TH43366B - สารผสมนอนแอคเควียสที่มีฟรุกโทสเพื่อทำการความสะอาดวัสดุไมโครอิเล็กทรอนิกส์ - Google Patents

Abstract

DC60 ได้มีการจัดเตรียมสารลอกโฟโตรีซิสต์ และสารผสมส่วนตกค้างส่วนปลายย้อนกลับ โดยสารผสมนอนแอคเควียส ที่โดยสาระสำคัญแล้ว ไม่กัดกร่อนทองแดงรวมทั้งอะลูมินัม และ ที่ประกอบรวมด้วยตัวทำละลายอินทรีย์มีขั้ว, อะมีนที่เติมไฮดรอกซิล, และฟรุกโทสที่เป็นตัวยับยั้ง การกัดกร่อน ได้มีการจัดเตรียมสารลอกโฟโตรีซิสต์ และสารผสมส่วนตกค้างส่วนปลายย้อนกลับ โดยสารผสมนอนแอคเควียส ที่โดยสาระสำคัญแล้ว ไม่กัดกร่อนทองแดงรวมทั้งอะลูมินัม และ ที่ประกอบรวมด้วยตัวทำละลายอินทรีย์มีขั้ว, อะมีนที่เติมไฮดรอกซิล, และฟรุกโทสที่เป็นตัวยับยั้ง การกัดกร่อน

Claims (44)

1. สารผสมนอนแอคเควียสทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ ส่วนตกค้างจากการกัดขึ้นรอยและเถ้า,วัสดุละทิ้งที่ดูดกลืนแสง หรือสารเคลือบผิวกันสะท้อนจาก ซับสเทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งสารผสมทำความสะอาดดังกล่าวประกอบรวมด้วย: ตัวทำละลายอินทรีย์มีขั้วซึ่งเป็นของผสมระหว่าง N-เมธิลไพร์โรลิโดน กับซัลโฟเลนตั้งแต่ ประมาณ 70% โดยน้ำหนัก ถึงประมาณ 95% โดยน้ำหนัก อะมีนอินทรีย์ที่เติมไฮดรอกซิลตั้งแต่ ประมาณ 1% โดยน้ำหนัก ถึงประมาณ 15% โดยน้ำหนัก,โดยเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย ไดเอธานอลเอมีน และ 1-อะมิโน-2-โพรพานอล,ตัวยับยั้งการกัดกร่อนฟรุกโทสในปริมาณตั้งแต่ ประมาณ 0.1% ถึงประมาณ 15% เพื่อยับยั้งการกัดกร่อน และอย่างเป็นทางเลือกแล้ว ส่วนประกอบ ต่อไปนี้หนึ่งชนิด หรือมากกว่านั้น ตัวทำละลายร่วมอินทรีย์ที่มีไฮดรอกซิล ตัวกระทำให้เป็นคีเลท หรือสารเชิงซ้อนของโลหะ ตัวกระทำการยับยั้งการกัดกร่อนโลหะชนิดอื่น และ สารลดแรงตึงผิว โดยร้อยละของน้ำหนักมีพื้นฐานอยู่บนน้ำหนักทั้งหมดของสารผสมสำหรับทำความสะอาด

2. สารผสมทำความสะอาดในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งมีฟรุกโทสอยู่ในสารผสมในปริมาณ ฟรุกโทสตั้งแต่ประมาณ 0.1% โดยน้ำหนักถึงประมาณ 15% โดยน้ำหนัก ซึ่งมีพื้นฐานอยู่ บนน้ำหนักทั้งหมดของสารผสม

3. สารผสมทำความสะอาดในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งคัดเลือกตัวทำละลายอินทรีย์มีขั้วจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยซัลโฟเลน, 3-เมธิลซัลโฟเลน, n-โพรพิลซัลโฟน, ไดเมธิลซัลฟอกไซด์, เมธิลซัลโฟน, n-บิวทิลซัลโฟน,ซัลโฟลีน, 3-เมธิลซัลโฟเลน, 1-(2-ไฮดรอกซีเอธิล)- 2-ไพร์โรลิโดน (HEP), ไดเมธิลพิเพอริโดน, N-เมธิล-2-ไพร์โรลิโดน, ไดเมธิลอะซีทามีด และไดเมธิลฟอร์มามีด

4. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งคัดเลือกอะมีนที่เติมไฮดรอกซิลจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยไฮดรอกซิลแอมีนและแอลคานอลแอมีน

5. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ที่ซึ่งคัดเลือกอะมีนที่เติมไฮดรอกซิลจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยไฮดรอกซิลแอมีน, โมโนเอธานอลแอมีน, ไดเอธานอลแอมีน, ไตรเอธานอล แอมีน, 2-อะมิโนเอธานอล, 1-อะมิโน-2-โพรพานอล, 1-อะมิโน-3-โพรพานอล, 2-(2-อะมิโนเอธอกซี) เอธานอล, 2-(2-อะมิโนเอธิลอะมิโน) เอธานอล และ 2-(2-อะมิโน- เอธิลอะมิโน) เอธิลแอมีน และของผสมของสารเหล่านี้

6. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่ซึ่งคัดเลือกอะมีนที่เติมไฮดรอกซิลจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยโมโนเอธานอลแอมีน, ไตรเอธานอลแอมีน และ 1-อะมิโน-2-โพรพานอล และของผสมของสารเหล่านี้

7. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งมีตัวทำละลายร่วมอินทรีย์ที่มีไฮดรอกซิล และได้รับการคัดเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเอธิลีนไกลคอล, โพรพิลีนไกลคอล, กรีเซอรอล, โมโน- และไดแอลคิลอีเธอร์ของไดเอธิลีนไกลคอล และแอลกอฮอล์อิ่มตัว

8. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งตัวทำละลายร่วมอินทรีย์ที่มีไฮดรอกซิล คือ 2-(2-เอธอกซีเอธอกซี) เอธานอล

9. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งตัวทำละลายร่วมอินทรีย์ที่มีไฮดรอกซิล คือ แอลกอฮอล์อิ่มตัวซึ่งคัดเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเอธานอล, โพรพานอล, บิวทานอล, เฮกซานอล และเฮกซะฟลูออโรไอโซโพรพานอล

10. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 17 ที่ซึ่งมีตัวกระทำให้เป็นคีเลท หรือ สารเชิงซ้อนของโลหะอยู่ในสารผสม และได้รับการคัดเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วย กรดทรานส์-1,2-ไซโคลเฮกเซนไดแอมีนเตตระอะซีทิก, กรดเอธิลีนไดแอมีนเตตระอะซีทิก, สแทนเนท, ไพโรฟอสเฟท, อนุพันธ์ของแอลคิลิดีน-กรดไดฟอสฟอนิก, เอธิลีนไดแอมีน- เตตระ (เมธิลีนฟอสฟอนิกแอซิด), ไดเอธิลีนไตรแอมีนเพนตะ (เมธิลีนฟอสฟอนิกแอซิด) และไตรเอธิลีนเตตระมีนเฮกซะ (เมธิลีนฟอสฟอนิกแอซิด)

11. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งมีตัวกระทำการยับยั้งการกัดกร่อนโลหะ ชนิดอื่นอยู่ และเป็นสารประกอบอะริลที่มีส่วนสองส่วน หรือมากกว่านั้น ซึ่งคัดเลือกจาก กลุ่มที่ประกอบด้วยส่วน OH, OR6 และ/หรือ SO2R6R7 ที่เกิดพันธะอย่างโดยตรงกับ วงแหวนอะโรมาทิก โดยที่อย่างเป็นอิสระต่อกันแล้ว R6, R7 และ R8แต่ละหมู่ คือ แอลคิล ที่มีคาร์บอนตั้งแต่ 1 ถึง 6 อะตอม หรืออะริลที่มีคาร์บอนตั้งแต่ 6 ถึง 14 อะตอม

12. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 11ที่ซึ่งคัดเลือกตัวกระทำการยับยั้งการกัดกร่อน โลหะชนิดอื่นจากกลุ่มที่ประกอบด้วยแคทีคอล, ไพโรแกลลอล, กรดแกลลิก และ รีซอร์ซินอล

13. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งคัดเลือกตัวทำละลายอินทรีย์มีขั้วจาก กลุ่มที่ประกอบด้วย N-เมธิลไพร์โรลิโดน, ซัลโฟเลน และของผสมของสารเหล่านี้ คัดเลือกอะมีนที่เติมไฮดรอกซิลจากกลุ่มที่ประกอบด้วยโมโนเอธานอลแอมีน, ไตรเอธานอลแอมีน และอะมิโนโพรพานอล และของผสมของสารเหล่านี้

14. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่งนอกจากนี้แล้ว ประกอบรวมด้วย 2-(2-เอธอกซีเอธอกซี) เอธานอลเป็นตัวทำละลายร่วมอินทรีย์ที่มีไฮดรอกซิล

15. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วย N-เมธิลไพร์โรลิโดน, ซัลโฟเลน, โมโนเอธานอลแอมีนและฟรุกโทส

16. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 15 ซึ่งนอกจากนี้แล้ว ประกอบรวมด้วย 2-(2-เอธอกซีเอธอกซี) เอธานอล

17. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 15 ซึ่งนอกจากนี้แล้ว ประกอบรวมด้วย สารหนึ่งชนิด หรือมากกว่านั้น ของไตรเอธานอลแอมีนและอะมิโนโพรพานอล

18. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 17 ซึ่งนอกจากนี้แล้ว ประกอบรวมด้วย 2-(2-เอธอกซีเอธอกซี) เอธานอล

19. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วย N-เมธิลไพร์โรลิโดน, ซัลโฟเลน, อะมิโนโพรพานอล และฟรุกโทส

20. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 19 ซึ่งนอกจากนี้แล้ว ประกอบรวมด้วย 2-(2-เอธอกซีเอธอกซี) เอธานอล

21. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 1

22. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 2

23. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 3

24. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 4

25. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 5

26. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 6

27. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 7

28. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 8

29. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 9

30. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 10

31. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 12

32. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 12

33. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 13

34. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 14

35. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 15

36. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 16

37. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 17

38. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 18

39. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 19

40. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 20

41. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 21 ที่ซึ่งซับสเทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มีการผสมโลหะทองแดง

42. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 36 ที่ซึ่งซับสเทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มีการผสมโลหะทองแดง

43. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 38 ที่ซึ่งซับสเทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มีการผสมโลหะทองแดง

44. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 40 ที่ซึ่งซับสเทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มีการผสมโลหะทองแดง