Claims (41)
1. สารผสมนอนแอคเควียสทำความสะอาดสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ และ ส่วนตกแตกค้างจากซับสเทรทไมโครอิเล็ก ทรอนิกส์ ซึ่งสารผสมทำความสะอาดดังกล่าว ประกอบรวมด้วย ตัวทำละลายอินทรีย์มีขั้วหนึ่งชนิด หรือมากกว่านั้น อะมีนอินทรีย์ที่เติมไฮดรอกซิลหนึ่งชนิด หรือมากกว่านั้น และพอลิเมอร์ยับยั้งการกัดกร่อนหนึ่งชนิด หรือมากกว่านั้น ที่มีหมู่เชิงหน้าที่ หลายหมู่ ห้อยจากแกนหลักพอลิเมอร์ ในปริมาณเพื่อ การยับยั้งการกัดกร่อน และที่ซึ่ง คัดเลือก หมู่ห้อยเชิงหน้าที่จากหมู่อะมิโน และไฮดรอกซิล1. Non-aqueous cleaning mixtures for cleaning photoresist and fragmentation deposits from microelectronic substrates. Such cleaning mixtures consist of one or more polar organic solvents, one or more hydroxyl-doped organic amines, and one or more corrosion-inhibiting polymers with multiple functional groups suspended from the polymer backbone in quantities optimized for corrosion inhibition, and where functional groups are selectively derived from amino and hydroxyl groups.
2. สารผสมทำความสะอาดในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งส่วนประกอบตัวทำละลายอินทรีย์ประกอบ รวมด้วยตั้งแต่ประมาณ 80% โดยน้ำหนักของ สารผสม หรือมากกว่านั้น, ส่วนประกอบ อะมีน อินทรีย์ที่เติมไฮดรอกซิลประกอบรวมด้วย ตั้งแต่ประมาณ 1% ถึงประมาณ 15% โดย น้ำ หนักของสารผสม และมีส่วนประกอบพอลิเมอร์ ยับยั้งการกัดกร่อนในสารผสมใน ปริมาณตั้งแต่ ประมาณ 0.1% ถึงประมาณ 10% โดยน้ำหนักของ สารผสม2. The cleaning mixtures under Patent 1, in which the organic solvent component comprises approximately 80% by weight of the mixture or more, the hydroxyl-added organic amine component comprises approximately 1% to approximately 15% by weight of the mixture, and the corrosion-inhibiting polymer component comprises approximately 0.1% to approximately 10% by weight of the mixture.
3. สารผสมทำความสะอาดในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งคัดเลือกตัวทำละลายอินทรีย์มีขั้วจากกลุ่ม ที่ ประกอบด้วยซัลโฟเลน, 3-เมธิลซัลโฟเลน, n-โพรพิลซัลโฟน, ไดเมธิลซัลฟอกไซด์, เมธิล ซัลโฟน, n-บิวทิลซัลโฟน, ซัลโฟลีน, 3-เมธิล ซัลโฟเลน, 1-(2-ไฮดรอกซิเอธิล)- 2-ไพร์โรลิโดน (HEP), ไดเมธิลพิเพอริโดน, N-เมธิล-2-ไพร์ โรลิโดน, ไดเมธิลอะซีทามีด และไดเมธิล ฟอร์มามีด3. The cleaning mixture in claim 1, which is selected from a group of polar organic solvents including sulfolane, 3-methylsulfolane, n-propylsulfone, dimethylsulfoxide, methyl sulfone, n-butylsulfone, sulfoline, 3-methylsulfolane, 1-(2-hydroxyethyl)-2-pyrrolidone (HEP), dimethylpiperidone, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylacetamide and dimethylformamid.
4. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ที่ซึ่งคัดเลือกอะมีนที่เติมไฮดรอกซิล จากกลุ่มที่ ประกอบด้วยไฮดรอกซิลแอมีน และแอลคานอลแอมีน4. The cleaning compound pursuant to claim clause 1, which selects hydroxyl-added amines from a group consisting of hydroxyl amines and alkanol amines.
5. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิ ข้อ 4 ที่ซึ่งคัดเลือกอะมีนที่เติมไฮดรอกซิล จากกลุ่มที่ ประกอบด้วยไฮดรอกซิลแอมีน, โมโนเอธานอลแอมีน, ไดเอธานอลแอมีน, ไตรเอธานอล- แอมีน, 2-อะมิโนเอธานอล, 1-อะมิ โน-2-โพรพานอล, 1-อะมิโน-3-โพรพานอล, 2-(2-อะมิโนเอธอกซี) เอธานอล, 2-(2-อะมิโน เอธิลอะมิโน) เอธานอล และ 2-(2-อะมิโน- เอธิลอะมิโน) เอธิลแอมีน และของผสมของ สารเหล่านี้5. Cleaning compounds pursuant to claim paragraph 4, which select hydroxyl-added amines from a group consisting of hydroxyl amines, monoethanolamines, diethanolamines, triethanolamines, 2-aminoethanol, 1-amino-2-propanol, 1-amino-3-propanol, 2-(2-aminoethoxy)ethanol, 2-(2-aminoethylamino)ethanol, and 2-(2-amino-ethylamino)ethylamine and mixtures of these compounds.
6. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่ซึ่งคัดเลือกอะมีนที่เติมไฮดรอกซิลจากกลุ่ม ที่ ประกอบด้วยไดเอธานอลแอมีน และ 1-อะมิโน- 2-โพรพานอล6. A cleaning mixture pursuant to claim clause 5, which selects hydroxyl-added amines from a group containing diethanolamine and 1-amino-2-propanol.
7. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งคัดเลือกตัวทำละลายอินทรีย์จากกลุ่มที่ ประกอบด้วย N-เมธิลไพร์โรลิโดน, ซัลโฟเลน, ไดเมธิลซัลฟอกไซด์ และของผสมของ สาร เหล่านี้, คัดเลือกอะมีนที่เติมไฮดรอกซิลจาก กลุ่มที่ประกอบด้วยไดเอธานอลแอมีน และ 1-อะมิโน-2-โพรพานอล7. A cleaning mixture pursuant to claim clause 1, which selects organic solvents from the group containing N-methylpyrrolidone, sulfolane, dimethyl sulfoxide and mixtures of these, and selects hydroxyl-added amines from the group containing diethanolamine and 1-amino-2-propanol.
8. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งคัดเลือกตัวยับยั้งการกัดกร่อนชนิด พอลิ เมอร์จากกลุ่มที่ประกอบด้วยพอลิเอธิลีนอิมีน และพอลิท (ไวนิลแอลกอฮอล์-โค-เอธิลีน)8. A cleaning mixture pursuant to claim clause 1, which selects a polymer corrosion inhibitor from the group consisting of polyethyleneimine and poly(vinyl alcohol-co-ethylene).
9. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งคัดเลือกตัวยับยั้งการกัดกร่อนชนิด พอลิ เมอร์จากกลุ่มที่ประกอบด้วยพอลิเอธิลีนอิมีน และพอลิ (ไวนิลแอลกอฮอล์-โค-เอธิลีน)9. A cleaning mixture pursuant to claim clause 7, which selects a polymer corrosion inhibitor from a group consisting of polyethyleneimine and poly(vinyl alcohol-co-ethylene).
10. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งตัวยับยั้งการกัดกร่อนชนิดพอลิเมอร์ คือ พอลิเอธิลีนอิมีน10. A cleaning mixture pursuant to claim paragraph 1, in which the polymer corrosion inhibitor is polyethyleneimine.
11. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งตัวยับยั้งการกัดกร่อนชนิดพอลิเมอร์ คือ พอลิเอธิลีนอิมีน11. Cleaning mixtures pursuant to claim paragraph 7, where the polymer corrosion inhibitor is polyethyleneimine.
12. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งตัวยับยั้งการกัดกร่อนชนิดพอลิเมอร์ คือ พอลิ (ไวนิลแอลกอฮอล์-โค-เอธิลีน)12. A cleaning mixture pursuant to claim paragraph 1, in which the polymer corrosion inhibitor is poly(vinyl alcohol-co-ethylene).
13. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งตัวยับยั้งการกัดกร่อนชนิดพอลิเมอร์ คือ พอลิ (ไวนิลแอลกอฮอล์-โค-เอธิลีน)13. Cleaning mixtures pursuant to claim paragraph 7, where the polymer corrosion inhibitor is poly(vinyl alcohol-co-ethylene).
14. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วย N-เมธิลไพร์โรลิโดน, ซัลโฟเลน, ไดเมธิลซัลฟอกไซด์, ไดเอธานอลแอมีน และพอลิ (ไวนิลแอลกอฮอล์-โค- เอธิลีน)14. A cleaning mixture as per claim 1, consisting of N-methylpyrrolidone, sulfolane, dimethyl sulfoxide, diethanolamine, and poly(vinyl alcohol-co-ethylene).
15. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมด้วย N-เมธิลไพร์โรลิโดน, ซัลโฟเลน, ไดเมธิลซัลฟอกไซด์, 1-อะมิโน- โพรพานอล และพอลิเอธิลีนอิมีน15. A cleaning mixture according to claim 1, consisting of N-methylpyrrolidone, sulfolane, dimethyl sulfoxide, 1-amino-propanol and polyethyleneimine.
16. สารผสมทำความสะอาดตามข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ซึ่งประกอบรวมส่วนประกอบเพิ่มเติม หนึ่งชนิด หรือมากกว่านั้น ซึ่งคัดเลือกจาก กลุ่มที่ประกอบด้วย (a) ตัวทำละลายร่วมอะลิฟาทิกที่มีไฮดรอกซิล หรือพอลิไฮดรอกซิล (b) สารประกอบอะริลเพื่อยับยั้งการกัดกร่อน ที่มีอยู่ OH, OR6 และ/หรือ SO2R6R7 สองหมู่ หรือมากกว่านั้น ที่เกิดพันธะอย่างโดยตรง กับวงแหวนอะโรมาทิก โดยที่ อย่างเป็นอิสระต่อกันแล้ว R6, R7 และ R8 แต่ละหมู่ได้รับการคัดเลือกจากกลุ่มที่ ประกอบด้วยแอลคิล และอะริล (c) ตัวกระทำให้เป็นสารเชิงซ้อนของโลหะ (d) สารประกอบยับยั้งการกัดกร่อนโลหะที่แตกต่างกัน และ (e) สารลดแรงตึงผิว16. A cleaning mixture pursuant to claim clause 1, which contains one or more additional components selected from a group consisting of (a) an aliphatic co-solvent containing hydroxyl or polyhydroxyl groups; (b) an aryl corrosion inhibitor containing two or more OH, OR6 and/or SO2R6R7 groups directly bonded to an aromatic ring, where independently R6, R7 and R8 each are selected from an alkyl and aryl group; (c) a metal complexing agent; (d) a differential metal corrosion inhibitor; and (e) a surfactant.
17. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 117. A process for cleaning photoresist or substrate residues of microelectronics, which involves contact of the substrate with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist or substrate residues, where the cleaning solution contains the mixtures described in claim 1.
18. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 218. A process for cleaning photoresist or substrate residues of microelectronics, which involves contact of the substrate with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist or substrate residues, in which the cleaning solution contains the mixtures described in claim 2.
19. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 319. A process for cleaning photoresist or substrate residues of microelectronics, which involves contact of the substrate with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist or substrate residues, in which the cleaning solution contains the mixtures described in claim 3.
20. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับ สารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอ ในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วน ตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความ สะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 420. A process for cleaning photoresists or substrate residues of microelectronics, which involves contact of the substrate with a cleaning mixture for a sufficient period of time to clean the photoresists or substrate residues, where the cleaning mixture contains the mixtures described in claim 4.
21. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับ สารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอ ในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วน ตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความ สะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือ สิทธิข้อ 521. A process for cleaning photoresists or substrate residues of microelectronics, which involves contact of the substrate with a cleaning mixture for a sufficient period of time to clean the photoresists or substrate residues, in which the cleaning mixture contains the mixtures described in Patent 5.
22. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งประกอบการนี้ ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับ สารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอ ในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วน ตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความ สะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 622. The process for cleaning photoresists or substrate residues of microelectronics, which involves contact of the substrate with a cleaning mixture for a sufficient period of time to clean the photoresists or substrate residues, where the cleaning mixture contains the mixtures described in claim 6.
23. กระบวนการสำหรบการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวม ด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วย สารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 723. The process for cleaning photoresists or substrate residues of microelectronics, which involves contact of the substrate with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresists or substrate residues, in which the cleaning solution contains the substances described in claim 7.
24. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวม ด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วย สารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 824. A process for cleaning photoresists or substrate residues of microelectronics, which involves contact of the substrate with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresists or substrate residues, in which the cleaning solution contains the solutions described in claim 8.
25. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวม ด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความ สะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับส เทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบ รวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 925. A process for cleaning photoresist or substrate residues of microelectronics, which involves contact of the substrate with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist or substrate residues, in which the cleaning solution contains the compounds described in claim 9.
26. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไม โคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบ รวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำ ความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำ ความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้าง จากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาด ประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 1026. A process for cleaning photoresists or residues from microelectronic substrates, which involves contact of the substrate with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresists or residues from the substrate, in which the cleaning solution contains the compounds described in claim 10.
27. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับ สารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอ ในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วน ตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความ สะอาดประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิ ข้อ 1127. A process for cleaning photoresists or substrate residues of microelectronics, which involves contact of the substrate with a cleaning mixture for a sufficient period of time to clean the photoresists or substrate residues, where the cleaning mixture contains the mixtures described in claim 11.
28. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรท กับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่ เพียงพอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสาร ผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วย สารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 1228. A process for cleaning photoresists or substrate residues of microelectronics, which involves contact of the substrate with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresists or substrate residues, in which the cleaning solution contains the mixtures described in claim 12.
29. กระบวนการสำหรับการทำความ สะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจาก ซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวน การนี้ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรท กับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียง พอในการทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือ ส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสม ทำความสะอาดประกอบรวมด้วยสารผสม ในข้อถือสิทธิข้อ 1329. A process for cleaning photoresist or substrate residues of microelectronics, which involves contact of the substrate with a cleaning mixture for a sufficient period of time to clean the photoresist or substrate residues, where the cleaning mixture contains the compounds described in claim 13.
30. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ ประกอบรวมด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสาร ผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการ ทำความสะอาดโฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้าง จากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาด ประกอบรวมด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 1430. A process for cleaning photoresist or substrate residues of microelectronics, which involves contact of the substrate with a cleaning solution for a sufficient time to clean the photoresist or substrate residues, in which the cleaning solution contains the mixtures described in claim 14.
31. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโต รีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร - อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวม ด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวม ด้วยสารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 1531. A process for cleaning photoresist or substrate residues of microelectronics, which involves contact of the substrate with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist or substrate residues, in which the cleaning solution contains the compounds described in claim 15.
32. กระบวนการสำหรับการทำความสะอาดโฟโต รีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรทไมโคร- อิเล็กทรอนิกส์ ซึ่งกระบวนการนี้ประกอบรวม ด้วยการสัมผัสซับสเทรทกับสารผสมทำความ สะอาดเป็นเวลาที่เพียงพอในการทำความสะอาด โฟโตรีซิสต์ หรือส่วนตกค้างจากซับสเทรท ที่ ซึ่งสารผสมทำความสะอาดประกอบรวมด้วย สารผสมในข้อถือสิทธิข้อ 1632. A process for cleaning photoresist or substrate residues of microelectronics, which involves contact of the substrate with a cleaning solution for a sufficient period of time to clean the photoresist or substrate residues, in which the cleaning solution contains the mixtures described in claim 16.
33. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 17 ที่ซึ่ง ซับสเทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความ สะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพ ที่มีการผสมโลหะทองแดง33. The process under claim 17 in which the microelectronic substrate to be cleaned is characterized by a condition involving a copper alloy.
34. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 24 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง34. The process under claim 24 in which the microelectronic substrate to be cleaned is characterized by a condition involving a copper alloy.
35. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 25 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง35. The process pursuant to claim paragraph 25, in which the microelectronic substrate to be cleaned is characterized by a condition involving a copper alloy.
36. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 26 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง36. The process under claim 26 in which the microelectronic substrate to be cleaned is characterized by a condition involving a copper alloy.
37. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 27 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง37. The process pursuant to claim paragraph 27 in which the microelectronic substrate to be cleaned is characterized by a condition involving a copper alloy.
38. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 28 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง38. The process under claim 28 in which the microelectronic substrate to be cleaned is characterized by a condition involving a copper alloy.
39. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 29 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง39. The process pursuant to claim paragraph 29 in which the microelectronic substrate to be cleaned is characterized by a condition involving a copper alloy.
40. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 30 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง40. The process pursuant to claim clause 30 in which the microelectronic substrate to be cleaned is characterized by a condition involving a copper alloy.
41. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 31 ที่ซึ่งซับส เทรทไมโครอิเล็กทรอนิกส์ที่จะทำความสะอาด ได้รับการทำให้มีลักษณะพิเศษโดยสภาพที่มี การผสมโลหะทองแดง41. The process pursuant to claim paragraph 31 in which the microelectronic substrate to be cleaned is characterized by a condition involving a copper alloy.