)

9. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งคัดเลือกตัวยับยั้งการกัดกร่อนชนิด พอลิ เมอร์จากกลุ่มที่ประกอบด้วยพอลิเอธิลีนอิมีน และพอลิ (ไวนิลแอลกอฮอล์-โค-เอธิลีน)

10. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งตัวยับยั้งการกัดกร่อนชนิดพอลิเมอร์ คือ พอลิเอธิลีนอิมีน

11. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งตัวยับยั้งการกัดกร่อนชนิดพอลิเมอร์ คือ พอลิเอธิลีนอิมีน

12. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งตัวยับยั้งการกัดกร่อนชนิดพอลิเมอร์ คือ พอลิ (ไวนิลแอลกอฮอล์-โค-เอธิลีน)

13. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งตัวยับยั้งการกัดกร่อนชนิดพอลิเมอร์ คือ พอลิ (ไวนิลแอลกอฮอล์-โค-เอธิลีน)

14. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วย N-เมธิลไพร์โรลิโดน, ซัลโฟเลน, ไดเมธิลซัลฟอกไซด์, ไดเอธานอลแอมีน และพอลิ (ไวนิลแอลกอฮอล์-โค- เอธิลีน)

15. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วย N-เมธิลไพร์โรลิโดน, ซัลโฟเลน, ไดเมธิลซัลฟอกไซด์, 1-อะมิโน- โพรพานอล และพอลิเอธิลีนอิมีน

16. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมส่วนประกอบเพิ่มเติม หนึ่งชนิด หรือมากกว่านั้น ซึ่งคัดเลือกจาก กลุ่มที่ประกอบด้วย (a) ตัวทำละลายร่วมอะลิฟาทิกที่มีไฮดรอกซิล หรือพอลิไฮดรอกซิล (b) สารประกอบอะริลเพื่อยับยั้งการกัดกร่อน ที่มีอยู่ OH, OR6 และ/หรือ SO2R6R7 สองหมู่ หรือมากกว่านั้น ที่เกิดพันธะอย่างโดยตรง กับวงแหวนอะโรมาทิก โดยที่ อย่างเป็นอิสระต่อกันแล้ว R6, R7 และ R8 แต่ละหมู่ได้รับการคัดเลือกจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยแอลคิล และอะริล (c) ตัวกระทำให้เป็นสารเชิงซ้อนของโลหะ (d) สารประกอบยับยั้งการกัดกร่อนโลหะที่แตกต่างกัน และ (e) สารลดแรงตึงผิว

17. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 1

18. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 2

19. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 3

20. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับ สารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอ ในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วน ตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความ สะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 4

21. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับ สารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอ ในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วน ตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความ สะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือ สิทธิข้อ 5

22. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งประกอบการนี้ ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับ สารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอ ในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วน ตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความ สะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 6

23. กระบวนการสำหรบการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวม ด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วย สารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 7

24. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวม ด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วย สารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 8

25. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวม ด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความ สะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับส เทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบ รวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 9

26. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไม โคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบ รวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำ ความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำ ความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้าง จากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาด ประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 10

27. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับ สารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอ ในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วน ตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความ สะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิ ข้อ 11

28. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรท กับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่ เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสาร ผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วย สารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 12

29. กระบวนการสำหรับการทำความ สะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจาก ซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวน การนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรท กับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียง พอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือ ส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสม ทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสม ในข้อถือสิทธิข้อ 13

30. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสาร ผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการ ทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้าง จากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาด ประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 14

31. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโต รีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร - อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวม ด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวม ด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 15

32. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโต รีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวม ด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วย สารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 16

33. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 17 ที่ซึ่ง ซับสเทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความ สะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพ ที่มีการผสมโลหะทองแดง

34. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 24 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง

35. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 25 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง

36. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 26 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง

37. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 27 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง

38. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 28 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง

39. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 29 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง

40. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง

41. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 31 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง